JPH06163687A - 半導体装置のダイシング方法及び装置 - Google Patents
半導体装置のダイシング方法及び装置Info
- Publication number
- JPH06163687A JPH06163687A JP4308959A JP30895992A JPH06163687A JP H06163687 A JPH06163687 A JP H06163687A JP 4308959 A JP4308959 A JP 4308959A JP 30895992 A JP30895992 A JP 30895992A JP H06163687 A JPH06163687 A JP H06163687A
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- JP
- Japan
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- semiconductor wafer
- kerf
- blade
- cut
- laser light
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 テープ屑を発生させずに半導体ウエハを完全
切断できると共に、ブレードの破損率を低減することが
できる半導体装置のダイシング方法を得る。 【構成】 ブレード３で半導体ウエハ１に切り溝７を形
成した後に、レーザー光発光部５から出射したレーザー
光６によって半導体ウエハ１の切り溝７の底を切断、ま
たは溶断するよう構成する。
切断できると共に、ブレードの破損率を低減することが
できる半導体装置のダイシング方法を得る。 【構成】 ブレード３で半導体ウエハ１に切り溝７を形
成した後に、レーザー光発光部５から出射したレーザー
光６によって半導体ウエハ１の切り溝７の底を切断、ま
たは溶断するよう構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウエハ上に形
成された各素子を分離する半導体装置のダイシング方法
及び装置に関し、特にテープ屑を発生させず、半導体ウ
エハを完全切断でき、ブレード破損を防止することので
きる半導体装置のダイシング方法及び装置に関するもの
である。
成された各素子を分離する半導体装置のダイシング方法
及び装置に関し、特にテープ屑を発生させず、半導体ウ
エハを完全切断でき、ブレード破損を防止することので
きる半導体装置のダイシング方法及び装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体ウエハ上に形成された集
積回路等の各種半導体装置を分離するためには、電極を
形成したウエハをペレットまたは、チップ状に分割、分
離するダイシング（もしくはスクライピング）と称され
る切断処理を行うことによってその目的を達成してい
る。
積回路等の各種半導体装置を分離するためには、電極を
形成したウエハをペレットまたは、チップ状に分割、分
離するダイシング（もしくはスクライピング）と称され
る切断処理を行うことによってその目的を達成してい
る。
【０００３】ところで、ダイシングによって分離した個
々の半導体装置を破損、もしくは飛散することなく保持
するためには、ダイシング処理を行う時点において半導
体装置を個々に保持できる処理を施すことが必要であ
る。
々の半導体装置を破損、もしくは飛散することなく保持
するためには、ダイシング処理を行う時点において半導
体装置を個々に保持できる処理を施すことが必要であ
る。
【０００４】従来、このような要求に応えるものとし
て、例えば図２に示すような半導体装置のダイシング方
法及び装置が提案されている。図２は半導体装置のダイ
シング方法及び装置を示す断面図である。
て、例えば図２に示すような半導体装置のダイシング方
法及び装置が提案されている。図２は半導体装置のダイ
シング方法及び装置を示す断面図である。
【０００５】図において、１は半導体ウエハとしてのシ
リコンウエハ、２はこのシリコンウエハ１に貼り付けら
れた粘着テープ、３はこの粘着テープ２が貼り付けられ
たシリコンウエハ１に切り溝４を形成するためのブレー
ドで、このブレード３はその軸３ａを中心に矢印ｘで示
す方向に回転する。また、このブレード３は図示せず
も、円盤状となっている。
リコンウエハ、２はこのシリコンウエハ１に貼り付けら
れた粘着テープ、３はこの粘着テープ２が貼り付けられ
たシリコンウエハ１に切り溝４を形成するためのブレー
ドで、このブレード３はその軸３ａを中心に矢印ｘで示
す方向に回転する。また、このブレード３は図示せず
も、円盤状となっている。
【０００６】次に動作について説明する。ブレード３
は、その先端が粘着テープ２を切り込むように高さ調整
された状態で、図示しない駆動部により軸３ａが高速で
回転駆動されることにより高速で回転する。一方、粘着
テープ２が貼り付けられた半導体ウエハ１は図示しない
移動部によって相対的にブレード３の回転方向と逆の方
向に移動し、これによって図２Ｂに示すように半導体ウ
エハ１が完全に切断されると共に、粘着テープ２が途中
まで切られて半導体ウエハ１に粘着テープ２が貼り付け
られた状態で切り溝４が形成される。
は、その先端が粘着テープ２を切り込むように高さ調整
された状態で、図示しない駆動部により軸３ａが高速で
回転駆動されることにより高速で回転する。一方、粘着
テープ２が貼り付けられた半導体ウエハ１は図示しない
移動部によって相対的にブレード３の回転方向と逆の方
向に移動し、これによって図２Ｂに示すように半導体ウ
エハ１が完全に切断されると共に、粘着テープ２が途中
まで切られて半導体ウエハ１に粘着テープ２が貼り付け
られた状態で切り溝４が形成される。
【０００７】図２Ｂに示すように、半導体ウエハ１に切
り溝４を形成する処理過程においては、切り溝４が形成
される過程で粘着テープ２が途中まで切られ、切られた
粘着テープ２がブレード３でかき出されて粘着性の高い
テープ屑８となって半導体ウエハ１の表面並びに切り溝
４内部に飛散して付着する。
り溝４を形成する処理過程においては、切り溝４が形成
される過程で粘着テープ２が途中まで切られ、切られた
粘着テープ２がブレード３でかき出されて粘着性の高い
テープ屑８となって半導体ウエハ１の表面並びに切り溝
４内部に飛散して付着する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置のダ
イシングは以上の方法で行われ、以上のように構成され
ているので、図２Ｂにおいて説明したように、テープ屑
が付着することにより半導体ウエハが汚染されると共
に、粘着テープがブレードにも付着してブレードの目詰
まりを発生させ、これによってブレードの破損が発生し
易くなり、ブレードの破損が発生した場合には半導体ウ
エハに傷を付けてしまうなどの問題点があった。
イシングは以上の方法で行われ、以上のように構成され
ているので、図２Ｂにおいて説明したように、テープ屑
が付着することにより半導体ウエハが汚染されると共
に、粘着テープがブレードにも付着してブレードの目詰
まりを発生させ、これによってブレードの破損が発生し
易くなり、ブレードの破損が発生した場合には半導体ウ
エハに傷を付けてしまうなどの問題点があった。
【０００９】この発明はこのような問題点を解決するた
めになされたもので、テープ屑を発生させずに半導体ウ
エハを完全切断できると共に、ブレードの破損を防止す
ることのできる半導体装置のダイシング方法及び装置を
得ることを目的とする。
めになされたもので、テープ屑を発生させずに半導体ウ
エハを完全切断できると共に、ブレードの破損を防止す
ることのできる半導体装置のダイシング方法及び装置を
得ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置のダイシング方法は、粘着テープに予め貼り付けられ
た半導体ウエハの全厚を完全切断しないように上記半導
体ウエハの表面から切り溝を入れた後、レーザー光によ
り、前記切り溝下部の残りの部分を切断、または溶断す
るものである。
置のダイシング方法は、粘着テープに予め貼り付けられ
た半導体ウエハの全厚を完全切断しないように上記半導
体ウエハの表面から切り溝を入れた後、レーザー光によ
り、前記切り溝下部の残りの部分を切断、または溶断す
るものである。
【００１１】また、この発明に係る半導体装置のダイシ
ング装置は、粘着テープに予め貼り付けられた半導体ウ
エハの全厚を完全切断しないように上記半導体ウエハに
切り溝を入れる切り溝形成手段と、上記切り溝下部の残
りの部分を切断、または溶断するレーザー光を出射する
レーザー光出力手段とを備えたものである。
ング装置は、粘着テープに予め貼り付けられた半導体ウ
エハの全厚を完全切断しないように上記半導体ウエハに
切り溝を入れる切り溝形成手段と、上記切り溝下部の残
りの部分を切断、または溶断するレーザー光を出射する
レーザー光出力手段とを備えたものである。
【００１２】
【作用】この発明においては、粘着テープに予め貼り付
けられた半導体ウエハの全厚を完全切断しないように、
ウエハ表面から切り溝を入れた後、レーザー光源によ
り、切り溝下部の残りの部分を切断、または溶断する。
けられた半導体ウエハの全厚を完全切断しないように、
ウエハ表面から切り溝を入れた後、レーザー光源によ
り、切り溝下部の残りの部分を切断、または溶断する。
【００１３】また、この発明においては、切り溝形成手
段で半導体ウエハに切り溝を形成した後に、レーザー光
出力手段から出力されたレーザー光によって半導体ウエ
ハの切り溝下部の残りの部分を切断、または溶断する。
段で半導体ウエハに切り溝を形成した後に、レーザー光
出力手段から出力されたレーザー光によって半導体ウエ
ハの切り溝下部の残りの部分を切断、または溶断する。
【００１４】
実施例１．以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１はこの発明の一実施例を示す断面図であり、
図において、図２と対応する部分には同一符号を付し、
その詳細説明を省略する。図において、５はレーザー光
６を発光するレーザー光出力手段としてのレーザー光発
光部で図示せずも、例えばレーザー光を出射する発振器
及び駆動回路などで構成する。
する。図１はこの発明の一実施例を示す断面図であり、
図において、図２と対応する部分には同一符号を付し、
その詳細説明を省略する。図において、５はレーザー光
６を発光するレーザー光出力手段としてのレーザー光発
光部で図示せずも、例えばレーザー光を出射する発振器
及び駆動回路などで構成する。
【００１５】次に動作について説明する。まず、切り溝
形成手段としてのブレード３をその先端が粘着テープ２
を切り込むように高さ調整した後、図示しない駆動部で
軸３ａを高速で回転駆動することにより高速で回転させ
る。一方、粘着テープ２を貼り付けた半導体ウエハ１を
図示しない移動部によって相対的にブレード３の回転方
向と逆の方向に移動する。これによって図１Ｂに示すよ
うに半導体ウエハ１を完全に切断しない状態で切り溝７
を形成する。この切り溝７の深さは例えば半導体ウエハ
１の厚さを４００μｍとした場合、３７０〜３８０μｍ
程度とする。
形成手段としてのブレード３をその先端が粘着テープ２
を切り込むように高さ調整した後、図示しない駆動部で
軸３ａを高速で回転駆動することにより高速で回転させ
る。一方、粘着テープ２を貼り付けた半導体ウエハ１を
図示しない移動部によって相対的にブレード３の回転方
向と逆の方向に移動する。これによって図１Ｂに示すよ
うに半導体ウエハ１を完全に切断しない状態で切り溝７
を形成する。この切り溝７の深さは例えば半導体ウエハ
１の厚さを４００μｍとした場合、３７０〜３８０μｍ
程度とする。
【００１６】次に、図１Ｂに示すように、レーザー光発
光部５を駆動させて切り溝７の幅に等しいか又はこれよ
り細く絞られたレーザー光６を出射させ、出射させたレ
ーザー光６を半導体ウエハ１に形成した切り溝７の底の
部分に照射して切り溝７の底を切断または溶断すること
により、図１Ｃに示すように切断または溶断部９を形成
して、半導体ウエハ１を完全に切断する。
光部５を駆動させて切り溝７の幅に等しいか又はこれよ
り細く絞られたレーザー光６を出射させ、出射させたレ
ーザー光６を半導体ウエハ１に形成した切り溝７の底の
部分に照射して切り溝７の底を切断または溶断すること
により、図１Ｃに示すように切断または溶断部９を形成
して、半導体ウエハ１を完全に切断する。
【００１７】このように本実施例においては、ブレード
３で半導体ウエハ１に切り溝７を形成した後に、レーザ
ー光発光部５から出射したレーザー光６によって半導体
ウエハ１の切り溝７の底を切断、または溶断するように
したので、テープ屑を発生させずに半導体ウエハを完全
切断できると共に、ブレードの破損を防止することがで
きる。
３で半導体ウエハ１に切り溝７を形成した後に、レーザ
ー光発光部５から出射したレーザー光６によって半導体
ウエハ１の切り溝７の底を切断、または溶断するように
したので、テープ屑を発生させずに半導体ウエハを完全
切断できると共に、ブレードの破損を防止することがで
きる。
【００１８】実施例２．尚、切り溝形成手段とレーザー
光出力手段は１つの卓上に一体構成としてもよい。因
に、切り溝形成手段とレーザー光出力手段とを夫々個別
に専用に設ける場合には両者間で半導体ウエハを移動す
る際に例えば振動や衝撃を受けた場合に未完全切断状態
にあるチップがずれて切り溝が蛇行し、このためこの切
り溝下部を完全切断する際にウエハの表面にもレーザー
光が当たってその表面を溶かしてしまうおそれがある
が、切り溝形成手段とレーザー光出力手段を一体構成と
することにより、かかる問題点も解消され、半導体装置
の信頼性、歩留まりが向上する。
光出力手段は１つの卓上に一体構成としてもよい。因
に、切り溝形成手段とレーザー光出力手段とを夫々個別
に専用に設ける場合には両者間で半導体ウエハを移動す
る際に例えば振動や衝撃を受けた場合に未完全切断状態
にあるチップがずれて切り溝が蛇行し、このためこの切
り溝下部を完全切断する際にウエハの表面にもレーザー
光が当たってその表面を溶かしてしまうおそれがある
が、切り溝形成手段とレーザー光出力手段を一体構成と
することにより、かかる問題点も解消され、半導体装置
の信頼性、歩留まりが向上する。
【００１９】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、粘着
テープに予め貼り付けられた半導体ウエハの全厚を完全
切断しないように上記半導体ウエハの表面から切り溝を
入れた後、レーザー光により、前記切り溝下部の残りの
部分を切断、または溶断するので、テープ屑を発生させ
ずに半導体ウエハを完全切断できると共に、切り溝形成
手段の破損、半導体ウエハの損傷を防止することができ
るという効果がある。
テープに予め貼り付けられた半導体ウエハの全厚を完全
切断しないように上記半導体ウエハの表面から切り溝を
入れた後、レーザー光により、前記切り溝下部の残りの
部分を切断、または溶断するので、テープ屑を発生させ
ずに半導体ウエハを完全切断できると共に、切り溝形成
手段の破損、半導体ウエハの損傷を防止することができ
るという効果がある。
【００２０】また、以上のようにこの発明によれば、粘
着テープに予め貼り付けられた半導体ウエハの全厚を完
全切断しないように上記半導体ウエハに切り溝を入れる
切り溝形成手段と、上記切り溝下部の残りの部分を切
断、または溶断するレーザー光を出射するレーザー光出
力手段とを備えたので、テープ屑を発生させずに半導体
ウエハを完全切断できると共に、切り溝形成手段の破
損、半導体ウエハの損傷を防止することができ、しかも
半導体装置の信頼性、歩留まりを向上できるという効果
がある。
着テープに予め貼り付けられた半導体ウエハの全厚を完
全切断しないように上記半導体ウエハに切り溝を入れる
切り溝形成手段と、上記切り溝下部の残りの部分を切
断、または溶断するレーザー光を出射するレーザー光出
力手段とを備えたので、テープ屑を発生させずに半導体
ウエハを完全切断できると共に、切り溝形成手段の破
損、半導体ウエハの損傷を防止することができ、しかも
半導体装置の信頼性、歩留まりを向上できるという効果
がある。
【図１】この発明による半導体装置のダイシング方法及
び装置の一実施例を示す断面図である。
び装置の一実施例を示す断面図である。
【図２】従来の半導体装置のダイシング方法及び装置を
示す断面図である。
示す断面図である。
１ 半導体ウエハ ２ 粘着テープ ３ ブレード ３ａ 軸 ５ レーザー光発光部 ６ レーザー光 ７ 切り溝 ９ 切断または溶断部
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年７月８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウエハ上に形
成された各素子を分離する半導体装置のダイシング方法
及び装置に関し、特にテープ屑を発生させず、半導体ウ
エハを完全切断でき、ブレード破損率を低減することの
できる半導体装置のダイシング方法及び装置に関するも
のである。
成された各素子を分離する半導体装置のダイシング方法
及び装置に関し、特にテープ屑を発生させず、半導体ウ
エハを完全切断でき、ブレード破損率を低減することの
できる半導体装置のダイシング方法及び装置に関するも
のである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】この発明はこのような問題点を解決するた
めになされたもので、テープ屑を発生させずに半導体ウ
エハを完全切断できると共に、ブレードの破損率を低減
することのできる半導体装置のダイシング方法及び装置
を得ることを目的とする。
めになされたもので、テープ屑を発生させずに半導体ウ
エハを完全切断できると共に、ブレードの破損率を低減
することのできる半導体装置のダイシング方法及び装置
を得ることを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】次に動作について説明する。まず、切り溝
形成手段としてのブレード３をその先端が粘着テープ２
を切り込まないように高さ調整した後、図示しない駆動
部で軸３ａを高速で回転駆動することにより高速で回転
させる。一方、粘着テープ２を貼り付けた半導体ウエハ
１を図示しない移動部によって相対的にブレード３の移
動方向と逆の方向に移動する。これによって図１Ｂに示
すように半導体ウエハ１を完全に切断しない状態で切り
溝７を形成する。この切り溝７の深さは例えば半導体ウ
エハ１の厚さを４００μｍとした場合、３７０〜３８０
μｍ程度とする。
形成手段としてのブレード３をその先端が粘着テープ２
を切り込まないように高さ調整した後、図示しない駆動
部で軸３ａを高速で回転駆動することにより高速で回転
させる。一方、粘着テープ２を貼り付けた半導体ウエハ
１を図示しない移動部によって相対的にブレード３の移
動方向と逆の方向に移動する。これによって図１Ｂに示
すように半導体ウエハ１を完全に切断しない状態で切り
溝７を形成する。この切り溝７の深さは例えば半導体ウ
エハ１の厚さを４００μｍとした場合、３７０〜３８０
μｍ程度とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１７】このように本実施例においては、ブレード
３で半導体ウエハ１に切り溝７を形成した後に、レーザ
ー光発光部５から出射したレーザー光６によって半導体
ウエハ１の切り溝７の底を切断、または溶断するように
したので、テープ屑を発生させずに半導体ウエハを完全
切断できると共に、ブレードの破損率を低減することが
できる。
３で半導体ウエハ１に切り溝７を形成した後に、レーザ
ー光発光部５から出射したレーザー光６によって半導体
ウエハ１の切り溝７の底を切断、または溶断するように
したので、テープ屑を発生させずに半導体ウエハを完全
切断できると共に、ブレードの破損率を低減することが
できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２０】また、以上のようにこの発明によれば、粘
着テープに予め貼り付けられた半導体ウエハの全厚を完
全切断しないように上記半導体ウエハに切り溝を入れる
切り溝形成手段と、上記切り溝下部の残りの部分を切
断、または溶断するレーザー光を出射するレーザー光出
力手段とを備えたので、テープ屑を発生させずに半導体
ウエハを完全切断できると共に、切り溝形成手段の破損
率低減、半導体ウエハの損傷を防止することができ、し
かも半導体装置の信頼性、歩留まりを向上できるという
効果がある。
着テープに予め貼り付けられた半導体ウエハの全厚を完
全切断しないように上記半導体ウエハに切り溝を入れる
切り溝形成手段と、上記切り溝下部の残りの部分を切
断、または溶断するレーザー光を出射するレーザー光出
力手段とを備えたので、テープ屑を発生させずに半導体
ウエハを完全切断できると共に、切り溝形成手段の破損
率低減、半導体ウエハの損傷を防止することができ、し
かも半導体装置の信頼性、歩留まりを向上できるという
効果がある。
Claims (2)
- 【請求項１】 粘着テープに予め貼り付けられた半導体
ウエハの全厚を完全切断しないように上記半導体ウエハ
の表面から切り溝を入れた後、レーザー光により、前記
切り溝下部の残りの部分を切断、または溶断することを
特徴とする半導体装置のダイシング方法。 - 【請求項２】 粘着テープに予め貼り付けられた半導体
ウエハの全厚を完全切断しないように上記半導体ウエハ
に切り溝を入れる切り溝形成手段と、上記切り溝下部の
残りの部分を切断、または溶断するレーザー光を出射す
るレーザー光出力手段とを備えたことを特徴とする半導
体装置のダイシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4308959A JPH06163687A (ja) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | 半導体装置のダイシング方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4308959A JPH06163687A (ja) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | 半導体装置のダイシング方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163687A true JPH06163687A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=17987303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4308959A Pending JPH06163687A (ja) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | 半導体装置のダイシング方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06163687A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7112470B2 (en) | 2004-09-15 | 2006-09-26 | International Business Machines Corporation | Chip dicing |
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| JP2009088252A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Sharp Corp | ウエハのダイシング方法および半導体チップ |
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| JP2018074082A (ja) * | 2016-11-02 | 2018-05-10 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| JP2018074083A (ja) * | 2016-11-02 | 2018-05-10 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| CN110744731A (zh) * | 2019-10-30 | 2020-02-04 | 许昌学院 | 一种基于光电控制的晶片切片设备 |
| DE102015214136B4 (de) | 2014-07-28 | 2023-06-15 | Disco Corporation | Waferbearbeitungsverfahren |
-
1992
- 1992-11-18 JP JP4308959A patent/JPH06163687A/ja active Pending
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