JPH06160194A - 焦電型赤外線センサ - Google Patents
焦電型赤外線センサInfo
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- JPH06160194A JPH06160194A JP13157992A JP13157992A JPH06160194A JP H06160194 A JPH06160194 A JP H06160194A JP 13157992 A JP13157992 A JP 13157992A JP 13157992 A JP13157992 A JP 13157992A JP H06160194 A JPH06160194 A JP H06160194A
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- pyroelectric infrared
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 応答性の良い焦電型赤外線センサ、ならびに
クロストークの影響を無視できる小型のマルチエレメン
トの焦電型赤外線センサを提供する。 【構成】 絶縁材料、半導体材料あるいは複合材料から
なる基板上あるいは基板内部に除去可能な部分を形成
し、その上部に支持層を形成し、前記除去可能な部分を
除去することで形成することで下部に空隙を持つ支持層
を形成後、さらにその上部に電極、焦電材料からなる薄
層、電極を形成することにより焦電型赤外線センサを構
成する。 【効果】 焦電型赤外線センサの変換効率、応答性を改
善し、各素子の熱的分離ができる。
クロストークの影響を無視できる小型のマルチエレメン
トの焦電型赤外線センサを提供する。 【構成】 絶縁材料、半導体材料あるいは複合材料から
なる基板上あるいは基板内部に除去可能な部分を形成
し、その上部に支持層を形成し、前記除去可能な部分を
除去することで形成することで下部に空隙を持つ支持層
を形成後、さらにその上部に電極、焦電材料からなる薄
層、電極を形成することにより焦電型赤外線センサを構
成する。 【効果】 焦電型赤外線センサの変換効率、応答性を改
善し、各素子の熱的分離ができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、焦電型赤外線センサに
関するものである。
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の焦電型赤外線センサの検知部（以
下、素子と呼ぶことにする）を図４の示す。薄板状に形
成した焦電基板（９）、受光面電極（１１）及び裏面電
極（１２）から構成される。焦電型赤外線センサは、セ
ンサに入射した赤外線エネルギによって、焦電体の温度
変化を生じ、このことにより焦電体内部の自発分極の方
向が変化し、焦電体表面に電荷を生じるという現象を利
用したものである。このように受光面（１０）に赤外線
が入射することにより、焦電体基板（９）の温度が変化
し、これによって発生した電荷は、受光面電極（１１）
と裏面電極（１２）とから取り出されることにより、赤
外線エネルギが電気信号に変換できるものである。従っ
て、赤外線エネルギを電気信号に変換する際の変換効率
及び応答性は、焦電体基板（９）の熱容量に起因するた
め、他の方式の赤外線センサと比較して遅いことが知ら
れている。
下、素子と呼ぶことにする）を図４の示す。薄板状に形
成した焦電基板（９）、受光面電極（１１）及び裏面電
極（１２）から構成される。焦電型赤外線センサは、セ
ンサに入射した赤外線エネルギによって、焦電体の温度
変化を生じ、このことにより焦電体内部の自発分極の方
向が変化し、焦電体表面に電荷を生じるという現象を利
用したものである。このように受光面（１０）に赤外線
が入射することにより、焦電体基板（９）の温度が変化
し、これによって発生した電荷は、受光面電極（１１）
と裏面電極（１２）とから取り出されることにより、赤
外線エネルギが電気信号に変換できるものである。従っ
て、赤外線エネルギを電気信号に変換する際の変換効率
及び応答性は、焦電体基板（９）の熱容量に起因するた
め、他の方式の赤外線センサと比較して遅いことが知ら
れている。
【０００３】この焦電型赤外線センサの変換効率及び応
答性については、焦電体基板（９）の厚さを薄くするこ
とにより改善することができる。しかし、一般的に使用
されている焦電体基板（９）の形状寸法は５ｍｍ×３ｍ
ｍ×１００μｍ程度である。従来の方法では、素子を構
成する焦電体として焦電体基板（９）を用いているため
に、焦電体基板の厚さをこれ以上薄くすることは、機械
的な強度、あるいは加工上問題があり、実現し難いとい
った問題点があった。
答性については、焦電体基板（９）の厚さを薄くするこ
とにより改善することができる。しかし、一般的に使用
されている焦電体基板（９）の形状寸法は５ｍｍ×３ｍ
ｍ×１００μｍ程度である。従来の方法では、素子を構
成する焦電体として焦電体基板（９）を用いているため
に、焦電体基板の厚さをこれ以上薄くすることは、機械
的な強度、あるいは加工上問題があり、実現し難いとい
った問題点があった。
【０００４】また、焦電型赤外線センサの例として図３
−ａ）、図３−ｂ）にみうけられるように、同一の焦電
体基板（９）の上に複数の電極対を形成した構成のセン
サも市販品として存在する。近年は、センサの多様化す
る応用に対応するため、複数の素子を持つ焦電型赤外線
センサ（以下、マルチエレメントセンサと呼ぶことにす
る）の開発が盛んに行われている。しかし従来の構成で
は、多数の素子を同一の焦電体基板（９）上に形成する
には限界がある。例えば、現在市販されている２素子構
成センサ図３−ａ）あるいは４素子構成センサ図３−
ｂ）においても、ある一つの素子が赤外線を吸収し、温
度が上昇した場合、その素子の熱が焦電体基板（９）内
部の熱伝導によって隣接した素子へ伝わり、熱的な干
渉、ひいては電気信号の干渉（以下、クロストークと呼
ぶことにする）を生じるという問題点を抱えている。こ
の問題点を解決するには、素子と素子との間隔を大きく
とる必要があり、焦電体基板（９）の面積を拡大せざる
おえなかった。しかし、このことは新たに、焦電型赤外
線センサの実装面積の拡大、および焦電体基板（９）が
衝撃に弱くなるという問題点を生じた。従って、従来の
構成ではクロストークの影響が無視できるような小型の
マルチエレメントセンサを構成することは困難であっ
た。
−ａ）、図３−ｂ）にみうけられるように、同一の焦電
体基板（９）の上に複数の電極対を形成した構成のセン
サも市販品として存在する。近年は、センサの多様化す
る応用に対応するため、複数の素子を持つ焦電型赤外線
センサ（以下、マルチエレメントセンサと呼ぶことにす
る）の開発が盛んに行われている。しかし従来の構成で
は、多数の素子を同一の焦電体基板（９）上に形成する
には限界がある。例えば、現在市販されている２素子構
成センサ図３−ａ）あるいは４素子構成センサ図３−
ｂ）においても、ある一つの素子が赤外線を吸収し、温
度が上昇した場合、その素子の熱が焦電体基板（９）内
部の熱伝導によって隣接した素子へ伝わり、熱的な干
渉、ひいては電気信号の干渉（以下、クロストークと呼
ぶことにする）を生じるという問題点を抱えている。こ
の問題点を解決するには、素子と素子との間隔を大きく
とる必要があり、焦電体基板（９）の面積を拡大せざる
おえなかった。しかし、このことは新たに、焦電型赤外
線センサの実装面積の拡大、および焦電体基板（９）が
衝撃に弱くなるという問題点を生じた。従って、従来の
構成ではクロストークの影響が無視できるような小型の
マルチエレメントセンサを構成することは困難であっ
た。
【０００５】上記のような問題点を解決するため昭６２
−１２４５４にあるような薄膜型の焦電型赤外線センサ
が提案されてきたが、通常の半導体技術では相性の悪い
アルカリ系の特殊なエッチング液の使用が要求され、ま
たこのような特殊なエッチング液には通常に使用するフ
ォトリソグラフィ用のレジストが使用できず、さらに場
合によっては基板の両面よりフォトリソグラフィを行う
必要性がでてくるため、生産工程が実現し難いといった
問題点があった。
−１２４５４にあるような薄膜型の焦電型赤外線センサ
が提案されてきたが、通常の半導体技術では相性の悪い
アルカリ系の特殊なエッチング液の使用が要求され、ま
たこのような特殊なエッチング液には通常に使用するフ
ォトリソグラフィ用のレジストが使用できず、さらに場
合によっては基板の両面よりフォトリソグラフィを行う
必要性がでてくるため、生産工程が実現し難いといった
問題点があった。
【発明が解決しようとする課題】上記のように焦電型赤
外線センサの変換効率、応答性を改善し、さらにクロス
トークの影響を無視できる小型のマルチエレメントセン
サを実現すること、ならびに従来の半導体技術とのマッ
チングを改善し、生産性を向上させることが本発明の解
決しようとする課題である。
外線センサの変換効率、応答性を改善し、さらにクロス
トークの影響を無視できる小型のマルチエレメントセン
サを実現すること、ならびに従来の半導体技術とのマッ
チングを改善し、生産性を向上させることが本発明の解
決しようとする課題である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するためになされたものである。その手段とすると
ころは、絶縁材料、半導体材料あるいは複合材料からな
る基板上あるいは基板内部に除去可能な部分を形成し、
その上部に支持層を形成し、前記除去可能な部分を除去
することで形成することで下部に空隙を持つ支持層を形
成後、さらにその上部に電極、焦電材料からなる薄層、
電極を形成することにより焦電型赤外線センサを構成す
ることである。
解決するためになされたものである。その手段とすると
ころは、絶縁材料、半導体材料あるいは複合材料からな
る基板上あるいは基板内部に除去可能な部分を形成し、
その上部に支持層を形成し、前記除去可能な部分を除去
することで形成することで下部に空隙を持つ支持層を形
成後、さらにその上部に電極、焦電材料からなる薄層、
電極を形成することにより焦電型赤外線センサを構成す
ることである。
【０００７】
【作用】上記のように構成されている本発明において、
素子部分は従来の焦電体基板を使用する場合に比べ極端
に薄層であり、また平面形状の構成は、半導体の微細加
工技術を利用でき、従来のものと比べて非常に小さな形
状の素子を形成することができる。このため素子部の熱
容量を極端に小さくすることができ、同じ量の赤外線エ
ネルギーが受光面電極に入射した場合、素子部の温度変
化が大きくでき変換効率、応答性が改善できる。
素子部分は従来の焦電体基板を使用する場合に比べ極端
に薄層であり、また平面形状の構成は、半導体の微細加
工技術を利用でき、従来のものと比べて非常に小さな形
状の素子を形成することができる。このため素子部の熱
容量を極端に小さくすることができ、同じ量の赤外線エ
ネルギーが受光面電極に入射した場合、素子部の温度変
化が大きくでき変換効率、応答性が改善できる。
【０００８】また素子部分が非常に薄くなるため、隣接
した素子間の距離が同じであれば熱が伝搬する経路が物
理的にも熱的にも狭くなる。したがって薄くすることで
隣接する素子の間隔を短くでき、高集積化を実現でき
る。さらに素子間の支持層下部を除去することなく残し
た場合、この部分はヒートシンクとして作用させること
ができる。従って素子間隔を拡大することなく、各素子
の熱的分離が容易であり、クロストークの影響を無視で
きる小型のマルチエレメントセンサを実現することがで
きる。
した素子間の距離が同じであれば熱が伝搬する経路が物
理的にも熱的にも狭くなる。したがって薄くすることで
隣接する素子の間隔を短くでき、高集積化を実現でき
る。さらに素子間の支持層下部を除去することなく残し
た場合、この部分はヒートシンクとして作用させること
ができる。従って素子間隔を拡大することなく、各素子
の熱的分離が容易であり、クロストークの影響を無視で
きる小型のマルチエレメントセンサを実現することがで
きる。
【０００９】さらに半導体の微細加工技術で一般的に用
いられるエッチング液が使用できるため生産工程を特に
変更する必要もなく、さらに基板の両面よりフォトリソ
グラフィを行う必要はまったくないため、生産性を低下
させることがなく、半導体特有のバッチ処理による大量
生産に十分対応でき、生産性の向上が可能となる。
いられるエッチング液が使用できるため生産工程を特に
変更する必要もなく、さらに基板の両面よりフォトリソ
グラフィを行う必要はまったくないため、生産性を低下
させることがなく、半導体特有のバッチ処理による大量
生産に十分対応でき、生産性の向上が可能となる。
【００１０】
【実施例１】以下本発明による焦電型赤外線センサの実
施例を図面を用いて詳細に説明する。図１は、本発明の
一実施例を示す焦電型赤外線センサの断面図である。例
えばＳｉからなる基板上（３）に、回転塗布法によりガ
ラス質の層（２）を形成する。その後このガラス質層
（２）に半導体微細加工技術により基板と支持層（８）
との結合部分を形成するため穴を空ける。つぎにＣＶＤ
法でｐｏｌｙ−Ｓｉ（１）あるいはアモルファスシリコ
ン（以下ａ−Ｓｉとする）を形成し、穴を埋め、平坦化
する。余分な部分は除去すれば良い。同様の方法で支持
層となるｐｏｌｙ−Ｓｉ（１）あるいはａ−Ｓｉを形成
する。その後スパッタ法により下部の電極（４）を形
成、半導体微細加工技術により目的の形状に加工後、Ｐ
ｂＴｉＯ3系の焦電材料からなる薄膜（５）を積層させ
る。この部分についても半導体微細加工技術により目的
の形状に加工する。次に上部の電極（４）をスパッタ法
により形成、加工する。その後、支持層（８）作製時の
エッチング液に焦電薄膜（５）が腐食されないよう、上
部をＳｉＮ等の絶縁膜（６）で覆い、必要な部分例えば
電極取り出し部分については穴をあけておく。最後に半
導体微細加工技術により支持層（８）の一部にエッチン
グ用の穴を形成し、下部をＨＦ系エッチング液等により
腐食除去させ空隙（７）を作り支持層（８）を形成す
る。
施例を図面を用いて詳細に説明する。図１は、本発明の
一実施例を示す焦電型赤外線センサの断面図である。例
えばＳｉからなる基板上（３）に、回転塗布法によりガ
ラス質の層（２）を形成する。その後このガラス質層
（２）に半導体微細加工技術により基板と支持層（８）
との結合部分を形成するため穴を空ける。つぎにＣＶＤ
法でｐｏｌｙ−Ｓｉ（１）あるいはアモルファスシリコ
ン（以下ａ−Ｓｉとする）を形成し、穴を埋め、平坦化
する。余分な部分は除去すれば良い。同様の方法で支持
層となるｐｏｌｙ−Ｓｉ（１）あるいはａ−Ｓｉを形成
する。その後スパッタ法により下部の電極（４）を形
成、半導体微細加工技術により目的の形状に加工後、Ｐ
ｂＴｉＯ3系の焦電材料からなる薄膜（５）を積層させ
る。この部分についても半導体微細加工技術により目的
の形状に加工する。次に上部の電極（４）をスパッタ法
により形成、加工する。その後、支持層（８）作製時の
エッチング液に焦電薄膜（５）が腐食されないよう、上
部をＳｉＮ等の絶縁膜（６）で覆い、必要な部分例えば
電極取り出し部分については穴をあけておく。最後に半
導体微細加工技術により支持層（８）の一部にエッチン
グ用の穴を形成し、下部をＨＦ系エッチング液等により
腐食除去させ空隙（７）を作り支持層（８）を形成す
る。
【００１１】ここでガラス質層（２）は半導体微細加工
技術において簡単に除去できるものであれば良く、ＰＳ
Ｇ，ＢＳＧ，ＳｉＯ2などが使用できる。また金属材料
であっても除去可能なエッチング液を使用すれば良い。
支持層（８）は前記例の他、腐食されないＳｉＮ、ダイ
ヤモンド薄膜、ＡｌＮ、ＢＮ等でも良く、下部の層を除
去する場合に腐食されず、絶縁物であれば有機材料、あ
るいは複合材料でも良い。焦電薄膜（５）はＰｂＴｉＯ
3を用いたがその他に（ＰｂＴｉＯ3−ＰｂＺｒＯ3）
系、ＮｂＴａＯ3系、ＬｉＴａＯ3系、ＴＧＳ系等の焦電
材料であれば良く、また結晶状態は単結晶、多結晶、の
どちらでも良く、さらにポリマとの複合体でも良い。各
層の形成は回転塗布法、スパッタ法、ＣＶＤ法で行った
が、蒸着等の気相薄膜形成法等でも良い。
技術において簡単に除去できるものであれば良く、ＰＳ
Ｇ，ＢＳＧ，ＳｉＯ2などが使用できる。また金属材料
であっても除去可能なエッチング液を使用すれば良い。
支持層（８）は前記例の他、腐食されないＳｉＮ、ダイ
ヤモンド薄膜、ＡｌＮ、ＢＮ等でも良く、下部の層を除
去する場合に腐食されず、絶縁物であれば有機材料、あ
るいは複合材料でも良い。焦電薄膜（５）はＰｂＴｉＯ
3を用いたがその他に（ＰｂＴｉＯ3−ＰｂＺｒＯ3）
系、ＮｂＴａＯ3系、ＬｉＴａＯ3系、ＴＧＳ系等の焦電
材料であれば良く、また結晶状態は単結晶、多結晶、の
どちらでも良く、さらにポリマとの複合体でも良い。各
層の形成は回転塗布法、スパッタ法、ＣＶＤ法で行った
が、蒸着等の気相薄膜形成法等でも良い。
【００１２】実施例では一つの素子のみであるがマルチ
エレメントとするには多数の素子を形成すれば良い。こ
の場合は素子を単独で用いているが、電極形成時に多数
の素子を配線しても、外部で配線しても良く、素子の配
線方法によって、さまざまな応用に対処することができ
る。
エレメントとするには多数の素子を形成すれば良い。こ
の場合は素子を単独で用いているが、電極形成時に多数
の素子を配線しても、外部で配線しても良く、素子の配
線方法によって、さまざまな応用に対処することができ
る。
【００１３】
【実施例２】図２は本発明の他の実施例を示す焦電型赤
外線センサの断面図である。例えばＳｉ基板（３）をエ
ッチング法により部分的に除去し島状部分を形成する。
その後Ｓｉ基板（３）全面に回転塗布法によりガラス質
層（２）を形成・平坦化する。次にフォトリソグラフィ
技術よりＳｉの島部分と支持層との結合部分を形成する
ため、ガラス質層（２）に穴を空け島状部分表面を露出
させる。つぎにＣＶＤ法でｐｏｌｙ−Ｓｉ（１）あるい
はａ−Ｓｉを形成し穴を埋める。余分な部分は除去すれ
ば良い。同様の方法で支持層（８）となるｐｏｌｙ−Ｓ
ｉ（１）あるいはａ−Ｓｉを形成する。その後スパッタ
法により下部の電極（４）を形成、半導体微細加工技術
により目的の形状に加工後、ＰｂＴｉＯ3系の焦電材料
からなる薄膜（５）を積層させる。この部分についても
半導体微細加工技術により目的の形状に加工する。 次
に上部の電極（４）をスパッタ法により形成、加工す
る。その後、支持層（８）作製時のエッチング液に焦電
薄膜（５）が腐食されないよう、上部をＳｉＮ等の絶縁
膜（６）で覆い、必要な部分例えば電極取り出し部分に
ついては穴をあけておく。最後に半導体微細加工技術に
より支持層（８）の一部にエッチング用の穴を形成し，
下部をＨＦ系エッチング液等により腐食除去させ空隙を
作り支持層（８）を形成する。
外線センサの断面図である。例えばＳｉ基板（３）をエ
ッチング法により部分的に除去し島状部分を形成する。
その後Ｓｉ基板（３）全面に回転塗布法によりガラス質
層（２）を形成・平坦化する。次にフォトリソグラフィ
技術よりＳｉの島部分と支持層との結合部分を形成する
ため、ガラス質層（２）に穴を空け島状部分表面を露出
させる。つぎにＣＶＤ法でｐｏｌｙ−Ｓｉ（１）あるい
はａ−Ｓｉを形成し穴を埋める。余分な部分は除去すれ
ば良い。同様の方法で支持層（８）となるｐｏｌｙ−Ｓ
ｉ（１）あるいはａ−Ｓｉを形成する。その後スパッタ
法により下部の電極（４）を形成、半導体微細加工技術
により目的の形状に加工後、ＰｂＴｉＯ3系の焦電材料
からなる薄膜（５）を積層させる。この部分についても
半導体微細加工技術により目的の形状に加工する。 次
に上部の電極（４）をスパッタ法により形成、加工す
る。その後、支持層（８）作製時のエッチング液に焦電
薄膜（５）が腐食されないよう、上部をＳｉＮ等の絶縁
膜（６）で覆い、必要な部分例えば電極取り出し部分に
ついては穴をあけておく。最後に半導体微細加工技術に
より支持層（８）の一部にエッチング用の穴を形成し，
下部をＨＦ系エッチング液等により腐食除去させ空隙を
作り支持層（８）を形成する。
【００１４】ここでＳｉの島状部分の形成はエッチング
法を使用したが、これはウエットエッチング、ドライエ
ッチングでも良く、等方性エッチング、異方性エッチン
グでも良く、機械的加工であっても良い。ガラス質層
（２）は回転塗布により形成したが、他にはリフトオフ
等の技術で埋め込みとしても良い。またガラス質層
（２）は半導体微細加工技術において簡単に除去できる
ものであれば良く、ＰＳＧ，ＢＳＧ，ＳｉＯ2などが使
用できる。また金属材料であっても除去可能なエッチン
グ液を使用すれば良い。支持層（８）は前記例の他、腐
食されないＳｉＮ、ダイヤモンド薄膜、ＡｌＮ、ＢＮ等
でも良く、下部の層を除去する場合に腐食されず、絶縁
物であれば有機材料、あるいは複合材料でも良い。焦電
薄膜（５）はＰｂＴｉＯ3を用いたがその他に（ＰｂＴ
ｉＯ3−ＰｂＺｒＯ3）系、ＮｂＴａＯ3系、ＬｉＴａＯ3
系、ＴＧＳ系等の焦電材料であれば良く、また結晶状態
は単結晶、多結晶、のどちらでも良く、さらにポリマと
の複合体でも良い。各層の形成は回転塗布法、スパッタ
法、ＣＶＤ法で行ったが、蒸着等の気相薄膜形成法等で
も良い。
法を使用したが、これはウエットエッチング、ドライエ
ッチングでも良く、等方性エッチング、異方性エッチン
グでも良く、機械的加工であっても良い。ガラス質層
（２）は回転塗布により形成したが、他にはリフトオフ
等の技術で埋め込みとしても良い。またガラス質層
（２）は半導体微細加工技術において簡単に除去できる
ものであれば良く、ＰＳＧ，ＢＳＧ，ＳｉＯ2などが使
用できる。また金属材料であっても除去可能なエッチン
グ液を使用すれば良い。支持層（８）は前記例の他、腐
食されないＳｉＮ、ダイヤモンド薄膜、ＡｌＮ、ＢＮ等
でも良く、下部の層を除去する場合に腐食されず、絶縁
物であれば有機材料、あるいは複合材料でも良い。焦電
薄膜（５）はＰｂＴｉＯ3を用いたがその他に（ＰｂＴ
ｉＯ3−ＰｂＺｒＯ3）系、ＮｂＴａＯ3系、ＬｉＴａＯ3
系、ＴＧＳ系等の焦電材料であれば良く、また結晶状態
は単結晶、多結晶、のどちらでも良く、さらにポリマと
の複合体でも良い。各層の形成は回転塗布法、スパッタ
法、ＣＶＤ法で行ったが、蒸着等の気相薄膜形成法等で
も良い。
【００１５】実施例では一つの素子のみであるがマルチ
エレメントとするには多数の素子を形成すれば良い。こ
の場合は素子を単独で用いているが、電極形成時に多数
の素子を配線しても、外部で配線しても良く、素子の配
線方法によって、さまざまな応用に対処することができ
る。
エレメントとするには多数の素子を形成すれば良い。こ
の場合は素子を単独で用いているが、電極形成時に多数
の素子を配線しても、外部で配線しても良く、素子の配
線方法によって、さまざまな応用に対処することができ
る。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、焦電型赤
外線センサの変換効率、応答性を改善すること、クロス
トークの影響を無視できる小型のマルチエレメントセン
サを実現できること、さらに半導体の微細加工技術で一
般的に用いられる工程が使用できるため生産工程を特に
変更する必要もなく、さらに基板の両面よりフォトリソ
グラフィを行う必要はまったくないため、生産性を低下
させることがまったくなく、半導体特有のバッチ処理に
よる大量生産に十分対応できるため生産性の向上を可能
する点で工業的価値がある。また多様化する焦電型赤外
線センサの応用に対応でき、工業的価値は大きい。
外線センサの変換効率、応答性を改善すること、クロス
トークの影響を無視できる小型のマルチエレメントセン
サを実現できること、さらに半導体の微細加工技術で一
般的に用いられる工程が使用できるため生産工程を特に
変更する必要もなく、さらに基板の両面よりフォトリソ
グラフィを行う必要はまったくないため、生産性を低下
させることがまったくなく、半導体特有のバッチ処理に
よる大量生産に十分対応できるため生産性の向上を可能
する点で工業的価値がある。また多様化する焦電型赤外
線センサの応用に対応でき、工業的価値は大きい。
【００１７】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示す表面上にすべて積層し
た場合の焦電型赤外線センサの断面図である。
た場合の焦電型赤外線センサの断面図である。
【図２】本発明の一実施例を示す部分的に基板をエッチ
ングし島状部分を形成し、除去可能部分を埋め込みとし
た場合の焦電型赤外線センサの断面図である。
ングし島状部分を形成し、除去可能部分を埋め込みとし
た場合の焦電型赤外線センサの断面図である。
【図３】従来の方法による複数の素子を持つ焦電型赤外
線センサの構造を示した図である。
線センサの構造を示した図である。
【図４】従来の方法による焦電型赤外線センサの構造を
示した図である。
示した図である。
１ ｐｏｌｙ−Ｓｉ ２ ガラス質層 ３ Ｓｉ基板 ４ 電極 ５ 焦電薄膜 ６ 絶縁膜 ７ 空隙 ８ 支持層 ９ 焦電体基板 １０ 受光面 １１ 受光面電極 １２ 裏面電極
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁材料、半導体材料あるいは複合材料
からなる基板に、下部に空隙を持つ支持層を形成後、さ
らにその上部に電極、焦電材料からなる薄層、電極とい
う赤外線検知部を１ヶ所以上有することを特徴とする焦
電型赤外線センサ。 - 【請求項２】 前記空隙を持つ支持層を形成するのに、
基板上あるいは基板内部に除去可能な部分を形成し、そ
の上部に支持層を形成し、前記除去可能な部分を除去し
て形成することを特徴とする特許請求の範囲請求項第１
項記載の焦電型赤外線センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13157992A JPH06160194A (ja) | 1992-04-25 | 1992-04-25 | 焦電型赤外線センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13157992A JPH06160194A (ja) | 1992-04-25 | 1992-04-25 | 焦電型赤外線センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06160194A true JPH06160194A (ja) | 1994-06-07 |
Family
ID=15061356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13157992A Pending JPH06160194A (ja) | 1992-04-25 | 1992-04-25 | 焦電型赤外線センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06160194A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6750452B1 (en) | 2001-12-04 | 2004-06-15 | Ihi Aerospace Co., Ltd. | Thermal type-infrared detection device and method for manufacturing the same, and array of thermal type-infrared detection device |
| US8436306B2 (en) | 2011-02-24 | 2013-05-07 | Ngk Insulators, Ltd. | Pyroelectric element |
| CN115667864A (zh) * | 2020-04-16 | 2023-01-31 | 原子能和替代能源委员会 | 用于制造包括由矿物材料制成的外围壁的检测装置的方法 |
-
1992
- 1992-04-25 JP JP13157992A patent/JPH06160194A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6750452B1 (en) | 2001-12-04 | 2004-06-15 | Ihi Aerospace Co., Ltd. | Thermal type-infrared detection device and method for manufacturing the same, and array of thermal type-infrared detection device |
| US8436306B2 (en) | 2011-02-24 | 2013-05-07 | Ngk Insulators, Ltd. | Pyroelectric element |
| CN115667864A (zh) * | 2020-04-16 | 2023-01-31 | 原子能和替代能源委员会 | 用于制造包括由矿物材料制成的外围壁的检测装置的方法 |
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