JPH061679B2 - 電子光学鏡筒 - Google Patents
電子光学鏡筒Info
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- JPH061679B2 JPH061679B2 JP60198967A JP19896785A JPH061679B2 JP H061679 B2 JPH061679 B2 JP H061679B2 JP 60198967 A JP60198967 A JP 60198967A JP 19896785 A JP19896785 A JP 19896785A JP H061679 B2 JPH061679 B2 JP H061679B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電子銃、電子レンズおよび偏向器を有し、電
子銃のクロスオーバ像または電子ビームが照射された成
形アパーチャの像を試料面上に結像させる、電子光学鏡
筒に関するものである。
子銃のクロスオーバ像または電子ビームが照射された成
形アパーチャの像を試料面上に結像させる、電子光学鏡
筒に関するものである。
一般に電子光学鏡筒は、走査電子顕微鏡、電子ビーム露
光装置、電子ビーム加工機、イオンビーム露光装置、集
束型イオン打ち込み装置などに広く利用されている。
光装置、電子ビーム加工機、イオンビーム露光装置、集
束型イオン打ち込み装置などに広く利用されている。
超ＬＳＩ技術の発展に伴って、高速に高精度で微細パタ
ンを描画する電子ビーム露光装置やイオンビーム露光装
置の開発が強く要望されている。これらの露光装置の実
現には、高性能の電子光学鏡筒を開発することが必要不
可欠である。ここで、電子光学鏡筒に対しては、微細パ
タンを描画するためにビームの光学収差（幾何収差と色
収差を含む）が小さいことが要求される。また、ビーム
通路が長くなると、電子間のクローン反発力に起因する
ビーム散乱の効果（すなわち、空間電荷効果）によるビ
ームぼけ（以下、「クローンぼけ」と言う）が大きくな
るので、ビーム通路の長さ（以下、「ビーム通路長」と
言う）をできるだけ短くすることが要求される。ビーム
通路長の短縮は、装置全体の小型化という面からも強く
要求されている。さらに、高速で高精度に微細パタンを
描画するために、電極板を用いる静電偏向器の使用が求
められている。コイルを用いる磁界偏向器には、うず電
流による整定時間遅れや、ヒステリシスによる照射位置
ずれという欠点があるからである。
ンを描画する電子ビーム露光装置やイオンビーム露光装
置の開発が強く要望されている。これらの露光装置の実
現には、高性能の電子光学鏡筒を開発することが必要不
可欠である。ここで、電子光学鏡筒に対しては、微細パ
タンを描画するためにビームの光学収差（幾何収差と色
収差を含む）が小さいことが要求される。また、ビーム
通路が長くなると、電子間のクローン反発力に起因する
ビーム散乱の効果（すなわち、空間電荷効果）によるビ
ームぼけ（以下、「クローンぼけ」と言う）が大きくな
るので、ビーム通路の長さ（以下、「ビーム通路長」と
言う）をできるだけ短くすることが要求される。ビーム
通路長の短縮は、装置全体の小型化という面からも強く
要求されている。さらに、高速で高精度に微細パタンを
描画するために、電極板を用いる静電偏向器の使用が求
められている。コイルを用いる磁界偏向器には、うず電
流による整定時間遅れや、ヒステリシスによる照射位置
ずれという欠点があるからである。
以上まとめると、光学収差が小さく、ビーム通路長が短
く、静電偏向器を用いた電子光学鏡筒が求められてい
る。
く、静電偏向器を用いた電子光学鏡筒が求められてい
る。
電子ビーム露光装置において従来用いられてきた電子光
学鏡筒を第６図に示す〔リー、Ｈ、ベネクラセン，「ビ
ーム相互作用を低減するよう設計された高速電子ビーム
露光用鏡筒」ジャーナル オブ バキューム サイエン
ス アンド テクノロジー Ｂ、第３巻、１号、１月／
２月、１９８５年、１８５〜１８９ページ参照（Lee H.
Veneklasen,”A high speed EBL column designed to
minimize beam interactions”，J.Vac.Sci.Technol.B,
Vol.3,No.1,Jan.／Feb.1985,pp.185-189参照）〕。第６
図において、１は電子銃、２は電子ビーム、３は照射レ
ンズ、４と４′は成形レンズ、５は縮小レンズ、６は対
物レンズ、７と７′は成形アパーチャ、８は試料面、９
と９′はビーム制限アパーチャ、１０は縮小レンズ像面
である。成形アパーチャ７′は縮小レンズ物面に対応し
ている。１１はブランキング偏向器、１２は成形偏向
器、１３は副偏向器で、これらはすべて静電型である。
１４は主偏向器で磁界型である。主偏向器１４と副偏向
器１３はともに、縮小レンズ像面１０と試料面８の間に
置かれている。本従来装置の構成においては、主偏向に
伴う光学収差低減のために主偏向器１４を三段の磁界型
偏向器１４Ｍ、１４Ｍ′１４Ｍ″とし、これら偏向器相
互の励磁比を適切に選んで、広い領域を低い収差で偏向
走査している。さらに、副偏向器１３を静電型として狭
い領域を高速で走査している。成形偏向器１２、ブラン
キング偏向器１１ともに静電型を使用して高速化を図っ
ている。また、鏡筒全体を短くしてクローンぼけの低減
も図っている。しかし、主偏向器１４が磁界型なので、
うず電流のために走査速度が遅く、ヒステリシスのため
に照射位置ずれが生じるという欠点がある。
学鏡筒を第６図に示す〔リー、Ｈ、ベネクラセン，「ビ
ーム相互作用を低減するよう設計された高速電子ビーム
露光用鏡筒」ジャーナル オブ バキューム サイエン
ス アンド テクノロジー Ｂ、第３巻、１号、１月／
２月、１９８５年、１８５〜１８９ページ参照（Lee H.
Veneklasen,”A high speed EBL column designed to
minimize beam interactions”，J.Vac.Sci.Technol.B,
Vol.3,No.1,Jan.／Feb.1985,pp.185-189参照）〕。第６
図において、１は電子銃、２は電子ビーム、３は照射レ
ンズ、４と４′は成形レンズ、５は縮小レンズ、６は対
物レンズ、７と７′は成形アパーチャ、８は試料面、９
と９′はビーム制限アパーチャ、１０は縮小レンズ像面
である。成形アパーチャ７′は縮小レンズ物面に対応し
ている。１１はブランキング偏向器、１２は成形偏向
器、１３は副偏向器で、これらはすべて静電型である。
１４は主偏向器で磁界型である。主偏向器１４と副偏向
器１３はともに、縮小レンズ像面１０と試料面８の間に
置かれている。本従来装置の構成においては、主偏向に
伴う光学収差低減のために主偏向器１４を三段の磁界型
偏向器１４Ｍ、１４Ｍ′１４Ｍ″とし、これら偏向器相
互の励磁比を適切に選んで、広い領域を低い収差で偏向
走査している。さらに、副偏向器１３を静電型として狭
い領域を高速で走査している。成形偏向器１２、ブラン
キング偏向器１１ともに静電型を使用して高速化を図っ
ている。また、鏡筒全体を短くしてクローンぼけの低減
も図っている。しかし、主偏向器１４が磁界型なので、
うず電流のために走査速度が遅く、ヒステリシスのため
に照射位置ずれが生じるという欠点がある。
主偏向を高速に行うために、第６図の従来装置の主偏向
器１４を静電型の偏向器に置き換えて、第７図に示す構
成とすることは、従来技術の単純な延長として容易に考
えつくことができる。第７図において、１４Ｅ、１４
Ｅ′、１４Ｅ″は主偏向器で静電型の偏向器を使用して
いる。しかし、このように主偏向器を磁界型から静電型
に単に置き換えただけの構成では、主偏向器の内側に存
在する副偏向器１３が主偏向器１４Ｅ、１４Ｅ′、１４
Ｅ″の電界をシールドするので、主偏向領域を偏向走査
することが困難となる。
器１４を静電型の偏向器に置き換えて、第７図に示す構
成とすることは、従来技術の単純な延長として容易に考
えつくことができる。第７図において、１４Ｅ、１４
Ｅ′、１４Ｅ″は主偏向器で静電型の偏向器を使用して
いる。しかし、このように主偏向器を磁界型から静電型
に単に置き換えただけの構成では、主偏向器の内側に存
在する副偏向器１３が主偏向器１４Ｅ、１４Ｅ′、１４
Ｅ″の電界をシールドするので、主偏向領域を偏向走査
することが困難となる。
副偏向器１３によるシールド効果を除去するために、第
８図に示すように縮小レンズ像面１０と試料面８の間の
領域に静電型の副偏向器１３と主偏向器１４Ｅ、１４
Ｅ′、１４Ｅ″を直列に配置した構成も、容易に考えう
る。しかし、このような構成の場合、偏向器を直列に配
置しなければならないので、縮小レンズ像面１０から試
料面８までの長さが通常長くなり、クローンぼけが大き
くなる。また、仮に縮小レンズ像面１０から試料面８ま
でを短くして、その間に各偏向器をおさめるとした場合
には、偏向器を配置する位置の自由度が著しく制限され
るため、偏向に伴う光学収差の小さい主偏向器と副偏向
器の構成を実現できないという問題が生じる。
８図に示すように縮小レンズ像面１０と試料面８の間の
領域に静電型の副偏向器１３と主偏向器１４Ｅ、１４
Ｅ′、１４Ｅ″を直列に配置した構成も、容易に考えう
る。しかし、このような構成の場合、偏向器を直列に配
置しなければならないので、縮小レンズ像面１０から試
料面８までの長さが通常長くなり、クローンぼけが大き
くなる。また、仮に縮小レンズ像面１０から試料面８ま
でを短くして、その間に各偏向器をおさめるとした場合
には、偏向器を配置する位置の自由度が著しく制限され
るため、偏向に伴う光学収差の小さい主偏向器と副偏向
器の構成を実現できないという問題が生じる。
以上述べたように、従来の装置の構成または従来技術の
単純な延長による装置構成においては、光学収差低減、
ビーム通路長の短縮、偏向器の全静電化の３つの要求を
同時に満たすことは出来なかった。
単純な延長による装置構成においては、光学収差低減、
ビーム通路長の短縮、偏向器の全静電化の３つの要求を
同時に満たすことは出来なかった。
本発明の目的は、光学収差低減、ビーム通路長の短縮、
偏向器の全静電化要求を同時に満たす電子光学鏡筒を提
供することにある。
偏向器の全静電化要求を同時に満たす電子光学鏡筒を提
供することにある。
前記の目的を達成するために、本発明では、副偏向器を
縮小レンズ物面と縮小レンズ像面の間に配置している。
この場合、副偏向器として静電型のものを利用し、さら
に２段にした方が効果的である。
縮小レンズ物面と縮小レンズ像面の間に配置している。
この場合、副偏向器として静電型のものを利用し、さら
に２段にした方が効果的である。
第１図は本発明の電子光学鏡筒の第１の実施例を示して
いる。１は電子銃、２は電子ビーム、３は照射レンズ、
４は成形レンズ、５は縮小レンズ、６は対物レンズ、７
と７′は成形アパーチャ、８は試料面、９はビーム制限
アパーチャ、１０は縮小レンズ像面である。成形アパー
チャ７′は縮小レンズ物面に対応している。１１はブラ
ンキング偏向器、１２は成形偏向器、１３は副偏向器
で、これらはすべて静電型である。１４Ｅは主偏向器で
あり、これも静電型である。
いる。１は電子銃、２は電子ビーム、３は照射レンズ、
４は成形レンズ、５は縮小レンズ、６は対物レンズ、７
と７′は成形アパーチャ、８は試料面、９はビーム制限
アパーチャ、１０は縮小レンズ像面である。成形アパー
チャ７′は縮小レンズ物面に対応している。１１はブラ
ンキング偏向器、１２は成形偏向器、１３は副偏向器
で、これらはすべて静電型である。１４Ｅは主偏向器で
あり、これも静電型である。
主偏向器１４Ｅは対物レンズの磁界の中に配置するイン
レンズ方式である〔Ｊ、Ｌ、マウエル等、「電子ビーム
露光装置の電子光学系」ＩＢＭ ジャーナル オブ リ
サーチ アンド デベロップメント、１９７７年１１月
５１４−５２１ページ参照（J.L.Mauer,et.al.,”Elect
ron Optics of an Electron-Beam Lithographic Syste
m”,IBM J.RES.DEVELOP.,Nov.1977,pp.514-521参照）。
インレンズ型なので、対物レンズ物面（すなわち縮小レ
ンズ像面１０）と試料面８の間のビーム通路長を短くで
きる。副偏向器１３は主偏向器１４Ｅから離れて縮小レ
ンズ５の磁界の中に配置されており、主偏向器１４Ｅの
電界を乱す効果は極めて小さい。したがって、主偏向器
１４Ｅの配置の自由度は大きく、対物レンズ６の形状と
主偏向器１４Ｅの長さと位置を適切に選べば主偏向に伴
う収差の小さい構成を実現することができる〔Ｔ、ホソ
カワ、Ｈ．モリタ、「サブミクロン描画用大偏光電子ビ
ーム光学系」、ジャーナル オブ バキューム サイエ
ンス アンド テクノロジー Ｂ、１巻、４号、１０月
／１２月、１９８３年、１２９３−１２９７ページ参照
（T.Hosokawa and H.Morita,”Electron beam optical
system ewith large field coverage for submicron li
thography”，J.Vac.Sci.Technol.B,Vol1,No.4,Oct./De
c.1983,pp.1293-1297参照）〕。
レンズ方式である〔Ｊ、Ｌ、マウエル等、「電子ビーム
露光装置の電子光学系」ＩＢＭ ジャーナル オブ リ
サーチ アンド デベロップメント、１９７７年１１月
５１４−５２１ページ参照（J.L.Mauer,et.al.,”Elect
ron Optics of an Electron-Beam Lithographic Syste
m”,IBM J.RES.DEVELOP.,Nov.1977,pp.514-521参照）。
インレンズ型なので、対物レンズ物面（すなわち縮小レ
ンズ像面１０）と試料面８の間のビーム通路長を短くで
きる。副偏向器１３は主偏向器１４Ｅから離れて縮小レ
ンズ５の磁界の中に配置されており、主偏向器１４Ｅの
電界を乱す効果は極めて小さい。したがって、主偏向器
１４Ｅの配置の自由度は大きく、対物レンズ６の形状と
主偏向器１４Ｅの長さと位置を適切に選べば主偏向に伴
う収差の小さい構成を実現することができる〔Ｔ、ホソ
カワ、Ｈ．モリタ、「サブミクロン描画用大偏光電子ビ
ーム光学系」、ジャーナル オブ バキューム サイエ
ンス アンド テクノロジー Ｂ、１巻、４号、１０月
／１２月、１９８３年、１２９３−１２９７ページ参照
（T.Hosokawa and H.Morita,”Electron beam optical
system ewith large field coverage for submicron li
thography”，J.Vac.Sci.Technol.B,Vol1,No.4,Oct./De
c.1983,pp.1293-1297参照）〕。
縮小レンズ５の物面と像面の間の空間には、副偏向器１
３のみを置けばよいので、同様に配置の自由度は大き
い。本実施例のように、副偏向器１３を縮小レンズ５の
磁界の中に置き、インレンズ型とすれば、副偏向収差の
小さい構成を実現できる。インレンズ型なので、縮小レ
ンズ物面と像面の間のビーム通路長を短くできるという
利点もある。本実施例では、偏向器は、主偏向器１４Ｅ
も含めてすべて静電型であり、高速かつ高精度な偏向走
査が可能である。
３のみを置けばよいので、同様に配置の自由度は大き
い。本実施例のように、副偏向器１３を縮小レンズ５の
磁界の中に置き、インレンズ型とすれば、副偏向収差の
小さい構成を実現できる。インレンズ型なので、縮小レ
ンズ物面と像面の間のビーム通路長を短くできるという
利点もある。本実施例では、偏向器は、主偏向器１４Ｅ
も含めてすべて静電型であり、高速かつ高精度な偏向走
査が可能である。
このように、縮小レンズ５の物面と像面の間の空間に副
偏向器１３を配置することで、低収差、短ビーム通路
長、静電偏向器の使用という条件をすべて同時に満たす
ことができる。
偏向器１３を配置することで、低収差、短ビーム通路
長、静電偏向器の使用という条件をすべて同時に満たす
ことができる。
第２図は本発明の第２の実施例である。電子光学鏡筒に
おいては、縮小レンズ５の内部に制限アパーチャや焦点
補正レンズなどを配置する場合がある。このような場合
には、第１の実施例のように副偏向器１３を縮小レンズ
５内に置く構成とすることが困難である。そこで第２の
実施例では、二段の副偏向器１３、１３′を成形アパー
チャ７′（すなわち縮小レンズ物面）と縮小レンズ５と
の間に配置して、縮小レンズ内部の空間をあけている。
通常、成形アパーチャ７′と縮小レンズの間の空間は充
分な縮小率を得るために大きくあけられており、２段の
副偏向器１３、１３′を配置するのに充分な空間があ
る。したがって、２段の副偏向器１３、１３′を直列に
配置してもビーム通路長が長くなることはない。偏向器
はすべて静電型であり、偏向走査を高速に行うことがで
きる。
おいては、縮小レンズ５の内部に制限アパーチャや焦点
補正レンズなどを配置する場合がある。このような場合
には、第１の実施例のように副偏向器１３を縮小レンズ
５内に置く構成とすることが困難である。そこで第２の
実施例では、二段の副偏向器１３、１３′を成形アパー
チャ７′（すなわち縮小レンズ物面）と縮小レンズ５と
の間に配置して、縮小レンズ内部の空間をあけている。
通常、成形アパーチャ７′と縮小レンズの間の空間は充
分な縮小率を得るために大きくあけられており、２段の
副偏向器１３、１３′を配置するのに充分な空間があ
る。したがって、２段の副偏向器１３、１３′を直列に
配置してもビーム通路長が長くなることはない。偏向器
はすべて静電型であり、偏向走査を高速に行うことがで
きる。
第３図は、第２図に示した第２の実施例の詳細を示す説
明図であり、副偏向器１３、１３′による電子ビーム２
の偏向軌道を示している。一般に、レンズの前に二段の
偏向器を置いた構成においては、レンズのほぼ中心にビ
ームを通すことにより偏向収差を低減できることが知ら
れている〔Ｅ、アンロー、「電子ビーム用磁界集速偏光
系の設計と最適化」、ジャーナル オブ バキューム
サイエンス テクノロジー、第１２巻、６号 １１月／
１２月、１９７５年、１１４６−１１５０ページ参照
（E.Munro,”Design and optimization of magnetic le
nses and deflection systems for electron beams”，
J.Vac.Sci.Technol.,Vol.12,No.6,Nov./Dec.1975,pp.11
46-1150参照）〕。本実施例においては、この考え方を
副偏向に適用し、第３図に示すように、電子ビーム２を
縮小レンズ５のほぼ中心部に通すことで、副偏向収差の
低減を図っている。
明図であり、副偏向器１３、１３′による電子ビーム２
の偏向軌道を示している。一般に、レンズの前に二段の
偏向器を置いた構成においては、レンズのほぼ中心にビ
ームを通すことにより偏向収差を低減できることが知ら
れている〔Ｅ、アンロー、「電子ビーム用磁界集速偏光
系の設計と最適化」、ジャーナル オブ バキューム
サイエンス テクノロジー、第１２巻、６号 １１月／
１２月、１９７５年、１１４６−１１５０ページ参照
（E.Munro,”Design and optimization of magnetic le
nses and deflection systems for electron beams”，
J.Vac.Sci.Technol.,Vol.12,No.6,Nov./Dec.1975,pp.11
46-1150参照）〕。本実施例においては、この考え方を
副偏向に適用し、第３図に示すように、電子ビーム２を
縮小レンズ５のほぼ中心部に通すことで、副偏向収差の
低減を図っている。
第４図は、第２図および第３図に示した第２の実施例の
副偏向器の電極部分の平面図で、電圧印加方法を示した
ものである。１３−１、１３−２、１３−３、１３−４
は副偏向器１３の偏向電極、１３′−１、１３′−２、
１３′−３、１３′−４は副偏向器１３′の偏向電極で
ある。縮小レンズ２のほぼ中心部にビームを通すには、
偏向電極１３−１、１３−２、１３−３、１３−４にそ
れぞれ＋Ｖｘ、＋Ｖｙ、−Ｖｘ、−Ｖｙなる電圧を、偏
向電極１３′−１、１３′−２、１３′−３、１３′−
４にそれぞれ＋ａＶｘ、＋ａＶｙ、−ａＶｘ、−ａＶｙ
なる電圧を印加するものとし、電圧比ａを適切に設定す
ればよい。あるいは、印加電圧は同じとして、副偏向器
１３と１３′の電極長さを適切に選ぶことによっても、
同様に縮小レンズ２のほぼ中心を通すことができる。な
お、本実施例では４極偏向器を例示したが、８極偏向器
や１２極、２０極の偏向器を用いてもよい。また電極形
状も平板型でなく、円筒型など適宜使用可能である。
副偏向器の電極部分の平面図で、電圧印加方法を示した
ものである。１３−１、１３−２、１３−３、１３−４
は副偏向器１３の偏向電極、１３′−１、１３′−２、
１３′−３、１３′−４は副偏向器１３′の偏向電極で
ある。縮小レンズ２のほぼ中心部にビームを通すには、
偏向電極１３−１、１３−２、１３−３、１３−４にそ
れぞれ＋Ｖｘ、＋Ｖｙ、−Ｖｘ、−Ｖｙなる電圧を、偏
向電極１３′−１、１３′−２、１３′−３、１３′−
４にそれぞれ＋ａＶｘ、＋ａＶｙ、−ａＶｘ、−ａＶｙ
なる電圧を印加するものとし、電圧比ａを適切に設定す
ればよい。あるいは、印加電圧は同じとして、副偏向器
１３と１３′の電極長さを適切に選ぶことによっても、
同様に縮小レンズ２のほぼ中心を通すことができる。な
お、本実施例では４極偏向器を例示したが、８極偏向器
や１２極、２０極の偏向器を用いてもよい。また電極形
状も平板型でなく、円筒型など適宜使用可能である。
第５図は、本発明の第３の実施例の副偏向器１３、１
３′の電極部分の平面図である。第３の実施例は、偏向
器、レンズ、アパーチャなどのビーム通路方向の配置
は、第２図に示した第２の実施例と同様である。本実施
例のように、二段の静電型副偏向器１３、１３′のそれ
ぞれを構成する二組の電極群を、ビーム進行通路を中心
として相対的に回転させ、ことなった角度で設置するこ
とで、よりいっそう副偏向収差を低減することができ
る。
３′の電極部分の平面図である。第３の実施例は、偏向
器、レンズ、アパーチャなどのビーム通路方向の配置
は、第２図に示した第２の実施例と同様である。本実施
例のように、二段の静電型副偏向器１３、１３′のそれ
ぞれを構成する二組の電極群を、ビーム進行通路を中心
として相対的に回転させ、ことなった角度で設置するこ
とで、よりいっそう副偏向収差を低減することができ
る。
なお、本発明は前記３つの実施例にとどまらず、静電型
の副偏向器を縮小レンズ物面と縮小レンズ像面の間の空
間に配置することにより、同様の効果を得ることができ
る。
の副偏向器を縮小レンズ物面と縮小レンズ像面の間の空
間に配置することにより、同様の効果を得ることができ
る。
以上説明したように、本発明によれば、静電型の副偏向
器を縮小レンズ物面と縮小レンズ像面の間の空間に配置
しているので、光学収差の低減、ビーム通路長の短縮に
よるクローンぼけの低減、静電偏向器の使用による偏向
走査の高速化と高精度化という３つの条件を同時にすべ
て満足できるという利点がある。
器を縮小レンズ物面と縮小レンズ像面の間の空間に配置
しているので、光学収差の低減、ビーム通路長の短縮に
よるクローンぼけの低減、静電偏向器の使用による偏向
走査の高速化と高精度化という３つの条件を同時にすべ
て満足できるという利点がある。
第１図は、本発明の第１の実施例の電子光学鏡筒、第２
図は本発明の第２の実施例の電子光学鏡筒、第３図は第
２図に示した電子光学鏡筒の副偏向軌道の説明図、第４
図は第２図に示した電子光学鏡筒の副偏器部分の平面
図、第５図は本発明の第３の実施例の電子光学鏡筒の副
偏器部分の平面図、第６図は従来の電子光学鏡筒、第７
図および第８図は従来技術の単純な延長による電子光学
鏡筒である。 １……電子銃、２……電子ビーム、３……照射レンズ、
４，４′……成形レンズ、５……縮小レンズ、６……対
物レンズ、７，７′……成形アパーチャ、８……試料
面、９，９′……制限アパーチャ、１０……縮小レンズ
像面、１１……ブランキング偏向器、１２……成形偏向
器、１３，１３′……副偏向器、１４Ｍ，１４Ｍ′，１
４Ｍ″……磁界型主偏向器、１４Ｅ，１４Ｅ′，１４
Ｅ″……静電型主偏向器。
図は本発明の第２の実施例の電子光学鏡筒、第３図は第
２図に示した電子光学鏡筒の副偏向軌道の説明図、第４
図は第２図に示した電子光学鏡筒の副偏器部分の平面
図、第５図は本発明の第３の実施例の電子光学鏡筒の副
偏器部分の平面図、第６図は従来の電子光学鏡筒、第７
図および第８図は従来技術の単純な延長による電子光学
鏡筒である。 １……電子銃、２……電子ビーム、３……照射レンズ、
４，４′……成形レンズ、５……縮小レンズ、６……対
物レンズ、７，７′……成形アパーチャ、８……試料
面、９，９′……制限アパーチャ、１０……縮小レンズ
像面、１１……ブランキング偏向器、１２……成形偏向
器、１３，１３′……副偏向器、１４Ｍ，１４Ｍ′，１
４Ｍ″……磁界型主偏向器、１４Ｅ，１４Ｅ′，１４
Ｅ″……静電型主偏向器。
Claims (3)
- 【請求項１】電子銃のクロスオーバ像または電子ビーム
が照射された成形アパーチャの像を縮小レンズで縮小
し、対物レンズで試料面上に投影結像させ、前記投影像
を主偏向器と副偏向器によって試料面上の所望の位置に
偏向照射させる電子光学鏡筒において、副偏向器を縮小
レンズの物面と像面の間に配置した事を特徴とする電子
光学鏡筒。 - 【請求項２】前記副偏向器は静電型の偏向器であり、縮
小レンズの集束磁界の内部に配置されている事を特徴と
する、特許請求の範囲第１項に記載の電子光学鏡筒。 - 【請求項３】前記副偏向器は２段の静電型の偏向器であ
り、縮小レンズの物面と縮小レンズの間に配置されてい
る事を特徴とする、特許請求の範囲第１項に記載の電子
光学鏡筒。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60198967A JPH061679B2 (ja) | 1985-09-09 | 1985-09-09 | 電子光学鏡筒 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60198967A JPH061679B2 (ja) | 1985-09-09 | 1985-09-09 | 電子光学鏡筒 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6261254A JPS6261254A (ja) | 1987-03-17 |
| JPH061679B2 true JPH061679B2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=16399903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60198967A Expired - Lifetime JPH061679B2 (ja) | 1985-09-09 | 1985-09-09 | 電子光学鏡筒 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH061679B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5311832A (en) * | 1976-07-20 | 1978-02-02 | Ishikawajima Harima Heavy Ind | Method and device for gas cutting in continuous casting equipment |
-
1985
- 1985-09-09 JP JP60198967A patent/JPH061679B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6261254A (ja) | 1987-03-17 |
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