JPH06167634A - 光導波路部品の接続構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 特別の高精度な技術を必要とせず、光導波路
と他の光部品とを簡易かつ精度良く光結合させることの
できる光導波路部品の接続構造を提供する。 【構成】光導波路６が形成された導波路基板１には正四
角錐状の溝１ａが掘られ、この溝１ａとベース板４との
間に球７を挟んで導波路基板１はこのベース板４上に保
持されている。溝１ａの深さおよび球７の直径は、導波
路基板１に形成された光導波路６端面のベース板４から
の高さが、ファイバアレイ基板２，３に挟まれてベース
板４上に保持された光ファイバ５端面のベース板４から
の高さに合う値に設定され、光導波路６端面と光ファイ
バ５端面との垂直位置が一致させられている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光導波路端面が他の光部
品に当接されて光導波路が他の光部品と光学的に結合さ
れる光導波路部品の接続構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、光ファイバどうしの接続構造とし
ては、特開昭５４−７３０６１号公報に開示されたもの
がある。同公報には次のような光ファイバアレイどうし
の光接続構造が開示されている。用意された一対の各シ
リコン（Ｓｉ）基板には断面がＶ字状の溝が平行に形成
されており、一方のＳｉ基板の各Ｖ溝にガイドピンが係
合させられている。このガイドピンの一端は基板端部か
ら突出しており、この突出部に他方のＳｉ基板に形成さ
れたＶ溝が係合させられている。各Ｓｉ基板にはガイド
ピンが係合させられるＶ溝の他、このＶ溝に平行に光フ
ァイバを保持するためのＶ溝が複数形成されている。各
Ｓｉ基板の端面がガイドピンによってその位置が矯正さ
れて突き合わされ、各Ｓｉ基板に保持された光ファイバ
端面どうしが当接されることにより、各光ファイバアレ
イは光結合している。

【０００３】光ファイバと光導波路との接続構造に関し
ても、上記と同様なＶ溝およびガイドピンを用いるもの
がある。つまり、Ｖ溝が形成された一対のＳｉ基板の一
方に光導波路が形成されており、このＶ溝にガイドピン
が係合されることにより、光ファイバを保持する他方の
Ｓｉ基板との相対的な位置が上記と同様に矯正される。
この位置矯正によって、光導波路端面と光ファイバ端面
とが当接され、光導波路と光ファイバとは光結合する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の光接続構造においては、Ｓｉ基板に帯状に形成され
るＶ溝の開口寸法、つまり、溝幅を常に一定幅に保つの
は困難であった。すなわち、このＶ溝は結晶方向によっ
てエッチング速度が異なるＳｉ基板のエッチング異方性
を用いて形成されているのであるが、Ｖ溝に対応してエ
ッチングマスクに形成されたスリットの方向を、Ｓｉ基
板の特定の結晶方向に合わせる必要がある。しかし、帯
状に開口したマスクのスリット方向とＳｉ基板の異方性
を持つ特定の結晶方向とが一致せずにずれると、Ｓｉ基
板のエッチング異方性によってマスクのスリット幅より
大きな溝幅を持つＶ溝が形成されてしまう。溝幅の寸法
が変化することは溝の深さが変化することであり、Ｖ溝
の深さが変化するとガイドピンとＳｉ基板とが接触する
位置が変わってしまう。この結果、ガイドピンに対する
各Ｓｉ基板の位置関係は変わってしまう。

【０００５】光ファイバを保持するＳｉ基板において
は、ガイドピンに係合するＶ溝と光ファイバを保持する
Ｖ溝とは、同一マスクを用いた同一の異方性エッチング
により形成されるため、マスクがＳｉ基板の結晶方向か
らずれても、形成される各Ｖ溝の溝幅は同一の比率で広
がる。従って、ガイドピンおよび光ファイバがＳｉ基板
の各Ｖ溝に接する相対位置は変化しないことになる。

【０００６】一方、光導波路が形成されるＳｉ基板にお
いては、まず、光導波路が基板表面に形成された後、こ
の光導波路に対して所定の位置関係を持つ基板表面にガ
イドピンが係合されるＶ溝が形成される。従って、この
Ｖ溝を形成する時のマスク合わせにおいて、Ｓｉ基板の
結晶方向に対してエッチングマスクのスリット方向がず
れると形成されるＶ溝の幅は広がり、このＶ溝に係合す
るガイドピンと光導波路との位置関係には誤差が生じ
る。このため、導波路基板に形成されたＶ溝にガイドピ
ンを係合させ、このガイドピンに光ファイバ保持基板の
Ｖ溝を係合させても、ガイドピンに対する光導波路の位
置に誤差があるため、光導波路端面と光ファイバ端面と
は正確に一致せず、各光軸にずれが生じた。この結果、
光導波路と光ファイバとの接続部において光伝搬損失を
生じることになる。

【０００７】また、マスクのスリット方向とＳｉ基板の
結晶方向とを一致させるには高精度のマスクパターン合
わせ技術が必要とされ、生産性は劣化する。

【０００８】本発明はこのような課題を解消するために
なされたもので、特別の高精度な技術を必要とせず、光
導波路部品と他の光部品とを簡易かつ精度良く光結合さ
せることのできる光導波路部品の接続構造を提供するこ
とを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、光導波路端面
が他の光部品に当接されて光導波路が他の光部品と光学
的に結合される光導波路部品の接続構造において、光導
波路が形成された導波路基板に錐状または頭部が裁断さ
れた錐状の溝が掘られ、この溝と基台との間に球を挟ん
で導波路基板はこの基台上に保持され、溝の深さおよび
球の直径は、導波路基板に形成された光導波路の光軸の
基台からの高さが、基台上に保持された他の光部品の光
軸の基台からの高さに合う値に設定され、光導波路部品
と他の光部品との垂直位置が一致させられていることを
特徴とするものである。

【００１０】また、導波路基板に一定間隔で上記溝が形
成され、他の光部品にこの間隔と等しい間隔で他の溝が
形成され、基台にこの間隔と等しい間隔で平行する線状
の平行溝が形成され、導波路基板に形成された溝と基台
に形成された平行溝との間に球が挟まれて導波路基板と
基台とが対向させられ、他の光部品に形成された他の溝
と基台に形成された平行溝との各位置が一致させられて
他の光部品と基台とが対向させられ、導波路基板に形成
された光導波路の光軸と他の光部品の光軸との水平位置
が一致させられていることを特徴とするものである。

【００１１】また、他の光部品は光ファイバであり、溝
の深さおよび球の直径は、導波路基板に形成された光導
波路端面の基台からの高さが、保持基板に挟まれて基台
上に保持された光ファイバ端面の基台からの高さに合う
値に設定され、光導波路端面と光ファイバ端面との垂直
位置が一致させられていることを特徴とするものであ
る。

【００１２】また、他の光部品は光ファイバであり、導
波路基板に一定間隔で上記溝が形成され、基台上に光フ
ァイバを保持する保持基板にこの間隔と等しい間隔で他
の溝が形成され、基台にこの間隔と等しい間隔で平行す
る線状の平行溝が形成され、導波路基板に形成された溝
と基台に形成された平行溝との間に球が挟まれて導波路
基板と基台とが対向させられ、保持基板に形成された他
の溝と基台に形成された平行溝との各位置が一致させら
れて保持基板と基台とが対向させられ、導波路基板に形
成された光導波路端面と保持基板に保持された光ファイ
バ端面との水平位置が一致させられていることを特徴と
するものである。

【００１３】また、導波路基板は（１，０，０）面を主
表面とするシリコン基板からなり、導波路基板に掘られ
る錐状または頭部が裁断された錐状の溝は異方性エッチ
ングにより形成されていることを特徴とするものであ
る。

【００１４】また、異方性エッチングは、円形の開口部
を持つマスクを用いて行われていることを特徴とするも
のである。

【００１５】

【作用】溝は錐状または頭部が裁断された錐状に掘られ
るため、錐の向きがずれても錐の中心位置は変わらな
い。このため、溝の中心位置は導波路基板の結晶方向に
依存せずに決定される。

【００１６】例えば、導波路基板が（１，０，０）面を
主表面とするＳｉ基板からなる場合には、直交する＜
０，１，／１＞方向および＜０，／１，／１＞方向は順
メサ方向になり、異方性エッチングにより導波路基板に
は断面が四角錐状または頭部が裁断された四角錐状の溝
が形成される。この際、円形の開口部を持つマスクを用
いてエッチングを行うと、Ｓｉ基板のエッチング異方性
により、導波路基板には正四角錐状の溝が形成される。

【００１７】また、光導波路が形成された導波路基板と
他の光部品との相互の垂直方向の位置は、導波路基板に
形成された溝の深さおよびこの溝と基台との間に挟まれ
る球の直径によって設定される。光導波路が形成された
導波路基板と他の光部品との相互の水平方向の位置は、
導波路基板および他の光部品にそれぞれ一定間隔で形成
された各溝を基台に形成された平行溝に一致させること
によって設定される。

【００１８】

【実施例】図１は本発明の第１の実施例による光導波路
と光ファイバとの接続構造を示す斜視図である。

【００１９】本接続構造の下では、導波路基板１および
各ファイバアレイ基板２，３がベース板４に対向させら
れ、導波路基板１に形成された光導波路と各ファイバア
レイ基板２，３に保持される光ファイバ５とが光接続さ
れる。

【００２０】ベース板４はステンレスまたはＳｉ材料か
らなり、その表面には線状の溝４ａが平行に形成されて
いる。この平行溝４ａは機械加工または異方性エッチン
グによって断面がＶ字状に形成されており、各溝４ａの
中心間隔は距離Ｌに設定されている。

【００２１】導波路基板１はＳｉ材料からなり、基板の
四隅には正四角錐状の溝１ａが形成されている。図２は
この導波路基板１を示す三面図である。同図（ａ）は平
面図，同図（ｂ）はIIb −IIb 線に沿って導波路基板１
が破断された破断側面図，同図（ｃ）はIIc −IIc 線に
沿って導波路基板１が破断された破断正面図を示してい
る。導波路基板１の表面には光導波路６が形成されてお
り、一方の光導波路端面６ａから入射した光は他方の光
導波路端面６ｂ，６ｃ，６ｄから出射される。また、こ
の三面図から、溝１ａは正方形の開口面を底面とし一点
を頂点とする正四角錐状に形成されていることが理解さ
れる。各溝１ａの幅方向の中心間隔は距離Ｌをおいて形
成されており、ベース板４に形成された平行溝４ａの間
隔に等しく設定されている。各溝１ａの頂点を結ぶと一
辺がＬの四角形になる。導波路基板１に形成されたこれ
ら各溝１ａとベース板４に形成された平行溝４ａとの間
には図１に示す球７が挟まれ、導波路基板１とベース板
４とはこの球７を介して対向させられる。各球７は例え
ばステンレス材料からなり、各球７の直径は等しく設定
されている。上記の溝１ａは次のように形成される。

【００２２】導波路基板１は（１，０，０）面を主表面
とするＳｉ基板であり、ＫＯＨをエッチャントとする異
方性エッチングに対し、直交する＜０，１，／１＞方向
および＜０，／１，／１＞方向は順メサ方向になってい
る。溝１ａは、導波路基板１に光導波路６が形成された
後、ＳｉＯ₂ またはＳｉＮからなるエッチングマスクを
用いて形成される。このエッチングマスクには、各溝１
ａの頂点に対応する点を中心とする円形窓が形成されて
おり、この円形窓に露出する導波路基板１がＫＯＨ溶液
に浸される。溶液に浸されたＳｉ基板は、結晶方向によ
ってエッチング速度が異なる異方性により、上記した直
交する２方向に順メサ状のＶ溝が形成される。この結
果、円形窓の中心に頂点がある正四角錐状の溝１ａが掘
られる。この正四角錐の底面は導波路基板１の表面に正
方形となって開口し、円形窓に内接する。この正方形の
一辺の方向はＳｉ基板の＜０，１，／１＞方向に一致
し、この一辺に垂直な他の辺の方向はＳｉ基板の＜０，
／１，／１＞方向に一致する。

【００２３】本実施例においては、エッチングマスクに
開口するパターンは円形であり、掘られる溝１ａの形状
は錐状であるため、導波路基板１のＳｉ結晶方向を考慮
する必要はない。すなわち、円形窓の各中心位置の相互
関係が溝１ａの各中心位置の相互関係に合っていれば、
異方性エッチングにより形成される各溝１ａ間のピッチ
Ｌおよび溝深さは導波路基板１の結晶方向にかかわらず
変わらない。

【００２４】例えば、エッチングマスクが導波路基板１
の結晶方向に合っていない場合には、溝１ａの形成され
る向きが図３に示すようにずれるだけである。この場
合、各正四角錐の頂点の位置はエッチングマスクの円形
窓の中心に一致しており、正四角錐底面の正方形の各辺
の方向は異方性を示す直交する２方向に一致している。
溝１ａに形成された正四角錐の向きが上記のようにずれ
ても、球７の中心は溝１ａの中心と一致する。これは、
正四角錐の各側面と球７との接触点は、正四角錐の頂点
を中心とする同一の円周上にあるからである。また、溝
１ａの形成される向きがずれても、溝１ａの深さは変わ
らない。従って、溝１ａは導波路基板１の結晶方向を考
慮せずに形成することが可能であり、溝深さと溝間隔と
を設定するだけで、ベース板４に対する導波路基板１の
位置関係は決定される。

【００２５】また、このように導波路基板１ａの結晶方
向に関係せずに溝１ａを形成することができるため、光
導波路６の形成方向を導波路基板１の結晶方向に合わす
必要もない。

【００２６】ファイバアレイ基板２および３はステンレ
スまたはＳｉ材料からなり、各基板表面にはそれぞれ２
種類の溝２ａ，２ｂおよび３ａ，３ｂが形成されてい
る。溝２ａ，３ａはステンレス材料等からなるガイドピ
ン８が係合される一対の平行溝であり、溝２ｂ，３ｂは
光ファイバ５が保持される溝である。各溝２ａ，ｂ、３
ａ，ｂは断面がＶ字状になっており、ファイバアレイ基
板２，３がステンレス材料からなる場合には機械加工に
よって、Ｓｉ材料からなる場合には機械加工もしくは異
方性エッチングによって各溝は同時に形成される。ガイ
ドピン８が係合される平行溝２ａ，３ａの中心間隔は距
離Ｌに設定されており、ベース板４に形成された平行溝
４ａの間隔に等しく設定されている。また、光ファイバ
５が保持される各溝２ｂ，３ｂのガイドピン８が係合さ
れる溝２ａ，３ａに対する位置は、導波路基板１におけ
る溝１ａに対する光導波路６の端面位置６ａ〜ｄに対応
している。ファイバアレイ基板２，３に形成された各溝
２ａ，３ａとベース板４に形成された平行溝４ａとの間
にはガイドピン８が係合され、ファイバアレイ基板２，
３とベース板４とが対向させられる。また、ファイバア
レイ基板２，３に形成された溝２ｂ，３ｂには光ファイ
バ５が係合され、この光ファイバ５はファイバアレイ基
板２，３とベース基板４とに挟まれてベース板４上に保
持される。

【００２７】ベース板４に対するファイバアレイ基板
２，３の位置関係は、溝２ａ，３ａの溝間隔および溝深
さによって設定される。

【００２８】このような構成において、各部品がベース
板４上に矢示のように配置されると、図４に示す状態に
なる。同図において、図１と同一部分については同符号
を用いてその説明は省略する。

【００２９】導波路基板１は球７を介してベース板４上
に保持されており、ファイバアレイ基板２，３はガイド
ピン８を介してベース板４上に保持されている。導波路
基板１の保持状態は、Ｖ−Ｖ線に沿って破断した図５に
示される断面図に示され、正四角錐状の溝１ａおよび平
行溝４ａ間にある球７に接して導波路基板１はベース板
４上に保持されている。溝１ａに嵌合した球７が平行溝
４ａをスライドすることにより、導波路基板１は平行溝
４ａによって規制される方向にベース板４上を移動す
る。また、ファイバアレイ基板２，３は、Ｖ字状の平行
溝２ａ，３ａおよび平行溝４ａ間にあるガイドピン８に
接してベース板４上に保持されており、ガイドピン８の
ガイドによって平行溝４ａの形成方向に移動する。従っ
て、各ファイバアレイ基板２，３がベース板４の中心部
に向かって移動し、導波路基板１がこれら各ファイバア
レイ基板２，３によって挟まれると、光導波路６と光フ
ァイバ５とは光結合する。

【００３０】すなわち、光導波路６が形成された導波路
基板１のベース板４に対する垂直方向の位置は、球７の
直径および正四角錐状の溝１ａの深さによって設定さ
れ、これら各値は、光導波路６のベース板４表面からの
光軸高さが光ファイバ５のベース板４表面からの光軸高
さと一致する値に設定されている。また、導波路基板１
とファイバアレイ基板２，３との相互の水平方向の位置
は、ベース板４に距離Ｌの間隔で形成された平行溝４ａ
に、導波路基板１に距離Ｌの間隔で形成された溝１ａ、
およびファイバアレイ基板２，３にそれぞれ距離Ｌの間
隔で形成された平行溝２ａ，３ａを一致させることによ
り、所定位置関係に設定される。つまり、導波路基板１
およびファイバアレイ基板２，３に形成された各溝１
ａ，２ａ，３ａをベース板４の平行溝４ａに合わせるこ
とにより、溝１ａに対して所定の位置関係にある光導波
路６と溝２ａ，３ａに対して同様な位置関係にある光フ
ァイバ５との各光軸はその水平方向の位置が一致する。

【００３１】この結果、光導波路６の端面と光ファイバ
５の端面とが上述した接続構造のもとで当接されること
により、光導波路６および光ファイバ５の各光軸の垂直
位置および水平位置は無調心で一致し、光伝搬損失のな
い良好な光結合が実現される。この光結合において、フ
ァイバアレイ基板２に保持された１本の光ファイバ５か
ら伝搬してきた光は導波路基板１に形成された光導波路
６の一方の端面６ａから入射し、他方の３つの端面６
ｂ，ｃ，ｄから出射する。これら各端面にはファイバア
レイ基板３に保持された３本の光ファイバ５が光結合し
ているため、光導波路６で分岐された光は各光ファイバ
５に伝搬される。

【００３２】このような本実施例による光導波路と光フ
ァイバとの接続構造においては、導波路基板１に位置ガ
イド用の溝１ａを形成する際、導波路基板１の結晶方向
を考慮せずにマスク合わせが行える。従って、従来のよ
うに、溝形成用のマスクパターンがＳｉ基板の結晶方向
からずれ、形成される溝幅が広がるといった問題は解消
される。また、高精度のマスク位置合わせ技術を必要と
せず、生産性よく光導波路と光ファイバとを接続するこ
とが可能になる。

【００３３】図６は本発明の第２の実施例による光導波
路と光ファイバとの接続構造を示す斜視図であり、図１
と同一部分については同符号を用いてその説明は省略す
る。

【００３４】この第２実施例による接続構造と上記第１
実施例による接続構造との相違点は、ファイバアレイ基
板２，３に形成された各溝２ａ，３ａとベース板４に形
成された平行溝４ａとの間にガイドピン８の代わりに球
１１が挟まれている点であり、その他の点は上記第１実
施例と同じ構造である。これら各球１１の直径どうしは
等しく設定されている。この第２実施例においては、各
ファイバアレイ基板２，３は球１１を介する平行溝４ａ
によってその移動方向が律せられ、ベース板４上を移動
する。本実施例においても上記実施例と同様、導波路基
板１に溝１ａを形成する際にＳｉ基板の結晶方向を考慮
する必要はなく、上記実施例と同様な効果が奏される。

【００３５】図７は本発明の第３の実施例による光導波
路と光ファイバとの接続構造を示す斜視図であり、図６
と同一部分については同符号を用いてその説明は省略す
る。

【００３６】この第３実施例による接続構造と上記第２
実施例による接続構造との相違点は、ファイバアレイ基
板２，３がＳｉ材料からなり、Ｖ字状の各溝２ａ，３ａ
の代わりに正四角錐状の溝２ｃ，３ｃが距離Ｌの間隔を
おいて形成されている点であり、その他の点は上記第２
実施例と同じ構造である。この第３実施例においては、
球１１が正四角錐状の溝２ｃ，３ｃに嵌合するため、球
１１は各ファイバアレイ基板２，３から離れることがな
い。従って、各ファイバアレイ基板２，３をベース板４
に対して容易に移動させることができる。これら各溝２
ｃ，３ｃは導波路基板１に溝１ａを形成する場合と同様
に形成される。本実施例においても上記第１および第２
の各実施例と同様な効果が奏される。

【００３７】なお、上記各実施例の説明においては、導
波路基板１に形成される溝１ａを正四角錐状の溝として
説明したが、導波路基板１に対する異方性エッチングの
時間を調整して、溝１ａの形状を頭部が裁断された正四
角錐状に形成しても良い。第３の実施例においてファイ
バアレイ基板２，３に形成される正四角錐状の溝２ｃ，
３ｃについても同様である。また、上記各実施例の説明
において、ベース板４に形成される溝４ａおよびファイ
バアレイ基板２，３に形成される各溝２ａ，３ａは断面
をＶ字状として説明したが、断面を台形状に形成しても
良い。このように各溝を形成しても上記各実施例と同様
な効果が奏される。

【００３８】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、光
導波路に形成される溝は錐状または頭部が裁断された錐
状に掘られるため、錐の向きがずれても錐の中心位置は
変わらない。このため、溝の中心位置は導波路基板の結
晶方向に依存せずに決定される。また、光導波路が形成
された導波路基板と他の光部品との相互の垂直方向の位
置は、導波路基板に形成された溝の深さおよびこの溝と
基台との間に挟まれる球の直径によって設定される。光
導波路が形成された導波路基板と他の光部品との相互の
水平方向の位置は、導波路基板および他の光部品にそれ
ぞれ一定間隔で形成された各溝を基台に形成された平行
溝に一致させることによって設定される。

【００３９】従って、本発明によれば、特別の高精度な
技術を必要とせず、光導波路と他の光部品とを簡易かつ
精度良く光結合させることのできる光導波路部品の接続
構造が提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例による光導波路と光ファ
イバとの接続構造を示す斜視図である。

【図２】導波路基板を示す三面図である。

【図３】マスク位置がずれた時に形成される溝を示す平
面図である。

【図４】ベース板上に導波路基板およびファイバアレイ
基板が保持された状態を示す斜視図である。

【図５】導波路基板とベース板との保持状態を示す断面
図である。

【図６】本発明の第２の実施例による光導波路と光ファ
イバとの接続構造を示す斜視図である。

【図７】本発明の第３の実施例による光導波路と光ファ
イバとの接続構造を示す斜視図である。

【符号の説明】

１…導波路基板、１ａ…正四角錐状の溝、２，３…ファ
イバアレイ基板、２ａ，ｂ，３ａ，ｂ…断面がＶ字状の
溝、４…ベース板、４ａ…平行溝、５…光ファイバ、６
…光導波路、７…球、８…ガイドピン。

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光導波路端面が他の光部品に当接されて
   光導波路が他の光部品と光学的に結合される光導波路部
   品の接続構造において、 前記光導波路が形成された導波路基板に錐状または頭部
   が裁断された錐状の溝が掘られ、この溝と基台との間に
   球を挟んで前記導波路基板はこの基台上に保持され、 前記溝の深さおよび前記球の直径は、前記導波路基板に
   形成された前記光導波路の光軸の前記基台からの高さ
   が、前記基台上に保持された前記他の光部品の光軸の前
   記基台からの高さに合う値に設定され、前記光導波路部
   品と前記他の光部品との垂直位置が一致させられている
   ことを特徴とする光導波路部品の接続構造。
2. 【請求項２】 導波路基板に一定間隔で前記溝が形成さ
   れ、他の光部品に前記間隔と等しい間隔で他の溝が形成
   され、基台に前記間隔と等しい間隔で平行する線状の平
   行溝が形成され、 導波路基板に形成された前記溝と基台に形成された前記
   平行溝との間に球が挟まれて前記導波路基板と前記基台
   とが対向させられ、 他の光部品に形成された前記他の溝と基台に形成された
   前記平行溝との各位置が一致させられて前記他の光部品
   と前記基台とが対向させられ、 導波路基板に形成された前記光導波路の光軸と前記他の
   光部品の光軸との水平位置が一致させられていることを
   特徴とする請求項１記載の光導波路部品の接続構造。
3. 【請求項３】 前記他の光部品は光ファイバであり、 前記溝の深さおよび前記球の直径は、前記導波路基板に
   形成された前記光導波路端面の前記基台からの高さが、
   保持基板に挟まれて前記基台上に保持された前記光ファ
   イバ端面の前記基台からの高さに合う値に設定され、前
   記光導波路端面と前記光ファイバ端面との垂直位置が一
   致させられていることを特徴とする請求項１記載の光導
   波路部品の接続構造。
4. 【請求項４】 前記他の光部品は光ファイバであり、 導波路基板に一定間隔で前記溝が形成され、前記基台上
   に光ファイバを保持する保持基板に前記間隔と等しい間
   隔で他の溝が形成され、基台に前記間隔と等しい間隔で
   平行する線状の平行溝が形成され、 導波路基板に形成された前記溝と基台に形成された前記
   平行溝との間に球が挟まれて前記導波路基板と前記基台
   とが対向させられ、 保持基板に形成された前記他の溝と基台に形成された前
   記平行溝との各位置が一致させられて前記保持基板と前
   記基台とが対向させられ、 導波路基板に形成された前記光導波路端面と保持基板に
   保持された前記光ファイバ端面との水平位置が一致させ
   られていることを特徴とする請求項２記載の光導波路部
   品の接続構造。
5. 【請求項５】 保持基板に形成される前記他の溝は、断
   面がＶ字状または台形状に形成され、この溝と基台に形
   成された前記平行溝との間にガイドピンが挟まれて前記
   他の溝と前記平行溝との各位置が一致させられ、光ファ
   イバが前記保持基板と前記基台との間に保持されている
   ことを特徴とする請求項４記載の光導波路部品の接続構
   造。
6. 【請求項６】 保持基板に形成される前記他の溝は、断
   面がＶ字状または台形状に形成され、この溝と基台に形
   成された前記平行溝との間に球が挟まれて前記他の溝と
   前記平行溝との各位置が一致させられ、光ファイバが前
   記保持基板と前記基台との間に保持されていることを特
   徴とする請求項４記載の光導波路部品の接続構造。
7. 【請求項７】 保持基板に形成される前記他の溝は、錐
   状または頭部が裁断された錐状に形成され、この溝と基
   台に形成された前記平行溝との間に球が挟まれて前記他
   の溝と前記平行溝との各位置が一致させられ、光ファイ
   バが前記保持基板と前記基台との間に保持されているこ
   とを特徴とする請求項４記載の光導波路部品の接続構
   造。
8. 【請求項８】 導波路基板は（１００）面を主表面とす
   るシリコン基板からなり、導波路基板に掘られる前記溝
   は異方性エッチングにより形成されていることを特徴と
   する請求項１から請求項７のいずれか１項に記載した光
   導波路部品の接続構造。
9. 【請求項９】 異方性エッチングは、円形の開口部を持
   つマスクを用いて行われていることを特徴とする請求項
   ８記載の光導波路部品の接続構造。