JPH06165497A - 電源装置 - Google Patents

電源装置

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JPH06165497A
JPH06165497A JP4312488A JP31248892A JPH06165497A JP H06165497 A JPH06165497 A JP H06165497A JP 4312488 A JP4312488 A JP 4312488A JP 31248892 A JP31248892 A JP 31248892A JP H06165497 A JPH06165497 A JP H06165497A
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JP
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current
switching element
inductor
power supply
full
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JP4312488A
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English (en)
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Nariyuki Yamauchi
得志 山内
Masahiro Yamanaka
正弘 山中
Kazuhiro Nishimoto
和弘 西本
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Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】チョッパー回路を用いた電源装置において、入
力電流波形が正弦波に顕著に追従できない区間につい
て、入力電流波形の正弦波への追従を改善する。 【構成】交流電源ACを全波整流器DBで整流し、イン
ダクタL1 とスイッチング素子Q1 及びダイオードD1
を備えるチョッパー回路により平滑する電源装置におい
て、入力電流波形が正弦波に顕著に追従できない区間で
は、スイッチング素子Q1 のオン区間を長くする。又
は、インダクタL1 の値を小さくする。 【効果】スイッチング素子Q1 の制御回路の遅延時間に
よって生じるスイッチング素子Q1 の負方向の電流量よ
りも正方向の電流量を多くすることにより、入力電流波
形の正弦波への追従を改善し、入力電流の高調波成分を
低減できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、チョッパー回路を用い
た電源装置に関するものであり、商用電源からの入力電
流を休止区間の少ない正弦波に近い波形としながら直流
出力を得るような用途に利用されるものである。
【0002】
【従来の技術】従来、商用電源の交流電圧を整流平滑し
た直流電圧をインバータ等によって高周波に変換して、
負荷(例えば放電灯)に電力を供給する装置が広く用い
られている。この種の装置において、商用交流電圧の整
流出力を平滑しているのは、放電灯負荷のような場合、
供給される高周波電流の包絡線が商用交流周期で変動し
ないようにすることにより、放電灯の再点弧現象を実質
的に無くし、放電灯の発光効率を向上させて装置の消費
電力を少なくし、光のちらつきも無くして性能を向上さ
せるためである。しかしながら、商用交流電圧を整流平
滑すると、商用電源から平滑コンデンサへ流入する電流
が商用交流電圧のピーク値付近のみで流れることにな
り、商用交流電圧の半サイクル毎に休止期間を持つピー
ク値の高い電流となるため、入力力率が悪く、また交流
基本波に対して多くの高次高調波電流成分を含むことに
なり、同じ交流配電系に継がれる他の機器への高調波ノ
イズの混入等の悪影響があった。そのため、入力電流の
力率を高くすると共に、高調波成分を低減し、且つ可能
な限り平坦な直流平滑電圧を供給するために、以下に述
べるような工夫がなされている。
【0003】図23は従来例の回路図である。以下、そ
の回路構成について説明する。交流電源ACは全波整流
器DBの交流入力端子に接続されている。全波整流器D
Bの直流出力端子には、パワーMOSFETよりなるス
イッチング素子Q1 を介してインダクタL1 が接続され
ている。スイッチング素子Q1 の両端には、逆流阻止用
のダイオードD1 を介して平滑用のコンデンサC1 が接
続されている。平滑用のコンデンサC1 の両端には、負
荷Zが接続されている。インダクタL1 とスイッチング
素子Q1 及びダイオードD1 は昇圧型のチョッパー回路
CHPを構成している。交流電源ACの一端と全波整流
器DBの接地された出力端子の間には、半波整流用のダ
イオードD2 と限流用の抵抗R2 を介して平滑用のコン
デンサC 2 と電圧規制用のツェナーダイオードZD1
接続されている。コンデンサC2に得られる直流電圧
は、タイマー回路IC1 の電源端子(8番ピン)と接地
端子(1番ピン)の間に印加されている。タイマー回路
IC1 は汎用のタイマーIC(例えば、日本電気株式会
社製造のμPC1555)よりなり、そのトリガ端子
(2番ピン)とスレッショルド端子(6番ピン)及び放
電端子(7番ピン)には、抵抗R4 ,R5 とコンデンサ
4 よりなる時定数回路が図示されたように接続され
て、無安定マルチバイブレータとして使用されている。
コンデンサC2 の両端には、抵抗R3 とコンデンサC3
の直列回路よりなる遅延回路が接続されており、コンデ
ンサC3 の電位は周波数制御端子(5番ピン)に入力さ
れている。出力端子(3番ピン)に得られる高周波の矩
形波信号は、バッファ回路IC2 (例えば、日本電気株
式会社製造のμPD4050)を介してスイッチング素
子Q1の制御電極に入力されている。スイッチング素子
1 がONすると、インダクタL1 にエネルギーが蓄積
され、スイッチング素子Q1 がOFFすると、インダク
タL1 に自己誘導起電力が発生し、これが商用電源AC
の全波整流出力電圧に重畳されて平滑用のコンデンサC
1 に充電されるものである。
【0004】図23の従来例において、インダクタL1
に流れる電流、スイッチング素子Q 1 に印加される電圧
の波形を図24に示す。時刻t1 でスイッチング素子Q
1 がONして、インダクタL1 に流れる電流が徐々に増
えて行き、時刻t2 でスイッチング素子Q1 がOFFす
ると、以後、インダクタL1 に蓄積されたエネルギーを
放出して行き、電流が徐々に減少して行く。そして、時
刻t3 にインダクタL 1 の電流が0になると、図25の
破線で示すように、スイッチング素子Q1 やダイオード
1 の浮遊容量C6 ,C7 に蓄えられた電荷により、イ
ンダクタL1 に逆方向の電流が流れて、全波整流器DB
の浮遊容量C5 を通じてLC共振が生じる。このため、
時刻t3 〜t4 の間、スイッチング素子Q1 には共振電
圧が印加され、スイッチング素子Q1 や全波整流器DB
へのストレスが大きくなるという問題があった。また、
時刻t3 〜t4 のような電流休止期間が長いと、高調波
成分の多い入力電流となる。つまり、入力電圧が正弦波
の場合、入力電圧のピーク値付近では時刻t3 〜t4
ような電流休止期間は短くなり、逆に、入力電圧の低い
区間では電流休止期間が長くなるため、図26に示すよ
うに、入力電圧のピーク値付近での入力電流は多く、入
力電圧の低い区間での入力電流は少なくなるという問題
があり、何らかの波形補正回路が必要であった。
【0005】そこで、図27に示すように、電流休止期
間を完全に無くして、インダクタL 1 のエネルギーが完
全に放出される前に、スイッチング素子Q1 をONさせ
てインダクタL1 に電流を流す方法が考えられるが、こ
の場合、ダイオードD1 に電流が流れている状態でコン
デンサC1 の逆電圧が印加されるため、ダイオードD 1
のリカバリー電流Irが流れ、ダイオードD1 のストレ
スも大きくなる。また、インダクタL1 に電流iが流れ
続けるので、インダクタL1 の蓄積エネルギー(L1 ×
2 /2)が増えて行き、インダクタL1 が飽和する等
の問題がある。したがって、図28の回路に示すよう
に、インダクタL1 のエネルギーを完全に放出して、か
つ休止期間を無くす制御が必要とされる。
【0006】以下、図28の回路構成について説明す
る。交流電源ACは全波整流器DBの交流入力端子に接
続されている。全波整流器DBの直流出力端子には、小
容量のコンデンサC8 が接続されている。コンデンサC
8 の両端には、パワーMOSFETよりなるスイッチン
グ素子Q1 を介してインダクタL1 が接続されている。
Dsはスイッチング素子Q1 の逆方向寄生ダイオードで
ある。スイッチング素子Q1 の両端には、逆流阻止用の
ダイオードD1 を介して平滑コンデンサC1 が接続され
ている。平滑コンデンサC1 の両端には、負荷Zが接続
されている。負荷Zの両端には、電圧検出用の抵抗R
6 ,R7 の直列回路が接続されている。抵抗R6 ,R7
の接続点の電位は、差動増幅器IC3 に入力されて基準
電位Vrefとの差に相当する電圧が増幅されて電圧比
較器IC4 の負入力端子に接続される。差動増幅器IC
3 には帰還インピーダンスとしてコンデンサC10が接続
されている。電圧比較器IC4 の正入力端子にはコンデ
ンサC9 が接続されている。コンデンサC9 の両端に
は、トランジスタQ2 が並列的に接続されている。トラ
ンジスタQ2 のベースには、フリップフロップFFの反
転出力端子Q’が接続されている。フリップフロップF
Fの出力端子Qは、抵抗R1 を介してスイッチング素子
1 の制御電極に接続されている。フリップフロップF
Fのリセット端子Rは電圧比較器IC4 の出力端子に接
続されており、セット端子Sは検出器IC5の出力端子
に接続されている。スイッチング素子Q1 に流れる電流
は、抵抗R8により電圧に変換されて検出器IC5 に入
力されている。トランジスタQ3 には抵抗R9 を介して
一定の電流が流れて、これと同じ電流がトランジスタQ
4 を介してコンデンサC9 に流れる。
【0007】この回路のタイムチャートを図29に示
す。まず、時刻t1 では、検出器IC 5 がインダクタL
1 とスイッチング素子Q1 あるいはダイオードD1 と平
滑用コンデンサC1 を通って抵抗R8 に流れる電流が0
になることを検出してHighレベルの信号を出力す
る。これにより、フリップフロップFFのセット端子S
に信号が入り、その出力端子QからはHighレベルの
信号が、また、反転出力端子Q’からはLowレベルの
信号が出てスイッチング素子Q1 をオン、トランジスタ
2 をオフする。次に、時刻t1 〜t2 の期間では、ト
ランジスタQ2 がオフされており、トランジスタQ3
4 によるカレントミラー回路で制御電源電圧Vccと
抵抗R9 によって決まる電流がコンデンサC9 を充電
し、コンデンサC9 の両端電圧が直線的に増加して行
く。抵抗R6 ,R7 による分圧電位は、基準電位Vre
fと共に差動増幅器IC3 に入力されて、差動増幅器I
3 の出力は或るレベルで一定となっている。その電圧
レベルにコンデンサC9 の両端電圧が達すると、時刻t
2 で電圧比較器IC4 からHighレベルの信号が出力
され、リセット端子Rに入力される。これにより、フリ
ップフロップFFの出力端子QからLowレベルの信号
が、また、反転出力端子Q’からはHighレベルの信
号が出力されて、スイッチング素子Q1 はオフ、トラン
ジスタQ2 はオンとなる。さらに、時刻t2 〜t3 の期
間では、スイッチング素子Q1 がオンしている間にイン
ダクタL1 、スイッチング素子Q1 、抵抗R8 を通じて
流れていた電流によりインダクタL1 に蓄えられたエネ
ルギーが、スイッチング素子Q1 がオフしたときに放出
され、インダクタL1 からダイオードD1 、コンデンサ
1 、抵抗R8 へと電流が流れて、コンデンサC1 が充
電される。また、上述のようにコンデンサC1 が充電さ
れている間は、トランジスタQ2 がオンするため、コン
デンサC9 の電位は上昇しない。そして、インダクタL
1 のエネルギーによる電流が流れ終えると、時刻t
3 (又はt1 )で、抵抗R8 を流れる電流がゼロとな
り、以下、同じ動作を繰り返す。このように、時刻t1
〜t2 の区間を一定にして、インダクタL1 に流れる電
流がゼロになることを検出して、スイッチング素子Q1
のオン信号が入るタイミングを制御することにより、イ
ンダクタL1 に流れる電流の休止区間を無くすことがで
きる。このため、高調波成分の比較的少ない入力電流波
形となる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図28の従
来例においても入力電圧を全波整流した脈流波形の電圧
の低い部分(谷の部分)においては、図30に示すよう
に、入力電流波形が正弦波に顕著に追従できない区間T
x(追従不可区間)を生じる。すなわち、上述の制御動
作のうち、抵抗R8 を流れる電流がゼロになるのを検出
してからスイッチング素子Q1 にON信号を出すまでの
間に、実際には回路動作上、遅延時間tsが生じてしま
う。そのために、図31や図32に示すように、インダ
クタL1 を流れる電流がゼロになった後に、遅延時間t
sの間だけ図25で述べたような浮遊容量とインダクタ
1 の共振電流が流れてしまい、スイッチング素子Q1
がオンしてもスイッチング素子Q1 の電流が負の向きか
ら流れ出すことになる。ところで、インダクタL1 の充
放電電流の増加の度合い(傾き)は、充電時にはVin
/L1 となり、放電時には(Vout−Vin)/L1
となる。ここで、Vinはチョッパーの入力電圧、Vo
utはチョッパーの出力電圧である。出力電圧Vout
は略一定であるので、スイッチング素子Q1 のスイッチ
ング時の入力電圧Vinの値により充電時と放電時にイ
ンダクタL1 を流れる電流の傾きは異なり、入力電圧V
inが大きいとき(脈流の山の部分)においては、充電
時の傾きは大きく、放電時の傾きは小さい。また、入力
電圧Vinが小さいとき(脈流の谷の部分)において
は、充電時の傾きは小さく、放電時の傾きは大きい。し
たがって、前述のように制御回路の遅延時間tsが生じ
たときに、同じ遅延時間tsであっても、図31、図3
2に示すように、スイッチング素子Q1 を流れる電流の
負方向の電流量J1 が異なってしまう。図31は入力電
圧Vinが小さいときにインダクタL1 を流れる電流波
形、図32は入力電圧Vinが大きいときにインダクタ
1 を流れる電流波形である。したがって、スイッチン
グ素子Q1 のオン区間T1 (=t2 −t1 )を一定にす
るように制御しても、実際のオン区間T 2 は入力電圧V
inが小さいときと大きいときで異なってしまう。ここ
で、図31に示すようにスイッチング素子Q1 のオン時
に流れる負方向の電流量(斜線部J1 )と正方向の電流
量(横線部J2 )がJ1 >J2 となるとき、図30に示
したような入力電流波形が正弦波に追従できない追従不
可区間Txが顕著に生じてしまう。このために入力波形
に高調波成分が生ずることになる。以上のように、チョ
ッパー回路のスイッチング素子のオン区間を一定に制御
する方式では、入力電流波形が正弦波に顕著に追従でき
ない部分が生じる。これにより、入力電流波形に高調波
成分が生じてしまう。
【0009】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり、チョッパー回路を用いた電源装置において、
少なくとも入力電流波形が正弦波に顕著に追従できない
区間において、入力電流波形の正弦波への追従を改善す
ることを目的とするものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の電源装置にあっ
ては、上記の課題を解決するために、交流電源ACと、
交流電源ACの交流電圧を全波整流する全波整流器DB
と、全波整流器DBの整流出力をスイッチング素子Q1
により断続させることによりインダクタL1 に断続的に
エネルギーを蓄積し、このインダクタL1 の蓄積エネル
ギーを逆流阻止用のダイオードD1 を介して放出するよ
うに構成されたチョッパー回路と、前記インダクタL1
に流れる電流がゼロになったことを検出してから一定期
間にわたり前記スイッチング素子Q1 をオンするように
制御する制御回路とを有する電源装置において、全波整
流後の脈流波形に基づいて少なくとも前記スイッチング
素子Q1 がオンしている間に流れる正方向の電流量が負
方向の電流量に比べて多くなるように前記スイッチング
素子Q1 のオン区間を制御する回路を付加したことを特
徴とするものである。なお、スイッチング素子Q1 のオ
ン区間は段階的に制御してもよいし、連続的に制御して
も良い。また、オン区間を制御する代わりに、インダク
タL1 の値を変化させても良い。
【0011】
【作用】上述のように、入力波形が正弦波に顕著に追従
できない区間は、チョッパー回路のオン区間が一定とな
るように制御されたスイッチング素子Q1 がオンしてい
る時にインダクタL1 からスイッチング素子Q1 へと流
れる電流において、制御回路の動作の遅延時間により生
じる負方向の電流が正方向の電流よりも多くなってしま
う為に、つまり、図31のようになってしまうために生
じてしまう。それを改善するための本発明の動作を図3
3に示す。
【0012】図33では、従来一定であるスイッチング
素子Q1 のオン区間(t1 〜t2 )で負方向の電流量
(斜線部J1 )よりも正方向の電流量(横線部J2 )が
少ない場合(J1 >J2 となる場合)に少なくともJ1
<J2 +J2 ’となるようにオン区間をt2 からt2
まで広げて、図31のようにはならないように改善した
ものである。少なくとも入力電流波形が正弦波に顕著に
追従していない区間において、前述のようにオン区間を
広げてやれば入力電流波形の高調波成分は減る。
【0013】なお、スイッチング素子Q1 のオン区間を
広げる代わりに、インダクタL1 の値を変化させても同
様の条件を満足させることができる。
【0014】
【実施例】図1は本発明の第1実施例の回路図である。
本実施例では、図28の従来例において、全波整流器D
Bの正出力端子を、抵抗R10とダイオードD3 を介して
コンデンサC9 の正極に接続したものである。このた
め、全波整流器DBから出力される脈流波形に応じて、
コンデンサC9 の充電速度が変化する。その他の構成
は、図28の従来例と同様である。図28の従来例で
は、抵抗R9 により決定される電流とコンデンサC9
容量に応じて、コンデンサC9 の両端電位の増加の傾き
が一定となり、スイッチング素子Q1 のオン区間も一定
となるように制御されていた。これに対して、本実施例
では、抵抗R10とダイオードD3 の直列回路を、図1の
ように、全波整流出力とコンデンサC9 の間に接続する
ことにより、コンデンサC9 の充電速度を全波整流後の
脈流波形に基づいて変化させている。すなわち、コンデ
ンサC9 に流れる電流は、図2に示すように、従来の抵
抗R9により決定される一定の電流Iaに脈流電流Ib
が重畳されることになり、入力電圧がゼロに近い部分
(脈流波形の谷の部分)では、入力電圧がピークに近い
部分(脈流の山の部分)よりもコンデンサC9 の両端電
位の増加の傾きが小さくなり、スイッチング素子Q1
オン区間は比較的広がったものとなる。ここで、抵抗R
9 の値と、抵抗R10の値を変化させ、電流IaとIbの
割合を変えることにより、入力電流波形が正弦波に顕著
に追従しない区間で図33のようなスイッチングを行
い、入力電流波形を正弦波にできるだけ追従させて入力
電流の高調波成分を減らすことができる。
【0015】図3は本発明の第2実施例の回路図であ
る。上述の図28の従来例では、電圧比較器IC4 の負
入力端子に印加される基準電圧は、チョッパー回路の出
力電圧を抵抗R6 ,R7 により検出し、差動増幅器IC
3 でフィードバックをかけることにより一定に保たれて
いた。チョッパーの出力電圧は一定であり、また、コン
デンサC9 の容量と、コンデンサC9 に流れ込む一定電
流で決まるコンデンサC 9 の両端電位の増加の傾きが一
定であることから、スイッチング素子Q1 のオン時間は
一定になっていた。本実施例では、図31のように、少
なくともJ1 >J 2 となるところで、図33のように、
1 <J2 +J2’となるように、スイッチング素子Q
1 のオン区間を広げるために、抵抗R11,R12、トラン
ジスタQ5,Q6 で構成されるカレントミラー回路と抵
抗R13を、図3のように追加する。これによりカレント
ミラー回路を流れる電流Icが入力電圧の全波整流波形
と同じ脈流波形で流れ、電圧比較器IC4 の負入力端子
の基準電位は差動増幅器IC 3 の出力電位から、Ic×
13の電圧降下分だけ降下した波形となる。各部の波形
は図4のようになり、脈流波形の電圧の低い谷の部分の
スイッチング素子Q1のオン時間は、電圧の高い山の部
分に比べて長くなる。抵抗R7 の値と電流Ic、抵抗R
13の値を変化させ、差動増幅器IC3 の出力電位とIc
×R13でドロップする電位の割合を変えることにより、
少なくとも図31のようにJ1 >J2 となるところを、
図33のようにJ1 <J2 +J2’となるように設定し
て、入力電流波形が正弦波に顕著に追従できなくなる区
間の波形を改善し、入力電流の高調波成分を減らすこと
ができる。
【0016】図5は本発明の第3実施例の回路図であ
る。本実施例では、全波整流器DBの整流出力端に、抵
抗R14,R15の直列回路が接続されている。抵抗R14
15の接続点の電位は検出器IC6 に入力されている。
検出器IC6 の出力はトランジスタQ7 のベースに接続
されている。トランジスタQ7 は抵抗R17と直列接続さ
れて抵抗R9 の両端に並列接続されている。その他の構
成は図28の従来例と同様である。
【0017】以下、本実施例の動作について説明する。
全波整流器DBから出力される脈流波形は抵抗R14,R
15により分圧されて検出器IC6 に入力される。検出器
IC 6 では入力電圧を基準電位と比較し、入力電圧が基
準電位よりも高い区間では、トランジスタQ7 にON信
号を与える。基準電位は追従不可区間Txの始まる電位
に設定してある。脈流波形の山の部分でトランジスタQ
7 にON信号が入ると、抵抗R9 とR17が並列接続状態
になるため、トランジスタQ3 ,Q4 を流れる電流が増
える。このため、コンデンサC9 の充電速度が速くな
り、トランジスタQ7 のOFF時(脈流の谷の部分)に
比べて、スイッチング素子Q1 のON時間が短くなる。
そのため、図6のように、スイッチング素子Q1 のON
時間が決定される。検出器IC6 の検出出力により、図
31に示すように、J1 ≧J2 となる区域では、トラン
ジスタQ7 をOFFし、スイッチング素子Q1 のON時
間を広げて、逆に、図32に示すように、J1 <J2
区域では、トランジスタQ7をONし、スイッチング素
子Q1 のON時間を縮めることによって追従効果を出
す。トランジスタQ3 側の抵抗R9 とR17の値はすべて
の区間でJ1 <J2 となるように設定するものである。
【0018】図7は本発明の第4実施例の回路図であ
る。本実施例では、図5に示した第3実施例において、
検出器IC6 での検出レベルの数を増やしたものであ
る。脈流波形の電位が上昇するにつれてトランジスタQ
7 ,Q8 ,Q9 ,…,Qnを順にONして行き、抵抗R
17,R18,R19,…,Rnを順に抵抗R9 に対して並列
接続状態にして行く。逆に脈流波形の電位が減少して行
くとトランジスタQn〜Q 7 へと逆にOFFして行く。
この結果、スイッチング素子Q1 のON時間は脈流波形
の山の部分から谷の部分に向かって徐々に広がることに
なり、入力電流の入力電圧への追従効果を第3実施例よ
りも更に細かく制御できる。
【0019】図8は本発明の第5実施例の回路図であ
る。本実施例においても図5に示した第3実施例と同様
に、抵抗R14,R15により脈流波形を検出し、検出器I
6 で基準電位と比較し、トランジスタQ7 をON/O
FFさせる信号を出力する。脈流波形の谷の部分でトラ
ンジスタQ7 にON信号が入ると、抵抗R7 ,R17が並
列接続状態になり、A点の電位が下がる。A点の電位が
下がると、図9のように差動増幅器IC3 の出力が上昇
し、電圧比較器IC4 の負入力端子のレベルが上がるこ
とになり、その結果、コンデンサC9 の充電時間が長く
なり、スイッチング素子Q1 のON時間がトランジスタ
7 のOFF時(脈流の山の部分)に比べて長くなる。
検出器IC6 の検出出力により、J1 ≧J2 となる区間
とJ1 <J 2 となる区間との少なくとも2区間に分け
て、J1 ≧J2 の区間ではトランジスタQ7 をONし
て、スイッチング素子Q1 のON時間を長くし、J1
2 の区間ではトランジスタQ7 をOFFして、スイッ
チング素子Q1 のON時間を短くすることによって追従
効果を出す。抵抗R7 ,R17の値は図5に示した第3実
施例と同じ条件で設定する。
【0020】図10は本発明の第6実施例の回路図であ
る。本実施例においても第5実施例と同じく脈流波形の
検出出力に応じて抵抗R17,R18,…,Rnとトランジ
スタQ7 ,Q8 ,…,Qnを用いてA点の電位を変化さ
せることによって差動増幅器IC3 の出力、即ち、電圧
比較器IC4 の負入力端子のレベルを変化させ、スイッ
チング素子Q1 のON時間を変化させるものであるが、
図7の第4実施例と同様に、脈流波形の検出レベルの数
を増やし、脈流波形の電位が減少するにつれて、トラン
ジスタQ7 〜Qnを順にONして行き、抵抗R17〜Rn
と順に抵抗R7に対して並列接続状態にして行く。逆
に、検出電位が増加すると、トランジスタQn〜Q5
とOFFしていく。この結果、図7の第4実施例と同
様、細かい追従効果が得られる。
【0021】図11は本発明の第7実施例の回路図であ
る。本実施例では、少なくともスイッチング素子Q1
負方向の電流量J1 と正方向の電流量J2 が図31に示
すようにJ1 >J2 となる場合に、図34のように、一
定オン時間であっても、流れる電流の傾きを大きくする
ことにより、負の向きの電流量J1 ’と正の負の電流量
2 ’が、J1 ’<J2 ’となる制御を加えるものであ
る。これにより、入力電流波形が正弦波に追従できない
区間(追従不可区間)を改善し、入力電流から高調波成
分を減らすことができる。この制御を行うために、本実
施例では、インダクタL1 ,L2 の直列回路が使用され
ており、インダクタL1 の両端にはスイッチング素子Q
10が並列接続されている。スイッチング素子Q10には、
制御部2から駆動信号が入力されている。制御部2に
は、全波整流器DBの出力電圧を抵抗R14,R15により
分圧した電圧が入力されている。
【0022】以下、本実施例の動作について説明する。
スイッチング素子Q1 は、チョッパー回路のインダクタ
1 ,L2 に流れる電流がゼロになると、制御部1から
オン信号を与えられて、一定のオン時間で動作するよう
に制御されている。ただし、インダクタL1 ,L2 を流
れる電流がゼロになってからスイッチング素子Q1 がオ
ンするまでに制御部1の動作に遅延時間を生じている。
この遅延時間のために入力電流波形に追従不可区間が生
じている。これを改善するために、図32のようにイン
ダクタからスイッチング素子Q1 へと流れる電流の負方
向の電流量J1が正方向の電流量J2 と比べてJ1 <J2
となるときはスイッチング素子Q10をオフさせておい
て、インダクタの値をL1 +L2 とし、少なくとも図3
1のようにJ1 >J2 となるときにスイッチング素子Q
10をオンしてインダクタの値をL 1 +L2 からL2 のみ
へと減らし、スイッチング素子Q1 に流れる電流の増加
する傾きを増やしてやる。これにより、図34に示すよ
うに、J1 ’<J2 ’として入力電流波形の追従不可区
間を改善し、高調波成分を減らすことができる。
【0023】図12は本発明の第8実施例の回路図であ
る。本実施例では、制御部2の出力によりスイッチSW
1 を切り換えて、制御部1の出力によりスイッチング素
子Q 1 又はQ10のいずれかをオン・オフ制御するように
したものである。このような構成を用いた場合にも、イ
ンダクタの値を切り換えることができ、図11の第7実
施例と同様の効果を得ることができる。
【0024】図13は本発明の第9実施例の回路図であ
り、また、図14は本発明の第10実施例の回路図であ
る。これらの実施例は、それぞれ図11及び図12の実
施例における制御部2の構成を具体化したものであり、
図15の動作波形図に示すように、抵抗R14,R15によ
り脈流波形を検出し、検出器IC6 で基準電位V6 と比
較し、駆動部K6 によりスイッチング素子Q10又はスイ
ッチSW1 を駆動するように構成したものである。
【0025】図11又は図12の実施例のようにインダ
クタL1 +L2 とL1 ,L2 という少なくとも1段のイ
ンダクタンス値の切り換えを追従不可区間において行う
ことにより、入力電流波形の正弦波への追従性を改善
し、入力電流の高調波成分を減らすことができる。しか
し、入力電流波形の正弦波への追従性や高調波成分を更
に改善するために、図16のようにインダクタンス値の
切り換えを複数段階にすると効果がある。図16の実施
例では、V6 ,V7 ,V8 ,…,Vnのレベルを段階的
に変えることで、入力電圧のレベルによりスイッチング
素子Q2 ’,Q3’,Q4 ’,…,Qn’と順番にオン
させていくことができる。これによりチョッパー回路の
インダクタンス値を変化させて、入力電流波形が正弦波
に追従できなくなる部分をより細かく補正することがで
きる。よって、更に入力電流が正弦波に近くなり、また
高調波成分を減らすことができる。また、図17の実施
例のように、図12の回路に上記と同様な複数段階の制
御を加えれば同様な効果を得ることができる。
【0026】次に、可飽和インダクタを利用して、図1
8に示すように、2次側に直流電流Iを流せば、図19
に示すように1次側のインダクタンスL1 が変化するこ
とは一般に良く知られている。つまり、可変抵抗VR1
等により直流電流Iを変化させれば、インダクタンス値
1 を変化させることができるのである。そこで、図2
0のような回路で、図11の実施例のような制御をトラ
ンジスタQ10を用いて行うことによりチョッパー回路の
インダクタンス値を変化させることができ、入力電流の
正弦波への追従性や高調波成分を改善することができ
る。また、可飽和インダクタの制御巻線を更に3次、4
次、…、n次と巻き上げて、複数段階の制御を加えれ
ば、更に入力電流を改善することができる。
【0027】また、図19の特性において、インダクタ
ンス値が2次側電流Iに対して直線的に変化するI1
らI2 の間で電流Iを連続的に変化させ、可飽和インダ
クタL1 のインダクタンス値を連続的に変化させること
により更に入力電流を改善することができる。例えば、
図21に示す回路においては、可飽和インダクタL1
2次側を流れる電流IをトランジスタQ11により可変と
しており、図22のように、トランジスタQ11のエミッ
タ電位を入力電圧の全波整流波形(脈流)とすれば、ト
ランジスタQ11のベース電流は直流電流から脈流電流成
分を引いた波形となる。このため、可飽和インダクタL
1 の1次側のインダクタンス値が2次側電流Iに従って
連続的に変化する。これにより、入力電流が顕著に正弦
波に追従できない脈流の谷の部分で、スイッチング素子
1 に流れる電流が図34の実線で示すようにJ1 ’<
2 ’となるように連続的に変化させることができ、入
力電流波形を更に改善できるものである。
【0028】
【発明の効果】本発明によれば、インダクタの電流がゼ
ロになった後、スイッチング素子のオン時間を一定に制
御するチョッパー回路において、入力電流波形が顕著に
正弦波に追従できない区間では、制御回路の遅延時間に
よって生じるスイッチング素子の負方向の電流量よりも
正方向の電流量を多くすることにより、入力電流波形が
正弦波にできるだけ追従するように改善し、入力電流の
高調波成分を減らすことができる。また、全波整流波形
を利用してスイッチング素子のオン期間やインダクタン
スの値を連続的又は段階的に変化させることにより、ス
イッチング素子の負方向の電流量よりも正方向の電流量
を多くする制御を簡単な回路構成で実現できるものであ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例の回路図である。
【図2】本発明の第1実施例の動作波形図である。
【図3】本発明の第2実施例の回路図である。
【図4】本発明の第2実施例の動作波形図である。
【図5】本発明の第3実施例の回路図である。
【図6】本発明の第3実施例の動作波形図である。
【図7】本発明の第4実施例の回路図である。
【図8】本発明の第5実施例の回路図である。
【図9】本発明の第5実施例の動作波形図である。
【図10】本発明の第6実施例の回路図である。
【図11】本発明の第7実施例の回路図である。
【図12】本発明の第8実施例の回路図である。
【図13】本発明の第9実施例の回路図である。
【図14】本発明の第10実施例の回路図である。
【図15】本発明の第10実施例の動作波形図である。
【図16】本発明の第11実施例の回路図である。
【図17】本発明の第12実施例の回路図である。
【図18】本発明に用いる可飽和インダクタの回路図で
ある。
【図19】本発明に用いる可飽和インダクタの特性図で
ある。
【図20】本発明の第13実施例の回路図である。
【図21】本発明の第14実施例の回路図である。
【図22】本発明の第14実施例の動作波形図である。
【図23】第1の従来例の回路図である。
【図24】第1の従来例の高周波的な動作波形図であ
る。
【図25】第1の従来例の動作説明のための回路図であ
る。
【図26】第1の従来例の低周波的な動作波形図であ
る。
【図27】第2の従来例の高周波的な動作波形図であ
る。
【図28】第3の従来例の回路図である。
【図29】第3の従来例の高周波的な動作波形図であ
る。
【図30】第3の従来例の低周波的な動作波形図であ
る。
【図31】第3の従来例の脈流波形の谷の部分での高周
波的な動作波形図である。
【図32】第3の従来例の脈流波形の山の部分での高周
波的な動作波形図である。
【図33】請求項1又は2の発明の高周波的な動作波形
図である。
【図34】請求項3の発明の高周波的な動作波形図であ
る。
【符号の説明】
AC 交流電源 DB 全波整流器 D1 ダイオード L1 インダクタ Q1 スイッチング素子

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 交流電源と、交流電源の交流電圧を全
    波整流する全波整流器と、全波整流器の整流出力をスイ
    ッチング素子により断続させることによりインダクタに
    断続的にエネルギーを蓄積し、このインダクタの蓄積エ
    ネルギーを逆流阻止用のダイオードを介して放出するよ
    うに構成されたチョッパー回路と、前記インダクタに流
    れる電流がゼロになったことを検出してから一定期間に
    わたり前記スイッチング素子をオンするように制御する
    制御回路とを有する電源装置において、全波整流後の脈
    流波形に基づいて少なくとも前記スイッチング素子がオ
    ンしている間に流れる正方向の電流量が負方向の電流量
    に比べて多くなるように前記スイッチング素子のオン区
    間を制御する回路を付加したことを特徴とする電源装
    置。
  2. 【請求項2】 交流電源と、交流電源の交流電圧を全
    波整流する全波整流器と、全波整流器の整流出力をスイ
    ッチング素子により断続させることによりインダクタに
    断続的にエネルギーを蓄積し、このインダクタの蓄積エ
    ネルギーを逆流阻止用のダイオードを介して放出するよ
    うに構成されたチョッパー回路と、前記インダクタに流
    れる電流がゼロになったことを検出してから一定期間に
    わたり前記スイッチング素子をオンするように制御する
    制御回路とを有する電源装置において、全波整流後の脈
    流波形に基づいて少なくとも前記スイッチング素子がオ
    ンしている間に流れる正方向の電流量が負方向の電流量
    に比べて多くなるように前記スイッチング素子のオン区
    間を一段階以上広げる制御を行う回路を付加したことを
    特徴とする電源装置。
  3. 【請求項3】 交流電源と、交流電源の交流電圧を全
    波整流する全波整流器と、全波整流器の整流出力をスイ
    ッチング素子により断続させることによりインダクタに
    断続的にエネルギーを蓄積し、このインダクタの蓄積エ
    ネルギーを逆流阻止用のダイオードを介して放出するよ
    うに構成されたチョッパー回路と、前記インダクタに流
    れる電流がゼロになったことを検出してから一定期間に
    わたり前記スイッチング素子をオンするように制御する
    制御回路とを有する電源装置において、全波整流後の脈
    流波形に基づいて少なくとも前記スイッチング素子がオ
    ンしている間に流れる正方向の電流量が負方向の電流量
    に比べて多くなるように前記インダクタの値を変化させ
    るように制御を行う回路を付加したことを特徴とする電
    源装置。
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EP93114432A EP0599000B1 (en) 1992-11-20 1993-09-08 Power supply
DE69302661T DE69302661T2 (de) 1992-11-20 1993-09-08 Leistungsversorgung
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2013247778A (ja) * 2012-05-25 2013-12-09 Mitsubishi Electric Corp 電子負荷装置
WO2018002998A1 (ja) * 2016-06-28 2018-01-04 新電元工業株式会社 電源装置、および、電源装置の制御方法

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