JPH06163406A - 光源装置並びにそれを用いた材料製造装置および材料製造方法 - Google Patents
光源装置並びにそれを用いた材料製造装置および材料製造方法Info
- Publication number
- JPH06163406A JPH06163406A JP33091492A JP33091492A JPH06163406A JP H06163406 A JPH06163406 A JP H06163406A JP 33091492 A JP33091492 A JP 33091492A JP 33091492 A JP33091492 A JP 33091492A JP H06163406 A JPH06163406 A JP H06163406A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light source
- energy
- semiconductor layer
- source device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体などの材料を均一かつ良好に結晶化さ
せ、また、安定性，信頼性を高く結晶化させることが可
能である。 【構成】 半導体層２のエネルギーバンドギャップＥg
よりもかなり大きな光エネルギー（ｈν1）の光と、光
エネルギー（ｈν1）よりも小さいが半導体層２のエネ
ルギーバンドギャップＥgとほぼ同じかＥgよりも大きな
光エネルギー（ｈν2）の光との２種類の光（ｈν1，ｈ
ν2）を光源装置から出射する。この場合、光エネルギ
ー（ｈν1）の光により、半導体層２の光照射側の最表
面を溶融できる。また、光エネルギー（ｈν2）の光
は、半導体層２の内部にまで透過できるため、その波長
（ν2）と半導体層２の膜厚とを適宜調整して、基板１
の近傍まで半導体層２内部を溶融できる一方で、基板１
自体には熱的ダメージを与えずに済む。
せ、また、安定性，信頼性を高く結晶化させることが可
能である。 【構成】 半導体層２のエネルギーバンドギャップＥg
よりもかなり大きな光エネルギー（ｈν1）の光と、光
エネルギー（ｈν1）よりも小さいが半導体層２のエネ
ルギーバンドギャップＥgとほぼ同じかＥgよりも大きな
光エネルギー（ｈν2）の光との２種類の光（ｈν1，ｈ
ν2）を光源装置から出射する。この場合、光エネルギ
ー（ｈν1）の光により、半導体層２の光照射側の最表
面を溶融できる。また、光エネルギー（ｈν2）の光
は、半導体層２の内部にまで透過できるため、その波長
（ν2）と半導体層２の膜厚とを適宜調整して、基板１
の近傍まで半導体層２内部を溶融できる一方で、基板１
自体には熱的ダメージを与えずに済む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体などの材料を溶
融し結晶化する場合などに用いられる光源装置並びにそ
れを用いた材料製造装置および材料製造方法に関する。
融し結晶化する場合などに用いられる光源装置並びにそ
れを用いた材料製造装置および材料製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体材料を溶融し結晶化する１
つの方法として、例えば特開昭６２−３６８５４号，特
開平２−１７７４４３号に開示されているように、光源
にエキシマレーザを用い、アモルファスシリコン膜（ａ
−Ｓｉ膜）を１種類のレーザ光で結晶化する方法が知ら
れている。また、他の方法として、ＣＯ2レーザ（波長
１０μｍ）のような長波長レーザを用いて、シリコン
（Ｓｉ）を溶融，結晶化する方法が知られている。
つの方法として、例えば特開昭６２−３６８５４号，特
開平２−１７７４４３号に開示されているように、光源
にエキシマレーザを用い、アモルファスシリコン膜（ａ
−Ｓｉ膜）を１種類のレーザ光で結晶化する方法が知ら
れている。また、他の方法として、ＣＯ2レーザ（波長
１０μｍ）のような長波長レーザを用いて、シリコン
（Ｓｉ）を溶融，結晶化する方法が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、１種類
のレーザ光で結晶化を行なう方法では、基板材料および
被結晶化層の条件をかなり適正なものに決めないと、良
好な結晶化並びに不純物拡散を行なうことができないと
いう問題があった。特に、被結晶化層は、その厚さが１
０００Å以上となると、レーザ光の照射側表面とこれと
反対側の基板側表面とで溶融，結晶化の速度が異なるた
め、膜厚方向において均一な結晶化および不純物拡散を
行なうことができないという欠点があった。
のレーザ光で結晶化を行なう方法では、基板材料および
被結晶化層の条件をかなり適正なものに決めないと、良
好な結晶化並びに不純物拡散を行なうことができないと
いう問題があった。特に、被結晶化層は、その厚さが１
０００Å以上となると、レーザ光の照射側表面とこれと
反対側の基板側表面とで溶融，結晶化の速度が異なるた
め、膜厚方向において均一な結晶化および不純物拡散を
行なうことができないという欠点があった。
【０００４】また、ＣＯ2レーザのような長波長レーザ
を用いて溶融，結晶化を行なう方法では、長波長のレー
ザ光が薄膜から基板まで透過して、基板に対して熱的ダ
メージを与え、薄膜の溶融，結晶化時の熱膨張差などに
よって膜はがれを生じさせたり、内部応力が蓄積したり
して、安定性，信頼性に欠けるという問題があった。
を用いて溶融，結晶化を行なう方法では、長波長のレー
ザ光が薄膜から基板まで透過して、基板に対して熱的ダ
メージを与え、薄膜の溶融，結晶化時の熱膨張差などに
よって膜はがれを生じさせたり、内部応力が蓄積したり
して、安定性，信頼性に欠けるという問題があった。
【０００５】本発明は、上述した従来の欠点を克服し、
半導体などの材料を均一かつ良好に結晶化させ、また、
安定性，信頼性を高く結晶化させ、さらには、これに伴
なって、不純物をも均一かつ良好に拡散させることの可
能な光源装置並びにそれを用いた材料製造装置および材
料製造方法を提供することを目的としている。
半導体などの材料を均一かつ良好に結晶化させ、また、
安定性，信頼性を高く結晶化させ、さらには、これに伴
なって、不純物をも均一かつ良好に拡散させることの可
能な光源装置並びにそれを用いた材料製造装置および材
料製造方法を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、半導体などの材料を光照射によって結晶
化させる際、この材料のエネルギーバンドギャップより
も大きい光エネルギーをもつ少なくとも２種類の光を用
いることを特徴としている。図１は２種類の光を用いて
被結晶化層としての材料を結晶化する本発明の結晶化の
モデルを示す図である。なお、本発明による結晶化と対
比させるため、１種類の光を用いて材料を結晶化する従
来の結晶化のモデルを図２に示した。なお、図１，図２
において、被結晶化層としての材料，例えば半導体層２
は基板１上に予め形成されている。先づ、図２を参照す
ると、従来の結晶化では、半導体層２のエネルギーバン
ドギャップＥgよりもかなり大きな１種類の光エネルギ
ー（ｈν1）を用いるため、すなわち、エネルギーバン
ドギャップＥgよりも十分に大きな光エネルギー（ｈ
ν1）をもつ光を出射する光源が通常用いられているた
め、半導体層２の最表面でのみ結晶化がなされ、照射時
間を増加させても半導体層２全体を均一に結晶化するこ
とは極めて難かしい。これに対し、図１を参照すると、
本発明による結晶化では、半導体層２のエネルギーバン
ドギャップＥgよりもかなり大きな光エネルギー（ｈ
ν1）の光と、光エネルギー（ｈν1）よりも小さいが半
導体層２のエネルギーバンドギャップＥgとほぼ同じか
Ｅgよりも大きな光エネルギー（ｈν2）の光との２種類
の光（ｈν1，ｈν2）を出射する光源装置を用いてい
る。すなわち、ｈν1＞ｈν2≧Ｅgの関係を満たす２種
類の光（ｈν1，ｈν2）を出射する光源装置を用いてい
る。この場合、光エネルギー（ｈν1）の光により、半
導体層２の光照射側の最表面を溶融することができる。
また、光エネルギー（ｈν2）の光は、半導体層２の内
部にまで透過することができるため、その波長（ν2）
と半導体層２の膜厚とを適宜調整することにより（例え
ば、光エネルギー（ｈν2）の光が基板１の近傍には達
するが、基板１にまでは透過しないように調整すること
により）、基板１の近傍まで半導体層２内部を溶融する
ことができる一方で、基板１自体には熱的ダメージを与
えずに済む。
に、本発明は、半導体などの材料を光照射によって結晶
化させる際、この材料のエネルギーバンドギャップより
も大きい光エネルギーをもつ少なくとも２種類の光を用
いることを特徴としている。図１は２種類の光を用いて
被結晶化層としての材料を結晶化する本発明の結晶化の
モデルを示す図である。なお、本発明による結晶化と対
比させるため、１種類の光を用いて材料を結晶化する従
来の結晶化のモデルを図２に示した。なお、図１，図２
において、被結晶化層としての材料，例えば半導体層２
は基板１上に予め形成されている。先づ、図２を参照す
ると、従来の結晶化では、半導体層２のエネルギーバン
ドギャップＥgよりもかなり大きな１種類の光エネルギ
ー（ｈν1）を用いるため、すなわち、エネルギーバン
ドギャップＥgよりも十分に大きな光エネルギー（ｈ
ν1）をもつ光を出射する光源が通常用いられているた
め、半導体層２の最表面でのみ結晶化がなされ、照射時
間を増加させても半導体層２全体を均一に結晶化するこ
とは極めて難かしい。これに対し、図１を参照すると、
本発明による結晶化では、半導体層２のエネルギーバン
ドギャップＥgよりもかなり大きな光エネルギー（ｈ
ν1）の光と、光エネルギー（ｈν1）よりも小さいが半
導体層２のエネルギーバンドギャップＥgとほぼ同じか
Ｅgよりも大きな光エネルギー（ｈν2）の光との２種類
の光（ｈν1，ｈν2）を出射する光源装置を用いてい
る。すなわち、ｈν1＞ｈν2≧Ｅgの関係を満たす２種
類の光（ｈν1，ｈν2）を出射する光源装置を用いてい
る。この場合、光エネルギー（ｈν1）の光により、半
導体層２の光照射側の最表面を溶融することができる。
また、光エネルギー（ｈν2）の光は、半導体層２の内
部にまで透過することができるため、その波長（ν2）
と半導体層２の膜厚とを適宜調整することにより（例え
ば、光エネルギー（ｈν2）の光が基板１の近傍には達
するが、基板１にまでは透過しないように調整すること
により）、基板１の近傍まで半導体層２内部を溶融する
ことができる一方で、基板１自体には熱的ダメージを与
えずに済む。
【０００７】従って、光エネルギー（ｈν1）の光と光
エネルギー（ｈν2）の光とを同時に照射することによ
り、半導体層２に対し、最表面が溶融した状態と、内部
が溶融した状態とを同時に実現することができ、半導体
層２全体を基板１の近傍まで均一に結晶化することがで
きる。また、この際、基板１に対して熱的ダメージを与
えずに済み、半導体層２全体に熱が加わることにより、
安定性，信頼性の高い結晶化を行なうことができる。
エネルギー（ｈν2）の光とを同時に照射することによ
り、半導体層２に対し、最表面が溶融した状態と、内部
が溶融した状態とを同時に実現することができ、半導体
層２全体を基板１の近傍まで均一に結晶化することがで
きる。また、この際、基板１に対して熱的ダメージを与
えずに済み、半導体層２全体に熱が加わることにより、
安定性，信頼性の高い結晶化を行なうことができる。
【０００８】また、上記２種類の光を同時に照射するの
でなく、互いに時間をずらして照射するようにしても良
い。図３（ａ）乃至（ｄ）は２種類の光を時間をずらし
て照射する場合の結晶化の様子を示す図である。この場
合、図３（ａ）に示すように、先づ、エネルギーの小さ
い方の光，すなわち光エネルギー（ｈν2）の光を先づ
照射する。この結果、半導体層２は、図３（ｂ）に示す
ように、最初、基板１の近傍付近まで全体が溶融し、し
かる後、光照射側の最表面３から固化（結晶化）が始ま
る。この際、図３（ｃ）に示すように、光エネルギー
（ｈν2）の光を照射した後、少し遅れて、エネルギー
の高い光，すなわち光エネルギー（ｈν1）の光を照射
すると、半導体層２の固化し始めた最表面３が再び溶融
する。この結果、図３（ｄ）に示すように、最終的に半
導体層２全体にわたり、結晶粒はより均一なものとな
る。換言すれば、光エネルギー（ｈν2）の光と光エネ
ルギー（ｈν1）の光とを所定の時間差をもって照射す
ることにより、より均一な結晶化を行なうことができ
る。
でなく、互いに時間をずらして照射するようにしても良
い。図３（ａ）乃至（ｄ）は２種類の光を時間をずらし
て照射する場合の結晶化の様子を示す図である。この場
合、図３（ａ）に示すように、先づ、エネルギーの小さ
い方の光，すなわち光エネルギー（ｈν2）の光を先づ
照射する。この結果、半導体層２は、図３（ｂ）に示す
ように、最初、基板１の近傍付近まで全体が溶融し、し
かる後、光照射側の最表面３から固化（結晶化）が始ま
る。この際、図３（ｃ）に示すように、光エネルギー
（ｈν2）の光を照射した後、少し遅れて、エネルギー
の高い光，すなわち光エネルギー（ｈν1）の光を照射
すると、半導体層２の固化し始めた最表面３が再び溶融
する。この結果、図３（ｄ）に示すように、最終的に半
導体層２全体にわたり、結晶粒はより均一なものとな
る。換言すれば、光エネルギー（ｈν2）の光と光エネ
ルギー（ｈν1）の光とを所定の時間差をもって照射す
ることにより、より均一な結晶化を行なうことができ
る。
【０００９】なお、上記モデル図では、２種類の光を用
いてアニールを行なったが、さらに多くの種類の光，例
えば、Ｅg≦ｈν2＜ｈν3＜ｈν1の関係を満たすような
３種類の光（ｈν1，ｈν2，ｈν3）を用いてアニール
を行なうこともできる。
いてアニールを行なったが、さらに多くの種類の光，例
えば、Ｅg≦ｈν2＜ｈν3＜ｈν1の関係を満たすような
３種類の光（ｈν1，ｈν2，ｈν3）を用いてアニール
を行なうこともできる。
【００１０】また、被結晶化層，すなわち材料２を半導
体層としたが、他の材料，例えば、ビスマス（Ｂｉ）や
アンチモン（Ｓｂ）などの半金属を溶融し結晶化する場
合にも本発明を適用することができる。
体層としたが、他の材料，例えば、ビスマス（Ｂｉ）や
アンチモン（Ｓｂ）などの半金属を溶融し結晶化する場
合にも本発明を適用することができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図４は本発明に係る光源装置の第１の実施例の構
成図である。この第１の実施例の光源装置２１は、光エ
ネルギー（ｈν1）の光を照射する第１の光源２２と、
光エネルギー（ｈν2）の光を出射する第２の光源２３
と、第１の光源２２および第２の光源２３の駆動制御を
行なう制御部２４と、ミラー２５と、ビームスプリッタ
２６とを有している。ここで、第１の光源２２として
は、例えば、波長λ1が１５０〜３５０ｎｍの範囲の光
エネルギー（ｈν1）の光を出射するエキシマレーザが
用いられ、また、第２の光源２３としては、例えば、波
長λ1よりも長波長の光エネルギー（ｈν2）の光を出射
するＡｒレーザが用いられる。また、制御部２４は、例
えば、第１の光源２２および第２の光源２３をパルス駆
動し、その際、そのパルス幅およびパルス間隔，さらに
は光のエネルギー強度等を制御するようになっている。
する。図４は本発明に係る光源装置の第１の実施例の構
成図である。この第１の実施例の光源装置２１は、光エ
ネルギー（ｈν1）の光を照射する第１の光源２２と、
光エネルギー（ｈν2）の光を出射する第２の光源２３
と、第１の光源２２および第２の光源２３の駆動制御を
行なう制御部２４と、ミラー２５と、ビームスプリッタ
２６とを有している。ここで、第１の光源２２として
は、例えば、波長λ1が１５０〜３５０ｎｍの範囲の光
エネルギー（ｈν1）の光を出射するエキシマレーザが
用いられ、また、第２の光源２３としては、例えば、波
長λ1よりも長波長の光エネルギー（ｈν2）の光を出射
するＡｒレーザが用いられる。また、制御部２４は、例
えば、第１の光源２２および第２の光源２３をパルス駆
動し、その際、そのパルス幅およびパルス間隔，さらに
は光のエネルギー強度等を制御するようになっている。
【００１２】図５は図４の光源装置２１を用いた材料製
造装置の構成例を示す図である。この材料製造装置は、
チャンバ３１内に基板１を保持するためのホルダ３２が
設けられ、チャンバ３１内を所定の雰囲気，温度，圧力
に設定した状態で、光源装置２１を駆動し、光源装置２
１からの２種類の光により基板１上に形成されている半
導体層２を溶融し、結晶化するようになっている。
造装置の構成例を示す図である。この材料製造装置は、
チャンバ３１内に基板１を保持するためのホルダ３２が
設けられ、チャンバ３１内を所定の雰囲気，温度，圧力
に設定した状態で、光源装置２１を駆動し、光源装置２
１からの２種類の光により基板１上に形成されている半
導体層２を溶融し、結晶化するようになっている。
【００１３】このような構成の光源装置２１およびそれ
を用いた材料製造装置では、光源装置２１の制御部２４
により、第１の光源２２および第２の光源２３を駆動制
御する。これにより、第１の光源２２から出射された光
エネルギー（ｈν1）の光は、ビームスプリッタ２６を
介して半導体層２に入射する。半導体層２のエネルギー
バンドギャップＥgよりも、光エネルギー（ｈν1）が十
分に大きいものであれば、この光エネルギー（ｈν1）
の光の照射によって、半導体層２の光入射側の最表面３
を溶融することができる。また、第２の光源２３から出
射された光エネルギー（ｈν2）の光は、ミラー２５，
ビームスプリッタ２６を介して、半導体層２に入射す
る。この光エネルギー（ｈν2）がｈν1＞ｈν2≧Ｅgを
満たす大きさのものであれば、この光エネルギー（ｈν
2）の光の照射によって、半導体層２の内部を溶融する
ことができる。
を用いた材料製造装置では、光源装置２１の制御部２４
により、第１の光源２２および第２の光源２３を駆動制
御する。これにより、第１の光源２２から出射された光
エネルギー（ｈν1）の光は、ビームスプリッタ２６を
介して半導体層２に入射する。半導体層２のエネルギー
バンドギャップＥgよりも、光エネルギー（ｈν1）が十
分に大きいものであれば、この光エネルギー（ｈν1）
の光の照射によって、半導体層２の光入射側の最表面３
を溶融することができる。また、第２の光源２３から出
射された光エネルギー（ｈν2）の光は、ミラー２５，
ビームスプリッタ２６を介して、半導体層２に入射す
る。この光エネルギー（ｈν2）がｈν1＞ｈν2≧Ｅgを
満たす大きさのものであれば、この光エネルギー（ｈν
2）の光の照射によって、半導体層２の内部を溶融する
ことができる。
【００１４】この際、制御部２４が第１の光源２２およ
び第２の光源２３を同時に駆動する場合には、光エネル
ギー（ｈν1）の光と光エネルギー（ｈν2）の光とは、
半導体層２を同時に照射し、最表面が溶融した状態と内
部が溶融した状態とを同時に実現することができ、半導
体層２全体を基板１の近傍まで均一に結晶化することが
できる。また、制御部２４が第１の光源２２および第２
の光源２３を所定の時間差をもって駆動する場合には、
光エネルギー（ｈν1）の光と光エネルギー（ｈν2）の
光とは、半導体層２を時間差をもって照射し、内部が溶
融した状態と最表面が溶融した状態とを所定の時間をず
らして実現することができる。
び第２の光源２３を同時に駆動する場合には、光エネル
ギー（ｈν1）の光と光エネルギー（ｈν2）の光とは、
半導体層２を同時に照射し、最表面が溶融した状態と内
部が溶融した状態とを同時に実現することができ、半導
体層２全体を基板１の近傍まで均一に結晶化することが
できる。また、制御部２４が第１の光源２２および第２
の光源２３を所定の時間差をもって駆動する場合には、
光エネルギー（ｈν1）の光と光エネルギー（ｈν2）の
光とは、半導体層２を時間差をもって照射し、内部が溶
融した状態と最表面が溶融した状態とを所定の時間をず
らして実現することができる。
【００１５】実際に、基板１上に半導体層２を形成し、
この半導体層２を図５の材料製造装置によって溶融化
し、結晶化した。ここで、基板１としては、石英基板を
用い、この石英基板１上に、ＬＰＣＶＤ法により１００
ＳＣＣＭのＳｉ2Ｈ6ガス雰囲気，温度５５０℃，圧力
０．５torrの条件下で、半導体層２として、アモルファ
スシリコン膜（ａ−Ｓｉ膜）を１０００Åの厚さに形成
した。このアモルファスシリコン膜のエネルギーバンド
ギャップＥgは、光学測定法で測定した結果、１．４ｅ
Ｖであった。
この半導体層２を図５の材料製造装置によって溶融化
し、結晶化した。ここで、基板１としては、石英基板を
用い、この石英基板１上に、ＬＰＣＶＤ法により１００
ＳＣＣＭのＳｉ2Ｈ6ガス雰囲気，温度５５０℃，圧力
０．５torrの条件下で、半導体層２として、アモルファ
スシリコン膜（ａ−Ｓｉ膜）を１０００Åの厚さに形成
した。このアモルファスシリコン膜のエネルギーバンド
ギャップＥgは、光学測定法で測定した結果、１．４ｅ
Ｖであった。
【００１６】このようにして基板１上に半導体層２を形
成後、光源装置２１を駆動して半導体層２のアニールを
行なった。ここで、第１の光源２２としては、波長が２
４８ｎｍ，光エネルギー（ｈν1）が約５ｅＶの光を出
射するＫｒＦエキシマレーザを用い、また第２の光源２
３としては、波長が５１５ｎｍ，光エネルギー（ｈ
ν2）が約２．４ｅＶの光を出射するＡｒレーザを用い
た。また、第１の光源２２の駆動条件，すなわち光エネ
ルギー（ｈν1）の照射条件については、これをパルス
幅１０ｎ秒，繰返し周波数１０ＨZ，エネルギー強度１
００ｍＪ／cm2とし、このパルス光を１０ショット照射
した。また、第２の光源２３の駆動条件，すなわち光エ
ネルギー（ｈν2）の照射条件については、第１の光源
２２と同期させて、パルス幅１０μ秒，エネルギー強度
１ｍＪ／cm2とした。
成後、光源装置２１を駆動して半導体層２のアニールを
行なった。ここで、第１の光源２２としては、波長が２
４８ｎｍ，光エネルギー（ｈν1）が約５ｅＶの光を出
射するＫｒＦエキシマレーザを用い、また第２の光源２
３としては、波長が５１５ｎｍ，光エネルギー（ｈ
ν2）が約２．４ｅＶの光を出射するＡｒレーザを用い
た。また、第１の光源２２の駆動条件，すなわち光エネ
ルギー（ｈν1）の照射条件については、これをパルス
幅１０ｎ秒，繰返し周波数１０ＨZ，エネルギー強度１
００ｍＪ／cm2とし、このパルス光を１０ショット照射
した。また、第２の光源２３の駆動条件，すなわち光エ
ネルギー（ｈν2）の照射条件については、第１の光源
２２と同期させて、パルス幅１０μ秒，エネルギー強度
１ｍＪ／cm2とした。
【００１７】図６は本発明に係る光源装置の第２の実施
例の構成図である。この第２の実施例の光源装置５１
は、光エネルギー（ｈν2）の光を出射する光源５２
と、光源５２からの光エネルギー（ｈν2）の光を分割
するビームスプリッタ５３と、ビームスプリッタ５３を
介して光エネルギー（ｈν2）の光が入射するとき、こ
れを光エネルギー（ｈν1）の光に波長変換する波長変
換素子５４と、光源５２の駆動制御を行なう制御部５５
と、ミラー５６，５７と、ビームスプリッタ５８とを有
している。ここで、光源５２としては、例えば、波長λ
2が８６０ｎｍ，光エネルギー（ｈν2）が約１．４ｅＶ
の半導体レーザが用いられ、また、波長変換素子５４と
しては、例えばＬｉＮｂＯ3結晶等の第２高調波発生素
子が用いられ、第２高調波発生素子が用いられる場合、
波長λ1が４３０ｎｍ，光エネルギー（ｈν1）が約２．
９ｅＶの第２高調波を発生させることができる。
例の構成図である。この第２の実施例の光源装置５１
は、光エネルギー（ｈν2）の光を出射する光源５２
と、光源５２からの光エネルギー（ｈν2）の光を分割
するビームスプリッタ５３と、ビームスプリッタ５３を
介して光エネルギー（ｈν2）の光が入射するとき、こ
れを光エネルギー（ｈν1）の光に波長変換する波長変
換素子５４と、光源５２の駆動制御を行なう制御部５５
と、ミラー５６，５７と、ビームスプリッタ５８とを有
している。ここで、光源５２としては、例えば、波長λ
2が８６０ｎｍ，光エネルギー（ｈν2）が約１．４ｅＶ
の半導体レーザが用いられ、また、波長変換素子５４と
しては、例えばＬｉＮｂＯ3結晶等の第２高調波発生素
子が用いられ、第２高調波発生素子が用いられる場合、
波長λ1が４３０ｎｍ，光エネルギー（ｈν1）が約２．
９ｅＶの第２高調波を発生させることができる。
【００１８】図７は図６の光源装置５１を用いた材料製
造装置の構成例を示す図である。この材料製造装置は、
図５の材料製造装置と同様に、チャンバ３１内に基板１
を保持するためのホルダ３２が設けられ、チャンバ３１
内を所定の雰囲気，温度，圧力に設定した状態で、光源
装置５１を駆動し、光源装置５１からの２種類の光によ
り基板１上に形成されている半導体層２を溶融し、結晶
化するようになっている。
造装置の構成例を示す図である。この材料製造装置は、
図５の材料製造装置と同様に、チャンバ３１内に基板１
を保持するためのホルダ３２が設けられ、チャンバ３１
内を所定の雰囲気，温度，圧力に設定した状態で、光源
装置５１を駆動し、光源装置５１からの２種類の光によ
り基板１上に形成されている半導体層２を溶融し、結晶
化するようになっている。
【００１９】このような構成の光源装置５１およびそれ
を用いた材料製造装置では、光源装置５１の制御部５５
により、光源５２を駆動制御する。これにより、光源５
２から出射された光エネルギー（ｈν2）の光は、ビー
ムスプリッタ５３により分割され、一方は、ミラー５
６，ビームスプリッタ５８を介して光エネルギー（ｈν
2）の光として半導体層２に入射する。また、ビームス
プリッタ５３で分割された他方の光は、波長変換素子５
４により短波長変換されてミラー５７，ビームスプリッ
タ５８を介し光エネルギー（ｈν1）の光として半導体
層２に入射する。波長変換素子５４からの光の光エネル
ギー（ｈν1）が半導体層２のエネルギーバンドギャッ
プＥgよりも十分に大きいものであれば、この光エネル
ギー（ｈν1）の光の照射によって、半導体層２の光入
射側の最表面３を溶融することができる。また、光源５
２からミラー５６，ビームスプリッタ５８を介して半導
体層２に入射する光の光エネルギー（ｈν2）がｈν1＞
ｈν2≧Ｅgの関係を満たす大きさのものであれば、この
光エネルギー（ｈν2）の光の照射によって、半導体層
２の内部を溶融することができる。
を用いた材料製造装置では、光源装置５１の制御部５５
により、光源５２を駆動制御する。これにより、光源５
２から出射された光エネルギー（ｈν2）の光は、ビー
ムスプリッタ５３により分割され、一方は、ミラー５
６，ビームスプリッタ５８を介して光エネルギー（ｈν
2）の光として半導体層２に入射する。また、ビームス
プリッタ５３で分割された他方の光は、波長変換素子５
４により短波長変換されてミラー５７，ビームスプリッ
タ５８を介し光エネルギー（ｈν1）の光として半導体
層２に入射する。波長変換素子５４からの光の光エネル
ギー（ｈν1）が半導体層２のエネルギーバンドギャッ
プＥgよりも十分に大きいものであれば、この光エネル
ギー（ｈν1）の光の照射によって、半導体層２の光入
射側の最表面３を溶融することができる。また、光源５
２からミラー５６，ビームスプリッタ５８を介して半導
体層２に入射する光の光エネルギー（ｈν2）がｈν1＞
ｈν2≧Ｅgの関係を満たす大きさのものであれば、この
光エネルギー（ｈν2）の光の照射によって、半導体層
２の内部を溶融することができる。
【００２０】図６，図７の構成では、制御部５５が光源
５２を駆動するとき、光エネルギー（ｈν1）の光と光
エネルギー（ｈν2）の光とはほぼ同時に出射され、従
って、半導体層２をほぼ同時に照射し、最表面が溶融し
た状態と内部が溶融した状態とを同時に実現することが
できる。これにより、半導体層２全体を基板１の近傍ま
で均一に結晶化することができる。
５２を駆動するとき、光エネルギー（ｈν1）の光と光
エネルギー（ｈν2）の光とはほぼ同時に出射され、従
って、半導体層２をほぼ同時に照射し、最表面が溶融し
た状態と内部が溶融した状態とを同時に実現することが
できる。これにより、半導体層２全体を基板１の近傍ま
で均一に結晶化することができる。
【００２１】実際に、基板１上に半導体層２を形成し、
この半導体層２を図７の材料製造装置によって溶融化
し、結晶化した。ここで、基板１としては、シリコン
（Ｓｉ）ウェハー上に５００Åの膜厚の熱酸化膜が形成
された基板を用い、この基板１上に、ＬＰＣＶＤ法によ
り３００ＳＣＣＭのＳｉＨ4ガス雰囲気，温度６３０
℃，圧力０．１torrの条件下で、半導体層２として、ポ
リシリコン膜を５００Åの厚さに形成した。このポリシ
リコン膜のエネルギーバンドギャップＥgは、光学的測
定法で測定した結果、１．２ｅＶであった。
この半導体層２を図７の材料製造装置によって溶融化
し、結晶化した。ここで、基板１としては、シリコン
（Ｓｉ）ウェハー上に５００Åの膜厚の熱酸化膜が形成
された基板を用い、この基板１上に、ＬＰＣＶＤ法によ
り３００ＳＣＣＭのＳｉＨ4ガス雰囲気，温度６３０
℃，圧力０．１torrの条件下で、半導体層２として、ポ
リシリコン膜を５００Åの厚さに形成した。このポリシ
リコン膜のエネルギーバンドギャップＥgは、光学的測
定法で測定した結果、１．２ｅＶであった。
【００２２】このようにして基板１上に半導体層２を形
成後、光源装置５１を駆動して半導体層２のアニールを
行なった。
成後、光源装置５１を駆動して半導体層２のアニールを
行なった。
【００２３】ここで、光源５２としては、波長が８６０
ｎｍ，光エネルギー（ｈν2）が１．４ｅＶの光を出射
するエネルギー強度５ｍＷ／cm2の半導体レーザを用
い、また、波長変換素子５４としては、ＬｉＮｂＯ3結
晶からなる第２高調波発生素子を用いた。また、半導体
レーザの駆動条件，すなわち光エネルギー（ｈν2）の
照射条件については、これを、パルス幅１０μ秒のもの
とし、このパルス光を１０2から１０3ショットで半導体
層２に照射した。また、波長変換素子５４から出射する
光エネルギー（ｈν1）の照射条件は、光エネルギー
（ｈν2）の光の照射条件に従っており、光エネルギー
（ｈν2）の光と完全に同期しており、パルス幅が１０
μ秒であり、光エネルギー（ｈν2）の光とほぼ同時に
半導体層２に照射した。
ｎｍ，光エネルギー（ｈν2）が１．４ｅＶの光を出射
するエネルギー強度５ｍＷ／cm2の半導体レーザを用
い、また、波長変換素子５４としては、ＬｉＮｂＯ3結
晶からなる第２高調波発生素子を用いた。また、半導体
レーザの駆動条件，すなわち光エネルギー（ｈν2）の
照射条件については、これを、パルス幅１０μ秒のもの
とし、このパルス光を１０2から１０3ショットで半導体
層２に照射した。また、波長変換素子５４から出射する
光エネルギー（ｈν1）の照射条件は、光エネルギー
（ｈν2）の光の照射条件に従っており、光エネルギー
（ｈν2）の光と完全に同期しており、パルス幅が１０
μ秒であり、光エネルギー（ｈν2）の光とほぼ同時に
半導体層２に照射した。
【００２４】なお、図６，図７に示す例では、光エネル
ギー（ｈν1）の光と光エネルギー（ｈν2）の光とはほ
ぼ同時に半導体層２を照射するよう構成されているが、
光源装置を図８に示すような構成とすることにより、こ
れら２種類の光を時間差をもって照射することができ
る。すなわち、図８の構成例では、図６の光源装置にお
いて、ビームスプリッタ５３とミラー５６との間に、光
変調器または光スイッチ６３が設けられ、また、ビーム
スプリッタ５３と波長変換素子５４との間に、光変調器
または光スイッチ６４が設けられている。光変調器また
は光スイッチ６３，６４は、光源５２から図９（ａ）に
示すような光パルスが所定の時間間隔Ｔで出射されこれ
がビームスプリッタ５６で分割されたときに、各光パル
スを所定の時間差τでスイッチングして、図９（ｂ）に
示すような光パルスと図９（ｃ）に示すような光パルス
とを生成する機能を有している。この場合、図９（ｂ）
に示すような光パルスを光エネルギー（ｈν2）の光と
してミラー５６，ビームスプリッタ５８を介して半導体
層２に入射させ、また、図９（ｃ）に示すような光パル
スを波長変換素子５４に入射させ、波長変換素子５４か
ら光エネルギー（ｈν1）の光を出射させてミラー５
７，ビームスプリッタ５８を介して半導体層２に入射さ
せることができる。従って、図８のように構成すること
により、光エネルギー（ｈν2）の光と光エネルギー
（ｈν1）の光とを時間差τをもって半導体層２に入射
させることができる。
ギー（ｈν1）の光と光エネルギー（ｈν2）の光とはほ
ぼ同時に半導体層２を照射するよう構成されているが、
光源装置を図８に示すような構成とすることにより、こ
れら２種類の光を時間差をもって照射することができ
る。すなわち、図８の構成例では、図６の光源装置にお
いて、ビームスプリッタ５３とミラー５６との間に、光
変調器または光スイッチ６３が設けられ、また、ビーム
スプリッタ５３と波長変換素子５４との間に、光変調器
または光スイッチ６４が設けられている。光変調器また
は光スイッチ６３，６４は、光源５２から図９（ａ）に
示すような光パルスが所定の時間間隔Ｔで出射されこれ
がビームスプリッタ５６で分割されたときに、各光パル
スを所定の時間差τでスイッチングして、図９（ｂ）に
示すような光パルスと図９（ｃ）に示すような光パルス
とを生成する機能を有している。この場合、図９（ｂ）
に示すような光パルスを光エネルギー（ｈν2）の光と
してミラー５６，ビームスプリッタ５８を介して半導体
層２に入射させ、また、図９（ｃ）に示すような光パル
スを波長変換素子５４に入射させ、波長変換素子５４か
ら光エネルギー（ｈν1）の光を出射させてミラー５
７，ビームスプリッタ５８を介して半導体層２に入射さ
せることができる。従って、図８のように構成すること
により、光エネルギー（ｈν2）の光と光エネルギー
（ｈν1）の光とを時間差τをもって半導体層２に入射
させることができる。
【００２５】また、上述の各実施例において、シリコン
(Ｓｉ)が溶融状態になったときの不純物の拡散係数は、
固相の場合と比較して、５〜７桁程度上昇する。すなわ
ち、シリコン(Ｓｉ)の溶融領域では、不純物は、極めて
短かい時間(ｎ秒〜μ秒)で拡散する。これによって、半
導体層(シリコン層)２を基板１の近傍まで均一に結晶化
することができることに伴なって、不純物をも基板１の
近傍まで均一に拡散させることができる。
(Ｓｉ)が溶融状態になったときの不純物の拡散係数は、
固相の場合と比較して、５〜７桁程度上昇する。すなわ
ち、シリコン(Ｓｉ)の溶融領域では、不純物は、極めて
短かい時間(ｎ秒〜μ秒)で拡散する。これによって、半
導体層(シリコン層)２を基板１の近傍まで均一に結晶化
することができることに伴なって、不純物をも基板１の
近傍まで均一に拡散させることができる。
【００２６】
【発明の効果】以上に説明したように、請求項１乃至６
記載の発明によれば、所定の材料を光照射して該材料を
溶融し結晶化するのに用いられる光源装置であって、前
記材料のエネルギーギャップよりも大きな複数種類の光
エネルギーの光を出射するようになっているので、半導
体などの材料を均一かつ良好に結晶化させ、また、安定
性，信頼性良く結晶化させることができ、さらには、こ
れに付随して均一かつ良好な不純物拡散を行なうことが
できる。
記載の発明によれば、所定の材料を光照射して該材料を
溶融し結晶化するのに用いられる光源装置であって、前
記材料のエネルギーギャップよりも大きな複数種類の光
エネルギーの光を出射するようになっているので、半導
体などの材料を均一かつ良好に結晶化させ、また、安定
性，信頼性良く結晶化させることができ、さらには、こ
れに付随して均一かつ良好な不純物拡散を行なうことが
できる。
【００２７】特に、請求項３記載の発明によれば、光源
からの光と、該光源からの光を波長変換素子で波長変換
した結果の光とにより、複数種類の光エネルギーの光を
発生させるようにしているので、複数種類の光源を別個
に設ける必要がなく、光源装置を小型に維持しつつ、材
料を溶融して結晶化するのに必要な複数種類の光エネル
ギーの光を出射することができる。
からの光と、該光源からの光を波長変換素子で波長変換
した結果の光とにより、複数種類の光エネルギーの光を
発生させるようにしているので、複数種類の光源を別個
に設ける必要がなく、光源装置を小型に維持しつつ、材
料を溶融して結晶化するのに必要な複数種類の光エネル
ギーの光を出射することができる。
【００２８】また、請求項６記載の発明によれば、複数
種類の光エネルギーの光を光源装置から所定の時間差を
もって出射させ、該複数種類の光エネルギーの光を前記
材料に所定の時間差をもって照射することにより、より
均一な結晶粒を得ることができ、より均一な結晶化を行
なうことができ、またこれに付随して、より均一な不純
物拡散を行なうことができる。
種類の光エネルギーの光を光源装置から所定の時間差を
もって出射させ、該複数種類の光エネルギーの光を前記
材料に所定の時間差をもって照射することにより、より
均一な結晶粒を得ることができ、より均一な結晶化を行
なうことができ、またこれに付随して、より均一な不純
物拡散を行なうことができる。
【図１】本発明の結晶化を説明するための図である。
【図２】従来の結晶化を説明するための図である。
【図３】（ａ）乃至（ｄ）は２種類の光を時間差をもっ
て照射するときの結晶化の様子を示す図である。
て照射するときの結晶化の様子を示す図である。
【図４】本発明に係る光源装置の第１の実施例の構成図
である。
である。
【図５】図４の光源装置を用いた材料製造装置の構成例
を示す図である。
を示す図である。
【図６】本発明に係る光源装置の第２の実施例の構成図
である。
である。
【図７】図６の光源装置を用いた材料製造装置の構成例
を示す図である。
を示す図である。
【図８】図６の光源装置の変形例を示す図である。
【図９】（ａ）乃至（ｃ）は図８の光源装置で生成され
る光パルスを示す図である。
る光パルスを示す図である。
１ 基板 ２ 材料（半導体層） ３ 材料の最表面 ２１，５１ 光源装置 ２２ 第１の光源 ２３ 第２の光源 ２４ 制御部 ２５ ミラー ２６ ビームスプリッタ ３１ チャンバ ３２ ホルダ ５２ 光源 ５３ ビームスプリッタ ５４ 波長変換素子 ５５ 制御部 ５６，５７ ミラー ５８ ビームスプリッタ ６３ 光変調器または光スイッチ
Claims (6)
- 【請求項１】 所定の材料を光照射して該材料を溶融し
結晶化するのに用いられる光源装置であって、前記材料
のエネルギーバンドギャップよりも大きな複数種類の光
エネルギーの光を出射するようになっていることを特徴
とする光源装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の光源装置において、前記
複数種類の光エネルギーの光は、複数種類の光源からそ
れぞれ出射されるようになっていることを特徴とする光
源装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の光源装置において、所定
の光エネルギーの光を出射する光源と、該光源からの光
を波長変換する波長変換素子とを有し、前記複数種類の
光エネルギーの光は、前記光源と前記波長変換素子とか
らそれぞれ出射されるようになっていることを特徴とす
る光源装置。 - 【請求項４】 請求項１記載の光源装置が用いられ、該
光源装置から出射された複数種類の光エネルギーの光の
照射によって、所定の材料を溶融し、結晶化するように
なっていることを特徴とする材料製造装置。 - 【請求項５】 所定の材料を光照射して該材料を溶融し
結晶化させる材料製造方法であって、複数種類の光エネ
ルギーの光を光源装置から同時に出射させ、該複数種類
の光エネルギーの光を前記材料に同時に照射することを
特徴とする材料製造方法。 - 【請求項６】 所定の材料を光照射して該材料を溶融し
結晶化させる材料製造方法であって、複数種類の光エネ
ルギーの光を光源装置から所定の時間差をもって出射さ
せ、該複数種類の光エネルギーの光を前記材料に所定の
時間差をもって照射することを特徴とする材料製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33091492A JPH06163406A (ja) | 1992-11-17 | 1992-11-17 | 光源装置並びにそれを用いた材料製造装置および材料製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33091492A JPH06163406A (ja) | 1992-11-17 | 1992-11-17 | 光源装置並びにそれを用いた材料製造装置および材料製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163406A true JPH06163406A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=18237886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33091492A Pending JPH06163406A (ja) | 1992-11-17 | 1992-11-17 | 光源装置並びにそれを用いた材料製造装置および材料製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06163406A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997028559A1 (fr) * | 1996-01-30 | 1997-08-07 | Seiko Epson Corporation | Dispositif permettant d'obtenir un corps d'une energie elevee, procede de formation d'un film cristallin, et procede de fabrication d'un composant electronique possedant un film fin |
| JPH10144620A (ja) * | 1996-11-07 | 1998-05-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザー照射システムおよびその応用方法 |
| WO1999031719A1 (en) * | 1997-12-17 | 1999-06-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor thin film, method of producing the same, apparatus for producing the same, semiconductor device and method of producing the same |
| JP2004087667A (ja) * | 2002-08-26 | 2004-03-18 | Hitachi Cable Ltd | 結晶シリコン系薄膜半導体装置の製造方法 |
| JP2004266102A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザ照射装置およびレーザ照射方法、並びに半導体装置の作製方法。 |
| JP2004343007A (ja) * | 2003-05-19 | 2004-12-02 | Hitachi Cable Ltd | 結晶シリコン薄膜の製造方法 |
| JP2007019539A (ja) * | 1994-07-22 | 2007-01-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザー処理方法 |
| JP2008098595A (ja) * | 2006-10-13 | 2008-04-24 | Samsung Sdi Co Ltd | 多結晶シリコン薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-11-17 JP JP33091492A patent/JPH06163406A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007019539A (ja) * | 1994-07-22 | 2007-01-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザー処理方法 |
| WO1997028559A1 (fr) * | 1996-01-30 | 1997-08-07 | Seiko Epson Corporation | Dispositif permettant d'obtenir un corps d'une energie elevee, procede de formation d'un film cristallin, et procede de fabrication d'un composant electronique possedant un film fin |
| JPH10144620A (ja) * | 1996-11-07 | 1998-05-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザー照射システムおよびその応用方法 |
| WO1999031719A1 (en) * | 1997-12-17 | 1999-06-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor thin film, method of producing the same, apparatus for producing the same, semiconductor device and method of producing the same |
| US6528397B1 (en) | 1997-12-17 | 2003-03-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor thin film, method of producing the same, apparatus for producing the same, semiconductor device and method of producing the same |
| US6806498B2 (en) | 1997-12-17 | 2004-10-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor thin film, method and apparatus for producing the same, and semiconductor device and method of producing the same |
| JP2004087667A (ja) * | 2002-08-26 | 2004-03-18 | Hitachi Cable Ltd | 結晶シリコン系薄膜半導体装置の製造方法 |
| JP2004266102A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザ照射装置およびレーザ照射方法、並びに半導体装置の作製方法。 |
| US7569441B2 (en) | 2003-02-28 | 2009-08-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method for manufacturing semiconductor device |
| JP2004343007A (ja) * | 2003-05-19 | 2004-12-02 | Hitachi Cable Ltd | 結晶シリコン薄膜の製造方法 |
| JP2008098595A (ja) * | 2006-10-13 | 2008-04-24 | Samsung Sdi Co Ltd | 多結晶シリコン薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6169014B1 (en) | Laser crystallization of thin films | |
| JP3213338B2 (ja) | 薄膜半導体装置の製法 | |
| JP3860444B2 (ja) | シリコン結晶化方法とレーザアニール装置 | |
| CN101971293B (zh) | 用于薄膜的闪光灯退火 | |
| JP5678333B2 (ja) | レーザアニール方法及び装置 | |
| EP1912252A1 (en) | Polysilicon thin film transistor and method of fabricating the same | |
| JPH06132219A (ja) | レーザー処理方法 | |
| JP2002217125A (ja) | 表面処理装置及び方法 | |
| JPH06163406A (ja) | 光源装置並びにそれを用いた材料製造装置および材料製造方法 | |
| CN103081065B (zh) | 激光退火装置及激光退火方法 | |
| JP3185771B2 (ja) | 半導体処理方法及び半導体処理装置 | |
| JP3221149B2 (ja) | 薄膜の熱処理方法 | |
| JP2603418B2 (ja) | 多結晶半導体薄膜の製造方法 | |
| JP2004207691A (ja) | 半導体薄膜の製造方法、その製造方法により得られる半導体薄膜、その半導体薄膜を用いる半導体素子および半導体薄膜の製造装置 | |
| JP3105488B2 (ja) | レーザー処理方法 | |
| JP2000021776A (ja) | 半導体薄膜の形成方法、パルスレーザ照射装置、および半導体装置 | |
| KR20180131667A (ko) | 고체 레이저 결정화 장치 | |
| JPH09162121A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000012460A (ja) | 薄膜の形成方法および薄膜形成装置 | |
| US20050211987A1 (en) | Semiconductor device, manufacturing method thereof and manufacturing apparatus therefor | |
| JP2003037079A (ja) | レーザ光の照射方法及びその装置 | |
| JPH10125614A (ja) | レーザ照射装置 | |
| JP2002083768A (ja) | 単結晶薄膜の製造方法、単結晶薄膜基板及び半導体装置 | |
| WO2006075569A1 (ja) | 半導体薄膜の製造方法および半導体薄膜の製造装置 | |
| CN100437940C (zh) | 非晶硅晶化设备及方法 |