JPH06163095A - サーマル・プラグを有する超電導接続リード線 - Google Patents
サーマル・プラグを有する超電導接続リード線Info
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- JPH06163095A JPH06163095A JP4173147A JP17314792A JPH06163095A JP H06163095 A JPH06163095 A JP H06163095A JP 4173147 A JP4173147 A JP 4173147A JP 17314792 A JP17314792 A JP 17314792A JP H06163095 A JPH06163095 A JP H06163095A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R4/00—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation
- H01R4/58—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation characterised by the form or material of the contacting members
- H01R4/68—Connections to or between superconductive connectors
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- H—ELECTRICITY
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 異なった温度の2つの領域の遷移領域に於け
る信頼性の高い電気リード線を提供する。 【構成】 温度の異なった第1領域と第2領域との間を
電気的に接続するサーマル・プラグが開示され、上記の
サーマル・プラグは、複数の積層された熱伝導に対して
抵抗性のある薄片と熱伝導性の薄片とを有する。これら
の薄片を共に積み重ねてラミネート部材を形成し、この
積み重ねたスタックに複数の超電導のより線を取り付
け、その結果、これらのより線はこのラミネートと熱的
に接触する。超電導のより線は、また第1領域の導電体
(例えば、低温超電導体)及び第2領域の伝導体と電気
的に接触し、第1領域の導電体に電気エネルギーを供給
し、またこの導電体から電気エネルギーを取り出すこと
を可能にする。
る信頼性の高い電気リード線を提供する。 【構成】 温度の異なった第1領域と第2領域との間を
電気的に接続するサーマル・プラグが開示され、上記の
サーマル・プラグは、複数の積層された熱伝導に対して
抵抗性のある薄片と熱伝導性の薄片とを有する。これら
の薄片を共に積み重ねてラミネート部材を形成し、この
積み重ねたスタックに複数の超電導のより線を取り付
け、その結果、これらのより線はこのラミネートと熱的
に接触する。超電導のより線は、また第1領域の導電体
(例えば、低温超電導体)及び第2領域の伝導体と電気
的に接触し、第1領域の導電体に電気エネルギーを供給
し、またこの導電体から電気エネルギーを取り出すこと
を可能にする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、一般的に極低温に保持
した装置用の電気リード線に関し、特に異なった温度の
2つの領域の間の遷移領域に於ける電気リード線に関す
る。
した装置用の電気リード線に関し、特に異なった温度の
2つの領域の間の遷移領域に於ける電気リード線に関す
る。
【0002】
【従来の技術】超電導材料をその材料が超電導状態にな
る臨界温度より低い温度にするには、低温超電導体を使
用する装置を冷凍しなければならない。多くの超電導体
(低温超電導体)にとって、この臨界温度は非常に低
く、しばしば液体ヘリウムの温度に近い。他の超電導体
は、高温超電導体(HTS)であって、(現時点で使用
可能なHTSの場合)約82Kよりも低い温度に保持し
なければならない。いずれの場合でも、室温(295
K)と超電導装置の温度との差は非常に大きい。また、
低温超電導体を有する領域とHTSを有する領域との間
の温度差も、非常に大きい場合がある。この大きな温度
差の結果として、これらの領域の間の電気リード線の遷
移領域にある小さな熱伝導性の領域を通過する場合に発
生するエネルギーの損失でさえ、重要な問題になり得
る。
る臨界温度より低い温度にするには、低温超電導体を使
用する装置を冷凍しなければならない。多くの超電導体
(低温超電導体)にとって、この臨界温度は非常に低
く、しばしば液体ヘリウムの温度に近い。他の超電導体
は、高温超電導体(HTS)であって、(現時点で使用
可能なHTSの場合)約82Kよりも低い温度に保持し
なければならない。いずれの場合でも、室温(295
K)と超電導装置の温度との差は非常に大きい。また、
低温超電導体を有する領域とHTSを有する領域との間
の温度差も、非常に大きい場合がある。この大きな温度
差の結果として、これらの領域の間の電気リード線の遷
移領域にある小さな熱伝導性の領域を通過する場合に発
生するエネルギーの損失でさえ、重要な問題になり得
る。
【0003】幾つかの用途では、第1領域で1.8Kの
超液体ヘリウム(He II)の槽によって、低温超電
導体を(2.17Kより低い)所望の低温に保持する。
液体ヘリウム(He I)の槽内で、隣接する領域を
4.2Kに保持する。この領域の長さ対断面積は、リー
ド線が超電導状態で動作中のより低い熱伝導と、リード
線がエネルギーの乱れによって通常の導電体になった場
合のより小さいオーム発熱の間の二律背反の関係であ
る。1ワットの熱の洩れをなくするには約1000ワッ
トの冷凍電力を必要ので、1.8Kになろうとする全て
の熱の漏れを最小にすることが有利である。
超液体ヘリウム(He II)の槽によって、低温超電
導体を(2.17Kより低い)所望の低温に保持する。
液体ヘリウム(He I)の槽内で、隣接する領域を
4.2Kに保持する。この領域の長さ対断面積は、リー
ド線が超電導状態で動作中のより低い熱伝導と、リード
線がエネルギーの乱れによって通常の導電体になった場
合のより小さいオーム発熱の間の二律背反の関係であ
る。1ワットの熱の洩れをなくするには約1000ワッ
トの冷凍電力を必要ので、1.8Kになろうとする全て
の熱の漏れを最小にすることが有利である。
【0004】電源の室温環境と超電導装置の極低温環境
とをブリッジする電気リード線(遷移リード線)を介し
て熱伝導が発生する可能性がある。リード線は冷凍する
装置の外部からこの超電導装置に電流を供給するために
設けられ、しばしば非常に高い電流を流す。不幸なこと
に、通常の導電体、特に高い電流負荷用に設計された導
電体は、一般的に優れた熱伝導体である。また、大量の
電流が通常の導電体の中を流れる場合、抵抗による熱損
失を発生する。したがって、冷凍された超電導装置に通
常の導電リード線を接続する場合、これらのリード線は
超電導装置の冷凍装置に過大な負荷を課する可能性があ
る。装置を冷凍するために加えた電力によって、システ
ム全体の電力効率が著しく劣化する可能性がある。
とをブリッジする電気リード線(遷移リード線)を介し
て熱伝導が発生する可能性がある。リード線は冷凍する
装置の外部からこの超電導装置に電流を供給するために
設けられ、しばしば非常に高い電流を流す。不幸なこと
に、通常の導電体、特に高い電流負荷用に設計された導
電体は、一般的に優れた熱伝導体である。また、大量の
電流が通常の導電体の中を流れる場合、抵抗による熱損
失を発生する。したがって、冷凍された超電導装置に通
常の導電リード線を接続する場合、これらのリード線は
超電導装置の冷凍装置に過大な負荷を課する可能性があ
る。装置を冷凍するために加えた電力によって、システ
ム全体の電力効率が著しく劣化する可能性がある。
【0005】多くの超電導体の用途の場合、例えば、核
磁器共鳴診断装置や粒子加速装置で使用される超電導磁
石の場合、装置の充放電の間のみ電流がこの装置に加え
られる。装置の充電と放電に費される時間は、装置を外
部装置と電気的に接続しなくてもよい(待機モードの)
時間に比例して非常に短いので、装置に接続した電気リ
ード線を待機時間の間中切っておくのが一般的な習慣で
ある。
磁器共鳴診断装置や粒子加速装置で使用される超電導磁
石の場合、装置の充放電の間のみ電流がこの装置に加え
られる。装置の充電と放電に費される時間は、装置を外
部装置と電気的に接続しなくてもよい(待機モードの)
時間に比例して非常に短いので、装置に接続した電気リ
ード線を待機時間の間中切っておくのが一般的な習慣で
ある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】不幸なことに、取り外
し可能なリード線の機械的接合部によって、システムの
信頼性が低下する。機械的接合部は極端な温度変化と過
酷な環境にさらされ、このことは超電導装置の機能にと
って悲惨な状態につながりかねない。「熱損失の少ない
リード線のインタフェース」(「Low Heat L
oss Lead Interface」)という名称
の、ヒラル(Hilal)による米国特許出願番号第0
7/422,642号で説明された他のシステムは、温
度の異なった2つの領域を分離するディスクを有する。
このディスクの中に超電導性の巻線がある。ディスクの
一方の側を比較的高温の領域にある通常の導電リード線
に接続する。このディスクの他方の側を比較的低温の領
域にある超電導リード線に接続する。ディスクは金属製
であり、その中に冷却剤が通り抜けられるチャネルが形
成されている。第1温度領域の超電導体を第2温度領域
に接続する別の種類のリード線について、1990年9
月24日から28日迄コロラド州スノー・マス・ヴィレ
ージ(Snow Mass Village,Colo
rado)で開催された応用超電導会議(Applie
d Superconductivity Confe
rence)で報告が行われた。そこで報告されたリー
ド線は、低温超電導体を高温超電導体(HTS)に接続
するように設計され、従来の銅のリード線の下部をHT
Sのテープまたは棒材に置き換えたものであった。HT
Sのテープまたはバーは、I2 Rの損失がなく、熱伝導
も非常に低い。しかし、これらの種類のリード線は不安
定である。もしHTSが通常の状態になれば(即ち、H
TSが超電導でなくなる点迄温度が上昇すると)、銅の
分路が取り除かれて導電による熱の負荷が少なくなるの
で、電流が流れるべき銅の分路がなくなり、その結果と
して過熱が生じて温度が急速に上昇する。
し可能なリード線の機械的接合部によって、システムの
信頼性が低下する。機械的接合部は極端な温度変化と過
酷な環境にさらされ、このことは超電導装置の機能にと
って悲惨な状態につながりかねない。「熱損失の少ない
リード線のインタフェース」(「Low Heat L
oss Lead Interface」)という名称
の、ヒラル(Hilal)による米国特許出願番号第0
7/422,642号で説明された他のシステムは、温
度の異なった2つの領域を分離するディスクを有する。
このディスクの中に超電導性の巻線がある。ディスクの
一方の側を比較的高温の領域にある通常の導電リード線
に接続する。このディスクの他方の側を比較的低温の領
域にある超電導リード線に接続する。ディスクは金属製
であり、その中に冷却剤が通り抜けられるチャネルが形
成されている。第1温度領域の超電導体を第2温度領域
に接続する別の種類のリード線について、1990年9
月24日から28日迄コロラド州スノー・マス・ヴィレ
ージ(Snow Mass Village,Colo
rado)で開催された応用超電導会議(Applie
d Superconductivity Confe
rence)で報告が行われた。そこで報告されたリー
ド線は、低温超電導体を高温超電導体(HTS)に接続
するように設計され、従来の銅のリード線の下部をHT
Sのテープまたは棒材に置き換えたものであった。HT
Sのテープまたはバーは、I2 Rの損失がなく、熱伝導
も非常に低い。しかし、これらの種類のリード線は不安
定である。もしHTSが通常の状態になれば(即ち、H
TSが超電導でなくなる点迄温度が上昇すると)、銅の
分路が取り除かれて導電による熱の負荷が少なくなるの
で、電流が流れるべき銅の分路がなくなり、その結果と
して過熱が生じて温度が急速に上昇する。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、サーマ
ル・プラグを有する超電導接続リード線は、遷移領域を
介して温度の異なった第1領域と第2領域を電気的に接
続し、また複数の交互に積層された熱伝導に抵抗性を有
する薄片と、熱伝導性の良好な薄片から形成されたプラ
グを有する。薄片は相互に密着して保持され、ラミネー
ト部材のスタックを形成し、一般的にこのスタックの一
端部は第1領域に隣接し、このスタックの他端部は第2
領域に隣接している。複数の超電導のより線を、薄片と
接触して熱を伝導するように、スタックの外面に取り付
ける。超電導のより線は、また第1領域の導電体と第2
領域の導電体とも電気的に接触し、これらの両導電体は
超電導体であってもよい。
ル・プラグを有する超電導接続リード線は、遷移領域を
介して温度の異なった第1領域と第2領域を電気的に接
続し、また複数の交互に積層された熱伝導に抵抗性を有
する薄片と、熱伝導性の良好な薄片から形成されたプラ
グを有する。薄片は相互に密着して保持され、ラミネー
ト部材のスタックを形成し、一般的にこのスタックの一
端部は第1領域に隣接し、このスタックの他端部は第2
領域に隣接している。複数の超電導のより線を、薄片と
接触して熱を伝導するように、スタックの外面に取り付
ける。超電導のより線は、また第1領域の導電体と第2
領域の導電体とも電気的に接触し、これらの両導電体は
超電導体であってもよい。
【0008】サーマル・プラグを有するリード線は、第
1デュワーに設けられ、第1温度に保持された第1領域
と、第のデュワーに設けられ、第2温度で保持された第
2領域を有する超電導リード線を一体化されてもよい。
両者の間に設けられた断熱フランジは開口部を有し、こ
の開口部を介してリード線が第1領域と第2領域の間に
延びる。交互に積層された熱抵抗性の薄片と熱伝導性の
薄片とのスタックとして形成されたサーマル・プラグ
を、この開口部の中に配設する。複数の超電導のより線
を薄片に取り付け、また熱を伝導するようにこの薄片と
接触させる。超電導のより線は、また第1領域の導電体
及び第2領域の導電体とも電気的に接触する。
1デュワーに設けられ、第1温度に保持された第1領域
と、第のデュワーに設けられ、第2温度で保持された第
2領域を有する超電導リード線を一体化されてもよい。
両者の間に設けられた断熱フランジは開口部を有し、こ
の開口部を介してリード線が第1領域と第2領域の間に
延びる。交互に積層された熱抵抗性の薄片と熱伝導性の
薄片とのスタックとして形成されたサーマル・プラグ
を、この開口部の中に配設する。複数の超電導のより線
を薄片に取り付け、また熱を伝導するようにこの薄片と
接触させる。超電導のより線は、また第1領域の導電体
及び第2領域の導電体とも電気的に接触する。
【0009】第1温度の第1導電体を遷移領域を介して
第2温度の第2導電体と電気的に接続し、また共に結束
した複数の銅管を有する遷移リード線として、本発明を
具現化してもよく、この場合、各銅管は、第1導電体に
接続した第1端部と第2導電体に接続した第2端部を有
する。これらの銅管は、その外面に設けられた複数の超
電導のより線を有し、これらのより線は、第1導電体と
第2導電体に電気的に接続される。これらの銅管は、第
1導電体から第2導電体への熱を遮断するため、銅管内
に間隔を設けて配設された複数の本発明のサーマル・プ
ラグのラミネート部材を有する。さらに、各スタックの
薄片の少なくとも1つは熱伝導に対する抵抗性を有し、
スタックの周辺部に超電導のより線を取り付ける。
第2温度の第2導電体と電気的に接続し、また共に結束
した複数の銅管を有する遷移リード線として、本発明を
具現化してもよく、この場合、各銅管は、第1導電体に
接続した第1端部と第2導電体に接続した第2端部を有
する。これらの銅管は、その外面に設けられた複数の超
電導のより線を有し、これらのより線は、第1導電体と
第2導電体に電気的に接続される。これらの銅管は、第
1導電体から第2導電体への熱を遮断するため、銅管内
に間隔を設けて配設された複数の本発明のサーマル・プ
ラグのラミネート部材を有する。さらに、各スタックの
薄片の少なくとも1つは熱伝導に対する抵抗性を有し、
スタックの周辺部に超電導のより線を取り付ける。
【0010】本発明の他の目的、特徴及び利点は、添付
図と関連して下記に述べる詳細な説明から明らかにな
る。
図と関連して下記に述べる詳細な説明から明らかにな
る。
【0011】
【実施例】本発明の代表的な用途は、超液体ヘリウム
(He II)領域にある超電導体と、液体ヘリウム
(He I)領域にある導電体との間に超電導の電気接
続部を設けることである。図を参照すると、図1は、一
般的に番号100で示す図示の超電導装置の部分断面図
を示し、この装置は、上記のような領域とそれらの間の
遷移領域とを有する。装置100は、円筒形の断熱性デ
ュワー102と104、第1領域にある超電導リード線
105、遷移リード線106、断熱フランジ110、サ
ーマル・プラグ112及び第2領域にある導電性のリー
ド線114を有し、導電性のリード線114は、通常の
導電性リード線でよい。
(He II)領域にある超電導体と、液体ヘリウム
(He I)領域にある導電体との間に超電導の電気接
続部を設けることである。図を参照すると、図1は、一
般的に番号100で示す図示の超電導装置の部分断面図
を示し、この装置は、上記のような領域とそれらの間の
遷移領域とを有する。装置100は、円筒形の断熱性デ
ュワー102と104、第1領域にある超電導リード線
105、遷移リード線106、断熱フランジ110、サ
ーマル・プラグ112及び第2領域にある導電性のリー
ド線114を有し、導電性のリード線114は、通常の
導電性リード線でよい。
【0012】デュワー102を設け、ヘリウムIIの槽
をラムダ点(2.17K)よりも低い温度、好ましくは
1.8Kの温度に保持する。超液体ヘリウムII槽内
で、超電導リード線105を1.8Kの温度にまた保持
されている電気エネルギー貯蔵磁石のような他の超電導
体(図示せず)に接続してもよい。 遷移リード線10
6は、OFHC銅のような非常に優れた熱伝導体から形
成されたソリッド・コアに取り付けられた複数の超電導
のより線116を有する。遷移リード線106は、He
II領域を介して延び、フランジ110を介して円筒形
の開口部120に入る。フランジ110は、G10ガラ
ス繊維エポキシのような極低温で非常に断熱性に優れた
材料によって構成され、デュワー102によって保持さ
れている1.8Kの超液体ヘリウムIIの領域に面する
第1面122を有する。フランジ110の第2面124
は、デュワー104内で保持されている4.2Kの液体
ヘリウム(He I)の領域に面し、したがってフラン
ジ110は、4.2Kの領域と1.8Kの領域とを断熱
する。デュワー104は、フランジ110と4.2Kの
液体ヘリウム領域の両方を取り囲む。
をラムダ点(2.17K)よりも低い温度、好ましくは
1.8Kの温度に保持する。超液体ヘリウムII槽内
で、超電導リード線105を1.8Kの温度にまた保持
されている電気エネルギー貯蔵磁石のような他の超電導
体(図示せず)に接続してもよい。 遷移リード線10
6は、OFHC銅のような非常に優れた熱伝導体から形
成されたソリッド・コアに取り付けられた複数の超電導
のより線116を有する。遷移リード線106は、He
II領域を介して延び、フランジ110を介して円筒形
の開口部120に入る。フランジ110は、G10ガラ
ス繊維エポキシのような極低温で非常に断熱性に優れた
材料によって構成され、デュワー102によって保持さ
れている1.8Kの超液体ヘリウムIIの領域に面する
第1面122を有する。フランジ110の第2面124
は、デュワー104内で保持されている4.2Kの液体
ヘリウム(He I)の領域に面し、したがってフラン
ジ110は、4.2Kの領域と1.8Kの領域とを断熱
する。デュワー104は、フランジ110と4.2Kの
液体ヘリウム領域の両方を取り囲む。
【0013】孔の無いむくの銅製のリード線118をサ
ーマル・プラグ112の第1端部にはんだ付けし、この
サーマル・プラグ112もまたフランジ110の円筒形
の領域120の中に配設する。サーマル・プラグ112
は、その第2の端部がフランジ110の面124と実質
的に同一平面になるように、円筒形の領域120内で軸
方向に位置するのが好ましい。本発明の他の実施例で
は、サーマル・プラグ112を、その第2端部がフラン
ジ110の面124と同一平面にならないように配設し
てもよい。
ーマル・プラグ112の第1端部にはんだ付けし、この
サーマル・プラグ112もまたフランジ110の円筒形
の領域120の中に配設する。サーマル・プラグ112
は、その第2の端部がフランジ110の面124と実質
的に同一平面になるように、円筒形の領域120内で軸
方向に位置するのが好ましい。本発明の他の実施例で
は、サーマル・プラグ112を、その第2端部がフラン
ジ110の面124と同一平面にならないように配設し
てもよい。
【0014】通常のリード線114を、4.2Kの液体
ヘリウムの領域内のサーマル・プラグ112の第2面
(即ちフランジ110の面124と同一平面の面)には
んだ付けし、このリード線114も、またOFHC銅に
よって構成されたむくのリード線であることが好まし
い。電流は通常のリード線114、サーマル・プラグ1
12と遷移リード線106及び超電導リード線105を
介して超電導装置に供給され、またはこの超電導装置か
ら取り出されることができる。図2と図3を参照して以
下で説明するように、サーマル・プラグ112は、4.
2Kの領域と1.8Kの領域の間に電気を伝え、一方こ
れらの領域の間で非常に低い熱伝導を行うように設計さ
れる。
ヘリウムの領域内のサーマル・プラグ112の第2面
(即ちフランジ110の面124と同一平面の面)には
んだ付けし、このリード線114も、またOFHC銅に
よって構成されたむくのリード線であることが好まし
い。電流は通常のリード線114、サーマル・プラグ1
12と遷移リード線106及び超電導リード線105を
介して超電導装置に供給され、またはこの超電導装置か
ら取り出されることができる。図2と図3を参照して以
下で説明するように、サーマル・プラグ112は、4.
2Kの領域と1.8Kの領域の間に電気を伝え、一方こ
れらの領域の間で非常に低い熱伝導を行うように設計さ
れる。
【0015】サーマル・プラグ112は、3つのモード
の内の1つで動作することができる。先ず、Iをサーマ
ル・プラグ112の中を流れる電流とし、Ic1をサーマ
ル・プラグ112の第1臨界電流として、0<I<Ic1
の場合、サーマル・プラグ112は、熱の乱れに対して
安定する、即ち、通常の状態になった後、その超電導の
より線116の超電導状態を常に回復する。これらの電
流では、より線を4.2Kの領域及び1.8Kの領域か
ら冷却すると、通常の状態になった結果として発生され
た抵抗熱によってより線に生じた全てのホット・ポイン
トが冷却される。1つのより線110が通常の状態にな
ると、プラグ112の両端部の温度低下はより線のオー
ム発熱よりも大きく、通常の状態になったより線の温度
が低下し、超電導状態を回復することができる。
の内の1つで動作することができる。先ず、Iをサーマ
ル・プラグ112の中を流れる電流とし、Ic1をサーマ
ル・プラグ112の第1臨界電流として、0<I<Ic1
の場合、サーマル・プラグ112は、熱の乱れに対して
安定する、即ち、通常の状態になった後、その超電導の
より線116の超電導状態を常に回復する。これらの電
流では、より線を4.2Kの領域及び1.8Kの領域か
ら冷却すると、通常の状態になった結果として発生され
た抵抗熱によってより線に生じた全てのホット・ポイン
トが冷却される。1つのより線110が通常の状態にな
ると、プラグ112の両端部の温度低下はより線のオー
ム発熱よりも大きく、通常の状態になったより線の温度
が低下し、超電導状態を回復することができる。
【0016】Ic2をサーマル・プラグ112の第2臨界
電流として、第2の動作モード、I c1<I<Ic2の場
合、プラグの1本のより線(または複数のより線)は通
常の状態になり、その通常の状態を続ける。このモード
の場合、1本のより線または複数のより線の端部を冷却
することによって、プラグ内の抵抗熱の発生が均衡し、
したがって、温度はそれ以上上昇しない。最高温度は約
15Kであり、超電導のより線116は、温度に関して
安定した状態を続ける。
電流として、第2の動作モード、I c1<I<Ic2の場
合、プラグの1本のより線(または複数のより線)は通
常の状態になり、その通常の状態を続ける。このモード
の場合、1本のより線または複数のより線の端部を冷却
することによって、プラグ内の抵抗熱の発生が均衡し、
したがって、温度はそれ以上上昇しない。最高温度は約
15Kであり、超電導のより線116は、温度に関して
安定した状態を続ける。
【0017】第3の動作モード、I>Ic2の場合、熱が
乱れた後、時間の経過と共にサーマル・プラグ112の
より線116の温度は上昇する。この場合、より線の端
部を冷却しても、これは、より線とサーマル・プラグ1
12の温度上昇によって発生する抵抗熱を防止するのに
充分ではない。この動作モードで動作する場合には、サ
ーマル・プラグ112内の超電導のより線116の温度
がホット・ポイントで上昇するにつれて、超電導のより
線116のホット・ポイントに近い部分もまた通常の状
態になる場合がある。この結果、さらに抵抗熱を発生
し、またさらに大きな部分の超電導のより線116が通
常の状態になり、以下このような事象が継続する。した
がって、温度上昇の速度を遅らせるには、大きな熱容量
と迅速な熱拡散が必要であり、その結果、保護回路はサ
ーマル・プラグ112の超電導のより線116を介して
流れる電流の遮断に応答することができる。当業者は理
解しているように、Ic1とIc2は、動作温度、導電体の
直径及びサーマル・プラグ112の構造によって決ま
る。
乱れた後、時間の経過と共にサーマル・プラグ112の
より線116の温度は上昇する。この場合、より線の端
部を冷却しても、これは、より線とサーマル・プラグ1
12の温度上昇によって発生する抵抗熱を防止するのに
充分ではない。この動作モードで動作する場合には、サ
ーマル・プラグ112内の超電導のより線116の温度
がホット・ポイントで上昇するにつれて、超電導のより
線116のホット・ポイントに近い部分もまた通常の状
態になる場合がある。この結果、さらに抵抗熱を発生
し、またさらに大きな部分の超電導のより線116が通
常の状態になり、以下このような事象が継続する。した
がって、温度上昇の速度を遅らせるには、大きな熱容量
と迅速な熱拡散が必要であり、その結果、保護回路はサ
ーマル・プラグ112の超電導のより線116を介して
流れる電流の遮断に応答することができる。当業者は理
解しているように、Ic1とIc2は、動作温度、導電体の
直径及びサーマル・プラグ112の構造によって決ま
る。
【0018】第3モードで動作するのを回避するため、
またもしサーマル・プラグ112がこの第3モードで動
作し始める場合、電流を遮断する余裕を与えるために、
サーマル・プラグ112は、好ましくは高い比熱と短い
熱拡散時間の両方を持たなければならない。これらの特
性は、遷移領域を横切る高い熱抵抗とは両立しない。銅
は、短い熱拡散時間を与えるが、、熱抵抗体としては不
十分である。ステンレス鋼は、優れた熱抵抗体である
が、高い熱容量を有している。本発明では、図2に示す
ように、薄いステンレス鋼の薄片202と薄い銅の薄片
204を相互に積層したスタックからサーマル・プラグ
112を構成する。
またもしサーマル・プラグ112がこの第3モードで動
作し始める場合、電流を遮断する余裕を与えるために、
サーマル・プラグ112は、好ましくは高い比熱と短い
熱拡散時間の両方を持たなければならない。これらの特
性は、遷移領域を横切る高い熱抵抗とは両立しない。銅
は、短い熱拡散時間を与えるが、、熱抵抗体としては不
十分である。ステンレス鋼は、優れた熱抵抗体である
が、高い熱容量を有している。本発明では、図2に示す
ように、薄いステンレス鋼の薄片202と薄い銅の薄片
204を相互に積層したスタックからサーマル・プラグ
112を構成する。
【0019】ステンレス鋼の薄片202が軸方向に高い
熱抵抗を与えるのに対して、銅の薄片204は半径方向
に熱伝導を与える。薄片202と204は、銀はんだに
よって積層をされているので、相互に熱伝導の良い接触
状態にあり、その結果、熱は(例えば、円形のディスク
として形成された)銅の薄片によって急速に拡散し、そ
れと接触しているステンレス鋼の薄片に伝導される。例
えば、もしホト・ポイントが超電導のより線116に沿
って拡がる場合、銅の薄片204は半径方向に熱を拡散
し、次に隣接するステンレス鋼の薄片202にこの熱を
拡散し、より線の昇温を遅らせ、これによって保護装置
が動作できる時間を与える。
熱抵抗を与えるのに対して、銅の薄片204は半径方向
に熱伝導を与える。薄片202と204は、銀はんだに
よって積層をされているので、相互に熱伝導の良い接触
状態にあり、その結果、熱は(例えば、円形のディスク
として形成された)銅の薄片によって急速に拡散し、そ
れと接触しているステンレス鋼の薄片に伝導される。例
えば、もしホト・ポイントが超電導のより線116に沿
って拡がる場合、銅の薄片204は半径方向に熱を拡散
し、次に隣接するステンレス鋼の薄片202にこの熱を
拡散し、より線の昇温を遅らせ、これによって保護装置
が動作できる時間を与える。
【0020】薄片の代表的な厚さは、1/16(0.6
25)インチから1/8(0.125)インチの間であ
るが、銅の薄片は、より線の周囲に余分な熱伝導を行わ
ないために、より線116の直径よりも厚くないことが
好ましい。これらの薄片ははんだ付けされ、サーマル・
プラグ112にとって望ましい形状と断面に機械加工さ
れる。例えば、サーマル・プラグ112は円形の断面を
有する円筒形でもよいが、長方形、正方形等のような他
の断面でも差支えない。
25)インチから1/8(0.125)インチの間であ
るが、銅の薄片は、より線の周囲に余分な熱伝導を行わ
ないために、より線116の直径よりも厚くないことが
好ましい。これらの薄片ははんだ付けされ、サーマル・
プラグ112にとって望ましい形状と断面に機械加工さ
れる。例えば、サーマル・プラグ112は円形の断面を
有する円筒形でもよいが、長方形、正方形等のような他
の断面でも差支えない。
【0021】サーマル・プラグ112を構成する場合、
銀のはんだを使用して薄片202と204を接合するの
が好ましい。(図2に番号206で示す)薄いはんだ層
を薄片の間に載置し、このスタックを加熱してはんだを
隣接する薄片に対して溶かし、その後スタックを冷却し
てはんだを凝固させ、サーマル・プラグを共に保持す
る。図2のサーマル・プラグ112は、8枚のステンレ
ス鋼の薄片202と7枚の銅の薄片を有し、約1インチ
の高さのスタックを形成している。薄片202と204
について別の数を使用してもよいが、サーマル・プラグ
112の全体の厚さ(長さ)は、プラグ内の銅を介する
熱損失が比較的低いような値でなければならない。ま
た、上述したように、それぞれ液体ヘリウム槽の領域と
超液体ヘリウム槽の領域内の、むくの銅のリード線11
4と118をサーマル・プラグ112の軸方向の端部に
はんだ付けする。スタックと隣接する導電体との接合部
との構造上の強度を高めるため、スタックの孔にステン
レス鋼のピン(図示せず)を貫通し、スタックの両側に
ある導電体と係合させてもよい。これらのピンは、熱の
不良導体である。
銀のはんだを使用して薄片202と204を接合するの
が好ましい。(図2に番号206で示す)薄いはんだ層
を薄片の間に載置し、このスタックを加熱してはんだを
隣接する薄片に対して溶かし、その後スタックを冷却し
てはんだを凝固させ、サーマル・プラグを共に保持す
る。図2のサーマル・プラグ112は、8枚のステンレ
ス鋼の薄片202と7枚の銅の薄片を有し、約1インチ
の高さのスタックを形成している。薄片202と204
について別の数を使用してもよいが、サーマル・プラグ
112の全体の厚さ(長さ)は、プラグ内の銅を介する
熱損失が比較的低いような値でなければならない。ま
た、上述したように、それぞれ液体ヘリウム槽の領域と
超液体ヘリウム槽の領域内の、むくの銅のリード線11
4と118をサーマル・プラグ112の軸方向の端部に
はんだ付けする。スタックと隣接する導電体との接合部
との構造上の強度を高めるため、スタックの孔にステン
レス鋼のピン(図示せず)を貫通し、スタックの両側に
ある導電体と係合させてもよい。これらのピンは、熱の
不良導体である。
【0022】サーマル・プラグ112の周辺部に沿っ
て、及び通常の銅のリード線114と118に沿って、
超電導のより線116をはんだ付けし、連続した超電導
の電気経路を形成する。図3では16本の超電導のより
線を示すが、図3に示すようにそれぞれのより線は、円
筒形のサーマル・プラグ112の周辺部のノッチ301
にはんだ付けされる。超電導のより線116は、一般的
に同じ量の銅と共に、ニオビウム‐チタン、ニオビウム
‐すず及びその他の低温超電導体と高温超電導体のよう
ないずれかの超電導材料から形成してもよい。ノッチ3
01は、一般的には円形であり、超電導のより線116
は、円形の断面を有してもよいが、またノッチ301に
他の断面を使用してもよい。
て、及び通常の銅のリード線114と118に沿って、
超電導のより線116をはんだ付けし、連続した超電導
の電気経路を形成する。図3では16本の超電導のより
線を示すが、図3に示すようにそれぞれのより線は、円
筒形のサーマル・プラグ112の周辺部のノッチ301
にはんだ付けされる。超電導のより線116は、一般的
に同じ量の銅と共に、ニオビウム‐チタン、ニオビウム
‐すず及びその他の低温超電導体と高温超電導体のよう
ないずれかの超電導材料から形成してもよい。ノッチ3
01は、一般的には円形であり、超電導のより線116
は、円形の断面を有してもよいが、またノッチ301に
他の断面を使用してもよい。
【0023】サーマル・プラグ112は、上記では2K
をわずかに上回る温度差を参照して説明した。しかし、
サーマル・プラグ112を使用して、より大きな温度差
を有する領域を分離してもよい。例えば、サーマル・プ
ラグ112は、液体ヘリウムの温度に保持された第1領
域と液体窒素の温度の第2領域とを分離してもよい。こ
のような実施例では、超電導のより線116はHTSで
なければならず、その結果、これらのより線116は7
7K(液体窒素)の領域に近いサーマル・プラグ112
の部分で超電導状態になる。
をわずかに上回る温度差を参照して説明した。しかし、
サーマル・プラグ112を使用して、より大きな温度差
を有する領域を分離してもよい。例えば、サーマル・プ
ラグ112は、液体ヘリウムの温度に保持された第1領
域と液体窒素の温度の第2領域とを分離してもよい。こ
のような実施例では、超電導のより線116はHTSで
なければならず、その結果、これらのより線116は7
7K(液体窒素)の領域に近いサーマル・プラグ112
の部分で超電導状態になる。
【0024】サーマル・プラグ112を使用して、低温
超電導体を有する1.8KのHeIIの領域または4.
2KのHe Iの領域と、室温で通常のリード線を有す
る領域のような、非常に低温の領域と、さらに高温の領
域を分離することができる。温度差が大きい本発明の他
の用途は、低温の超電導体を高温の超電導体に接続する
場合である。このような用途に用いる従来の電流接続用
のリード線は、冷端部でヘリウムを蒸発させることによ
って冷却される断面積に対する長さの最適な比率を有す
る銅管によって構成される。これらリード線の幾つか
は、下(冷)端部に取り付けられた短い長さのNB3 S
n(最高15Kまで超電導状態を保持する超電導化合
物)を有し、これによってI2 Rの熱発生を減少させ
る。
超電導体を有する1.8KのHeIIの領域または4.
2KのHe Iの領域と、室温で通常のリード線を有す
る領域のような、非常に低温の領域と、さらに高温の領
域を分離することができる。温度差が大きい本発明の他
の用途は、低温の超電導体を高温の超電導体に接続する
場合である。このような用途に用いる従来の電流接続用
のリード線は、冷端部でヘリウムを蒸発させることによ
って冷却される断面積に対する長さの最適な比率を有す
る銅管によって構成される。これらリード線の幾つか
は、下(冷)端部に取り付けられた短い長さのNB3 S
n(最高15Kまで超電導状態を保持する超電導化合
物)を有し、これによってI2 Rの熱発生を減少させ
る。
【0025】ここで図4を参照すると、一般的に番号4
00で示す電気リード線は、高温の端部402、低温の
端部404、室温のリード線406、超電導リード線4
10及び遷移リード線412を有する。高温の端部40
2は、室温のリード線406まで延び、中間領域405
に設けられた入口414を介して、液体窒素を供給され
る。液体窒素は、中間領域405の高温の端部の一部分
を約77Kに保持する。高温の端部402を低温の端部
404から断熱し、その結果、低温の端部404内の液
体ヘリウムと、高温の端部402内の液体窒素との間の
混合は発生しない。
00で示す電気リード線は、高温の端部402、低温の
端部404、室温のリード線406、超電導リード線4
10及び遷移リード線412を有する。高温の端部40
2は、室温のリード線406まで延び、中間領域405
に設けられた入口414を介して、液体窒素を供給され
る。液体窒素は、中間領域405の高温の端部の一部分
を約77Kに保持する。高温の端部402を低温の端部
404から断熱し、その結果、低温の端部404内の液
体ヘリウムと、高温の端部402内の液体窒素との間の
混合は発生しない。
【0026】高温の端部402に、中空の中心418を
有する複数の銅管の導電体416を取り付ける。これら
の銅管416は小型で、中空であり、より大きな管42
0の内部で房状になり、これによって近くを通過する窒
素が蒸発できるように、できるのみ広い冷却面を設け
る。74Kの冷却ステーションにある液体窒素の入口4
14は、十分な液体を供給し、その結果、(矢印425
で示す)上部から供給される窒素ガスは、内側の全ての
銅の表面を通過した後室温になる。窒素は導電体416
に発生したI2 Rの熱を取り除く。
有する複数の銅管の導電体416を取り付ける。これら
の銅管416は小型で、中空であり、より大きな管42
0の内部で房状になり、これによって近くを通過する窒
素が蒸発できるように、できるのみ広い冷却面を設け
る。74Kの冷却ステーションにある液体窒素の入口4
14は、十分な液体を供給し、その結果、(矢印425
で示す)上部から供給される窒素ガスは、内側の全ての
銅の表面を通過した後室温になる。窒素は導電体416
に発生したI2 Rの熱を取り除く。
【0027】図5に示すように、各銅管416は、その
周辺部に沿って取り付けた複数のHTSの超電導のより
線501を有し、温度がTc (ある種のHTSの場合、
今の所約100K)よりも低い限り、抵抗ゼロの通路を
提供するのが好ましい。このようにして、高温の端部4
02の下部の超電導のより線501は、殆ど抵抗熱を発
生せず、高温の端部402の冷凍に必要な窒素の量を、
これらのより線がなければ本来必要とされる量よりも少
なく抑える。
周辺部に沿って取り付けた複数のHTSの超電導のより
線501を有し、温度がTc (ある種のHTSの場合、
今の所約100K)よりも低い限り、抵抗ゼロの通路を
提供するのが好ましい。このようにして、高温の端部4
02の下部の超電導のより線501は、殆ど抵抗熱を発
生せず、高温の端部402の冷凍に必要な窒素の量を、
これらのより線がなければ本来必要とされる量よりも少
なく抑える。
【0028】液体ヘリウムの蒸発によって冷端部404
を冷却し、蒸発した液体ヘリウムはこの冷端部404か
ら出口422を通って排出される。77Kの熱がリーク
している冷端部から液体ヘリウムが部分的に蒸発する
が、その量は比較的少ない。冷端部404から延びる遷
移リード線412は、より大きな管428の内部で房状
になった複数の小さな銅管424によって構成され、ま
たできるのみ広い表面積を与え、その結果、近くを通る
液体ヘリウムの蒸発によって遷移リード線412をでき
るのみ冷却する。ここで図6を参照すると、各銅管42
4は中空の孔601と、銅管424の外経にある複数の
ノッチ603に取り付けられた複数のHTSの線602
を有する。冷端部404の温度は、常に77Kよりも低
いので、この冷端部は常に超電導状態にあり、基本的に
はI2 Rの熱を発生しない。
を冷却し、蒸発した液体ヘリウムはこの冷端部404か
ら出口422を通って排出される。77Kの熱がリーク
している冷端部から液体ヘリウムが部分的に蒸発する
が、その量は比較的少ない。冷端部404から延びる遷
移リード線412は、より大きな管428の内部で房状
になった複数の小さな銅管424によって構成され、ま
たできるのみ広い表面積を与え、その結果、近くを通る
液体ヘリウムの蒸発によって遷移リード線412をでき
るのみ冷却する。ここで図6を参照すると、各銅管42
4は中空の孔601と、銅管424の外経にある複数の
ノッチ603に取り付けられた複数のHTSの線602
を有する。冷端部404の温度は、常に77Kよりも低
いので、この冷端部は常に超電導状態にあり、基本的に
はI2 Rの熱を発生しない。
【0029】銅管424の長さに沿って、多くのサーマ
ル・プラグ428を内蔵することが好ましい。サーマル
・プラグ428は、サーマル・プラグ112と同一であ
ることが好ましいが、ある場合には薄いステンレス鋼の
「ワッシャ」のみによって構成されてもよい。ステンレ
ス鋼のみを使用する場合でも、その構造は銅の薄片20
4をステンレス鋼の薄片202に取り替えたサーマル・
プラグ112の構造と同じであり、またはむくのステン
レス鋼のプラグを使用してもよい。ステンレス鋼の熱伝
導率は、銅のそれよりも2桁以上の大きさで低いので、
(ステンレス鋼は、極低温では熱伝導抵抗の高い材料で
ある)サーマル・プラグ428は、冷端部404から高
温端部402への熱伝導を大幅に減らし、その結果とし
て冷凍エネルギーの損失を1桁の大きさで改善する。
ル・プラグ428を内蔵することが好ましい。サーマル
・プラグ428は、サーマル・プラグ112と同一であ
ることが好ましいが、ある場合には薄いステンレス鋼の
「ワッシャ」のみによって構成されてもよい。ステンレ
ス鋼のみを使用する場合でも、その構造は銅の薄片20
4をステンレス鋼の薄片202に取り替えたサーマル・
プラグ112の構造と同じであり、またはむくのステン
レス鋼のプラグを使用してもよい。ステンレス鋼の熱伝
導率は、銅のそれよりも2桁以上の大きさで低いので、
(ステンレス鋼は、極低温では熱伝導抵抗の高い材料で
ある)サーマル・プラグ428は、冷端部404から高
温端部402への熱伝導を大幅に減らし、その結果とし
て冷凍エネルギーの損失を1桁の大きさで改善する。
【0030】安定した超電導体の設計を行うには、各サ
ーマル・プラグ428に取り付けられる超電導のより線
602が、通常の状態になった後、サーマル・プラグの
両側にあるより線の部分の端部を冷却することによっ
て、超電導状態を回復するのに十分な程度に、各サーマ
ル・プラグ428の厚さを薄くするのが好ましい。した
がって、サーマル・プラグ428の厚さは、プラグを横
切る軸方向の熱伝導を適当にできるのみ小さくするのに
十分なように、厚く選択しなければならないが、各超電
導のより線602に沿った軸方向の熱伝導によってより
線の温度を下げ、超電導状態を回復させるのに十分な程
度に薄く選択しなければならない。
ーマル・プラグ428に取り付けられる超電導のより線
602が、通常の状態になった後、サーマル・プラグの
両側にあるより線の部分の端部を冷却することによっ
て、超電導状態を回復するのに十分な程度に、各サーマ
ル・プラグ428の厚さを薄くするのが好ましい。した
がって、サーマル・プラグ428の厚さは、プラグを横
切る軸方向の熱伝導を適当にできるのみ小さくするのに
十分なように、厚く選択しなければならないが、各超電
導のより線602に沿った軸方向の熱伝導によってより
線の温度を下げ、超電導状態を回復させるのに十分な程
度に薄く選択しなければならない。
【0031】図7は、ステンレス鋼のみから形成された
サーマル・プラグを使用した場合に発生しうる急速な温
度上昇を示す。このようなプラグは、より高い電流水準
(例えば、60KA及び75KA)でも遷移領域を横切
って熱を流さない優れた断熱体ではあるが、これらの超
電導体の1つのホット・ポイントによって、導電体の逃
げ足が非常に速くなり、恐らくは電流を遮断して導電体
の損傷を防ぐのが間に合わない程速くなる。図8に示す
ように、積層したサーマル・プラグ112を使用すれ
ば、より高い電流水準での温度上昇はより緩慢になり、
電流の流れを遮断する適当な余裕が与えられる。
サーマル・プラグを使用した場合に発生しうる急速な温
度上昇を示す。このようなプラグは、より高い電流水準
(例えば、60KA及び75KA)でも遷移領域を横切
って熱を流さない優れた断熱体ではあるが、これらの超
電導体の1つのホット・ポイントによって、導電体の逃
げ足が非常に速くなり、恐らくは電流を遮断して導電体
の損傷を防ぐのが間に合わない程速くなる。図8に示す
ように、積層したサーマル・プラグ112を使用すれ
ば、より高い電流水準での温度上昇はより緩慢になり、
電流の流れを遮断する適当な余裕が与えられる。
【0032】本発明は、ここで例示として説明した特定
の実施例に限定されるものではなく、上記の請求項の範
囲内にあるこの例示の変形を含むものである。
の実施例に限定されるものではなく、上記の請求項の範
囲内にあるこの例示の変形を含むものである。
【図1】He IIの領域とHe Iの領域との間に遷
移領域を有する本発明の装置の部分断面図である。
移領域を有する本発明の装置の部分断面図である。
【図2】本発明のサーマル・プラグの断面図である。
【図3】図2の線3‐3で切断した断面図である。
【図4】室温と極低温との間に遷移領域を有する本発明
による装置の部分切り欠き斜視図である。
による装置の部分切り欠き斜視図である。
【図5】図4の電気リード線の高温端部の導電体の1つ
の側面図である。
の側面図である。
【図6】図4の電気リード線の冷端部の導電体の1つの
側面図である。
側面図である。
【図7】ステンレス鋼のみによって形成された代表的な
サーマル・プラグを使用した場合の種々の電流水準に対
する時間の関数としてのより線の温度とディスクの温度
のグラフである。
サーマル・プラグを使用した場合の種々の電流水準に対
する時間の関数としてのより線の温度とディスクの温度
のグラフである。
【図8】積層したサーマル・プラグを使用した場合の種
々の電流水準に対する時間の関数としてのより線の温度
とディスクの温度のグラフである。
々の電流水準に対する時間の関数としてのより線の温度
とディスクの温度のグラフである。
100 超電導装置 102、104 断熱デュワー 105 超電導リード線 106 遷移リード線 110 断熱フランジ 112 サーマル・プラグ 114 導電リード線 116 より線 118 銅のリード線 120 断熱フランジ110の開口部 122 断熱フランジ110の第1面 124 断熱フランジ110の第2面
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成5年11月18日
【手続補正1】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図1
【補正方法】変更
【補正内容】
【図1】
【手続補正2】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図2
【補正方法】変更
【補正内容】
【図2】
【手続補正3】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図3
【補正方法】変更
【補正内容】
【図3】
【手続補正4】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図4
【補正方法】変更
【補正内容】
【図4】
【手続補正5】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図5
【補正方法】変更
【補正内容】
【図5】
【手続補正6】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図6
【補正方法】変更
【補正内容】
【図6】
Claims (35)
- 【請求項1】 温度の異なった第1領域と第2領域の間
を電気的に接続するサーマル・プラグに於いて、上記の
サーマル・プラグは: (a)熱伝導に対して抵抗性を有する材料から形成され
た複数の第1薄片; (b)熱の良導体から形成され、上記の第1薄片と交互
に積層されてスタック状になり、ラミネート部材を形成
する複数の第2薄片であって、上記のスタックの第1端
部は上記の第1領域と隣接し、上記のスタックの第2端
部は上記の第2領域と隣接する上記の第2薄片;及び (c)上記の薄片のスタックに取り付けられた複数の超
電導体のより線であって、上記より線は上記の薄片と熱
を伝導するように接触する上記の複数の超電導体のより
線;によって構成されることを特徴とするサーマル・プ
ラグ。 - 【請求項2】 上記の第1薄片はステンレス鋼から形成
されることを特徴とする請求項1記載のサーマル・プラ
グ。 - 【請求項3】 上記の第2薄片は銅から形成されること
を特徴とする請求項1記載のサーマル・プラグ。 - 【請求項4】 上記の第1薄片はステンレス鋼から形成
され、上記の第2薄片は銅から形成されることを特徴と
する請求項1記載のサーマル・プラグ。 - 【請求項5】 上記のより線は、高温超電導材料によっ
て構成されることを特徴とする請求項1記載のサーマル
・プラグ。 - 【請求項6】 上記のより線は、低温超電導材料によっ
て構成されることを特徴とする請求項1記載のサーマル
・プラグ。 - 【請求項7】 上記のスタックは上記のスタックの面に
沿って延びるノッチを有し、上記のより線を上記のノッ
チ内に配設することを特徴とする請求項1記載のサーマ
ル・プラグ。 - 【請求項8】 上記の第1薄片と第2薄片の各々は、
0.125インチと0.0625インチの間の厚さであ
ることを特徴とする請求項1記載のサーマル・プラグ。 - 【請求項9】 上記の第1薄片と第2薄片は、全て実質
的に0.125インチの厚さであることを特徴とする請
求項1記載のサーマル・プラグ。 - 【請求項10】 上記の第1薄片と第2薄片は、円形の
断面を有することを特徴とする請求項1記載のサーマル
・プラグ。 - 【請求項11】 上記のスタックは上記の第1薄片と第
2薄片との間をはんだ付けして共に保持するように構成
され、相互に熱伝導の良好な接触状態にすることを特徴
とする請求項1記載のサーマル・プラグ。 - 【請求項12】 上記のはんだは銀はんだであることを
特徴とする請求項11記載のサーマル・プラグ。 - 【請求項13】 (a)第1デュワー内に配設され、第
1温度に保持された第1領域; (b)第2デュワー内に配設され、第2温度に保持され
た第2領域; (c)上記の第1領域と第2領域の間に配設され、上記
の第1領域と第2領域を接続する開口部を有する断熱フ
ランジ;及び (d)相互に重ね合わせて積層したスタックを形成する
熱伝導に対して抵抗性を有する複数の第1薄片と熱伝導
性の複数の第2薄片及び上記の薄片のスタックに取り付
けられた複数の超電導体のより線によって構成される上
記のフランジの開口部内にあるサーマル・プラグであっ
て、上記のより線は上記の薄片と熱を伝導するように接
触している上記のサーマル・プラグ;によって構成さ
れ、上記の超電導体のより線は上記の第1領域の導電体
と電気的に接触し、上記の第2領域の導電体と電気的接
触することを特徴とする超電導接続構造。 - 【請求項14】 上記の第1薄片は、ステンレス鋼によ
って形成されることを特徴とする請求項13記載の構
造。 - 【請求項15】 上記の第2薄片は、を銅によって形成
されることを特徴とする請求項13記載の構造。 - 【請求項16】 上記の第1薄片はステンレス鋼から形
成され、上記の第2薄片を銅から形成されることを特徴
とする請求項13記載の構造。 - 【請求項17】 上記のより線は、高温超電導材料によ
って構成されることを特徴とする請求項13記載の構
造。 - 【請求項18】 上記のより線は、低温超電導材料によ
って構成されることを特徴とする請求項13記載の構
造。 - 【請求項19】 上記のスタックは上記のスタックの面
に沿って延びるノッチを有し、上記のより線を上記のノ
ッチ内に配設することを特徴とする請求項13記載の構
造。 - 【請求項20】 上記の第1薄片と第2薄片の各々は、
0.125インチと0.0625インチの間の厚さであ
ることを特徴とする請求項13記載の構造。 - 【請求項21】 上記の第1薄片と第2薄片は、全て実
質的に0.125インチの厚さであることを特徴とする
請求項13記載の構造。 - 【請求項22】 上記の第1薄片と第2薄片は、円形の
断面を有することを特徴とする請求項13記載の構造。 - 【請求項23】 上記のスタックは上記の第1薄片と第
2薄片との間をはんだ付けして共に保持するように構成
され、相互に熱伝導の良好な接触状態にすることを特徴
とする請求項13記載の構造。 - 【請求項24】 上記のはんだは銀はんだであることを
特徴とする請求項23記載の構造。 - 【請求項25】 第1温度の第1導電体と第2温度の第
2導電体を電気的に接続する遷移リード線に於いて、上
記の遷移リード線は:上記の第1導電体に接続された第
1端部と上記の第2導電体に接続された第2端部とを有
する少なくとも1本の銅管;上記の1本または複数本の
管に取り付けられた複数の超電導体のより線であって、
第1端部で上記の第1導電体に接続され、第2端部で上
記の第2導電体に接続された上記の超電導体のより線;
によって構成され、上記の銅管が上記の第1導電体から
上記の第2導電体に連続しないように、各導管は間隔を
設けた位置でその中に配設された複数のサーマル・プラ
グを有し、上記のサーマル・プラグは熱伝導に対して抵
抗性を有し、上記の超伝導のより線は上記のサーマル・
プラグに取り付けられ、上記のサーマル・プラグと熱を
伝導するように接触していることを特徴とする遷移リー
ド線。 - 【請求項26】 上記のサーマル・プラグは、ステンレ
ス鋼を含むことを特徴とする請求項24記載の遷移リー
ド線。 - 【請求項27】 上記のサーマル・プラグは、ステンレ
ス鋼の薄片と交互に積層された銅の薄片のスタックによ
って構成されることを特徴とする請求項24記載の遷移
リード線。 - 【請求項28】 上記の超電導のより線は、高温超電導
材料によって構成されることを特徴とする請求項24記
載の遷移リード線。 - 【請求項29】 上記の銅管と上記のサーマル・プラグ
は、それらの面に沿ってノッチを有し、上記の超電導の
より線を上記のノッチ内に配設されることを特徴とする
請求項24記載の遷移リード線。 - 【請求項30】 上記の薄片は、それぞれ0.125イ
ンチと0.0625インチの間の厚さであることを特徴
とする請求項26記載の遷移リード線。 - 【請求項31】 上記の薄片は、それぞれ実質的に0.
125インチの厚さであることを特徴とする請求項26
記載の遷移リード線。 - 【請求項32】 上記の薄片は、円形の断面を有するこ
とを特徴とする請求項26記載の遷移リード線。 - 【請求項33】 上記の銅管は中空の孔を有することを
特徴とする請求項24記載の遷移リード線。 - 【請求項34】 上記のスタックは、上記の薄片を共に
はんだ付けすることによって構成されることを特徴とす
る請求項26記載の遷移リード線。 - 【請求項35】 上記のはんだは銀はんだであることを
特徴とする請求項33記載の遷移リード線。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/724,203 US5324891A (en) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | Superconducting connecting leads having thermal plug |
| US07/724203 | 1991-07-01 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163095A true JPH06163095A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=24909469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4173147A Pending JPH06163095A (ja) | 1991-07-01 | 1992-06-30 | サーマル・プラグを有する超電導接続リード線 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5324891A (ja) |
| JP (1) | JPH06163095A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4138264A1 (de) * | 1991-11-21 | 1993-09-23 | Siemens Ag | Dampfkraftwerk |
| US6034324A (en) * | 1995-09-12 | 2000-03-07 | Bwx Technology, Inc. | Modular high temperature superconducting down lead with safety lead |
| US6207901B1 (en) | 1999-04-01 | 2001-03-27 | Trw Inc. | Low loss thermal block RF cable and method for forming RF cable |
| DE102004035852B4 (de) * | 2004-07-23 | 2007-05-03 | European Advanced Superconductors Gmbh & Co. Kg | Supraleitfähiges Leiterelement mit Verstärkung |
| US20110162828A1 (en) * | 2010-01-06 | 2011-07-07 | Graham Charles Kirk | Thermal plug for use with a heat sink and method of assembling same |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3654377A (en) * | 1969-12-15 | 1972-04-04 | Gen Electric | Electrical leads for cryogenic devices |
| US4447670A (en) * | 1982-04-09 | 1984-05-08 | Westinghouse Electric Corp. | High-current cryogenic leads |
| JPS5986275A (ja) * | 1982-11-10 | 1984-05-18 | Toshiba Corp | 極低温電流リ−ド装置 |
| JPS5998505A (ja) * | 1982-11-26 | 1984-06-06 | Japanese National Railways<Jnr> | 超電導電流リ−ド |
| JPS59150487A (ja) * | 1983-02-03 | 1984-08-28 | Toshiba Corp | 極低温電流リ−ド装置 |
| EP0401420A1 (de) * | 1989-06-05 | 1990-12-12 | Siemens Aktiengesellschaft | HF-Abschirmvorrichtung in einem Dewar-Gefäss für eine supraleitende Magnetometer-Einrichtung |
| US5057645A (en) * | 1989-10-17 | 1991-10-15 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Low heat loss lead interface for cryogenic devices |
-
1991
- 1991-07-01 US US07/724,203 patent/US5324891A/en not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-06-30 JP JP4173147A patent/JPH06163095A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5324891A (en) | 1994-06-28 |
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