JPH06148018A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
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- JPH06148018A JPH06148018A JP30249992A JP30249992A JPH06148018A JP H06148018 A JPH06148018 A JP H06148018A JP 30249992 A JP30249992 A JP 30249992A JP 30249992 A JP30249992 A JP 30249992A JP H06148018 A JPH06148018 A JP H06148018A
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- pressure sensor
- semiconductor pressure
- sensor chip
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明は、半導体圧力センサチップを使用
して一度に複数の差圧が同一精度で容易に検知できる半
導体圧力センサを提供することを目的とする。 【構成】 複数の差圧検知部１１ｂを有する１つの半導
体圧力センサチップ１１を各検知室４Ａ，４Ｂ間の仕切
部３ａを密閉した状態で、この複数の検知室４Ａ，４Ｂ
にまたがって配設し、各差圧検知部１１ａを各検知室４
Ａ，４Ｂ内にそれぞれ位置決めする。この場合、各差圧
検知部１１ａは１つの半導体圧力センサチップに設けら
れているため、各差圧検知部１１ａの各検知室４内にお
ける位置決め精度を容易に等しくでき、各検知室４Ａ，
４Ｂに第１の被検出体Ｇ１と第２の被検出体Ｇ２とを導
入すれば、前記半導体圧力センサチップの各差圧検知部
１１ａを介してそれぞれ同一精度の差圧が検知される。
して一度に複数の差圧が同一精度で容易に検知できる半
導体圧力センサを提供することを目的とする。 【構成】 複数の差圧検知部１１ｂを有する１つの半導
体圧力センサチップ１１を各検知室４Ａ，４Ｂ間の仕切
部３ａを密閉した状態で、この複数の検知室４Ａ，４Ｂ
にまたがって配設し、各差圧検知部１１ａを各検知室４
Ａ，４Ｂ内にそれぞれ位置決めする。この場合、各差圧
検知部１１ａは１つの半導体圧力センサチップに設けら
れているため、各差圧検知部１１ａの各検知室４内にお
ける位置決め精度を容易に等しくでき、各検知室４Ａ，
４Ｂに第１の被検出体Ｇ１と第２の被検出体Ｇ２とを導
入すれば、前記半導体圧力センサチップの各差圧検知部
１１ａを介してそれぞれ同一精度の差圧が検知される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、２つのガス状または
液状の被検出体間の差圧を半導体圧力センサチップを用
いて検出する半導体圧力センサに関するものである。
液状の被検出体間の差圧を半導体圧力センサチップを用
いて検出する半導体圧力センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の半導体圧力センサの断面図
である。図において、１は基板、２は基板１上に接着剤
Ｂ１を介して取り付けられ、その出力端子２ａが基板１
より外方に突出して設けられているリードフレーム、３
は基板１上のリードフレーム２上に接着剤Ｂ１により取
り付けられたカバー、４は基板１とカバー３等によって
形成された密閉状態の一対の検知室であり、カバー３の
仕切部３ａを隔てて第１検知室４Ａと第２検知室４Ｂと
が形成されている。５は各検知室４内に配設され、その
中央部に差圧検知部であるダイヤフラム部５ａを有する
凹状の半導体圧力センサチップであり、この半導体圧力
センサチップ５はその凹部５ｂを下向きにした状態でリ
ードフレーム２上に接着剤Ｂ２により固定されている。
なお、検知室４はこの半導体圧力センサチップ５によっ
てその凹部５ｂ側の内面側空間４ａとその逆側の外面側
空間４ｂとに密閉状態で分けられている。
である。図において、１は基板、２は基板１上に接着剤
Ｂ１を介して取り付けられ、その出力端子２ａが基板１
より外方に突出して設けられているリードフレーム、３
は基板１上のリードフレーム２上に接着剤Ｂ１により取
り付けられたカバー、４は基板１とカバー３等によって
形成された密閉状態の一対の検知室であり、カバー３の
仕切部３ａを隔てて第１検知室４Ａと第２検知室４Ｂと
が形成されている。５は各検知室４内に配設され、その
中央部に差圧検知部であるダイヤフラム部５ａを有する
凹状の半導体圧力センサチップであり、この半導体圧力
センサチップ５はその凹部５ｂを下向きにした状態でリ
ードフレーム２上に接着剤Ｂ２により固定されている。
なお、検知室４はこの半導体圧力センサチップ５によっ
てその凹部５ｂ側の内面側空間４ａとその逆側の外面側
空間４ｂとに密閉状態で分けられている。
【０００３】６は半導体圧力センサチップ５とリードフ
レーム２の出力端子２ａとの電気的接続を行なう導電性
の金属ワイヤ、７はその出口部が第１検知室４Ａの内面
側空間４ａ側に開口するように基板１内等に形成されて
いる第１導入路、８はその出口部が第２検知室４Ｂの外
面側空間４ｂ側に開口するように基板１内等に第１導入
路７から分岐されて形成されている第１分岐路、９はそ
の出口部が第２検知室４Ｂの内面側空間４ａ側に開口す
るように基板１内等に形成されている第２導入路、１０
はその出口部が第１検知室４Ａの外面側空間４ｂ側に開
口するように基板１内等に第２導入路９から分岐して形
成されている第２分岐路である。Ｇ１は第１導入路７に
導入される圧力Ｐ1の第１の被検出体である第１ガス、
Ｇ２は第２導入路９に導入される圧力Ｐ2の第２の被検
出体である第２ガスである。
レーム２の出力端子２ａとの電気的接続を行なう導電性
の金属ワイヤ、７はその出口部が第１検知室４Ａの内面
側空間４ａ側に開口するように基板１内等に形成されて
いる第１導入路、８はその出口部が第２検知室４Ｂの外
面側空間４ｂ側に開口するように基板１内等に第１導入
路７から分岐されて形成されている第１分岐路、９はそ
の出口部が第２検知室４Ｂの内面側空間４ａ側に開口す
るように基板１内等に形成されている第２導入路、１０
はその出口部が第１検知室４Ａの外面側空間４ｂ側に開
口するように基板１内等に第２導入路９から分岐して形
成されている第２分岐路である。Ｇ１は第１導入路７に
導入される圧力Ｐ1の第１の被検出体である第１ガス、
Ｇ２は第２導入路９に導入される圧力Ｐ2の第２の被検
出体である第２ガスである。
【０００４】つぎにこの半導体圧力センサの動作を説明
する。なお、この場合、第１ガスＧ１の圧力Ｐ1が第２
ガスＧ２の圧力Ｐ2より大きいものとする。第１導入路
７の入口側に第１ガスＧ１が導入されると、この第１ガ
スＧ１は第１導入路７を通って第１検知室４Ａの内面側
空間４ａに達するとともに、第１分岐路８を通って第２
検知室４Ｂの外面側空間４ｂに達する。そして、この第
１ガスＧ１は第１検知室４Ａ内で半導体圧力センサチッ
プ５のダイヤフラム部５ａを上方に向かってＰ1の圧力
で膨らませようとするとともに、第２検知室４Ｂ内で半
導体圧力センサチップ５のダイヤフラム部５ａを下方に
向かってＰ1の圧力で膨らませようとする。
する。なお、この場合、第１ガスＧ１の圧力Ｐ1が第２
ガスＧ２の圧力Ｐ2より大きいものとする。第１導入路
７の入口側に第１ガスＧ１が導入されると、この第１ガ
スＧ１は第１導入路７を通って第１検知室４Ａの内面側
空間４ａに達するとともに、第１分岐路８を通って第２
検知室４Ｂの外面側空間４ｂに達する。そして、この第
１ガスＧ１は第１検知室４Ａ内で半導体圧力センサチッ
プ５のダイヤフラム部５ａを上方に向かってＰ1の圧力
で膨らませようとするとともに、第２検知室４Ｂ内で半
導体圧力センサチップ５のダイヤフラム部５ａを下方に
向かってＰ1の圧力で膨らませようとする。
【０００５】また、第２導入路９の入口側に第２ガスＧ
２が導入されると、この第２ガスＧ２は第２導入路９を
通って第２検知室４Ｂの内面側空間４ａに達するととも
に、第２分岐路１０を通って第１検知室４Ａの外面側空
間４ｂに達する。そして、この第２ガスＧ２は第２検知
室４Ｂ内で半導体圧力センサチップ５のダイヤフラム部
５ａを上方に向かってＰ2の圧力で膨らませようとする
とともに、第１検知室４Ａ内で半導体圧力センサチップ
５のダイヤフラム部５ａを下方に向かってＰ2の圧力で
膨らませようとする。
２が導入されると、この第２ガスＧ２は第２導入路９を
通って第２検知室４Ｂの内面側空間４ａに達するととも
に、第２分岐路１０を通って第１検知室４Ａの外面側空
間４ｂに達する。そして、この第２ガスＧ２は第２検知
室４Ｂ内で半導体圧力センサチップ５のダイヤフラム部
５ａを上方に向かってＰ2の圧力で膨らませようとする
とともに、第１検知室４Ａ内で半導体圧力センサチップ
５のダイヤフラム部５ａを下方に向かってＰ2の圧力で
膨らませようとする。
【０００６】この場合Ｐ1＞Ｐ2であるから、結局、第１
検知室４Ａ内の半導体圧力センサチップ５のダイヤフラ
ム部５ａは圧力差（Ｐ1ーＰ2）に見合った分だけ上方に
向かって凸状に膨らんで変形するとともに、第２検知室
４Ｂ内の半導体圧力センサチップ５のダイヤフラム部５
ａも圧力差（Ｐ2ーＰ1）に見合った分だけ下方に向かっ
て凸状に膨らんで変形する。この場合、半導体圧力セン
サチップ５にはそのダイヤフラム部５ａの変形量と変形
方向に見合った電圧Ｖが発生するため、第１検知室４Ａ
の半導体圧力センサチップ５には＋Ｖの電圧が発生し、
第２検知室４Ｂの半導体圧力センサチップ５には−Ｖの
電圧が発生する。そして、これ等の電圧＋Ｖ、−Ｖは金
属ワイヤ６を介してリードフレーム２の出力端子２ａに
伝えられて外部に出力される。そして、各半導体圧力セ
ンサチップ５にて第１ガスＧ１と第２ガスＧ２との差圧
（Ｐ1ーＰ2）が検知されるとともに、第１ガスＧ１の圧
力Ｐ1が第２ガスＧ２の圧力Ｐ2より大きいことが検知さ
れる。
検知室４Ａ内の半導体圧力センサチップ５のダイヤフラ
ム部５ａは圧力差（Ｐ1ーＰ2）に見合った分だけ上方に
向かって凸状に膨らんで変形するとともに、第２検知室
４Ｂ内の半導体圧力センサチップ５のダイヤフラム部５
ａも圧力差（Ｐ2ーＰ1）に見合った分だけ下方に向かっ
て凸状に膨らんで変形する。この場合、半導体圧力セン
サチップ５にはそのダイヤフラム部５ａの変形量と変形
方向に見合った電圧Ｖが発生するため、第１検知室４Ａ
の半導体圧力センサチップ５には＋Ｖの電圧が発生し、
第２検知室４Ｂの半導体圧力センサチップ５には−Ｖの
電圧が発生する。そして、これ等の電圧＋Ｖ、−Ｖは金
属ワイヤ６を介してリードフレーム２の出力端子２ａに
伝えられて外部に出力される。そして、各半導体圧力セ
ンサチップ５にて第１ガスＧ１と第２ガスＧ２との差圧
（Ｐ1ーＰ2）が検知されるとともに、第１ガスＧ１の圧
力Ｐ1が第２ガスＧ２の圧力Ｐ2より大きいことが検知さ
れる。
【０００７】ここで、第１ガスＧ１と第２ガスＧ２の差
圧を２つの半導体圧力センサチップ５を使用して、２箇
所で同時に検出するのは半導体圧力センサチップ５の検
出値に信頼度を持たせるためである。すなわち、例えば
この半導体圧力センサチップ５を自動車に使用し、この
半導体圧力センサチップ５によって何らかの制御（例え
ば空燃比の制御）を行なう場合、１つの半導体圧力セン
サチップ５からの出力のみであれば、自動車の走行中の
振動等に起因してこの半導体圧力センサチップ５からの
出力に狂いが生じると、制御に支障をきたすこととな
る。このため、一部の半導体圧力センサチップ５からの
出力に狂いが生じても、全体の制御に影響を及ぼさない
よう、複数の半導体圧力センサチップ５を使用して同時
に複数箇所からの差圧信号を得るようにし、この半導体
圧力センサからの差圧信号に信頼度を持たせるようにし
ている。なお、第１検知室４Ａと第２検知室４Ｂにおい
て第１ガスＧ１と第２ガスＧ２とを入れかえているのは
半導体圧力センサチップ５からの検出精度を上げるため
である。
圧を２つの半導体圧力センサチップ５を使用して、２箇
所で同時に検出するのは半導体圧力センサチップ５の検
出値に信頼度を持たせるためである。すなわち、例えば
この半導体圧力センサチップ５を自動車に使用し、この
半導体圧力センサチップ５によって何らかの制御（例え
ば空燃比の制御）を行なう場合、１つの半導体圧力セン
サチップ５からの出力のみであれば、自動車の走行中の
振動等に起因してこの半導体圧力センサチップ５からの
出力に狂いが生じると、制御に支障をきたすこととな
る。このため、一部の半導体圧力センサチップ５からの
出力に狂いが生じても、全体の制御に影響を及ぼさない
よう、複数の半導体圧力センサチップ５を使用して同時
に複数箇所からの差圧信号を得るようにし、この半導体
圧力センサからの差圧信号に信頼度を持たせるようにし
ている。なお、第１検知室４Ａと第２検知室４Ｂにおい
て第１ガスＧ１と第２ガスＧ２とを入れかえているのは
半導体圧力センサチップ５からの検出精度を上げるため
である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の半導体圧力センサは基板１上等に２つの半導体圧力セ
ンサチップ５をそれぞれ組み付ける必要があるが、この
組み付け時の位置決め精度が互いの半導体圧力センサチ
ップ５で一致しにくいという問題があった。このため、
２つの半導体圧力センサの検出精度に差が生じてしま
い、各半導体圧力センサチップ５から出力される差圧信
号に差が生じてしまうという課題があった。また、この
半導体圧力センサの製作には２つの半導体圧力センサチ
ップ５を使用する必要があり、組み立てが複雑となり工
数を要してしまうという課題があった。
の半導体圧力センサは基板１上等に２つの半導体圧力セ
ンサチップ５をそれぞれ組み付ける必要があるが、この
組み付け時の位置決め精度が互いの半導体圧力センサチ
ップ５で一致しにくいという問題があった。このため、
２つの半導体圧力センサの検出精度に差が生じてしま
い、各半導体圧力センサチップ５から出力される差圧信
号に差が生じてしまうという課題があった。また、この
半導体圧力センサの製作には２つの半導体圧力センサチ
ップ５を使用する必要があり、組み立てが複雑となり工
数を要してしまうという課題があった。
【０００９】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、半導体圧力センサチップを使用し
て一度に複数の差圧が同一精度で容易に検知でき、かつ
製作も容易な半導体圧力センサを提供することを目的と
する。
めになされたもので、半導体圧力センサチップを使用し
て一度に複数の差圧が同一精度で容易に検知でき、かつ
製作も容易な半導体圧力センサを提供することを目的と
する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明は、複数の密閉
された検知室内にそれぞれ第１の被検出体と第２の被検
出体とを導入し、各検知室内において半導体圧力センサ
チップにより第１の被検出体と第２の被検出体との差圧
をそれぞれ検知する半導体圧力センサにおいて、複数の
差圧検知部を有する１つの半導体圧力センサチップを、
各検知室間の仕切部を密閉した状態で、複数の検知室に
またがって配設し、各差圧検知部を各検知室内にそれぞ
れ位置決めしたことである。
された検知室内にそれぞれ第１の被検出体と第２の被検
出体とを導入し、各検知室内において半導体圧力センサ
チップにより第１の被検出体と第２の被検出体との差圧
をそれぞれ検知する半導体圧力センサにおいて、複数の
差圧検知部を有する１つの半導体圧力センサチップを、
各検知室間の仕切部を密閉した状態で、複数の検知室に
またがって配設し、各差圧検知部を各検知室内にそれぞ
れ位置決めしたことである。
【００１１】
【作用】複数の差圧検知部を有する１つの半導体圧力セ
ンサチップを複数の検知室にまたがって配設し、その各
差圧検知部を密閉した各検知室内にそれぞれ位置決めし
ているため、この半導体圧力センサチップにより、各検
知室内に導入された第１の被検出体と第２の被検出体の
差圧を各検知室において同時に検出することができる。
この場合複数の検知室に対して１つの半導体圧力センサ
チップを取り付ければよいため、各検知室に位置決めさ
れる各差圧検知部の位置決め精度は容易に等しくでき
る。したがって、半導体圧力センサチップの各差圧検知
部から精度の等しい差圧信号を出力することができる。
ンサチップを複数の検知室にまたがって配設し、その各
差圧検知部を密閉した各検知室内にそれぞれ位置決めし
ているため、この半導体圧力センサチップにより、各検
知室内に導入された第１の被検出体と第２の被検出体の
差圧を各検知室において同時に検出することができる。
この場合複数の検知室に対して１つの半導体圧力センサ
チップを取り付ければよいため、各検知室に位置決めさ
れる各差圧検知部の位置決め精度は容易に等しくでき
る。したがって、半導体圧力センサチップの各差圧検知
部から精度の等しい差圧信号を出力することができる。
【００１２】
【実施例】以下にこの発明の実施例を図について説明す
る。 実施例１．図１はこの発明の一実施例である半導体圧力
センサの断面図であり、図において、図３で示した従来
の半導体圧力センサと同一または相当部分には同一符号
を付しその説明を省略する。
る。 実施例１．図１はこの発明の一実施例である半導体圧力
センサの断面図であり、図において、図３で示した従来
の半導体圧力センサと同一または相当部分には同一符号
を付しその説明を省略する。
【００１３】図において、１１は２つの半導体圧力セン
サチップを合体して一体的に形成した半導体圧力センサ
チップである。この半導体圧力センサチップ１１はその
両端部側に凹部１１ｂと差圧検知部であるダイヤフラム
部１１ａとをそれぞれ有しており、基板１とカバー３等
から形成された第１検知室４Ａと第２検知室４Ｂに各凹
部１１ｂおよびダイヤフラム部１１ａを位置決めするよ
う第１および第２検知室４Ａ、４Ｂにまたがった形で配
設されている。この場合、第１検知室４Ａと第２検知室
４Ｂを分けるカバー３の仕切部３ａには半導体圧力セン
サチップ１１の配設用の切り欠き３ｂが設けられている
が、この仕切部３ａの切り欠き３ｂ下方の半導体圧力セ
ンサチップ１１周りには接着剤Ｂ２が塗布され、この接
着剤Ｂ２を介して第１検知室４Ａと第２検知室４Ｂとは
互いに密閉状態で仕切られている。
サチップを合体して一体的に形成した半導体圧力センサ
チップである。この半導体圧力センサチップ１１はその
両端部側に凹部１１ｂと差圧検知部であるダイヤフラム
部１１ａとをそれぞれ有しており、基板１とカバー３等
から形成された第１検知室４Ａと第２検知室４Ｂに各凹
部１１ｂおよびダイヤフラム部１１ａを位置決めするよ
う第１および第２検知室４Ａ、４Ｂにまたがった形で配
設されている。この場合、第１検知室４Ａと第２検知室
４Ｂを分けるカバー３の仕切部３ａには半導体圧力セン
サチップ１１の配設用の切り欠き３ｂが設けられている
が、この仕切部３ａの切り欠き３ｂ下方の半導体圧力セ
ンサチップ１１周りには接着剤Ｂ２が塗布され、この接
着剤Ｂ２を介して第１検知室４Ａと第２検知室４Ｂとは
互いに密閉状態で仕切られている。
【００１４】また、半導体圧力センサチップ１１は、そ
の第１検知室４Ａ内の凹部１１ｂが基板１に形成された
第１導入路７に臨むように位置決めされ、その第２検知
室４Ｂ内の凹部１１ｂが基板１に形成された第２導入路
９に臨むように位置決めされていて、これ等の凹部１１
ｂの周りに塗布された接着剤Ｂ２を介して基板１上のリ
ードフレーム２上に取り付けられている。この場合、こ
の接着剤Ｂ２は半導体圧力センサチップ１１の下面とリ
ードフレーム２の上面間に隙間なく塗布されているた
め、第１および第２検知室４Ａ，４Ｂはそれぞれ密閉状
態の内面側空間４ａと外面側空間４ｂとに分けられてい
る。
の第１検知室４Ａ内の凹部１１ｂが基板１に形成された
第１導入路７に臨むように位置決めされ、その第２検知
室４Ｂ内の凹部１１ｂが基板１に形成された第２導入路
９に臨むように位置決めされていて、これ等の凹部１１
ｂの周りに塗布された接着剤Ｂ２を介して基板１上のリ
ードフレーム２上に取り付けられている。この場合、こ
の接着剤Ｂ２は半導体圧力センサチップ１１の下面とリ
ードフレーム２の上面間に隙間なく塗布されているた
め、第１および第２検知室４Ａ，４Ｂはそれぞれ密閉状
態の内面側空間４ａと外面側空間４ｂとに分けられてい
る。
【００１５】なお、基板１内の第１分岐路８は第２検知
室４Ｂ内の半導体圧力センサチップ１１の下面側の外面
側空間４ｂに連通する位置に開口しており、基板１内の
第２分岐路１０は第１検知室４Ａ内の半導体圧力センサ
チップ１１の下面側の外面側空間４ｂに連通する位置に
開口している。
室４Ｂ内の半導体圧力センサチップ１１の下面側の外面
側空間４ｂに連通する位置に開口しており、基板１内の
第２分岐路１０は第１検知室４Ａ内の半導体圧力センサ
チップ１１の下面側の外面側空間４ｂに連通する位置に
開口している。
【００１６】つぎにこの半導体圧力センサの動作を説明
する。第１導入路７に導入された第１ガスＧ１は第１検
知室４Ａの内面側空間４ａおよび第２検知室４Ｂの外面
側空間４ｂに達し、第２導入路９に導入された第２ガス
Ｇ２は第２検知室４Ｂの内面側空間４ａおよび第１検知
室４Ａの外面側空間４ｂにそれぞれ達する。そして、第
１ガスＧ１の圧力Ｐ1が第２ガスＧ２の圧力Ｐ2より大き
いため、半導体圧力センサチップ１１の第１検知室４Ａ
内のダイヤフラム部１１ａは上方に凸状に膨らみ、第２
検知室４Ｂ内のダイヤフラム部１１ａは下方に凸状に膨
らんで、それぞれ差圧（Ｐ1ーＰ2）に対応した電圧Ｖ
（差圧信号）と差圧（Ｐ2ーＰ1）に対応した電圧−Ｖ
（差圧信号）を金属ワイヤ６を介してリードフレーム２
の出力端子２ａ側に出力する。
する。第１導入路７に導入された第１ガスＧ１は第１検
知室４Ａの内面側空間４ａおよび第２検知室４Ｂの外面
側空間４ｂに達し、第２導入路９に導入された第２ガス
Ｇ２は第２検知室４Ｂの内面側空間４ａおよび第１検知
室４Ａの外面側空間４ｂにそれぞれ達する。そして、第
１ガスＧ１の圧力Ｐ1が第２ガスＧ２の圧力Ｐ2より大き
いため、半導体圧力センサチップ１１の第１検知室４Ａ
内のダイヤフラム部１１ａは上方に凸状に膨らみ、第２
検知室４Ｂ内のダイヤフラム部１１ａは下方に凸状に膨
らんで、それぞれ差圧（Ｐ1ーＰ2）に対応した電圧Ｖ
（差圧信号）と差圧（Ｐ2ーＰ1）に対応した電圧−Ｖ
（差圧信号）を金属ワイヤ６を介してリードフレーム２
の出力端子２ａ側に出力する。
【００１７】ここで、この半導体圧力センサには１個の
半導体圧力センサチップ１１しか使用されておらず取り
付けが容易であるため、その２つのダイヤフラム部１１
ａがそれぞれ第１検知室４Ａおよび第２検知室４Ｂに等
しい精度で容易に位置決めされる。したがって、この半
導体圧力センサでは第１ガスＧ１と第２ガスＧ２の差圧
を各ダイヤフラム部１１ａにて等しい精度で検知でき、
精度の等しい２つの差圧信号を他装置に容易に出力する
ことができて、その信号の信頼度を高く維持することが
できる。また、この半導体圧力センサを製作する場合、
半導体圧力センサチップ１１を１個だけ基板１等に組み
付ければよいため、その製作も少い工数で簡単になされ
る。
半導体圧力センサチップ１１しか使用されておらず取り
付けが容易であるため、その２つのダイヤフラム部１１
ａがそれぞれ第１検知室４Ａおよび第２検知室４Ｂに等
しい精度で容易に位置決めされる。したがって、この半
導体圧力センサでは第１ガスＧ１と第２ガスＧ２の差圧
を各ダイヤフラム部１１ａにて等しい精度で検知でき、
精度の等しい２つの差圧信号を他装置に容易に出力する
ことができて、その信号の信頼度を高く維持することが
できる。また、この半導体圧力センサを製作する場合、
半導体圧力センサチップ１１を１個だけ基板１等に組み
付ければよいため、その製作も少い工数で簡単になされ
る。
【００１８】なお、上記実施例１では１つの半導体圧力
センサチップ１１に２つのダイヤフラム部１１ａを設け
た場合について説明したが、１つの半導体圧力センサチ
ップ１１に３つ以上のダイヤフラム部１１ａを設け、こ
れに対応して検知室４の数も３つ以上設けて、同時に３
箇所以上で差圧を検出できるようにしてもよい。
センサチップ１１に２つのダイヤフラム部１１ａを設け
た場合について説明したが、１つの半導体圧力センサチ
ップ１１に３つ以上のダイヤフラム部１１ａを設け、こ
れに対応して検知室４の数も３つ以上設けて、同時に３
箇所以上で差圧を検出できるようにしてもよい。
【００１９】実施例２．図２はこの発明の他の実施例に
係る半導体圧力センサの断面図であり、図において、１
２は半導体圧力センサチップ１１のカバー３の仕切部３
ａ下方に設けられた取り付け溝であり、カバー３の仕切
部３ａがこの取り付け溝１２内に挿入され、接着剤Ｂ１
を介してこの仕切部３ａの下端と半導体圧力センサチッ
プ１１の上面とが接合されている。この取り付け溝１２
はウェハー製造工程におけるハーフエッチングやウェハ
ーのダイシング工程におけるハーフカットにより、この
半導体圧力センサチップ１１に容易に設けることができ
る。なお、他の構成は実施例１の半導体圧力センサと同
一である。
係る半導体圧力センサの断面図であり、図において、１
２は半導体圧力センサチップ１１のカバー３の仕切部３
ａ下方に設けられた取り付け溝であり、カバー３の仕切
部３ａがこの取り付け溝１２内に挿入され、接着剤Ｂ１
を介してこの仕切部３ａの下端と半導体圧力センサチッ
プ１１の上面とが接合されている。この取り付け溝１２
はウェハー製造工程におけるハーフエッチングやウェハ
ーのダイシング工程におけるハーフカットにより、この
半導体圧力センサチップ１１に容易に設けることができ
る。なお、他の構成は実施例１の半導体圧力センサと同
一である。
【００２０】以上のように、半導体圧力センサチップ１
１の上面に取り付け溝１２を設けることにより、カバー
３の仕切部３ａと半導体圧力センサチップ１１とを接合
するにあたり、接着剤Ｂ１がダイヤフラム部１１ａ側へ
流れ出すのを防止できるとともに、接着剤Ｂ１をこの取
り付け溝１２内に保持できるため、カバー３の仕切部３
ａと半導体圧力センサチップ１１の接合強度を上げるこ
とができる。
１の上面に取り付け溝１２を設けることにより、カバー
３の仕切部３ａと半導体圧力センサチップ１１とを接合
するにあたり、接着剤Ｂ１がダイヤフラム部１１ａ側へ
流れ出すのを防止できるとともに、接着剤Ｂ１をこの取
り付け溝１２内に保持できるため、カバー３の仕切部３
ａと半導体圧力センサチップ１１の接合強度を上げるこ
とができる。
【００２１】
【発明の効果】以上の説明で明らかなようにこの発明に
よれば、複数の密閉された検知室内にそれぞれ第１の被
検出体と第２の被検出体とを導入し、各検知室内におい
て半導体圧力センサチップにより第１の被検出体と第２
の被検出体との差圧をそれぞれ検知する半導体圧力セン
サにおいて、複数の差圧検知部を有する１つの半導体圧
力センサチップを、各検知室間の仕切部を密閉した状態
で、複数の検知室にまたがって配設し、各差圧検知部を
各検知室内にそれぞれ位置決めしたので、半導体圧力セ
ンサチップの各差圧検知部を各検知室内に同一精度で位
置決めでき、一度に複数の差圧を同一精度で容易に検知
することができる。また、半導体圧力センサチップを１
つしか取り付ける必要がないため、半導体圧力センサチ
ップの製作も容易になされる。
よれば、複数の密閉された検知室内にそれぞれ第１の被
検出体と第２の被検出体とを導入し、各検知室内におい
て半導体圧力センサチップにより第１の被検出体と第２
の被検出体との差圧をそれぞれ検知する半導体圧力セン
サにおいて、複数の差圧検知部を有する１つの半導体圧
力センサチップを、各検知室間の仕切部を密閉した状態
で、複数の検知室にまたがって配設し、各差圧検知部を
各検知室内にそれぞれ位置決めしたので、半導体圧力セ
ンサチップの各差圧検知部を各検知室内に同一精度で位
置決めでき、一度に複数の差圧を同一精度で容易に検知
することができる。また、半導体圧力センサチップを１
つしか取り付ける必要がないため、半導体圧力センサチ
ップの製作も容易になされる。
【図１】この発明の実施例１に係る半導体圧力センサの
断面図である。
断面図である。
【図２】この発明の実施例２に係る半導体圧力センサの
断面図である。
断面図である。
【図３】従来の半導体圧力センサの断面図である。
３ａ 仕切部 ４ 検知室 ４Ａ 第１検知室（検知室） ４Ｂ 第２検知室（検知室） １１ 半導体圧力センサチップ １１ａ ダイヤフラム部（差圧検知部） Ｇ１ 第１のガス（第１の被検出体） Ｇ２ 第２のガス（第２の被検出体）
Claims (1)
- 【請求項１】 複数の密閉された検知室内にそれぞれ第
１の被検出体と第２の被検出体とを導入し、前記各検知
室内において半導体圧力センサチップにより前記第１の
被検出体と前記第２の被検出体との差圧をそれぞれ検知
する半導体圧力センサにおいて、複数の差圧検知部を有
する１つの半導体圧力センサチップを、前記各検知室間
の仕切部を密閉した状態で、前記複数の検知室にまたが
って配設し、前記各差圧検知部を前記各検知室内にそれ
ぞれ位置決めしたことを特徴とする半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30249992A JPH06148018A (ja) | 1992-11-12 | 1992-11-12 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30249992A JPH06148018A (ja) | 1992-11-12 | 1992-11-12 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06148018A true JPH06148018A (ja) | 1994-05-27 |
Family
ID=17909701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30249992A Pending JPH06148018A (ja) | 1992-11-12 | 1992-11-12 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06148018A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111707405A (zh) * | 2020-08-19 | 2020-09-25 | 歌尔光学科技有限公司 | 测试装置 |
| CN113432782A (zh) * | 2021-07-16 | 2021-09-24 | 刘伟 | 一种固定待检测压差传感器的模具装置 |
| CN116222873A (zh) * | 2022-12-20 | 2023-06-06 | 松诺盟科技有限公司 | 一种差压传感器 |
-
1992
- 1992-11-12 JP JP30249992A patent/JPH06148018A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111707405A (zh) * | 2020-08-19 | 2020-09-25 | 歌尔光学科技有限公司 | 测试装置 |
| CN113432782A (zh) * | 2021-07-16 | 2021-09-24 | 刘伟 | 一种固定待检测压差传感器的模具装置 |
| CN116222873A (zh) * | 2022-12-20 | 2023-06-06 | 松诺盟科技有限公司 | 一种差压传感器 |
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