JPH06160814A - ツイステッドネマチック液晶表示素子 - Google Patents
ツイステッドネマチック液晶表示素子Info
- Publication number
- JPH06160814A JPH06160814A JP4307795A JP30779592A JPH06160814A JP H06160814 A JPH06160814 A JP H06160814A JP 4307795 A JP4307795 A JP 4307795A JP 30779592 A JP30779592 A JP 30779592A JP H06160814 A JPH06160814 A JP H06160814A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- crystal display
- nematic liquid
- twisted nematic
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】リバースチルトなどの配向異常がきわめておき
にくいＴＮ液晶素子を得る。 【構成】電極付きの基板間にほぼ９０°ねじれたネマチ
ック液晶層を挟持してなるツイステッドネマチック液晶
表示素子で、該液晶層は０．１〜５重量％の高分子架橋
体を含むようにする。
にくいＴＮ液晶素子を得る。 【構成】電極付きの基板間にほぼ９０°ねじれたネマチ
ック液晶層を挟持してなるツイステッドネマチック液晶
表示素子で、該液晶層は０．１〜５重量％の高分子架橋
体を含むようにする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はツイステッドネマチック
液晶表示素子の改良に関するものである。
液晶表示素子の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は、いわゆるスーパーツイ
ステッドネマチック（ＳＴＮ）モードや薄膜トランジス
ター（ＴＦＴ）駆動のツイステッドネマチック（ＴＮ）
モードの液晶表示素子の開発の進展により、例えば、ワ
ープロやパソコンの表示部品として必要欠くべからざる
ものになっている。
ステッドネマチック（ＳＴＮ）モードや薄膜トランジス
ター（ＴＦＴ）駆動のツイステッドネマチック（ＴＮ）
モードの液晶表示素子の開発の進展により、例えば、ワ
ープロやパソコンの表示部品として必要欠くべからざる
ものになっている。
【０００３】このうち、ＴＦＴ駆動のＴＮ液晶表示素子
は、高速、高コントラスト比、多階調を実現するものと
して、近年開発が進められている。
は、高速、高コントラスト比、多階調を実現するものと
して、近年開発が進められている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＴＦＴ駆動の液晶セル
においては、高温において画素電極周辺にリバースチル
トが発生し、コントラストの低下や視角方向が変化し、
表示品位低下の原因となる場合がある。これらは配向膜
界面のプレチルト角が十分に大きくないために発生する
現象ではないかといわれている。
においては、高温において画素電極周辺にリバースチル
トが発生し、コントラストの低下や視角方向が変化し、
表示品位低下の原因となる場合がある。これらは配向膜
界面のプレチルト角が十分に大きくないために発生する
現象ではないかといわれている。
【０００５】このような問題点を解決するために、配向
膜を適当なものに選択すること、特に、閉環型ポリイミ
ドを採用すること、液晶層厚みと液晶ねじれピッチとの
比（ｄ／ｐ）を適当なものに選択することなどの措置が
検討されている。しかし、これらの措置では十分にリバ
ースチルトの発生を抑えることは困難であった。
膜を適当なものに選択すること、特に、閉環型ポリイミ
ドを採用すること、液晶層厚みと液晶ねじれピッチとの
比（ｄ／ｐ）を適当なものに選択することなどの措置が
検討されている。しかし、これらの措置では十分にリバ
ースチルトの発生を抑えることは困難であった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の問題点を
解決するためになされたものであり、電極付きの基板間
にほぼ９０°ねじれたネマチック液晶層を挟持してなる
ツイステッドネマチック液晶表示素子において、該液晶
層は０．１〜５重量％の高分子架橋体を含むことを特徴
とするツイステッドネマチック液晶表示素子を提供する
ものである。
解決するためになされたものであり、電極付きの基板間
にほぼ９０°ねじれたネマチック液晶層を挟持してなる
ツイステッドネマチック液晶表示素子において、該液晶
層は０．１〜５重量％の高分子架橋体を含むことを特徴
とするツイステッドネマチック液晶表示素子を提供する
ものである。
【０００７】ここで、高分子架橋体とは重合可能な官能
基を分子内に２個以上有するモノマーの単独重合体又は
共重合体である。もちろん、この場合、架橋高分子は重
合可能な官能基を分子内に１個有するモノマーと重合可
能な官能基を分子内に２個以上有するモノマーとの共重
合体であってもよい。ただし、架橋高分子が液晶中に実
質的に溶解しないためには、重合可能な官能基を分子内
に２個以上有するモノマーの含量は重量で１５％以上で
あることが好ましい。
基を分子内に２個以上有するモノマーの単独重合体又は
共重合体である。もちろん、この場合、架橋高分子は重
合可能な官能基を分子内に１個有するモノマーと重合可
能な官能基を分子内に２個以上有するモノマーとの共重
合体であってもよい。ただし、架橋高分子が液晶中に実
質的に溶解しないためには、重合可能な官能基を分子内
に２個以上有するモノマーの含量は重量で１５％以上で
あることが好ましい。
【０００８】高分子架橋体の量は、液晶層の量に対して
重量割合で０．１〜５％程度であることが好ましい。量
がこれ未満であるとリバースチルト発生抑止効果が十分
ではなく、これを超えると、高分子架橋体の存在による
光散乱が増えるため好ましくない。光散乱量は高分子架
橋体の屈折率にも依存するが、電圧非印加時のヘーズ値
で５％以下に抑えられていることが好ましい。
重量割合で０．１〜５％程度であることが好ましい。量
がこれ未満であるとリバースチルト発生抑止効果が十分
ではなく、これを超えると、高分子架橋体の存在による
光散乱が増えるため好ましくない。光散乱量は高分子架
橋体の屈折率にも依存するが、電圧非印加時のヘーズ値
で５％以下に抑えられていることが好ましい。
【０００９】高分子架橋体を形成するための重合反応は
連鎖重合、重付加などであることが好ましい。一方、重
縮合など水などの揮発物が重合中に発生する反応や、液
晶特性に悪影響を与える副生物を発生する反応は好まし
くない。素子に空隙が発生するおそれや、液晶特性を劣
化させるおそれがあるためである。
連鎖重合、重付加などであることが好ましい。一方、重
縮合など水などの揮発物が重合中に発生する反応や、液
晶特性に悪影響を与える副生物を発生する反応は好まし
くない。素子に空隙が発生するおそれや、液晶特性を劣
化させるおそれがあるためである。
【００１０】本発明のツイステッドネマチック液晶表示
素子を作製するためには、高分子架橋体を形成するモノ
マー、オリゴマーなどの化合物と液晶とを混ぜ合わせ
て、溶液状態とした後、これを液晶空セルに注入し、こ
れを光硬化、熱硬化、電子線硬化、２液混合による硬
化、冷却による固化などにより高分子架橋体を形成する
ようにすればよい。
素子を作製するためには、高分子架橋体を形成するモノ
マー、オリゴマーなどの化合物と液晶とを混ぜ合わせ
て、溶液状態とした後、これを液晶空セルに注入し、こ
れを光硬化、熱硬化、電子線硬化、２液混合による硬
化、冷却による固化などにより高分子架橋体を形成する
ようにすればよい。
【００１１】特に、光硬化タイプの樹脂を高分子架橋体
として用いることにより、熱による影響を受けなく、短
時間で固化させることができ好ましい。この場合は、通
常０．１〜１０ｍＪ／ｃｍ2 程度の紫外線を照射するこ
とにより行える。
として用いることにより、熱による影響を受けなく、短
時間で固化させることができ好ましい。この場合は、通
常０．１〜１０ｍＪ／ｃｍ2 程度の紫外線を照射するこ
とにより行える。
【００１２】重合可能な官能基を分子内に２個以上有す
るモノマーの代表例を以下に述べる。
るモノマーの代表例を以下に述べる。
【００１３】第１の群は化１で示されるスチレン誘導体
である。ここで、ｎとｋは０又は１であるが、同時に０
とはならない。ｍは０又は１であり、Ａは−ＣＨ2 −，
−ＣＯ−Ｏ−，−Ｏ−ＣＯ−，−ＣＨ2 −ＣＨ2 −，−
ＣＨ2 −Ｏ−，−Ｏ−ＣＨ2−などの連結基を示す。化
１の具体的な化合物としてはジビニルベンゼンなどが含
まれる。
である。ここで、ｎとｋは０又は１であるが、同時に０
とはならない。ｍは０又は１であり、Ａは−ＣＨ2 −，
−ＣＯ−Ｏ−，−Ｏ−ＣＯ−，−ＣＨ2 −ＣＨ2 −，−
ＣＨ2 −Ｏ−，−Ｏ−ＣＨ2−などの連結基を示す。化
１の具体的な化合物としてはジビニルベンゼンなどが含
まれる。
【００１４】
【化１】
【００１５】第２の群は、化２で示されるアクリル酸類
のジエステルである。ここで、Ｘは水素原子、フッ素原
子又はメチル基である。Ｂはジオールの残基を示してい
る。第２の群は一般にアクリルオリゴマーと称される分
子量が５００〜数万の化合物も包含する。
のジエステルである。ここで、Ｘは水素原子、フッ素原
子又はメチル基である。Ｂはジオールの残基を示してい
る。第２の群は一般にアクリルオリゴマーと称される分
子量が５００〜数万の化合物も包含する。
【００１６】
【化２】
【００１７】高分子架橋体は、液晶性モノマーをその重
合成分として含むものであることが好ましい。こうする
ことにより、混合溶液ともとの液晶との間のクリヤリン
グポイントの変化が小さくなり、ひいては、螺旋ピッチ
の変化も少なくなるからである。
合成分として含むものであることが好ましい。こうする
ことにより、混合溶液ともとの液晶との間のクリヤリン
グポイントの変化が小さくなり、ひいては、螺旋ピッチ
の変化も少なくなるからである。
【００１８】「液晶性モノマーをその重合成分として含
む」とは、架橋性高分子液晶が重合可能な官能基を分子
内に２個以上有するモノマーの単独又は共重合体である
ことをいう。もちろん、重合可能な官能基を分子内に１
個有するモノマーと、重合可能な官能基を分子内に２個
以上有するモノマーとの共重合体であってもよい。
む」とは、架橋性高分子液晶が重合可能な官能基を分子
内に２個以上有するモノマーの単独又は共重合体である
ことをいう。もちろん、重合可能な官能基を分子内に１
個有するモノマーと、重合可能な官能基を分子内に２個
以上有するモノマーとの共重合体であってもよい。
【００１９】特に、上記液晶性モノマーは、もとの液晶
に対してこの液晶性モノマーを３重量％加えた場合の、
もとの液晶のクリヤリングポイントに対する混合溶液の
クリヤリングポイントの変化が３度以下であるものが好
ましい。これにより、螺旋ピッチの変化を極めて少なく
できるからである。
に対してこの液晶性モノマーを３重量％加えた場合の、
もとの液晶のクリヤリングポイントに対する混合溶液の
クリヤリングポイントの変化が３度以下であるものが好
ましい。これにより、螺旋ピッチの変化を極めて少なく
できるからである。
【００２０】また、高分子架橋体について、液晶性モノ
マーをその重合成分として含むものとすることにより、
重合時に電界を印加しながら、重合することによって、
電圧を印加したときにヘーズ値を最小とし、どの角度か
らみても透明な素子を得ることができるという利点もあ
る。
マーをその重合成分として含むものとすることにより、
重合時に電界を印加しながら、重合することによって、
電圧を印加したときにヘーズ値を最小とし、どの角度か
らみても透明な素子を得ることができるという利点もあ
る。
【００２１】さらに驚くべきことに、プレチルト角を大
きくする効果もある。従来、プレチルト角を大きくする
ために、配向膜の改良や液晶の選定が精力的に行われて
きたが、たとえば、高プレチルト角の配向膜を用いた場
合、表示素子面でのプレチルト角のむらが発生しやす
く、全面にわたっての均一な表示が困難であった。
きくする効果もある。従来、プレチルト角を大きくする
ために、配向膜の改良や液晶の選定が精力的に行われて
きたが、たとえば、高プレチルト角の配向膜を用いた場
合、表示素子面でのプレチルト角のむらが発生しやす
く、全面にわたっての均一な表示が困難であった。
【００２２】本発明の重合時に電界を印加しながら重合
する方法により、表示素子面でのプレチルト角のむらが
発生しにくく全面にわたっての均一な表示が可能とな
る。
する方法により、表示素子面でのプレチルト角のむらが
発生しにくく全面にわたっての均一な表示が可能とな
る。
【００２３】重合時印加する電圧は用いる液晶の誘電率
異方性、弾性定数や素子の厚みに依存するが、０．３ボ
ルト以上、１５０ボルト以下が好ましい。０．３ボルト
以下では、高プレチルト化の効果が得られにくい。上限
は原理的には、素子が破壊しない限り、限界がないが、
簡便さを考慮すると１５０ボルト以下であればよい。１
０ボルト程度でも十分な効果が得られる。
異方性、弾性定数や素子の厚みに依存するが、０．３ボ
ルト以上、１５０ボルト以下が好ましい。０．３ボルト
以下では、高プレチルト化の効果が得られにくい。上限
は原理的には、素子が破壊しない限り、限界がないが、
簡便さを考慮すると１５０ボルト以下であればよい。１
０ボルト程度でも十分な効果が得られる。
【００２４】重合時印加する電源は直流でも交流でもよ
い。交流の場合、その周波数は、印加の簡便性から１０
０ｋＨｚ以下、通常は１０〜１００Ｈｚがよい。
い。交流の場合、その周波数は、印加の簡便性から１０
０ｋＨｚ以下、通常は１０〜１００Ｈｚがよい。
【００２５】高分子架橋体を添加するもとの液晶は、通
常にツイステッドネマチック液晶表示素子として用いう
るものであれば、いずれも適当に用いることができる。
常にツイステッドネマチック液晶表示素子として用いう
るものであれば、いずれも適当に用いることができる。
【００２６】またこれらの液晶と高分子架橋体形成用モ
ノマー、オリゴマーの混合物には、光重合などの重合開
始剤の他、基板間隔制御用のセラミックス粒子、プラス
チック粒子、ガラス繊維などのスペーサー、顔料、色
素、粘度調整剤、その他本発明の性能に悪影響を与えな
い添加剤を添加することができる。
ノマー、オリゴマーの混合物には、光重合などの重合開
始剤の他、基板間隔制御用のセラミックス粒子、プラス
チック粒子、ガラス繊維などのスペーサー、顔料、色
素、粘度調整剤、その他本発明の性能に悪影響を与えな
い添加剤を添加することができる。
【００２７】上記液晶層を挟持した液晶セルの基本構成
は以下のようになる。プラスチック、ガラス等の基板の
表面に、所望のパターンでパターニングされたＩＴＯ
（Ｉｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 ）、ＳｎＯ2 等の透明電極が設
けられて電極付きの基板とされる。電極層は、表示に対
応して電極群が対向したマトリクス配置しており、これ
により各ドット毎にオンオフを制御可能とされる。電極
層の形成方法としては、特にこれに限るものではない
が、層厚を均一にする見地からは、蒸着法、スパッタ法
等が好ましく用いられる。
は以下のようになる。プラスチック、ガラス等の基板の
表面に、所望のパターンでパターニングされたＩＴＯ
（Ｉｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 ）、ＳｎＯ2 等の透明電極が設
けられて電極付きの基板とされる。電極層は、表示に対
応して電極群が対向したマトリクス配置しており、これ
により各ドット毎にオンオフを制御可能とされる。電極
層の形成方法としては、特にこれに限るものではない
が、層厚を均一にする見地からは、蒸着法、スパッタ法
等が好ましく用いられる。
【００２８】本発明においては、必要に応じて電極の上
もしくは下にＳｉＯ2 、ＴｉＯ2 等の絶縁膜、位相差
膜、偏光膜、反射膜、光導電膜等が形成されていてもよ
い。特にＴＦＴ、ＭＩＭ、薄膜ダイオード等の能動素子
を設けて駆動される場合には、前記のリバースチルトが
起こりやすいため、本発明による効果が大きい。
もしくは下にＳｉＯ2 、ＴｉＯ2 等の絶縁膜、位相差
膜、偏光膜、反射膜、光導電膜等が形成されていてもよ
い。特にＴＦＴ、ＭＩＭ、薄膜ダイオード等の能動素子
を設けて駆動される場合には、前記のリバースチルトが
起こりやすいため、本発明による効果が大きい。
【００２９】この電極付き基板の表面には表面をラビン
グされたポリイミド、ポリアミド等の膜や、斜め蒸着さ
れたＳｉＯ等の膜からなる配向制御膜が形成される。２
枚の上記基板が準備されて、前記した液晶層を挟持する
ようにされる。
グされたポリイミド、ポリアミド等の膜や、斜め蒸着さ
れたＳｉＯ等の膜からなる配向制御膜が形成される。２
枚の上記基板が準備されて、前記した液晶層を挟持する
ようにされる。
【００３０】なお、電極と配向制御膜との間に基板間短
絡防止のためにＴｉＯ2 、ＳｉＯ2、Ａｌ2 Ｏ3 等の絶
縁膜を設けたり、透明電極にＡｌ、Ｃｒ、Ｔｉ等の低抵
抗のリード電極を併設したりしてもよい。
絡防止のためにＴｉＯ2 、ＳｉＯ2、Ａｌ2 Ｏ3 等の絶
縁膜を設けたり、透明電極にＡｌ、Ｃｒ、Ｔｉ等の低抵
抗のリード電極を併設したりしてもよい。
【００３１】この基板の両外側に一対の偏光板を配置す
る。この偏光板自体もセルを構成する基板の外側に配置
することが一般的であるが、性能が許せば、基板自体を
偏光板で構成したり、基板と電極との間に偏光層として
設けてもよい。
る。この偏光板自体もセルを構成する基板の外側に配置
することが一般的であるが、性能が許せば、基板自体を
偏光板で構成したり、基板と電極との間に偏光層として
設けてもよい。
【００３２】また、カラーフィルターを併用することが
可能である。このカラーフィルターは、セル内面に形成
することにより、視角によるズレを生じなく、より精密
なカラー表示が可能となる。具体的には、電極の下側に
形成されてもよいし、電極の上側に形成されてもよい。
また、色を補正するためのカラーフィルターや、カラー
偏光板を併用したり、液晶層中に色素を添加したり、あ
るいは特定の波長分布を有する照明を用いたりしてもよ
い。
可能である。このカラーフィルターは、セル内面に形成
することにより、視角によるズレを生じなく、より精密
なカラー表示が可能となる。具体的には、電極の下側に
形成されてもよいし、電極の上側に形成されてもよい。
また、色を補正するためのカラーフィルターや、カラー
偏光板を併用したり、液晶層中に色素を添加したり、あ
るいは特定の波長分布を有する照明を用いたりしてもよ
い。
【００３３】このような構成の液晶セルの電極に電圧を
印加するための駆動手段を接続し、駆動を行う。すなわ
ち、基板端部に導出した接続端子部分に、異方性導電ゴ
ムを介したり、ヒートシール、異方性導電接着剤を用い
て、フレキシブル基板等からなる外部回路基板を接続し
たり、ＴＡＢ基板を接続したりする。
印加するための駆動手段を接続し、駆動を行う。すなわ
ち、基板端部に導出した接続端子部分に、異方性導電ゴ
ムを介したり、ヒートシール、異方性導電接着剤を用い
て、フレキシブル基板等からなる外部回路基板を接続し
たり、ＴＡＢ基板を接続したりする。
【００３４】本発明では透過型でも反射型でも適用可能
であり、その応用範囲が広い。なお、透過型で使用する
場合には裏側に光源を配置する。もちろん、これにも導
光体、カラーフィルターを併用してもよい。さらに、透
過型で使用する場合、画素以外の背景部分を印刷等によ
る遮光膜で覆うこともできる。
であり、その応用範囲が広い。なお、透過型で使用する
場合には裏側に光源を配置する。もちろん、これにも導
光体、カラーフィルターを併用してもよい。さらに、透
過型で使用する場合、画素以外の背景部分を印刷等によ
る遮光膜で覆うこともできる。
【００３５】本発明は、この外、本発明の効果を損なわ
ない範囲内で、通常の液晶表示素子で使用されている種
々の技術が適用可能である。
ない範囲内で、通常の液晶表示素子で使用されている種
々の技術が適用可能である。
【００３６】
【作用】本発明により、リバースチルトが抑制されたツ
イステッドネマチック液晶が得られる理由は、必ずしも
明らかではないが、以下のように推定される。
イステッドネマチック液晶が得られる理由は、必ずしも
明らかではないが、以下のように推定される。
【００３７】ＴＦＴ液晶表示素子などにおけるリバース
チルトは、電圧印加状態における液晶分子と配向膜界面
との微妙なバランスによって、発生の有無が決定され
る。本発明における高分子架橋体は、液晶セル内にごく
弱い３次元網目構造を形成し、見かけ上の配向膜界面を
増加させることにより、一種の配向のピン止め作用を得
ているものと考えられる。
チルトは、電圧印加状態における液晶分子と配向膜界面
との微妙なバランスによって、発生の有無が決定され
る。本発明における高分子架橋体は、液晶セル内にごく
弱い３次元網目構造を形成し、見かけ上の配向膜界面を
増加させることにより、一種の配向のピン止め作用を得
ているものと考えられる。
【００３８】つまり、高分子架橋体は、きわめて細かな
欠陥を均一に分布させると共に、液晶と作用して、高温
状態あるいは低温状態において発生する、観察できる程
度の配向欠陥を防止する作用があると考えられる。
欠陥を均一に分布させると共に、液晶と作用して、高温
状態あるいは低温状態において発生する、観察できる程
度の配向欠陥を防止する作用があると考えられる。
【００３９】
【実施例】ガラス基板（コーニング社製７０５９基板）
上にクロムを６０ｎｍ蒸着して、パターニングしてゲー
ト電極とした。引き続きシリコンオキシナイトライド膜
と非晶質シリコン膜をプラズマＣＶＤ装置で堆積した。
これをレーザーを用いてアニールした後、パターニング
して多結晶シリコンとした。これにリンドープ非晶質シ
リコン、クロムを夫々プラズマＣＶＤ、蒸着装置を用い
て堆積し、多結晶シリコンを覆うようにパターニングし
て、第１層目のソース電極、ドレイン電極とした。さら
に、ＩＴＯを蒸着した後、パターニングして画素電極を
形成した。
上にクロムを６０ｎｍ蒸着して、パターニングしてゲー
ト電極とした。引き続きシリコンオキシナイトライド膜
と非晶質シリコン膜をプラズマＣＶＤ装置で堆積した。
これをレーザーを用いてアニールした後、パターニング
して多結晶シリコンとした。これにリンドープ非晶質シ
リコン、クロムを夫々プラズマＣＶＤ、蒸着装置を用い
て堆積し、多結晶シリコンを覆うようにパターニングし
て、第１層目のソース電極、ドレイン電極とした。さら
に、ＩＴＯを蒸着した後、パターニングして画素電極を
形成した。
【００４０】続いて、クロム、アルミニウムを連続蒸着
して、画素電極と第１層目のソース電極、ドレイン電極
を接続するようにパターニングして、第２層目のソース
電極、ドレイン電極とした。この後、再び、シリコンオ
キシナイトライド膜をプラズマＣＶＤ装置で堆積し保護
膜とした。さらにポリイミド膜を０．０６μｍの厚さに
なるように塗布、焼成して膜形成し、この膜を静電植毛
のナイロン糸ラビング布を用いてラビングしてアクティ
ブマトリクス基板を作成した。
して、画素電極と第１層目のソース電極、ドレイン電極
を接続するようにパターニングして、第２層目のソース
電極、ドレイン電極とした。この後、再び、シリコンオ
キシナイトライド膜をプラズマＣＶＤ装置で堆積し保護
膜とした。さらにポリイミド膜を０．０６μｍの厚さに
なるように塗布、焼成して膜形成し、この膜を静電植毛
のナイロン糸ラビング布を用いてラビングしてアクティ
ブマトリクス基板を作成した。
【００４１】全面にベタのＩＴＯ電極を形成した後、こ
の上にポリイミド膜を０．０６μｍの厚さになるように
塗布、焼成して膜形成し、この膜を静電植毛のナイロン
糸ラビング布を用いてラビングした同じガラス基板によ
る対向電極基板と、前に製造したアクティブマトリクス
基板とを電極面が対向するように配置し、内部に直径約
５．０μｍのスペーサーを散布して、その周辺を注入口
部分を除き、エポキシ系のシール材でシールして、基板
間隙ｄが約５．０μｍの空セルを製造した。
の上にポリイミド膜を０．０６μｍの厚さになるように
塗布、焼成して膜形成し、この膜を静電植毛のナイロン
糸ラビング布を用いてラビングした同じガラス基板によ
る対向電極基板と、前に製造したアクティブマトリクス
基板とを電極面が対向するように配置し、内部に直径約
５．０μｍのスペーサーを散布して、その周辺を注入口
部分を除き、エポキシ系のシール材でシールして、基板
間隙ｄが約５．０μｍの空セルを製造した。
【００４２】液晶としてメルク社製「ＺＬＩ−４７９
２」（商品名）を用い、カイラル剤としてコレステリッ
クノナノエートを所定の量加えたのち、化３の化合物を
全体の３重量％と、光重合開始剤としてベンゾインイソ
ブチルエーテル０．０３重量％とを均一に溶解した。
２」（商品名）を用い、カイラル剤としてコレステリッ
クノナノエートを所定の量加えたのち、化３の化合物を
全体の３重量％と、光重合開始剤としてベンゾインイソ
ブチルエーテル０．０３重量％とを均一に溶解した。
【００４３】
【化３】
【００４４】この混合物を、上記方法により製造した空
セルに注入口から注入し、注入口を封止した。注入され
た液晶層はほぼ９０度のねじれを有するようにされた。
セルに注入口から注入し、注入口を封止した。注入され
た液晶層はほぼ９０度のねじれを有するようにされた。
【００４５】これに紫外線を３０秒間照射してセル両側
に偏光板を配置し、アクティブマトリクス液晶表示素子
を作成した。このパネルを７０℃という高温で駆動した
ところ、従来ＴＦＴ液晶において問題となっていた電極
周辺におけるリバースチルトによる配向欠陥がまったく
なく良好な特性が得られた。
に偏光板を配置し、アクティブマトリクス液晶表示素子
を作成した。このパネルを７０℃という高温で駆動した
ところ、従来ＴＦＴ液晶において問題となっていた電極
周辺におけるリバースチルトによる配向欠陥がまったく
なく良好な特性が得られた。
【００４６】
【発明の効果】本発明によれば、リバースチルトなどの
配向異常の極めておきにくいＴＮ液晶素子が得られる。
特に、リバースチルト欠陥の生じやすい、ＴＦＴ素子に
おいて、本発明は有効である。
配向異常の極めておきにくいＴＮ液晶素子が得られる。
特に、リバースチルト欠陥の生じやすい、ＴＦＴ素子に
おいて、本発明は有効である。
Claims (2)
- 【請求項１】電極付きの基板間にほぼ９０°ねじれたネ
マチック液晶層を挟持してなるツイステッドネマチック
液晶表示素子において、該液晶層は０．１〜５重量％の
高分子架橋体を含むことを特徴とするツイステッドネマ
チック液晶表示素子。 - 【請求項２】高分子架橋体が液晶性モノマーをその重合
成分として含むものである請求項１記載のツイステッド
ネマチック液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30779592A JP3192780B2 (ja) | 1992-09-22 | 1992-10-21 | ツイステッドネマチック液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27786292 | 1992-09-22 | ||
| JP4-277862 | 1992-09-22 | ||
| JP30779592A JP3192780B2 (ja) | 1992-09-22 | 1992-10-21 | ツイステッドネマチック液晶表示素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06160814A true JPH06160814A (ja) | 1994-06-07 |
| JP3192780B2 JP3192780B2 (ja) | 2001-07-30 |
Family
ID=26552602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30779592A Expired - Lifetime JP3192780B2 (ja) | 1992-09-22 | 1992-10-21 | ツイステッドネマチック液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3192780B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5627665A (en) * | 1993-07-15 | 1997-05-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method for producing the same |
| JPH09179101A (ja) * | 1995-12-22 | 1997-07-11 | Shunsuke Kobayashi | 液晶表示素子及びその製造方法 |
| US5668651A (en) * | 1994-03-18 | 1997-09-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Polymer-wall LCD having liquid crystal molecules having a plane-symmetrical bend orientation |
| JP2001296521A (ja) * | 2000-04-17 | 2001-10-26 | Fujitsu Ltd | 液晶表示装置 |
| US7499132B2 (en) | 2001-03-30 | 2009-03-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display |
| US7518582B2 (en) | 2003-06-16 | 2009-04-14 | Nec Corporation | Liquid crystal panel, liquid crystal display device, and electronic equipment |
| JP2009265308A (ja) * | 2008-04-24 | 2009-11-12 | Sony Corp | 液晶表示素子 |
| WO2011078126A1 (ja) * | 2009-12-25 | 2011-06-30 | 学校法人東京理科大学 | Ｔｎ型液晶素子及びその製造方法 |
| WO2017026479A1 (ja) * | 2015-08-11 | 2017-02-16 | Dic株式会社 | 液晶表示素子 |
| US10690952B2 (en) | 2015-08-11 | 2020-06-23 | Dic Corporation | Liquid crystal display element |
-
1992
- 1992-10-21 JP JP30779592A patent/JP3192780B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5706109A (en) * | 1993-04-27 | 1998-01-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display with polymeric support |
| USRE38288E1 (en) * | 1993-04-27 | 2003-10-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display with polymeric support |
| US5627665A (en) * | 1993-07-15 | 1997-05-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method for producing the same |
| US5668651A (en) * | 1994-03-18 | 1997-09-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Polymer-wall LCD having liquid crystal molecules having a plane-symmetrical bend orientation |
| JPH09179101A (ja) * | 1995-12-22 | 1997-07-11 | Shunsuke Kobayashi | 液晶表示素子及びその製造方法 |
| JP2001296521A (ja) * | 2000-04-17 | 2001-10-26 | Fujitsu Ltd | 液晶表示装置 |
| US8531634B2 (en) | 2001-03-30 | 2013-09-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display |
| US7499132B2 (en) | 2001-03-30 | 2009-03-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display |
| US8797485B2 (en) | 2001-03-30 | 2014-08-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display |
| US7872719B2 (en) | 2001-03-30 | 2011-01-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display |
| US7518582B2 (en) | 2003-06-16 | 2009-04-14 | Nec Corporation | Liquid crystal panel, liquid crystal display device, and electronic equipment |
| US7922935B2 (en) | 2008-04-24 | 2011-04-12 | Sony Corporation | Liquid crystal display device |
| JP2009265308A (ja) * | 2008-04-24 | 2009-11-12 | Sony Corp | 液晶表示素子 |
| CN102667600A (zh) * | 2009-12-25 | 2012-09-12 | 学校法人东京理科大学 | Tn型液晶元件及其制造方法 |
| WO2011078126A1 (ja) * | 2009-12-25 | 2011-06-30 | 学校法人東京理科大学 | Ｔｎ型液晶素子及びその製造方法 |
| JP5648925B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2015-01-07 | 学校法人東京理科大学 | Ｔｎ型液晶素子及びその製造方法 |
| WO2017026479A1 (ja) * | 2015-08-11 | 2017-02-16 | Dic株式会社 | 液晶表示素子 |
| CN107850810A (zh) * | 2015-08-11 | 2018-03-27 | Dic株式会社 | 液晶显示元件 |
| US10690952B2 (en) | 2015-08-11 | 2020-06-23 | Dic Corporation | Liquid crystal display element |
| CN107850810B (zh) * | 2015-08-11 | 2021-06-15 | Dic株式会社 | 液晶显示元件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3192780B2 (ja) | 2001-07-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7248318B2 (en) | Liquid crystal display device and method of producing the same | |
| US6400430B2 (en) | Light control element, optical device, and electrical device having lightweight, and method of producing thereof | |
| JP4580188B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| US7742138B2 (en) | Liquid crystal display | |
| US6304306B1 (en) | Liquid crystal display device and method for producing the same | |
| US5729319A (en) | Liquid crystal display device and method for fabricating the same | |
| US20140046004A1 (en) | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof | |
| US20080024705A1 (en) | Liquid crystal display apparatus | |
| JP3192780B2 (ja) | ツイステッドネマチック液晶表示素子 | |
| EP2322978A1 (en) | Reflection type liquid crystal display device | |
| JP3050769B2 (ja) | 液晶表示素子及びその製造方法 | |
| KR960002689B1 (ko) | 액정 전기 광학 장치 | |
| JPH05215921A (ja) | 複屈折板及び液晶表示素子 | |
| JP4390540B2 (ja) | 光学素子及びその製造方法、並びに液晶配向用基板及び液晶表示装置 | |
| JPH06160801A (ja) | スーパーツイステッドネマチック液晶表示素子 | |
| US20040105066A1 (en) | Liquid crystal display panel and method of manufacturing the same | |
| JP3474615B2 (ja) | 液晶表示素子 | |
| JP2005215631A (ja) | 光学素子及びその製造方法、並びに液晶配向用基板及び液晶表示装置 | |
| JP3215677B2 (ja) | 液晶電気光学装置の作製方法 | |
| JP2870826B2 (ja) | アクティブマトリクス液晶表示素子及び投射型アクティブマトリクス液晶表示装置 | |
| US11829021B2 (en) | Polymer dispersed liquid crystal display device comprising a polymer network having a helical structure and method for manufacturing the same | |
| JP2006188668A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP3215255B2 (ja) | 液晶電気光学装置 | |
| US20230314885A1 (en) | Liquid crystal display device | |
| JP3728174B2 (ja) | 液晶素子および液晶装置 |