JPH06163370A - 多重開口フィルタを使用するサブミクロンデバイスの製造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 動作マージンが大きい、サブミクロン装置の
製造方法を提供する。 【構成】 本発明によるサブミクロン設計規則の集積回
路の製造は散乱の程度から構成されるパターン化情報を
マスクを介して加速された電子の投影された走査ビーム
上にインポーズするステップを含む。イメージングは相
対的に散乱されなかった電子を選択的にパスするための
複数の開口を含む背面焦点平面フィルタを通じての通過
に依存する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はサブミクロン設計規則
（submicron design rules）、例えば、０．５μｍに等
しいかこれ以下の設計規則に従って製造される大規模集
積回路（LargeScale Integrated circuits ）に最もよ
く代表されるデバイスの製造に関する。本発明と関係す
る製造は荷電された粒子状の描写エネルギ（charged pa
rticle delineating energy ）、具体的には、電子或は
イオンを使用する投影リソグラフィ（projection litho
graphy）を伴う。用語 本発明の開示という背景での幾つかの用語の特定の使用
法について述べておくことが有益である。

【０００２】光学フィールド（Optical Field ）は、文
脈に依存してマスク或はウエーハのいずれかに対するフ
ィールド領域（field area）を定義し、これは、描写光
線（一般的には描写電子光線）の入射角度の両極端の値
に対応する。これは、しばしば、必要とされるエッジ・
ツウ・エッジ解像度（edge-to-edge resolution ）を許
す最大フィールドの意味に使用される。これは、より一
般的には、電子ビーム走査の結果としての実際の領域を
意味し、あるシステムにおいては、次の電子走査ステッ
プを開始するためにマスク或はウエーハの機械的な再位
置決め（mechanical repositioning）が行なわれるまで
に電子的に走査される領域を指すのに使用される。

【０００３】走査（Scanning）は、特にことわりがない
場合は、変動する規模を持つ加えられたフィールドの影
響下での描写粒子ビームの移動を意味する。これはウエ
ーハ或はマスクステージの機械的な移動に対しては使用
されず、後者の場合は、“機械的走査（mechanical sca
nning ）”、“機械的移動（mechanical movement ）”
などと呼ばれる。ドブロイ波長（deBroglie Wavelengt
h）は電磁放射の関連する特性を記述する重要な含蓄を
持つ。これは以下のように定義される：

【数２】 ここで：λはデブロイ波長を表わし、ｈはプランクの定
数（Planck' constant）＝６．６ｘ１０^-27 erg-sec を
表わし、ｐはモーメント＝質量ｘ速度を表わす。

【０００４】注：説明は一般的には真空内で動作する電
子との関連で行なわれる。従って、加速フィールドエネ
ルギ（例えば、約５０から２００ｋＶ）は結果としてほ
ぼ同じだけエネルギを授けられた電子（例えば、５０−
２００ｋｅＶ電子）を生成する。相対論的な影響のため
に電子の有効質量が幾分増加するが、これは、ここの説
明の目的に対しては殆ど無視される。

【０００５】同一エネルギのイオンへの移動は結果とし
てより小さなドブロイ波長を与える。波長は粒子質量の
二乗に反比例するため、質量の増加、例えば、陽子対電
子の質量関係である１８００倍の増加は、結果として、
同一運動エネルギでの電子の波長の約１／４２．５であ
るλ値を与える。背面焦点平面フィルタ （Back Focal Plane Filter ）：
このフィルタの位置はクロスオーバ（cross-over）の所
である。平行或はほぼ平行の照射の一例においては、こ
のクロスオーバはレンズシステムの背面焦点平面（back
focal plane）或はある等価の接合平面（conjugate pl
ane ）上である。

【０００６】

【従来の技術】かなりの世界的努力が今日の製造に典型
的である約１．０から０．９μｍの設計規則（最小の形
状サイズ及び／或は間隔の寸法）よりも小さな設計規
則、及び約１ｃｍ² よりも大きなチップサイズのＬＳＩ
の製造に向けられている。今日の約１Ｍビットチップ
は、設計規則の縮小及びチップサイズの増加によって、
順に、４、１６、６４Ｍビットを生むものと期待され
る。（設計規則の縮小とチップサイズの増加は、おおむ
ね等しい役割を持つ。例えば、各々√２のファクタでの
設計規則の縮小及びチップ寸法の増加は、一体となっ
て、ｘ及びｙ方向の各々において回路素子の数を二倍に
し、結果として、４倍のチップ容量が世代毎に達成され
ることが予測される）。

【０００７】本発明の教示は、直接的には、リソグラフ
ィックパターニング（lithographicpatterning ）によ
って制約を受ける設計規則と関連する。今日使用されて
いるＵＶリソグラフィ、つまり、現時点での“近ＵＶ
（near-UV ）”スペクトル（今日の製造においてはλ≒
３６５ｎｍ）は、おそらくは、位相マスキングによって
助けられた場合、幾分は小さな設計規則に対して使用が
可能であると考えられる。これに関しては、例えば、
Ｍ．Ｄ．Levinson（レビンソン）らによって、電子デバ
イスに関するＩＥＥＥ議事録（IEEE Transaction on El
ectron Devices）、ｖｏｌ．ＥＤ−２９、Ｎｏ．１２
（１９８２年１２月号）に掲載の論文『位相シフティン
グマスクによるフォトリソグラフィの解像度の向上（Im
proving Resolution in Photolithography with Phase-
Shifting Mask ）』を参照すること。“深いＵＶ（deep
-UV ）”スペクトル（λ＝３５０ｎｍから１５０ｎｍ）
での放射は０．５μｍ及びそれ以下、場合によっては約
０．３５μｍの設計規則でのデバイスの製造に使用でき
ることが期待される（この設計規則では、６４Ｍビット
レベルのチップの達成が可能であると期待される）。

【０００８】さらに小さな設計規則のためには、さらに
短い波長の描写エネルギ（delineating energy）にてパ
ターン化することが必要だと考えられている。適当な短
い波長の描写エネルギの出現は、結果として、幾分大き
な設計規則、恐らくは、０．５μｍ或はそれ以上の設計
規則に対するより長い波長にもとって代わると思われ
る。利点として、より短い波長自体に基づく、或は関連
する技術的進歩の結果として、非理想的な条件に対する
公差が向上し、結果としてのデバイス収率の向上が考え
られるからである。

【０００９】初期の及びその後の努力は、要求されるよ
り短い波長の電磁エネルギ、つまり、ｘ−線スペクトル
内のエネルギの活用を考える。様々な問題が追及され、
幾らかの実質的な成果も上がっている。材料内の屈折率
の限界に大きく起因するレンズ問題のために、反射オプ
ティクス（reflective optics ）に強調が置かれるよう
になっている。適当な規模の反射率が複数の層状のミラ
ー、つまり、分散ブラッグ反射器（Distributed Bargg
Reflectors）の使用によって実現されている。複合され
た起源を持つ歪及び収差の問題のために、様々な走査モ
ードが考えられている。投影されたイメージに対する歪
の主要なソースはオプティック軸からの距離に起因する
倍率の変動である。１９９０年１０月１０日付けで申請
された本発明と出願人を同一とする合衆国特許申請第０
７／５９５，３４１号はこの問題を収容するためにリン
グフィールド（rignfield ）走査に依存する。このアプ
ローチにおいては、完全なパターン或はパターンセグメ
ントがオプティック軸から一定の半径間隔によって定義
される曲率の狭い走査用の正確なスリットによって生成
される。

【００１０】マスクパターン描写に対する電磁照射のか
わりとしての加速された電子照射の可能性は展望されて
ない。電子顕微鏡からの基本技術の一次パターン描写
（primary pattern delineation ）への移転の結果とし
て、マスク生成に対する世界的に優勢なアプローチは電
子ビーム露出システム（Electron Beam Exposure Syste
m ）を好例とする方法に変わった。これに関しては、
Ｍ．Lepselter （レプセルタ）らによる著書『ＶＬＳＩ
電子マイクロ構造科学（VLSI Electronics Microstruct
ure Science ）』、Norman G. Einspruch （ノーマン
Ｇ．アインスプルーチ）編集、アカデミックプレス出
版、ページ１０８−１１４（１９８１年）を参照するこ
と。これと同一の一次パターン生成はＬＳＩパターンの
直接ビーム書き込みに使用されている。この歴史は電子
マスク描写に向けての研究を促進することとなった。

【００１１】J.Vac.Sci.Technol.、Ｖｏｌ．１２、Ｎ
ｏ．６（１９７５年１１／１２月号）はM.B.Heritage
（ヘリテイジ）による一つのこのような研究を示す。こ
こには、電子ビーム照射箔マスクを使用する１０ｘ縮小
投影システムがかなりの成功を収めたことが報告されて
いる。ただし、マスク領域上に平行の光線照射を与える
ための設備、及び許容できるレベルの収差を維持するた
めの設備の複雑さ／サイズはかなりのコストを要する。
電子マスキング（electron masking）における走査の採
用は、しばしば、Takayuki Asai （アサイ タカユキ）
及び共同研究者が発端であるといわれる。彼等の研究は
Japanese Journal of Applied Physics 、vol.１９（１
９８０年）、補遺１９−１、ページ４７−５０に掲載の
論文『１：４縮小電子投影システム（１：４ Demagnify
ing Electron Projection System）』において説明され
ている。ここでは金属箔マスクが使用され、平行の電子
照射によって走査される。結果として、約０．２μｍの
解像度が報告されている。

【００１２】Springer Series in Optical Sciences 、
ｖｏｌ．４３、G.Schmahl （スクマル）及びD.Rudolph
（ルドルフ）編集（１９８４年）に掲載の論文『Ｘ−線
顕微鏡法（X-ray Microscopy）』はこの形式の平行光線
走査に基づく。Asai（アサイ）らの場合と同様に、サブ
ミクロンパターン描写の実現性が明確に示されている。
このアプローチの主な短所は装置の複雑さ／サイズの点
である。１９９２年１月７日付けで交付された合衆国特
許第５，０７９，１１２号はこれも電子ビームリソグラ
フィに基づく集積回路の製造について説明及び特許権の
請求を行なう。鍵となる特徴は吸収−透過（absorption
-transparency ）マスキングのかわりに散乱−非散乱
（scatter-non-scatter ）を使用することであるが、こ
れは、開口を持つマスク並びに開口を持たないマスクを
使用するのに適当な一つのアプローチである。散乱放射
と非散乱放射との間の弁別はウエーハの前の光線クロス
オーバ平面の付近に位置された都合の良い寸法の開口を
持つ散乱フィルタによって達成され、開口は現在注目を
受けているシステムでは一般的に光学軸上に置かれる。
解像度及び形状の間隔のために要求される５０から２０
０ｋＶの加速電圧の範囲では、８０％レベル或はそれ以
上のレベルのイメージコントラストが得られる。このプ
ロセスはＳＣＡＬＰＥＬ（SCattering with Angular Li
mitation in Projection Electron-beam Lithography）
として知られている。このＳＣＡＬＰＥＬアプローチは
これ自体、全ての形式の荷電粒子描写システム（charge
particle delineation system）において使用できるこ
とを含蓄する。生来的な長所として小さな値のドブロイ
波長の確保があるが、これによって必要とされる解像度
を達成するに当っての要求されるマスクからウエーハま
での経路長の精密さに対する要件が緩和できる。提案さ
れる形式のＳＣＡＬＰＥＬはこうして得られる処理上の
自由度を活用するが、この自由度はＳＣＡＬＰＥＬの基
本的特性によってさらに支持される長所である。マスク
ブロッキングのための吸収ではなく散乱の使用は、より
薄いブロッキング領域を可能にし、これを使用しない場
合にマスク上のエッジ散乱の結果として起こる解像度損
失を回避する。

【００１３】一つのケースにおいては、走査システムは
この改良された焦点の深さをウエーハ表面上への描写放
射の入射角度の許容される変動という点で活用する。こ
れに関しては、本発明と出願人を同一とする審理中の１
９９２年３月１６日付けで申請された合衆国特許申請第
０７／８５２，２７２号を参照すること。報告されてい
る研究はドブロイ波長の達成可能な短い値によって可能
にされる処理マージン（processing margin ）の一層の
向上のための手段を提供する。近隣のマスク領域の順次
投影（sequential projection ）に基づくセル投影シス
テム（cell projection system）及び走査システムの両
方はさらにビーム軸と投影レンズ（projection lens ）
の光学軸との間の不一致（non-coincidence ）に起因す
る収差（aberrations ）を制限するための任意の様々な
アプローチの一つから利益を受ける。合致は、J.Vac.Sc
i.Technol.１５（３）、ページ８４９−５２（１９７８
年５月／６月号）に掲載の移動対物レンズシステム（Mo
ving Objective Lens Systems ）；J.Vac.Sci.Technol.
１９（４）、ページ１０５８−６３（１９８１年１１月
／１２月号）に掲載の可変軸レンズシステム（Variable
AxisLens Systems）；及びマイクロ回路技術８３（Mic
rocircuit Engineering ８３）、ＩＳＢＮ ０．１
２．０４４９８０．３、ページ１０６−１１６、アカデ
ミックプレス、ロンドン（１９８３年）；J.Vac.Sci.Te
chnol.、Ｂ６（６）、ページ１９９５−９８（１９８８
年１１月／１２月号）；及びJ.Vac.Sci.Technol.、Ｂ８
（６）、ページ１６８２−８５（１９９０年１１月／１
２月号）に掲載される可変軸液浸レンズ（Variable Axi
s Immersion Lens）として知られるタイプの可変軸レン
ズ（ＶＡＬ）によって確保されてきた。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】荷電粒子照射の使用に
付随する一つの問題に荷電粒子の荷電反発作用（charge
-repulsion）に起因する解像度損失がある。かなりの程
度まで、同一のドブロイ波長を短くするために使用され
るフィールド加速によってこの作用が低減される。同時
に、こうして許される大きな焦点長が結果として視野を
大きくすることとなり、走査モードにおいて要求される
機械的移動を最少にする。増加した吸収距離（absorpti
on distance ）を収容するためにブロッキング領域の厚
さを増加しなければならない短所は、通常、基本ＳＣＡ
ＬＰＥＬ原理に従う散乱（scattering）の使用によって
回避される。しかし、ますます小さな設計規則へと関心
が移っている状況下であり、粒子反発作用はビーム内の
電流（current)に制約を与え、これは結果として、時間
制約を与える。つまり、しばしば、不都合でかつ不経済
な露出時間を要求する。

【００１５】同時に請求された合衆国特許請求第０７／
９１３，５０９号は、例えば、走査において生来的に存
在する焦点距離の変動を収容するための動的修正（dyna
miccorrection）の使用に関する。修正の一つの形式は
可変軸レンズシステムに基づく。走査ビームを追跡する
ための軸位置の変動によって機械的ステッピング／走査
が必要となるまでのイメイジング面積が最大にされる。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明は同時に申請され
た合衆国特許出願内において示唆される可変軸レンズを
有効に活用する。この特許に説明されているように、光
学軸はビームが常にオプティック軸（optic axis）上に
来るように走査入りビームを追跡する。イメージ平面上
に垂直に照射する平行の光線を確保することによって、
許容される動作マージンが大きく増加され、一方におい
て、重要なことに粒子対粒子の相互作用を低減させるの
に十分に短い焦点距離のために電流の増加が許される。
同時に、経済的な考慮事項から要請される平行でない光
線が使用される場合は、照射システム内での収束光線の
使用が考えられるが、これは簡単に適当な粒子加速値に
調節することができる。本発明による進歩によってさら
に機械的移動が必要となる前のイメージ面積のさらなる
増加が達成される。非散乱放射（unscattered radiatio
n ）の選択的通路のための複数の開口の使用によって、
この面積の少なくとも２倍、場合によっては、１００倍
或はそれ以上の増加が実現される。荷電粒子描写（char
ged particle delineation）の幾つかの特性の認識から
は、このような開口の数百或は数千の使用が解像度及び
この基本的アプローチの他の優れた特性を保持しながら
可能である。

【００１７】本発明は、適当な寸法の開口並びに適当な
開口から開口までの間隔は、イメージ内の十分なコント
ラストを保持するという事実を有効に活用する。サイズ
については、システムの基本瞳（fundamental pupil ）
に等しい或はこれ以上の丸い開口は解像度を保証し、結
果として、“コントラストのみ（contrast-only ）”の
開口となる。間隔は、それ自体が大きなコンストラスト
制約を課すことなくシステムの需要に十分に合わせるこ
とができる。一つの好ましい実施例においては、恐らく
は、薄膜マスクセグメントの使用を可能とする一方で大
きな面積のマスクに対して硬直さを付加するために支柱
によってサポートされる適当な寸法のマスクセグメント
が使用される。議論される設計基準はセグメント当り一
つのみの開口を使用することを許す。多くの面におい
て、本発明のアプローチは報告される研究の特徴と非常
に類似する特徴を持つ。実験的に調査された加速電圧
は、０．０１μｍ及びそれ以下のドブロイ波長λを結果
として与える基本ＳＣＡＬＰＥＬプロセスにおいて適当
に使用できる約５０から２００ｋＶの範囲内にある。こ
の範囲内の動作は解像度、つまり、おそらくは０．１μ
ｍ設計規則及びそれ以下のサブミクロンレベルでの解像
度に対する主要な制約としてはこのパラメータを事実上
排除する。本発明に従って製造される考えられるチップ
は２５６Ｍビット及び１Ｇビットレベルである。

【００１８】本発明の好ましい実施例は電磁ではなくて
荷電粒子パターニング放射によって実現可能なプロセス
並びに装置考察に基づく。これら考察事項の一つは電磁
レンズの基本特性に起因する。例えば、フィールドの曲
率は可変軸レンズの属性によって収容されるが、更なる
補償は焦点距離の変動の形式をとることも考えられる。
同様にして、ビーム偏向の容易さは隣接するパターン領
域の“スティッチング（stitching ）”に対する精度要
件を満たす。走査は必然的に面積の制約を持つ。これは
決して上に定義された“光学フィールド”を超えて伸び
ることはできない。現時点では、約０．２５μｍ設計規
則に対する光学フィールド値はこのアプローチの使用を
動機付けるサイズ／複雑さの設備に対しては約１ｃｍ²
の面積である。これより小さなチップサイズに対して
は、この大きさのフィールドは、走査ステップ間の機械
的移動の必要性を排除する。つまり、これらの各々がチ
ップ全体をパターン化するのに十分である。考えられる
チップ面積の増加は、結果として光学フィールドのサイ
ズを増加させる進歩によって収容されない限り、より大
きな装置、或は個々のチップの製造の際の走査ステップ
間の機械的移動を要求する。このような考慮事項はある
が、結局、最も経済的な製造は機械的なステージの移動
を伴うことが期待される。ウエーハ面積は、今後も引き
続き光学フィールドのサイズを超えるものと考えられ
る。そして、機械的移動が今後も少なくてもチップごと
のベースにおいて有効であり続けると思われる。

【００１９】これまでの議論と一貫性を持つものである
が、本発明は、主に機械的走査の必要性を減少させる複
数の固定された開口の使用に関係する。これは、フィル
タ走査ステージの必要性を完全に排除できる。同時的な
機械的及び電子的走査が可能であり、これは製造の目的
に非常に役立つと考えられる。別の考え方として、本発
明の多重開口フィルタは、機械的な移動を削減し、幾つ
かのケースにおいては、小さなチップ／ウエーハに対し
ては、イメージングの際に機械的移動を完全に排除する
ことができる。本発明のもう一つのバージョンではこう
して拡張された電子走査の後にのみ機械的走査／ステッ
ピングを考慮する。ここに参考のために編入さた１９９
１年１２月３０日付けで申請された合衆国特許出願第０
７／８１４，９５３号は小さなマスクの厚さ及び大きな
パターン面積の両方を収容する支柱にてセグメント化さ
れたマスクを使用し、これによって小さな設計規則のデ
バイス製造を促進することを考える。この出願に従う
と、スティッチング精度が支柱にて定義されるセグメン
ト内にパターン描写された境界を提供することによって
向上される。初期の商業化においてはこのようなセグメ
ント化されたマスクが使用されることが予想される。

【００２０】

【実施例】説明を便宜上、本発明は、主に、（１９９２
年１月７日付けで交付された合衆国特許第５，０７９，
１１２号において説明されている）“ＳＣＡＬＰＥＬ”
プロセスに従う散乱−非散乱マスキング（scatter-non-
scatter masking ）を使用しての電子パターニング（el
ectron patterning ）との関連で議論される。本発明の
教示はイオンパターニング（ion patterning）にも適用
できるものである。特定の記述からの他のバリエーショ
ンも考えられるが、このようなバリエーションの全てを
詳細に説明することはここでの開示には必要でないと考
える。一般的な期待どうり、ここでの説明は、恐らく
は、４：１から５：１程度のマスク対ウエーハ縮小（ma
sk-to-wafer demagnification ）に基づく投影システム
（projection system ）との関連で行なわれる。勿論、
本発明は、１：１並びに他の比に対しても等しく適用す
るものである。倍率は、今日においてはあまり大きな関
心を持たれないが、これも本発明の教示の使用によって
恩恵を受けるものである。

【００２１】前述のように本発明の進歩は“コントラス
トのみの（contrast only ）”開口の使用を有効に活用
するが、この長所は、主に別の方法では多重開口フィル
タ上の適当な間隔によって保持される。図１との関連
で、重要な設計上の考慮事項について議論する。ここに
は、粒子ソース及びマスクの正しく照射或はイメージン
グのために要求される他の装置は示されない。これら装
置は、図３に示されるように、例えば、電子ガン、並び
に必要なマスク領域を照射するために要求されるコリメ
ータレンズ及び走査偏向ヨーク（scan deflection yoke
s ）から構成される。

【００２２】マスク１０は一つの好ましい実施例を表わ
すが、示されるように、支柱１１が提供され、これによ
ってセグメント１２が定義される。この好ましい実施例
は、図示されてないが、恐れくは、直角の支柱を提供さ
れ、結果として、ここに参考のために編入された１９９
１年１２月３０日付けで申請された本発明と出願人を同
一とする審理中の合衆国特許第０７／８１４，９５３号
の支柱にてセグメント化されたマスク（strut-segmente
d mask）の形式を取ることが期待される。この特許申請
において請求されているように、スティチング精度（st
itching precision ）が支柱セグメント内のリソグラフ
ィック的に定義された境界によって確保される。本格的
な商業化においては、少なくとも初期の段階では、この
ようなマスクの使用が期待される。ここでは便宜上、こ
のマスクとの関連で議論が進められるが、他のマスク形
式も有効であり、それらは別のモードの動作を可能とす
るものと考えられる。例えば、支柱の不在はステッピン
グとは対比的な連続走査により大きな信頼度を与える。

【００２３】フィルタ１３には各々が横断寸法ｄを持つ
開口１４が提供される。通常の動作は（システムの瞳よ
りも小さな直径の）丸い開口に基づくことが期待され
る。様々な考慮事項のために、丸くない開口（non-roun
d apertures ）の公差を有効に活用することも考えられ
る。例えば、シリコン或は他の結晶学的マスク材料は長
方形或は他の丸くない形状のエッチングにて定義された
領域を与える。支柱１１間の間隔に等しい開口から開口
までのピッチ（aperture-to-aperture pitch）ｌを持つ
ように示されるが、商業的な動作においてはマスクから
イメージへの縮小（mask-to-image reduction ）が使用
される可能性が高く、このようなケースにおいては、ピ
ッチ並びに開口サイズはこれに応じて縮小される。図面
には、またフィルタ１３から距離Ｘだけ離れた所にウエ
ーハ１５が示される。

【００２４】本発明の必須な一面である要求されるコン
トラストを得るための開口サイズ及びピッチは以下の関
係から決定できる。

【数３】 ここで：ｄは開口サイズ（この例においては、丸い穴の
直径）を表わし、ｌは開口ピッチ（開口の中心から開口
の中心までの間隔）を表わし、Ｘはウエーハ１５から開
口フィルタ１３までの間隔を表わし、そしてＫはコント
ラスト内の損失を表わすものと定義される。

【００２５】開口サイズ及びピッチの値は、他の値であ
っても良いが、最高１０％まで、例えば、１％から１０
％の範囲内のＫの値を与えるような値が良いと考えられ
る。この範囲内であれば、結果として、単一開口フィル
タと比較してかなり多くのコントラストを保持する。開
口サイズは以下の関係に従う：

【数４】 ここで：αはウエーハ１５の所で光線１５が作る弧の角
度であり、そしてｄ及びＸは上に定義の通りである。一
例として、角度αの値は距離Ｘ＝１０−１００ｍｍに対
しては１−１０ｍｒａｄの範囲内である。

【００２６】システムの瞳（或は開口数）のサイズは周
知の考慮事項に従って収差、回折及びパーティクル−ツ
ウ−パーティクル（particle-to-particle）効果を最小
にするように決定される。これに関しては、Ｈ．Ｃ．Pf
eiffer（フィーファ）による文献：走査電子顕微鏡法／
１９７２（パート１）（Scanning Electron Microscopy
/1972(Part1)）、ＩＩＴリサーチインスティチュート、
シリノイ州シカゴ（１９７２年４月）を参照すること。
開口サイズは、少なくとも瞳のサイズと等しい限り、式
１及び式２の関係によって課せられる制約内の任意のサ
イズに決定できる。上に述べたように、この範囲内であ
れば、これはコントラスト開口としてのみ機能し、シス
テムの光学性能には、解像度の観点からは全く影響を与
えない。検討されたシステムの典型的な値は、ｌ＝２５
０μｍ、α＝５ｍｒａｄ、Ｘ＝１０ｍｍ、ｄ＝５０μｍ
であり、従って、Ｋ＝３．１％である。

【００２７】図２は縮小プロセス（reduction process
）に対する動作を示すが、マスクの視野よりも小さな
通常考えられる光学視野（optical field of view ）を
伴う。示される特定のプロセスはマスクからウエーハへ
の縮小、並びに電子走査と同時的な機械走査の両方を可
能にする。示されるように、照射、例えば、加速された
電子による照射２０は、マスク網（mask giellage ）２
２として定義されるマスクセグメント２１を照射する。
マスクセグメント２１は影を与えられたマスク領域２３
によって表わされる光学フィールド内に含まれる。ｘ方
向（図面においては、左から右への方向）の機械的走査
は矢印２４によって表わされる。ｙ方向の直角走査は逐
次的でも、同時的でもあり得る。示されるステージに対
する電子的走査光線は、開口フィルタ２６内の開口２５
の一つを通過するが、開口フィルタ平面上でセグメント
１７を露出するようにクロスオーバする。ウエーハ２８
上にイメージ縮小に従ってイメージ化されたとき、ここ
でもグレイ領域として示される露出されているセグメン
ト２７及び光学フィード２８の両方ともサイズが縮小さ
れる。示されるように、フィルタ２６は連続的、同時的
なｘ−方向の機械的走査を収容するためのｘ−方向にず
れた複数の開口（x-skewed apertures）から構成され
る。これはマスク及びウエーハの連続するｘ−方向の走
査を提供し、同時に、その方向において光学フィールド
よりも大きなマスクも収容するためのｙ−方向のステッ
ピングを提供する一つの考えられる構成に従うものであ
る。この構成によると、ｙ−方向の機械的移動の際には
電子走査は行なわれない。別の方法として、同時的なｙ
−方向の機械的走査も行なえるようにすることもできる
が、この場合は、開口２５が同様にｙ−方向にスキュー
される。

【００２８】ここに説明される発明は複数の開口フィル
タの使用に依存する。他の点においては、設計はこの技
術及び特許文献どの様々なバリエーションに従うことが
できる。このような様々なバリエーション並びに将来の
バリエーションに従って実現されるのに適当な本発明の
教示に従う設計が図３との関連で説明される。示される
装置は電子ガンとして説明される電子ビーム３１を供給
するための粒子ソース３０を含む。コリメータレンズ３
２は最初の広がる傾向を持つ光線を示されるよに３３の
所で平行関係にする。走査偏向ヨーク３３及び３４は電
子走査の責務を持つ。例えば、一つのヨークからの結果
として連続的なｘ−方向走査が行なわれる。第二のヨー
クは、連続走査、或はステップされた中間のｘ−方向走
査としてのｙ−方向の移動を提供する。ここでも好まし
い実施例として示されるマスク３６は支柱３７によって
セグメント化されているように示される。マスクを通過
する際に、現在パターンを含む光線３８は動的フォーカ
ス（dynamic focus ）及びスティグメータ（stigmato）
ヨーク３９及び４０の影響下に置かれる。前述のよう
に、このステージでの焦点長及びその他の要求される調
節は要求される機械的移動を少なくする。スティッチン
グ偏向ヨーク４１及び４２はｘ−及びｙ−電子走査／ス
テッピングの際の隣接する領域の正確な位置決めを助け
る。

【００２９】可変アクセスレンズヨーク４４が提供され
ているように示される投影レンズ４４は、現在好ましい
とされる液浸変動（immersion variation ）ＶＡＩＬの
形式を持つように示される。この例においてはマスク３
６に対して縮小されたピッチを持つように示されるクロ
スオーバ平面上に位置する開口４６を含む多重開口フィ
ルタ４５は、結果としてウエーハステージ４８の頂上に
示されるウエーハ４７の上にフォーカスされたイメージ
ができるような間隔Ｘの所に位置される。前述のよう
に、説明の目的上、マスク３６は、出願人を同一とする
審理中の１９９１年１２月３０日付けで申請された合衆
国特許申請第０７／８１４，９５３号において示される
支柱にて分離されたセグメントに対応するパターン領域
から構成されるように示されるが、恐らくは、この特許
において説明されている図示されない包囲スカートが含
まれる。マスク３６を通じて通過する際にビーム上にパ
ターン情報を加える変調の後に、光線は収束され、最終
的に開口フィルタ４６によって定義される平面上或はこ
の付近のクロスオーバ（或はイメージインバージョン）
に到達する。前述のように、開口フィルタがＳＣＡＬＰ
ＥＬの場合のように望ましくない散乱放射をブロックす
るために電子イメージングに対して使用される。これは
また、例えば、望ましくない形状エッジ散乱放射をブロ
ックすることによって、他の“ノイズ”もブロックする
機能を果たす。

【００３０】本開示の他の箇所と同様に、本発明の教示
とは直接に関係のない装置の設計に関してはあまり重点
は置かれない。一例として、示される第一の目的のため
に使用される開口４６が、例えば、これ自体が、システ
ムの開口（或は瞳）を定義、或はこの機能を果たすよう
にすることもできる。。投影レンズシステムは他の要
素、例えば、対の２つの光学的に等価のレンズを含むこ
とができ、これらは、動作において、これら二つに共通
の設計或は動作に内包される対応する収差を生来的に相
殺するように反対に偏向される。（慣習のように、機能
的な形状を持つフィールドを生成するための責務を持つ
ハードウエアが、それ自体、“レンズ”と呼ばれる。） 示されるように、走査はｘ−及びｙ−方向走査のための
ペアのヨーク３４及び３５の主要な責務である。このよ
うな偏向坂（deflector ）ペアは、それ自体ビーム位置
の正確な調節のための機能を持ち、或は他の要素と一緒
になって、整合／配列を確保する機能を持つ。簡略的に
長方形として示されているが、これらは、電磁石の偏向
コイルから構成される場合が一般的である。ただし、こ
れらは、静電偏向、或は両者の組合わせに基づいて構成
することもできる。いずれの場合も、設計基準は周知で
あり、これに関しては、Ludwig Reimer （レーシング
レイマ）らによってSpringer Series in Optical Scien
ces 、ｖｏｌ．３６、ページ１９−４９に掲載の論文
『透過電子顕微鏡（Transmission Electron Microscop
y）』を参照すること。収差並びにフォーカシングの動
的修正、例えば、ウエーハの高さの変動並びにフィール
ド曲率の修正は、コアレスレンズ３９及び４０によって
うまく達成できる。これらレンズに動的調節の責務を割
り当てることによってプロセスの速度を誘導ラグ時間
（inductive lag time）を少なくして向上することがで
きる。

【００３１】投影レンズシステム４３から出、開口４６
を通過した光線はウエーハ４７上に当る。実験的な注目
を受けるこのシステムはマスク１３及びウエーハ２７の
両方の機械的走査のための備えを持つ。最初の商業化に
おいて使用される可能性を持つここに示されるシステム
対する機械的走査の第一の形式としては、これら二つに
対して同一方向或は反対方向の、そして、例えば、それ
ぞれマスク及びウエーハに対して４：１から５：１の縮
小を収容するような速度での連続走査が考えられる。第
二の形式の機械的移動は単一マスクパターン或は領域が
ステップされ、結果としてウエーハが反復して露出され
る製造方法を提供する。この目的は、マスク或はウエー
ハのみの、或はこれら二つの組合わせの移動によって達
成される。コンデンサ及び投影レンズ及び走査コイル及
び偏向板を含むその他のパーツの設計基準は、例えば、
直接書き込み電子ビーム露出システム（direct-write E
lectron Beam Exposure Systems ）並びに電子顕微鏡法
において使用されるような設計の進歩した状態のもので
ある。本発明の使用に関係する設計上の考慮事項に関し
ては、Ludwig Reimer （レーシング レイマ）らによっ
て（Springer Series in Optical Sciences 、ｖｏｌ．
３６、ページ１９−４９に掲載の論文『透過電子顕微鏡
（Transmission Electron Microscopy）』を参照するこ
と。図３は本発明の動作の概要を示すものである。この
図面はこの目的に対しては適当であるが、当業者によく
知られており、実際の動作において機能する様々な要素
は示されてない。例えば、動的な収差の修正は装置／プ
ロセス欠陥の結果としてのエラーを補償するための追加
の偏向板を含む。レンズシステムも説明的なものであ
り、追加の要素を含む。

【００３２】一般 本発明のプロセスは、例えば、電子、ＳＣＡＬＰＥＬの
使用、並びにイオンによって提供される荷電粒子描写
（delineation ）の二つの属性から利益を受ける。第一
は、波長の縮小の可能性であり、例えば、電子の場合
は、競合する電磁描写（ｘ−線の場合の約０．２５μｍ
或はこれより小さな設計規則体制と比較して）１から２
のオーダの規模の寸法の縮小が可能であり、インオの場
合は、さらに短い波長が可能である。第二は、粒子の荷
電した特性である。これらは一体となってパターンされ
ている表面に対して描写放射線の垂直でない照射、及び
リソグラフィック品質、例えば、整合／配列並びにフォ
ーカシングを保証するための動的な電子的調節を可能に
する。

【００３３】焦点の深さに対する要件の緩和は固定粒子
ソース、つまり、ポイトンソースと便宜的に見なされる
ソースから動作される大きな面積のパターン領域の同時
描写と対応しての光線経路の長さの変動を収容する。近
い将来の設計規則、例えば、０．１μｍ程度までの規則
に対しては、他の装置設計も可能であるが、約５０−２
００ｋＶの電圧レンジ内の加速フィールドが用いられた
場合、瞬間に露出される面積は数平方ミリメートル、例
えば、２５ｍｍ² となる。このサイズの面積は、例え
ば、上に述べられた合衆国特許申請第０７／８１４，９
５３号の支柱によって支持されるマスクアプローチの一
つに従うセグメントサイズに対応する。（ここで注意す
ることは、正方形、より一般的には、低い縦横比の長方
形に対して、事実上一次元のチップ長セグメント、つま
り、非交差平行支柱の使用の結果としての高い縦横比の
セグメントは本発明及び上の出願人を同一とする審理中
の特許の両方ともから利益を受けることである。） 位置決め及びフォーカシングの目的としての動的フォー
カシングは連続マスクパターン及び不連続パターン（例
えば、支柱／スカートによって分離されたパターン）の
両方に対してステッピング／走査を向上させ、また（イ
メージ或はダイの一部或は全体に対して一つ或はそれ以
上のセグメントを反復して使用することを伴う）セル投
影を向上させる。

【００３４】上の実施例を特にセグメントからセグメン
トへのステッピングに対する動的な調節を伴う同時全体
セグメント露出（instantaneous overall segment expo
sure）との関連で考察することが便利である。その他の
考慮事項はバリエーションにつながる。波長／設計規則
はフォーカシングの変更なしに、おそらくは位置の調節
なしに少なくとも隣接するセグメント間のステッピング
を許す。状況次第でセグメントごとのフォーカシングの
変更は必要とされない。結果として約１ｃｍ²の光学フ
ィールドサイズを与える（特定の設計規則及び装置のた
めの）実験的に確立された条件は再フォーカシングする
ことなしにかなりの数のセグメントごとのステッピング
を許す。一つの考えられるアプローチはステッピングの
間の光学走査、或はステッピング機能としての光線走査
を活用する。考えられるアプリケーションは、“一次
元”、例えば、チップパターン長セグメントのパターニ
ングであり、ここでは、走査は、例えば、この長さを走
査する一方で短い次元の全体が同時に露出されるような
十分な幅の光線によって行なわれる。議論は主に露出、
おそらくは、次のチップに移動するまでの一つの完全な
チップをパターン化するための累積露出（cumulative e
xposure ）に関する。他の考察事項のために露出がシー
ケンスの部分的パターンを定義するようにされる場合も
ある。例えば、露出が一つの全ウエーハを横断しての一
次元の部分パターンの一つ或は複数の全反復シリーズの
対する対応する部分領域を定義するようにされる場合も
ある。この場合は、直接的或は間接的にこれに続いて隣
接する部分領域がパターン化される。具体的な動作を決
定するにあたっては、他の条件も考慮に入れられる。例
えば、マスク或はウエーハの歪と関連する問題を低減す
る目的での温度差の最小化は個々の同時的に露出される
領域をこのように反復された部分領域露出によって置き
換えることによって達成される。殆どの部分において、
ビーム走査が基本的な目的、つまり、パターン露出との
関連で議論された。ステージ移動、並びに様々な歪／収
差誘発変動などの要因によって走査の調節が要求される
ような状況も考えられる。例えば、連続走査ではなくス
テップごとの露出を伴う実施例は、原理上はビーム走
査、さらには機械的走査を必要としないが、任意の領域
の露出の際に、例えば、パターンスティチングを楽にす
るためにある領域の露出の際におそらくはより低速のビ
ーム走査を使用することが考えられる。

【００３５】一例としてのプロセスパラメータ プロセス及び装置が最初に、他の値も可能である特質的
なパラメータ値との関連で、電子描写、例えば、ＳＣＡ
ＬＰＥＬとの関係で議論される。大部分は、これらパラ
メータ値はレジストの特性、主にセンシビィテイ、並び
にソースの輝度及びレンズのパワーによって決定され
る。ここで議論されるパラメータ値は今日の技術能力に
て釣り合ったものである。実験的な検証は１ｍｍ² の個
々のマスクセグメントサイズと関連して行なわれた。開
口プレートの偏向フィールドに対する位置によって、ピ
ッチ（開口から開口までの間隔）はマスクピッチとイメ
ージピッチの結合された許容レンジ内において可変であ
る。前述のように、任意の与えられたパターンの走査領
域間で再位置決めのために要求される比較的低速な機械
移動は全チップパターンを収容するのに十分な光学フィ
ールド値を提供する現在達成可能な条件下においては回
避される。ここで考えれる小さな設計規則に従ってのデ
バイスの製造は精度に大きな要件を置く。本発明の教示
は、このような要件に答えることに重点を置く一方で歪
から、例えば、温度勾配に起因する歪からの相対的な自
由度を要求する。現時点において、便利なレジスト／粒
子輝度に対して要求される領域ごとの（region-by-regi
on）ビームドゥエル時間は、補償されない場合、速度、
或は収率に左右されるマスク歪を与えることが知られて
いる。この問題を解消するための一つのアプローチは上
に説明のように領域ごとの部分的チップ露出を反復する
ことによるより均一な熱分布の達成である。別の方法と
しての、或は補助的な冷却も有効である。この目的を効
果的に達成するための装置アプローチは周知である。一
般的に、温度勾配によって誘導される歪を設計規則の約
２０％に低減できれば十分である。

【００３６】要約として、特に小さなチップパターンに
対して、パターンの全体の描写は単一の走査ステップの
み、つまり、単一の光学フィールドのみを必要とする。
光学フィールドのサイズによっては、単一の光学フィー
ルドを超えるサイズのチップパターンの描写は機械的移
動を必要とせず、動的フォーカシングへより大きく依存
することによって達成される。チップパターンが光学フ
ィールドを超えるような面積を持つような条件において
は、描写は機械的移動並びに機械的走査を必要とする。
このような条件下で要求される配列及び整合の精度はこ
れと付属する光線の位置決めにおけるフィールド調節に
よって満足される。実際、機械的移動は、漸進的である
か、ステップ的に行なわれるかに係わらず、一般的にフ
ィールド調節によって達成される。パターンごとの露出
のケースにおいては、独立したパターン間でのフィール
ド調節は前及び次のパターニングレベルに対する整合を
確保する目的でのみ使用される。前述のように光学軸の
可変的位置決めは動作マージンを増加させる。許される
短いドブロイ波長、つまり、波長制約解像度に基づいて
理論的に要求される値の１０分の一或はそれ以下の値の
波長は、様々な原因からの自由度を増加させる。本発明
は９０度に近い或はこれと等しい描写放射線に対する入
射角度を提供するが、幾らかの変動も耐えられる。従っ
て、本発明の向上は走査に伴うスキュイングには依存し
ないが、着地角度（垂直入射からの偏差或は“スキュー
（skew）”と関連しての精度からは解放される。

【００３７】焦点の達成可能な深さによって得られる本
質的な長所によってイメージ平面上の高さの変動が収容
される。このような高さの変動は、例えば、先行するイ
メージレベルの露出に続く展開に起因して、前の処理の
結果として発生する。

【００３８】パラメータ間の関係 開口数（numerical aperture、ｎ．ａ．）の一つの角度
値（イメージ平面、一般的にはウエーハ表面の平面の所
で測定される）に対して、真空内のシステムの焦点の深
さＤは以下によって与えられる。

【数５】 ここで、λは粒子ビーム、例えば、電子ビームのドブロ
イ波長である。

【００３９】ｎ．ａ．の小さな値に対しては、これは以
下に接近する。

【数６】 一つのセットの提唱される条件、つまり、７０ｋＶの加
速電圧に対応する値であるｎ．ａ．＝０．４ｍｒａｄ及
びλ＝０．０４５ に対しては、焦点深さＤに対する数
値は±１４μｍである。

【００４０】小さな意図的でない機械的なウエーハの移
動は殆ど影響を与えない。ウエーハの直角でない照射に
起因する許容される整合エラーは以下の式から計算でき
る。

【数７】 ここで：Δｈは、例えば、ウエーハ表面の高さの許容で
きる変動を表わし、ｅは、このソースからの許容される
最大整合エラーを表わす。

【００４１】０．１５μｍ設計規則に対しては、総オー
バレイ予算（全体としての許容される整合エラー）は実
験的に適当である０．０５μｍの値に一致する。このソ
ースからの０．０１μｍのエラーを想定すると、許容で
きる照射角度の変動は図６のαの値である。

【００４２】最も単純な条件においては、多重開口フィ
ルタと関連する本発明の要件は二つのみの開口の使用に
よって満足される。上に説明されたように開口サイズ及
び間隔を満足させることによって、単一開口処理と関連
する解像度からの損失なしにイメージサイズを二倍にす
ることが可能になる。殆どの動作は、複数の、少なくと
も１００の開口を持つことが期待される。特定の需要に
対するバリエーションも可能であるが、通常は、開口
は、少なくとも一つの特定の直線方向に関しては等間隔
とされる。図２との関係で前述したように、開口は、同
時機械的走査を収容するため、つまり、電子走査の際の
連続機械的走査を収容するために非直線的に、つまり、
片方向或は両方向にスキューするように位置することも
できる。

【００４３】開口サイズと間隔との間の基本的な関係に
ついて説明された。一例として、０．３から０．１μｍ
までの設計規則を使用しての製造においては、単一開口
に対して達成可能なコントラストの９０％のコントラス
トが２５０μｍの間隔を持つ９０μｍの直径の丸い開口
にて保持される。一般的には、本質的及び実際的な要因
を考慮した場合、それぞれ、１００μｍから１０００μ
ｍまでの間隔を持つ３６μｍから３６０μｍまでの範囲
の直径の開口が適当であると考えられる。ここで取られ
たアプローチに一貫して、ＶＡＩＬレンズ、より一般的
には、ＶＡＬレンズの設計及び動作に関する詳細な情報
はここでは提供されなかったが、これらに関しては（本
発明の新規性と直接には関係しないその他の背景情報と
ともに）上に挙げた文献を参照すること。簡潔的には、
可変軸レンズが投影レンズ、恐らくは、ウエーハの前の
最終的なイメージングフォーカシングレンズとして機能
するものと見なされる。この投影レンズがその軸の位置
調節のための設備を持つことも考えられるが、システム
内の他のレンズにこれを備えることもできる。これはイ
メージングシステム自体の中の任意の他のレンズ、並び
に任意の照射レンズについても当てはまることである。

【図面の簡単な説明】

【図１】特にコントラストに影響を与える開口サイズ及
び間隔との関連においての設計基準の説明において参照
される図面である。

【図２】現在の用いられているプロセスを特に視野及び
電子及び機械的走査能力にそれが与える意味の点から示
す図面である。

【図３】可変軸液浸レンズを使用するＳＣＡＬＰＥＬカ
ラムを示す略平面図である。

【符号の説明】

１０ マスク １３ フィルタ

フロントページの続き (72)発明者 ジェームス エー．リッドル アメリカ合衆国 07928 ニュージャーシ ィ，カザム，アパートメント シー20，ヒ ッコリー プレイス 25

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ０．５μｍの最大設計規則に対応する形
   状サイズのデバイスを製造するための方法であって、こ
   の方法がマスクイメージング領域によって走査ビーム上
   にイメージング情報がインポーズされるようにマスクの
   複数のイメージング領域を荷電粒子の電子的走査ビーム
   によって照射することから成る少なくとも一つのリソグ
   ラフィック描写ステップを含み、このマスクイメージン
   グ領域がこのビーム上にインポーズされる散乱の程度に
   関して異なる２つのタイプから成り、このイメージング
   情報が散乱の程度によって定義され、こうして投影レン
   ズを含むレンズシステムの使用によって製造されるデバ
   イス上に投影されたイメージが生成され、前記の粒子が
   粒子ソースから放射され、設計規則要件を満たすのに十
   分な値のドブロイ波長λが結果として得られる速度に加
   速され、パターン化された放射に対する伝送経路がこの
   レンズシステムの背面焦点平面上或は等価の接合平面上
   に位置されるものと定義される“背面焦点平面フィル
   タ”を含み、前記のフィルタが二つのタイプのフィルタ
   領域を含み、第一のタイプが第二のタイプよりも前記の
   パターン化された放射に対して一層の透過性を持ち、こ
   のために第一の単数或は複数のフィルタ領域が前記フィ
   ルタの通過部分を定義し、前記フィルタが前記マスクに
   よってインポズされた前記パターン化された放射の一部
   の伝送をブロックする機能を持ち、 前記光線が電子的走査の際に前記レンズの軸の位置が変
   動するように前記レンズの形状を対応して変動によって
   前記投影レンズに対して実質的に軸上に保持され、ここ
   で、前記のフィルタの通過部分が前記ビームにより小さ
   な程度の散乱をインポーズし、この通過部分が要求され
   るイメージコントラストを維持するためのサイズ及び間
   隔を持つ本質的に少なくとも二つの領域を持つことを特
   徴とする方法。
2. 【請求項２】 前記荷電粒子が本質的に電子から成り、
   前記投影レンズが可変軸液浸レンズ（ＶＡＩＬ）である
   ことを特徴とする請求項１の方法。
3. 【請求項３】 電子が５０から２００ｋＶの範囲内の規
   模の加速フィールドの使用によって加速されることを特
   徴とする請求項２の方法。
4. 【請求項４】 前記のフィルタが最低でも１００個の通
   過領域を含むことを特徴とする請求項１の方法。
5. 【請求項５】 ここでは開口と呼ばれる通過領域がビー
   ムから直角に見たときの断面が実質的に円形であり、最
   小でもレンズシステムの瞳のサイズに等しい直径を持
   ち、また、間隔が結果として以下の関係、つまり： 【数１】 に従う最大１０％以下のコントラスト損失Ｋを与えるよ
   うな値を持ち、ここで：ｄは開口サイズ（このケースに
   おいては、丸い穴の直径）を表わし、ｌは開口ピッチ
   （開口の中心から開口の中心までの間隔）を表わすこと
   を特徴とする請求項１の方法。
6. 【請求項６】 前記のマスク及びフィルタが製造の際に
   ビームに対して直角方向に互いに物理的に移動されるこ
   とを特徴とする請求項５の方法。
7. 【請求項７】 物理移動がビームの電子的走査の際の物
   理的走査を含むことを特徴とする請求項６の方法。
8. 【請求項８】 物理移動が物理的ステッピングを含み、
   このステッピングが中間の電子的走査手順であることを
   特徴とする請求項６の方法。
9. 【請求項９】 前記の物理的走査が本質的に単一方向で
   あり、物理的移動が前記物理的走査に対して本質的に直
   角方向の物理的ステッピングを含むことを特徴とする請
   求項７の方法。
10. 【請求項１０】 少なくとも一つの追加のレンズの軸の
    物理的位置を変化されるための手段が提供されることを
    特徴とする請求項１の方法。
11. 【請求項１１】 前記のリソグラフィック描写ステップ
    が前記デバイスの複数のセグメントをシーケンスにて照
    射するステップを含むことを特徴とする請求項１の方
    法。
12. 【請求項１２】 前記マスクが位置において前記デバイ
    スの前記セグメントに対応するシーケンスに離されたセ
    グメントから構成されることを特徴とすることを特徴と
    する請求項１１の方法。
13. 【請求項１３】 前記マスクセグメントの少なくとも幾
    つかが連続マスクパターンのセグメントを構成すること
    を特徴とする請求項１１の方法。
14. 【請求項１４】 イメージング情報が前記ビーム上に前
    記デバイスのセグメントの少なくとも幾つかが反復され
    るように前記マスクの部分を少なくとも一回反復照射す
    ることから成る手段によってインポーズされることを特
    徴とする請求項１の方法。
15. 【請求項１５】 前記デバイスの前記複数のセグメント
    の照射が時間順に行なわれることを特徴とする請求項１
    の方法。
16. 【請求項１６】 前記デバイスの前記セグメントの部分
    の照射が時間的に順番でないことを特徴とする請求項１
    の方法。
17. 【請求項１７】 請求項１乃至１６の任意の方法によっ
    て製造されるデバイス。