JPH06162582A

JPH06162582A - 光磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH06162582A
Application number: JP30898492A
Authority: JP
Inventors: Takahiro Yasujima; 孝浩安島; Mikio Kishimoto; 幹雄岸本
Original assignee: Hitachi Maxell Ltd
Current assignee: Maxell Ltd
Priority date: 1992-11-18
Filing date: 1992-11-18
Publication date: 1994-06-10

Abstract

(57)【要約】【目的】記録効率の高い光磁気記録媒体を提供するこ
とにある。【構成】非磁性体からなる基体１１と、その基体１１
の上に形成された光反射層１２と、その光反射層１２の
上に形成された六方晶フエライト粒子とバインダを含む
磁性層１３とを有し、前記光反射層１２として透磁率μ
が１０００以上の高透磁率材料を使用し、かつ中心波長
が７００〜８３０ｎｍの光を前記磁性層１３表面から照
射したときの光反射率が３０％以上であることを特徴と
するものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録媒体に係
り、特に非磁性体からなる基体と、その基体の上に形成
された光反射層と、その光反射層の上に形成された六方
晶フエライト粒子とバインダを含む磁性層とを有する光
磁気記録媒体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、磁気あるいは光を用いた可逆記録
再生方法としては、大きく分けて以下の３つの方法が知
られている。

【０００３】（１）磁気ヘッドを用いて媒体に信号を記
録し、磁気ヘッドを用いて信号を再生する。

【０００４】（２）レーザ光等を媒体に照射し局部的に
加熱して結晶構造を変化させ、この構造変化をレーザ光
の反射強度の差異として読み取り信号を再生する。

【０００５】（３）媒体にレーザ光を照射して磁性層の
キュリー温度あるいはネール温度以上に加熱した状態で
磁気ヘッドにより磁界を印加して特定方向に磁化し、こ
の磁化方向をレーザ光を照射したときの反射光の偏光角
度の変化から読み取って信号を再生する。

【０００６】これらの方法は、それぞれ一長一短があ
る。すなわち、前記（１）の磁気記録方法では、媒体表
面の漏れ磁界を利用して信号を再生するため、記録密度
が高くなると漏れ磁界が急激に減少するため、再生信号
も急激に小さくなる。（２）の光記録方法では、結晶構
造の変化を伴うため、繰り返して使用すると記録層が劣
化し、そのために再生信号が小さくなる。（３）の光磁
気記録方法では、媒体に高価な希土類金属などを使用す
るため媒体のコストが著しく高く、また記録時には磁気
ヘッドにより５０〜５００エルステッド程度の磁界を印
加しながらレーザ光により磁性層を加熱する必要があ
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】前述した従来の光ある
いは光磁気記録媒体では、記録時にレーザ光を照射して
加熱する必要があり、反射層は単に光を反射するだけの
もので、記録時に記録効率を高める作用はしない。

【０００８】本発明の目的は、このような問題点を解消
し、記録時にレーザ光を照射して加熱する必要がなく、
しかも反射層に工夫を加えることにより記録効率の高い
光磁気記録媒体を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、非磁性体からなる基体と、その基体の上
に形成された光反射層と、その光反射層の上に形成され
た例えばバリウムフエライトあるいはストロンチウムフ
エライトなどの六方晶フエライト粒子とバインダを含む
磁性層とを有し、前記光反射層として透磁率μが１００
０以上の例えば鉄−ニッケル系合金または鉄−ケイ素系
合金などの高透磁率材料を使用し、かつ中心波長が７０
０〜８３０ｎｍの光を前記磁性層表面から照射したとき
の光反射率が３０％以上であることを特徴とするもので
ある。

【００１０】

【作用】本発明に係る光磁気記録媒体では、垂直方向に
１０００エルステッド以上の磁界を印加することによ
り、磁化の向きを反転させて情報を記録する。情報の再
生は、ファラデー効果を利用して、レーザ光を磁性層に
照射し、反射層からの反射光の偏光面の回転を検出する
ことにより情報の再生が行われる。

【００１１】一般にこのような方法では、磁化の方向と
入射光の方向が一致する極配置の場合にファラデー効果
が大きくなる。入射光が媒体表面に垂直に入射するなら
ば、磁化は垂直方向に向く場合が再生出力が大きくな
る。すなわち、垂直磁気記録が有利である。磁性層の表
層から深層まで一様に磁化されていれば、さらに再生出
力が大きくなることは明らかである。これには、磁気ヘ
ッドの垂直磁界強度が深層まで保たれればよい（イ）。
しかしながら、磁気ヘッドの磁界分布が極狭い範囲での
み磁化反転できるほど大きく、その範囲外では急激に減
少するような分布でなければ、記録密度の向上は望めな
い（ロ）。前述の（イ）と（ロ）は相反するものである
が、本発明ではこれらの点を改善したものである。

【００１２】単磁極の磁気ヘッドを使用して、下地層が
高透磁率材料の場合と非磁性体の場合の磁性層内の磁化
分布の略図を図２２ならびに図２３に示す。

【００１３】図中の１、２は光磁気記録媒体、３は磁
束、４は主磁極、１１は基体、１２は高透磁率材料から
なる反射層、１３は磁性層、５は非磁性体からなる反射
層である。この両者の図を比較すると明らかなように、
反射層として高透磁率材料を使用した図２２の記録媒体
では、磁性層１３の深層まで磁界分布が急峻であり、光
磁気の記録再生方式に適していることが分かる。

【００１４】光磁気記録媒体では、磁性層の下方には反
射層があるが、この反射層を光反射率が高くかつ高透磁
率の材料にすれば、前述のようなことから記録特性が大
幅に改善される。

【００１５】

【実施例】次に本発明の実施例を図とともに説明する。
図１は第１実施例に係る光磁気記録媒体の拡大断面図で
ある。

【００１６】図中の１は光磁気記録媒体、１１は基体、
１２は光反射層、１３は磁性層である。

【００１７】前記基体１１としては、例えばポリエチレ
ンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレー
ト（ＰＥＮ）、ポリイミド、ポリカーボネート、エポキ
シ樹脂、ガラスなどが使用できる。

【００１８】前記光反射層１２としては、透磁率μが１
０００以上で、かつ中心波長が７００〜８３０ｎｍの光
を磁性層表面から照射したときの反射率が３０％以上の
ものが使用され、例えばＦｅ−Ｎｉ合金（透磁率μ：＞
３０００）あるいはＦｅ−Ｓｉ合金（透磁率μ：＞１０
００）などが好適である。光反射層１２の厚さは特に限
定されないが、通常は０．０２〜１μｍ程度が好まし
い。この反射層１２は、真空蒸着法やスパッタリング法
などの薄膜形成技術によつて形成されるが、前記Ｆｅ−
Ｎｉ合金やＦｅ−Ｓｉ合金など合金微粒子を基体１上に
塗布してもよい。前記磁性層１３は、少なくとも六方晶
フエライトの磁性粉とバインダとを含有している。この
六方晶フエライトの磁性粉とバインダとを含む磁性塗料
を前記光反射層１２上に、乾燥後の厚さが０．５〜２．
５μｍの範囲になるように塗布し、乾燥して磁性層１３
を形成する。この磁性層１３の厚さが薄すぎると後述の
ようにファラデー回転角が十分な大きさとならず、再生
出力が低下し、一方、厚くなりすぎると光の反射率が小
さくなるため、やはり再生出力の低下をきたす。

【００１９】前記六方晶フエライト磁性粉としては、下
記の一般式で表せるものが好適である。

【００２０】ＡＯ・ｎ〔（Ｆｅ_1-XＭ_X）₂Ｏ₃〕式中のＡ：Ｂａ、Ｓｒ、Ｐｂ、Ｃａのグループから選択
された少なくとも１種の元素、Ｍ：Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｇ
ｅ、Ｃｕ、Ｍｎのグループから選択された少なくとも１
種の元素、ｎ：４〜１０の数値、ｘ: ０．０１〜０．１５の数値。

【００２１】前記ｎおよびｘは、前記Ａ、Ｍの種類、組
合せに応じて前述の範囲から適宜選択される。なお、前
記Ｍで表せる元素は保磁力の調整のために添加される
が、無添加であつてもよく、この場合、一般式がＡＯ・
６Ｆｅ₂Ｏ₃で表せる六方晶フエライト磁性粉が特に好
ましい。

【００２２】このような六方晶フエライト磁性粉は、５
００〜５０００エルステッドの保磁力を有し、Ｃｏ変成
酸化鉄やメタル磁性粉などに比較してファデイー回転角
が非常に大きく、再生出力の向上に寄与するという特長
を有している。

【００２３】この六方晶フエライト磁性粉の粒径は、
０．０１〜０．１μｍの範囲が好適であり、使用する光
の波長の１／１０程度以下にするのが好ましい。粒径が
大きすぎるとノイズ（Ｎ）が大きくなるため、出力
（Ｓ）が大きくてもＳ／Ｎが低下する。一方、粒径が小
さすぎるとバインダ中における六方晶フエライト磁性粉
の分散性が悪くなったり、磁性層の表面平坦性が低下
し、六方晶フエライト磁性粉の特長が発揮できなくな
る。

【００２４】本発明において六方晶フエライト磁性粉を
単独で使用することもできるが、例えばＣｏ変成酸化鉄
などの他の磁性材料を添加することもできる。但し、こ
の他の磁性材料の添加率が余り高くなりすぎると、ファ
デイー回転角の向上が望めないので、この他の磁性材料
の添加率は５０重量％以下に制限した方がよい。

【００２５】磁性層中のバインダは、六方晶フエライト
磁性粉を主体とした磁性粉を分散、結着させるためのも
ので、例えば塩化ビニル−酢酸ビニル系樹脂、ポリウレ
タン系樹脂、ポリエステル系樹脂、繊維素系樹脂、ポリ
ビニルブチラール系樹脂、各種の紫外線，電子線硬化樹
脂などが使用される。またこれらのバインダに、例えば
ポリイソシアネート化合物などの架橋剤、硬化剤など各
種の添加剤が必要に応じて添加される。

【００２６】信号の記録は図２に示すように、通常のリ
ング型磁気ヘツド１５を用いて行う。図３は、このリン
グ型磁気ヘツド１５を用いて磁性層１３に信号を記録し
たときの磁性層１３内の磁化ベクトルを模式的に示す図
である。

【００２７】信号の再生は、原理的には図４に示すよう
に光磁気ディスクの再生方式と同様の方法、すなわち、
半導体レーザからなる光源１５から直線偏向された光を
磁性層１３に照射し、この磁性層１３内を通過し、光反
射層１２で反射して戻ってきた光のうち偏向を受けて戻
ってきた光の量を検出器１６で検出するようになってい
る。図中のＬ１〜３はレンズ、Ｐ１、Ｐ２はプリズムで
ある。

【００２８】この実施例に係る光磁気ディスクの諸特性
の一例を図５ないし図７に示す。なお、ファラデー回転
角は日本分光社製の光磁気ディスク検査装置を使用し、
中心波長８３０ｎｍにおいて、１０キロエルステッドの
磁界を印加したときのヒステリシス曲線を測定し、残留
状態でのファラデー回転角を求めた。図５に前記ヒステ
リシス曲線の一例を示す。

【００２９】また光反射率は、日立製作所社製の分光器
を使用し、中心波長８３０ｎｍにおける光反射率をアル
ミニウムのレフアレンス板に対する値で示した。図６は
磁性層の厚さとファラデー回転角との関係を、図７は磁
性層の厚さと光反射率との関係を、それぞれ示してい
る。

【００３０】これらの図から明らかなように、０．３度
以上のカー回転角を得るためには磁性層の厚さが０．５
μｍ以上必要であり、一方、３０％以上の光反射率を得
るためには磁性層の厚さを２．５μｍ以下にする必要が
ある。なお、光反射率が３０％未満であると、磁性層か
らの反射光量が不十分となり、再生出力が低下するた
め、光反射率は３０％以上にする必要がある。

【００３１】前述のような傾向は、中心波長が７００〜
８３０ｎｍの範囲において同様であることが確認されて
いる。

【００３２】図８は、光反射層１２の透磁率と再生出力
との関係を示す特性図である。この図から明らかなよう
に、光反射層１２の透磁率μが１０００以上であると再
生出力が高く、しかも安定していることが分かる。

【００３３】図９は、本発明の第２実施例を説明するた
めの図である。この実施例の場合、補助磁極励磁型の垂
直磁気ヘッドが使用されている。すなわち同図に示すよ
うに、磁性層１３側に主磁極１７が、基体１１側に補助
磁極１８がそれぞれ配置され、その補助磁極１８側に励
磁コイル１９が巻装されている。この励磁コイル１９に
電流を流し、補助磁極１８から発生する磁界で前記主磁
極１７を磁化し、主磁極１７の先端に磁束が集中する。
そのため磁性層１３の表面に対して強い垂直磁界が生
じ、これにより磁性層１３内の磁化の向きを変化させ
る。

【００３４】通常、磁気光学効果が大きく現れるのは、
磁化の向きが再生光に対して平行な場合であり、そのと
きの磁化は磁性層表面に対して垂直に向くのが望まし
い。よって、磁気ヘッドは、この実施例のように補助磁
極励磁型の垂直磁気ヘッドに限らず、垂直方向に強い磁
界成分を生じるような磁気ヘッドであればよい。

【００３５】光源１５、検出器１６、レンズＬ１〜３、
プリズムＰ１、Ｐ２、コンバータ２０などからなる光ピ
ックアップ２１は、前述した第１実施例と同様に光ピッ
クアップ２１からの照射光が磁性層１３を透過し、光反
射層１２で反射され、また光ピックアップ２１に戻る構
成になっている。この光ピックアップ２１は再生専用の
ため、光源１５は低出力でよく、記録媒体の反射率が３
０％であれば、光源１５の光放出パワーは２ｍＷ以下で
よい。

【００３６】記録媒体の移動方向Ｘは、磁気ヘッド記録
点から光ピックアップ２１の照射点の方向が望ましい。
その方向に移動すれば、記録後直ちに再生できるので、
記録情報の照合をすぐ行うことができる。

【００３７】図１０は本発明の第３実施例を示す図で、
この実施例の場合、記録媒体の走行方向Ｘの上流側にリ
ング型磁気ヘッド１５が、その後流側に光ピックアップ
２１が、それぞれ配置されている。

【００３８】この実施例において、前記リング型磁気ヘ
ッド１５のギャップ長を３μｍ、トラック幅を２００μ
ｍ、光ピックアップ２１の光源出力を２ｍＷ、スポット
径を１０μｍ、記録媒体の飽和磁化を１８００ガウス、
垂直方向の保磁力を９００エルステッド、垂直方向の角
型比を０．８とした場合の光再生出力の記録電流依存性
を図１１に、記録密度依存性を図１２に、それぞれ示
す。

【００３９】図１３は本発明の第４実施例を示す図で、
この実施例の場合、光ピックアップ２１の上流側に、主
磁極１７に励磁コイル１９を巻装した主磁極励磁型の磁
気ヘッドが配置されている。

【００４０】図１４は本発明の第５実施例を示す図で、
この実施例の場合、光磁気記録媒体１と対向する先端部
が鋭角になった主磁極１７と、光磁気記録媒体１を介し
て主磁極１７と対向する補助磁極１８とがマンガン−亜
鉛フェライトやニッケル−亜鉛フェライトなどからなる
連結磁性体２３とによって連結されている。この実施例
では補助磁極１８に励磁コイル１９が巻装されて、補助
磁極励磁型磁気ヘッドの構成になっている。

【００４１】このように主磁極１７と補助磁極１８とを
連結磁性体２３によって連結すれば、情報を記録する
際、補助磁極１８→空隙（光磁気記録媒体１）→主磁極
１７→連結磁性体２３→補助磁極１８という磁束経路を
とり、連結磁性体２３の材料ならびに（あるいは）形状
を最適に設計すれば磁束経路のリラクタンスが極めて小
さくなり、そのため漏れ磁束が減少する。これにより、
小さい起磁力で強い磁界が発生し、主磁極から離れた点
でも強い磁界が得られる。また、漏れ磁束が少ないの
で、比較的鋭い磁界分布が得られるため、主磁極から記
録媒体が離れても強くかつ鋭い磁界分布が生じ、良好な
記録ができる。

【００４２】図１５は、この連結磁性体が有る場合（図
中の曲線イ）と無い場合（図中の曲線ロ）との磁束分布
の変化を示した特性図である。図中の横軸はトラック方
向の位置を、縦軸は垂直方向の磁束密度を示している。
この特性図から明らかなように、主磁極と補助磁極とを
連結磁性体で磁気的に連結すれば強い磁界が得られ、そ
の端部の勾配も大きく磁界分布が鋭くなることが分か
る。

【００４３】図１６は本発明の第６実施例を示す図で、
この実施例の場合、主磁極１７が例えばガラスやセラミ
ックなどからなる非磁性基体２４と、例えば結晶質合金
あるいは非晶質合金などからなる高透磁率磁性膜２５と
から構成され、その高透磁率磁性膜２５は前記非磁性基
体２４でサンドイッチ状に挟まれて補強れている。

【００４４】前記高透磁率磁性膜２５として用いられる
結晶質合金としては、例えば鉄−アルミニウム−ケイ素
系合金、鉄−ケイ素系合金ならびに鉄−ニッケル系合金
などがある。また非晶質合金としては、例えば鉄，ニッ
ケル，コバルトのグループから選択された１種以上の元
素と、リン，炭素，ホウ素，ケイ素のグループから選択
された１種以上の元素とからなる合金、またはこれらを
主成分としてアルミニウム，ゲルマニウム，ベリリウ
ム，スズ，モリブデン，インジュウム，タングステン，
チタン，マンガン，クロム，ジルコニウム，ハフニウ
ム，ニオブなどの元素を添加した合金、あるいはコバル
ト，ジルコニウムを主成分として、前述の添加元素を含
んだ合金などがある。

【００４５】また、主磁極１７と補助磁極１８の磁極部
は、例えばガラス，セラミック，硬質合成樹脂などの非
磁性体からなる補強体２５、２５に埋設、補強されてい
る。

【００４６】図１７は本発明の第７実施例を示す図で、
この実施例の場合、主磁極１７とともに補助磁極１８の
方も例えばガラスやセラミックなどからなる非磁性基体
２４と、例えば結晶質合金あるいは非晶質合金などから
なる高透磁率磁性膜２５とから構成され、その高透磁率
磁性膜２５は前記非磁性基体２４によって補強されてい
る。

【００４７】これら第６、７実施例のように、高透磁率
磁性膜２５を磁極部に使用すれば、さらに強くかつ分布
の鋭い磁界が発生できる。なお、これら実施例では高透
磁率磁性膜２５を使用したが、膜状でなくても例えば細
い帯状のものあるいは針状のものでもよい。

【００４８】図１８は、本発明の第８実施例を示す図
で、この実施例の場合、磁性層１３上に保護層２６が設
けられている。この保護層２６は光学的に透明でかつ複
屈折の少ない材料、例えばポリメチルメタクリレート、
ポリカーボネート、ポリオレフィンなどが好適である。

【００４９】この保護層２６の厚さは、磁性層１３から
の漏れ磁界が保護層２６の表面まで届かない程度の厚さ
が必要で、好ましくは１０μｍ以上とすれば磁気ヘッド
による記録情報の読み取りが防止できる。この保護層２
６は磁性層１３上に塗布法によって形成してもよく、ま
た適当な厚さの膜（シート）を磁性層１３上に貼り合わ
せてもよい。

【００５０】この具体例を示せば、下記の通りである。

【００５１】ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フ
ィルムからなる非磁性の基体１１上に、Ｆｅ−Ｎｉ合金
を厚さが約０．１μｍになるように蒸着して光反射層１
２を形成した。

【００５２】次に平均粒子径が０．０６μｍのバリウム
フェライト磁性粉を用いて磁性塗料を作成した。バイン
ダとして、水酸基含有塩化ビニル樹脂と熱可塑性ポリウ
レタン樹脂と三官能性ポリイソシアネート化合物とを重
量比で５：３：２の割合で混合し、このバインダと前記
バリウムフェライト磁性粉との重量比が２：８の割合に
なる磁性塗料を以下の要領で調整した。

【００５３】すなわち、水酸基含有塩化ビニル樹脂と熱
可塑性ポリウレタン樹脂とバリウムフェライト磁性粉と
の混合物１００重量部に対し、溶剤としてシクロヘキサ
ノンとトルエンとをそれぞれ７５重量部加え、サンドミ
ルにより混合分散させたのち、三官能性ポリイソシアネ
ート化合物を加えて撹拌、混合することにより磁性塗料
とした。

【００５４】この磁性塗料を、前記光反射層１２上に、
磁界強度が４０００エルステツドの対向磁場中で厚さ
２．０μｍに塗布したのち、乾燥して磁性層１３を得
た。この磁性層１３の垂直方向における保磁力Ｈｃは１
１８０エルステッド、角型比Ｂｒ／Ｂｍは０．８２であ
った。

【００５５】このようにして基体１１上に光反射層１２
と磁性層１３とを順次形成したシートをカード基材に貼
り、さらに磁性層１３の表面に厚さ１２０μｍのポリメ
チルメタクリレートのシートを貼り付けて、磁性層１３
上に保護層２６を形成した。

【００５６】情報の記録は図１９に示すように略Ｃ字形
の垂直磁気ヘッドを用い、垂直方向に磁界を印加して情
報の記録を行う。この実施例の場合、記録密度２０μｍ
の矩形波を記録した。

【００５７】記録情報の再生は、図２０に示すように半
導体レーザからなる光源１５を用い、その光源１５から
出力されたレーザ光２７は保護層２６を透過して磁性層
１３に照射される。そして磁性層１３からの反射光は、
検出器１６で検出される。磁性層１３に記録された信号
の磁化方向により偏光面はプラスまたはマイナス方向に
回転するため、この偏光面の回転を前記検出器１６で光
量の変化として検出することにより、記録情報が読み取
れる。

【００５８】図２１は、信号を記録したトラック上をレ
ーザ光２７を照射したときの光磁気信号の出力の変化を
説明するための図である。同図に示すように、磁性層１
３内で上向きに磁化されているか、下向きに磁化されて
いるかによって、光磁気信号出力は大きく変化し、光磁
気効果を利用して信号を再生することができることを示
している。

【００５９】なお、保護層２６の表面にリング型磁気ヘ
ッドを走査させても全く信号が検出されず、また、保護
層２６の表面に磁性コロイドを滴下したが全くパターン
は認められず、磁性層１３からの漏れ磁界が保護層２６
の表面まで届いてないことを示している。

【００６０】このように保護層２６を形成した光磁気記
録媒体は、磁性層１３に例えば暗証用バーコード情報な
どの暗証情報を記録するのに好適である。

【００６１】前記図１８に示した第８実施例において反
射層１２に高透磁率磁性材料を使用しない場合、つまり
反射層／磁性層／厚い保護層の構成も可能である。

【００６２】

【発明の効果】本発明は前述のように、光反射層に高透
磁率材料を使用することにより、記録時にレーザ光を照
射して加熱する必要がなく、しかも図２２に示すように
磁性層の深層まで磁界分布が急峻となり、光磁気記録媒
体の記録特性を向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例に係る光磁気記録媒体の拡
大断面図である。

【図２】その光磁気記録媒体の記録状態を示す説明図で
ある。

【図３】その光磁気記録媒体の記録状態での磁気ベクト
ル示す説明図である。

【図４】その光磁気記録媒体の再生状態を示す説明図で
ある。

【図５】その光磁気記録媒体における磁性層のヒステリ
シス特性図である。

【図６】その光磁気記録媒体における磁性層の厚さとカ
ー角度との関係を示す特性図である。

【図７】その光磁気記録媒体における磁性層の厚さと光
反射率との関係を示す特性図である。

【図８】その光磁気記録媒体における光反射層の透磁率
と再生出力との関係を示す特性図である。

【図９】本発明の第２実施例を示す説明図である。

【図１０】本発明の第３実施例を示す説明図である。

【図１１】記録電流と再生出力との関係を示す特性図で
ある。

【図１２】記録密度と再生出力との関係を示す特性図で
ある。

【図１３】本発明の第４実施例を示す説明図である。

【図１４】本発明の第５実施例を示す説明図である。

【図１５】磁気ヘッドに連結磁性体が有る場合と無い場
合の磁束分布の変化を示す特性図である。

【図１６】本発明の第６実施例を示す説明図である。

【図１７】本発明の第７実施例を示す説明図である。

【図１８】本発明の第８実施例を示す説明図である。

【図１９】第８実施例の光磁気記録媒体の記録状態を示
す説明図である。

【図２０】第８実施例の光磁気記録媒体の再生状態を示
す説明図である。

【図２１】第８実施例の光磁気記録媒体における再生時
の出力変化を示す説明図である。

【図２２】高透磁率の反射層を使用した場合の磁界分布
を示す説明図である。

【図２３】非磁性の反射層を使用した場合の磁界分布を
示す説明図である。

【符号の説明】

１光磁気記録媒体１１基体１２光反射層１３磁性層２６保護層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性体からなる基体と、その基体の上
に形成された光反射層と、その光反射層の上に形成され
た六方晶フエライト粒子とバインダを含む磁性層とを有
し、前記光反射層として透磁率μが１０００以上の高透磁率
材料を使用し、かつ中心波長が７００〜８３０ｎｍの光
を前記磁性層表面から照射したときの光反射率が３０％
以上であることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２】請求項１記載において、前記光反射層が
鉄−ニッケル系合金または鉄−ケイ素系合金などの高透
磁率磁性材料であることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項３】請求項１記載において、前記六方晶フエ
ライトがバリウムフエライトであることを特徴とする光
磁気記録媒体。
【請求項４】請求項１または請求項３記載において、
前記磁性層の厚さが０．５〜２．５μｍの範囲に規制さ
れていることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項５】請求項１記載において、前記磁性層の上
に光学的に透明でかつその磁性層からの漏れ磁界が表面
まで届かない厚さを有する保護層が設けられていること
を特徴とする光磁気記録媒体。