JPH06151411A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH06151411A JPH06151411A JP31941592A JP31941592A JPH06151411A JP H06151411 A JPH06151411 A JP H06151411A JP 31941592 A JP31941592 A JP 31941592A JP 31941592 A JP31941592 A JP 31941592A JP H06151411 A JPH06151411 A JP H06151411A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- plate
- aluminum
- plasma cvd
- cvd apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 接地基板電極を構成するアルミ製均熱板を上
面に有し、このアルミ製均熱板を加熱するためのヒータ
を有するサセプタと、このサセプタ上の接地基板電極に
対峙するアルミニウム製有孔板からなる高周波電極とを
有するチャンバーを有するプラズマＣＶＤ装置におい
て、前記アルミニウム製有孔板に隣接して、多数の貫通
孔を有するガス分散板を設けたことを特徴とするプラズ
マＣＶＤ装置。 【効果】 ガス分散板が挿入されたことによりガス溜り
が２箇所になり、ガスの分散性が向上する。その結果、
生成条件が変動してもウエハ上面へのガス供給は常に均
一に保たれ、生成されるＣＶＤ膜の膜質および膜厚が均
一となり、デバイスの製造歩留りが向上する。
面に有し、このアルミ製均熱板を加熱するためのヒータ
を有するサセプタと、このサセプタ上の接地基板電極に
対峙するアルミニウム製有孔板からなる高周波電極とを
有するチャンバーを有するプラズマＣＶＤ装置におい
て、前記アルミニウム製有孔板に隣接して、多数の貫通
孔を有するガス分散板を設けたことを特徴とするプラズ
マＣＶＤ装置。 【効果】 ガス分散板が挿入されたことによりガス溜り
が２箇所になり、ガスの分散性が向上する。その結果、
生成条件が変動してもウエハ上面へのガス供給は常に均
一に保たれ、生成されるＣＶＤ膜の膜質および膜厚が均
一となり、デバイスの製造歩留りが向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプラズマＣＶＤ装置に関
する。更に詳細には、本発明はウエハ面内の膜質および
膜厚分布を均一にすることができるプラズマＣＶＤ装置
に関する。
する。更に詳細には、本発明はウエハ面内の膜質および
膜厚分布を均一にすることができるプラズマＣＶＤ装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ＩＣの製造においては、ウエハの
表面に酸化シリコンなどの薄膜を形成する工程がある。
薄膜の形成方法には化学的気相成長法（ＣＶＤ）が用い
られており、ＣＶＤ法は大別すると、常圧法、減圧法お
よびプラズマ法の３種類がある。最近の超ＬＳＩにおい
ては高集積化に対応して高品質で高精度な薄膜が要求さ
れ、従来の常圧、または減圧ＣＶＤ法では対応が困難と
なり、プラズマＣＶＤ法が注目されている。
表面に酸化シリコンなどの薄膜を形成する工程がある。
薄膜の形成方法には化学的気相成長法（ＣＶＤ）が用い
られており、ＣＶＤ法は大別すると、常圧法、減圧法お
よびプラズマ法の３種類がある。最近の超ＬＳＩにおい
ては高集積化に対応して高品質で高精度な薄膜が要求さ
れ、従来の常圧、または減圧ＣＶＤ法では対応が困難と
なり、プラズマＣＶＤ法が注目されている。
【０００３】このプラズマＣＶＤ法は真空中において反
応ガスをグロー放電させてプラズマ化して反応に必要な
エネルギーを得るもので、ステップカバレージ（まわり
込み、またはパターン段差部の被覆性）が良好で、また
膜質が強くて耐湿性が優れているなどの特長があり、さ
らに成膜速度（デポレート）が減圧法に比べて極めて速
い点が有利である。
応ガスをグロー放電させてプラズマ化して反応に必要な
エネルギーを得るもので、ステップカバレージ（まわり
込み、またはパターン段差部の被覆性）が良好で、また
膜質が強くて耐湿性が優れているなどの特長があり、さ
らに成膜速度（デポレート）が減圧法に比べて極めて速
い点が有利である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来から使用されてい
るプラズマＣＶＤ装置の一例を図１に示す。図におい
て、チャンバー（反応炉）10は気密とされ、そのベース
101 にヒーターユニット21と均熱板22とよりなるサセプ
タ20を固設し、これを接地電極とする。チャンバーの蓋
板102 に金属製のノズル部30を固定し、その下部にアル
ミニウム製の円盤状のシャワー電極40を絶縁リング103
により支持する。シャワー電極に対して高周波電圧を印
加する高周波電源７が設けられる。反応処理において
は、チャンバー10の側面に設けられた搬入／搬出路50の
ゲート51を開き、キャリッジ52によりウエハ６を搬入し
て均熱板22に載置する。ゲートを閉じてチャンバー内部
を真空とした後、ヒーターユニット２１により均熱板が
加熱され、これに載置されたウエハが所定の温度となる
と、インレット31,32 より所定の反応ガスおよびキャリ
ヤーガスが吸入されてノズル部30の内部で混合され、シ
ャワー電極の噴射孔41より噴射される。ここで、シャワ
ー電極に高周波電圧が印加されるとグロー放電により反
応ガスがプラズマ化し、反応による生成物がウエハの表
面に蒸着して薄膜が形成される。反応後のガスは矢印の
経路を通って排気口104 より外部に排出される。
るプラズマＣＶＤ装置の一例を図１に示す。図におい
て、チャンバー（反応炉）10は気密とされ、そのベース
101 にヒーターユニット21と均熱板22とよりなるサセプ
タ20を固設し、これを接地電極とする。チャンバーの蓋
板102 に金属製のノズル部30を固定し、その下部にアル
ミニウム製の円盤状のシャワー電極40を絶縁リング103
により支持する。シャワー電極に対して高周波電圧を印
加する高周波電源７が設けられる。反応処理において
は、チャンバー10の側面に設けられた搬入／搬出路50の
ゲート51を開き、キャリッジ52によりウエハ６を搬入し
て均熱板22に載置する。ゲートを閉じてチャンバー内部
を真空とした後、ヒーターユニット２１により均熱板が
加熱され、これに載置されたウエハが所定の温度となる
と、インレット31,32 より所定の反応ガスおよびキャリ
ヤーガスが吸入されてノズル部30の内部で混合され、シ
ャワー電極の噴射孔41より噴射される。ここで、シャワ
ー電極に高周波電圧が印加されるとグロー放電により反
応ガスがプラズマ化し、反応による生成物がウエハの表
面に蒸着して薄膜が形成される。反応後のガスは矢印の
経路を通って排気口104 より外部に排出される。
【０００５】従来のシャワー電極では、生成条件（例え
ば、ガス条件、圧力、高周波出力、温度、電極間隔な
ど）の変化が、直接ウエハ表面への反応ガスの供給パタ
ーンの変化として現れていた。このため、ウエハ面上に
成膜される薄膜の膜質および膜厚分布にもバラツキが発
生し、製品歩留りの低下原因となっていた。
ば、ガス条件、圧力、高周波出力、温度、電極間隔な
ど）の変化が、直接ウエハ表面への反応ガスの供給パタ
ーンの変化として現れていた。このため、ウエハ面上に
成膜される薄膜の膜質および膜厚分布にもバラツキが発
生し、製品歩留りの低下原因となっていた。
【０００６】従って、本発明の目的は、生成条件が変化
しても、ウエハ面上に成膜される薄膜の膜質および膜厚
分布を均一に保つことができるプラズマＣＶＤ装置を提
供することである。
しても、ウエハ面上に成膜される薄膜の膜質および膜厚
分布を均一に保つことができるプラズマＣＶＤ装置を提
供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明では、接地基板電極を構成するアルミ製均熱
板を上面に有し、このアルミ製均熱板を加熱するための
ヒータを有するサセプタと、このサセプタ上の接地基板
電極に対峙するアルミニウム製有孔板からなる高周波電
極とを有するチャンバーを有するプラズマＣＶＤ装置に
おいて、前記アルミニウム製有孔板に隣接して、多数の
貫通孔を有するガス分散板を設けたことを特徴とするプ
ラズマＣＶＤ装置を提供する。
に、本発明では、接地基板電極を構成するアルミ製均熱
板を上面に有し、このアルミ製均熱板を加熱するための
ヒータを有するサセプタと、このサセプタ上の接地基板
電極に対峙するアルミニウム製有孔板からなる高周波電
極とを有するチャンバーを有するプラズマＣＶＤ装置に
おいて、前記アルミニウム製有孔板に隣接して、多数の
貫通孔を有するガス分散板を設けたことを特徴とするプ
ラズマＣＶＤ装置を提供する。
【０００８】
【作用】本発明のプラズマＣＶＤ装置では、シャワー電
極の手前に別のガス分散板を配設しているので、反応ガ
ス溜りが２箇所形成され、ウエハへのガスの分散性が改
善される。
極の手前に別のガス分散板を配設しているので、反応ガ
ス溜りが２箇所形成され、ウエハへのガスの分散性が改
善される。
【０００９】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明のプラズマ
ＣＶＤ装置の一例について更に詳細に説明する。
ＣＶＤ装置の一例について更に詳細に説明する。
【００１０】図２は本発明による新規な高周波電極の部
分断面図である。図示されているように、シャワー電極
４０の手前に、ガス分散板６０が配設されている。これ
により、図１におけるインレット３１および３２から導
入された反応ガスは第１のガス溜り６２で混合され、ガ
ス分散板６０に開設された貫通孔６４を通って第２のガ
ス溜り６６に入る。ここで再び混合され、シャワー電極
４０の貫通孔４１を通ってウエハ上面に供給される。こ
のように、ガスの溜り部分が２箇所になることにより、
生成条件の変動による反応ガスの不均一供給が防止さ
れ、生成されたＣＶＤ膜のウエハ面内の膜質および膜厚
の均一性が向上する。
分断面図である。図示されているように、シャワー電極
４０の手前に、ガス分散板６０が配設されている。これ
により、図１におけるインレット３１および３２から導
入された反応ガスは第１のガス溜り６２で混合され、ガ
ス分散板６０に開設された貫通孔６４を通って第２のガ
ス溜り６６に入る。ここで再び混合され、シャワー電極
４０の貫通孔４１を通ってウエハ上面に供給される。こ
のように、ガスの溜り部分が２箇所になることにより、
生成条件の変動による反応ガスの不均一供給が防止さ
れ、生成されたＣＶＤ膜のウエハ面内の膜質および膜厚
の均一性が向上する。
【００１１】ガス分散板６０の材質自体は特に限定され
ない。例えば、アルミニウム、アルミナなどの金属素材
の他に、ガラス、セラミックなどの無機質も使用するこ
とができる。ガス分散板の厚さは特に限定されない。ガ
スを分散させるのに必要十分な厚さであればよい。開設
される貫通孔の数も特に限定されない。ガスの分散効果
を高めるために、下部のシャワー電極に開設されている
貫通孔と一致しないような位置に貫通孔が開設されてい
ることが好ましい。
ない。例えば、アルミニウム、アルミナなどの金属素材
の他に、ガラス、セラミックなどの無機質も使用するこ
とができる。ガス分散板の厚さは特に限定されない。ガ
スを分散させるのに必要十分な厚さであればよい。開設
される貫通孔の数も特に限定されない。ガスの分散効果
を高めるために、下部のシャワー電極に開設されている
貫通孔と一致しないような位置に貫通孔が開設されてい
ることが好ましい。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のプラズマ
ＣＶＤ装置における高周波電極では、ウエハと対峙する
シャワー電極に隣接して、別の有孔ガス分散板が挿入さ
れている。このため、ガスインレットからノズル部を経
て通過してきた反応ガスは先ず、ガス分散板により拡散
混合され、次いで、ガス分散板とシャワー電極との間の
空間で更に拡散混合されてウエハ上面に供給される。こ
のため、生成条件が変動してもウエハ上面へのガス供給
は常に均一に保たれる。その結果、生成されるＣＶＤ膜
の膜質および膜厚が均一となり、デバイスの製造歩留り
が向上する。
ＣＶＤ装置における高周波電極では、ウエハと対峙する
シャワー電極に隣接して、別の有孔ガス分散板が挿入さ
れている。このため、ガスインレットからノズル部を経
て通過してきた反応ガスは先ず、ガス分散板により拡散
混合され、次いで、ガス分散板とシャワー電極との間の
空間で更に拡散混合されてウエハ上面に供給される。こ
のため、生成条件が変動してもウエハ上面へのガス供給
は常に均一に保たれる。その結果、生成されるＣＶＤ膜
の膜質および膜厚が均一となり、デバイスの製造歩留り
が向上する。
【図１】従来のプラズマＣＶＤ装置の一例の構成を示す
模式的断面図である。
模式的断面図である。
【図２】本発明による高周波電極の一例の部分概要断面
図である。
図である。
１ プラズマＣＶＤ装置 ６ ウエハ ７ 高周波電源 １０ チャンバー（反応炉） １０１ ベース １０２ 蓋板 １０３ 絶縁リング １０４ 排気口 ２０ サセプタ ２１ ヒータユニット ２２ 均熱板 ３０ ノズル部 ３１，３２ インレット ４０ シャワー電極 ４１ 噴射孔 ５０ 搬入／搬出路 ５１ ゲート ５２ キャリッジ ６０ ガス分散板 ６２ 第１のガス溜り ６４ 貫通孔 ６６ 第２のガス溜り
Claims (3)
- 【請求項１】 接地基板電極を構成するアルミ製均熱板
を上面に有し、このアルミ製均熱板を加熱するためのヒ
ータを有するサセプタと、このサセプタ上の接地基板電
極に対峙するアルミニウム製有孔板からなる高周波電極
とを有するチャンバーを有するプラズマＣＶＤ装置にお
いて、前記アルミニウム製有孔板に隣接して、多数の貫
通孔を有するガス分散板を設けたことを特徴とするプラ
ズマＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 ガス分散板はアルミニウムからできてい
る請求項１のプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項３】 ガス分散板の貫通孔の位置とアルミニウ
ム製有孔板の貫通孔の位置が一致しないようにガス分散
板が配設されている請求項１のプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31941592A JPH06151411A (ja) | 1992-11-04 | 1992-11-04 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31941592A JPH06151411A (ja) | 1992-11-04 | 1992-11-04 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06151411A true JPH06151411A (ja) | 1994-05-31 |
Family
ID=18109942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31941592A Pending JPH06151411A (ja) | 1992-11-04 | 1992-11-04 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06151411A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001077031A (ja) * | 1999-09-01 | 2001-03-23 | Nec Kyushu Ltd | プラズマ処理装置 |
| US6499425B1 (en) * | 1999-01-22 | 2002-12-31 | Micron Technology, Inc. | Quasi-remote plasma processing method and apparatus |
| KR100423953B1 (ko) * | 2001-03-19 | 2004-03-24 | 디지웨이브 테크놀러지스 주식회사 | 화학기상증착장치 |
| KR100462905B1 (ko) * | 2001-11-29 | 2004-12-23 | 주성엔지니어링(주) | 액정표시장치용 제조장치 |
| JP2009079265A (ja) * | 2007-09-26 | 2009-04-16 | Fuji Electric Systems Co Ltd | プラズマ装置 |
| WO2017149738A1 (ja) * | 2016-03-03 | 2017-09-08 | コアテクノロジー株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理用反応容器の構造 |
-
1992
- 1992-11-04 JP JP31941592A patent/JPH06151411A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6499425B1 (en) * | 1999-01-22 | 2002-12-31 | Micron Technology, Inc. | Quasi-remote plasma processing method and apparatus |
| JP2001077031A (ja) * | 1999-09-01 | 2001-03-23 | Nec Kyushu Ltd | プラズマ処理装置 |
| KR100423953B1 (ko) * | 2001-03-19 | 2004-03-24 | 디지웨이브 테크놀러지스 주식회사 | 화학기상증착장치 |
| KR100462905B1 (ko) * | 2001-11-29 | 2004-12-23 | 주성엔지니어링(주) | 액정표시장치용 제조장치 |
| JP2009079265A (ja) * | 2007-09-26 | 2009-04-16 | Fuji Electric Systems Co Ltd | プラズマ装置 |
| WO2017149738A1 (ja) * | 2016-03-03 | 2017-09-08 | コアテクノロジー株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理用反応容器の構造 |
| JPWO2017149738A1 (ja) * | 2016-03-03 | 2018-12-06 | コアテクノロジー株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理用反応容器の構造 |
| US20190019656A1 (en) * | 2016-03-03 | 2019-01-17 | Core Technology, Inc. | Plasma treatment device and structure of reaction vessel for plasma treatment |
| US11227748B2 (en) | 2016-03-03 | 2022-01-18 | Core Technology, Inc. | Plasma treatment device and structure of reaction vessel for plasma treatment |
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