JPH06160822A - 液晶パネルおよびそれを用いた液晶投写装置 - Google Patents
液晶パネルおよびそれを用いた液晶投写装置Info
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- JPH06160822A JPH06160822A JP4308569A JP30856992A JPH06160822A JP H06160822 A JPH06160822 A JP H06160822A JP 4308569 A JP4308569 A JP 4308569A JP 30856992 A JP30856992 A JP 30856992A JP H06160822 A JPH06160822 A JP H06160822A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高輝度・高コントラスト表示の液晶パネルお
よび液晶投写装置を提供する。 【構成】 液晶パネルの画素電極13、対向電極14の
うち少なくとも一方に回折格子19を形成し、画素電極
を反射電極とする。回折格子19は液晶パネルに電界無
印加の時の液晶層の見かけの屈折率と同一、またはその
近傍の屈折率の材料を用いて形成する。液晶がオフ状態
の時には、回折格子19と液晶層15間の屈折率差はな
いので、光はそのまま直進する。液晶がオン状態の時に
は、回折格子19の屈折率と液晶層15の屈折率は異な
る。従って、液晶パネルに入射した光は回折される。
よび液晶投写装置を提供する。 【構成】 液晶パネルの画素電極13、対向電極14の
うち少なくとも一方に回折格子19を形成し、画素電極
を反射電極とする。回折格子19は液晶パネルに電界無
印加の時の液晶層の見かけの屈折率と同一、またはその
近傍の屈折率の材料を用いて形成する。液晶がオフ状態
の時には、回折格子19と液晶層15間の屈折率差はな
いので、光はそのまま直進する。液晶がオン状態の時に
は、回折格子19の屈折率と液晶層15の屈折率は異な
る。従って、液晶パネルに入射した光は回折される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、小型の液晶パネルに表
示された画像をスクリーン上に拡大投写する液晶投写装
置と、主として前記液晶投写装置に用いる液晶パネルに
関するものである。
示された画像をスクリーン上に拡大投写する液晶投写装
置と、主として前記液晶投写装置に用いる液晶パネルに
関するものである。
【0002】
【従来の技術】液晶パネルは軽量、薄型など数多くの特
徴を有するため、研究開発が盛んである。しかし、大画
面化が困難であるなどの問題点も多い。そこで近年、小
型の液晶パネルの表示画像を投写レンズなどにより拡大
投影し、大画面の表示画像を得る液晶投写装置が注目さ
れている。現在、商品化されているいわゆる液晶投写型
テレビは、液晶の旋光特性を利用したツイストネマティ
ック(以後、TNと呼ぶ)液晶パネルをライトバルブと
して用いている。
徴を有するため、研究開発が盛んである。しかし、大画
面化が困難であるなどの問題点も多い。そこで近年、小
型の液晶パネルの表示画像を投写レンズなどにより拡大
投影し、大画面の表示画像を得る液晶投写装置が注目さ
れている。現在、商品化されているいわゆる液晶投写型
テレビは、液晶の旋光特性を利用したツイストネマティ
ック(以後、TNと呼ぶ)液晶パネルをライトバルブと
して用いている。
【0003】以下、従来の液晶パネルについて説明す
る。ただし、説明に不要な箇所は省略しており、また、
図面を見易くするためにモデル的に描いている。以上の
ことは以後の図面に対しても同様である。
る。ただし、説明に不要な箇所は省略しており、また、
図面を見易くするためにモデル的に描いている。以上の
ことは以後の図面に対しても同様である。
【0004】(図10)はアクティブマトリックス型液
晶パネルの等価回路図である。一つの画素には画素に印
加する信号を制御するスイッチング素子としての薄膜ト
ランジスタ(以降、TFTと呼ぶ)が形成されている。
前記TFTはゲート信号線G 1〜Gmに印加する信号に
よりオンオフの動作を行ない、オン状態の時、ソース信
号線S1〜Snに印加されている信号が各画素に印加さ
れる。また、各画素は対向電極と画素電極間で形成され
るコンデンサとみなせる液晶105と補助容量104を
有している。なお、101はゲート信号線にオンオフの
電圧を印加するゲートドライブICであり、102は映
像信号をソース信号線に印加するソースドライブICで
ある。
晶パネルの等価回路図である。一つの画素には画素に印
加する信号を制御するスイッチング素子としての薄膜ト
ランジスタ(以降、TFTと呼ぶ)が形成されている。
前記TFTはゲート信号線G 1〜Gmに印加する信号に
よりオンオフの動作を行ない、オン状態の時、ソース信
号線S1〜Snに印加されている信号が各画素に印加さ
れる。また、各画素は対向電極と画素電極間で形成され
るコンデンサとみなせる液晶105と補助容量104を
有している。なお、101はゲート信号線にオンオフの
電圧を印加するゲートドライブICであり、102は映
像信号をソース信号線に印加するソースドライブICで
ある。
【0005】(図11)は従来の液晶パネルの断面図で
ある。アレイ基板112と対向電極基板111は4〜6
μmの間隔で保持され、前記基板間にTN液晶116が
注入されている。表示領域の周辺部は封止樹脂(図示せ
ず)で封止されている。118はクロムなどで形成され
たブラックマトリックス(以降、BMと呼ぶ)、113
はITOなどの透明物質で形成された対向電極、115
は画素電極、114は薄膜トランジスタ(以後、TFT
と呼ぶ)、117a、117bは配向膜である。
ある。アレイ基板112と対向電極基板111は4〜6
μmの間隔で保持され、前記基板間にTN液晶116が
注入されている。表示領域の周辺部は封止樹脂(図示せ
ず)で封止されている。118はクロムなどで形成され
たブラックマトリックス(以降、BMと呼ぶ)、113
はITOなどの透明物質で形成された対向電極、115
は画素電極、114は薄膜トランジスタ(以後、TFT
と呼ぶ)、117a、117bは配向膜である。
【0006】以下、従来の液晶投写型テレビについて図
面を参照しながら説明する。(図12)は従来の液晶投
写型テレビの構成図である。(図12)において、12
1は集光光学系、122は赤外線および紫外線を透過さ
せるUVIRカットミラー、123aは青色光反射ダイ
クロイックミラー(以後、BDMと呼ぶ)、123bは
緑色光反射ダイクロイックミラー(以後、GDMと呼
ぶ)、123cは赤色光反射ダイクロイックミラー(以
後、RDMと呼ぶ)、124a,124b,124c,
126a,126b,126cは偏光板、125a,1
25b,125cは透過型のTN液晶パネル、127
a,127b,127cは投写レンズ系である。
面を参照しながら説明する。(図12)は従来の液晶投
写型テレビの構成図である。(図12)において、12
1は集光光学系、122は赤外線および紫外線を透過さ
せるUVIRカットミラー、123aは青色光反射ダイ
クロイックミラー(以後、BDMと呼ぶ)、123bは
緑色光反射ダイクロイックミラー(以後、GDMと呼
ぶ)、123cは赤色光反射ダイクロイックミラー(以
後、RDMと呼ぶ)、124a,124b,124c,
126a,126b,126cは偏光板、125a,1
25b,125cは透過型のTN液晶パネル、127
a,127b,127cは投写レンズ系である。
【0007】以下、従来の液晶投写型テレビの動作につ
いて(図12)を参照しながら説明する。まず、集光光
学系121から出射された白色光はBDM123aによ
り青色光(以後、B光と呼ぶ)が反射され、前記B光は
偏光板124aに入射される。BDM123aを透過し
た光はGDM123bにより緑色光(以後、G光と呼
ぶ)が反射され偏光板124bに、また、RDM124
cにより赤色光(以後、R光と呼ぶ)が反射され偏光板
124cに入射される。
いて(図12)を参照しながら説明する。まず、集光光
学系121から出射された白色光はBDM123aによ
り青色光(以後、B光と呼ぶ)が反射され、前記B光は
偏光板124aに入射される。BDM123aを透過し
た光はGDM123bにより緑色光(以後、G光と呼
ぶ)が反射され偏光板124bに、また、RDM124
cにより赤色光(以後、R光と呼ぶ)が反射され偏光板
124cに入射される。
【0008】各液晶パネルは映像信号により入射光を変
調する。変調された光はその変調度合により各偏光板1
26a,126b,126cを透過し、各投写レンズ系
127a,127b,127cに入射して、前記レンズ
系によりスクリーン(図示せず)に拡大投影される。
調する。変調された光はその変調度合により各偏光板1
26a,126b,126cを透過し、各投写レンズ系
127a,127b,127cに入射して、前記レンズ
系によりスクリーン(図示せず)に拡大投影される。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】前述の説明でも明らか
なように、TN液晶を用いた液晶パネルは、光の変調の
ために入射側と出射側に偏光板が必要である。そのため
に光利用効率が低く、入射する光の約25%の光しか有
効に利用できない。したがってTN液晶パネルでは低輝
度画像表示しか実現できないという問題があった。
なように、TN液晶を用いた液晶パネルは、光の変調の
ために入射側と出射側に偏光板が必要である。そのため
に光利用効率が低く、入射する光の約25%の光しか有
効に利用できない。したがってTN液晶パネルでは低輝
度画像表示しか実現できないという問題があった。
【0010】一方、偏光板で損失した光はほとんどが偏
光板に吸収されて熱に変換される。そのために光源の出
力を大きくして高輝度表示を得ることが困難である。熱
は偏光板自身および輻射熱等により液晶パネルを加熱す
る。したがって、偏光板およびパネル等は高温状態とな
り、短期間で著しい性能劣化をひきおこす。
光板に吸収されて熱に変換される。そのために光源の出
力を大きくして高輝度表示を得ることが困難である。熱
は偏光板自身および輻射熱等により液晶パネルを加熱す
る。したがって、偏光板およびパネル等は高温状態とな
り、短期間で著しい性能劣化をひきおこす。
【0011】また、TN液晶パネルは配向膜を塗布し、
ラビング処理が必要である。ラビング処理等は工程数を
増加させ、製造コストの増大をひきおこす。また、近
年、液晶投写型テレビに用いる液晶パネルの画素数は3
0万画素以上と大容量となり、それにつれ画素サイズは
微細化の傾向にある。画素の微細化は信号線、TFTの
凹凸を多数形成することになり、前記凹凸により良好に
ラビング処理を行なうことは困難に成りつつある。ま
た、画素サイズの微細化は1つの画素に占めるTFTお
よび信号線の形成面積が大きくなり画素開口率を低減さ
せる。一例として対角3インチの液晶パネルで35万画
素形成した場合、画素開口率は約30%である。150
万画素形成した場合は10%弱という予測値もある。こ
れらの画素開口率の低減は表示画像の低輝度化をもたら
す。
ラビング処理が必要である。ラビング処理等は工程数を
増加させ、製造コストの増大をひきおこす。また、近
年、液晶投写型テレビに用いる液晶パネルの画素数は3
0万画素以上と大容量となり、それにつれ画素サイズは
微細化の傾向にある。画素の微細化は信号線、TFTの
凹凸を多数形成することになり、前記凹凸により良好に
ラビング処理を行なうことは困難に成りつつある。ま
た、画素サイズの微細化は1つの画素に占めるTFTお
よび信号線の形成面積が大きくなり画素開口率を低減さ
せる。一例として対角3インチの液晶パネルで35万画
素形成した場合、画素開口率は約30%である。150
万画素形成した場合は10%弱という予測値もある。こ
れらの画素開口率の低減は表示画像の低輝度化をもたら
す。
【0012】前記の課題を解決するため、本発明はライ
トバルブとして回折格子を組み込んだ液晶パネルを用い
る。回折格子を組み込んだ液晶パネルは偏光板を用いな
いため光利用効率を非常に高くできる。
トバルブとして回折格子を組み込んだ液晶パネルを用い
る。回折格子を組み込んだ液晶パネルは偏光板を用いな
いため光利用効率を非常に高くできる。
【0013】以下、簡単に回折格子を組み込んだ液晶パ
ネルについて説明しておく。回折格子を組み込んだ液晶
パネルは、少なくとも一方の基板の液晶層側表面に凹凸
の断面形状を有する層が形成されている。凹凸は規則的
な周期性を持って配置されており、この凹凸断面形状層
と液晶層の屈折率が異なるときには回折格子として働
く。このとき液晶パネルに入射した光線は回折し、一定
の角度に曲げられて出射する。ところが液晶パネルに電
圧を印加すると、液晶は強制配向し、屈折率が変化す
る。これにより回折効率も変化して、光を変調すること
ができる。
ネルについて説明しておく。回折格子を組み込んだ液晶
パネルは、少なくとも一方の基板の液晶層側表面に凹凸
の断面形状を有する層が形成されている。凹凸は規則的
な周期性を持って配置されており、この凹凸断面形状層
と液晶層の屈折率が異なるときには回折格子として働
く。このとき液晶パネルに入射した光線は回折し、一定
の角度に曲げられて出射する。ところが液晶パネルに電
圧を印加すると、液晶は強制配向し、屈折率が変化す
る。これにより回折効率も変化して、光を変調すること
ができる。
【0014】液晶パネルのアレイ基板と対向基板のうち
少なくとも一方に凹凸断面形状層を液晶層に相対する面
上に形成し、前記凹凸断面形状層を回折格子とし、電界
により液晶層の屈折率を制御して液晶層と凹凸断面形状
層の屈折率差が無くなると回折作用が無くなり、屈折率
差に応じて回折作用が現れるようにその回折作用を制御
することにより表示する方式が提案されている(特公昭
53−3928号公報)。ところが液晶の異常光屈折率
と常光屈折率の差は大きくても高々0.2程度で0次回
折光の効率を0にする格子高さは数μmとなり、このよ
うな凹凸形状を構成することは容易ではない。またピッ
チ数μmで、高さも数μmの細かい凹凸表面に液晶分子
を配向させることも容易ではない。
少なくとも一方に凹凸断面形状層を液晶層に相対する面
上に形成し、前記凹凸断面形状層を回折格子とし、電界
により液晶層の屈折率を制御して液晶層と凹凸断面形状
層の屈折率差が無くなると回折作用が無くなり、屈折率
差に応じて回折作用が現れるようにその回折作用を制御
することにより表示する方式が提案されている(特公昭
53−3928号公報)。ところが液晶の異常光屈折率
と常光屈折率の差は大きくても高々0.2程度で0次回
折光の効率を0にする格子高さは数μmとなり、このよ
うな凹凸形状を構成することは容易ではない。またピッ
チ数μmで、高さも数μmの細かい凹凸表面に液晶分子
を配向させることも容易ではない。
【0015】本発明は回折格子を組み込んだ液晶パネル
ならびにこのパネルを用いた液晶投写装置を、明るさと
コントラストを改善して提供することを目的とする。
ならびにこのパネルを用いた液晶投写装置を、明るさと
コントラストを改善して提供することを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明の液晶パネルは、少なくとも一方は光透過性を有
し、互いに対向する第1の基板および第2の基板と、前
記第1および第2の基板の相対する面に形成した透明電
極層ならびに反射電極層と、前記第1および第2の基板
間に狭持された液晶層と、前記第1および第2の基板の
うち少なくとも一方の基板上の電極を形成した面上に形
成した凹凸の断面形状を有する層とから成る反射型の液
晶パネルである。
本発明の液晶パネルは、少なくとも一方は光透過性を有
し、互いに対向する第1の基板および第2の基板と、前
記第1および第2の基板の相対する面に形成した透明電
極層ならびに反射電極層と、前記第1および第2の基板
間に狭持された液晶層と、前記第1および第2の基板の
うち少なくとも一方の基板上の電極を形成した面上に形
成した凹凸の断面形状を有する層とから成る反射型の液
晶パネルである。
【0017】特に液晶層は、あらかじめ配向させる必要
のない高分子分散液晶を用いることが好ましい。高分子
分散液晶は、液晶と高分子の分散状態によって大きく2
つのタイプに分けられる。1つは、水滴状の液晶が高分
子中に分散しているタイプである。液晶は、高分子中に
不連続な状態で存在する。以後、このような液晶をPD
LCと呼び、また、前記液晶を用いた液晶パネルをPD
液晶パネルと呼ぶ。もう1つは、液晶層に高分子のネッ
トワークを張り巡らせたような構造を採るタイプであ
る。ちょうどスポンジに液晶を含ませたような格好にな
る。液晶は水滴状とならず連続に存在する。以後、この
ような液晶をPNLCと呼び、また前記液晶を用いた液
晶パネルをPN液晶パネルと呼ぶ。
のない高分子分散液晶を用いることが好ましい。高分子
分散液晶は、液晶と高分子の分散状態によって大きく2
つのタイプに分けられる。1つは、水滴状の液晶が高分
子中に分散しているタイプである。液晶は、高分子中に
不連続な状態で存在する。以後、このような液晶をPD
LCと呼び、また、前記液晶を用いた液晶パネルをPD
液晶パネルと呼ぶ。もう1つは、液晶層に高分子のネッ
トワークを張り巡らせたような構造を採るタイプであ
る。ちょうどスポンジに液晶を含ませたような格好にな
る。液晶は水滴状とならず連続に存在する。以後、この
ような液晶をPNLCと呼び、また前記液晶を用いた液
晶パネルをPN液晶パネルと呼ぶ。
【0018】本発明においてはPD液晶パネルとPN液
晶パネルのうち一方に限定するものではないが、説明を
容易にするためPD液晶パネルを例にあげて説明する。
また、PD液晶パネルおよびPN液晶パネルを総称して
高分子分散液晶パネルと呼ぶ。さらに、高分子分散液晶
パネルに注入する液晶を含有する液体を総称して液晶溶
液または樹脂と呼び、前記液晶溶液中の樹脂成分が重合
硬化した状態をポリマーと呼ぶ。
晶パネルのうち一方に限定するものではないが、説明を
容易にするためPD液晶パネルを例にあげて説明する。
また、PD液晶パネルおよびPN液晶パネルを総称して
高分子分散液晶パネルと呼ぶ。さらに、高分子分散液晶
パネルに注入する液晶を含有する液体を総称して液晶溶
液または樹脂と呼び、前記液晶溶液中の樹脂成分が重合
硬化した状態をポリマーと呼ぶ。
【0019】通常高分子分散液晶パネルは電圧印加によ
り散乱−透過状態を切り替えて用いるが、明るさとコン
トラストにはトレードオフの関係がある。特に投写装置
においては、明るくしようと投写レンズのFナンバーを
小さくすると散乱時の集光光量も大きくなり、コントラ
スト比は低下する。またコントラスト比を大きくしよう
と投写レンズのFナンバーを大きくすると透過時の集光
光量が減り、暗くなるという問題があった。
り散乱−透過状態を切り替えて用いるが、明るさとコン
トラストにはトレードオフの関係がある。特に投写装置
においては、明るくしようと投写レンズのFナンバーを
小さくすると散乱時の集光光量も大きくなり、コントラ
スト比は低下する。またコントラスト比を大きくしよう
と投写レンズのFナンバーを大きくすると透過時の集光
光量が減り、暗くなるという問題があった。
【0020】高分子分散液晶パネルの動作について(図
13(a)(b))を用いて簡単に述べる。(図13
(a)(b))は高分子分散液晶パネルの動作の説明図
である。(図13(a)(b))において、131はア
レイ基板、132は画素電極、133は対向電極、13
4は水滴状液晶、135はポリマー、136は対向基板
である。画素電極132にはTFT等が接続され、TF
Tのオン・オフにより画素電極に電圧が印加されて、画
素電極上の液晶配向方向を可変させて光を変調する。
(図13(a))に示すように電圧を印加していない状
態では、それぞれの水滴状液晶134は不規則な方向に
配向している。この状態ではポリマー135と液晶とに
屈折率差が生じ入射光は散乱する。ここで(図13
(b))に示すように画素電極に電圧を印加すると液晶
の方向がそろう。液晶が一定方向に配向したときの屈折
率をあらかじめポリマーの屈折率と合わせておくと、入
射光は散乱せずにアレイ基板131より出射する。
13(a)(b))を用いて簡単に述べる。(図13
(a)(b))は高分子分散液晶パネルの動作の説明図
である。(図13(a)(b))において、131はア
レイ基板、132は画素電極、133は対向電極、13
4は水滴状液晶、135はポリマー、136は対向基板
である。画素電極132にはTFT等が接続され、TF
Tのオン・オフにより画素電極に電圧が印加されて、画
素電極上の液晶配向方向を可変させて光を変調する。
(図13(a))に示すように電圧を印加していない状
態では、それぞれの水滴状液晶134は不規則な方向に
配向している。この状態ではポリマー135と液晶とに
屈折率差が生じ入射光は散乱する。ここで(図13
(b))に示すように画素電極に電圧を印加すると液晶
の方向がそろう。液晶が一定方向に配向したときの屈折
率をあらかじめポリマーの屈折率と合わせておくと、入
射光は散乱せずにアレイ基板131より出射する。
【0021】そこで本発明では、高分子分散液晶は層の
厚みが5μm未満であるか、高分子分散液晶層の高分子
によって保持される液晶滴の平均粒子径または高分子の
平均空隙間隔が1μm未満であるか、高分子分散液晶層
の液晶材料の比率が90重量%以上であるかのうち少な
くともいずれか1つの条件を満たしていて、散乱性能を
できるだけ小さく抑え、屈折率の変化だけを用いる。
厚みが5μm未満であるか、高分子分散液晶層の高分子
によって保持される液晶滴の平均粒子径または高分子の
平均空隙間隔が1μm未満であるか、高分子分散液晶層
の液晶材料の比率が90重量%以上であるかのうち少な
くともいずれか1つの条件を満たしていて、散乱性能を
できるだけ小さく抑え、屈折率の変化だけを用いる。
【0022】分散タイプの液晶表示素子の液晶層となる
高分子分散液晶層におけるポリマーマトリクスとして
は、基本的には透明であれば、熱可塑性樹脂でも熱硬化
性樹脂であってもさしつかえないが、紫外線硬化型の樹
脂が最も簡便で、性能も良く一般に使用されることが多
い。その理由として従来のTNモード液晶バネルの製造
方法がそのまま応用できる為である。従来の液晶パネル
の製造方法として、まず上下2枚の基板にあらかじめ所
定の電極パターンを形成しておき、該電極同士が対向す
るように2枚の基板を重ね合わせる。この際に所定の大
きさの粒径の揃ったスペーサを基板間にはさみこみ、2
枚の基板の間隙を保持できるようにした状態で2枚の基
板をエポキシ樹脂のシール材で固定させる。次にこのよ
うにして得られた空セルの中に液晶を注入するといった
製造方法が多く用いられている。
高分子分散液晶層におけるポリマーマトリクスとして
は、基本的には透明であれば、熱可塑性樹脂でも熱硬化
性樹脂であってもさしつかえないが、紫外線硬化型の樹
脂が最も簡便で、性能も良く一般に使用されることが多
い。その理由として従来のTNモード液晶バネルの製造
方法がそのまま応用できる為である。従来の液晶パネル
の製造方法として、まず上下2枚の基板にあらかじめ所
定の電極パターンを形成しておき、該電極同士が対向す
るように2枚の基板を重ね合わせる。この際に所定の大
きさの粒径の揃ったスペーサを基板間にはさみこみ、2
枚の基板の間隙を保持できるようにした状態で2枚の基
板をエポキシ樹脂のシール材で固定させる。次にこのよ
うにして得られた空セルの中に液晶を注入するといった
製造方法が多く用いられている。
【0023】この製造方法を応用して分散タイプの液晶
パネルを製造する為には、ポリマーマトリクスの材料を
紫外線硬化型の樹脂、特にその一例としてアクリル系の
樹脂を用いれば、注入前に於いてはモノマーあるいは/
及びオリゴマーといった比較的低粘度な前駆体として存
在し、液晶とのブレンド物は常温で注入するのに十分な
流動性を有しているので、従来の液晶パネルの製造方法
を応用して、注入後に光照射して硬化反応を進めて高分
子分散液晶層を形成するという方法を用いれば容易に分
散タイプの液晶パネルを作成できる。
パネルを製造する為には、ポリマーマトリクスの材料を
紫外線硬化型の樹脂、特にその一例としてアクリル系の
樹脂を用いれば、注入前に於いてはモノマーあるいは/
及びオリゴマーといった比較的低粘度な前駆体として存
在し、液晶とのブレンド物は常温で注入するのに十分な
流動性を有しているので、従来の液晶パネルの製造方法
を応用して、注入後に光照射して硬化反応を進めて高分
子分散液晶層を形成するという方法を用いれば容易に分
散タイプの液晶パネルを作成できる。
【0024】また、注入した後にパネルに紫外線を照射
することによって樹脂のみ重合反応を起こしてポリマー
となり、液晶のみ相分離して、樹脂分と比較して液晶の
量が少ない場合は独立した粒子状の液晶滴が形成され
る。一方液晶の量が多い場合は高分子マトリクスが液晶
材料中に粒子状又はネットワーク状に存在し、液晶が連
続層を成すように形成される。
することによって樹脂のみ重合反応を起こしてポリマー
となり、液晶のみ相分離して、樹脂分と比較して液晶の
量が少ない場合は独立した粒子状の液晶滴が形成され
る。一方液晶の量が多い場合は高分子マトリクスが液晶
材料中に粒子状又はネットワーク状に存在し、液晶が連
続層を成すように形成される。
【0025】反射型液晶パネルでは入射光は入射時と出
射時の2回液晶層を通過することになり、透過型液晶パ
ネルの半分の高さの凹凸で同等の回折効率が得られる。
ところが反射型構成では、空気、対向電極基板、対向電
極のITO、および液晶層のそれぞれの境界面で生ずる
反射がコントラスト比を低下させる。対向電極基板をガ
ラスで形成した場合、通常、ガラス基板の屈折率は1.
52程度である。空気の屈折率を1.0とすると、ガラ
ス基板と空気との境界面で生じる反射率は(1.52−
1.0)/(1.52+1.0)の2乗となり約4%に
なる。また、ITOは屈折率が2.0程度であるから、
ガラス基板とITO膜との境界面で生じる反射率は
(2.0−1.52)/(2.0+1.5)の2乗とな
り約2%となる。同様に、ITO膜と液晶層との境界面
で生じる反射率も約2%である。したがって、反射型構
成の場合、8%の光は液晶層に入射せず反射されてしま
う。反射光はコントラスト比の低下となる。反射率が8
%であればコントラスト比は最高でも100/8=1
2.5しか実現できない。
射時の2回液晶層を通過することになり、透過型液晶パ
ネルの半分の高さの凹凸で同等の回折効率が得られる。
ところが反射型構成では、空気、対向電極基板、対向電
極のITO、および液晶層のそれぞれの境界面で生ずる
反射がコントラスト比を低下させる。対向電極基板をガ
ラスで形成した場合、通常、ガラス基板の屈折率は1.
52程度である。空気の屈折率を1.0とすると、ガラ
ス基板と空気との境界面で生じる反射率は(1.52−
1.0)/(1.52+1.0)の2乗となり約4%に
なる。また、ITOは屈折率が2.0程度であるから、
ガラス基板とITO膜との境界面で生じる反射率は
(2.0−1.52)/(2.0+1.5)の2乗とな
り約2%となる。同様に、ITO膜と液晶層との境界面
で生じる反射率も約2%である。したがって、反射型構
成の場合、8%の光は液晶層に入射せず反射されてしま
う。反射光はコントラスト比の低下となる。反射率が8
%であればコントラスト比は最高でも100/8=1
2.5しか実現できない。
【0026】そこで、本発明の液晶パネルは、対向電極
基板に形成するITO膜と対向電極基板の間に、屈折率
が1.50以上2.00以下の屈折率を有する物質で薄
膜を形成する。前記薄膜の光学的膜厚はλ/4である。
λは液晶パネルが変調する光のピーク波長、つまり中心
波長である。また、ITO膜は光学的膜厚のλ/2にす
る。つまり、ガラス基板上に薄膜をλ/4、次に対向電
極としてのITO膜をλ/2積層する。このように薄膜
を積層して光の干渉効果を利用することにより広帯域の
波長領域においてガラス基板とITO膜の境界面および
ITO膜と液晶層の境界面に生ずる反射を極めて少なく
することができる。さらに屈折率が1.50以上2.0
0以下の屈折率を有する物質で、光学的膜厚がλ/4に
なるように薄膜を積層すればより効果が高い。
基板に形成するITO膜と対向電極基板の間に、屈折率
が1.50以上2.00以下の屈折率を有する物質で薄
膜を形成する。前記薄膜の光学的膜厚はλ/4である。
λは液晶パネルが変調する光のピーク波長、つまり中心
波長である。また、ITO膜は光学的膜厚のλ/2にす
る。つまり、ガラス基板上に薄膜をλ/4、次に対向電
極としてのITO膜をλ/2積層する。このように薄膜
を積層して光の干渉効果を利用することにより広帯域の
波長領域においてガラス基板とITO膜の境界面および
ITO膜と液晶層の境界面に生ずる反射を極めて少なく
することができる。さらに屈折率が1.50以上2.0
0以下の屈折率を有する物質で、光学的膜厚がλ/4に
なるように薄膜を積層すればより効果が高い。
【0027】また、ガラス基板が空気と接する面には3
層の薄膜からなるマルチコートもしくは2層の薄膜から
なるVコートをほどこし空気との屈折率差による反射光
を防止する。このようにして、空気と液晶層間の反射光
を防止する。
層の薄膜からなるマルチコートもしくは2層の薄膜から
なるVコートをほどこし空気との屈折率差による反射光
を防止する。このようにして、空気と液晶層間の反射光
を防止する。
【0028】本発明の液晶パネルは前述の対向電極基板
と画素電極が形成されたアレイ基板間に液晶を狭持させ
たものである。画素電極は従来の透過型液晶パネルの画
素電極を金属薄膜で反射電極にした構成、あるいは、T
FT上に絶縁膜を形成し前記絶縁膜上に反射電極を形成
した上前記反射電極とTFTのドレイン端子を接続した
構成である。また、薄膜、ITO膜、薄膜の3層構成を
画素電極としてパターニングし、金属薄膜を形成した基
板と前記画素電極が形成された基板間に液晶を狭持させ
て液晶パネルを構成してもよい。
と画素電極が形成されたアレイ基板間に液晶を狭持させ
たものである。画素電極は従来の透過型液晶パネルの画
素電極を金属薄膜で反射電極にした構成、あるいは、T
FT上に絶縁膜を形成し前記絶縁膜上に反射電極を形成
した上前記反射電極とTFTのドレイン端子を接続した
構成である。また、薄膜、ITO膜、薄膜の3層構成を
画素電極としてパターニングし、金属薄膜を形成した基
板と前記画素電極が形成された基板間に液晶を狭持させ
て液晶パネルを構成してもよい。
【0029】カラー表示画像を得るためには、R光、G
光およびB光を変調する3枚の液晶パネルを用いて構成
する。その際、各液晶パネルでは反射光が生じないよう
に変調する光のピーク波長に応じて薄膜、ITO膜の膜
厚を変化させる。また、空気とガラス基板との接触面に
も光のピーク波長に応じてはVコートによる反射防止膜
を形成している。
光およびB光を変調する3枚の液晶パネルを用いて構成
する。その際、各液晶パネルでは反射光が生じないよう
に変調する光のピーク波長に応じて薄膜、ITO膜の膜
厚を変化させる。また、空気とガラス基板との接触面に
も光のピーク波長に応じてはVコートによる反射防止膜
を形成している。
【0030】また本発明の液晶投写装置は、光発生手段
と、前記発生手段が発生した光を変調する本発明の液晶
パネルとの間に、ミラーマスクおよび前記光発生手段が
発生した光を導く第1の光学要素部品を具備し、かつ液
晶パネルで変調された光を投影する第2の光学要素部品
を具備し、前記ミラーマスクと前記液晶パネルの間にシ
ュリーレンレンズを具備し、ミラーマスクの像が前記シ
ュリーレンレンズ及び液晶パネルによってミラーマスク
上に形成されるようにしている。
と、前記発生手段が発生した光を変調する本発明の液晶
パネルとの間に、ミラーマスクおよび前記光発生手段が
発生した光を導く第1の光学要素部品を具備し、かつ液
晶パネルで変調された光を投影する第2の光学要素部品
を具備し、前記ミラーマスクと前記液晶パネルの間にシ
ュリーレンレンズを具備し、ミラーマスクの像が前記シ
ュリーレンレンズ及び液晶パネルによってミラーマスク
上に形成されるようにしている。
【0031】また、凹凸断面形状層を形成する材料の屈
折率は液晶層のポリマーとの屈折率が略一致するものを
用いる。
折率は液晶層のポリマーとの屈折率が略一致するものを
用いる。
【0032】また各波長の光に対して配置された液晶パ
ネルにおいて、前記液晶パネルのうち1枚以上の液晶パ
ネル内に形成される凹凸形状層の凹凸の高さとピッチの
うち少なくともいずれかが、他の液晶パネルと異なるよ
うに設計されている。
ネルにおいて、前記液晶パネルのうち1枚以上の液晶パ
ネル内に形成される凹凸形状層の凹凸の高さとピッチの
うち少なくともいずれかが、他の液晶パネルと異なるよ
うに設計されている。
【0033】
【作用】高分子分散液晶を用いたときの回折格子の作用
について説明する。ポリマーの屈折率npと同一または
その近傍の屈折率の光透過性材料で凹凸断面形状層を形
成する。光透過性材料の屈折率をntとする。また、液
晶の常光屈折率をno,異常光屈折率をneとし、np=
noとする。(図13(a))に示すようにオフ状態の
時、液晶層の全体としての屈折率nxはマクロ的にポリ
マーの屈折率np、液晶の屈折率no・neがあわさった
屈折率を示す。凹凸断面形状層の屈折率ntとnxは異な
るため、両者間に屈折率差が生じる。液晶パネルに入射
した光は凹凸断面形状層により回折され、直進する成分
が少なくなる。言い換えれば該凹凸断面形状層は回折格
子として作用する。回折した光がちょうど第2マスクの
遮光部に達するように格子ピッチを設けることにより、
第2マスクを通過する光は激減し、極めて良好な黒表示
となる。(図13(b))に示すようにオン状態の時、
液晶分子は一定の方向にならび、np=no=naとな
る。従って、np=nt=naとなる。このことは液晶層
の屈折率naと回折格子の屈折率ntの屈折率差が無くな
ることを意味する。従って、回折格子が形成されてない
のと同一の状態となるから、入射光はそのまま直進し、
白表示での光の損失はない。また、回折格子の形成は対
向電極あるいは画素電極上に凹凸を形成していることに
なる。このことは液晶層と前記電極間の密着性を高め
る。回折格子の材料に光透過性材料を選定すれば、画素
の開口率は低下しない。
について説明する。ポリマーの屈折率npと同一または
その近傍の屈折率の光透過性材料で凹凸断面形状層を形
成する。光透過性材料の屈折率をntとする。また、液
晶の常光屈折率をno,異常光屈折率をneとし、np=
noとする。(図13(a))に示すようにオフ状態の
時、液晶層の全体としての屈折率nxはマクロ的にポリ
マーの屈折率np、液晶の屈折率no・neがあわさった
屈折率を示す。凹凸断面形状層の屈折率ntとnxは異な
るため、両者間に屈折率差が生じる。液晶パネルに入射
した光は凹凸断面形状層により回折され、直進する成分
が少なくなる。言い換えれば該凹凸断面形状層は回折格
子として作用する。回折した光がちょうど第2マスクの
遮光部に達するように格子ピッチを設けることにより、
第2マスクを通過する光は激減し、極めて良好な黒表示
となる。(図13(b))に示すようにオン状態の時、
液晶分子は一定の方向にならび、np=no=naとな
る。従って、np=nt=naとなる。このことは液晶層
の屈折率naと回折格子の屈折率ntの屈折率差が無くな
ることを意味する。従って、回折格子が形成されてない
のと同一の状態となるから、入射光はそのまま直進し、
白表示での光の損失はない。また、回折格子の形成は対
向電極あるいは画素電極上に凹凸を形成していることに
なる。このことは液晶層と前記電極間の密着性を高め
る。回折格子の材料に光透過性材料を選定すれば、画素
の開口率は低下しない。
【0034】本発明の液晶投写装置では液晶パネルが透
過状態(回折しない状態)の時には、ミラーマスクによ
り反射した光が液晶パネルによりそのまま反射し、シュ
リーレンレンズにより前記ミラーマスクの遮光部へ入射
し、光は蹴られて投写レンズへは達せず黒表示となる。
フライアイレンズを用いるとミラーマスクによる光のけ
られを無くすことができる。液晶パネルが回折状態の時
には、ミラーマスクにより反射した光が液晶パネルによ
って回折され、ミラーマスクの開口部へ入射し、通過し
た光線が投写光学系によりスクリーンに達して白表示と
なる。
過状態(回折しない状態)の時には、ミラーマスクによ
り反射した光が液晶パネルによりそのまま反射し、シュ
リーレンレンズにより前記ミラーマスクの遮光部へ入射
し、光は蹴られて投写レンズへは達せず黒表示となる。
フライアイレンズを用いるとミラーマスクによる光のけ
られを無くすことができる。液晶パネルが回折状態の時
には、ミラーマスクにより反射した光が液晶パネルによ
って回折され、ミラーマスクの開口部へ入射し、通過し
た光線が投写光学系によりスクリーンに達して白表示と
なる。
【0035】
【実施例】以下、図面を参照しながら、本発明の液晶パ
ネルについて説明する。(図1)は本発明の液晶パネル
の断面図である。
ネルについて説明する。(図1)は本発明の液晶パネル
の断面図である。
【0036】対向電極14の形成されたガラス基板11
と、画素電極13の形成されたアレイ基板12との間に
液晶層15が狭持されている。対向電極14はITO等
の透明性の高い導電膜より成る透明電極であり、画素電
極13は、表面をAlの薄膜で形成される反射電極であ
る。画素電極13はCr等を用いて形成してもよいが、
反射率がAlより低く、また硬質のため反射電極の破れ
などが生じやすい。画素電極13はマトリックス状に形
成され、各画素電極13の下層には絶縁膜16を介し
て、スイッチング素子としてのTFT17が設けられて
いる。図示していないがソース信号線およびゲート信号
線もアレイ基板上に形成されている。前記信号線および
TFT17上は反射電極13が被覆する構造となるた
め、信号線およびTFT上の液晶配向動作による画像ノ
イズが発生しない。各TFT17はソース信号線(図示
せず)ならびにゲート信号線(図示せず)に接続され、
それぞれ信号供給回路ならびに走査回路に接続されてお
り、各画素に信号電圧が供給される。反射電極13とT
FT17とは接続端子18で電気的に接続されている。
絶縁膜16の材料としてはポリイミド等を代表とする有
機材料、あるいはSiO 2、SiNxなどの無機材料が
用いられる。
と、画素電極13の形成されたアレイ基板12との間に
液晶層15が狭持されている。対向電極14はITO等
の透明性の高い導電膜より成る透明電極であり、画素電
極13は、表面をAlの薄膜で形成される反射電極であ
る。画素電極13はCr等を用いて形成してもよいが、
反射率がAlより低く、また硬質のため反射電極の破れ
などが生じやすい。画素電極13はマトリックス状に形
成され、各画素電極13の下層には絶縁膜16を介し
て、スイッチング素子としてのTFT17が設けられて
いる。図示していないがソース信号線およびゲート信号
線もアレイ基板上に形成されている。前記信号線および
TFT17上は反射電極13が被覆する構造となるた
め、信号線およびTFT上の液晶配向動作による画像ノ
イズが発生しない。各TFT17はソース信号線(図示
せず)ならびにゲート信号線(図示せず)に接続され、
それぞれ信号供給回路ならびに走査回路に接続されてお
り、各画素に信号電圧が供給される。反射電極13とT
FT17とは接続端子18で電気的に接続されている。
絶縁膜16の材料としてはポリイミド等を代表とする有
機材料、あるいはSiO 2、SiNxなどの無機材料が
用いられる。
【0037】接続端子部18は0.5〜1μmの落ちく
ぼみができるが、回折格子を形成するため問題とはなら
ない。開口率は画素サイズが100μm角の場合80%
以上、50μm角の場合でも70%以上の開口率が得ら
れる。ただし、TFT上等は凹凸が生じ多少反射効率は
低下する。前記凹凸をなくするためには反射電極32の
表面を研摩すればよい。研摩により反射率は90%以上
を達成できる。
ぼみができるが、回折格子を形成するため問題とはなら
ない。開口率は画素サイズが100μm角の場合80%
以上、50μm角の場合でも70%以上の開口率が得ら
れる。ただし、TFT上等は凹凸が生じ多少反射効率は
低下する。前記凹凸をなくするためには反射電極32の
表面を研摩すればよい。研摩により反射率は90%以上
を達成できる。
【0038】(図1)において、19は反射電極13上
に形成された突起物(回折格子)である。また、先にも
述べたように、図面はモデル的に描いている。例えば、
回折格子の本数、幅、形状などもこれに該当する。つま
り、この本数、幅等に限定するものではない。具体的に
は、画素サイズは200〜30μm、回折格子のピッチ
Pは30〜2μmである。従って、通常(図1)に示す
よりも回折格子の本数は多い。回折格子の材料としては
SiOx、SiNx、TaOx、ガラス系物質などの無
機物質、ポリイミド、アクリル系樹脂などの有機物質な
どが例示される。本発明で図示した回折格子19の形状
はストライプ状で、1次元にしか回折しない。2次元的
に回折させる場合はブロック状に回折格子を形成すれば
良い。材料の選定としては液晶層15の屈折率に対応し
て決める。液晶の常光屈折率noは1.45〜1.5
5、液晶の異常光屈折率neは1.65〜1.80のも
のがよく用いられるので、これらの一方と屈折率が一致
するような材料を選定する必要がある。
に形成された突起物(回折格子)である。また、先にも
述べたように、図面はモデル的に描いている。例えば、
回折格子の本数、幅、形状などもこれに該当する。つま
り、この本数、幅等に限定するものではない。具体的に
は、画素サイズは200〜30μm、回折格子のピッチ
Pは30〜2μmである。従って、通常(図1)に示す
よりも回折格子の本数は多い。回折格子の材料としては
SiOx、SiNx、TaOx、ガラス系物質などの無
機物質、ポリイミド、アクリル系樹脂などの有機物質な
どが例示される。本発明で図示した回折格子19の形状
はストライプ状で、1次元にしか回折しない。2次元的
に回折させる場合はブロック状に回折格子を形成すれば
良い。材料の選定としては液晶層15の屈折率に対応し
て決める。液晶の常光屈折率noは1.45〜1.5
5、液晶の異常光屈折率neは1.65〜1.80のも
のがよく用いられるので、これらの一方と屈折率が一致
するような材料を選定する必要がある。
【0039】本発明の液晶パネルに用いる液晶材料とし
てはネマチック液晶、スメクチック液晶、コレステリッ
ク液晶が好ましく、単一もしくは2種類以上の液晶性化
合物や液晶性化合物以外の物質も含んだ混合物であって
もよい。なお、先に述べた液晶材料のうち異常光屈折率
neと常光屈折率noの差Δnの比較的大きいシアノビフ
ェニル系のネマチック液晶が最も好ましい。いずれにし
ろ、液晶パネルに電界が無印加で、液晶が自発配向して
いる状態の屈折率か、あるいは電界を印加して液晶を強
制配向させた際の屈折率か、どちらかが回折格子19の
屈折率と一致している。
てはネマチック液晶、スメクチック液晶、コレステリッ
ク液晶が好ましく、単一もしくは2種類以上の液晶性化
合物や液晶性化合物以外の物質も含んだ混合物であって
もよい。なお、先に述べた液晶材料のうち異常光屈折率
neと常光屈折率noの差Δnの比較的大きいシアノビフ
ェニル系のネマチック液晶が最も好ましい。いずれにし
ろ、液晶パネルに電界が無印加で、液晶が自発配向して
いる状態の屈折率か、あるいは電界を印加して液晶を強
制配向させた際の屈折率か、どちらかが回折格子19の
屈折率と一致している。
【0040】さらに詳しく例を上げて説明する。本発明
では液晶として正の誘電異方性を有するネマティック液
晶をホモジニアス配向させて用いた。液晶分子は回折格
子19と平行にその分子長軸を並べて配向する。このと
き液晶層の見かけの屈折率は(no+ne)/2となる。
では液晶として正の誘電異方性を有するネマティック液
晶をホモジニアス配向させて用いた。液晶分子は回折格
子19と平行にその分子長軸を並べて配向する。このと
き液晶層の見かけの屈折率は(no+ne)/2となる。
【0041】すなわち電界オフ状態の時の液晶層15の
見かけの屈折率nxは(no+ne)/2で示される。逆
にオン状態の時はnoとなる。従って、液晶がオフ状態
のとき回折格子を出現させ、オン状態のとき回折格子を
消滅させる為には、回折格子の屈折率nt=noもしく
は、その近傍の値となるようにすればよい。つまり、液
晶がオフ状態の時は液晶層の屈折率nxは(no+ne)
/2であるから、nt≠n xであり回折格子19と液晶層
15に屈折率差Δn=(ne−no)/2が生じる。逆に
液晶がオン状態の時は液晶層の屈折率はnoとなるか
ら、no=npとするとnt=npとなる。つまり、回折格
子19と液晶層15に屈折率差がなくなる。
見かけの屈折率nxは(no+ne)/2で示される。逆
にオン状態の時はnoとなる。従って、液晶がオフ状態
のとき回折格子を出現させ、オン状態のとき回折格子を
消滅させる為には、回折格子の屈折率nt=noもしく
は、その近傍の値となるようにすればよい。つまり、液
晶がオフ状態の時は液晶層の屈折率nxは(no+ne)
/2であるから、nt≠n xであり回折格子19と液晶層
15に屈折率差Δn=(ne−no)/2が生じる。逆に
液晶がオン状態の時は液晶層の屈折率はnoとなるか
ら、no=npとするとnt=npとなる。つまり、回折格
子19と液晶層15に屈折率差がなくなる。
【0042】以上の検討から、回折格子の形成材料とし
ては、現状の無機材料としてはプロセス上形成・加工が
容易なSiO2が適していると考えられる。SiO2の屈
折率は通常1.45〜1.50程度である。また、形成
方法としてはSiO2を蒸着後、パターンマスクを形成
しエッチングすればよい。有機材料を用いた回折格子の
形成方法としては、ロールクォーターあるいはスピンナ
ー等で基板上に塗布し、パターンマスクを用いて必要な
部分のみ重合するなどすればよい。また、ポリマー+ド
ーパントからなる感光性樹脂を基板にスピンコートし、
パターンマスクを介して露光したのち、減圧加熱により
ドーパントを昇華させる方式でドライ現像する方法もあ
る。
ては、現状の無機材料としてはプロセス上形成・加工が
容易なSiO2が適していると考えられる。SiO2の屈
折率は通常1.45〜1.50程度である。また、形成
方法としてはSiO2を蒸着後、パターンマスクを形成
しエッチングすればよい。有機材料を用いた回折格子の
形成方法としては、ロールクォーターあるいはスピンナ
ー等で基板上に塗布し、パターンマスクを用いて必要な
部分のみ重合するなどすればよい。また、ポリマー+ド
ーパントからなる感光性樹脂を基板にスピンコートし、
パターンマスクを介して露光したのち、減圧加熱により
ドーパントを昇華させる方式でドライ現像する方法もあ
る。
【0043】回折格子19のピッチpおよび高さdは、
変調する光の波長λ、液晶層15の屈折率及び光学系の
光の指向性および必要とする回折効率などによりかなり
異なる。本発明のように、電圧無印加の状態で液晶層と
回折格子との間に屈折率差Δnが生じる場合、出射光は
回折の影響を受けている。例えば(図1)の如く、回折
格子19が矩形断面形状の場合は回折角度θ、及び0次
回折光の効率η0は以下のように与えられる。
変調する光の波長λ、液晶層15の屈折率及び光学系の
光の指向性および必要とする回折効率などによりかなり
異なる。本発明のように、電圧無印加の状態で液晶層と
回折格子との間に屈折率差Δnが生じる場合、出射光は
回折の影響を受けている。例えば(図1)の如く、回折
格子19が矩形断面形状の場合は回折角度θ、及び0次
回折光の効率η0は以下のように与えられる。
【0044】 sinθ=mλ/p (但しmは回折次数) η0=0.5*(1+cosδ) (但し、δ=4πΔ
nd/λ) 従って、ピッチpならびに高さdは光学系の光の指向
性、回折角度θ、波長λにより決定すべきである。しか
し、回折格子形成上のプロセス条件などに左右されるこ
とも多い。およそピッチpは2μm〜60μmであり、
中でも4μm〜20μmが最適である。本発明では反射
型なので、透過型と比較して回折格子の高さは半分で同
じ回折効率を得ることができる。なお、プロセス上、回
折格子の形状はサインカーブ状あるいは台形状となるこ
とが多いが、所望の回折格子・回折方向にあわせて設計
すれば、その効果には問題がない。このことは以下の他
の実施例についても同様である。
nd/λ) 従って、ピッチpならびに高さdは光学系の光の指向
性、回折角度θ、波長λにより決定すべきである。しか
し、回折格子形成上のプロセス条件などに左右されるこ
とも多い。およそピッチpは2μm〜60μmであり、
中でも4μm〜20μmが最適である。本発明では反射
型なので、透過型と比較して回折格子の高さは半分で同
じ回折効率を得ることができる。なお、プロセス上、回
折格子の形状はサインカーブ状あるいは台形状となるこ
とが多いが、所望の回折格子・回折方向にあわせて設計
すれば、その効果には問題がない。このことは以下の他
の実施例についても同様である。
【0045】また(図11)に示す従来例のような構造
で、画素電極が反射電極となっており、その上に回折格
子15が形成されているような構造の反射型パネルであ
っても良い。
で、画素電極が反射電極となっており、その上に回折格
子15が形成されているような構造の反射型パネルであ
っても良い。
【0046】以下、本発明の液晶パネルの第2の実施例
について説明する。(図2)に本発明の液晶パネルの断
面図を示す。(図1)と比較して異なるのは、液晶層が
本発明では高分子分散液晶層25であり、これについて
以下説明する。その他は第1の実施例と同じである。高
分子分散液晶を用いれば配向処理が不要であるという利
点がある。回折格子のような細かな凹凸がある表面に、
ラビング処理のような配向処理を行うことはなかなか困
難である。
について説明する。(図2)に本発明の液晶パネルの断
面図を示す。(図1)と比較して異なるのは、液晶層が
本発明では高分子分散液晶層25であり、これについて
以下説明する。その他は第1の実施例と同じである。高
分子分散液晶を用いれば配向処理が不要であるという利
点がある。回折格子のような細かな凹凸がある表面に、
ラビング処理のような配向処理を行うことはなかなか困
難である。
【0047】まず高分子分散液晶の材料について説明す
る。高分子分散液晶に用いる液晶材料としてはネマチッ
ク液晶、スメクチック液晶、コレステリック液晶が好ま
しく、単一もしくは2種類以上の液晶性化合物や液晶性
化合物以外の物質も含んだ混合物であってもよい。な
お、先に述べた液晶材料のうち異常光屈折率neと常光
屈折率noの差の比較的大きいシアノビフェニル系のネ
マチック液晶が最も好ましい。高分子マトリックス材料
としては透明なポリマーが好ましく、ポリマーとして
は、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂のいず
れであっても良いが、製造工程の容易さ、液晶相との分
離等の点より紫外線硬化タイプの樹脂を用いるのが好ま
しい。具体的な例として紫外線硬化性アクリル系樹脂が
例示され、特に紫外線照射によって重合硬化するアクリ
ルモノマー、アクリルオリゴマーを含有するものが好ま
しい。
る。高分子分散液晶に用いる液晶材料としてはネマチッ
ク液晶、スメクチック液晶、コレステリック液晶が好ま
しく、単一もしくは2種類以上の液晶性化合物や液晶性
化合物以外の物質も含んだ混合物であってもよい。な
お、先に述べた液晶材料のうち異常光屈折率neと常光
屈折率noの差の比較的大きいシアノビフェニル系のネ
マチック液晶が最も好ましい。高分子マトリックス材料
としては透明なポリマーが好ましく、ポリマーとして
は、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂のいず
れであっても良いが、製造工程の容易さ、液晶相との分
離等の点より紫外線硬化タイプの樹脂を用いるのが好ま
しい。具体的な例として紫外線硬化性アクリル系樹脂が
例示され、特に紫外線照射によって重合硬化するアクリ
ルモノマー、アクリルオリゴマーを含有するものが好ま
しい。
【0048】このような高分子形成モノマーとしては、
2−エチルヘキシルアクリレート、2−ヒドロキシエチ
ルアクリレート、ネオペンチルグリコールドアクリレー
ト、ヘキサンジオールジアクリート、ジエチレングリコ
ールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアク
リレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ト
リメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリス
リトールアクリレート等々である。
2−エチルヘキシルアクリレート、2−ヒドロキシエチ
ルアクリレート、ネオペンチルグリコールドアクリレー
ト、ヘキサンジオールジアクリート、ジエチレングリコ
ールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアク
リレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ト
リメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリス
リトールアクリレート等々である。
【0049】オリゴマーもしくはプレポリマーとして
は、ポリエステルアクリレート、エポキシアクリレー
ト、ポリウレタンアクリレート等が挙げられる。
は、ポリエステルアクリレート、エポキシアクリレー
ト、ポリウレタンアクリレート等が挙げられる。
【0050】また重合を速やかに行なう為に重合開始剤
を用いても良く、この例として、2−ヒドロキシ−2−
メチル−1−フェニルプロパン−1−オン(メルク社製
「ダロキュア1173」)、1−(4−イソプロピルフ
ェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1−
オン(メルク社製「ダロキュア1116」)、1−ビド
ロキシシクロヘキシルフェニルケトン(チバガイキー社
製「イルガキュア184」)、ベンジルメチルケタール
(チバガイギー社製「イルガキュア651」)等が掲げ
られる。
を用いても良く、この例として、2−ヒドロキシ−2−
メチル−1−フェニルプロパン−1−オン(メルク社製
「ダロキュア1173」)、1−(4−イソプロピルフ
ェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1−
オン(メルク社製「ダロキュア1116」)、1−ビド
ロキシシクロヘキシルフェニルケトン(チバガイキー社
製「イルガキュア184」)、ベンジルメチルケタール
(チバガイギー社製「イルガキュア651」)等が掲げ
られる。
【0051】その他に任意成分として連鎖移動剤、光増
感剤、染料、架橋剤等を適宜併用することができる。
感剤、染料、架橋剤等を適宜併用することができる。
【0052】この紫外線硬化性化合物中に液晶材料を均
一に溶解させた液状ないしは粘稠物を2枚の基板間に注
入させた後に、紫外線照射を行って紫外線硬化性化合物
のみを硬化させ、その際に液晶材料のみ相分離して高分
子分散液晶層が形成される。
一に溶解させた液状ないしは粘稠物を2枚の基板間に注
入させた後に、紫外線照射を行って紫外線硬化性化合物
のみを硬化させ、その際に液晶材料のみ相分離して高分
子分散液晶層が形成される。
【0053】但し本発明では、高分子分散液晶層25の
散乱性能をできるだけ小さくして、電圧印加による屈折
率の変化のみを用いる。高分子分散液晶層の散乱性能を
できる限り小さくするには、液晶層の膜厚を薄くする
か、あるいは高分子によって分散保持される液晶滴の平
均粒子径または高分子の平均空隙間隔を小さくするか、
あるいは高分子分散液晶層の液晶材料の比率を大きくす
ればよい。それぞれ好ましい条件としては、液晶層の膜
厚は5μm以下が好ましく、粒子径は1μm以下が好ま
しく、液晶比率は90重量%以上が好ましく、このうち
いずれか少なくとも1つの条件を満たせば良い。散乱性
能が大きいと、回折効果が緩和されてしまう。高分子分
散液晶層を重合させる際の紫外線の光量や温度を制御す
ることで粒子径の制御は可能である。液晶層厚はビーズ
径を変化させることで調整できる。膜厚が薄くなると液
晶パネルを低電圧で駆動することが可能となる。
散乱性能をできるだけ小さくして、電圧印加による屈折
率の変化のみを用いる。高分子分散液晶層の散乱性能を
できる限り小さくするには、液晶層の膜厚を薄くする
か、あるいは高分子によって分散保持される液晶滴の平
均粒子径または高分子の平均空隙間隔を小さくするか、
あるいは高分子分散液晶層の液晶材料の比率を大きくす
ればよい。それぞれ好ましい条件としては、液晶層の膜
厚は5μm以下が好ましく、粒子径は1μm以下が好ま
しく、液晶比率は90重量%以上が好ましく、このうち
いずれか少なくとも1つの条件を満たせば良い。散乱性
能が大きいと、回折効果が緩和されてしまう。高分子分
散液晶層を重合させる際の紫外線の光量や温度を制御す
ることで粒子径の制御は可能である。液晶層厚はビーズ
径を変化させることで調整できる。膜厚が薄くなると液
晶パネルを低電圧で駆動することが可能となる。
【0054】例えば正の誘電異方性を持つ液晶材料を用
いた場合、液晶がオフ状態の時の液晶層25の屈折率n
xは、もし液晶分子25が配向せずランダムな方向を向
いていると考えた場合、一般的に(2no+ne)/3で
示される。逆にオン状態の時はnoとなる。従って、液
晶がオフ状態のとき回折格子を出現させ、オン状態のと
き回折格子を消滅させる為には、回折格子の屈折率nt
=npもしくは、その近傍の値となるようにすればよ
い。つまり、液晶がオフ状態の時は液晶層の屈折率nx
は(2no+ne)/3であるから、nt≠nxであり回折
格子15と液晶層25に屈折率差Δnが生じる。逆に液
晶がオン状態の時は液晶層の屈折率はnoとなるから、
no=npとするとnt=npとなる。つまり、回折格子1
5と液晶層25に屈折率差がなくなる。回折格子の屈折
率ntとポリマーの屈折率npの屈折率差は0.1以内に
することが望ましく、0.1以内の材料を選定すべきで
ある。
いた場合、液晶がオフ状態の時の液晶層25の屈折率n
xは、もし液晶分子25が配向せずランダムな方向を向
いていると考えた場合、一般的に(2no+ne)/3で
示される。逆にオン状態の時はnoとなる。従って、液
晶がオフ状態のとき回折格子を出現させ、オン状態のと
き回折格子を消滅させる為には、回折格子の屈折率nt
=npもしくは、その近傍の値となるようにすればよ
い。つまり、液晶がオフ状態の時は液晶層の屈折率nx
は(2no+ne)/3であるから、nt≠nxであり回折
格子15と液晶層25に屈折率差Δnが生じる。逆に液
晶がオン状態の時は液晶層の屈折率はnoとなるから、
no=npとするとnt=npとなる。つまり、回折格子1
5と液晶層25に屈折率差がなくなる。回折格子の屈折
率ntとポリマーの屈折率npの屈折率差は0.1以内に
することが望ましく、0.1以内の材料を選定すべきで
ある。
【0055】回折格子15を形成する材料としては、液
晶層25に用いるものと同一の透明なポリマーを用いる
のが最適である。
晶層25に用いるものと同一の透明なポリマーを用いる
のが最適である。
【0056】以下本発明の第3の実施例について説明す
る。(図3)に本発明の液晶パネルの断面図を示す。
(図1)ならびに(図2)とほぼ構成は同じである。液
晶層15は高分子分散液晶層であっても良いことは言う
までもない。ガラス基板11の片面には反射防止膜33
が形成されている。反射防止膜33は2層の薄膜31、
32の積層からなる。なお、反射防止膜33は3層でも
よく、3層の場合は広い可視光の波長帯域での反射を防
止するために用いられ、これをマルチコートと呼ぶもの
とする。2層の場合は特定の可視光の波長帯域での反射
を防止するために用いられ、これをVコートと呼ぶもの
とする。
る。(図3)に本発明の液晶パネルの断面図を示す。
(図1)ならびに(図2)とほぼ構成は同じである。液
晶層15は高分子分散液晶層であっても良いことは言う
までもない。ガラス基板11の片面には反射防止膜33
が形成されている。反射防止膜33は2層の薄膜31、
32の積層からなる。なお、反射防止膜33は3層でも
よく、3層の場合は広い可視光の波長帯域での反射を防
止するために用いられ、これをマルチコートと呼ぶもの
とする。2層の場合は特定の可視光の波長帯域での反射
を防止するために用いられ、これをVコートと呼ぶもの
とする。
【0057】本発明の液晶パネルを用いて液晶投写型テ
レビを構成する場合、白色光を変調する場合はマルチコ
ートに、R、G、B光の特定波長の光を変調する場合は
Vコートを施す。当然のことながらVコートの方が特定
波長の光に対しての反射率低減効果は大きく、極めて小
さい反射率にすることができる。
レビを構成する場合、白色光を変調する場合はマルチコ
ートに、R、G、B光の特定波長の光を変調する場合は
Vコートを施す。当然のことながらVコートの方が特定
波長の光に対しての反射率低減効果は大きく、極めて小
さい反射率にすることができる。
【0058】マルチコートの場合は酸化アルミニウム
(Al2O3)を光学的膜厚がnd=λ/4、ジルコニウ
ム(ZrO2)をnd=λ/2、フッ化マグネシウム
(MgF2)をnd=λ/4の厚みで3層積層して形成
する。通常、λとして510nmもしくはその近傍の値
として薄膜は形成される。Vコートの場合は一酸化シリ
コン(SiO)を光学的膜厚nd=λ/4とフッ化マグ
ネシウム(MgF2)をnd=λ/4、もしくは酸化イ
ットリウム(Y2O3)とフッ化マグネシウム(Mg
F 2)をnd=λ/4の厚みで2層積層して形成する。
なお、SiOは青色側に吸収帯域があるため青色光を変
調する場合はY2O3を用いた方がよい。また、物質の安
定性からもY2O3の方が安定しているため好ましい。こ
の際のλとしては変調する光のピーク波長つまり中心の
波長である。以後、特にことわらないかぎりλは入射す
る光のピーク波長もしくは中心の波長であるものとす
る。なお、nは薄膜の屈折率、dは物理的膜厚である。
(Al2O3)を光学的膜厚がnd=λ/4、ジルコニウ
ム(ZrO2)をnd=λ/2、フッ化マグネシウム
(MgF2)をnd=λ/4の厚みで3層積層して形成
する。通常、λとして510nmもしくはその近傍の値
として薄膜は形成される。Vコートの場合は一酸化シリ
コン(SiO)を光学的膜厚nd=λ/4とフッ化マグ
ネシウム(MgF2)をnd=λ/4、もしくは酸化イ
ットリウム(Y2O3)とフッ化マグネシウム(Mg
F 2)をnd=λ/4の厚みで2層積層して形成する。
なお、SiOは青色側に吸収帯域があるため青色光を変
調する場合はY2O3を用いた方がよい。また、物質の安
定性からもY2O3の方が安定しているため好ましい。こ
の際のλとしては変調する光のピーク波長つまり中心の
波長である。以後、特にことわらないかぎりλは入射す
る光のピーク波長もしくは中心の波長であるものとす
る。なお、nは薄膜の屈折率、dは物理的膜厚である。
【0059】ガラス基板11のもう一方の面には、対向
電極ならびにこれを用いた反射防止膜37が形成され
る。正確には対向電極とするITO膜34とガラス基板
11間に薄膜35を、ITO膜34と高分子分散液晶層
15との間に薄膜36を形成したものである。前記IT
O膜34の膜厚は光学的膜厚がλ/2となるようにす
る。λが550nmであればd=1375μm前後であ
る。前記ITO膜34および薄膜35、36はλに対応
して形成される。35はガラス基板11の屈折率とIT
O膜34の屈折率との間の屈折率の物質からなる薄膜で
ある。前記薄膜の膜厚は光学的膜厚はnd=λ/4とす
る。ITO膜34の膜厚の変化はピーク波長の反射率の
変化にかなり影響するが、薄膜35の膜厚の変化は大き
く影響を与えない。
電極ならびにこれを用いた反射防止膜37が形成され
る。正確には対向電極とするITO膜34とガラス基板
11間に薄膜35を、ITO膜34と高分子分散液晶層
15との間に薄膜36を形成したものである。前記IT
O膜34の膜厚は光学的膜厚がλ/2となるようにす
る。λが550nmであればd=1375μm前後であ
る。前記ITO膜34および薄膜35、36はλに対応
して形成される。35はガラス基板11の屈折率とIT
O膜34の屈折率との間の屈折率の物質からなる薄膜で
ある。前記薄膜の膜厚は光学的膜厚はnd=λ/4とす
る。ITO膜34の膜厚の変化はピーク波長の反射率の
変化にかなり影響するが、薄膜35の膜厚の変化は大き
く影響を与えない。
【0060】本発明の液晶パネルではAl2O3で薄膜3
5ならびに36を形成し作製した。但しこれに限定する
ものではなく、SiO(n=1.70)、WO3(n=
1.68)、CeF3(n=1.63)、LaF3(n=
1.55)、NdF3(n=1.55)等を用いて形成し
てもよい。
5ならびに36を形成し作製した。但しこれに限定する
ものではなく、SiO(n=1.70)、WO3(n=
1.68)、CeF3(n=1.63)、LaF3(n=
1.55)、NdF3(n=1.55)等を用いて形成し
てもよい。
【0061】なお、液晶15として用いる高分子分散液
晶の場合、透過時の屈折率は液晶の常光屈折率noとな
りnoは1.50〜1.55である。また、散乱時の屈
折率n xは1.60〜1.65である。
晶の場合、透過時の屈折率は液晶の常光屈折率noとな
りnoは1.50〜1.55である。また、散乱時の屈
折率n xは1.60〜1.65である。
【0062】λを550nmとすると、薄膜35および
36にAl2O3(n=1.62)を用いたとき形成する
膜厚はd=700〜1000μmの範囲、ITO膜(n
=2.0)34の膜厚は1150〜1600μmの範囲
とすればよい。ITO膜34は1000μm以上であれ
ば200度以上で蒸着もしくはスパッタで形成すること
により必要十分な抵抗値が得られる。
36にAl2O3(n=1.62)を用いたとき形成する
膜厚はd=700〜1000μmの範囲、ITO膜(n
=2.0)34の膜厚は1150〜1600μmの範囲
とすればよい。ITO膜34は1000μm以上であれ
ば200度以上で蒸着もしくはスパッタで形成すること
により必要十分な抵抗値が得られる。
【0063】以上のように反射防止膜33および37を
形成することにより光の反射率を大幅に低減でき、変調
する光の帯域が比較的狭い場合は反射率はピーク波長で
0.2%以下を実現できる。(図9)に本発明の液晶パ
ネルの表面反射率のデータを示す。本発明で重要なこと
は対向電極とするITO膜34を用いて反射防止膜37
を形成したことにある。当然のことながらITO膜34
は共通電極電位等の印加ができるように構成もしくは形
成する。なお、ITO膜34を用いずとも、酸化インジ
ウム、酸化スズなどの膜を用いてもよい。その場合も光
学的干渉効果により、反射率を低減させる光学的薄膜で
薄膜34を積層すれば良い。あるいはITO膜とは前記
酸化インジウム等の膜材料をも含む同義語として理解す
るべきである。
形成することにより光の反射率を大幅に低減でき、変調
する光の帯域が比較的狭い場合は反射率はピーク波長で
0.2%以下を実現できる。(図9)に本発明の液晶パ
ネルの表面反射率のデータを示す。本発明で重要なこと
は対向電極とするITO膜34を用いて反射防止膜37
を形成したことにある。当然のことながらITO膜34
は共通電極電位等の印加ができるように構成もしくは形
成する。なお、ITO膜34を用いずとも、酸化インジ
ウム、酸化スズなどの膜を用いてもよい。その場合も光
学的干渉効果により、反射率を低減させる光学的薄膜で
薄膜34を積層すれば良い。あるいはITO膜とは前記
酸化インジウム等の膜材料をも含む同義語として理解す
るべきである。
【0064】以下本発明の第4の実施例について説明す
る。(図4)に本発明の液晶パネルの断面図を示す。本
発明においては高分子分散液晶層25の厚みを薄くし
て、回折格子15の高さと略一致させる。すなわち回折
格子の窪み部分にのみ液晶層が存在する。本発明のよう
な構成であれば、回折の変調に寄与しない回折格子15
上部の液晶層がなく、特に回折格子凸部の上部では電気
力線が複雑で回折効率に影響を与えるがこのようなこと
もない。
る。(図4)に本発明の液晶パネルの断面図を示す。本
発明においては高分子分散液晶層25の厚みを薄くし
て、回折格子15の高さと略一致させる。すなわち回折
格子の窪み部分にのみ液晶層が存在する。本発明のよう
な構成であれば、回折の変調に寄与しない回折格子15
上部の液晶層がなく、特に回折格子凸部の上部では電気
力線が複雑で回折効率に影響を与えるがこのようなこと
もない。
【0065】本実施例では反射防止膜37は薄膜36を
形成せず、薄膜35とITO膜34の2層のみで構成さ
れている。このとき薄膜35の屈折率は1.50以上
1.70以下にすることが好ましい。さらには、ガラス
基板11の屈折率と液晶15の屈折率間の屈折率の物質
を用いることが好ましい。この意味からも屈折率は1.
52以上1.65以下が好ましい。
形成せず、薄膜35とITO膜34の2層のみで構成さ
れている。このとき薄膜35の屈折率は1.50以上
1.70以下にすることが好ましい。さらには、ガラス
基板11の屈折率と液晶15の屈折率間の屈折率の物質
を用いることが好ましい。この意味からも屈折率は1.
52以上1.65以下が好ましい。
【0066】また本発明において薄膜35ならびに36
は多層膜からなる等価膜であっても良いことは言うまで
もない。
は多層膜からなる等価膜であっても良いことは言うまで
もない。
【0067】以下、図面を参照しながら本発明の液晶投
写装置について説明する。(図5)は本発明の液晶投写
装置の原理的な構成を概念的に示す模式図である。(図
5)において本発明の液晶パネル51をライトバルブと
して用い、光源52と液晶パネル51の間にミラー53
及びシュリーレンレンズ54を配置し、レンズ55によ
ってミラー53上に結像した光源像を、シュリーレン光
学系によって液晶パネル51で反射した光線を再度ミラ
ー53上で結像させる。
写装置について説明する。(図5)は本発明の液晶投写
装置の原理的な構成を概念的に示す模式図である。(図
5)において本発明の液晶パネル51をライトバルブと
して用い、光源52と液晶パネル51の間にミラー53
及びシュリーレンレンズ54を配置し、レンズ55によ
ってミラー53上に結像した光源像を、シュリーレン光
学系によって液晶パネル51で反射した光線を再度ミラ
ー53上で結像させる。
【0068】このような構成にすると液晶パネル51が
非回折状態のときには、液晶パネルに入射した光線は変
調されずに反射して出射し、レンズ54によってミラー
53上に集光するため、スクリーン57には到達しな
い。この状態が黒表示となる。一方、液晶パネル51が
回折状態の時には、液晶パネルに入射した光線は回折し
て出射し、ミラー53をはずれて投写レンズ56によっ
てスクリーン57に画像が表示される。この状態が白表
示となる。
非回折状態のときには、液晶パネルに入射した光線は変
調されずに反射して出射し、レンズ54によってミラー
53上に集光するため、スクリーン57には到達しな
い。この状態が黒表示となる。一方、液晶パネル51が
回折状態の時には、液晶パネルに入射した光線は回折し
て出射し、ミラー53をはずれて投写レンズ56によっ
てスクリーン57に画像が表示される。この状態が白表
示となる。
【0069】以下、本発明の第2の実施例の液晶投写装
置について説明する。(図6)は本発明の液晶投写装置
の原理的な構成を概念的に示す模式図である。第1の実
施例と異なる部分のみの説明にとどめる。ミラー63は
多数の開口部を有するマスク構造もしくはバー状のミラ
ーが間隔をおいて並んでいるような構造をとっている。
実施例1に示した液晶投写装置における光源52はキセ
ノンランプのような点光源を用いる必要がある。なぜな
らアーク長の大きなランプを光源として用いると、ミラ
ー53の面積を大きくとらなければならず、そうすると
白表示の光量を減少させてしまう。そこで本発明ではミ
ラーの一部に開口部を設け、液晶パネルで回折した光が
前記開口部を透過して投写レンズ56に達するように構
成する。本発明に従えば、メタルハライドランプのよう
なアーク長の比較的大きなランプを用いても充分な明る
さの白表示が得られる。
置について説明する。(図6)は本発明の液晶投写装置
の原理的な構成を概念的に示す模式図である。第1の実
施例と異なる部分のみの説明にとどめる。ミラー63は
多数の開口部を有するマスク構造もしくはバー状のミラ
ーが間隔をおいて並んでいるような構造をとっている。
実施例1に示した液晶投写装置における光源52はキセ
ノンランプのような点光源を用いる必要がある。なぜな
らアーク長の大きなランプを光源として用いると、ミラ
ー53の面積を大きくとらなければならず、そうすると
白表示の光量を減少させてしまう。そこで本発明ではミ
ラーの一部に開口部を設け、液晶パネルで回折した光が
前記開口部を透過して投写レンズ56に達するように構
成する。本発明に従えば、メタルハライドランプのよう
なアーク長の比較的大きなランプを用いても充分な明る
さの白表示が得られる。
【0070】ただし、この場合光源51より発せられた
光のうち、ミラー63で反射する光は液晶パネルに入射
するが、ミラーの開口部では光は通過して利用されな
い。
光のうち、ミラー63で反射する光は液晶パネルに入射
するが、ミラーの開口部では光は通過して利用されな
い。
【0071】そこで本発明の第3の実施例の液晶投写装
置について説明する。(図7)は本発明の液晶投写装置
の原理的な構成を概念的に示す模式図である。本発明で
は第2の実施例の光利用効率を向上するために、光源5
2とミラー63の間にフライアイレンズ71を配置す
る。フライアイレンズ71により光源像がミラー63の
ミラー部に形成されるように設計、配置され、微小光源
アレイを形成する役割をする。またミラー63近傍には
フィールドレンズアレイ(図示せず)を設けることが望
ましい。ただしその場合、液晶パネルより出射する光線
がミラーの開口部に入る光路中には配置しないようにし
なければならない。フライアイレンズ71は微小レンズ
のアレイの集合体であり、微小レンズの1つ1つが各々
ミラーに対応するように構成されている。
置について説明する。(図7)は本発明の液晶投写装置
の原理的な構成を概念的に示す模式図である。本発明で
は第2の実施例の光利用効率を向上するために、光源5
2とミラー63の間にフライアイレンズ71を配置す
る。フライアイレンズ71により光源像がミラー63の
ミラー部に形成されるように設計、配置され、微小光源
アレイを形成する役割をする。またミラー63近傍には
フィールドレンズアレイ(図示せず)を設けることが望
ましい。ただしその場合、液晶パネルより出射する光線
がミラーの開口部に入る光路中には配置しないようにし
なければならない。フライアイレンズ71は微小レンズ
のアレイの集合体であり、微小レンズの1つ1つが各々
ミラーに対応するように構成されている。
【0072】(図8)は本発明の実施例における液晶投
写型テレビの構成図である。(図5)〜(図7)では単
色の場合の構成を示したが、光源52からの光をダイク
ロイックミラー等を用いた色分解光学系でR、G、B光
の3つの波長帯域に分離し、各液晶パネルで変調された
光を色合成光学系もしくは3本の投写レンズを用いてス
クリーンに重ね合わせて投映すればカラー画像が表示さ
れる。(図8)において81は集光光学系であり、内部
に凹面鏡および光発生手段としてはメタルハライドラン
プあるいはキセノンランプなどが該当する。本発明の液
晶投写型テレビでは250Wのメタルハライドランプを
用いた。アーク長は約5mmである。また、凹面鏡は可
視光のみを反射させるように構成されている。82は赤
外線および紫外線を反射させ可視光のみを透過させるU
VIRカットフィルタである。また、83aはGDM、
83bはBDMである。なお、GDM83aからBDM
83bの配置は前記の順序に限定するものではなく、ま
た、RDMを用いても良い。85は全反射ミラーであ
る。84a、84b、84cは本発明の反射型液晶パネ
ルである。86、87はレンズ、88はミラーである。
なお、86、87で投写光学系を構成している。
写型テレビの構成図である。(図5)〜(図7)では単
色の場合の構成を示したが、光源52からの光をダイク
ロイックミラー等を用いた色分解光学系でR、G、B光
の3つの波長帯域に分離し、各液晶パネルで変調された
光を色合成光学系もしくは3本の投写レンズを用いてス
クリーンに重ね合わせて投映すればカラー画像が表示さ
れる。(図8)において81は集光光学系であり、内部
に凹面鏡および光発生手段としてはメタルハライドラン
プあるいはキセノンランプなどが該当する。本発明の液
晶投写型テレビでは250Wのメタルハライドランプを
用いた。アーク長は約5mmである。また、凹面鏡は可
視光のみを反射させるように構成されている。82は赤
外線および紫外線を反射させ可視光のみを透過させるU
VIRカットフィルタである。また、83aはGDM、
83bはBDMである。なお、GDM83aからBDM
83bの配置は前記の順序に限定するものではなく、ま
た、RDMを用いても良い。85は全反射ミラーであ
る。84a、84b、84cは本発明の反射型液晶パネ
ルである。86、87はレンズ、88はミラーである。
なお、86、87で投写光学系を構成している。
【0073】以下、動作について説明する。なお、R、
G、B光のそれぞれの変調系については、ほぼ同一動作
であるのでB光の変調系について例にあげて説明する。
まず、集光光学系81から白色光が照射され、前記白色
光のB光成分はBDM83bにより反射される。前記B
光は液晶パネル84bに入射する。前記液晶パネルは先
に説明したように、画素電極に印加された信号により入
射した光の回折状態を制御し、光を変調する。回折せず
に反射した光はミラー88で遮光され、逆に、回折して
曲げられた光はミラー88を通過する。回折した光は投
写レンズ87によりスクリーン89に拡大投映される。
G、B光のそれぞれの変調系については、ほぼ同一動作
であるのでB光の変調系について例にあげて説明する。
まず、集光光学系81から白色光が照射され、前記白色
光のB光成分はBDM83bにより反射される。前記B
光は液晶パネル84bに入射する。前記液晶パネルは先
に説明したように、画素電極に印加された信号により入
射した光の回折状態を制御し、光を変調する。回折せず
に反射した光はミラー88で遮光され、逆に、回折して
曲げられた光はミラー88を通過する。回折した光は投
写レンズ87によりスクリーン89に拡大投映される。
【0074】同様にしてR、G光についても動作する
が、白色光を色分解するために設けたそれぞれ、GDM
83a、BDM83bが、液晶パネルで変調された光を
今度は色合成して1つの表示画像にまとめて、投写レン
ズより投影する。
が、白色光を色分解するために設けたそれぞれ、GDM
83a、BDM83bが、液晶パネルで変調された光を
今度は色合成して1つの表示画像にまとめて、投写レン
ズより投影する。
【0075】この場合、液晶パネル84の出射側表面に
はそれぞれの光のピーク波長に応じたVコート方式の反
射防止膜を施す。また光の波長によって回折角度が異な
るためにそれぞれの変調する光線の波長に応じたピッチ
で回折格子を形成することが好ましい。
はそれぞれの光のピーク波長に応じたVコート方式の反
射防止膜を施す。また光の波長によって回折角度が異な
るためにそれぞれの変調する光線の波長に応じたピッチ
で回折格子を形成することが好ましい。
【0076】また、(図8)に示す実施例の液晶投写型
テレビにおいては、ミラーを用いてR、G、Bに対応し
た液晶パネルにより変調された表示画像を1つにまとめ
てから1つの投写レンズ系に入射させて投影する構成で
あるが、これに限定するものではなく、たとえばR、G
およびB光の変調系において投写レンズ系をそれぞれ1
つずつ設けてもよいことは言うまでもない。さらに、R
・G・B光それぞれを変調する3枚の液晶パネルを設け
ることに限定するものでもない。例えば、一枚の液晶パ
ネルにモザイク状のカラーフィルタを取付け、前記パネ
ルの画像を投影するテレビでもよい。ただしこの場合、
液晶パネルに入射する光は白色光であるので、対向電極
基板の表面にマルチコート方式の反射防止膜を施す必要
がある。
テレビにおいては、ミラーを用いてR、G、Bに対応し
た液晶パネルにより変調された表示画像を1つにまとめ
てから1つの投写レンズ系に入射させて投影する構成で
あるが、これに限定するものではなく、たとえばR、G
およびB光の変調系において投写レンズ系をそれぞれ1
つずつ設けてもよいことは言うまでもない。さらに、R
・G・B光それぞれを変調する3枚の液晶パネルを設け
ることに限定するものでもない。例えば、一枚の液晶パ
ネルにモザイク状のカラーフィルタを取付け、前記パネ
ルの画像を投影するテレビでもよい。ただしこの場合、
液晶パネルに入射する光は白色光であるので、対向電極
基板の表面にマルチコート方式の反射防止膜を施す必要
がある。
【0077】
【発明の効果】以上のように、本発明の液晶パネルは、
液晶パネル内に回折格子を形成しており、液晶がオン状
態の時は液晶層とのほぼ屈折率差がなくなって回折格子
が形成されていない状態となり、液晶パネルに入射した
光は回折されることなくそのまま直進し、逆に液晶がオ
フ状態時は、液晶層と回折格子間に屈折率差が生じ、回
折格子が機能するので、液晶パネルに入射した光は回折
され、以上の回折の効果をシュリーレン光学系により透
過/遮断させれば投写画像のコントラストは大幅に向上
する。
液晶パネル内に回折格子を形成しており、液晶がオン状
態の時は液晶層とのほぼ屈折率差がなくなって回折格子
が形成されていない状態となり、液晶パネルに入射した
光は回折されることなくそのまま直進し、逆に液晶がオ
フ状態時は、液晶層と回折格子間に屈折率差が生じ、回
折格子が機能するので、液晶パネルに入射した光は回折
され、以上の回折の効果をシュリーレン光学系により透
過/遮断させれば投写画像のコントラストは大幅に向上
する。
【0078】また本発明の液晶パネルは偏光板が不要で
あるので、TNモードを用いた液晶パネルに比較して2
倍以上の高輝度表示が実現できる。これは光利用効率を
向上できることのみならず、光が熱に変換されることを
大幅に減少でき、加熱によるパネルの性能劣化をひきお
こすことがなくなる。これは液晶投写型テレビのように
一枚の液晶パネルに入射する光の強さが数万ルクスと大
きい場合、非常に有効であり、しかも液晶パネルは低電
圧で駆動できる。
あるので、TNモードを用いた液晶パネルに比較して2
倍以上の高輝度表示が実現できる。これは光利用効率を
向上できることのみならず、光が熱に変換されることを
大幅に減少でき、加熱によるパネルの性能劣化をひきお
こすことがなくなる。これは液晶投写型テレビのように
一枚の液晶パネルに入射する光の強さが数万ルクスと大
きい場合、非常に有効であり、しかも液晶パネルは低電
圧で駆動できる。
【0079】本発明の液晶パネルは反射型構造を用いて
いるため、透過型と比較して回折格子の高さを半分にし
ても同じ回折効率を得ることができる。対向基板は対向
電極のITOとガラス基板間に透明薄膜を形成し2層構
造とすることにより、ITOとガラス基板間およびIT
Oと液晶間の反射率を大幅に低減している。形成もいた
って容易であり、液晶投写型テレビのように変調する液
晶パネルの入射光の波長が狭帯域である場合に非常に良
好な結果が得られる。また空気と接する面にも反射防止
膜を形成しており、総合した反射率は0.3%以下と非
常に良好である。
いるため、透過型と比較して回折格子の高さを半分にし
ても同じ回折効率を得ることができる。対向基板は対向
電極のITOとガラス基板間に透明薄膜を形成し2層構
造とすることにより、ITOとガラス基板間およびIT
Oと液晶間の反射率を大幅に低減している。形成もいた
って容易であり、液晶投写型テレビのように変調する液
晶パネルの入射光の波長が狭帯域である場合に非常に良
好な結果が得られる。また空気と接する面にも反射防止
膜を形成しており、総合した反射率は0.3%以下と非
常に良好である。
【0080】また液晶として高分子分散液晶を用いるこ
とにより配向処理が不必要となるので、基板上に回折格
子のような凹凸があっても問題にならない。また、回折
格子は光透過性物質で形成しているので、画素の開口率
を低下することがない。従来、液晶層と対向電極及び画
素電極との密着性が悪いため剥離という問題を発生させ
ていたが、本発明において回折格子は液晶パネルの対向
電極とが電極のうち少なくとも一方に凹凸を形成してい
るのでこの課題を除去することができる。
とにより配向処理が不必要となるので、基板上に回折格
子のような凹凸があっても問題にならない。また、回折
格子は光透過性物質で形成しているので、画素の開口率
を低下することがない。従来、液晶層と対向電極及び画
素電極との密着性が悪いため剥離という問題を発生させ
ていたが、本発明において回折格子は液晶パネルの対向
電極とが電極のうち少なくとも一方に凹凸を形成してい
るのでこの課題を除去することができる。
【0081】しかも本発明では散乱効果が不必要である
ので高分子分散液晶層の厚みを従来の高分子分散液晶パ
ネルに比べて薄くでき、散乱効果を用いる高分子分散液
晶パネルと比較して、駆動電圧を低くすることが出来る
とともに、応答速度も速くなる。
ので高分子分散液晶層の厚みを従来の高分子分散液晶パ
ネルに比べて薄くでき、散乱効果を用いる高分子分散液
晶パネルと比較して、駆動電圧を低くすることが出来る
とともに、応答速度も速くなる。
【0082】本発明の液晶投写装置では反射方式でかつ
高分子分散液晶の液晶パネルを採用しているため、高輝
度表示を実現でき、また200インチ以上の大画面化に
も対応できる。また、R・G・B光のピーク波長に応じ
てそれぞれの反射防止膜の光学的膜厚を変化させ、特に
主としてR用の液晶パネルの回折格子の高さ・ピッチを
他のパネルと変化させることにより、画像全体としての
ホワイトバランスおよびコントラストが良好な画像表示
を実現することができる。
高分子分散液晶の液晶パネルを採用しているため、高輝
度表示を実現でき、また200インチ以上の大画面化に
も対応できる。また、R・G・B光のピーク波長に応じ
てそれぞれの反射防止膜の光学的膜厚を変化させ、特に
主としてR用の液晶パネルの回折格子の高さ・ピッチを
他のパネルと変化させることにより、画像全体としての
ホワイトバランスおよびコントラストが良好な画像表示
を実現することができる。
【図1】本発明の一実施例における液晶パネルの一部断
面図
面図
【図2】本発明の一実施例における液晶パネルの一部断
面図
面図
【図3】本発明の一実施例における液晶パネルの一部断
面図
面図
【図4】本発明の一実施例における液晶パネルの一部断
面図
面図
【図5】本発明の一実施例における液晶投写型テレビの
構成図
構成図
【図6】本発明の一実施例における液晶投写型テレビの
構成図
構成図
【図7】本発明の一実施例における液晶投写型テレビの
構成図
構成図
【図8】本発明の一実施例における液晶投写型テレビの
構成図
構成図
【図9】本発明の液晶パネルの表面反射率のグラフ
【図10】液晶パネルの等価回路図
【図11】従来の液晶パネルの一部断面図
【図12】従来の液晶投写型テレビの構成図
【図13】高分子分散液晶の動作の説明図
11 ガラス基板 12 アレイ基板 13 画素電極(反射電極) 14 対向電極 15 液晶層 16 絶縁膜 17 TFT 18 接続端子 19 回折格子 25 高分子分散液晶 31、32 薄膜 33、37 反射防止膜 34 ITO膜 35、36 薄膜 51 液晶パネル 52 光源 53 ミラー 54、55、56 レンズ 57 スクリーン 71 フライアイレンズ 81 集光光学系 83a、83b、83c ダイクロイックミラー 84a、84b、84c 液晶パネル 85、86、87 投写レンズ 88 ミラー 106 TN液晶 107a、107b 配向膜 108 ブラックマトリックス 134 水滴状液晶 135 ポリマー
Claims (18)
- 【請求項1】少なくとも一方は光透過性を有し、互いに
対向する第1の基板および第2の基板と、前記第1およ
び第2の基板の相対する面に形成した透明電極層ならび
に反射電極層と、前記第1および第2の基板間に狭持さ
れた液晶層と、前記第1および第2の基板のうち少なく
とも一方の基板上の電極を形成した面上に形成した凹凸
の断面形状を有する層とから成り、前記凹凸の断面形状
を有する層の凹部ならびに凸部は回折格子であることを
特徴とする液晶パネル。 - 【請求項2】凹凸の断面形状を有する層は第2の基板上
に形成された反射電極層上に形成されたことを特徴とす
る請求項1記載の液晶パネル。 - 【請求項3】液晶層は高分子分散液晶層であり、高分子
分散液晶層の厚みが5μm未満、高分子分散液晶層の高
分子によって保持される液晶滴の平均粒子径または高分
子の平均空隙間隔が1μm未満、もしくは高分子分散液
晶層の液晶材料の比率が90重量%以上、のうち少なく
とも1つの条件を満たしていることを特徴とする請求項
1記載の液晶パネル。 - 【請求項4】凹凸の断面形状を有する層の凸部の高さと
高分子分散液晶層の厚みが略一致することを特徴とする
請求項3記載の液晶パネル。 - 【請求項5】凹部ならびに凸部の繰り返しピッチが15
μm以下であることを特徴とする請求項1記載の液晶パ
ネル。 - 【請求項6】凸部の高さが1μm以上10μm以下であ
ることを特徴とする請求項1記載の液晶パネル。 - 【請求項7】第1の基板上に形成される透明電極層は、
順次積層された第1の薄膜とITO薄膜とから成り、第
1の薄膜の屈折率が1.50以上1.70以下であり、
かつ前記第1の薄膜の光学的膜厚が略λ/4(λは透明
基板に入射する光のピーク波長)であり、前記ITO薄
膜は光学的膜厚が略λ/2であることを特徴とする請求
項1記載の液晶パネル。 - 【請求項8】第1の基板上に形成される電極層は、順次
積層された第1の薄膜とITO薄膜と第2の薄膜とから
成り、第1及び第2の薄膜の屈折率は第1の基板の屈折
率とITO薄膜の屈折率の間の屈折率であり、かつ前記
第1及び第2の薄膜の光学的膜厚が略λ/4(λは透明
基板に入射する光のピーク波長)であり、前記ITO薄
膜は光学的膜厚が略λ/2であることを特徴とする請求
項1記載の液晶パネル。 - 【請求項9】第1および第2の薄膜は酸化アルミニウ
ム、酸化イットリウム、一酸化シリコン、酸化タングス
テン、弗化セリウム、弗化ランタン、弗化ネオジムのう
ちのいずれかを用いることを特徴とする請求項7または
請求項8記載の液晶パネル。 - 【請求項10】透明電極の光学的膜厚が略λ/2(λは
ガラス基板に入射される光のピーク波長)であることを
特徴とする請求項1記載の液晶パネル。 - 【請求項11】第1の基板の電極が形成された反対面に
反射防止膜が形成されていることを特徴とする請求項1
記載の液晶パネル。 - 【請求項12】反射防止膜は少なくとも2層以上の多層
膜で構成されていることを特徴とする請求項11記載の
液晶パネル。 - 【請求項13】請求項1記載の液晶パネルと、光発生手
段と、前記光発生手段が発生した光を前記液晶パネルに
導く第1の光学要素部品と、前記液晶パネルで変調され
た光を投影する第2の光学要素部品を具備することを特
徴とする液晶投写装置。 - 【請求項14】光発生手段と、前記発生手段が発生した
光を変調する請求項1記載の液晶パネルとの間に、ミラ
ーマスクおよび前記光発生手段が発生した光を導く第1
の光学要素部品を、また前記ミラーマスクと前記液晶パ
ネルの間にシュリーレンレンズを配置し、ミラーマスク
の像が前記シュリーレンレンズ及び液晶パネルによって
ミラーマスク上に形成されることを特徴とする請求項1
3記載の液晶投写装置。 - 【請求項15】光発生手段と、前記発生手段が発生した
光を変調する請求項1記載の液晶パネルとの間に、ミラ
ーマスクおよび前記発生手段が発生した光を導く第1の
光学要素部品を、また前記ミラーマスクと光発生手段の
間及びミラーマスクと液晶パネルの間にそれぞれフライ
アイレンズを配置し、光源像がミラーマスクのミラー部
に形成されることを特徴とする請求項13記載の液晶投
写装置。 - 【請求項16】光発生手段が発生する光は色フィルタで
青色光、緑色光および赤色光の3つの所定範囲の波長の
光に分離され、かつ液晶パネルは前記3つの所定範囲の
波長の光の少なくとも1つに対して配置されていること
を特徴とする請求項13記載の液晶投写装置。 - 【請求項17】色フィルタはダイクロイックミラーであ
ることを特徴とする請求項16記載の液晶投写装置。 - 【請求項18】青色光を変調する液晶パネルの光学像
と、緑色光を変調する液晶パネルの光学像と、赤色光を
変調する液晶パネルの光学像とが、光学要素部品により
スクリーンの同一位置に投影されることを特徴とする請
求項13記載の液晶投写装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4308569A JPH06160822A (ja) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | 液晶パネルおよびそれを用いた液晶投写装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4308569A JPH06160822A (ja) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | 液晶パネルおよびそれを用いた液晶投写装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06160822A true JPH06160822A (ja) | 1994-06-07 |
Family
ID=17982607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4308569A Pending JPH06160822A (ja) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | 液晶パネルおよびそれを用いた液晶投写装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06160822A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0869470A1 (en) * | 1997-04-04 | 1998-10-07 | SHARP Corporation | Diffractive liquid crystal device and faster driving method therefor |
| EP0822441A3 (en) * | 1996-08-01 | 1998-12-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical device and directional display |
| US6384886B2 (en) | 1998-06-12 | 2002-05-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electrooptical display device using an active matrix display in which a light reflection film having a flat surface over the pixel electrode and the textured body, and the pixel electrode having a flat surface |
| US6707521B2 (en) | 1998-06-16 | 2004-03-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device and method of manufacturing the same |
| KR100462376B1 (ko) * | 2001-12-31 | 2004-12-17 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 반사형 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| CN104849903A (zh) * | 2014-02-19 | 2015-08-19 | Jds尤尼弗思公司 | 包括薄膜金属光栅的反射式液晶器件 |
| WO2021149389A1 (ja) * | 2020-01-20 | 2021-07-29 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 発光装置 |
-
1992
- 1992-11-18 JP JP4308569A patent/JPH06160822A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0822441A3 (en) * | 1996-08-01 | 1998-12-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical device and directional display |
| US6124920A (en) * | 1996-08-01 | 2000-09-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical device and directional display |
| EP0869470A1 (en) * | 1997-04-04 | 1998-10-07 | SHARP Corporation | Diffractive liquid crystal device and faster driving method therefor |
| US6104368A (en) * | 1997-04-04 | 2000-08-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Diffractive liquid crystal device |
| US6819378B2 (en) | 1998-06-12 | 2004-11-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electrooptical display device having textured body on flat surface of pixel electrode |
| US6384886B2 (en) | 1998-06-12 | 2002-05-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electrooptical display device using an active matrix display in which a light reflection film having a flat surface over the pixel electrode and the textured body, and the pixel electrode having a flat surface |
| US6707521B2 (en) | 1998-06-16 | 2004-03-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device and method of manufacturing the same |
| US7362398B2 (en) | 1998-06-16 | 2008-04-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Camera and personal computer having a reflection type liquid crystal device with particular dielectric multi-layer film and interlayer insulating films |
| KR100462376B1 (ko) * | 2001-12-31 | 2004-12-17 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 반사형 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| CN104849903A (zh) * | 2014-02-19 | 2015-08-19 | Jds尤尼弗思公司 | 包括薄膜金属光栅的反射式液晶器件 |
| US10473839B2 (en) | 2014-02-19 | 2019-11-12 | Lumentum Operations Llc | Reflective LC devices including thin film metal grating |
| CN104849903B (zh) * | 2014-02-19 | 2020-03-03 | 朗美通运营有限责任公司 | 包括薄膜金属光栅的反射式液晶器件 |
| WO2021149389A1 (ja) * | 2020-01-20 | 2021-07-29 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 発光装置 |
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