JPH06148677A

JPH06148677A - マトリクス素子およびその製造方法

Info

Publication number: JPH06148677A
Application number: JP29690992A
Authority: JP
Inventors: Naoto Nakagawa; 直人中川
Original assignee: NAKAGAWA MASA
Current assignee: NAKAGAWA MASA
Priority date: 1992-11-06
Filing date: 1992-11-06
Publication date: 1994-05-27

Abstract

(57)【要約】【目的】マトリクス素子の製造歩留りを向上する。【構成】ゲートバス２１〜２８およびデータ線３１〜
４０は、２本ずつ近接して配置される。近接して配置さ
れるゲートバス２３，２４およびデータ線３３，３４の
交点に、ＴＦＴ５２が形成される。ＴＦＴ５２は、４つ
の画素電極４６，４７，５７，５６のいずれにも接続可
能である。各画素電極４６，４７，…には良品であると
判定されたＴＦＴ４１，４２，…を接続する。画素電極
５７にＴＦＴ５２を接続するときには、ＴＦＴ５２をゲ
ートバス２３または２４のうちのいずれか、データ線３
３または３４のいずれかと接続する。間隔をあけて隣接
するゲートバスたとえば２４および２５、データ線たと
えば３４および３５は、最終工程で電気的に接続する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、薄膜トランジスタ（以
下「ＴＦＴ」と略称する）などを用いて形成されるマト
リクス素子およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、液晶表示素子（以下「ＬＣ
Ｄ」と略称する）には、ＴＦＴを用いたアクティブマト
リクス方式によるものが多く用いられている。ＬＣＤと
しては、単純なマトリクス駆動によるものも用いられて
いるけれども、表示の規模が大きくなるとクロストーク
現象が顕著となり、また液晶の応答速度が遅くなってし
まうので、走査電極および表示電極の数に限界がある。
このため解像度の高い映像を表示することは困難であ
る。したがって、特に大画面で高密度のカラー画像表示
を行う必要があるテレビジョン受像用のＬＣＤなどに
は、アクティブマトリクス方式が用いられる。

【０００３】従来からのアクティブマトリクス方式のＬ
ＣＤの構造を図９および図１０に示す。図９は１画素に
ついての断面図、図１０は１画素についての平面図であ
る。これらの図において、液晶層１は上側ガラス２およ
びガラス基板３の間に保持される。ガラス基板３上に
は、ＴＦＴ４および画素電極５が形成される。ＴＦＴ４
は、ガラス基板３上を一定間隔で平行に延びるゲートバ
ス６に接続されるゲート電極７を有する。ゲート電極７
の上には酸化シリコン（ＳｉＯ₂）によってゲート絶縁
膜８が形成される。ゲート電極７の上方には非晶質シリ
コン（ａ−Ｓｉ）などによる半導体層９が形成される。
半導体層９の両端部には、非晶質シリコンなどから成る
コンタクト電極１０が形成される。コンタクト電極１０
の上には、アルミニウム（Ａｌ）やモリブデン（Ｍｏ）
などによるソース電極１１およびドレイン電極１２がそ
れぞれ形成される。ソース電極１１は、ガラス基板３上
にゲートバス６と直交して配列されるデータ線１３に接
続される。ドレイン電極１２は、画素電極５に接続され
る。半導体層９、コンタクト電極１０、ソース電極１１
およびドレイン電極１２は、有機絶縁膜１４に覆われて
保護される。上側ガラス２の表面には、共通電極１５が
形成される。画素電極５および共通電極１５は、ＩＴＯ
と呼ばれる５％の酸化錫が混合された酸化インジウム膜
によって形成され、光の透過率が高く、電気抵抗の低い
透明導電膜となる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来からのＴＦＴを用
いるアクティブマトリクス方式のＬＣＤにおいては、Ｔ
ＦＴ４が能動素子として画素電極５に対するスイッチン
グ動作を行う。ＴＦＴ４と画素電極５の組合せは変更不
能である。ＬＣＤにおいては、広い面積にわたって高密
度に画素電極５を配置することが要求され、多数のＴＦ
Ｔ４が形成される。多数のＴＦＴのうちの１つでも正常
な動作を行うことができないと、ＬＣＤとしての表示品
質が劣化する。すなわち、ｍ行ｎ列に配置されるＴＦＴ
４が不良であれば、ｍ行ｎ列目の画素による表示も不良
となってしまう。ＴＦＴ４は、非晶質シリコン等による
半導体層９を用いて形成する必要があるので、通常の集
積回路など、単結晶半導体上に形成する場合よりも特性
のばらつきが大きくなる。ＴＦＴ４は特性のばらつきの
許容範囲が比較的大きいけれども、多数のＴＦＴ４を全
て正常動作可能に形成することは非常に困難である。

【０００５】従来のアクティブマトリクス方式ＬＣＤに
おいては、特に大画面で高密度な表示用の場合、ＴＦＴ
が不良のためにＬＣＤとしての製品歩留りが悪化しやす
い。多数のＴＦＴのうちの１つないし少数のものが動作
不良であるために、ＬＣＤ全体が不良となるので、ＬＣ
Ｄの製造コストは増大する。

【０００６】本発明の目的は、ＴＦＴなどの能動素子に
わずかの不良が発生しても、正常に動作して製造歩留り
を改善することができるマトリクス素子およびその製造
方法を提供することである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、マトリクス状
に配設される複数の被駆動セルを、マトリクス状に配設
され、各被駆動セル毎に接続される能動素子によって選
択的に駆動するマトリクス素子において、能動素子を被
駆動セルの数を超える数だけ形成し、各被駆動セルに
は、近傍に形成されたる複数の能動素子のうちから正常
な能動素子が予め定める順序で選択されて接続されるこ
とを特徴とするマトリクス素子である。

【０００８】また本発明は、マトリクス状に配設される
被駆動セルに、マトリクス状に配設された能動素子を選
択的に接続するための製造方法において、各被駆動セル
近傍に複数の能動素子が配置されるように、被駆動セル
の数を超える数の能動素子を形成し、各能動素子が正常
であるか否かを判定し、正常であると判定された能動素
子を各被駆動セルに接続し、各被駆動セルについて順次
能動素子の接続を繰返して行うことを特徴とするマトリ
クス素子の製造方法であり、たとえばシャッターマトリ
クスとマスクとの組合せ、もしくは同等の効果を奏する
高速スキャン等の使用を含む。

【０００９】

【作用】本発明のマトリクス素子は、マトリクス状に配
設されたる複数の能動素子によって、マトリクス状に配
設されたる複数の被駆動セルを選択的に駆動する。その
ため各被駆動セルの近傍の複数の能動素子から、予め定
める順序で正常な能動素子を選択し各被駆動セルに接続
する。能動素子に一定の割合で不良が発生しても、１つ
の被駆動セルの近傍に形成される複数の能動素子の全部
が不良である確率は非常に小さくなるので、各被駆動セ
ルはいずれかの能動素子に接続されて選択的に駆動され
ることが可能となる。このようにして、製品としての不
良の発生を防止し、製品歩留りを向上することができ
る。

【００１０】

【実施例】図１は、本発明の第１実施例によるＬＣＤの
部分的な平面構成を示す。ＬＣＤ２０には、複数の水平
走査用のゲートバス２１〜２８および垂直走査用のデー
タ線３１〜４０がそれぞれ直交するように形成される。
各ゲートバス２１〜２８およびデータ線３１〜４０は、
２本ずつが近接して配置される。近接する２本のゲート
バスおよびデータ線によって囲まれる領域には、能動素
子であるＴＦＴ４１〜４５，５１〜５５，６１〜６５，
７１〜７５が形成される。間隔が広い方のゲートバスと
データ線とによって包囲された領域には、被駆動セルで
ある画素電極４６〜４９，５６〜５９，６６〜６９がそ
れぞれ形成される。１つの画素電極４６の周囲には、４
つのＴＦＴ４１，４２，５１，５２が形成される。

【００１１】たとえばＴＦＴ４２が不良であるとき、画
素電極４６にはＴＦＴ４１を接続し、画素電極４７には
ＴＦＴ４３を接続し、画素電極４７〜４９には、ＴＦＴ
４３〜４５をそれぞれ接続する。ＴＦＴ４１のソース電
極はデータ線３２に接続し、ゲート電極はゲートバス２
２に接続する。ＴＦＴ４３，４４，４５のソース電極は
データ線３５，３７，３９にそれぞれ接続し、ゲート電
極はゲートバス２２に共通に接続する。ＴＦＴ５１〜５
４については、ドレイン電極を画素電極５６〜５９にそ
れぞれ接続し、ゲート電極をゲートバス２４に共通接続
する。ソース電極は、ＴＦＴ５１についてはデータ線３
２に、ＴＦＴ５２についてはデータ線３４に、ＴＦＴ５
３についてはデータ線３６に、ＴＦＴ５４についてはデ
ータ線３８にそれぞれ接続する。他の画素電極やＴＦＴ
についても同様に接続し、隣接するゲートバスおよびデ
ータ線のうちの、間隔の広い方をワイヤボンディングな
どによって共通接続し、駆動用ＩＣなどによって駆動す
れば、正常なＬＣＤとしての表示を行うことができる。

【００１２】ＴＦＴ４２およびＴＦＴ４３の両方が不良
である場合は、画素電極４７には、ＴＦＴ５３を接続
し、他の画素電極４６，４８，４９，５６〜５９および
６６〜６９については次表のように対応するＴＦＴをず
らして接続することによって、正常に動作するＬＣＤ２
０を得ることができる。

【００１３】次の表１は、ＴＦＴが全て良品の場合およ
び以上述べた各場合についての電極接続の組合せ状態を
示す。

【００１４】

【表１】

【００１５】図２は、図１図示の１つのＴＦＴ５２近傍
を詳細に示す。ＴＦＴ５２は、ゲートバス２３，２４お
よびデータ線３３，３４によって囲まれる領域に形成さ
れる。ＴＦＴ５２のゲート電極５２ｇはゲートライン８
１，８２を介してゲートバス２３，２４にそれぞれ接続
される。ＴＦＴ５２のソース電極５２ｓはソースライン
８３，８４を介してデータ線３３，３４にそれぞれ接続
される。ＴＦＴのドレイン電極５２ｄは、ドレインライ
ン８５，８６，８７，８８を介して画素電極４６，４
７，５７，５６にそれぞれ接続される。各ライン８１〜
８８とゲートバス２３，２４、データ線３３，３４、画
素電極４６，４７，５７，５６との間には、接続領域９
１〜９８がそれぞれ形成される。円形の領域１００ａ，
１００ｂ，１００ｃ，１００ｄには、ＴＦＴ５２をそれ
ぞれ１つずつのゲートバス、データ線および画素電極に
接続するための接続領域の組合せが含まれる。

【００１６】図３は、図２図示の１つの接続領域９１の
断面構造を示す。ガラス基板１０上に形成されるゲート
ライン８１の上部はゲート絶縁膜８０および有機絶縁膜
９０によって覆われる。ゲート絶縁膜８０および有機絶
縁膜９０にはスルーホール８１ｈ，８１ｗが形成され
る。ゲートバス２３の接続部２３ｃ上にもスルーホール
２３ｈ，２３ｗが形成される。ゲートバス２３の接続部
２３ｃとドレインライン８１の接続部８１ｃとの間には
導電層１０２が形成される。導電層１０２は、導電性ペ
ーストを選択的に塗布して形成する。導電層１０２の上
には、紫外線硬化樹脂層１０３が形成される。紫外線硬
化樹脂層１０３は、最終的には紫外線を照射して完全に
硬化させて用いる。ＬＣＤ２０を製造する過程では、紫
外線硬化樹脂層１０３は未硬化の状態とする。

【００１７】図４は、図１図示のＬＣＤ２０の１つの隅
部の構造を示す。最下行のゲートバス１１０と、最左列
のデータ線１１１は、接続されてテスト用ラインとな
る。このゲートバス１１０は、接続領域１１２を介して
画素電極１１３と接続される。ゲートバス１１０側には
スルーホール１１４が設けられる。データ線１１１と画
素電極１１３，１１５との間には、接続領域１１６，１
１７がそれぞれ設けられる。これら接続領域１１６，１
１７の構造も接続領域１１２と同様であり、スルーホー
ル１１８，１１９が形成されている。各スルーホール１
１４，１１８，１１９を介する電気的接続は図３図示の
構造と同様に導電層によって確保される。各画素電極
は、図２図示のようにドレインライン８５〜８８を介し
て相互に接続されているので、このように接続領域１１
２，１１６，１１７を設けてテスト用のゲートバス１１
０およびデータ線１１１と電気的に接続することによっ
て、画素電極の全体がテスト用に接続されることにな
る。他の隅部の構造も、同様である。

【００１８】個々のゲートバス２１〜２８およびデータ
線３１〜４０は相互に絶縁されている。したがって、た
とえば図２図示のテスト用ライン１１０，１１１に電圧
を印加して、ゲート２３を選択的に駆動すれば、ゲート
ライン２３に接続される各ＴＦＴからの出力が各データ
線に得られる。各データ線の出力を検出することによっ
て、ゲートライン２３に接続されるＴＦＴが正常に動作
するか否かを迅速に判定することができる。ゲートバス
２１〜２８を個々に選択して、同一バス上のＴＦＴを個
別に良否判定し、良品と判定されたＴＦＴのみを対応す
る画素電極に接続する。より正確に判定するには、各ゲ
ートラインを駆動し、ゲート・データ行列から、たとえ
ばコンピュータ断層法と同様の方法で逆算出すればよ
い。図２図示の状態ではＴＦＴ５２は複数の画素電極お
よびラインに接続されているので、決定された接続状態
となるように、選択されなかった接続は除去する必要が
ある。この除去のための工程は、紫外線を各接続領域に
選択的に照射することによって行う。

【００１９】図５は、紫外線照射用のマスク１３０を示
す。紫外線照射用のマスク１３０には、図２図示の各円
形の領域１００ａ〜１００ｄと等しい面積のシャッタ１
３１〜１３３が形成される。各シャッタ１３１〜１３３
は２次元的なマトリクス状に設けられ、そのピッチは図
１図示の各ＴＦＴの配列ピッチと同一である。各シャッ
タ１３１〜１３３は、個別的に開閉可能であり、たとえ
ばＬＣＤマトリクスによって実現される。このようなマ
スク１３０を各シャッタ１３１〜１３３が各円形の領域
１００ａ〜１００ｄのうちの１つの上に配置されるよう
にしてＬＣＤ２０に重ね、各シャッタ１３１〜１３３が
所望の接続領域の組合せ上に位置するときにシャッタ１
３１〜１３３を個別的に開き、紫外線を照射する。紫外
線照射を受けた接続領域では、表面の紫外線硬化樹脂層
が完全に硬化する。マスク１３０の位置をずらせながら
紫外線の照射を繰返し、接続状態として残すことが必要
な接続領域のみ紫外線によって完全に硬化させる。なお
マスク１３０は、図４図示の接続領域１１２，１１６，
１１７に対応する位置にはシャッタを設けていないの
で、これらの接続領域１１２，１１６，１１７は硬化し
ない。

【００２０】次にＬＣＤ２０を溶剤などによって洗浄す
ると、未硬化の紫外線硬化樹脂層１０３は溶け出し、そ
の下側の導電層１０２も溶けるので、電気的接続状態が
解除される。同様のことは、通常のフォトリソグラフィ
ーにて接続領域を形成し、再度フォトレジスト塗布を行
い、接続領域を形成したマスクのネガ・ポジ反転したマ
スク等を用い、接続領域の潜在的断線部以外を保護露光
した後、シャッターマトリクス付マスク１３０にて選択
的に露光した後、非露光部をエッチングすることでも可
能である。また、同様のことは、通常のリソグラフィー
にて接続領域を形成し、再度フォトレジスト塗布を行
い、潜在的断線部に一致したマスクを用い、断線部のみ
を高速スキャンにより選択的に露光した後、露光部をエ
ッチングすることでも可能である。

【００２１】このような状態で図１図示のＬＣＤのゲー
トバス２１〜２８およびデータ線３１〜４０を、駆動用
の半導体集積回路チップ上のボンディングパッドにワイ
ヤボンディングによって接続する際に、たとえばゲート
バス２２と２３のような間隔の広い隣接したゲートバス
やデータ線同士も電気的に接続する。このようにして接
続されたＬＣＤ２０は、従来のアクティブマトリクス形
ＬＣＤと同様に取扱うことができ、ＴＦＴに少数の不良
が生じても正常に動作するので、製造歩留りが向上す
る。

【００２２】図６では、本実施例によるＬＣＤ２０の定
めたる接続順序を示す。ＬＣＤ２０は、Ｎ＋１本のゲー
トバスペア１３１およびＭ＋１本のデータ線ペア１３２
によってマトリクスが形成される。各ゲートバス１３１
ペアおよびデータ線ペア１３２の交点には（Ｎ＋１）×
（Ｍ＋１）個のＴＦＴ１３３が形成される。各ゲートバ
スペア１３１とデータ線ペア１３２とによって囲まれる
Ｎ×Ｍ個の領域には、画素電極１３４が形成される。各
画素電極１３４の４隅には、４個のＴＦＴ１３３が存在
する。各ＴＦＴ１３３について良否を判定し、良品のみ
を各画素電極１３４に接続する。

【００２３】画素電極１３４のマトリクスで（ｍ，ｎ）
の位置の４隅は、ＴＦＴ１３３のマトリクスでは（ｍ，
ｎ），（ｍ＋１，ｎ），（ｍ＋１，ｎ＋１），（ｍ，ｎ
＋１）の位置となる。パラメータｎを１からＮまで１つ
ずつ増加させ、各ｎの値でパラメータｍを１からＭまで
１つずつ増加させる。画素電極の位置（ｍ，ｎ）に対し
て、まず（ｍ，ｎ）の位置のＴＦＴが良品かつ未接続で
あるか否かを判断する。良品かつ未接続であれば接続す
ることをメモリーし、パラメータｍを１増加させる。否
定的であれば、（ｍ＋１，ｎ），（ｍ＋１，ｎ＋１），
（ｍ，ｎ＋１）の位置のＴＦＴについて順次同様に試み
る。４つのＴＦＴのいずれも接続することができないと
きは、ｍが１であれば、ＬＣＤ２０は不良品とし、ｍが
１でなければ、（ｍ−１，ｎ）画素に割付けられていた
ＴＦＴが（ｍ−１，ｎ）ＴＦＴもしくは（ｍ−１，ｎ＋
１）ＴＦＴであれば、同様に不良品とし、さらに（ｍ−
１，ｎ＋１）ＴＦＴが不良品であれば、同様にＬＣＤ２
０を不良品とする。不良品でなければ、（ｍ−１，ｎ）
画素に割付けられていたＴＦＴを（ｍ，ｎ）画素に割付
け、（ｍ−１，ｎ）画素には（ｍ−１，ｎ＋１）ＴＦＴ
を割付けなおし、パラメータｍを１増加させる。もちろ
んｍとｎを逆にしてもよい。

【００２４】本実施例によれば、最終的に必要なＴＦＴ
はＮ×Ｍ個であるけれども、（Ｎ＋１）×（Ｍ＋１）個
のＴＦＴ１３３を形成し、多少の不良が発生してもＬＣ
Ｄ２０としては正常に動作させることができる。これに
対して、従来からのアクティブマトリクス形ＬＣＤで
は、Ｎ×Ｍ個のＴＦＴのうちで１つでも不良品が発生す
るとＬＣＤ全体が不良になってしまう。したがって、い
わゆるハイビジョン放送用などに使用可能なＬＣＤの実
現はほとんど不可能である。本実施例によれば、画素が
多く大形のＬＣＤを歩留り良く製造することができ、コ
スト低減を図ることができる。

【００２５】図７は、本発明の第２実施例によるＬＣＤ
２００の部分的な平面構成を示す。図１図示の第１実施
例に対応する部分には同一の参照符を付す。注目すべき
は、近接してペアを形成するゲートバス２１，２２およ
びデータ線３１，３２の交点に、ＴＦＴ４１ａ，４１
ｂ，４１ｃ，４１ｄが形成されることである。これによ
って、たとえば１つの画素電極４６の周囲には、ＴＦＴ
４１ｃ，４２ｄ，５２ａ，５１ｂが形成されることにな
る。

【００２６】ＬＣＤ２００の製造工程では、第１実施例
と同様に、各ＴＦＴをチェックする。なお、画素電極を
全て接続するためのテスト用接続は、あっても無くても
よい。そのような接続が無くても、たとえば、平成４年
９月２８日付日本経済新聞第１５面で紹介されているよ
うなＴＦＴ−ＬＣＤの検査装置を用い、各画素電極に対
するＴＦＴをＤＲＡＭに見立てる手法で、奇数偶数デー
タラインを同時または別々にアクセスし、それらを比較
するようにしてもよい。チェックによって良品と判定さ
れたＴＦＴのみを画素電極に１：１に接続する。各ＴＦ
Ｔはゲートバスおよびデータ線にそれぞれ接続されてい
る。各画素電極に対して複数の良品ＴＦＴが存在して
も、余ったＴＦＴは画素電極には接続しないようにすれ
ば良い。

【００２７】以上の実施例においては、ゲートバスおよ
びデータ線をそれぞれ１つだけ予備に形成しているけれ
ども、ＴＦＴの不良品の発生が１つのゲートバスあるい
はデータ線に対して高々１個程度であるときには、一方
を省略することができる。さらに、本発明は画素電極を
いわゆる千鳥配置にしても同様に実施可能である。

【００２８】図８は、本発明の第３実施例によるＬＣＤ
３００の部分的な平面構成を示す。本実施例において
は、画素電極と接続されていないが、ゲートバスおよび
データ線には接続されているＴＦＴのドレイン出力端子
の電位応答を、電子線ホログラフィーもしくはマイクロ
探針マトリクス等にて検出する。ゲートバスおよびデー
タ線をペアにする必要はなくなり、かつ各画素に対する
ＴＦＴの個数の制限もなくなる。すなわち、シャッター
マトリクス付マスク等による選択接続法のみで本発明の
目的は達せられる。

【００２９】図１図示の第１実施例に対応する部分には
同一の参照符を付す。注目すべきは、各ゲートバス２
１，２２および各データ線３１，３２の交点に、複数の
ＴＦＴ４１ａ，ｂ，ｃ，ｄ；４２ａ，ｂ，ｃ，ｄ；５１
ａ，ｂ，ｃ，ｄ；５２ａ，ｂ，ｃ，ｄをそれぞれ形成
し、これらのうちから良品を選択して各画素電極４６，
４７，５６，５７にそれぞれ接続することである。形成
するＴＦＴの個数は４個に限定されず、いくつでもよい
ことは勿論である。

【００３０】また、ＬＣＤに本発明を適用する場合につ
いて説明しているけれども、エレクトロルミネッセンス
（略称「ＥＬ」）や発光ダイオード（略称「ＬＥＤ」）
パネルなどの他の表示素子や、各被駆動セルが電気エネ
ルギーを他の物理量、たとえば熱エネルギーや機械的変
位に変換して、感熱印字や３次元の立体的表示を行うよ
うな素子に本発明を適用することもできる。

【００３１】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、多数の被
駆動セルを選択的に駆動するためのマトリクス素子を形
成する能動素子にわずかな不良が発生しても、正常な能
動素子を選択して各被駆動セルに接続することができる
ので、製品全体としては正常に動作させることができる
可能性が大きくなり、製品歩留りを向上することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例のＬＣＤ２０の一部を示す
平面図である。

【図２】図１図示のＴＦＴ５２の近傍を拡大して示す平
面図である。

【図３】図２図示の接続領域９１の概略的な断面図であ
る。

【図４】図１図示のＬＣＤ２０の１つの隅の構成を示す
平面図である。

【図５】図１図示のＬＣＤ２０を製造するためのマスク
１３０の平面図である。

【図６】図１図示のＴＦＴ２０を選択接続する方法を説
明するための平面図である。

【図７】本発明の第２実施例によるＬＣＤ２００の概略
的な平面図である。

【図８】本発明の第３実施例によるＬＣＤ３００の概略
的な平面図である。

【図９】従来からのＬＣＤの概略的な断面図である。

【図１０】従来からのＬＣＤの概略的な平面図である。

【符号の説明】

２０，１３０ＬＣＤ２１〜２８，１１０，１３１ゲートバス３１〜４０，１１１，１３２データ線４１〜４５，５１〜５５，６１〜６５，７１〜７５，１
３３ＴＦＴ４１ａ〜ｄ，４２ａ〜ｄ，５１ａ〜ｄ，５２ａ〜ｄＴ
ＦＴ４６〜４９，５６〜５９，６６〜６９，１３４画素電
極８１，８２ゲートライン８３，８４ソースライン８５〜８８ドレインライン９１〜９８，１１２，１１６，１１７接続領域１０２導電層１０３紫外線硬化樹脂層１３０マスク

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者中川直人大阪府豊中市新千里北町２−24−４

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】マトリクス状に配設される被駆動セル
を、マトリクス状に配設され、各被駆動セル毎に接続さ
れる能動素子によって選択的に駆動するマトリクス素子
において、能動素子を被駆動セルの数を超える数だけ形成し、各被駆動セルには、近傍に形成されたる複数の能動素子
のうちから正常な能動素子が予め定める順序で選択され
て接続されることを特徴とするマトリクス素子。
【請求項２】マトリクス状に配設される被駆動セル
に、マトリクス状に配設された能動素子を選択的に接続
するための製造方法において、各被駆動セル近傍に複数の能動素子が配置されるよう
に、被駆動セルの数を超える数の能動素子を形成し、各能動素子が正常であるか否かを判定し、正常であると判定された能動素子を各被駆動セルに接続
し、各被駆動セルについて順次能動素子の接続を繰返して行
うことを特徴とするマトリクス素子の製造方法。