JPH06168914A - エッチング処理方法 - Google Patents
エッチング処理方法Info
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- JPH06168914A JPH06168914A JP14638892A JP14638892A JPH06168914A JP H06168914 A JPH06168914 A JP H06168914A JP 14638892 A JP14638892 A JP 14638892A JP 14638892 A JP14638892 A JP 14638892A JP H06168914 A JPH06168914 A JP H06168914A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＨＦガスを用いた異方性エッチング・プロセ
スの提供。 【構成】 露点温下でＨＦガスを使用して、ＳｉＯ2 を
エッチングすることにより、反応生成物の重合しない異
方性の高いエッチング・プロセスが得られる。
スの提供。 【構成】 露点温下でＨＦガスを使用して、ＳｉＯ2 を
エッチングすることにより、反応生成物の重合しない異
方性の高いエッチング・プロセスが得られる。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、エッチング処理方法に
関する。 【０００２】 【従来の技術】従来のエッチング処理方法においては、
処理ガスにフロロカーボン系のガスを用いて、常温以上
の高い温度においてＳｉ基板上のＳｉＯ2 膜をエッチン
グすることが行なわれていた。フロロカーボン系のガス
としてはＣＦ4 、ＣＢｒＦ3 等が用いられていた。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】従来のフロロカーボン
系のガスを用いてＳｉＯ2 を異方性エッチングした時に
は、反応の副生成物が重合し、高分子量化する為、結果
的にはＳｉ基板上にデポジットが生ずるという問題があ
った。上記Ｓｉ基板上にデポジットした重合物をスパッ
タで飛ばしながらエッチングする為に、エッチングレー
トの低下という問題があった。又、炭素を含有するガス
を用いるエッチングを行なうと、エッチング処理後のＳ
ｉの表面に炭素を含む不純物の薄い層が残り、この層を
除去することなく半導体を形成すると半導体不良の原因
となる為、歩留まりの低下を引き起こすという問題があ
った。従来この対策として、炭素を含むＳｉ層をさらに
エッチングする工程の追加が必要であった。 【０００４】本発明の目的は、少なくともＨＦガスを含
む処理ガスを用いることにより、ＨＦガスとＳｉＯ2 の
反応性の強さにより、高いエッチングレートを得ると共
に、被処理体を冷却することにより、反応生成物による
エッチング側壁の保護を行ない、異方性のエッチングを
行なうことを目的とする。 【０００５】 【課題を解決するための手段】第１の発明は、真空容器
内に被処理体を搬入する工程と、上記被処理体をエッチ
ング反応時に生成する反応生成物の少なくとも一種がエ
ッチング側壁に付着する温度以下に冷却する工程と、上
記真空容器内に少なくともＨＦガスを含む処理ガスを供
給する工程と、上記処理ガスをプラズマ化する工程とを
具備してなることを特徴とするエッチング処理方法。 【０００６】第２の発明は、真空容器内に被処理体を搬
入する工程と、上記被処理体をエッチング反応時に生成
する反応生成物の少なくとも一種がエッチング側壁に付
着する温度以下に冷却する工程と、上記真空容器内にＨ
2 Ｏを供給する工程と、上記真空容器内に少なくともＨ
Ｆガスを含む処理ガスを供給する工程と、上記処理ガス
をプラズマ化する工程とを具備してなることを特徴とす
るエッチング処理方法。 【０００７】 【作用】第１の発明であるエッチング処理方法によれ
ば、真空容器内の被処理体のエッチング側壁を反応生成
物の少なくとも一種が付着して保護する為、高い異方性
エッチングを実現することができる。第２の発明によれ
ば、ＨＦガスを含む処理ガスを真空容器内に供給するの
に先立ってＨ2 Ｏガスを前記真空容器に供給するので、
冷却された被処理体の表面において露点以下になったＨ
2 Ｏが吸着され、処理ガスのＨＦとＳｉＯ2 との反応を
早める作用をする。 【０００８】 【実施例】以下本発明方法を、平行平板型高周波放電プ
ラズマ・エッチング装置に適用した一実施例を基に具体
的に説明する。最初に図１に基づいて、プラズマ・エッ
チング装置の構成を説明する。 【０００９】このプラズマ・エッチング装置は、処理用
気密容器１、この容器１への処理ガス供給系２、プラズ
マ発生のための上部電極３、および下部電極４、上記容
器１内を真空にするための排気ガス系５により構成さ
れ、上記下部電極４上には被処理体６が設けられる如く
構成されている。 【００１０】前記容器１は、少なくとも内壁面が導電体
例えばＡｌで構成され、その内壁面は酸化アルマイト処
理され、更にこの容器１の壁面には処理ガス及び反応生
成分が内壁面上に付着するのを防ぐ温度に設定する手
段、例えば図示されないヒータが上記容器１の壁面に内
蔵され、例えば５０°〜１００°の範囲で適切な温度に
設定が可能な如く構成されている。 【００１１】前記ガス供給系２は、処理ガス例えばＨＦ
ガスを収納する処理ガスボンベ２１と、これに接続され
る１／４インチ口径の光輝焼鈍管からなるガス供給管２
２と、これに接続される処理ガスの供給量をコントロー
ルするマスフローコントローラ２３と、これに接続され
る１／４インチ口径の光輝焼鈍管からなるガス供給管２
４と、これに接続されかつ前記上部電極３の処理ガス導
入口３１の近傍に設けられたニードル弁２５とから構成
されている。又、添加ガスとしてＨ2 を収容したボンベ
９０よりガス供給管９１とマスフローコントローラ９２
とを介して、ＨＦガスの供給管とが連結される様に構成
されている。 【００１２】上記ボンベ２１から処理ガス導入口３１へ
処理ガスを供給するガス供給管２２、２４の全般にわた
って、この処理ガス温度を予め定められた温度に設定す
るため、例えば上記供給管２２、２４の温度を調整する
温度調整機構８０、例えばテープ状ヒータが供給管２
２、２４の外周を囲繞する如く設けられている。 【００１３】特に処理ガスとしてＨＦガスが使用される
場合には、供給管２２、２４に水分が付着すると、反応
性の強いＨＦガスにより、供給管２２、２４が腐食され
る為、これを防ぐ目的でも温度調整機構８０により、約
１００℃に加熱することが出来るように構成されてい
る。又、容器１の側壁には、図示しないＨ2 Ｏガス供給
系より供給管１００を経由して、バルブ２０１で供給量
を調整されたＨ2 Ｏガスが、ノズル２０２を介して、前
記容器１内に供給される様に構成されている。 【００１４】上記上部電極３は、材質例えばアモルファ
ス・カーボンあるいはシリコンで中空に構成され、前記
処理ガス導入口３１より、前記被処理体６に対向して平
板状に設けられた複数の処理ガス排気口３２と、導入口
３１と排気口３２とを結ぶガス通過口３３を持つ様に構
成されている。又、上部電極３は、電気的に接地される
様に配線３５に接続されるている。 【００１５】又、上記上部電極３の処理ガス排出口３２
の開口分布は、対向配置された下部電極４上の被処理体
６の大きさよりも狭い範囲に分布して、処理ガスを排出
することにより、被処理体６の大きさよりも広い範囲に
分布する場合に比べて、均一なプラズマ・エッチング処
理ができる様に構成されている。 【００１６】又、上記上部電極３の被処理体６に対向け
した処理ガス排出口３２の外縁部は、処理ガスのプラズ
マ流れを被処理体６に向けて集中させるため、フォーカ
ス・リング３６が上記被処理体６に取り囲む様に設けら
れている。このフォーカス・リング３６は、導電体であ
るＡｌの表面を絶縁体、例えばテフロンコーティングさ
れており、処理ガスによる腐食を防ぐと共に、フォーカ
ス・リング３６の内部のヒータにより温度例えば５０°
〜１５０℃の目的を達成する為の適切な温度に加熱さ
、反応生成物の膜状付着が防止される様に設けられて
いる。 【００１７】上記下部電極４の最上部は上記半導体ウエ
ハ６の吸着手段、例えば静電気により吸着する静電チャ
ック・シート４１が設けられており、この静電チャック
・シート４１は、導電層例えば電解箔銅を両側から絶縁
層例えばポリイミド・フィルムでサンドイッチして接着
されており、電荷供給手段は例えば高電圧電源４２の他
端は電気的に接地される。 【００１８】又、上記チャック・シート４１の下側に
は、例えばアルミニウムからなる上層基盤４６が設けら
れ、この上層基盤４６の下側には下層基盤４７が設けら
れている。この下層基盤４７は、例えばアルミニウムで
構成され、内部には冷媒通路がくりぬかれて冷媒、例え
ば液体窒素４２が循環されており、この液体窒素４２の
熱冷却により、上記半導体ウエハ６の温度−５０℃〜−
１５０℃内の設定温度、例えば−１００℃に設定できる
様に図示しない温度調整装置により温度調整される構成
となっている。 【００１９】又、上記上層基盤４６は、上記下層基盤４
７から切り離して交換でき、メンテナンスに好都合に構
成されており、上記上層基盤４６と上記下層基盤４７と
の間には、上記液体窒素４２の温度を上記上層基盤４６
へ伝導する目的でＨｅガス４９が図示しないＨｅガス供
給系より配管５０を経由して送り込まれる様に構成され
ている。 【００２０】又、上記被処理体６と静電チャック・シー
ト４１の間には、被処理体６の冷却を行なう下部電極４
の冷媒４２、例えば液体窒素の温度を被処理体６に伝導
する目的でＨｅガス４４が図示しないＨｅガス供給系よ
り配管４５を経由して送り込まれる様に構成されてい
る。 【００２１】又、下部電極４は、ブロッキング・コンデ
ンサ５３を介して高周波。例えば１３．５６ＭＨＺの高
周波電源５１に接続され、この高周波電源５１の反対の
極は、電気的に接地される様に構成されている。又、上
記被処理体６を取り囲む様に、上記下部電極４の上記上
層基盤４６上には、石英により形成されたフォーカス・
リング８１が設けられている。このフォーカス・リング
８１は、上部電極３と下部電極４との間で発生したプラ
ズマから、アルミニウムで構成された下部電極４の上層
基盤４６を保護すると共に、被処理体の被処理面より
も、このフォーカス・リング上部を下部電極４上に高く
設けているので、上記プラズマより発生するイオンを被
処理体６に集中させて、エッチング処理の進行を速めを
持つ様に設けられている。 【００２２】又、前記フォーカス・リング８１は、処理
ガスの種類に応じて反応生成物が付着しやすい場合に
は、５０°〜１５０℃に加熱して付着を防止する様に、
セラミック板上にＣＶＤ処理により形成された薄膜ヒー
タを再にセラミックで挟んで構成することにより、反応
生成物が付着しにくく、したがって付着膜のはがれによ
るパーティクル発生の少ないメンテナンスサイクルの長
い構成とすることができる。上記排気ガス系５は、上記
容器１の底面周辺部に複数開口して設けられたガス排出
口５４と、これ接続され、上記容器１の近傍に設けられ
た排気ガス管５５と、これに接続された真空排気弁５６
と、これに接続される真空排気装置５７、例えばロータ
リー・ポンプとターボ分子ポンプとから１×１０-1〜１
×１０-8Ｔｏｒｒが設定が可能な様に構成されている。
又、この真空排気装置５７の前段に処理ガスとしてＨＦ
ガスを用いる場合には、ＨＦガスをトラップする手段５
８、例えば冷却器あるいはフィルターが設けられ、反応
性の強いＨＦガスによる真空排気装置の腐食を防止する
ように構成されている。以上の様にプラズマ・エッチン
グ装置は構成されている。 【００２３】次に図２に基づいて、上記プラズマ・エッ
チング装置の製造工程における構成について説明する。
既に説明したプラズマ・エッチング装置の同じ構成につ
いては、同一の番号を付けて説明を略す。温度伝達さ
れ、これにより上層アルミ基盤４６の上の静電チャック
・シート４１も冷却された状態で、上記被処理体６が載
置されるのを待っている。前記被処理体６が静電チャッ
ク・シート４１に載置されると、前記被処理体６の裏面
に対して図示されないＨe ガス圧力コントロールにより
圧力調整され、Ｈｅ２ガス４４が供給され、前記冷却さ
れた静電チャック・シート４１により被処理体６も−５
０℃から−１５０℃間の適切な温度まで冷却される。し
かる後、容器１は、排気ガス系５により適切な真空雰囲
気まで真空引きされると伴に、処理ガス供給系２より処
理ガス、例えばＨＦガスがバルブ２３とニードル弁２５
により供給量を調整されながら、上部電極３の処理ガス
排出口３２より供給される。 【００２４】処理ガス供給系２の終端であると共に、上
部電極３の処理ガス導入口３１に接続して設けられた前
記ニードル弁２５は処理ガス圧力を配管２４の圧力を、
上部電極３の処理ガス導入口３１よりも高く設定する為
に、異常放電が配管２４内に発生しない様に処理ガス圧
力を設定している。 【００２５】プラズマ・エッチング装置の容器１の側壁
には開閉自在に設けられたゲートバルブ６１を介して隣
接するロード・ロック室６２が接続される様に構成され
ている。 【００２６】このロード・ロック室６２には、搬送装置
６３、例えばアルミニウムのアームを導電性テフロンに
よりコーティングされ、静電対策が施された搬送アーム
が設けられている。 【００２７】上記ロード・ロック室６２は、底面に設け
られた排気口より排気管６４が接続され、真空排気弁６
５を介して、上記排気ガス系５に接続される様に構成さ
れている。上記ロード・ロック室６２の側壁には開閉自
在に設けられたゲートバルブ６６を介して隣接するカセ
ット室６７が接続される様に構成されている。このカセ
ット室には、カセット６８を載置する載置台６９が設け
られている。このカセット６８には、被処理体６が２５
枚収約される様に構成されている。 【００２８】上記カセット室６７の底面には、排気口を
介して排気管７０が接続され、真空排気弁７１を介し
て、上記排気ガス系５に接続される様に構成されてい
る。上記カセット室６７の他の側壁には、開閉自在に設
けられたゲート・バルブ７２を介して大気に接する様に
構成されている。以上の様にプラズマ・エッチング装置
は製造工程において構成されている。 【００２９】次にこのプラズマ・エッチング装置の動作
説明を行なう。大気との間に設けられたゲートバルブ７
２を開口して、被処理体６を収納したカセット６８が図
示しない搬送ロボットにより、カセット室６７の載置台
６９の上に載置され、上記ゲートバルブ７２が閉口す
る。上記カセット室６７に接続された真空排気弁７１が
開口して、排気ガス系５により上記カセット室６７が真
空雰囲気、例えば１０-1Ｔｏｒｒに排気される。 【００３０】ロード・ロック室６２とカセット室６７の
間のゲートバルブ６６が開口して搬送アーム６３により
被処理体６が上記カセット室に載置されたカセット６９
より取り出され、保持されて上記ロード・ロック室６２
へ搬送され、上記ゲートバルブ６６が閉口する。 【００３１】容器１は、真空排気弁５６が開口して、排
気ガス系５により真空雰囲気、例えば１０-5Ｔｏｒｒに
排気される。次に上部電極３と下部電極４の間に高周波
が印加され、プラズマが生起される。このプラズマの発
生により、処理ガスは活性化されて活性種を生み出し、
被処理体６をプラズマ・エッチングする。又、必要に応
じてＨ2 Ｏガスがノズル２０２を介して供給され、ＨＦ
プラズマによるエッチング反応を加速する。 【００３２】このプラズマ・エッチングの工程の終了
は、上記高周波電圧５１を停止し、プラズマの発生を止
めると共に、処理ガスの供給も停止して行なわれる。こ
の後、上記容器１内の処理ガスや反応生成物を置換する
目的で不活性ガス、例えばＮ2 ガスをＮ2 ガスボンベ７
３より、マスフローコントローラ７４を介して容器１内
に導入すると共に、排気ガス系５より排気を行なう。 【００３３】容器１内の残留処理ガスや反応生成物が十
分排気された後、下部電極４の静電チャックシート４１
の高電圧源４２が停止され、処理容器１の壁面に設けら
れたゲードバルブ６１が開口して、隣接するロード・ロ
ック室６２より搬送アーム６３が容器１内の被処理体６
の位置まで移動し、被処理体６を保持して、上記ロード
・ロック室６１に搬送し、上記ゲートバルブ６１は閉口
する。このロード・ロック室において被処理体６は、載
置されると共に、ヒータにより室温、例えば１８℃まで
昇温され、その後上記ロード・ロック室よりカセット室
６７を介して大気に搬出する。 【００３４】以上がプラズマ・エッチング装置を用いた
実施例の動作説明である。次に以上説明したプラズマ・
エッチング装置の構成と動作に基づいて行われるプラズ
マ・エッチング処理方法の実施例について説明する。プ
ラズマ・エッチング装置の処理用気密容器１の冷却され
た下部電極４の上に被処理体６として、例えばＳｉウエ
ハ上にＳｉＯ2 膜を形成し、さらにそのＳｉＯ2 膜上に
レジスト・パターンを形成した半導体ウエハを載置し、
液体窒素を用いてこのウエハを−１００℃に冷却する。 【００３５】上記容器１に処理ガス供給系２よりＨＦガ
スを、例えば流量５０ｃｍ／ｓｅｃ導入し、下部電極４
に高周波、例えば１３．５６ＭＨＺ、２００Ｗ印加して
プラズマを発生させる。するとＨＦガスは、ＳｉＯ2 に
対して強い反応性を持っていることから、次の式で示す
エッチング反応が行なわれる。 ＳｉＯ2 ＋４ＨＦ → ＳｉＦ4 ＋２Ｈ2 Ｏ ＨＦガス自身が単純な分子構造であるのみならず、上記
反応式の４分子種は、いずれも重合反応又は２次反応を
起こさないので、上記処理容器１の中に反応生成物の重
合化による推積を起こすことのないクリーンなエッチン
グを実施できる。 【００３６】この実施例においては、反応生成物の処理
圧力における露点以下、例えば圧力１０-5Ｔｏｒｒの
時、−１００℃に冷却したので、高いエッチングレート
を持つとともに、異方性エッチングが行なわれているこ
とが確認できた。この理由は、この実施例においては被
処理体を−１００℃に冷却することにより、上記反応に
伴なって生成されるＨ2 Ｏは、ＳｉＯ2 膜のエッチング
溝の側壁において、−１００℃に冷却されたウエハから
の熱冷却で露点以下となり、ＳｉＯ2 表面に吸着し、エ
ッチング溝側壁でのＨＦラジカルとＳｉＯ2 との反応が
進行することを防ぐものと考えられる。 【００３７】図３は、この様子を示すエッチング工程の
模式図である。上部電極３と下部電極４の間に生起した
プラズマにより、ＨＦガスからＨＦラジカル１０１とＨ
Ｆ+イオン１０２とが生成され、レジスト１０３にマス
クされていないＳｉＯ2 層１０４より成るエッチング底
面１０５に対しては、Ｈ2 Ｏの付着は行なわれるが、上
記ＨＦ+ イオン１０２の入射エネルギーによりスパッタ
されて除去されてエッチングが進行する。それに対して
エッチング側壁１０６に対しては、反応生成物Ｈ2 Ｏ１
０７が吸着されて防護する為、ＨＦラジカル１０１とＳ
ｉＯ2 １０４との反応が進みにくいと考えられる。又、
他の反応生成物であるＳｉＦ4 １０８はガスとして排気
されるので、上記エッチング工程の進行の妨げとはなら
ないものと考えられる。 【００３８】この様な理由で、エッチング底面１０５が
選択的にＨＦイオン１０２によりエッチングされること
により、高いエッチングレートが得られるものと考えら
れる。上記プラズマ・エッチング装置は、図示しない終
点検出装置により検出されたエッチング終点以後のオー
バーエッチングにおいては、ＨＦイオン１０２のエネル
ギーを、上部電極３と下部電極４との間に印加する高周
波源５１の出力を、例えば１３．５６ＭＨＺ、２００Ｗ
から低く下げることにより、発生するＨＦイオン１０２
のエネルギーを小さく押さえることができる。すると主
としてＨＦラジカル１０１によるエッチングが行なわれ
るので、エッチングレートは低いが微細な加工がていね
いにでき、上記ＨＦイオンによりエッチングされた結果
生じるエッチングむらの除去や、エッチング側壁１０６
とエッチング底面１０４のなすテーパ角の修正といった
微細加工に適したエッチング工程を行なうことができ
る。 【００３９】以上のプラズマ・エッチング処理工程が終
了すれば、被処理体６は、処理容器１より搬出され、隣
接するロード・ロック室６２でＨＦガスを排気しながら
常温に昇温されたのち、大気中に搬出される。この常温
常圧に戻す工程において、ウエハ表面に付着した微少な
処理ガスであるＨＦガス及び反応生成物であるＳｉ
Ｆ4 、Ｈ2 Ｏは気体として外気に拡散する為、処理結果
の被処理体６は、非常にクリーンな状態で、次の半導体
処理工程へ移管することができる。この気体として外気
に拡散する工程を説明する為に、図３にＨＦ、Ｈ2 Ｏ、
ＳｉＦ4 の露点が、それぞれ温度・圧力に応じて変化す
る図を示す。 【００４０】図４において、実施例の被処理体６の冷却
温度−１００℃をＡ点として示す。このＡ点におけるＳ
ｉＦ4 、ＨＦ、Ｈ2 Ｏの露点を、真空圧力Ｂ，Ｃ，Ｄと
して示す。 【００４１】この図より、処理用気密容器１の圧力を、
例えばＣ−Ｄ間に設定すると、ＳｉＦ4 、ＨＦは共に露
点以上であり、気体として排気ガス系５により、上記処
理容器１より排出されるが、Ｈ2 Ｏは露点以下となり、
エッチング側壁１０６に付着し、ＨＦラジカルとＳｉＯ
2 との反応が防護されていると考えられる。又、プラズ
マ・エッチング処理終了後に常温常圧に戻されると、Ｈ
Ｆ、ＳｉＦ4 、Ｈ2 Ｏのすべてが露点以上となり、容易
に排気される様になっていることを示している。 【００４２】以上のエッチング処理方法の実施例におい
て、処理ガスとしてＨＦガスを単独で用いた場合の説明
をしたが、ＨＦガスはプラズマ中では次式の反応が進行
して解離し、多量のＦラジカルが発生すると、このＦラ
ジカルにより、Ｐｏｌｙ−Ｓｉのエッチングが進行し
て、ＳｉＯ2 とＳｉとの選択比が低下すると考えられ
る。 ＨＦ → Ｈ＋Ｆ この解離式の進行を遅らせ、解離を防ぐ方法として、Ｈ
2 ガスの添加が有効である。Ｈ2 ガスのＨＦガスへの添
加により、ＨＦは解離が少なく、ＳｉＯ2 を優先的に選
択してエッチングを行なうことが確認されている 【００４３】更に、図５に示す通り、Ｈ2 Ｏの露点付近
（−５０℃、４０ｍＴｏｒｒ）と、それ以下の被処理体
の温度において、エッチング・レートの急激な上昇が確
認されている。この際、被処理体、例えばウエハ表面に
おいて氷の析出が確認されている。これは、ＨＦとＳｉ
Ｏ2 のエッチング反応に大きく関与し、進行を早めるＨ
2 Ｏが露点以下でウエハ表面上に吸着されて、エッチン
グレートの急激な上昇が起こったものと考えられる。 【００４４】又、−１００℃においては、Ｈ2 Ｏの露点
以下において形成された核が生成され、その生成と共に
上記エッチング反応が進行し、水玉状にエッチングされ
ていることが、このＨＦを用いエッチング反応の特長で
ある。 【００４５】このことを利用して、処理ガスであるＨＦ
ガスの真空容器への供給に先立って、Ｈ2 Ｏガスを前記
真空容器に供給し、既に冷却された被処理体表面に露点
以上で吸着させて初期条件を整えるエッチング方法は、
エッチング処理均一性とエッチングレートの向上という
効果を生む有効的な方法である。以上、実施例として被
処理体が半導体ウエハの場合について述べたが、他の例
として、ガラス基板上に、例えばアモルファスシリコン
膜やポリシリコン膜等を膜付けして、その上にパターン
を形成してゆくＬＣＤ製造用基板にも適用することがで
きる。 【発明の効果】本発明のエッチング処理方法によれば、
高いエッチングレートを持つ異方性エッチングを実現す
ることができる。
関する。 【０００２】 【従来の技術】従来のエッチング処理方法においては、
処理ガスにフロロカーボン系のガスを用いて、常温以上
の高い温度においてＳｉ基板上のＳｉＯ2 膜をエッチン
グすることが行なわれていた。フロロカーボン系のガス
としてはＣＦ4 、ＣＢｒＦ3 等が用いられていた。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】従来のフロロカーボン
系のガスを用いてＳｉＯ2 を異方性エッチングした時に
は、反応の副生成物が重合し、高分子量化する為、結果
的にはＳｉ基板上にデポジットが生ずるという問題があ
った。上記Ｓｉ基板上にデポジットした重合物をスパッ
タで飛ばしながらエッチングする為に、エッチングレー
トの低下という問題があった。又、炭素を含有するガス
を用いるエッチングを行なうと、エッチング処理後のＳ
ｉの表面に炭素を含む不純物の薄い層が残り、この層を
除去することなく半導体を形成すると半導体不良の原因
となる為、歩留まりの低下を引き起こすという問題があ
った。従来この対策として、炭素を含むＳｉ層をさらに
エッチングする工程の追加が必要であった。 【０００４】本発明の目的は、少なくともＨＦガスを含
む処理ガスを用いることにより、ＨＦガスとＳｉＯ2 の
反応性の強さにより、高いエッチングレートを得ると共
に、被処理体を冷却することにより、反応生成物による
エッチング側壁の保護を行ない、異方性のエッチングを
行なうことを目的とする。 【０００５】 【課題を解決するための手段】第１の発明は、真空容器
内に被処理体を搬入する工程と、上記被処理体をエッチ
ング反応時に生成する反応生成物の少なくとも一種がエ
ッチング側壁に付着する温度以下に冷却する工程と、上
記真空容器内に少なくともＨＦガスを含む処理ガスを供
給する工程と、上記処理ガスをプラズマ化する工程とを
具備してなることを特徴とするエッチング処理方法。 【０００６】第２の発明は、真空容器内に被処理体を搬
入する工程と、上記被処理体をエッチング反応時に生成
する反応生成物の少なくとも一種がエッチング側壁に付
着する温度以下に冷却する工程と、上記真空容器内にＨ
2 Ｏを供給する工程と、上記真空容器内に少なくともＨ
Ｆガスを含む処理ガスを供給する工程と、上記処理ガス
をプラズマ化する工程とを具備してなることを特徴とす
るエッチング処理方法。 【０００７】 【作用】第１の発明であるエッチング処理方法によれ
ば、真空容器内の被処理体のエッチング側壁を反応生成
物の少なくとも一種が付着して保護する為、高い異方性
エッチングを実現することができる。第２の発明によれ
ば、ＨＦガスを含む処理ガスを真空容器内に供給するの
に先立ってＨ2 Ｏガスを前記真空容器に供給するので、
冷却された被処理体の表面において露点以下になったＨ
2 Ｏが吸着され、処理ガスのＨＦとＳｉＯ2 との反応を
早める作用をする。 【０００８】 【実施例】以下本発明方法を、平行平板型高周波放電プ
ラズマ・エッチング装置に適用した一実施例を基に具体
的に説明する。最初に図１に基づいて、プラズマ・エッ
チング装置の構成を説明する。 【０００９】このプラズマ・エッチング装置は、処理用
気密容器１、この容器１への処理ガス供給系２、プラズ
マ発生のための上部電極３、および下部電極４、上記容
器１内を真空にするための排気ガス系５により構成さ
れ、上記下部電極４上には被処理体６が設けられる如く
構成されている。 【００１０】前記容器１は、少なくとも内壁面が導電体
例えばＡｌで構成され、その内壁面は酸化アルマイト処
理され、更にこの容器１の壁面には処理ガス及び反応生
成分が内壁面上に付着するのを防ぐ温度に設定する手
段、例えば図示されないヒータが上記容器１の壁面に内
蔵され、例えば５０°〜１００°の範囲で適切な温度に
設定が可能な如く構成されている。 【００１１】前記ガス供給系２は、処理ガス例えばＨＦ
ガスを収納する処理ガスボンベ２１と、これに接続され
る１／４インチ口径の光輝焼鈍管からなるガス供給管２
２と、これに接続される処理ガスの供給量をコントロー
ルするマスフローコントローラ２３と、これに接続され
る１／４インチ口径の光輝焼鈍管からなるガス供給管２
４と、これに接続されかつ前記上部電極３の処理ガス導
入口３１の近傍に設けられたニードル弁２５とから構成
されている。又、添加ガスとしてＨ2 を収容したボンベ
９０よりガス供給管９１とマスフローコントローラ９２
とを介して、ＨＦガスの供給管とが連結される様に構成
されている。 【００１２】上記ボンベ２１から処理ガス導入口３１へ
処理ガスを供給するガス供給管２２、２４の全般にわた
って、この処理ガス温度を予め定められた温度に設定す
るため、例えば上記供給管２２、２４の温度を調整する
温度調整機構８０、例えばテープ状ヒータが供給管２
２、２４の外周を囲繞する如く設けられている。 【００１３】特に処理ガスとしてＨＦガスが使用される
場合には、供給管２２、２４に水分が付着すると、反応
性の強いＨＦガスにより、供給管２２、２４が腐食され
る為、これを防ぐ目的でも温度調整機構８０により、約
１００℃に加熱することが出来るように構成されてい
る。又、容器１の側壁には、図示しないＨ2 Ｏガス供給
系より供給管１００を経由して、バルブ２０１で供給量
を調整されたＨ2 Ｏガスが、ノズル２０２を介して、前
記容器１内に供給される様に構成されている。 【００１４】上記上部電極３は、材質例えばアモルファ
ス・カーボンあるいはシリコンで中空に構成され、前記
処理ガス導入口３１より、前記被処理体６に対向して平
板状に設けられた複数の処理ガス排気口３２と、導入口
３１と排気口３２とを結ぶガス通過口３３を持つ様に構
成されている。又、上部電極３は、電気的に接地される
様に配線３５に接続されるている。 【００１５】又、上記上部電極３の処理ガス排出口３２
の開口分布は、対向配置された下部電極４上の被処理体
６の大きさよりも狭い範囲に分布して、処理ガスを排出
することにより、被処理体６の大きさよりも広い範囲に
分布する場合に比べて、均一なプラズマ・エッチング処
理ができる様に構成されている。 【００１６】又、上記上部電極３の被処理体６に対向け
した処理ガス排出口３２の外縁部は、処理ガスのプラズ
マ流れを被処理体６に向けて集中させるため、フォーカ
ス・リング３６が上記被処理体６に取り囲む様に設けら
れている。このフォーカス・リング３６は、導電体であ
るＡｌの表面を絶縁体、例えばテフロンコーティングさ
れており、処理ガスによる腐食を防ぐと共に、フォーカ
ス・リング３６の内部のヒータにより温度例えば５０°
〜１５０℃の目的を達成する為の適切な温度に加熱さ
、反応生成物の膜状付着が防止される様に設けられて
いる。 【００１７】上記下部電極４の最上部は上記半導体ウエ
ハ６の吸着手段、例えば静電気により吸着する静電チャ
ック・シート４１が設けられており、この静電チャック
・シート４１は、導電層例えば電解箔銅を両側から絶縁
層例えばポリイミド・フィルムでサンドイッチして接着
されており、電荷供給手段は例えば高電圧電源４２の他
端は電気的に接地される。 【００１８】又、上記チャック・シート４１の下側に
は、例えばアルミニウムからなる上層基盤４６が設けら
れ、この上層基盤４６の下側には下層基盤４７が設けら
れている。この下層基盤４７は、例えばアルミニウムで
構成され、内部には冷媒通路がくりぬかれて冷媒、例え
ば液体窒素４２が循環されており、この液体窒素４２の
熱冷却により、上記半導体ウエハ６の温度−５０℃〜−
１５０℃内の設定温度、例えば−１００℃に設定できる
様に図示しない温度調整装置により温度調整される構成
となっている。 【００１９】又、上記上層基盤４６は、上記下層基盤４
７から切り離して交換でき、メンテナンスに好都合に構
成されており、上記上層基盤４６と上記下層基盤４７と
の間には、上記液体窒素４２の温度を上記上層基盤４６
へ伝導する目的でＨｅガス４９が図示しないＨｅガス供
給系より配管５０を経由して送り込まれる様に構成され
ている。 【００２０】又、上記被処理体６と静電チャック・シー
ト４１の間には、被処理体６の冷却を行なう下部電極４
の冷媒４２、例えば液体窒素の温度を被処理体６に伝導
する目的でＨｅガス４４が図示しないＨｅガス供給系よ
り配管４５を経由して送り込まれる様に構成されてい
る。 【００２１】又、下部電極４は、ブロッキング・コンデ
ンサ５３を介して高周波。例えば１３．５６ＭＨＺの高
周波電源５１に接続され、この高周波電源５１の反対の
極は、電気的に接地される様に構成されている。又、上
記被処理体６を取り囲む様に、上記下部電極４の上記上
層基盤４６上には、石英により形成されたフォーカス・
リング８１が設けられている。このフォーカス・リング
８１は、上部電極３と下部電極４との間で発生したプラ
ズマから、アルミニウムで構成された下部電極４の上層
基盤４６を保護すると共に、被処理体の被処理面より
も、このフォーカス・リング上部を下部電極４上に高く
設けているので、上記プラズマより発生するイオンを被
処理体６に集中させて、エッチング処理の進行を速めを
持つ様に設けられている。 【００２２】又、前記フォーカス・リング８１は、処理
ガスの種類に応じて反応生成物が付着しやすい場合に
は、５０°〜１５０℃に加熱して付着を防止する様に、
セラミック板上にＣＶＤ処理により形成された薄膜ヒー
タを再にセラミックで挟んで構成することにより、反応
生成物が付着しにくく、したがって付着膜のはがれによ
るパーティクル発生の少ないメンテナンスサイクルの長
い構成とすることができる。上記排気ガス系５は、上記
容器１の底面周辺部に複数開口して設けられたガス排出
口５４と、これ接続され、上記容器１の近傍に設けられ
た排気ガス管５５と、これに接続された真空排気弁５６
と、これに接続される真空排気装置５７、例えばロータ
リー・ポンプとターボ分子ポンプとから１×１０-1〜１
×１０-8Ｔｏｒｒが設定が可能な様に構成されている。
又、この真空排気装置５７の前段に処理ガスとしてＨＦ
ガスを用いる場合には、ＨＦガスをトラップする手段５
８、例えば冷却器あるいはフィルターが設けられ、反応
性の強いＨＦガスによる真空排気装置の腐食を防止する
ように構成されている。以上の様にプラズマ・エッチン
グ装置は構成されている。 【００２３】次に図２に基づいて、上記プラズマ・エッ
チング装置の製造工程における構成について説明する。
既に説明したプラズマ・エッチング装置の同じ構成につ
いては、同一の番号を付けて説明を略す。温度伝達さ
れ、これにより上層アルミ基盤４６の上の静電チャック
・シート４１も冷却された状態で、上記被処理体６が載
置されるのを待っている。前記被処理体６が静電チャッ
ク・シート４１に載置されると、前記被処理体６の裏面
に対して図示されないＨe ガス圧力コントロールにより
圧力調整され、Ｈｅ２ガス４４が供給され、前記冷却さ
れた静電チャック・シート４１により被処理体６も−５
０℃から−１５０℃間の適切な温度まで冷却される。し
かる後、容器１は、排気ガス系５により適切な真空雰囲
気まで真空引きされると伴に、処理ガス供給系２より処
理ガス、例えばＨＦガスがバルブ２３とニードル弁２５
により供給量を調整されながら、上部電極３の処理ガス
排出口３２より供給される。 【００２４】処理ガス供給系２の終端であると共に、上
部電極３の処理ガス導入口３１に接続して設けられた前
記ニードル弁２５は処理ガス圧力を配管２４の圧力を、
上部電極３の処理ガス導入口３１よりも高く設定する為
に、異常放電が配管２４内に発生しない様に処理ガス圧
力を設定している。 【００２５】プラズマ・エッチング装置の容器１の側壁
には開閉自在に設けられたゲートバルブ６１を介して隣
接するロード・ロック室６２が接続される様に構成され
ている。 【００２６】このロード・ロック室６２には、搬送装置
６３、例えばアルミニウムのアームを導電性テフロンに
よりコーティングされ、静電対策が施された搬送アーム
が設けられている。 【００２７】上記ロード・ロック室６２は、底面に設け
られた排気口より排気管６４が接続され、真空排気弁６
５を介して、上記排気ガス系５に接続される様に構成さ
れている。上記ロード・ロック室６２の側壁には開閉自
在に設けられたゲートバルブ６６を介して隣接するカセ
ット室６７が接続される様に構成されている。このカセ
ット室には、カセット６８を載置する載置台６９が設け
られている。このカセット６８には、被処理体６が２５
枚収約される様に構成されている。 【００２８】上記カセット室６７の底面には、排気口を
介して排気管７０が接続され、真空排気弁７１を介し
て、上記排気ガス系５に接続される様に構成されてい
る。上記カセット室６７の他の側壁には、開閉自在に設
けられたゲート・バルブ７２を介して大気に接する様に
構成されている。以上の様にプラズマ・エッチング装置
は製造工程において構成されている。 【００２９】次にこのプラズマ・エッチング装置の動作
説明を行なう。大気との間に設けられたゲートバルブ７
２を開口して、被処理体６を収納したカセット６８が図
示しない搬送ロボットにより、カセット室６７の載置台
６９の上に載置され、上記ゲートバルブ７２が閉口す
る。上記カセット室６７に接続された真空排気弁７１が
開口して、排気ガス系５により上記カセット室６７が真
空雰囲気、例えば１０-1Ｔｏｒｒに排気される。 【００３０】ロード・ロック室６２とカセット室６７の
間のゲートバルブ６６が開口して搬送アーム６３により
被処理体６が上記カセット室に載置されたカセット６９
より取り出され、保持されて上記ロード・ロック室６２
へ搬送され、上記ゲートバルブ６６が閉口する。 【００３１】容器１は、真空排気弁５６が開口して、排
気ガス系５により真空雰囲気、例えば１０-5Ｔｏｒｒに
排気される。次に上部電極３と下部電極４の間に高周波
が印加され、プラズマが生起される。このプラズマの発
生により、処理ガスは活性化されて活性種を生み出し、
被処理体６をプラズマ・エッチングする。又、必要に応
じてＨ2 Ｏガスがノズル２０２を介して供給され、ＨＦ
プラズマによるエッチング反応を加速する。 【００３２】このプラズマ・エッチングの工程の終了
は、上記高周波電圧５１を停止し、プラズマの発生を止
めると共に、処理ガスの供給も停止して行なわれる。こ
の後、上記容器１内の処理ガスや反応生成物を置換する
目的で不活性ガス、例えばＮ2 ガスをＮ2 ガスボンベ７
３より、マスフローコントローラ７４を介して容器１内
に導入すると共に、排気ガス系５より排気を行なう。 【００３３】容器１内の残留処理ガスや反応生成物が十
分排気された後、下部電極４の静電チャックシート４１
の高電圧源４２が停止され、処理容器１の壁面に設けら
れたゲードバルブ６１が開口して、隣接するロード・ロ
ック室６２より搬送アーム６３が容器１内の被処理体６
の位置まで移動し、被処理体６を保持して、上記ロード
・ロック室６１に搬送し、上記ゲートバルブ６１は閉口
する。このロード・ロック室において被処理体６は、載
置されると共に、ヒータにより室温、例えば１８℃まで
昇温され、その後上記ロード・ロック室よりカセット室
６７を介して大気に搬出する。 【００３４】以上がプラズマ・エッチング装置を用いた
実施例の動作説明である。次に以上説明したプラズマ・
エッチング装置の構成と動作に基づいて行われるプラズ
マ・エッチング処理方法の実施例について説明する。プ
ラズマ・エッチング装置の処理用気密容器１の冷却され
た下部電極４の上に被処理体６として、例えばＳｉウエ
ハ上にＳｉＯ2 膜を形成し、さらにそのＳｉＯ2 膜上に
レジスト・パターンを形成した半導体ウエハを載置し、
液体窒素を用いてこのウエハを−１００℃に冷却する。 【００３５】上記容器１に処理ガス供給系２よりＨＦガ
スを、例えば流量５０ｃｍ／ｓｅｃ導入し、下部電極４
に高周波、例えば１３．５６ＭＨＺ、２００Ｗ印加して
プラズマを発生させる。するとＨＦガスは、ＳｉＯ2 に
対して強い反応性を持っていることから、次の式で示す
エッチング反応が行なわれる。 ＳｉＯ2 ＋４ＨＦ → ＳｉＦ4 ＋２Ｈ2 Ｏ ＨＦガス自身が単純な分子構造であるのみならず、上記
反応式の４分子種は、いずれも重合反応又は２次反応を
起こさないので、上記処理容器１の中に反応生成物の重
合化による推積を起こすことのないクリーンなエッチン
グを実施できる。 【００３６】この実施例においては、反応生成物の処理
圧力における露点以下、例えば圧力１０-5Ｔｏｒｒの
時、−１００℃に冷却したので、高いエッチングレート
を持つとともに、異方性エッチングが行なわれているこ
とが確認できた。この理由は、この実施例においては被
処理体を−１００℃に冷却することにより、上記反応に
伴なって生成されるＨ2 Ｏは、ＳｉＯ2 膜のエッチング
溝の側壁において、−１００℃に冷却されたウエハから
の熱冷却で露点以下となり、ＳｉＯ2 表面に吸着し、エ
ッチング溝側壁でのＨＦラジカルとＳｉＯ2 との反応が
進行することを防ぐものと考えられる。 【００３７】図３は、この様子を示すエッチング工程の
模式図である。上部電極３と下部電極４の間に生起した
プラズマにより、ＨＦガスからＨＦラジカル１０１とＨ
Ｆ+イオン１０２とが生成され、レジスト１０３にマス
クされていないＳｉＯ2 層１０４より成るエッチング底
面１０５に対しては、Ｈ2 Ｏの付着は行なわれるが、上
記ＨＦ+ イオン１０２の入射エネルギーによりスパッタ
されて除去されてエッチングが進行する。それに対して
エッチング側壁１０６に対しては、反応生成物Ｈ2 Ｏ１
０７が吸着されて防護する為、ＨＦラジカル１０１とＳ
ｉＯ2 １０４との反応が進みにくいと考えられる。又、
他の反応生成物であるＳｉＦ4 １０８はガスとして排気
されるので、上記エッチング工程の進行の妨げとはなら
ないものと考えられる。 【００３８】この様な理由で、エッチング底面１０５が
選択的にＨＦイオン１０２によりエッチングされること
により、高いエッチングレートが得られるものと考えら
れる。上記プラズマ・エッチング装置は、図示しない終
点検出装置により検出されたエッチング終点以後のオー
バーエッチングにおいては、ＨＦイオン１０２のエネル
ギーを、上部電極３と下部電極４との間に印加する高周
波源５１の出力を、例えば１３．５６ＭＨＺ、２００Ｗ
から低く下げることにより、発生するＨＦイオン１０２
のエネルギーを小さく押さえることができる。すると主
としてＨＦラジカル１０１によるエッチングが行なわれ
るので、エッチングレートは低いが微細な加工がていね
いにでき、上記ＨＦイオンによりエッチングされた結果
生じるエッチングむらの除去や、エッチング側壁１０６
とエッチング底面１０４のなすテーパ角の修正といった
微細加工に適したエッチング工程を行なうことができ
る。 【００３９】以上のプラズマ・エッチング処理工程が終
了すれば、被処理体６は、処理容器１より搬出され、隣
接するロード・ロック室６２でＨＦガスを排気しながら
常温に昇温されたのち、大気中に搬出される。この常温
常圧に戻す工程において、ウエハ表面に付着した微少な
処理ガスであるＨＦガス及び反応生成物であるＳｉ
Ｆ4 、Ｈ2 Ｏは気体として外気に拡散する為、処理結果
の被処理体６は、非常にクリーンな状態で、次の半導体
処理工程へ移管することができる。この気体として外気
に拡散する工程を説明する為に、図３にＨＦ、Ｈ2 Ｏ、
ＳｉＦ4 の露点が、それぞれ温度・圧力に応じて変化す
る図を示す。 【００４０】図４において、実施例の被処理体６の冷却
温度−１００℃をＡ点として示す。このＡ点におけるＳ
ｉＦ4 、ＨＦ、Ｈ2 Ｏの露点を、真空圧力Ｂ，Ｃ，Ｄと
して示す。 【００４１】この図より、処理用気密容器１の圧力を、
例えばＣ−Ｄ間に設定すると、ＳｉＦ4 、ＨＦは共に露
点以上であり、気体として排気ガス系５により、上記処
理容器１より排出されるが、Ｈ2 Ｏは露点以下となり、
エッチング側壁１０６に付着し、ＨＦラジカルとＳｉＯ
2 との反応が防護されていると考えられる。又、プラズ
マ・エッチング処理終了後に常温常圧に戻されると、Ｈ
Ｆ、ＳｉＦ4 、Ｈ2 Ｏのすべてが露点以上となり、容易
に排気される様になっていることを示している。 【００４２】以上のエッチング処理方法の実施例におい
て、処理ガスとしてＨＦガスを単独で用いた場合の説明
をしたが、ＨＦガスはプラズマ中では次式の反応が進行
して解離し、多量のＦラジカルが発生すると、このＦラ
ジカルにより、Ｐｏｌｙ−Ｓｉのエッチングが進行し
て、ＳｉＯ2 とＳｉとの選択比が低下すると考えられ
る。 ＨＦ → Ｈ＋Ｆ この解離式の進行を遅らせ、解離を防ぐ方法として、Ｈ
2 ガスの添加が有効である。Ｈ2 ガスのＨＦガスへの添
加により、ＨＦは解離が少なく、ＳｉＯ2 を優先的に選
択してエッチングを行なうことが確認されている 【００４３】更に、図５に示す通り、Ｈ2 Ｏの露点付近
（−５０℃、４０ｍＴｏｒｒ）と、それ以下の被処理体
の温度において、エッチング・レートの急激な上昇が確
認されている。この際、被処理体、例えばウエハ表面に
おいて氷の析出が確認されている。これは、ＨＦとＳｉ
Ｏ2 のエッチング反応に大きく関与し、進行を早めるＨ
2 Ｏが露点以下でウエハ表面上に吸着されて、エッチン
グレートの急激な上昇が起こったものと考えられる。 【００４４】又、−１００℃においては、Ｈ2 Ｏの露点
以下において形成された核が生成され、その生成と共に
上記エッチング反応が進行し、水玉状にエッチングされ
ていることが、このＨＦを用いエッチング反応の特長で
ある。 【００４５】このことを利用して、処理ガスであるＨＦ
ガスの真空容器への供給に先立って、Ｈ2 Ｏガスを前記
真空容器に供給し、既に冷却された被処理体表面に露点
以上で吸着させて初期条件を整えるエッチング方法は、
エッチング処理均一性とエッチングレートの向上という
効果を生む有効的な方法である。以上、実施例として被
処理体が半導体ウエハの場合について述べたが、他の例
として、ガラス基板上に、例えばアモルファスシリコン
膜やポリシリコン膜等を膜付けして、その上にパターン
を形成してゆくＬＣＤ製造用基板にも適用することがで
きる。 【発明の効果】本発明のエッチング処理方法によれば、
高いエッチングレートを持つ異方性エッチングを実現す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のエッチング処理方法の一実施例を説明
する為のプラズマ処理装置。 【図２】上記プラズマ処理装置の製造工程における一実
施例。 【図３】本発明のエッチング処理方法の効果を説明する
為の模式図。 【図４】ＳｉＦ4 、ＨＦ、Ｈ2 Ｏの露点を温度と真空圧
力との関係において示す特性図。 【図５】本発明のエッチング処理方法の一実施例による
ＳｉＯ2 のエッチング・レートの温度依存性を示す図。 【符号の説明】１ 処理用気密容器２ 処理ガス供給系３ 上部電極４ 下部電極５ 排気ガス系 ６ 被処理体
する為のプラズマ処理装置。 【図２】上記プラズマ処理装置の製造工程における一実
施例。 【図３】本発明のエッチング処理方法の効果を説明する
為の模式図。 【図４】ＳｉＦ4 、ＨＦ、Ｈ2 Ｏの露点を温度と真空圧
力との関係において示す特性図。 【図５】本発明のエッチング処理方法の一実施例による
ＳｉＯ2 のエッチング・レートの温度依存性を示す図。 【符号の説明】１ 処理用気密容器２ 処理ガス供給系３ 上部電極４ 下部電極５ 排気ガス系 ６ 被処理体
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １．真空容器内に被処理体を搬入する工程と、上記被処
理体をエッチング反応時に生成する反応生成物の少なく
とも一種がエッチング側壁に付着する温度以下に冷却す
る工程と、上記真空容器内に少なくともＨＦガスを含む
処理ガスを供給する工程と、上記処理ガスをプラズマ化
する工程とを具備してなることを特徴とするエッチング
処理方法。 ２．真空容器内に被処理体を搬入する工程と、上記被処
理体をエッチング反応時に生成する反応生成物の少なく
とも一種がエッチング側壁に付着する温度以下に冷却す
る工程と、上記真空容器内にＨ2 Ｏを供給する工程と、
上記真空容器内に少なくともＨＦガスを含む処理ガスを
供給する工程と、上記処理ガスをプラズマ化する工程と
を具備してなることを特徴とするエッチング処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14638892A JPH06168914A (ja) | 1992-05-13 | 1992-05-13 | エッチング処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14638892A JPH06168914A (ja) | 1992-05-13 | 1992-05-13 | エッチング処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06168914A true JPH06168914A (ja) | 1994-06-14 |
Family
ID=15406577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14638892A Pending JPH06168914A (ja) | 1992-05-13 | 1992-05-13 | エッチング処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06168914A (ja) |
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