JPH06163751A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH06163751A JPH06163751A JP4306741A JP30674192A JPH06163751A JP H06163751 A JPH06163751 A JP H06163751A JP 4306741 A JP4306741 A JP 4306741A JP 30674192 A JP30674192 A JP 30674192A JP H06163751 A JPH06163751 A JP H06163751A
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- Japan
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- semiconductor element
- coating material
- external lead
- substrate
- semiconductor device
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体素子が発する熱によって半導体素子自身
を高温となすのを有効に防止し、半導体素子を長期間に
わたり正常、且つ安定に作動させることができる半導体
装置を提供することにある。 【構成】基体１と、前記基体１上に固定される半導体素
子２と、前記半導体素子２の電極が接続される外部リー
ド端子３と、前記半導体素子２、基体１及び外部リード
端子３の一部を被覆する樹脂被覆材４とから成る半導体
装置であって、前記樹脂被覆材４に熱伝導率が５０Ｗ／
ｍ・Ｋ以上の無機質もしくは金属粉末を２乃至３０重量
％添加させた。
を高温となすのを有効に防止し、半導体素子を長期間に
わたり正常、且つ安定に作動させることができる半導体
装置を提供することにある。 【構成】基体１と、前記基体１上に固定される半導体素
子２と、前記半導体素子２の電極が接続される外部リー
ド端子３と、前記半導体素子２、基体１及び外部リード
端子３の一部を被覆する樹脂被覆材４とから成る半導体
装置であって、前記樹脂被覆材４に熱伝導率が５０Ｗ／
ｍ・Ｋ以上の無機質もしくは金属粉末を２乃至３０重量
％添加させた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はコンピュータ等の情報処
理装置に搭載される半導体装置に関し、より詳細には半
導体素子を樹脂で被覆して成る半導体装置の改良に関す
るものである。
理装置に搭載される半導体装置に関し、より詳細には半
導体素子を樹脂で被覆して成る半導体装置の改良に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、コンピュータ等の情報処理装置に
搭載される樹脂被覆タイプの半導体装置は図２に示すよ
うに半導体素子11と、コバール金属( 鉄ーニッケルーコ
バルト合金) や４２アロイ（鉄ーニッケル合金）等の金
属材料から成る基体12及び複数個の外部リード端子13
と、エポキシ樹脂等の熱硬化樹脂から成る被覆材14とか
ら構成されており、基体12上に半導体素子11を金ーシリ
コン共晶合金等のロウ材を介して固定するとともに半導
体素子11の各電極を外部リード端子13にボンディングワ
イヤ15を介して電気的に接続し、しかる後、前記半導体
素子11、基体12及び外部リード端子13の一部を被覆材14
で被覆することによって製作されている。
搭載される樹脂被覆タイプの半導体装置は図２に示すよ
うに半導体素子11と、コバール金属( 鉄ーニッケルーコ
バルト合金) や４２アロイ（鉄ーニッケル合金）等の金
属材料から成る基体12及び複数個の外部リード端子13
と、エポキシ樹脂等の熱硬化樹脂から成る被覆材14とか
ら構成されており、基体12上に半導体素子11を金ーシリ
コン共晶合金等のロウ材を介して固定するとともに半導
体素子11の各電極を外部リード端子13にボンディングワ
イヤ15を介して電気的に接続し、しかる後、前記半導体
素子11、基体12及び外部リード端子13の一部を被覆材14
で被覆することによって製作されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の半導体装置は、半導体素子11の固定される基体12が
コバール金属から成り、その熱伝導率が約１８Ｗ／ｍ・
Ｋ程度と低いこと及び半導体素子11を被覆する被覆材14
がエポキシ樹脂等の熱硬化樹脂から成り、その熱伝導率
が1.0 ×10-3cal/cm・sec ・℃程度と低いこと等から半
導体素子11が作動時に多量の熱を発生した場合、前記半
導体素子11の発する熱は該半導体素子11の周辺に蓄積さ
れ、その結果、半導体素子11は該半導体素子11自身の発
する熱によって高温となり、半導体素子11に熱破壊を起
こしたり、特性に変化をきたし、誤動作したりするとい
う欠点を有していた。
来の半導体装置は、半導体素子11の固定される基体12が
コバール金属から成り、その熱伝導率が約１８Ｗ／ｍ・
Ｋ程度と低いこと及び半導体素子11を被覆する被覆材14
がエポキシ樹脂等の熱硬化樹脂から成り、その熱伝導率
が1.0 ×10-3cal/cm・sec ・℃程度と低いこと等から半
導体素子11が作動時に多量の熱を発生した場合、前記半
導体素子11の発する熱は該半導体素子11の周辺に蓄積さ
れ、その結果、半導体素子11は該半導体素子11自身の発
する熱によって高温となり、半導体素子11に熱破壊を起
こしたり、特性に変化をきたし、誤動作したりするとい
う欠点を有していた。
【０００４】
【発明の目的】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は半導体素子が発する熱によって半導体素
子自身を高温となるのを有効に防止し、半導体素子を長
期間にわたり正常、且つ安定に作動させることができる
半導体装置を提供することにある。
で、その目的は半導体素子が発する熱によって半導体素
子自身を高温となるのを有効に防止し、半導体素子を長
期間にわたり正常、且つ安定に作動させることができる
半導体装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、基体と、前記
基体上に固定される半導体素子と、前記半導体素子の電
極が接続される外部リード端子と、前記半導体素子、基
体及び外部リード端子の一部を被覆する樹脂被覆材とか
ら成る半導体装置であって、前記樹脂被覆材に熱伝導率
が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の無機質もしくは金属粉末を２乃
至３０重量％添加させたことを特徴とするものである。
基体上に固定される半導体素子と、前記半導体素子の電
極が接続される外部リード端子と、前記半導体素子、基
体及び外部リード端子の一部を被覆する樹脂被覆材とか
ら成る半導体装置であって、前記樹脂被覆材に熱伝導率
が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の無機質もしくは金属粉末を２乃
至３０重量％添加させたことを特徴とするものである。
【０００６】
【作用】本発明の半導体装置によれば、半導体素子を被
覆する被覆材に熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の無機物
もしくは金属粉末を２乃至３０重量％添加させたことか
ら被覆材の熱伝導率が高くなり、その結果、前記被覆材
が半導体素子の作動時に発する熱を大気中に良好に放散
し、半導体素子を常に低温として長期間にわたり正常、
且つ安定に作動させることができる。
覆する被覆材に熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の無機物
もしくは金属粉末を２乃至３０重量％添加させたことか
ら被覆材の熱伝導率が高くなり、その結果、前記被覆材
が半導体素子の作動時に発する熱を大気中に良好に放散
し、半導体素子を常に低温として長期間にわたり正常、
且つ安定に作動させることができる。
【０００７】
【実施例】次に本発明を添付図面に基づき詳細に説明す
る。図１は本発明の半導体装置の一実施例を示し、１は
基体、２は半導体素子、３は外部リード端子、４は被覆
材である。
る。図１は本発明の半導体装置の一実施例を示し、１は
基体、２は半導体素子、３は外部リード端子、４は被覆
材である。
【０００８】前記基体１はコバール金属（鉄ーニッケル
ーコバルト合金）や４２アロイ（鉄ーニッケル合金）等
の鉄合金、或いはアルミニウムや銅等を主成分とする金
属材料から成り、その上面に半導体素子２が金ーシリコ
ン共晶合金等のロウ材を介し接着固定される。
ーコバルト合金）や４２アロイ（鉄ーニッケル合金）等
の鉄合金、或いはアルミニウムや銅等を主成分とする金
属材料から成り、その上面に半導体素子２が金ーシリコ
ン共晶合金等のロウ材を介し接着固定される。
【０００９】前記基体１は半導体素子２を支持する支持
部材として作用し、例えばコバール金属から成る場合、
コバール金属のインゴット（塊）を圧延加工法や打ち抜
き加工法等、従来周知の金属加工法を採用することによ
って所定の板状に形成される。
部材として作用し、例えばコバール金属から成る場合、
コバール金属のインゴット（塊）を圧延加工法や打ち抜
き加工法等、従来周知の金属加工法を採用することによ
って所定の板状に形成される。
【００１０】また前記基体１はアルミニウムもしくは銅
を主成分とする金属で形成しておくと、該アルミニウム
もしくは銅を主成分とする金属はその熱伝導率が２００
Ｗ／ｍ・Ｋ以上と高く、熱を伝導し易いため、基体１上
に固定された半導体素子２が作動時に多量の熱を発生し
たとしてもその熱を後述する被覆材４に短時間に分散さ
せ、半導体素子２の周囲温度を低い温度となすことがで
きる。従って、前記基体１は半導体素子２の作動時の温
度を考慮すればアルミニウムもしくは銅を主成分とする
金属で形成しておくことが好ましい。
を主成分とする金属で形成しておくと、該アルミニウム
もしくは銅を主成分とする金属はその熱伝導率が２００
Ｗ／ｍ・Ｋ以上と高く、熱を伝導し易いため、基体１上
に固定された半導体素子２が作動時に多量の熱を発生し
たとしてもその熱を後述する被覆材４に短時間に分散さ
せ、半導体素子２の周囲温度を低い温度となすことがで
きる。従って、前記基体１は半導体素子２の作動時の温
度を考慮すればアルミニウムもしくは銅を主成分とする
金属で形成しておくことが好ましい。
【００１１】前記基体１はまた半導体素子２が固定され
る領域に窒化アルミニウム質焼結体や銅ータングステン
合金等から成り、熱膨張係数が基体１と半導体素子２の
熱膨張係数の間にあるスペーサを配しておくと該スペー
サが基体１と半導体素子２の熱膨張係数の相違に起因し
て発生する熱応力を緩和し、熱応力によって半導体素子
２が基体１より剥離するのを有効に防止することができ
る。従って、前記基体１の半導体素子２が固定される領
域には窒化アルミニウム質焼結体や銅ータングステン合
金等から成るスペーサを介在させておくことが好まし
い。
る領域に窒化アルミニウム質焼結体や銅ータングステン
合金等から成り、熱膨張係数が基体１と半導体素子２の
熱膨張係数の間にあるスペーサを配しておくと該スペー
サが基体１と半導体素子２の熱膨張係数の相違に起因し
て発生する熱応力を緩和し、熱応力によって半導体素子
２が基体１より剥離するのを有効に防止することができ
る。従って、前記基体１の半導体素子２が固定される領
域には窒化アルミニウム質焼結体や銅ータングステン合
金等から成るスペーサを介在させておくことが好まし
い。
【００１２】尚、前記窒化アルミニウム質焼結体や銅ー
タングステン合金等から成るスペーサは、窒化アルミニ
ウム質焼結体から成る場合は、主原料としての窒化アル
ミニウムに焼結助剤としてのイットリア、カルシアと適
当な有機溶剤、溶媒とを添加混合して泥漿物を作るとと
もに該泥漿物をドクターブレード法やカレンダーロール
法等を採用することによってセラミックグリーンシート
（セラミック生シート）を形成し、しかる後、前記セラ
ミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとと
もにこれを約1800℃の高温で焼成することによって製作
され、また銅ータングステン合金から成る場合は、平均
粒径約10μm のタングステン粉末を100Kg/cm2 の圧力で
加圧成形するとともにこれを還元雰囲気中、約2300℃の
温度で焼成して多孔質のタングステン焼結体を得、しか
る後、前記タングステン焼結体の多孔部分に約1100℃の
温度で加熱溶融させた銅を毛管現象を利用し含浸させる
ことによって製作される。
タングステン合金等から成るスペーサは、窒化アルミニ
ウム質焼結体から成る場合は、主原料としての窒化アル
ミニウムに焼結助剤としてのイットリア、カルシアと適
当な有機溶剤、溶媒とを添加混合して泥漿物を作るとと
もに該泥漿物をドクターブレード法やカレンダーロール
法等を採用することによってセラミックグリーンシート
（セラミック生シート）を形成し、しかる後、前記セラ
ミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとと
もにこれを約1800℃の高温で焼成することによって製作
され、また銅ータングステン合金から成る場合は、平均
粒径約10μm のタングステン粉末を100Kg/cm2 の圧力で
加圧成形するとともにこれを還元雰囲気中、約2300℃の
温度で焼成して多孔質のタングステン焼結体を得、しか
る後、前記タングステン焼結体の多孔部分に約1100℃の
温度で加熱溶融させた銅を毛管現象を利用し含浸させる
ことによって製作される。
【００１３】また前記基体1 の周辺には複数個の外部リ
ード端子3 が配されており、該外部リードフレーム３の
各々の一端は基体１上に固定された半導体素子２の各電
極がボンディングワイヤ５を介し電気的に接続され、各
外部リード端子３を外部電気回路に接続することによっ
て半導体素子２はその電極が外部リード端子３及びボン
ディングワイヤ５を介し外部電気回路に接続されること
となる。
ード端子3 が配されており、該外部リードフレーム３の
各々の一端は基体１上に固定された半導体素子２の各電
極がボンディングワイヤ５を介し電気的に接続され、各
外部リード端子３を外部電気回路に接続することによっ
て半導体素子２はその電極が外部リード端子３及びボン
ディングワイヤ５を介し外部電気回路に接続されること
となる。
【００１４】前記複数個の外部リード端子３はコバール
金属（鉄ーニッケルーコバルト合金）や４２アロイ（鉄
ーニッケル合金）等の鉄合金、或いは銅から成り、コバ
ール金属等のインゴット（塊）を圧延加工法や打ち抜き
加工法等、従来周知の金属加工法を採用することによっ
て所定の板状に形成される。
金属（鉄ーニッケルーコバルト合金）や４２アロイ（鉄
ーニッケル合金）等の鉄合金、或いは銅から成り、コバ
ール金属等のインゴット（塊）を圧延加工法や打ち抜き
加工法等、従来周知の金属加工法を採用することによっ
て所定の板状に形成される。
【００１５】また前記各外部リード端子３はその外表面
にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、且つ良導電性である
金属をメッキ法により1.0 乃至20.0μm の厚みに層着さ
せておくと外部リード端子3 の酸化腐食を有効に防止す
ることができるとともに外部リード端子3 にボンディン
グワイヤ5 を極めて強固に接合させることが可能とな
る。従って、前記外部リード端子3 の表面にはニッケ
ル、金等を1.0 乃至20.0μm の厚みに層着させておくこ
とが好ましい。
にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、且つ良導電性である
金属をメッキ法により1.0 乃至20.0μm の厚みに層着さ
せておくと外部リード端子3 の酸化腐食を有効に防止す
ることができるとともに外部リード端子3 にボンディン
グワイヤ5 を極めて強固に接合させることが可能とな
る。従って、前記外部リード端子3 の表面にはニッケ
ル、金等を1.0 乃至20.0μm の厚みに層着させておくこ
とが好ましい。
【００１６】更に前記上面に半導体素子2 が固定された
基体1 及び外部リード端子3 の一部はエポキシ樹脂等の
熱硬化樹脂から成る被覆材4 より被覆されており、該被
覆材4 で半導体素子2 を大気から完全に遮断することに
よって製品としての半導体装置となる。
基体1 及び外部リード端子3 の一部はエポキシ樹脂等の
熱硬化樹脂から成る被覆材4 より被覆されており、該被
覆材4 で半導体素子2 を大気から完全に遮断することに
よって製品としての半導体装置となる。
【００１７】前記被覆材4 は半導体素子2 が固定された
基体1 及び外部リード端子3 を所定の金型内にセットす
るとともに金型内にエポキシ等の液状樹脂を注入し、し
かる後、注入した樹脂を180 ℃程度の温度、100Kgf/mm
2 程度の圧力を加え熱硬化させることによって半導体素
子2 が固定された基体1 及び外部リード端子3 の一部を
被覆するように基体1 等に接合される。この場合、基体
1 をアルミニウムもしくは銅を主成分とする金属で形成
しておくと該アルミニウム等はエポキシ樹脂から成る被
覆材4 と密着性が良いことから基体1 表面に被覆材4 を
極めて強固に接合させることができる。
基体1 及び外部リード端子3 を所定の金型内にセットす
るとともに金型内にエポキシ等の液状樹脂を注入し、し
かる後、注入した樹脂を180 ℃程度の温度、100Kgf/mm
2 程度の圧力を加え熱硬化させることによって半導体素
子2 が固定された基体1 及び外部リード端子3 の一部を
被覆するように基体1 等に接合される。この場合、基体
1 をアルミニウムもしくは銅を主成分とする金属で形成
しておくと該アルミニウム等はエポキシ樹脂から成る被
覆材4 と密着性が良いことから基体1 表面に被覆材4 を
極めて強固に接合させることができる。
【００１８】また前記被覆材4 はその内部に熱伝導率が
５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の無機物もしくは金属粉末が2 乃至
30重量％添加されており、被覆材4 の熱伝導率が高く、
熱を伝導し易いものとなっている。そのためこの被覆材
4 で被覆された半導体素子2が作動時に多量の熱を発生
したとしても、該熱は被覆材4 を介して大気中に良好に
放散され、半導体素子2 を高温とすることはない。
５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の無機物もしくは金属粉末が2 乃至
30重量％添加されており、被覆材4 の熱伝導率が高く、
熱を伝導し易いものとなっている。そのためこの被覆材
4 で被覆された半導体素子2が作動時に多量の熱を発生
したとしても、該熱は被覆材4 を介して大気中に良好に
放散され、半導体素子2 を高温とすることはない。
【００１９】前記被覆材4 に添加される熱伝導率が５０
Ｗ／ｍ・Ｋ以上の無機物もしくは金属粉末としては、窒
化アルミニウム粉末、炭化珪素粉末、窒化ホウ素粉末等
の無機物粉末、或いはアルミニウムもしくはその合金、
銅もしくはその合金等の金属粉末が好適に使用される。
Ｗ／ｍ・Ｋ以上の無機物もしくは金属粉末としては、窒
化アルミニウム粉末、炭化珪素粉末、窒化ホウ素粉末等
の無機物粉末、或いはアルミニウムもしくはその合金、
銅もしくはその合金等の金属粉末が好適に使用される。
【００２０】また前記被覆材4 に添加される熱伝導率が
５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の無機物もしくは金属粉末はその添
加量が被覆材4 の樹脂100 重量％に対し2 重量％未満で
あると被覆材4 の熱伝導率が低く、半導体素子2 の発す
る熱を大気中に良好に放散させることができず、また30
重量％を越えると無機質粉末の場合は被覆材4 の弾性率
が高くなリ、外力印加によって被覆材4 にクラックが発
生し、半導体素子2 を大気から完全に遮断することがで
きなくなり、また金属粉末の場合は同じく被覆材4 の弾
性率が高くなリ、外力印加によって被覆材4 にクラック
が発生し、半導体素子2 を大気から完全に遮断すること
ができなくなるとともに被覆材4 の電気絶縁性が悪くな
って半導体素子2 の各電極を電気的に独立させるのが困
難となる。従って、前記被覆材4 に添加させる熱伝導率
が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の無機物もしくは金属粉末はその
添加量が2 乃至30重量％の範囲に特定される。
５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の無機物もしくは金属粉末はその添
加量が被覆材4 の樹脂100 重量％に対し2 重量％未満で
あると被覆材4 の熱伝導率が低く、半導体素子2 の発す
る熱を大気中に良好に放散させることができず、また30
重量％を越えると無機質粉末の場合は被覆材4 の弾性率
が高くなリ、外力印加によって被覆材4 にクラックが発
生し、半導体素子2 を大気から完全に遮断することがで
きなくなり、また金属粉末の場合は同じく被覆材4 の弾
性率が高くなリ、外力印加によって被覆材4 にクラック
が発生し、半導体素子2 を大気から完全に遮断すること
ができなくなるとともに被覆材4 の電気絶縁性が悪くな
って半導体素子2 の各電極を電気的に独立させるのが困
難となる。従って、前記被覆材4 に添加させる熱伝導率
が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の無機物もしくは金属粉末はその
添加量が2 乃至30重量％の範囲に特定される。
【００２１】かくして本発明の半導体装置は外部リード
端子3 を外部電気回路に接続させ、内部の半導体素子2
を外部電気回路に電気的に接続することによってコンピ
ュータ等の情報処理装置に搭載されることとなる。
端子3 を外部電気回路に接続させ、内部の半導体素子2
を外部電気回路に電気的に接続することによってコンピ
ュータ等の情報処理装置に搭載されることとなる。
【００２２】尚、本発明は上述の実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能であり、例えば基体1 、半導体素子2 及
び外部リード端子3 を被覆材4 で被覆する際、基体1 の
半導体素子2 が固定される領域の下方を大気中に露出さ
せておけば、基体1 が半導体素子2 の熱を直接大気中に
放散し、半導体素子2 をより低温となすことができる。
従って、前記被覆材4で基体1 や半導体素子2 等を被覆
する際には、基体1 の半導体素子2 が固定される領域の
下方を大気中に露出させるようにしておくことが好まし
い。
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能であり、例えば基体1 、半導体素子2 及
び外部リード端子3 を被覆材4 で被覆する際、基体1 の
半導体素子2 が固定される領域の下方を大気中に露出さ
せておけば、基体1 が半導体素子2 の熱を直接大気中に
放散し、半導体素子2 をより低温となすことができる。
従って、前記被覆材4で基体1 や半導体素子2 等を被覆
する際には、基体1 の半導体素子2 が固定される領域の
下方を大気中に露出させるようにしておくことが好まし
い。
【００２３】
【発明の効果】本発明の半導体装置によれば、半導体素
子が固定された基体及び外部リード端子の一部を被覆す
る被覆材に熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の無機物もし
くは金属粉末を２乃至３０重量％添加させたことから被
覆材の熱伝導率が高く、熱を伝導し易いものとなってい
る。そのためこの被覆材で被覆された半導体素子が作動
時に多量の熱を発生したとしても、該熱は被覆材を介し
て大気中に良好に放散され、半導体素子を高温とするこ
とはなく、その結果、半導体素子は常に低温として長期
間にわたり正常、且つ安定に作動させることが可能とな
る。
子が固定された基体及び外部リード端子の一部を被覆す
る被覆材に熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の無機物もし
くは金属粉末を２乃至３０重量％添加させたことから被
覆材の熱伝導率が高く、熱を伝導し易いものとなってい
る。そのためこの被覆材で被覆された半導体素子が作動
時に多量の熱を発生したとしても、該熱は被覆材を介し
て大気中に良好に放散され、半導体素子を高温とするこ
とはなく、その結果、半導体素子は常に低温として長期
間にわたり正常、且つ安定に作動させることが可能とな
る。
【図１】本発明の半導体装置の一実施例を示す断面図で
ある。
ある。
【図２】従来の半導体装置の断面図である。
１・・・・・・・基体 ２・・・・・・・半導体素子 ３・・・・・・・外部リード端子 ４・・・・・・・被覆材
Claims (1)
- 【請求項１】基体と、前記基体上に固定される半導体素
子と、前記半導体素子の電極が接続される外部リード端
子と、前記半導体素子、基体及び外部リード端子の一部
を被覆する樹脂被覆材とから成る半導体装置であって、
前記樹脂被覆材に熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の無機
質もしくは金属粉末を２乃至３０重量％添加させたこと
を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4306741A JPH06163751A (ja) | 1992-11-17 | 1992-11-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4306741A JPH06163751A (ja) | 1992-11-17 | 1992-11-17 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163751A true JPH06163751A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=17960752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4306741A Pending JPH06163751A (ja) | 1992-11-17 | 1992-11-17 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06163751A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6395578B1 (en) * | 1999-05-20 | 2002-05-28 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package and method for fabricating the same |
| US7190071B2 (en) | 1999-05-07 | 2007-03-13 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package and method for fabricating the same |
| USRE40112E1 (en) | 1999-05-20 | 2008-02-26 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package and method for fabricating the same |
| US9768124B2 (en) | 2007-02-21 | 2017-09-19 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package in package |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60106154A (ja) * | 1983-11-15 | 1985-06-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 集積回路部品 |
| JPS6126672A (ja) * | 1984-07-13 | 1986-02-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 封止用成形材料の製造方法 |
| JPS6135542A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-20 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
-
1992
- 1992-11-17 JP JP4306741A patent/JPH06163751A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| USRE40112E1 (en) | 1999-05-20 | 2008-02-26 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package and method for fabricating the same |
| US9768124B2 (en) | 2007-02-21 | 2017-09-19 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package in package |
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