JPH06161134A - 画像形成装置 - Google Patents
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- JPH06161134A JPH06161134A JP4308872A JP30887292A JPH06161134A JP H06161134 A JPH06161134 A JP H06161134A JP 4308872 A JP4308872 A JP 4308872A JP 30887292 A JP30887292 A JP 30887292A JP H06161134 A JPH06161134 A JP H06161134A
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- C07C211/43—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子写真特性に優れ、特に高感度特性を有す
る感光体が組込まれた画像形成装置であって、該装置を
用いて長期に亘り繰返し像形成を行ったとき、疲労劣化
が少なく終始安定して高画質が得られる画像形成装置の
提供。 【構成】 少くとも電子写真感光体と該感光体の外周に
帯電、露光、現像、転写及びクリーニングの各手段を有
する画像形成装置において、該装置内のオゾン濃度が0.
5ppm以下であり、且つ前記感光体の最上層が電荷輸送層
(CTL)で構成され、該電荷輸送層(CTL)の単位
膜厚当りの酸素ガス透過係数が1.0×10-7(cc/cm2・S・cm
Hg)以下であることを特徴とする画像形成装置。
る感光体が組込まれた画像形成装置であって、該装置を
用いて長期に亘り繰返し像形成を行ったとき、疲労劣化
が少なく終始安定して高画質が得られる画像形成装置の
提供。 【構成】 少くとも電子写真感光体と該感光体の外周に
帯電、露光、現像、転写及びクリーニングの各手段を有
する画像形成装置において、該装置内のオゾン濃度が0.
5ppm以下であり、且つ前記感光体の最上層が電荷輸送層
(CTL)で構成され、該電荷輸送層(CTL)の単位
膜厚当りの酸素ガス透過係数が1.0×10-7(cc/cm2・S・cm
Hg)以下であることを特徴とする画像形成装置。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はオゾン対策が施されて繰
返し像形成の過程で疲労劣化がなく安定した画像形成が
可能な画像形成装置に関する。
返し像形成の過程で疲労劣化がなく安定した画像形成が
可能な画像形成装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、カールソン法に基づく電子写真に
おいては感光体表面を一様に帯電し、像様に露光して静
電潜像を形成し、該静電潜像を現像してトナー像を形成
し、該トナー像を転写材上に転写・定着して像形成が行
われる。転写後の感光体は残留トナーの除去及び除電が
行われて長期に亘り反復使用される。
おいては感光体表面を一様に帯電し、像様に露光して静
電潜像を形成し、該静電潜像を現像してトナー像を形成
し、該トナー像を転写材上に転写・定着して像形成が行
われる。転写後の感光体は残留トナーの除去及び除電が
行われて長期に亘り反復使用される。
【0003】従って感光体としては、帯電特性、感度特
性及び残留電位特性等の電子写真特性の外、長期に亘る
繰返し像形成に耐える高耐久性が要請される。
性及び残留電位特性等の電子写真特性の外、長期に亘る
繰返し像形成に耐える高耐久性が要請される。
【0004】ところで近年無害で低コストであり、加工
性に優れ、用途に応じて選択の自由度大なる有機光導電
性物質を用いた有機感光体が注目されるようになり、特
に電荷発生機能を電荷発生物質(CGM)に電荷輸送機
能を電荷輸送物質(CTM)に分担させた機能分離型の
有機感光体が研究、開発されている。
性に優れ、用途に応じて選択の自由度大なる有機光導電
性物質を用いた有機感光体が注目されるようになり、特
に電荷発生機能を電荷発生物質(CGM)に電荷輸送機
能を電荷輸送物質(CTM)に分担させた機能分離型の
有機感光体が研究、開発されている。
【0005】なお前記機能分離型の有機感光体として
は、優れた特性を有するホール輸送性のP型CTMが多
数見出されていることから、CGMを含有する電荷発生
層(CGL)を下層とし、CTMを含有する電荷輸送層
(CTL)を上層とするものが主流とされている。
は、優れた特性を有するホール輸送性のP型CTMが多
数見出されていることから、CGMを含有する電荷発生
層(CGL)を下層とし、CTMを含有する電荷輸送層
(CTL)を上層とするものが主流とされている。
【0006】ここで前記有機感光体の研究、開発に当
り、帯電又は転写用のコロナ放電器から発生するオゾン
はCTM、特に電子写真特性に優れたCTMを破壊して
感光層を劣化させる外、人体にも有害であることからオ
ゾン対策が重要な課題となっている。
り、帯電又は転写用のコロナ放電器から発生するオゾン
はCTM、特に電子写真特性に優れたCTMを破壊して
感光層を劣化させる外、人体にも有害であることからオ
ゾン対策が重要な課題となっている。
【0007】前記有機感光体のCTMとしては、例えば
特開昭61-48869号に記載されるように、スチリル系化合
物、ヒドラゾン系化合物、ピラゾリン系化合物、トリア
リールアミン系化合物等が知られているが、これらは必
ずしもセレン系感光体に匹敵する感光体をうるためのC
TMとして十分とは言えない。そこで例えば特開昭63-2
25660号には前記高感度特性を与えるCTMとして特定
構造のシクロヘプタニリデン誘導体及びシクロヘプテニ
リデン誘導体が提案されている。
特開昭61-48869号に記載されるように、スチリル系化合
物、ヒドラゾン系化合物、ピラゾリン系化合物、トリア
リールアミン系化合物等が知られているが、これらは必
ずしもセレン系感光体に匹敵する感光体をうるためのC
TMとして十分とは言えない。そこで例えば特開昭63-2
25660号には前記高感度特性を与えるCTMとして特定
構造のシクロヘプタニリデン誘導体及びシクロヘプテニ
リデン誘導体が提案されている。
【0008】
【発明が解決しようとする問題点】しかしながら前記特
定構造のシクロヘプタニリデン誘導体及びシクロヘプテ
ニリデン誘導体から成るCTMはコロナ放電により発生
するオゾンに対して極めて弱く、該CTMを含有するC
TLを表面層とする感光体は反復像形成を行なうと、前
記オゾンにより疲労劣化して電子写真性能が著しく低下
するという問題がある。
定構造のシクロヘプタニリデン誘導体及びシクロヘプテ
ニリデン誘導体から成るCTMはコロナ放電により発生
するオゾンに対して極めて弱く、該CTMを含有するC
TLを表面層とする感光体は反復像形成を行なうと、前
記オゾンにより疲労劣化して電子写真性能が著しく低下
するという問題がある。
【0009】例えば本発明者等が行なったオゾン耐久性
テストにおいて、本発明に係るCTMの代表的下記化合
物のオゾン耐久テストを行なったところ、オゾン曝露に
より劣化が著しいことが確められている。
テストにおいて、本発明に係るCTMの代表的下記化合
物のオゾン耐久テストを行なったところ、オゾン曝露に
より劣化が著しいことが確められている。
【0010】
【化2】
【0011】前記オゾン耐久性テストでは100ppmのオゾ
ン雰囲気に10分毎60分間に亘り曝露したときの構造劣化
を図6の波長分布を有する蛍光灯耐光試験機を用いて、
その吸収スペクトルのピーク値の変化から測定し、その
結果を図7に示した。なお図7では曝露しないときのピ
ーク値を100とし、10分毎の吸収スペクトル値の強度比
を%で示した。図より曝露30分で相対強度が約1/2以
下に劣化することが確められている。
ン雰囲気に10分毎60分間に亘り曝露したときの構造劣化
を図6の波長分布を有する蛍光灯耐光試験機を用いて、
その吸収スペクトルのピーク値の変化から測定し、その
結果を図7に示した。なお図7では曝露しないときのピ
ーク値を100とし、10分毎の吸収スペクトル値の強度比
を%で示した。図より曝露30分で相対強度が約1/2以
下に劣化することが確められている。
【0012】以上の例の如く、感度その他電子写真特性
に優れたCTMを開発したとしても、そのようなCTM
を用いた感光体は繰返し像形成の過程でオゾン等により
劣化を受け、その性能が半減すると云う問題があり、そ
れだけCTMの選択の自由が失われ、望ましい電子写真
性能を有する感光体をうることが困難になる。
に優れたCTMを開発したとしても、そのようなCTM
を用いた感光体は繰返し像形成の過程でオゾン等により
劣化を受け、その性能が半減すると云う問題があり、そ
れだけCTMの選択の自由が失われ、望ましい電子写真
性能を有する感光体をうることが困難になる。
【0013】一方画像形成装置において、オゾンの発生
を少なくするため種々の試みがなされている。例えば帯
電又は転写において、放電ワイヤによるコロナ放電方式
に代えてバイアス電圧が印加された導電ローラを用いる
接触方式が注目されている。このような接触方式とする
ことにより画像形成装置内のオゾンの発生量は減少する
が、感光体の一層の高耐久性化が要請され、これに対し
ては、画像形成装置内のオゾンの発生および作用の反応
論的対策のみでは不十分である。
を少なくするため種々の試みがなされている。例えば帯
電又は転写において、放電ワイヤによるコロナ放電方式
に代えてバイアス電圧が印加された導電ローラを用いる
接触方式が注目されている。このような接触方式とする
ことにより画像形成装置内のオゾンの発生量は減少する
が、感光体の一層の高耐久性化が要請され、これに対し
ては、画像形成装置内のオゾンの発生および作用の反応
論的対策のみでは不十分である。
【0014】本発明者の鋭意検討の結果、前記のように
電子写真性能、特に感度特性に優れてはいるが、オゾン
劣化の大きいCTMを表面層に有する感光体を画像形成
装置に組込み、多数回に亘る繰返し像形成を行い安定し
て高画質をうるためには、装置内のオゾン濃度をある限
度内に抑制すると共に、これと組合せて、感光層自体の
物性を改良する必要がある。
電子写真性能、特に感度特性に優れてはいるが、オゾン
劣化の大きいCTMを表面層に有する感光体を画像形成
装置に組込み、多数回に亘る繰返し像形成を行い安定し
て高画質をうるためには、装置内のオゾン濃度をある限
度内に抑制すると共に、これと組合せて、感光層自体の
物性を改良する必要がある。
【0015】
【発明の目的】本発明の目的は、電子写真特性に優れて
いて、特に高感度特性を有する感光体が組込まれた画像
形成装置であって、該装置を用いて長期に亘り繰返し像
形成を行なったとき、疲労劣化が少なく終始安定して高
画質が得られる画像形成装置を提供することにある。
いて、特に高感度特性を有する感光体が組込まれた画像
形成装置であって、該装置を用いて長期に亘り繰返し像
形成を行なったとき、疲労劣化が少なく終始安定して高
画質が得られる画像形成装置を提供することにある。
【0016】
【発明の構成】前記の目的は、少くとも電子写真感光体
と該感光体の外周に帯電、露光、現像、転写及びクリー
ニングの各手段を有する画像形成装置において、該装置
内のオゾン濃度が0.5ppm以下であり、且つ前記感光体の
最上層が電荷輸送層(CTL)で構成され、該電荷輸送
層(CTL)の単位膜厚当りの酸素ガス透過係数が1.0
×10-7(cc/cm2・S・cmHg)以下であることを特徴とする
画像形成装置により達成される。
と該感光体の外周に帯電、露光、現像、転写及びクリー
ニングの各手段を有する画像形成装置において、該装置
内のオゾン濃度が0.5ppm以下であり、且つ前記感光体の
最上層が電荷輸送層(CTL)で構成され、該電荷輸送
層(CTL)の単位膜厚当りの酸素ガス透過係数が1.0
×10-7(cc/cm2・S・cmHg)以下であることを特徴とする
画像形成装置により達成される。
【0017】又本発明の特に重要な実施態様としては、
前記画像形成装置に組込まれる感光体のCTLには前記
「化1」に示した特定された構成要素を有する一般式
(1)で示されるCTMが含有される。
前記画像形成装置に組込まれる感光体のCTLには前記
「化1」に示した特定された構成要素を有する一般式
(1)で示されるCTMが含有される。
【0018】本発明の感光体は図1に示すように導電性
支持体1上に必要により中間層2を設け、該中間層2上
にCGL3,CTL4をこの順に設けた構成とされる。
即ち、導電性支持体上に支持体1からの電荷注入を阻止
し、CGLとの接着を目的として、例えばアルキル化ナ
イロン、アルコキシ化ナイロン、塩ビ-酢ビ共重合樹
脂、塩ビ-酢ビ-無水マレイン酢共重合樹脂、その他のポ
リビニルアルコール、エチルセルロース、カルボキシメ
チルセルロース、カゼイン、澱粉等の有機高分子化合物
をディップ塗布、スプレィ塗布等の方法により、又、酸
化アルミニウム等を真空蒸着、スパッタリング等の方法
等により0.01〜2μm厚の中間層2を形成する。
支持体1上に必要により中間層2を設け、該中間層2上
にCGL3,CTL4をこの順に設けた構成とされる。
即ち、導電性支持体上に支持体1からの電荷注入を阻止
し、CGLとの接着を目的として、例えばアルキル化ナ
イロン、アルコキシ化ナイロン、塩ビ-酢ビ共重合樹
脂、塩ビ-酢ビ-無水マレイン酢共重合樹脂、その他のポ
リビニルアルコール、エチルセルロース、カルボキシメ
チルセルロース、カゼイン、澱粉等の有機高分子化合物
をディップ塗布、スプレィ塗布等の方法により、又、酸
化アルミニウム等を真空蒸着、スパッタリング等の方法
等により0.01〜2μm厚の中間層2を形成する。
【0019】次いで該中間層2上にバインダ樹脂100重
量部に対してCGM5〜500重量部、好ましくは20〜300
重量部、必要によりCTM10〜200重量部相溶して含有
する0.05〜10μm厚のCGL3を形成する。
量部に対してCGM5〜500重量部、好ましくは20〜300
重量部、必要によりCTM10〜200重量部相溶して含有
する0.05〜10μm厚のCGL3を形成する。
【0020】次いで該CGL3上にバインダ樹脂100重
量部に対してCTMを20〜200重量部、好ましくは30〜1
00重量部相溶して含有する5〜50μm厚のCTL4を形
成して感光体をうる。
量部に対してCTMを20〜200重量部、好ましくは30〜1
00重量部相溶して含有する5〜50μm厚のCTL4を形
成して感光体をうる。
【0021】前記CGLに含有されるCGMとしては、
特に限定はないが、下記化合物が挙げられる。
特に限定はないが、下記化合物が挙げられる。
【0022】(1)モノアゾ顔料、ポリアゾ顔料、金属
錯塩アゾ顔料、ピラゾロンアゾ顔料、スチルベンアゾ顔
料及びチアゾールアゾ顔料等のアゾ系顔料 (2)ペリレン酸無水物及びペリレン酸イミド等のペリ
レン系顔料 (3)アントラキノン誘導体、アントアントロン誘導
体、ジベンズピレンキノン誘導体、ピラントロン誘導
体、ビオラントロン誘導体及びイソビオラントロン誘導
体等のアントラキノン系又は多環キノン系顔料 (4)インジゴ誘導体及びチオインジゴ誘導体等のイン
ジゴイド系顔料 (5)金属フタロシアニン及び無金属フタロシアニン等
のフタロシアニン系顔料 (6)ジフェニルメタン系顔料、トリフェニルメタン顔
料、キサンテン顔料及びアクリジン顔料等のカルボニウ
ム系顔料 (7)アジン顔料、オキサジン顔料及びチアジン顔料等
のキノンイミン系顔料 (8)シアニン顔料及びアゾメチン顔料等のメチン系顔
料 (9)キノリン系顔料 (10)ニトロ系顔料 (11)ニトロン系顔料 (12)ベンゾキノン及びナフトキノン系顔料 (13)ナフタルイミド系顔料 (14)ビスベンズイミダゾール誘導体等のペリノン系顔
料 この中では感光体に高感度特性を付与しうるアゾ系顔
料、ペリレン系顔料、多環キノン系顔料、フタロシアニ
ン系顔料が好ましい。
錯塩アゾ顔料、ピラゾロンアゾ顔料、スチルベンアゾ顔
料及びチアゾールアゾ顔料等のアゾ系顔料 (2)ペリレン酸無水物及びペリレン酸イミド等のペリ
レン系顔料 (3)アントラキノン誘導体、アントアントロン誘導
体、ジベンズピレンキノン誘導体、ピラントロン誘導
体、ビオラントロン誘導体及びイソビオラントロン誘導
体等のアントラキノン系又は多環キノン系顔料 (4)インジゴ誘導体及びチオインジゴ誘導体等のイン
ジゴイド系顔料 (5)金属フタロシアニン及び無金属フタロシアニン等
のフタロシアニン系顔料 (6)ジフェニルメタン系顔料、トリフェニルメタン顔
料、キサンテン顔料及びアクリジン顔料等のカルボニウ
ム系顔料 (7)アジン顔料、オキサジン顔料及びチアジン顔料等
のキノンイミン系顔料 (8)シアニン顔料及びアゾメチン顔料等のメチン系顔
料 (9)キノリン系顔料 (10)ニトロ系顔料 (11)ニトロン系顔料 (12)ベンゾキノン及びナフトキノン系顔料 (13)ナフタルイミド系顔料 (14)ビスベンズイミダゾール誘導体等のペリノン系顔
料 この中では感光体に高感度特性を付与しうるアゾ系顔
料、ペリレン系顔料、多環キノン系顔料、フタロシアニ
ン系顔料が好ましい。
【0023】又前記CTL又はCGLに含有されるCT
Mとしては、前記「化1」に示した一般式(1)で表さ
れる化合物が用いられ、それによって高感度でしかも高
耐久性で高信頼性の感光体をうることができる。
Mとしては、前記「化1」に示した一般式(1)で表さ
れる化合物が用いられ、それによって高感度でしかも高
耐久性で高信頼性の感光体をうることができる。
【0024】本発明に用いられる前記一般式(1)の構
造を有するCTMとしては、具体的には下記一般式
(A)のシクロヘプタニリンデン誘導体及び下記一般式
(B)のシクロヘプテニリデン誘導体が好ましい。
造を有するCTMとしては、具体的には下記一般式
(A)のシクロヘプタニリンデン誘導体及び下記一般式
(B)のシクロヘプテニリデン誘導体が好ましい。
【0025】
【化3】
【0026】〔式中、R1,R2,R3及びR4は一般式
(1)の場合と同義であり、R5は水素原子、ハロゲン
原子、ニトロ基、アルキル基、またはアルコキシ基を表
す。〕前記一般式(A)の構造を有するCTMの化合物
例としては、以下のものを挙げることができる。
(1)の場合と同義であり、R5は水素原子、ハロゲン
原子、ニトロ基、アルキル基、またはアルコキシ基を表
す。〕前記一般式(A)の構造を有するCTMの化合物
例としては、以下のものを挙げることができる。
【0027】
【化4】
【0028】
【化5】
【0029】
【化6】
【0030】
【化7】
【0031】
【化8】
【0032】次に前記一般式(B)の構造を有するCT
Mの化合物例としては、以下のものを挙げることができ
る。
Mの化合物例としては、以下のものを挙げることができ
る。
【0033】
【化9】
【0034】
【化10】
【0035】
【化11】
【0036】
【化12】
【0037】
【化13】
【0038】
【化14】
【0039】前記CGL及びCTLに含有されるバイン
ダ樹脂としては電子写真用の全ての樹脂が有用であり、
例えばポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル樹脂、
メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ビ
ニルブチラール樹脂、ビニルホルマール樹脂、エポキシ
樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリエステ
ル樹脂、アルキッド樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリ
コーン樹脂、メラミン樹脂等の重付加型樹脂、重縮合型
樹脂、並びにこれらの樹脂の繰返し単位のうちの2つ以
上を含む共重合体樹脂、例えば塩化ビニル-酢酸ビニル
共重合体樹脂、塩化ビニル-酢酸ビニル-無水マレイン酸
共重合体樹脂等の絶縁性樹脂の他、ポリ-N-ビニルカル
バソール等の高分子有機半導体を挙げることができる。
ダ樹脂としては電子写真用の全ての樹脂が有用であり、
例えばポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル樹脂、
メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ビ
ニルブチラール樹脂、ビニルホルマール樹脂、エポキシ
樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリエステ
ル樹脂、アルキッド樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリ
コーン樹脂、メラミン樹脂等の重付加型樹脂、重縮合型
樹脂、並びにこれらの樹脂の繰返し単位のうちの2つ以
上を含む共重合体樹脂、例えば塩化ビニル-酢酸ビニル
共重合体樹脂、塩化ビニル-酢酸ビニル-無水マレイン酸
共重合体樹脂等の絶縁性樹脂の他、ポリ-N-ビニルカル
バソール等の高分子有機半導体を挙げることができる。
【0040】本発明に係る感光体の表面層を形成するC
TLとしては、層が均質、緻密、堅牢で通気性が小さい
等の特性が要請される。
TLとしては、層が均質、緻密、堅牢で通気性が小さい
等の特性が要請される。
【0041】前記CTLを形成するのに適するバインダ
樹脂としては例えば熱硬化性エポキシ樹脂、メラミン樹
脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、
アクリル樹脂、エステル樹脂等の熱硬化性樹脂がある。
樹脂としては例えば熱硬化性エポキシ樹脂、メラミン樹
脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、
アクリル樹脂、エステル樹脂等の熱硬化性樹脂がある。
【0042】その他米国特許4,304,899号にも記載され
ているオゾン透過率を減少せしめうる下記の構成単位の
ポリマー化合物も好ましく用いられる。
ているオゾン透過率を減少せしめうる下記の構成単位の
ポリマー化合物も好ましく用いられる。
【0043】
【化15】
【0044】
【化16】
【0045】前記本発明に係るCGL及びCTLに用い
られる分散媒あるいは溶剤としては、例えばn-ブチルア
ミン、ジエチルアミン、エチレンジアミン、イソプロパ
ノールアミン、モノエタノールアミン、トリエタノール
アミン、トリエチレンジアミン、N,N-ジメチルホルムア
ミド、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノ
ン、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロホルム、1,
2-ジクロルエタン、ジクロルメタン、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、メタノール、エタノール、イソプロパ
ノール、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジメチルスルホキシ
ド、その他を用いることができる。
られる分散媒あるいは溶剤としては、例えばn-ブチルア
ミン、ジエチルアミン、エチレンジアミン、イソプロパ
ノールアミン、モノエタノールアミン、トリエタノール
アミン、トリエチレンジアミン、N,N-ジメチルホルムア
ミド、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノ
ン、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロホルム、1,
2-ジクロルエタン、ジクロルメタン、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、メタノール、エタノール、イソプロパ
ノール、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジメチルスルホキシ
ド、その他を用いることができる。
【0046】導電性支持体の材料としては、例えばアル
ミニウム、ニッケル、銅、亜鉛、パラジウム、銀、イン
ジウム、錫、白金、金、ステンレス鋼、真鍮等の金属シ
ートを用いることができる。
ミニウム、ニッケル、銅、亜鉛、パラジウム、銀、イン
ジウム、錫、白金、金、ステンレス鋼、真鍮等の金属シ
ートを用いることができる。
【0047】また、感光層内に感度の向上、残留電位な
いし反復使用時の疲労低減等を目的として、少なくとも
1種の電子受容性物質を含有せしめることができる。
いし反復使用時の疲労低減等を目的として、少なくとも
1種の電子受容性物質を含有せしめることができる。
【0048】また更に表面改質剤としてシリコーンオイ
ル、弗素系界面活性剤を存在させてもよい。また耐久性
向上剤としてアンモニウム化合物が含有されていてもよ
い。
ル、弗素系界面活性剤を存在させてもよい。また耐久性
向上剤としてアンモニウム化合物が含有されていてもよ
い。
【0049】更に紫外線吸収剤を用いてもよい。好まし
い紫外線吸収剤としては、安息香酸、スチルベン化合物
等及びその誘導体、トリアゾール化合物、イミダゾール
化合物、トリアジン化合物、クマリン化合物、オキサジ
アゾール化合物、チアゾール化合物及びその誘導体等の
含窒素化合物類が用いられる。
い紫外線吸収剤としては、安息香酸、スチルベン化合物
等及びその誘導体、トリアゾール化合物、イミダゾール
化合物、トリアジン化合物、クマリン化合物、オキサジ
アゾール化合物、チアゾール化合物及びその誘導体等の
含窒素化合物類が用いられる。
【0050】CTL,CGLに酸化防止剤を含有せしめ
ることができる。これにより放電発生するオゾンの影響
を抑制でき、繰返し使用時の残留電位上昇や帯電電位の
低下を防止できる。
ることができる。これにより放電発生するオゾンの影響
を抑制でき、繰返し使用時の残留電位上昇や帯電電位の
低下を防止できる。
【0051】酸化防止剤としては、ヒンダードフェノー
ル、ヒンダードアミン、パラフェニレンジアミン、アリ
ールアルカン、ハイドロキノン、スピロクロマン、スピ
ロインダノン及びそれらの誘導体、有機硫黄化合物、有
機燐化合物等が挙げられる。
ル、ヒンダードアミン、パラフェニレンジアミン、アリ
ールアルカン、ハイドロキノン、スピロクロマン、スピ
ロインダノン及びそれらの誘導体、有機硫黄化合物、有
機燐化合物等が挙げられる。
【0052】これらの具体的化合物としては、特開昭63
-44667号、同63-50848号、同63-14153号、同63-50849
号、同63-18355号、同63-58455号、同63-71857号、同63
-71856号及び同63-146046号に記載がある。
-44667号、同63-50848号、同63-14153号、同63-50849
号、同63-18355号、同63-58455号、同63-71857号、同63
-71856号及び同63-146046号に記載がある。
【0053】次に本発明に係る導電性支持体上にCGL
及びCTLをこの順に積層して成る感光体の前記CTL
の単位膜厚当りの酸素ガス透過係数の具体的測定法につ
いて以下に説明する。
及びCTLをこの順に積層して成る感光体の前記CTL
の単位膜厚当りの酸素ガス透過係数の具体的測定法につ
いて以下に説明する。
【0054】図2(a)は、具体的な測定装置による測
定系統を示す概略図である。
定系統を示す概略図である。
【0055】図において、測定試料10を保持するセル11
は恒温槽18内に保持され、該セル11の高圧側に気体(酸
素ガス)透過係数測定用酸素ガスを導入する。時間経過
と共に前記高圧側の酸素ガスが試料10を透過して低圧側
に移動し、低圧側の圧力が変化する。
は恒温槽18内に保持され、該セル11の高圧側に気体(酸
素ガス)透過係数測定用酸素ガスを導入する。時間経過
と共に前記高圧側の酸素ガスが試料10を透過して低圧側
に移動し、低圧側の圧力が変化する。
【0056】前記低圧側の圧力変化を微差圧トランジュ
ーサ12で読取り、電気的信号として出力し、これは記録
計17で増幅記録される。なお図中13は低圧側用拡散ポン
プ、14はトラップ、15は真空計、16は感度変更用予備ボ
リュームである。
ーサ12で読取り、電気的信号として出力し、これは記録
計17で増幅記録される。なお図中13は低圧側用拡散ポン
プ、14はトラップ、15は真空計、16は感度変更用予備ボ
リュームである。
【0057】同図(b)は前記増幅記録された酸素ガス
透過曲線を示しており、この曲線から該曲線の直線部の
勾配ΔPb/Δtを求め、これを下記式に代入すること
により測定試料10の単位膜厚当りの酸素ガス透過係数P
/lを求めることができる。
透過曲線を示しており、この曲線から該曲線の直線部の
勾配ΔPb/Δtを求め、これを下記式に代入すること
により測定試料10の単位膜厚当りの酸素ガス透過係数P
/lを求めることができる。
【0058】
【数1】
【0059】P :気体透過係数 (cc/cm2・S・cmHg)
(s:秒) V :低圧側容積 (cc) A :透過面積 cm2 l :測定試料の膜厚 cm Po :標準圧力 〔1atm=76cmHg〕 Pa :高圧側の圧力 〔cmHg〕 Pb :低圧側の圧力 〔cmHg〕 To :標準温度 〔273°K〕 T :測定温度 〔K〕 ΔPb/Δt:定常状態における低圧側圧力の増加速度
即ち透過曲線の直線部分の勾配 〔cmHg/s〕 上記した「酸素の気体透過係数」は、バインダ、物質の
種類、化学式、重合度によって変ることは勿論だが、そ
れだけではなく、CTLの塗膜を形成する際の塗布溶
媒、塗布方法、乾燥の度合、塗布液中のCTM及びバイ
ンダ物質濃度等の因子によっても変動するものである。
従って、塗膜形成前は同一の樹脂であっても、上記の諸
因子によってはCTLの状態が異ってくると共に酸素ガ
スの透過係数も変ってくる。
(s:秒) V :低圧側容積 (cc) A :透過面積 cm2 l :測定試料の膜厚 cm Po :標準圧力 〔1atm=76cmHg〕 Pa :高圧側の圧力 〔cmHg〕 Pb :低圧側の圧力 〔cmHg〕 To :標準温度 〔273°K〕 T :測定温度 〔K〕 ΔPb/Δt:定常状態における低圧側圧力の増加速度
即ち透過曲線の直線部分の勾配 〔cmHg/s〕 上記した「酸素の気体透過係数」は、バインダ、物質の
種類、化学式、重合度によって変ることは勿論だが、そ
れだけではなく、CTLの塗膜を形成する際の塗布溶
媒、塗布方法、乾燥の度合、塗布液中のCTM及びバイ
ンダ物質濃度等の因子によっても変動するものである。
従って、塗膜形成前は同一の樹脂であっても、上記の諸
因子によってはCTLの状態が異ってくると共に酸素ガ
スの透過係数も変ってくる。
【0060】本発明に係る感光体では、感光層の表面層
としてのCTLの酸素ガス透過係数を前記のように特定
範囲に限定した点に特徴があり、それによって酸素ガ
ス、特にオゾンガス等のCTLへの侵入が抑止され、C
TM等の劣化が低く抑えられる。
としてのCTLの酸素ガス透過係数を前記のように特定
範囲に限定した点に特徴があり、それによって酸素ガ
ス、特にオゾンガス等のCTLへの侵入が抑止され、C
TM等の劣化が低く抑えられる。
【0061】次に本発明の画像形成装置の構成について
は特に限定はなく、一般的な下記構造の画像形成装置に
より装置内のオゾン濃度を測定する測定法を説明する。
は特に限定はなく、一般的な下記構造の画像形成装置に
より装置内のオゾン濃度を測定する測定法を説明する。
【0062】図3は前記画像形成装置の一般的な構成を
示すもので、21は原稿載置台、22は原稿、23は原稿押え
カバーで、像露光用光学系は、投光ユニット24、露光ラ
ンプ25、ミラーユニット26、反射ミラー27、結像レンズ
28、反射ミラー29等から成り、前記光学系を介して予め
帯電ローラ31によって一様帯電された感光体20上に像露
光されて静電潜像が形成される。この静電潜像は現像装
置32のスリーブ33により搬送された現像剤により現像さ
れてトナー像が形成される。
示すもので、21は原稿載置台、22は原稿、23は原稿押え
カバーで、像露光用光学系は、投光ユニット24、露光ラ
ンプ25、ミラーユニット26、反射ミラー27、結像レンズ
28、反射ミラー29等から成り、前記光学系を介して予め
帯電ローラ31によって一様帯電された感光体20上に像露
光されて静電潜像が形成される。この静電潜像は現像装
置32のスリーブ33により搬送された現像剤により現像さ
れてトナー像が形成される。
【0063】該トナー像は、給紙カセット35の給紙ロー
ラ36により搬送された複写紙37に転写ローラ38によって
転写され、感光体20から分離された後搬送ベルト40によ
り定着装置41に送られ、加熱ローラ42と押圧ローラ43の
圧接下に定着される。転写後の感光体20は除電ランプ34
により除電された後、クリーニング装置47のブレード47
Aにより清掃され、次の像形成に設けられる。
ラ36により搬送された複写紙37に転写ローラ38によって
転写され、感光体20から分離された後搬送ベルト40によ
り定着装置41に送られ、加熱ローラ42と押圧ローラ43の
圧接下に定着される。転写後の感光体20は除電ランプ34
により除電された後、クリーニング装置47のブレード47
Aにより清掃され、次の像形成に設けられる。
【0064】前記帯電ローラ31及び転写ローラ38には、
電源49からDC及び必要によりACバイアス電圧が印加
され、感光体ドラム20への帯電及びトナー像の転写紙27
への転写が行われる。前記バイアス電圧としては、通常
500〜1000VのDCバイアスが印加され、必要により100
Hz〜10KHz,Vp-p200〜3500VのACバイアスが重畳さ
れてもよい。
電源49からDC及び必要によりACバイアス電圧が印加
され、感光体ドラム20への帯電及びトナー像の転写紙27
への転写が行われる。前記バイアス電圧としては、通常
500〜1000VのDCバイアスが印加され、必要により100
Hz〜10KHz,Vp-p200〜3500VのACバイアスが重畳さ
れてもよい。
【0065】前記バイアス電圧が印加された帯電ローラ
31(及び転写ローラ38)は、感光体の摩粍、損傷を防止
するため、図4(a)のローラ圧接・離間手段により、
不要時は感光体ドラム20から離間されることが好まし
い。図4(a)の50はローラ31を軸51を中心に回動可能
に支持するレバーであり、バネ52はローラ31を上方に付
勢していて、不要時には該ローラ31を感光体ドラム20か
ら離間させ、帯電(又は転写)時には、偏心カム53の回
動により、前記バネ52のバネ圧に抗して前記ローラ31
(又は38)を感光体ドラム20に圧接させ、感光体ドラム
20との従動回転(又は強制回転)下に帯電(又は転写)
が行われる。
31(及び転写ローラ38)は、感光体の摩粍、損傷を防止
するため、図4(a)のローラ圧接・離間手段により、
不要時は感光体ドラム20から離間されることが好まし
い。図4(a)の50はローラ31を軸51を中心に回動可能
に支持するレバーであり、バネ52はローラ31を上方に付
勢していて、不要時には該ローラ31を感光体ドラム20か
ら離間させ、帯電(又は転写)時には、偏心カム53の回
動により、前記バネ52のバネ圧に抗して前記ローラ31
(又は38)を感光体ドラム20に圧接させ、感光体ドラム
20との従動回転(又は強制回転)下に帯電(又は転写)
が行われる。
【0066】前記ローラ31(又は38)の感光体ドラム20
への圧接は10〜100g/cmとされ、ローラ31(又は38)の
回転は感光体ドラム20の周速の1〜8倍とされる。
への圧接は10〜100g/cmとされ、ローラ31(又は38)の
回転は感光体ドラム20の周速の1〜8倍とされる。
【0067】また、ローラ31(又は38)の断面構成は図
4(b)に示すように芯金55の外周に導電性クロルプレ
ンゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム等のゴム層又は
それらの発泡層から成り、好ましくは最外層に0.01〜1
μmの離型性弗素樹脂又はシリコーン樹脂層から成る保
護層を設けて構成される。
4(b)に示すように芯金55の外周に導電性クロルプレ
ンゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム等のゴム層又は
それらの発泡層から成り、好ましくは最外層に0.01〜1
μmの離型性弗素樹脂又はシリコーン樹脂層から成る保
護層を設けて構成される。
【0068】前記画像形成装置内のオゾンガス濃度を測
定するには、エバラ実業(株)製オゾンモニタEG-200
1Rが組込まれた東洋精機製作所(株)製オゾンテスタ
が用いられる。
定するには、エバラ実業(株)製オゾンモニタEG-200
1Rが組込まれた東洋精機製作所(株)製オゾンテスタ
が用いられる。
【0069】図3の画像形成装置を例として説明すれ
ば、試料ガス採取用テフロンチューブの端(試料ガス採
取口)を前記装置の符号Pで指定した位置に設置し、前
記チューブの他端を前記オゾンモニタの試料ガス導入口
に嵌装し、前記画像形成装置からのオゾンガス濃度をモ
ニタのデジタルデータ表示がppm単位で読取る。
ば、試料ガス採取用テフロンチューブの端(試料ガス採
取口)を前記装置の符号Pで指定した位置に設置し、前
記チューブの他端を前記オゾンモニタの試料ガス導入口
に嵌装し、前記画像形成装置からのオゾンガス濃度をモ
ニタのデジタルデータ表示がppm単位で読取る。
【0070】なお、前記画像形成装置内の測定位置Pは
クリーニング装置47と帯電手段31との間で、かつ感光体
ドラム20から5m/mの間隙をおいて配置される。
クリーニング装置47と帯電手段31との間で、かつ感光体
ドラム20から5m/mの間隙をおいて配置される。
【0071】本発明では、前記オゾンテスタに組込まれ
たオゾンモニタにより、前記測定位置Pで測定したとき
のオゾンガス濃度が0.5ppm以下であることが必須の要件
とされ、0.5ppmを越えると高感度感光体、特に前記特定
構造のCTMを用いた感光体の繰返し特性が悪く、帯電
電位、感度、残留電位等の特性の劣化が顕著になる。
たオゾンモニタにより、前記測定位置Pで測定したとき
のオゾンガス濃度が0.5ppm以下であることが必須の要件
とされ、0.5ppmを越えると高感度感光体、特に前記特定
構造のCTMを用いた感光体の繰返し特性が悪く、帯電
電位、感度、残留電位等の特性の劣化が顕著になる。
【0072】以下本発明の実施例により具体的に説明す
るが本発明の実施の態様がこれにより限定されるもので
はない。
るが本発明の実施の態様がこれにより限定されるもので
はない。
【0073】
〈感光体及び特性測定試料の作成〉 (感光体の作成)80mmφのアルミニウム製円筒状ドラム
(シリンダ)上に、塩化ビニル-酢酸ビニル-無水マレイ
ン酸共重合体「エスレックMF-10」(積水化学工業社
製)より成る厚さ約0.1μmの中間層を設けた。次に、下
記「化17」に示す構造式を有するビスアゾ顔料4gをボ
ールミルで24時間粉砕し、これにビスフェノールA型ポ
リカーボネート「パンライトL-1250」(帝人化成社
製)(以下BPAと称する)2gを1,2-ジクロルエタン1
30mlに溶解した溶液を加えて、更に24時間分散し、得ら
れた分散液を前記中間層上に浸漬塗布し、十分乾燥して
厚さ約0.5μmのCGLを形成した。
(シリンダ)上に、塩化ビニル-酢酸ビニル-無水マレイ
ン酸共重合体「エスレックMF-10」(積水化学工業社
製)より成る厚さ約0.1μmの中間層を設けた。次に、下
記「化17」に示す構造式を有するビスアゾ顔料4gをボ
ールミルで24時間粉砕し、これにビスフェノールA型ポ
リカーボネート「パンライトL-1250」(帝人化成社
製)(以下BPAと称する)2gを1,2-ジクロルエタン1
30mlに溶解した溶液を加えて、更に24時間分散し、得ら
れた分散液を前記中間層上に浸漬塗布し、十分乾燥して
厚さ約0.5μmのCGLを形成した。
【0074】次にCTMとして、例示化合物(1)−
1;10gとバインダ樹脂として例示化合物(3)−6を
構成単位とする粘度平均分子量20000のポリカーボネー
ト(ジメチルBPZと仮称する)10gとを1,2-ジクロル
エタン100mlに溶解して得た溶液を上記CGL上に浸漬
塗布し、温度80℃にて1時間乾燥して厚さ20μmのCT
Lを形成しても感光体1を得た。
1;10gとバインダ樹脂として例示化合物(3)−6を
構成単位とする粘度平均分子量20000のポリカーボネー
ト(ジメチルBPZと仮称する)10gとを1,2-ジクロル
エタン100mlに溶解して得た溶液を上記CGL上に浸漬
塗布し、温度80℃にて1時間乾燥して厚さ20μmのCT
Lを形成しても感光体1を得た。
【0075】
【化17】
【0076】なお前記浸漬塗布は図5(a)及び同図
(b)の塗布装置を用いて塗布加工された。前記図5に
おいて、塗布液112を収容した塗布容器113に対し、支持
棒119を貫通せしめることによって保持されたアルミ製
円筒111が上下動可能に配されている。図5(a)は、
円筒111を下降せしめて塗布液112内に充分に浸漬した状
態を示す。容器113上には、溶媒蒸気濃度分布を調節す
るための貫通孔115を側部に設けた円筒状カバー部材114
が容器113とほぼ同径に連設されていて、その内側は乾
燥領域124となっている。
(b)の塗布装置を用いて塗布加工された。前記図5に
おいて、塗布液112を収容した塗布容器113に対し、支持
棒119を貫通せしめることによって保持されたアルミ製
円筒111が上下動可能に配されている。図5(a)は、
円筒111を下降せしめて塗布液112内に充分に浸漬した状
態を示す。容器113上には、溶媒蒸気濃度分布を調節す
るための貫通孔115を側部に設けた円筒状カバー部材114
が容器113とほぼ同径に連設されていて、その内側は乾
燥領域124となっている。
【0077】従って、図5(b)に示す如く、図5
(a)の浸漬状態(図5(b)では一点鎖線で示す)か
ら、蒸気支持棒119を固定したアーム118を上昇させるこ
とにより同図(b)の実線、更には二点鎖線で示すよう
に円筒111を塗布液112から引上げ、乾燥領域124内を所
定の速度で通過させるように構成している。円筒111を
乾燥領域124(即ちカバー部材114)の外部に引上げた状
態から、新たな円筒を下降させ、上記した動作を繰返せ
ば円筒外面の塗布液112への浸漬、塗布液112の塗布・乾
燥を再び行うことができる。
(a)の浸漬状態(図5(b)では一点鎖線で示す)か
ら、蒸気支持棒119を固定したアーム118を上昇させるこ
とにより同図(b)の実線、更には二点鎖線で示すよう
に円筒111を塗布液112から引上げ、乾燥領域124内を所
定の速度で通過させるように構成している。円筒111を
乾燥領域124(即ちカバー部材114)の外部に引上げた状
態から、新たな円筒を下降させ、上記した動作を繰返せ
ば円筒外面の塗布液112への浸漬、塗布液112の塗布・乾
燥を再び行うことができる。
【0078】なお、円筒111の上下開口に蓋125,126を
被せ、ナット120で締め付けることにより、円筒111内に
塗布液112が侵入しないようにしておくのが好ましい
(但し、上部側の蓋125は円筒111の浸漬深さによっては
必ずしも設けることを要しない)。
被せ、ナット120で締め付けることにより、円筒111内に
塗布液112が侵入しないようにしておくのが好ましい
(但し、上部側の蓋125は円筒111の浸漬深さによっては
必ずしも設けることを要しない)。
【0079】一方、上記アーム118の上下動機構は次の
如くに構成されている。即ち、基板122上に支柱121a,
121bが鉛直方向に固定され、それらの上端は上基板123
に固定されている。この上基板123には垂直下方へ延び
る送りねじ棒116が軸支されている。この送りねじ棒116
の下端は支柱121a,121bに固定された固定板127の中
央部を貫通して、固定板127の下面に固定されたモータ1
17の回転軸と一体になっている。上記アーム118には上
記送りねじ棒116に対応した雌ねじ128が切られていて、
この雌ねじに螺合させながら送りねじ棒116をアーム118
に貫通させ、これによってアーム118が送りねじ棒116に
支持されつつ、モータ117による送りねじ棒116の回転に
伴って上下動せしめることになる。
如くに構成されている。即ち、基板122上に支柱121a,
121bが鉛直方向に固定され、それらの上端は上基板123
に固定されている。この上基板123には垂直下方へ延び
る送りねじ棒116が軸支されている。この送りねじ棒116
の下端は支柱121a,121bに固定された固定板127の中
央部を貫通して、固定板127の下面に固定されたモータ1
17の回転軸と一体になっている。上記アーム118には上
記送りねじ棒116に対応した雌ねじ128が切られていて、
この雌ねじに螺合させながら送りねじ棒116をアーム118
に貫通させ、これによってアーム118が送りねじ棒116に
支持されつつ、モータ117による送りねじ棒116の回転に
伴って上下動せしめることになる。
【0080】次にCTLのバインダ樹脂として感光体1
の(ジメチルBPZ10g)に代えて(ジメチルBPZ7.5
gとBPA2.5g)とした他は感光体1と同様にして感光
体2を得た。また感光体1のCTLのバインダ樹脂であ
る(ジメチルBPZ10g)及びCTMである例示化合物
(1)−1に代えてバインダ樹脂を(ジメチルBPZ5.
0gとBPA5.0g)、(ジメチルBPZ2.5gとBPA7.5
g)及び(BPA10g)にそれぞれ変化し、かつCTMと
して例示化合物(2)−14とした他は感光体1と同様に
して感光体3、感光体4及び感光体5を得た。
の(ジメチルBPZ10g)に代えて(ジメチルBPZ7.5
gとBPA2.5g)とした他は感光体1と同様にして感光
体2を得た。また感光体1のCTLのバインダ樹脂であ
る(ジメチルBPZ10g)及びCTMである例示化合物
(1)−1に代えてバインダ樹脂を(ジメチルBPZ5.
0gとBPA5.0g)、(ジメチルBPZ2.5gとBPA7.5
g)及び(BPA10g)にそれぞれ変化し、かつCTMと
して例示化合物(2)−14とした他は感光体1と同様に
して感光体3、感光体4及び感光体5を得た。
【0081】(静電特性測定試料(E)の作成)前記感
光体1〜5のアルミ円筒ドラムに代えてアルミ箱をラミ
ネートしたPETベースを用いた他は感光体1と同様に
して前記感光体1〜5に対応する感光体E1〜E5を得
た。
光体1〜5のアルミ円筒ドラムに代えてアルミ箱をラミ
ネートしたPETベースを用いた他は感光体1と同様に
して前記感光体1〜5に対応する感光体E1〜E5を得
た。
【0082】次にこれらの5種類の感光板のそれぞれか
ら約40×40mm角の測定試料4枚ずつ採取し、感光体E−
1からE−1−1〜E−1−4、感光板E−2からE−
2−1〜E−2−4、感光板E−3からE−3−1〜E
−3−4、感光板E−4からE−4−1〜E−4−4及
び感光板E−5からE−5−1〜E−5−4の各測定試
料を得た。これらをグループ別に区分し、まず第1グル
ープ(E−1−1〜E−5−1)の試料を前記オゾンモ
ニタEG-2001Rが組込まれたエバラのオゾンテスタ試
験槽に挿入し、該試験槽に前記オゾンテスタのオゾン発
生機から0.1ppmのオゾンガスを導入し、25℃で30日間に
亘り保存して第1グループのエレクトロメータ測定試料
を得た。
ら約40×40mm角の測定試料4枚ずつ採取し、感光体E−
1からE−1−1〜E−1−4、感光板E−2からE−
2−1〜E−2−4、感光板E−3からE−3−1〜E
−3−4、感光板E−4からE−4−1〜E−4−4及
び感光板E−5からE−5−1〜E−5−4の各測定試
料を得た。これらをグループ別に区分し、まず第1グル
ープ(E−1−1〜E−5−1)の試料を前記オゾンモ
ニタEG-2001Rが組込まれたエバラのオゾンテスタ試
験槽に挿入し、該試験槽に前記オゾンテスタのオゾン発
生機から0.1ppmのオゾンガスを導入し、25℃で30日間に
亘り保存して第1グループのエレクトロメータ測定試料
を得た。
【0083】なお前記オゾンガスの温度はモニタ表示板
にデジタルデータとして表示される外、30日間のオゾン
濃度の変動がレコーダに自動記録される。
にデジタルデータとして表示される外、30日間のオゾン
濃度の変動がレコーダに自動記録される。
【0084】次いで前記第2グループ(E−1−2〜E
−5−2)、第3グループ(E−1−3〜E−5−3)
及び第4グループ(E−1−4〜E−5−4)をそれぞ
れオゾン濃度0.5ppm,0.6ppm及び1.0ppmとした他は第1
グループの場合と同様にして第2、第3及び第4グルー
プのエレクトロメータ測定試料を得た。
−5−2)、第3グループ(E−1−3〜E−5−3)
及び第4グループ(E−1−4〜E−5−4)をそれぞ
れオゾン濃度0.5ppm,0.6ppm及び1.0ppmとした他は第1
グループの場合と同様にして第2、第3及び第4グルー
プのエレクトロメータ測定試料を得た。
【0085】(静電特性の測定)これら4グループ16枚
のエレクトロメータ測定用試料は順次エレクトロメータ
「EPA-8100」(川口電機製作所製)に装着して静電
特性が測定された。
のエレクトロメータ測定用試料は順次エレクトロメータ
「EPA-8100」(川口電機製作所製)に装着して静電
特性が測定された。
【0086】即ち、試料表面を帯電圧−6.0KVで5秒間
帯電せしめた時の表面電位VA、次いでタングステンラ
ンプの光を感光体表面における照度が30luxになるよう
にして照射し、表面電位VAを半分に減衰させるのに要
する露光量(半減露光量)E1/2(lux・sec)、並びに30
lux・secの露光量で露光した後の表面電位(残留電位)
VRをそれぞれ求め、得られた値を表1に示した。
帯電せしめた時の表面電位VA、次いでタングステンラ
ンプの光を感光体表面における照度が30luxになるよう
にして照射し、表面電位VAを半分に減衰させるのに要
する露光量(半減露光量)E1/2(lux・sec)、並びに30
lux・secの露光量で露光した後の表面電位(残留電位)
VRをそれぞれ求め、得られた値を表1に示した。
【0087】
【表1】
【0088】(酸素ガス透過係数測定試料(T)の作
成)感光体1〜5のCTLの各塗布液を、径80mmのアル
ミ製円筒上にPETベースを巻き付けた上に前記図5の
浸漬塗布装置を用いてそれぞれ塗布加工も、これを90℃
で24時間乾燥し、冷却後、PETベースからCTLを剥
離して感光体1〜5に対応するCTLから成る20μm厚
の酸素ガス透過係数測定試料T−1〜T−5を得た。
成)感光体1〜5のCTLの各塗布液を、径80mmのアル
ミ製円筒上にPETベースを巻き付けた上に前記図5の
浸漬塗布装置を用いてそれぞれ塗布加工も、これを90℃
で24時間乾燥し、冷却後、PETベースからCTLを剥
離して感光体1〜5に対応するCTLから成る20μm厚
の酸素ガス透過係数測定試料T−1〜T−5を得た。
【0089】(酸素ガス透過係数の測定)前記各測定試
料(T1〜T5)を順次図2のガス透過係数測定装置のセ
ル11に設定し、恒温槽18の温度を35℃とし、酸素ガスを
用いて測定を行った。
料(T1〜T5)を順次図2のガス透過係数測定装置のセ
ル11に設定し、恒温槽18の温度を35℃とし、酸素ガスを
用いて測定を行った。
【0090】測定方法は前記したように、各測定試料に
一定の酸素ガス厚Pa(高圧側)を加えると、時間tの
経過と共に高圧側の酸素ガスが前記試料を透過して低圧
側(ガス圧Pb)に移行し、低圧側のガス圧Pbが変化す
る。
一定の酸素ガス厚Pa(高圧側)を加えると、時間tの
経過と共に高圧側の酸素ガスが前記試料を透過して低圧
側(ガス圧Pb)に移行し、低圧側のガス圧Pbが変化す
る。
【0091】前記経過時間tに対する低圧側の酸素ガス
圧Pbの変化をプロットして図2(b)の如き透過曲線
を作成し、その曲線の直線部分の勾配ΔPb/Δtを求
め、これを前記気体透過係数の式に代入して単位膜厚当
りの酸素ガス透過係数を算出し、その結果を表2に示し
た。
圧Pbの変化をプロットして図2(b)の如き透過曲線
を作成し、その曲線の直線部分の勾配ΔPb/Δtを求
め、これを前記気体透過係数の式に代入して単位膜厚当
りの酸素ガス透過係数を算出し、その結果を表2に示し
た。
【0092】
【表2】
【0093】〈実写テスト〉 実施例1 コニカ社製U-Bix 3035に感光体1を装着し、帯電器及び
転写器として前記図3及び4で説明した帯電ローラ及び
転写ローラを組込んだ改造機を用い、20℃,RH60%の
雰囲気下で20万回に亘り繰返し像形成を行ない、初期と
20万回目の画質を評価し、その結果を表3に示した。
転写器として前記図3及び4で説明した帯電ローラ及び
転写ローラを組込んだ改造機を用い、20℃,RH60%の
雰囲気下で20万回に亘り繰返し像形成を行ない、初期と
20万回目の画質を評価し、その結果を表3に示した。
【0094】なお、画質評価の際のかぶり濃度及びDmax
(Maximum Density)測定用濃度計はMacbeth RD918を用
いた。
(Maximum Density)測定用濃度計はMacbeth RD918を用
いた。
【0095】実施例2及び3 実施例1の感光体1に代えて感光体2及び3を用いた他
は実施例1と同様にして像形成を行ない、画質を評価す
ると共にオゾン濃度を測定し、その結果を表3に示し
た。
は実施例1と同様にして像形成を行ない、画質を評価す
ると共にオゾン濃度を測定し、その結果を表3に示し
た。
【0096】比較例(1)及び(2) 実施例1の感光体1に代えて感光体4及び5を用いた他
は実施例と同様にして像形成を行ない、画質を評価する
と共にオゾン濃度を測定し、その結果を表3に示した。
は実施例と同様にして像形成を行ない、画質を評価する
と共にオゾン濃度を測定し、その結果を表3に示した。
【0097】比較例(3) 実施例1の帯電ローラ及び転写ローラに代えてコロナ放
電器を用いた他は実施例1と同様にして像形成を行な
い、画質を評価しかつオゾン濃度を測定し、その結果を
表3に示した。
電器を用いた他は実施例1と同様にして像形成を行な
い、画質を評価しかつオゾン濃度を測定し、その結果を
表3に示した。
【0098】
【表3】
【0099】以上の表1,表2及び表3から明らかなよ
うに、画像形成装置に、酸素ガス等のガスを透過しにく
いCTLを有する感光体が装着され、且つ前記装置内の
オゾン濃度が0.5ppm以下とされていることから、前記装
置を用いて像形成を行った場合、像形成の初期から長期
に亘り画像劣化を生ぜず、高画質が安定して得られるこ
とがわかる。
うに、画像形成装置に、酸素ガス等のガスを透過しにく
いCTLを有する感光体が装着され、且つ前記装置内の
オゾン濃度が0.5ppm以下とされていることから、前記装
置を用いて像形成を行った場合、像形成の初期から長期
に亘り画像劣化を生ぜず、高画質が安定して得られるこ
とがわかる。
【0100】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の画像形成装置によれば、電子写真性能に優れた電荷輸
送物質の選択の自由度が大で、電子写真性が優れ、特に
高感度特性を有する感光体を用いて長期の繰返し像形成
の過程で疲労劣化が少なく良質の画像が安定して提供で
きる等の効果が奏される。
の画像形成装置によれば、電子写真性能に優れた電荷輸
送物質の選択の自由度が大で、電子写真性が優れ、特に
高感度特性を有する感光体を用いて長期の繰返し像形成
の過程で疲労劣化が少なく良質の画像が安定して提供で
きる等の効果が奏される。
【図1】感光体の層構成を示す断面図。
【図2】(a)はガス透過係数測定装置の構成図及び
(b)は経過時間tと低圧側圧力Pbとの関係図。
(b)は経過時間tと低圧側圧力Pbとの関係図。
【図3】本発明に用いられる画像形成装置。
【図4】(a)圧接,離間手段を有する帯電ローラ,転
写ローラの構成図、(b)はローラの断面図。
写ローラの構成図、(b)はローラの断面図。
【図5】(a),(b)は浸漬塗布装置の断面図。
【図6】耐光試験機蛍光灯の発光スペクトル。
【図7】オゾン劣化による蛍光灯光の吸収スペクトルピ
ーク値の変化曲線。
ーク値の変化曲線。
1 導電性支持体 2 中間層 3 CGL 4 CTL 11 セル 18 恒温槽 20 像形成体(感光体) 31 帯電ローラ 38 転写ローラ P 測定点 47 クリーニング装置 48 バイアス 53 カム
Claims (2)
- 【請求項1】 少くとも電子写真感光体と該感光体の外
周に帯電、露光、現像、転写及びクリーニングの各手段
を有する画像形成装置において、該装置内のオゾン濃度
が0.5ppm以下であり、且つ前記感光体の最上層が電荷輸
送層で構成され、該電荷輸送層の単位膜厚当りの酸素ガ
ス透過係数が1.0×10-7(cc/cm2・S・cmHg)以下であるこ
とを特徴とする画像形成装置。 - 【請求項2】 前記電荷輸送層に下記一般式(1)で示
される電荷輸送物質を含有する請求項1記載の画像形成
装置。 【化1】 〔式中Xは−CH2CH2−または−CH=CH−を表し、R1及
びR2はアルキル基、アラルキル基、芳香環基または複
素環基を表し、R3及びR4は水素原子、アルキル基、ア
ルコキシ基またはハロゲン原子を表し、Arは芳香環基ま
たは複素環基を表す。〕
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4308872A JPH06161134A (ja) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | 画像形成装置 |
| US08/149,631 US5415966A (en) | 1992-11-18 | 1993-11-09 | Image forming system of low ozone generation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4308872A JPH06161134A (ja) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | 画像形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06161134A true JPH06161134A (ja) | 1994-06-07 |
Family
ID=17986282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4308872A Pending JPH06161134A (ja) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | 画像形成装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5415966A (ja) |
| JP (1) | JPH06161134A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6573017B2 (en) | 2000-12-18 | 2003-06-03 | Kyocera Mita Corporation | Single-layer type electrophotosensitive material |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5596395A (en) * | 1994-09-21 | 1997-01-21 | Ricoh Company, Ltd. | Image forming apparatus and its control system having a single device for moving a charging member and a transfer member |
| US5725667A (en) * | 1996-03-01 | 1998-03-10 | Xerox Corporation | Dip coating apparatus having a single coating vessel |
| US5720815A (en) * | 1996-03-01 | 1998-02-24 | Xerox Corporation | Dip coating apparatus having solution displacement apparatus |
| US7761020B2 (en) * | 2006-12-13 | 2010-07-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Image forming apparatus utilizing cylindrical toner particles |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61174972A (ja) * | 1985-01-30 | 1986-08-06 | Toyota Motor Corp | ル−ツ形ロ−タの樹脂コ−テイング下地処理方法 |
| DE3730258A1 (de) * | 1986-09-10 | 1988-04-07 | Canon Kk | Elektrophotographisches lichtempfindliches aufzeichnungsmaterial, 5h-dibenzo(a,d)cycloheptanylidenderivat, 5h-dibenzo(a,d)cycloheptenylidenderivat und verfahren zu ihrer herstellung |
| US5219692A (en) * | 1989-03-29 | 1993-06-15 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoconductors and tertiary amine compounds having condensed polycyclic group for use in the same |
| JP2858167B2 (ja) * | 1989-11-16 | 1999-02-17 | コニカ株式会社 | 電子写真感光体 |
-
1992
- 1992-11-18 JP JP4308872A patent/JPH06161134A/ja active Pending
-
1993
- 1993-11-09 US US08/149,631 patent/US5415966A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6573017B2 (en) | 2000-12-18 | 2003-06-03 | Kyocera Mita Corporation | Single-layer type electrophotosensitive material |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5415966A (en) | 1995-05-16 |
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