JPH06169975A - プラズマ殺菌装置および殺菌方法 - Google Patents
プラズマ殺菌装置および殺菌方法Info
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- JPH06169975A JPH06169975A JP5139514A JP13951493A JPH06169975A JP H06169975 A JPH06169975 A JP H06169975A JP 5139514 A JP5139514 A JP 5139514A JP 13951493 A JP13951493 A JP 13951493A JP H06169975 A JPH06169975 A JP H06169975A
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- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
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- A61L—METHODS OR APPARATUS FOR STERILISING MATERIALS OR OBJECTS IN GENERAL; DISINFECTION, STERILISATION OR DEODORISATION OF AIR; CHEMICAL ASPECTS OF BANDAGES, DRESSINGS, ABSORBENT PADS OR SURGICAL ARTICLES; MATERIALS FOR BANDAGES, DRESSINGS, ABSORBENT PADS OR SURGICAL ARTICLES
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- A61L2/02—Disinfection or sterilisation of materials or objects, in general; Accessories therefor using physical processes
- A61L2/14—Plasma, i.e. ionised gases
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 実質的に荷電されておらず,高い反応性をも
つ自由基,原子またはガス混合気中の活性化された分子
を物品を殺菌するために使用する殺菌装置および殺菌方
法の提供。 【構成】 ガス混合気は酸化性および/または還元性の
物質を含み,イオン生成物であって高度な破壊性をもつ
要素を荷電粒子または紫外線照射性をもつプラズマにイ
オン化させる。プラズマ給送装置は紫外線を阻止し,荷
電粒子の再結合を促進して実質的に荷電されておらず,
高い反応性を持つ自由基,分子およびガス混合気の励起
された分子を物品に給送する。
つ自由基,原子またはガス混合気中の活性化された分子
を物品を殺菌するために使用する殺菌装置および殺菌方
法の提供。 【構成】 ガス混合気は酸化性および/または還元性の
物質を含み,イオン生成物であって高度な破壊性をもつ
要素を荷電粒子または紫外線照射性をもつプラズマにイ
オン化させる。プラズマ給送装置は紫外線を阻止し,荷
電粒子の再結合を促進して実質的に荷電されておらず,
高い反応性を持つ自由基,分子およびガス混合気の励起
された分子を物品に給送する。
Description
【0001】
【継続中の出願との関係】この出願は、1989年3月
8日に出願番号07/321,483として米国に出願
され現在は放棄されているものおよび1990年2月6
日に出願番号07/475,602として出願され現在
放棄されているものの部分継続出願であって1990年
8月31日に出願番号07/576,292として出願
された出願の部分継続出願である。
8日に出願番号07/321,483として米国に出願
され現在は放棄されているものおよび1990年2月6
日に出願番号07/475,602として出願され現在
放棄されているものの部分継続出願であって1990年
8月31日に出願番号07/576,292として出願
された出願の部分継続出願である。
【0002】
【産業上の利用分野】本発明はガスプラズマを用いた物
品の殺菌に関する。さらに詳しく言えば本発明は、実質
的に電荷をもたない,高い反応性をもつ自由基,ガスプ
ラズマから発生させられた原子または励起された分子を
用いて物品を殺菌する装置と方法に関する。
品の殺菌に関する。さらに詳しく言えば本発明は、実質
的に電荷をもたない,高い反応性をもつ自由基,ガスプ
ラズマから発生させられた原子または励起された分子を
用いて物品を殺菌する装置と方法に関する。
【0003】
【発明の背景】従来より、数多くのガス殺菌方法につい
て多くの研究がなされている。エチレン酸化物とかその
他の消毒性のガスを医薬品の準備から外科手術のための
道具の準備にいたる医薬品の広い範囲にわたる殺菌のた
めに、エチレンガスとか他の消毒剤の消毒用のガスが用
いられている。単一のまたはこれらの消毒性のガスに照
射することはラッセル,Aのバクテリア胞子の殺菌;ニ
ューヨーク,アカデミックプレス(1982)に要約さ
れて示されている。殺菌方法は胞子を含むすべての生物
を殺菌されるべき物品などを損なうことなく、完全に殺
す必要がある。しかしながら、この範疇に適している消
毒剤、すなわちエチレン酸化物および暴露方法は作業者
と環境が安全上の問題に晒されると認識されるに至って
いる。州および合衆国の規則はエチレン酸化物(カルシ
ノーゲン)のような有毒性のガスの使用量を作業環境化
において厳密に規制するか、またはそのような有毒性の
残留物とか廃棄生成物を発生するシステムとか方法の使
用を制限している。これが病院とかその他の健康に関連
する産業における危機的な問題を提供している。
て多くの研究がなされている。エチレン酸化物とかその
他の消毒性のガスを医薬品の準備から外科手術のための
道具の準備にいたる医薬品の広い範囲にわたる殺菌のた
めに、エチレンガスとか他の消毒剤の消毒用のガスが用
いられている。単一のまたはこれらの消毒性のガスに照
射することはラッセル,Aのバクテリア胞子の殺菌;ニ
ューヨーク,アカデミックプレス(1982)に要約さ
れて示されている。殺菌方法は胞子を含むすべての生物
を殺菌されるべき物品などを損なうことなく、完全に殺
す必要がある。しかしながら、この範疇に適している消
毒剤、すなわちエチレン酸化物および暴露方法は作業者
と環境が安全上の問題に晒されると認識されるに至って
いる。州および合衆国の規則はエチレン酸化物(カルシ
ノーゲン)のような有毒性のガスの使用量を作業環境化
において厳密に規制するか、またはそのような有毒性の
残留物とか廃棄生成物を発生するシステムとか方法の使
用を制限している。これが病院とかその他の健康に関連
する産業における危機的な問題を提供している。
【0004】
【従来の技術】プラズマを容器を殺菌するために用いる
ことは米国特許第3,383,163号に提案されてい
る。プラズマは種々の励起源からの出力を加えることに
よって発生させるイオン化されたものである。イオン化
されたガスは物品の表面の微生物に接触しそれを殺し効
果的に微生物を破壊する。殺菌用のプラズマは非常に広
範囲のガスにおいて発生させられる:アルゴン,ヘリウ
ムまたはキセノン(米国特許第3,851,436
号),アルゴン,窒素,酸素,ヘリウムまたはキセノン
(米国特許第3,948,601号);グルタラルアル
デヒド(米国特許第4,207,286号);酸素(米
国特許第4,321,232号);酸素,窒素,ヘリウ
ム,アルゴンまたはフレオンをパルス的に加圧したもの
(米国特許第4,348,357号);過酸化水素(米
国特許第4,643,876号);窒素酸化物,単独ま
たは酸素と混合したもの,ヘリウムまたはアルゴン(日
本国出願1983第103460号);および窒素酸化
物、単独またはオゾンと混合したもの(日本国出願19
83第162276号)。不幸なことにはこれらのプラ
ズマは殺菌される物品に対して強い破壊性を持つという
ことが証明されており、特に包装用材料においては毒性
の残留物を殺菌対象物の上に残留させるか、安全または
環境上の障害をもつものとして証明されている。
ことは米国特許第3,383,163号に提案されてい
る。プラズマは種々の励起源からの出力を加えることに
よって発生させるイオン化されたものである。イオン化
されたガスは物品の表面の微生物に接触しそれを殺し効
果的に微生物を破壊する。殺菌用のプラズマは非常に広
範囲のガスにおいて発生させられる:アルゴン,ヘリウ
ムまたはキセノン(米国特許第3,851,436
号),アルゴン,窒素,酸素,ヘリウムまたはキセノン
(米国特許第3,948,601号);グルタラルアル
デヒド(米国特許第4,207,286号);酸素(米
国特許第4,321,232号);酸素,窒素,ヘリウ
ム,アルゴンまたはフレオンをパルス的に加圧したもの
(米国特許第4,348,357号);過酸化水素(米
国特許第4,643,876号);窒素酸化物,単独ま
たは酸素と混合したもの,ヘリウムまたはアルゴン(日
本国出願1983第103460号);および窒素酸化
物、単独またはオゾンと混合したもの(日本国出願19
83第162276号)。不幸なことにはこれらのプラ
ズマは殺菌される物品に対して強い破壊性を持つという
ことが証明されており、特に包装用材料においては毒性
の残留物を殺菌対象物の上に残留させるか、安全または
環境上の障害をもつものとして証明されている。
【0005】オゾンを使用してプラズマ性のガスを用い
ない殺菌方法(米国特許第3,704,096号)およ
び過酸化水素を用いるもの(米国特許第4,169,1
23号;第4,169,124号;第4,230,66
3号;第4,366,125号;第4,289,728
号;第4,437,567号;および第4,643,8
76号)これらの材料は毒性を持っており好ましくない
残留を残す。
ない殺菌方法(米国特許第3,704,096号)およ
び過酸化水素を用いるもの(米国特許第4,169,1
23号;第4,169,124号;第4,230,66
3号;第4,366,125号;第4,289,728
号;第4,437,567号;および第4,643,8
76号)これらの材料は毒性を持っており好ましくない
残留を残す。
【0006】米国特許第3,851,436号と第3,
948,601号に記述されているプラズマガス殺菌シ
ステムは分離されて設けられたプラズマ高周波発生室を
含んでいる。室内でアルゴン,ヘリウム,窒素,酸素ま
たはキセノンを用いて発生させられたプラズマは離れて
設けられている殺菌用の真空室に送られる。これらのシ
ステムはセルローズを含む容器の内容の殺菌には酸化性
のプラズマ生成物が容器材料を損なうので不適当であ
る。それらは容器を損なわないで、充分な殺菌率を得る
ことができない。
948,601号に記述されているプラズマガス殺菌シ
ステムは分離されて設けられたプラズマ高周波発生室を
含んでいる。室内でアルゴン,ヘリウム,窒素,酸素ま
たはキセノンを用いて発生させられたプラズマは離れて
設けられている殺菌用の真空室に送られる。これらのシ
ステムはセルローズを含む容器の内容の殺菌には酸化性
のプラズマ生成物が容器材料を損なうので不適当であ
る。それらは容器を損なわないで、充分な殺菌率を得る
ことができない。
【0007】前述した装置および方法は殺菌を必要とす
るいくつかのタイプの完全殺菌を達成することができ
ず、多くの場合、高い殺菌率を得る過程において、物品
や容器を損傷する。その結果としてそれらは必要な目的
を達成することおよび効果的な殺菌システムと過程を提
供することができない。
るいくつかのタイプの完全殺菌を達成することができ
ず、多くの場合、高い殺菌率を得る過程において、物品
や容器を損傷する。その結果としてそれらは必要な目的
を達成することおよび効果的な殺菌システムと過程を提
供することができない。
【0008】したがって、本発明の目的は効果的な殺菌
を迅速に行うことができ、毒性のある残留物と環境の安
全の障害になるような放射のないプラズマ殺菌方法およ
び装置を提供することである。本発明の他の目的は病院
のような環境で安全かつ効果的に殺菌を行うことができ
るシステムを提供することにある。本発明の他の目的は
健康産業分野に用いられている全ての金属性の物品や多
孔性の殺菌性容器やセルローズ材料を含む多孔性の殺菌
容器を含む全てのタイプに効果的な殺菌過程を提供する
ことにある。本発明のさらに他の目的は低圧で,低温で
容器の品位を損なうことなく、容器内の物品を効果的に
殺菌することである。本発明のさらに他の目的は包装さ
れた物品に対して安全な温度範囲で効果的に殺菌するこ
とができ、水素を含む爆発性を持たないガス混合気を用
いて達成することである。
を迅速に行うことができ、毒性のある残留物と環境の安
全の障害になるような放射のないプラズマ殺菌方法およ
び装置を提供することである。本発明の他の目的は病院
のような環境で安全かつ効果的に殺菌を行うことができ
るシステムを提供することにある。本発明の他の目的は
健康産業分野に用いられている全ての金属性の物品や多
孔性の殺菌性容器やセルローズ材料を含む多孔性の殺菌
容器を含む全てのタイプに効果的な殺菌過程を提供する
ことにある。本発明のさらに他の目的は低圧で,低温で
容器の品位を損なうことなく、容器内の物品を効果的に
殺菌することである。本発明のさらに他の目的は包装さ
れた物品に対して安全な温度範囲で効果的に殺菌するこ
とができ、水素を含む爆発性を持たないガス混合気を用
いて達成することである。
【0009】
【発明の要約】プラズマ殺菌装置および方法は実質的に
帯電していない高い反応性を持つ自由基,原子およびガ
ス混合気の励起された分子を用いて物品の殺菌を行う。
ガス混合気は酸化性または還元性の物質を用いてプラズ
マにイオン化され、それはプラズマ生成品である高い破
壊性を持つ物質を荷電粒子および紫外線放射の形で含ん
でいる。プラズマ給送装置は紫外線の放射を阻止して、
荷電粒子の再結合によりそれを荷電されていないもの、
高度の反応性を持っている自由基,原子またはガス混合
物の励起された分子として物品に供給する。
帯電していない高い反応性を持つ自由基,原子およびガ
ス混合気の励起された分子を用いて物品の殺菌を行う。
ガス混合気は酸化性または還元性の物質を用いてプラズ
マにイオン化され、それはプラズマ生成品である高い破
壊性を持つ物質を荷電粒子および紫外線放射の形で含ん
でいる。プラズマ給送装置は紫外線の放射を阻止して、
荷電粒子の再結合によりそれを荷電されていないもの、
高度の反応性を持っている自由基,原子またはガス混合
物の励起された分子として物品に供給する。
【0010】本発明の1つの特徴によれば、プラズマ殺
菌装置は殺菌室,フラズマ発生室であって、ガス混合流
を発生させるものに適したプラズマ発生室,ガス混合気
をプラズマ発生室内でイオン化するための手段,および
プラズマガス生成物を下流のガス殺菌室に給送するため
の給送手段を含んでいる。一般的に言って、プラズマは
当初高いエネルギーのイオンと、紫外線(UV)照射を
当然含んでいる。プラズマが下流にプラズマ発生エネル
ギー界から輸送されると、荷電粒子は容器の壁との衝突
によって荷電されない形態のエネルギーを持った自由
基,原子および分子に再結合される。
菌装置は殺菌室,フラズマ発生室であって、ガス混合流
を発生させるものに適したプラズマ発生室,ガス混合気
をプラズマ発生室内でイオン化するための手段,および
プラズマガス生成物を下流のガス殺菌室に給送するため
の給送手段を含んでいる。一般的に言って、プラズマは
当初高いエネルギーのイオンと、紫外線(UV)照射を
当然含んでいる。プラズマが下流にプラズマ発生エネル
ギー界から輸送されると、荷電粒子は容器の壁との衝突
によって荷電されない形態のエネルギーを持った自由
基,原子および分子に再結合される。
【0011】一般的に言って、プラズマは当初の高いエ
ネルギーイオンの相当量と紫外線(UV)の放射を当然
のこととして伴って発生させられる。そのプラズマが下
流に輸送されプラズマ発生エネルギー界からでると荷電
粒子は容器の表面と衝突することにより再結合し電荷を
もたない活性化された自由基、原子および分子にかえら
れる。
ネルギーイオンの相当量と紫外線(UV)の放射を当然
のこととして伴って発生させられる。そのプラズマが下
流に輸送されプラズマ発生エネルギー界からでると荷電
粒子は容器の表面と衝突することにより再結合し電荷を
もたない活性化された自由基、原子および分子にかえら
れる。
【0012】本発明の重要な特徴は大きなイオンや紫外
線放射を殺菌に利用することを避けることである。それ
らの要素は丈夫でない物品や容器を損傷させる。その代
わりに荷電されていない種類の酸化または還元性の物質
が使用されて、それらはプラズマの活性化によって非常
に反応性を持つものが化学的過程において殺菌を効果あ
らしめるために用いられる。
線放射を殺菌に利用することを避けることである。それ
らの要素は丈夫でない物品や容器を損傷させる。その代
わりに荷電されていない種類の酸化または還元性の物質
が使用されて、それらはプラズマの活性化によって非常
に反応性を持つものが化学的過程において殺菌を効果あ
らしめるために用いられる。
【0013】一方プラズマ給送手段は下流のプラズマガ
ス生成物を殺菌室へもたらし、それはイオン化された生
成物で高度に破壊性を持つ要素が荷電粒子および紫外線
の放射の形態で含まれるものが物品に到達することを妨
げる。一般的に言ってその幾何学的形状が紫外線照射を
阻止し、その内部表面領域が荷電粒子を再結合動作させ
実質的に帯電されていない高い反応性を持っている自由
基,原子またはガス混合物の励起された分子として物品
に給送される。
ス生成物を殺菌室へもたらし、それはイオン化された生
成物で高度に破壊性を持つ要素が荷電粒子および紫外線
の放射の形態で含まれるものが物品に到達することを妨
げる。一般的に言ってその幾何学的形状が紫外線照射を
阻止し、その内部表面領域が荷電粒子を再結合動作させ
実質的に帯電されていない高い反応性を持っている自由
基,原子またはガス混合物の励起された分子として物品
に給送される。
【0014】本発明の一実施形態としてプラズマ給送手
段は紫外線照射が殺菌室内の物品に到達することを妨げ
る制限手段を含んでいる。この制限手段は同様にプラズ
マ発生室と殺菌室との間に異なったガス圧の維持を許容
することによって、2つの部屋をそれぞれ独立した理想
的な状態に保つ。本発明のさらに他の形態はプラズマ生
成手段は多岐管であって、充分な内表面を持ち、プラズ
マ流中の荷電粒子の再結合を可能にさせている。前記多
岐管は曲げられた通路であって、プラズマ発生室と殺菌
室内の殺菌されるべき物品とが直視線上にないようにし
て、紫外線の照射が殺菌室内の物品に到達することを妨
げ、さらに荷電粒子をプラズマ流内で再結合させる。
段は紫外線照射が殺菌室内の物品に到達することを妨げ
る制限手段を含んでいる。この制限手段は同様にプラズ
マ発生室と殺菌室との間に異なったガス圧の維持を許容
することによって、2つの部屋をそれぞれ独立した理想
的な状態に保つ。本発明のさらに他の形態はプラズマ生
成手段は多岐管であって、充分な内表面を持ち、プラズ
マ流中の荷電粒子の再結合を可能にさせている。前記多
岐管は曲げられた通路であって、プラズマ発生室と殺菌
室内の殺菌されるべき物品とが直視線上にないようにし
て、紫外線の照射が殺菌室内の物品に到達することを妨
げ、さらに荷電粒子をプラズマ流内で再結合させる。
【0015】本発明のさらに他の特徴はプラズマ殺菌方
法であって、物品をプラズマガスの下流の実質的に帯電
されていない無帯電,高度な反応性を持つ自由基,電子
または酸化性または還元性材料の励起された物質に露出
する方法である。前記プラズマ流はイオン化されたガス
混合物から生成される。前記下流のガスはプラズマ給送
手段であって、紫外線照射が殺菌室内の物質に到達する
ことを妨げ、かつ荷電粒子をプラズマ流内で再結合させ
るプラズマ給送手段を通して運ばれる。
法であって、物品をプラズマガスの下流の実質的に帯電
されていない無帯電,高度な反応性を持つ自由基,電子
または酸化性または還元性材料の励起された物質に露出
する方法である。前記プラズマ流はイオン化されたガス
混合物から生成される。前記下流のガスはプラズマ給送
手段であって、紫外線照射が殺菌室内の物質に到達する
ことを妨げ、かつ荷電粒子をプラズマ流内で再結合させ
るプラズマ給送手段を通して運ばれる。
【0016】
【実施例】病院などでは基本的に殺菌剤とか、蒸気加圧
式の殺菌器が器具を消毒するために用いられていた。最
近になってエチレン酸化物のガスの殺菌剤が包み込まれ
た物品の殺菌とか薬品とか医療品の殺菌のために用いら
れるようになり、病院のシステムはこれらの処理に高度
に依存するようになっている。しかしながら、エチレン
酸化物は現在は危険なカルシノーゲンであるということ
が知られており、いくつかの新しい州の法律は労働者を
安全と環境の保全のためにこれらのエチレン酸化物の殺
菌剤としての使用を病院の環境下において排除してい
る。
式の殺菌器が器具を消毒するために用いられていた。最
近になってエチレン酸化物のガスの殺菌剤が包み込まれ
た物品の殺菌とか薬品とか医療品の殺菌のために用いら
れるようになり、病院のシステムはこれらの処理に高度
に依存するようになっている。しかしながら、エチレン
酸化物は現在は危険なカルシノーゲンであるということ
が知られており、いくつかの新しい州の法律は労働者を
安全と環境の保全のためにこれらのエチレン酸化物の殺
菌剤としての使用を病院の環境下において排除してい
る。
【0017】特許文献において、多くのガスを用いた多
種のガスプラズマの殺菌剤が用いられていることが紹介
されている。しかしほとんどのものが商業的に製造され
ていない。あるものは残留物とか汚染の問題から注目さ
れている。すでに説明したガス殺菌剤は現行の残留物と
か廃棄放射物の安全基準をいくつかの州において満足さ
せることができないものである。その理由はそれらは好
ましくない残留物を残すとか、廃棄放射であってそれが
病院に働く人々の健康上の問題とか包装容器の耐えられ
ない損傷を起こすということである。ひとつの問題を他
の問題に置き換えてしまうのであるから、エチレン酸化
物の殺菌剤に代わる適当なものはない。
種のガスプラズマの殺菌剤が用いられていることが紹介
されている。しかしほとんどのものが商業的に製造され
ていない。あるものは残留物とか汚染の問題から注目さ
れている。すでに説明したガス殺菌剤は現行の残留物と
か廃棄放射物の安全基準をいくつかの州において満足さ
せることができないものである。その理由はそれらは好
ましくない残留物を残すとか、廃棄放射であってそれが
病院に働く人々の健康上の問題とか包装容器の耐えられ
ない損傷を起こすということである。ひとつの問題を他
の問題に置き換えてしまうのであるから、エチレン酸化
物の殺菌剤に代わる適当なものはない。
【0018】本発明によるガス殺菌装置と殺菌過程は実
質的に酸化性物質,例えば酸素および/または還元性物
質,例えば水素,選択的に他の不活性ガスのようなキャ
リアガスを含む混合気からプラズマを生成する。排気ガ
スは現在の環境および作業者の安全問題を満足させるも
のであり、プラズマ生成物はほとんどが水蒸気,二酸化
炭素,および通常大気中に存在する無毒性のガスであ
る。
質的に酸化性物質,例えば酸素および/または還元性物
質,例えば水素,選択的に他の不活性ガスのようなキャ
リアガスを含む混合気からプラズマを生成する。排気ガ
スは現在の環境および作業者の安全問題を満足させるも
のであり、プラズマ生成物はほとんどが水蒸気,二酸化
炭素,および通常大気中に存在する無毒性のガスであ
る。
【0019】“殺菌”という言葉はすべての微生物が対
象物で破壊されるか、または除去されることを意味す
る。なぜならば微生物は化学力学的な第1次のエネルギ
ーによって殺傷されるものであり、通常は“生存率”の
言葉でもって殺菌を定義する。殺菌の過程における現実
的な目的は、統計的に測定されるものであり(例えば1
0-3,10-6,10-12 )というようなものであって、
確率は特殊な殺菌性の投与または生活規制の効果の表示
である。通常ある一連の殺菌条件に晒す時間を増加させ
ることは生存率を減少させると考えられる。同一の条件
において殺菌時間を2倍にすることは確率の指数を2倍
にすることであり、10-6は10-12 になる。プラズマ
ガスを用いる殺菌の率は温度に依存しその割合は温度の
増加にしたがって増加する。高い殺傷率を持っていれば
結果の能力を増強して、殺菌されるものに必要な時間を
短くする。
象物で破壊されるか、または除去されることを意味す
る。なぜならば微生物は化学力学的な第1次のエネルギ
ーによって殺傷されるものであり、通常は“生存率”の
言葉でもって殺菌を定義する。殺菌の過程における現実
的な目的は、統計的に測定されるものであり(例えば1
0-3,10-6,10-12 )というようなものであって、
確率は特殊な殺菌性の投与または生活規制の効果の表示
である。通常ある一連の殺菌条件に晒す時間を増加させ
ることは生存率を減少させると考えられる。同一の条件
において殺菌時間を2倍にすることは確率の指数を2倍
にすることであり、10-6は10-12 になる。プラズマ
ガスを用いる殺菌の率は温度に依存しその割合は温度の
増加にしたがって増加する。高い殺傷率を持っていれば
結果の能力を増強して、殺菌されるものに必要な時間を
短くする。
【0020】ここにおいて使用される“プラズマ”とい
う言葉は原子,イオン,自由基,分離させられたおよび
/または励起させられた原子または分子であって、電気
または電磁界であって種々の放射を含むものによって励
起されたものをいう。電磁界は広範な周波数範囲を含む
ものであって、マグネトロン,クライストロンまたは無
線周波数RFコイルによって作りだされる。説明を容易
にするためであって、制限的な意味ではなく、以後電磁
界の発生源としてマグネトロンを使用するが、他の適当
な電磁界源であってプラズマ発生に意図されているすべ
てのもの,マグネトロン,クライストロン管,RFコイ
ル等々を含むものである。
う言葉は原子,イオン,自由基,分離させられたおよび
/または励起させられた原子または分子であって、電気
または電磁界であって種々の放射を含むものによって励
起されたものをいう。電磁界は広範な周波数範囲を含む
ものであって、マグネトロン,クライストロンまたは無
線周波数RFコイルによって作りだされる。説明を容易
にするためであって、制限的な意味ではなく、以後電磁
界の発生源としてマグネトロンを使用するが、他の適当
な電磁界源であってプラズマ発生に意図されているすべ
てのもの,マグネトロン,クライストロン管,RFコイ
ル等々を含むものである。
【0021】好適な装置が図1に示されている。図1は
図2に示されている1つの導波管プラズマ殺菌装置の平
面図である。本発明によるプラズマ殺菌装置はプラズマ
発生器2と殺菌室4を含んでいる。プラズマ発生器2は
マグネトロン6のような電磁界発生装置と電磁界を伝達
する導波管8を含んでいる。プラズマの原料ガスはプラ
ズマ発生および給送用の管11,12および14に給送
用ガス配管16,18,20を介して制御バルブ組立2
2から供給されている。個々のガスは加圧されたガス源
(図示せず)によって入口の線24,25および26に
より供給されている。制御バルブ組立22の中のバルブ
の制御動作は中央処理装置(CPU)28によって標準
的な手順によりなされる。制御バルブとCPUは通常の
標準的なガス流コントロールプラズマ発生装置用のもの
を用いることができる。
図2に示されている1つの導波管プラズマ殺菌装置の平
面図である。本発明によるプラズマ殺菌装置はプラズマ
発生器2と殺菌室4を含んでいる。プラズマ発生器2は
マグネトロン6のような電磁界発生装置と電磁界を伝達
する導波管8を含んでいる。プラズマの原料ガスはプラ
ズマ発生および給送用の管11,12および14に給送
用ガス配管16,18,20を介して制御バルブ組立2
2から供給されている。個々のガスは加圧されたガス源
(図示せず)によって入口の線24,25および26に
より供給されている。制御バルブ組立22の中のバルブ
の制御動作は中央処理装置(CPU)28によって標準
的な手順によりなされる。制御バルブとCPUは通常の
標準的なガス流コントロールプラズマ発生装置用のもの
を用いることができる。
【0022】殺菌室4は上板30と横板32,34と底
板36と裏板31と正面のシールドは38をもってお
り、そこから殺菌されるべき物品または材料が殺菌室内
に導入される。それらの板は密封された関係にあって、
真空室を形成するように、例えば溶接などによって設け
られている。ドア38は殺菌室に密閉状況を形成するよ
うに設けられている。それは上面,横または底面に通常
のヒンジピン(構造は図示されていない)によって(図
3)に示されているO−リングの密封物にあたるように
揺動するように設けられており、ここにおいて容器内の
真空圧力と大気圧との差によってその位置に密着固定さ
れる。
板36と裏板31と正面のシールドは38をもってお
り、そこから殺菌されるべき物品または材料が殺菌室内
に導入される。それらの板は密封された関係にあって、
真空室を形成するように、例えば溶接などによって設け
られている。ドア38は殺菌室に密閉状況を形成するよ
うに設けられている。それは上面,横または底面に通常
のヒンジピン(構造は図示されていない)によって(図
3)に示されているO−リングの密封物にあたるように
揺動するように設けられており、ここにおいて容器内の
真空圧力と大気圧との差によってその位置に密着固定さ
れる。
【0023】板とドアは外気圧に耐えるだけの材料によ
り設けられている。ステンレス鋼とかアルミ板およびド
アが好ましい。容器内の内表面は決定的に内部で殺菌さ
れるべき種族の数に影響を与える。好適な材料は純粋
(98%)のアルミニウムであって、それらは直線的に
またはフレーム上のスプレーコーティングがステンレス
の容器の内側に形成されている。これに代わる材料はニ
ッケルである。理想的な材料は、例えば四フッ化エチレ
ン、(デュポン社の商品名,TEFLON)のような、
不活性高分子材料である。
り設けられている。ステンレス鋼とかアルミ板およびド
アが好ましい。容器内の内表面は決定的に内部で殺菌さ
れるべき種族の数に影響を与える。好適な材料は純粋
(98%)のアルミニウムであって、それらは直線的に
またはフレーム上のスプレーコーティングがステンレス
の容器の内側に形成されている。これに代わる材料はニ
ッケルである。理想的な材料は、例えば四フッ化エチレ
ン、(デュポン社の商品名,TEFLON)のような、
不活性高分子材料である。
【0024】ガスは殺菌室から排出ポート42を介して
通常の真空ポンプシステム(図示せず)により排気され
る。
通常の真空ポンプシステム(図示せず)により排気され
る。
【0025】図3は図1および図2に示されているプラ
ズマ殺菌装置の実施例の平面,断面図であって図2の線
3−3に沿って切断されたものである。図4は図1およ
び図3に示されているプラズマ殺菌装置を図3の線4−
4に沿って切断して示したものである。各プラズマ発生
器10,12および14は入口のキャップ44でガス入
力ポート46,48および50であってガス発生管5
1,52および53に導波管8を介して接続するキャッ
プを持っている。導波管8内においてガスは管51,5
2および53内においてプラズマに変化させられる。ガ
ス発生管はプラズマの流れをガス給送管54,56およ
び58に向け、それからガスは殺菌室60に供給され
る。ガス発生管は円柱状の金属冷却管62および64に
より囲まれている。キャップ44と冷却用の管62およ
び64は好ましくは溝または冷却フィン(図示せず)は
通常の方法でその効率を増して熱をガス発生管から除く
ために用いられる。
ズマ殺菌装置の実施例の平面,断面図であって図2の線
3−3に沿って切断されたものである。図4は図1およ
び図3に示されているプラズマ殺菌装置を図3の線4−
4に沿って切断して示したものである。各プラズマ発生
器10,12および14は入口のキャップ44でガス入
力ポート46,48および50であってガス発生管5
1,52および53に導波管8を介して接続するキャッ
プを持っている。導波管8内においてガスは管51,5
2および53内においてプラズマに変化させられる。ガ
ス発生管はプラズマの流れをガス給送管54,56およ
び58に向け、それからガスは殺菌室60に供給され
る。ガス発生管は円柱状の金属冷却管62および64に
より囲まれている。キャップ44と冷却用の管62およ
び64は好ましくは溝または冷却フィン(図示せず)は
通常の方法でその効率を増して熱をガス発生管から除く
ために用いられる。
【0026】管51,52および53の先端部分の厚さ
は増しており、そして表面が滑らかであって、断面が減
少させられているベンチュリー制限96を形成してい
る。プラズマ供給管56の端部近くに位置させられてい
るキャップ98は、予め定められた,より減少させた断
面積の開口,制限開口99を持っている。これらの制限
は本発明の好適な実施例における重要な特徴を示すもの
であって、プラズマ発生室と殺菌室間に異なるガス圧の
発生を許容し、それによって2つの室内においての動作
圧力をそれぞれ独立に最適化することを許容している。
は増しており、そして表面が滑らかであって、断面が減
少させられているベンチュリー制限96を形成してい
る。プラズマ供給管56の端部近くに位置させられてい
るキャップ98は、予め定められた,より減少させた断
面積の開口,制限開口99を持っている。これらの制限
は本発明の好適な実施例における重要な特徴を示すもの
であって、プラズマ発生室と殺菌室間に異なるガス圧の
発生を許容し、それによって2つの室内においての動作
圧力をそれぞれ独立に最適化することを許容している。
【0027】制限開口99の直径は、真空室の圧力が
0.01から100トール、好ましくは0.1から15
トールにおいて背圧が0.1から150トールもしく
は、より好ましくは1から40トールをプラズマ生成領
域において維持する。この圧力が酸素;アルゴン,ヘリ
ウムおよび/または窒素;および/または水素の混合気
体へ電磁界から最適なエネルギーの転移を許容しそして
最小の電力において最小の温度で高いプラズマの発生を
得るための主要な要素となっている。
0.01から100トール、好ましくは0.1から15
トールにおいて背圧が0.1から150トールもしく
は、より好ましくは1から40トールをプラズマ生成領
域において維持する。この圧力が酸素;アルゴン,ヘリ
ウムおよび/または窒素;および/または水素の混合気
体へ電磁界から最適なエネルギーの転移を許容しそして
最小の電力において最小の温度で高いプラズマの発生を
得るための主要な要素となっている。
【0028】ガス給送管54,56および58の先端は
ばねで付勢されたプレート32に設けられた支持端66
でばねバイヤスされて支持されている。
ばねで付勢されたプレート32に設けられた支持端66
でばねバイヤスされて支持されている。
【0029】ドア38は外気圧によってフランジ41に
設けられて横板32と34間と正面および底板30,3
6(図示せず)に広がっているO−リングシール40に
圧力がかけられて押しつけられている。適宜に付加的な
通常のクランプまたはラッチ装置が真空,排気開始前に
ドアを閉めるために用いることができる。
設けられて横板32と34間と正面および底板30,3
6(図示せず)に広がっているO−リングシール40に
圧力がかけられて押しつけられている。適宜に付加的な
通常のクランプまたはラッチ装置が真空,排気開始前に
ドアを閉めるために用いることができる。
【0030】図5,図6および図7はガス排気管54,
58および56の各々の断面図であって、ガス排気管の
出口の角度位置が示されている。出力ポートは殺菌室6
0内で殺菌されるべき物質が配置される下側の部分のす
べての部分に設けられている。図5に示されている管5
4は裏板37に隣接して配置されプラズマガスを下方向
および室内の中心部下寄りの出力ポート70および72
のそれぞれから放出する。図6に示されている管58は
ドア38に近接してプラズマガスを下方向または室内の
中心方向に出口ポート74,76により各々放出するよ
うに設けられている。図7に示されている管7は殺菌室
60の中央の部分に配置され、プラズマガスを下方に出
口78,80を介して送り出す。給送管に設けられてい
る出力ポートは他の形状であって、理想的なプラズマ配
分をひとつの殺菌領域または複数の領域に向けるために
変えることができる。ひとつの角度配列のみが示されて
いるが各々の管は1組以上の出力ポートをもって、菅の
長さ方向の位置によって異なる角度をもつようになって
いる。出力ポートの角度の調節と位置は殺菌されるべき
物質が室内に配置される位置および殺菌されるべき物質
の形によって選ばれる。
58および56の各々の断面図であって、ガス排気管の
出口の角度位置が示されている。出力ポートは殺菌室6
0内で殺菌されるべき物質が配置される下側の部分のす
べての部分に設けられている。図5に示されている管5
4は裏板37に隣接して配置されプラズマガスを下方向
および室内の中心部下寄りの出力ポート70および72
のそれぞれから放出する。図6に示されている管58は
ドア38に近接してプラズマガスを下方向または室内の
中心方向に出口ポート74,76により各々放出するよ
うに設けられている。図7に示されている管7は殺菌室
60の中央の部分に配置され、プラズマガスを下方に出
口78,80を介して送り出す。給送管に設けられてい
る出力ポートは他の形状であって、理想的なプラズマ配
分をひとつの殺菌領域または複数の領域に向けるために
変えることができる。ひとつの角度配列のみが示されて
いるが各々の管は1組以上の出力ポートをもって、菅の
長さ方向の位置によって異なる角度をもつようになって
いる。出力ポートの角度の調節と位置は殺菌されるべき
物質が室内に配置される位置および殺菌されるべき物質
の形によって選ばれる。
【0031】プラズマは放出されるときに好ましくは9
0°角度を変えて殺菌室内に放出される。これは熱いプ
ラズマ中の活性化された酸素原子が殺菌されるべき物品
に直接に飛び込まないようにして、包装容器材料の酸化
の感度を著しく減少させる。プラズマガスを殺菌室では
なく比較的に冷たい給送管に突入させることにより、物
品と包装容器を冷たい状態に保ち酸化を防ぐ。
0°角度を変えて殺菌室内に放出される。これは熱いプ
ラズマ中の活性化された酸素原子が殺菌されるべき物品
に直接に飛び込まないようにして、包装容器材料の酸化
の感度を著しく減少させる。プラズマガスを殺菌室では
なく比較的に冷たい給送管に突入させることにより、物
品と包装容器を冷たい状態に保ち酸化を防ぐ。
【0032】図8は図3のプラズマ発生管12の部分の
詳細な断面図であって、図9は図3に示されているプラ
ズマ発生管の出口の組立をより詳細に示している。ガス
の入口ポート46,45はガスの入口キャップ44に設
けられていて、それらは通路82か84によってガス入
口通路86を介して入力ポート48に接続されている。
入力ポートに供給されているガスは通路86によって混
合される。混合されたガスは管52の基部に流れ込み、
導波管8の中の励起領域87において励起されてプラズ
マが形成される。プラズマ発生管52の基部端が円筒状
の突起88によって支持されている。O−リング90ま
たは他の形式の密封材料が機密のシール構造を提供し、
これにより管52内の減圧された気体中に大気中のガス
がこのシステム内に混入することを防止している。
詳細な断面図であって、図9は図3に示されているプラ
ズマ発生管の出口の組立をより詳細に示している。ガス
の入口ポート46,45はガスの入口キャップ44に設
けられていて、それらは通路82か84によってガス入
口通路86を介して入力ポート48に接続されている。
入力ポートに供給されているガスは通路86によって混
合される。混合されたガスは管52の基部に流れ込み、
導波管8の中の励起領域87において励起されてプラズ
マが形成される。プラズマ発生管52の基部端が円筒状
の突起88によって支持されている。O−リング90ま
たは他の形式の密封材料が機密のシール構造を提供し、
これにより管52内の減圧された気体中に大気中のガス
がこのシステム内に混入することを防止している。
【0033】この断面図において、選択的に用いられる
プラズマ起動用のイオナイザ(イオン化装置)が示され
ている。チップ81は絶縁性の管83に接続され(略図
的に示されている)電源85であって標準的な115ボ
ルトの交流電圧に接続されている。設置導管はガスの入
口キャップ44を前記電力供給源に接続している。電界
はガス分子の開口48から通路86に流れる部分をイオ
ン化し、イオン化されたガスは急速に前記ガスが領域8
7を通過するときにプラズマを発生して支持する。イオ
ン化装置はガス通路のこの発明によるプラズマ殺菌装置
の任意の位置に設けることができる。
プラズマ起動用のイオナイザ(イオン化装置)が示され
ている。チップ81は絶縁性の管83に接続され(略図
的に示されている)電源85であって標準的な115ボ
ルトの交流電圧に接続されている。設置導管はガスの入
口キャップ44を前記電力供給源に接続している。電界
はガス分子の開口48から通路86に流れる部分をイオ
ン化し、イオン化されたガスは急速に前記ガスが領域8
7を通過するときにプラズマを発生して支持する。イオ
ン化装置はガス通路のこの発明によるプラズマ殺菌装置
の任意の位置に設けることができる。
【0034】図9を参照するとプラズマ発生管50の先
端部の外周90には内側にテーパが設けられており、O
−リング94またはその他のシール材料により裏板37
にシールされている。管52の先端は厚さが増加させら
れており、円滑な表面に形成されている減少させられた
断面積のベンチュリー制限96を形成している。プラズ
マ給送管56の基部に位置するキャップ98には予め制
限された開口99を設けて断面積を制限している。この
制限は本発明による具体例の重要な特徴を示しており、
領域87で発生される低いプラズマと管56および殺菌
室60間の圧力差を形成している。
端部の外周90には内側にテーパが設けられており、O
−リング94またはその他のシール材料により裏板37
にシールされている。管52の先端は厚さが増加させら
れており、円滑な表面に形成されている減少させられた
断面積のベンチュリー制限96を形成している。プラズ
マ給送管56の基部に位置するキャップ98には予め制
限された開口99を設けて断面積を制限している。この
制限は本発明による具体例の重要な特徴を示しており、
領域87で発生される低いプラズマと管56および殺菌
室60間の圧力差を形成している。
【0035】制限的な開口99の直径は背圧が0.1か
ら150トール、好ましくは1から40トール、プラズ
マ発生領域の真空室の圧力を0.01から15トールに
するように選ばれている。この圧力が酸素;アルゴン,
ヘリウムおよび/または窒素;または/および水素の混
合ガスで理想的なエネルギーの消費とプラズマの発生を
させることおよびこのことが高い収率のプラズマの発生
を低温下で最低の電力消費で実現する主たる条件となっ
ている。
ら150トール、好ましくは1から40トール、プラズ
マ発生領域の真空室の圧力を0.01から15トールに
するように選ばれている。この圧力が酸素;アルゴン,
ヘリウムおよび/または窒素;または/および水素の混
合ガスで理想的なエネルギーの消費とプラズマの発生を
させることおよびこのことが高い収率のプラズマの発生
を低温下で最低の電力消費で実現する主たる条件となっ
ている。
【0036】図10は図3の線10−10に沿って切断
して示された図1の導波管の断面図である。導波管は頂
面の板と底面の板100および102と、横の板104
と106(図3)と端部の板108,110が溶接され
るかまたはボルトで留められて構成されている。ひとつ
のマグネトロンの軸112が導波管8の端部に設けられ
ている。プラズマ発生管51,52および53は導波管
8内に位置させられている。プラズマ発生管の位置は最
大の電磁界のエネルギーをプラズマに変換するように選
ばれる。管53は電界の3分の1の所でかかわり合うよ
うに配置され、管51と52のかかわり合うところから
外れている。管52は電界の3分の1(残りの電界の半
分)で管51がかかわり合うところから外れている。管
51は最大に残りの電界とかかわり合うように配置され
ている。この構造においてひとつのマグネトロンが複数
のガス発生管にプラズマを発生させるように用いること
ができる。詳細な管の配置は導波管の大きさと付勢用の
波の波長または周波数によって決められる。
して示された図1の導波管の断面図である。導波管は頂
面の板と底面の板100および102と、横の板104
と106(図3)と端部の板108,110が溶接され
るかまたはボルトで留められて構成されている。ひとつ
のマグネトロンの軸112が導波管8の端部に設けられ
ている。プラズマ発生管51,52および53は導波管
8内に位置させられている。プラズマ発生管の位置は最
大の電磁界のエネルギーをプラズマに変換するように選
ばれる。管53は電界の3分の1の所でかかわり合うよ
うに配置され、管51と52のかかわり合うところから
外れている。管52は電界の3分の1(残りの電界の半
分)で管51がかかわり合うところから外れている。管
51は最大に残りの電界とかかわり合うように配置され
ている。この構造においてひとつのマグネトロンが複数
のガス発生管にプラズマを発生させるように用いること
ができる。詳細な管の配置は導波管の大きさと付勢用の
波の波長または周波数によって決められる。
【0037】図10に示される3つの管は例示のために
示されたものであって、制限のために示されたものでは
ない。任意の数,奇数または偶数の管がすべての電磁界
のエネルギーが吸収されるまで配置することができる。
示されたものであって、制限のために示されたものでは
ない。任意の数,奇数または偶数の管がすべての電磁界
のエネルギーが吸収されるまで配置することができる。
【0038】図11はひとつの導波管を用いた本発明に
よるプラズマ殺菌装置の表面の断面図である。3つのプ
ラズマ発生ユニット120が殺菌室120の上に設けら
れ、殺菌室は上板124,下板126,背板128,背
板130および横板128,132によって規定され
る。ドアの板(図示せず)は室の全面に図2および図3
を参照して説明したように容器の全面と密封接触するよ
うに設けられる。ガスは室を通って排気部分136,床
の板126に設けられている排気部分136から放出さ
れる。
よるプラズマ殺菌装置の表面の断面図である。3つのプ
ラズマ発生ユニット120が殺菌室120の上に設けら
れ、殺菌室は上板124,下板126,背板128,背
板130および横板128,132によって規定され
る。ドアの板(図示せず)は室の全面に図2および図3
を参照して説明したように容器の全面と密封接触するよ
うに設けられる。ガスは室を通って排気部分136,床
の板126に設けられている排気部分136から放出さ
れる。
【0039】プラズマ発生装置は混合ガス138のため
の入口ポートを持っていて、それはプラズマ発生管13
9,140および141であって、導波管142の中に
位置させられているものに接続されここでガスがプラズ
マに活性化されて変換される。プラズマはプラズマ給送
管144によって、殺菌室122の内部に導かれる。各
々のプラズマ給送管144は図14の具体例に関連し
て、詳細に示されるようにT字型にすることができる。
給送管はプラズマガスを殺菌室中に均一に供給すること
ができる任意の形状と大きさにすることができる。この
具体例におけるプラズマ発生源はマグネトロン146で
あって導波管142の端の部分に位置させられている。
の入口ポートを持っていて、それはプラズマ発生管13
9,140および141であって、導波管142の中に
位置させられているものに接続されここでガスがプラズ
マに活性化されて変換される。プラズマはプラズマ給送
管144によって、殺菌室122の内部に導かれる。各
々のプラズマ給送管144は図14の具体例に関連し
て、詳細に示されるようにT字型にすることができる。
給送管はプラズマガスを殺菌室中に均一に供給すること
ができる任意の形状と大きさにすることができる。この
具体例におけるプラズマ発生源はマグネトロン146で
あって導波管142の端の部分に位置させられている。
【0040】図12は図11の具体例の導波管の断面図
であって、図11の線12−12によって切断して示さ
れたものである。この導波管は表面の板と底の板150
と152(図11),横の板154と156および端の
板158と160からが溶接またはボルトによって付け
られている。ひとつのマグネトロンの軸162が導波管
の端部に位置させられている。プラズマ発生管139,
140および141は導波管142の中に配置させられ
ている。プラズマ発生管の位置は電磁界のエネルギーを
プラズマに変換するための最大の変換ができる位置に設
けられている。管141は3分の1の電磁界の領域にか
かわりあい、他の管140と139とがかかわり合う領
域とは関係をしない。管140は全体の3分の1とかか
わり合って(残りの全体の2分の1)、管139と関連
する領域とはかかわり合わない。管139は残りの電界
と最大にかかわり合うように位置させられている。この
形状においてひとつのマグネトロンがプラズマと複数個
のガス発生管においてプラズマを発生するように利用さ
れている。この管の詳細な位置は導波管の形状と付勢す
る波の波長または周波数によって正確に決められる。3
つの管が図12に例として示されているのであって、こ
れは制限的な意味で示されているのではない。任意の
数,奇数であろうと偶数であろうと管は電磁界のすべて
が吸収されるように配置される。
であって、図11の線12−12によって切断して示さ
れたものである。この導波管は表面の板と底の板150
と152(図11),横の板154と156および端の
板158と160からが溶接またはボルトによって付け
られている。ひとつのマグネトロンの軸162が導波管
の端部に位置させられている。プラズマ発生管139,
140および141は導波管142の中に配置させられ
ている。プラズマ発生管の位置は電磁界のエネルギーを
プラズマに変換するための最大の変換ができる位置に設
けられている。管141は3分の1の電磁界の領域にか
かわりあい、他の管140と139とがかかわり合う領
域とは関係をしない。管140は全体の3分の1とかか
わり合って(残りの全体の2分の1)、管139と関連
する領域とはかかわり合わない。管139は残りの電界
と最大にかかわり合うように位置させられている。この
形状においてひとつのマグネトロンがプラズマと複数個
のガス発生管においてプラズマを発生するように利用さ
れている。この管の詳細な位置は導波管の形状と付勢す
る波の波長または周波数によって正確に決められる。3
つの管が図12に例として示されているのであって、こ
れは制限的な意味で示されているのではない。任意の
数,奇数であろうと偶数であろうと管は電磁界のすべて
が吸収されるように配置される。
【0041】プラズマ発生管とプラズマ給送管のシール
と流れの制限の詳細な構造は図11の具体例に示した対
応するものの形状とほぼ同じであって、そこに詳細に示
されている。
と流れの制限の詳細な構造は図11の具体例に示した対
応するものの形状とほぼ同じであって、そこに詳細に示
されている。
【0042】図13は本発明による多数のマグネトロン
プラズマ殺菌装置の正面断面図であって図14は図13
の14−14に沿って切断して示した図である。この実
施例の3つのプラズマ発生部208は殺菌室容器229
の上に配置させられており、各々は酸素;アルゴン,ヘ
リウムおよび/または窒素;および/または水素のガス
混合気が入口210を介して導波管202に配置された
プラズマ発生管230に導かれプラズマを生成する。生
成されたプラズマはプラズマ発生管230を介して各々
のガス分配キャップ211,212および213により
殺菌室より229に導かれる。給送管はプラズマガスを
均一に殺菌室内に分配するために要求される任意の長さ
と形状をもつことができる。給送管は壊れにくい材料か
ら作られることが特に望ましい。適当な壊れにくい管と
して酸化に耐久力を持つ金属、例えばステンレス鋼を用
いることができる。最適な材料は例えば四フッ化エチレ
ン、(デュポン社の商品名,TEFLON)のような不
活性な高分子材料である。
プラズマ殺菌装置の正面断面図であって図14は図13
の14−14に沿って切断して示した図である。この実
施例の3つのプラズマ発生部208は殺菌室容器229
の上に配置させられており、各々は酸素;アルゴン,ヘ
リウムおよび/または窒素;および/または水素のガス
混合気が入口210を介して導波管202に配置された
プラズマ発生管230に導かれプラズマを生成する。生
成されたプラズマはプラズマ発生管230を介して各々
のガス分配キャップ211,212および213により
殺菌室より229に導かれる。給送管はプラズマガスを
均一に殺菌室内に分配するために要求される任意の長さ
と形状をもつことができる。給送管は壊れにくい材料か
ら作られることが特に望ましい。適当な壊れにくい管と
して酸化に耐久力を持つ金属、例えばステンレス鋼を用
いることができる。最適な材料は例えば四フッ化エチレ
ン、(デュポン社の商品名,TEFLON)のような不
活性な高分子材料である。
【0043】殺菌室229は金属板を溶接することによ
って機密な構造に構成されており、室内が排気されたと
きの外圧に耐えうる構造となっている。この構造は上の
板214,底板216,背板218,横板217,21
9を含んでいる。排気ポート222は底板216に設け
られている。ドア224は通常のヒンジピン構造(図示
せず)によって横(頂部)または底板,部屋の壁に図1
を参照して説明したように設けられている。ドア224
は外気圧によって、フランジ227が横板217,21
9および上板および底板214および216(図示せ
ず)に広がるO−リングシール225に圧力を持って接
するように設けられている。好ましくは付加的な通常用
いられるクランプまたはラッチ装置が排気が開始させら
れる前にドアを閉めるために用いられる。
って機密な構造に構成されており、室内が排気されたと
きの外圧に耐えうる構造となっている。この構造は上の
板214,底板216,背板218,横板217,21
9を含んでいる。排気ポート222は底板216に設け
られている。ドア224は通常のヒンジピン構造(図示
せず)によって横(頂部)または底板,部屋の壁に図1
を参照して説明したように設けられている。ドア224
は外気圧によって、フランジ227が横板217,21
9および上板および底板214および216(図示せ
ず)に広がるO−リングシール225に圧力を持って接
するように設けられている。好ましくは付加的な通常用
いられるクランプまたはラッチ装置が排気が開始させら
れる前にドアを閉めるために用いられる。
【0044】図14を参照すると酸素;アルゴン,ヘリ
ウムおよび/または窒素;および/または水素ガスが入
口である前記228,231および232を介して制御
バルブとガス混合ユニット233であってCPU234
に制御されるものに接続されている。ガス混合気は導管
235を介して入口ポート210に供給され、それから
プラズマ発生管230であって、プラズマに導かれそこ
でプラズマガスを形成する。制御バルブおよびCPUは
よく知られている通常のものであって、プラズマ発生装
置のガス流コントロールの標準的な装置が用いられる。
導波管202はマグネトロン206で発生させられた電
磁波をその電磁エネルギーがプラズマ発生管230の配
置させられているところに集中させるように送出する。
同調用のロッド240は電磁波が理想的なプラズマ発生
を提供するように同調するように軸方向に配置されてい
る。ガスプラズマはガス給送管212に供給され、その
YまたはT分配部241に供給される。水平方向の給送
管は角度を持った出力ポートが角度のずれをもって図
5,図6および図7に示されているように設けられてい
る。プラズマは少なくとも2回90°の角度変換を持っ
て殺菌室に導かれる。これにより熱い発生期のプラズマ
が殺菌されるべき物品に直接に飛び込んで、そのプラズ
マの中の活性化された酸素原子によって酸化に敏感であ
る包装材料を著しく損なわないようにしている。
ウムおよび/または窒素;および/または水素ガスが入
口である前記228,231および232を介して制御
バルブとガス混合ユニット233であってCPU234
に制御されるものに接続されている。ガス混合気は導管
235を介して入口ポート210に供給され、それから
プラズマ発生管230であって、プラズマに導かれそこ
でプラズマガスを形成する。制御バルブおよびCPUは
よく知られている通常のものであって、プラズマ発生装
置のガス流コントロールの標準的な装置が用いられる。
導波管202はマグネトロン206で発生させられた電
磁波をその電磁エネルギーがプラズマ発生管230の配
置させられているところに集中させるように送出する。
同調用のロッド240は電磁波が理想的なプラズマ発生
を提供するように同調するように軸方向に配置されてい
る。ガスプラズマはガス給送管212に供給され、その
YまたはT分配部241に供給される。水平方向の給送
管は角度を持った出力ポートが角度のずれをもって図
5,図6および図7に示されているように設けられてい
る。プラズマは少なくとも2回90°の角度変換を持っ
て殺菌室に導かれる。これにより熱い発生期のプラズマ
が殺菌されるべき物品に直接に飛び込んで、そのプラズ
マの中の活性化された酸素原子によって酸化に敏感であ
る包装材料を著しく損なわないようにしている。
【0045】図15は図14に示されるプラズマ発生装
置のプラズマ発生管の断面図であって、管の構造とガス
配管への接続を詳細に示している。管230は熱放射キ
ャップ250と密封するようにO−リング252または
その他の同様のシールによって密封して結合させられて
いる。管の下端は同様に熱放射スリーブ254にO−リ
ング256によって密封されて保持されている。給送管
212の基部端は管230の端部に向かってのびてお
り、そしてO−リング258による熱放射スリーブの下
端に密封された関係において保持されている。キャップ
260はプラズマ給送管212の基部に設けられてお
り、予め選択された制限性の開口262をその領域の断
面を減少するために設けられている。図9の実施例に関
連して説明されたようにこの制限は本実施例の重要な特
徴であって、低い圧力のプラズマ発生ゾーンと真空圧の
給送管と殺菌室管の間の圧力の差を作っている。
置のプラズマ発生管の断面図であって、管の構造とガス
配管への接続を詳細に示している。管230は熱放射キ
ャップ250と密封するようにO−リング252または
その他の同様のシールによって密封して結合させられて
いる。管の下端は同様に熱放射スリーブ254にO−リ
ング256によって密封されて保持されている。給送管
212の基部端は管230の端部に向かってのびてお
り、そしてO−リング258による熱放射スリーブの下
端に密封された関係において保持されている。キャップ
260はプラズマ給送管212の基部に設けられてお
り、予め選択された制限性の開口262をその領域の断
面を減少するために設けられている。図9の実施例に関
連して説明されたようにこの制限は本実施例の重要な特
徴であって、低い圧力のプラズマ発生ゾーンと真空圧の
給送管と殺菌室管の間の圧力の差を作っている。
【0046】制限的な開口262の直径は真空室の圧力
を0.01から100トール,好ましくは0.1から1
5トールに保った状態でプラズマ発生領域を0.1から
150トール、好ましくは背圧を1から40トールに保
つように決められる。この圧力が、アルゴン,ヘリウム
および/または窒素;および酸素および/または水素を
含むガス混合気で理想的なエネルギー消費とプラズマガ
ス発生を提供しその結果本発明による装置で最小の電力
消費を実現する。
を0.01から100トール,好ましくは0.1から1
5トールに保った状態でプラズマ発生領域を0.1から
150トール、好ましくは背圧を1から40トールに保
つように決められる。この圧力が、アルゴン,ヘリウム
および/または窒素;および酸素および/または水素を
含むガス混合気で理想的なエネルギー消費とプラズマガ
ス発生を提供しその結果本発明による装置で最小の電力
消費を実現する。
【0047】本発明の具体例として3つのプラズマ発生
ユニットを持つものが示されている。発生装置の数は厳
格なものではなくて使用される特定の殺菌室に対して良
いプラズマの分配を提供することができるように選ばれ
る。任意の数のプラズマ発生装置を各々の殺菌室に対し
て用いることができ、それらは本発明の範囲内に含まれ
る。この導波管構成の1つのマグネトロンから発生され
た電磁界と相互関連するために任意のガスの任意の数の
ガスプラズマ管を配列することができ、そして他の導波
管の形状も本効果を実現するために用いることができ
る。好ましいプラズマ発生管、およびプラズマ給送管は
水晶から作られる。必要な物理的、化学的および電気的
特徴をもつ材料がプラズマ発生管として電磁界中でプラ
ズマを発生させるために用いることができる。同様にし
て導管や配管がプラズマ発生装置から殺菌室にプラズマ
を輸送するために用いられるのであるがその材料が必要
な形状と必要な強度をプラズマガスによって発生させら
れる化学反応に対して抵抗力を持つものであればよい。
適当な輸送用の配管材料として水晶やその他のガスに浸
食対向性を持つ物;ステンレス鋼または他の酸化抵抗性
を持つ物;酸化抵抗性プラスチックである,例えばフル
オロカーボンポリマすなわちテフロンや、またはシロザ
ーネポリマーが用いられる。
ユニットを持つものが示されている。発生装置の数は厳
格なものではなくて使用される特定の殺菌室に対して良
いプラズマの分配を提供することができるように選ばれ
る。任意の数のプラズマ発生装置を各々の殺菌室に対し
て用いることができ、それらは本発明の範囲内に含まれ
る。この導波管構成の1つのマグネトロンから発生され
た電磁界と相互関連するために任意のガスの任意の数の
ガスプラズマ管を配列することができ、そして他の導波
管の形状も本効果を実現するために用いることができ
る。好ましいプラズマ発生管、およびプラズマ給送管は
水晶から作られる。必要な物理的、化学的および電気的
特徴をもつ材料がプラズマ発生管として電磁界中でプラ
ズマを発生させるために用いることができる。同様にし
て導管や配管がプラズマ発生装置から殺菌室にプラズマ
を輸送するために用いられるのであるがその材料が必要
な形状と必要な強度をプラズマガスによって発生させら
れる化学反応に対して抵抗力を持つものであればよい。
適当な輸送用の配管材料として水晶やその他のガスに浸
食対向性を持つ物;ステンレス鋼または他の酸化抵抗性
を持つ物;酸化抵抗性プラスチックである,例えばフル
オロカーボンポリマすなわちテフロンや、またはシロザ
ーネポリマーが用いられる。
【0048】プラズマはそれが殺菌室に放出される前に
方向の転換、好ましくは少なくとも90°の転換がなさ
れる。これは殺菌されるべき材料上に熱いプラズマが直
接突入することを防いでいる。ガス配管はイオンがガス
配管の表面に衝突することによって再結合しあるいはU
V放射(紫外放射)を許容する。
方向の転換、好ましくは少なくとも90°の転換がなさ
れる。これは殺菌されるべき材料上に熱いプラズマが直
接突入することを防いでいる。ガス配管はイオンがガス
配管の表面に衝突することによって再結合しあるいはU
V放射(紫外放射)を許容する。
【0049】この装置は殺菌用のプラズマを酸素の混合
気;アルゴン、ヘリウム、および/もしくは窒素;およ
び水素または空気の混合気および水素であって酸素また
は窒素が好ましい割合で補填されているものを用いて殺
菌性のプラズマを発生させることができる。殺菌は0.
01から15トールより好ましくは0.1から15トー
ルの圧力下において実行される。ガスの流れの均一性を
保つことガスの流れと温度の均一性を殺菌室内において
保つことを条件に殺菌はより高い圧力下に実行すること
ができる。殺菌室内の温度は80°C以下およびさらに
好ましくは38°Cから60°Cに特に高温に対して耐
性を持てない物質に対して選択される。より高い温度
が、温度に対して抵抗性を持つ物質に対しては利用でき
る。
気;アルゴン、ヘリウム、および/もしくは窒素;およ
び水素または空気の混合気および水素であって酸素また
は窒素が好ましい割合で補填されているものを用いて殺
菌性のプラズマを発生させることができる。殺菌は0.
01から15トールより好ましくは0.1から15トー
ルの圧力下において実行される。ガスの流れの均一性を
保つことガスの流れと温度の均一性を殺菌室内において
保つことを条件に殺菌はより高い圧力下に実行すること
ができる。殺菌室内の温度は80°C以下およびさらに
好ましくは38°Cから60°Cに特に高温に対して耐
性を持てない物質に対して選択される。より高い温度
が、温度に対して抵抗性を持つ物質に対しては利用でき
る。
【0050】ここに開示された装置は電荷を持たず高い
反応性をもつ種別のプラズマを発生させることができ
る。例えばプラズマ発生室においては酸素と水素がマイ
クロ波照射によって活性化されて当初の高い密度のイオ
ン密度を持つプラズマをイオン密度と紫外線照射をもつ
ものを形成する。これらはそれらが殺菌対象の物品また
はパッケージに対して強い破壊力を持つ傾向があるので
殺菌室に入ることが許されない。前記UV放射はプラズ
マ発生室内に極在しておりそしてそれらは制限手段によ
って制限手段とプラズマ給送手段によってそれらが殺菌
室に到達する前に減衰させられる。同様にして高いエネ
ルギーをもつイオンは制限手段とプラズマ給送手段の内
壁にすることによりそれらは自由電子と再結合して電荷
を持たない高い反応性を持つ自由基、電荷を持たない原
子と活性化された分子に変えられる。プラズマが殺菌室
に到達するときにはプラズマの下流の生成物質は高い濃
度の高い反応性をもつ電荷をもたない自由基、電荷を持
たない原子または活性化された分子である。
反応性をもつ種別のプラズマを発生させることができ
る。例えばプラズマ発生室においては酸素と水素がマイ
クロ波照射によって活性化されて当初の高い密度のイオ
ン密度を持つプラズマをイオン密度と紫外線照射をもつ
ものを形成する。これらはそれらが殺菌対象の物品また
はパッケージに対して強い破壊力を持つ傾向があるので
殺菌室に入ることが許されない。前記UV放射はプラズ
マ発生室内に極在しておりそしてそれらは制限手段によ
って制限手段とプラズマ給送手段によってそれらが殺菌
室に到達する前に減衰させられる。同様にして高いエネ
ルギーをもつイオンは制限手段とプラズマ給送手段の内
壁にすることによりそれらは自由電子と再結合して電荷
を持たない高い反応性を持つ自由基、電荷を持たない原
子と活性化された分子に変えられる。プラズマが殺菌室
に到達するときにはプラズマの下流の生成物質は高い濃
度の高い反応性をもつ電荷をもたない自由基、電荷を持
たない原子または活性化された分子である。
【0051】典型的にいってマイクロ波源はプラズマを
生成するために用いられる。それは導波管によって導か
れて電磁界(EM)の領域が高度に閉じ込められた領域
を形成する。その電界は殺菌室に到達することができな
い。かくして高いエネルギーと紫外光はプラズマ発生室
にのみ存在しその外側には存在しえない。また、殺菌室
の中に不均一性を発生させるようなEM界は存在しえな
い。前述した紫外線とイオンの通過を妨害する物とは別
の制限手段がプラズマ発生室の外においてプラズマを生
成させることは好ましくない。制限手段は最適なガス圧
をプラズマ発生室でプラズマを生成させるために維持し
ている。制限手段を超えてガスが流出すると圧力とEM
界が通常の条件下において生成を不可能にするように低
下する。かくしてUVとイオンはプラズマ発生室におい
てのみ発生させられ一度外部に出ると下流のプラズマで
あって高い濃度の高い反応性をもつ電荷を持たない自由
基、電子および励起された分子を形成するような分散が
許容される。
生成するために用いられる。それは導波管によって導か
れて電磁界(EM)の領域が高度に閉じ込められた領域
を形成する。その電界は殺菌室に到達することができな
い。かくして高いエネルギーと紫外光はプラズマ発生室
にのみ存在しその外側には存在しえない。また、殺菌室
の中に不均一性を発生させるようなEM界は存在しえな
い。前述した紫外線とイオンの通過を妨害する物とは別
の制限手段がプラズマ発生室の外においてプラズマを生
成させることは好ましくない。制限手段は最適なガス圧
をプラズマ発生室でプラズマを生成させるために維持し
ている。制限手段を超えてガスが流出すると圧力とEM
界が通常の条件下において生成を不可能にするように低
下する。かくしてUVとイオンはプラズマ発生室におい
てのみ発生させられ一度外部に出ると下流のプラズマで
あって高い濃度の高い反応性をもつ電荷を持たない自由
基、電子および励起された分子を形成するような分散が
許容される。
【0052】このような条件下において効果的な殺菌が
殺菌させられるべき物品が配置させられる包装材料を著
しく損傷することなく効果的に行われる。
殺菌させられるべき物品が配置させられる包装材料を著
しく損傷することなく効果的に行われる。
【0053】プラズマ殺菌のための本発明方法は殺菌さ
れる物質をアルゴン,ヘリウムまたは窒素であって酸素
およびまたは水素60°C以下の温度で0.01から1
00トールの圧力より好ましくは0.1から15トール
の圧力で処理時間が少なくとも5および好ましくは10
から15分間でさらす工程を踏んでいる。包み込まれた
物品を殺菌するためにガス混合気プラズマを生成させる
ためのガス混合気は1〜21(V/V)%の酸素と1〜
20(V/V)%の水素とバランスとしてのアルゴン,
ヘリウム,および/または窒素と選択的に少量の不活性
ガスを含んでいる。
れる物質をアルゴン,ヘリウムまたは窒素であって酸素
およびまたは水素60°C以下の温度で0.01から1
00トールの圧力より好ましくは0.1から15トール
の圧力で処理時間が少なくとも5および好ましくは10
から15分間でさらす工程を踏んでいる。包み込まれた
物品を殺菌するためにガス混合気プラズマを生成させる
ためのガス混合気は1〜21(V/V)%の酸素と1〜
20(V/V)%の水素とバランスとしてのアルゴン,
ヘリウム,および/または窒素と選択的に少量の不活性
ガスを含んでいる。
【0054】パッケージを殺菌するためのガス混合気発
生プラズマは好ましくは1〜10(V/V)%の酸素と
2〜8(V/V)%の水素を、そして好ましくは2〜8
(V/V)%の酸素と3〜7(V/V)%の水素を含ん
でいる。容器は少なくとも15分そして好ましくは1〜
5時間処理される。
生プラズマは好ましくは1〜10(V/V)%の酸素と
2〜8(V/V)%の水素を、そして好ましくは2〜8
(V/V)%の酸素と3〜7(V/V)%の水素を含ん
でいる。容器は少なくとも15分そして好ましくは1〜
5時間処理される。
【0055】他の具体例として容器に包まれた物品は少
なくとも15分間さらに好ましくは1〜5時間の1〜1
0(V/V)%の水素および90〜99(V/V)%の
アルゴン,ヘリウムおよび/または窒素、僅かにまたは
酸素のほとんど無いもので、理想的なもので理想的な混
合気は5(V/V)%の水素と約95(V/V)%の酸
素を含んでいるものによって処理される。
なくとも15分間さらに好ましくは1〜5時間の1〜1
0(V/V)%の水素および90〜99(V/V)%の
アルゴン,ヘリウムおよび/または窒素、僅かにまたは
酸素のほとんど無いもので、理想的なもので理想的な混
合気は5(V/V)%の水素と約95(V/V)%の酸
素を含んでいるものによって処理される。
【0056】例えば金属性の外科の器具のように酸化に
対して抵抗性をもつものは少なくても1分、好ましくは
5分以内10〜40(V/V)%の酸素;60〜90%
のアルゴン,ヘリウムおよび/または窒素;および選択
的な量の水素および/または不活性ガスを0.01〜1
00トールより好ましくは0.1〜15トールの圧力の
ガスを用いて処理される。プラズマは例えば空気(21
V/V%酸素,78V/V%窒素,その他)から生成さ
れる。
対して抵抗性をもつものは少なくても1分、好ましくは
5分以内10〜40(V/V)%の酸素;60〜90%
のアルゴン,ヘリウムおよび/または窒素;および選択
的な量の水素および/または不活性ガスを0.01〜1
00トールより好ましくは0.1〜15トールの圧力の
ガスを用いて処理される。プラズマは例えば空気(21
V/V%酸素,78V/V%窒素,その他)から生成さ
れる。
【0057】このプロセスの動作温度は殺菌されるべき
物質の特性によって決められるのであって殺菌過程の温
度の制限によるものではないものと理解されたい。殺菌
されるべき多くの医学的な材料は60°C以上の温度に
耐性をもたないが例えば金属製の外科用の器具はより高
い温度で処理された方が効果的である。
物質の特性によって決められるのであって殺菌過程の温
度の制限によるものではないものと理解されたい。殺菌
されるべき多くの医学的な材料は60°C以上の温度に
耐性をもたないが例えば金属製の外科用の器具はより高
い温度で処理された方が効果的である。
【0058】同様にして温度の制限は好ましい具体例を
説明するための例である。異なる大きさや表面の特徴を
持つ他のプラズマ殺菌に用いられる物に対しては異なる
圧力限界が考えられるであろう。
説明するための例である。異なる大きさや表面の特徴を
持つ他のプラズマ殺菌に用いられる物に対しては異なる
圧力限界が考えられるであろう。
【0059】殆どの物品を殺菌するための処理時間は通
常5ないし10分で充分である。正常な物品が封筒また
は他の形状の容器であって通気性、多孔性の表面を持つ
物に包装されておりプラズマが容易に浸透出来るもので
あっては通常完全な殺菌は60分以内で可能である。
常5ないし10分で充分である。正常な物品が封筒また
は他の形状の容器であって通気性、多孔性の表面を持つ
物に包装されておりプラズマが容易に浸透出来るもので
あっては通常完全な殺菌は60分以内で可能である。
【0060】殺菌の理想的な方法においては殺菌される
物品は殺菌室内においてプラズマガスがガス生成物が物
品のあらゆる表面に到達するように従来の装置によって
支持され,殺菌室は閉じられており殺菌室は排気させら
れプラズマ生成が始められプラズマガス生成品が殺菌室
に導かれる。
物品は殺菌室内においてプラズマガスがガス生成物が物
品のあらゆる表面に到達するように従来の装置によって
支持され,殺菌室は閉じられており殺菌室は排気させら
れプラズマ生成が始められプラズマガス生成品が殺菌室
に導かれる。
【0061】プラズマの要素は短いライフをもって急速
に水蒸気(またはガス)に減衰させられ水蒸気とか二酸
化炭素またはその他の毒性を持たない要素であって通常
大気中に存在すものに減衰させられる。これらは通常残
留または廃棄ガス要素として充分に認められるものであ
る。
に水蒸気(またはガス)に減衰させられ水蒸気とか二酸
化炭素またはその他の毒性を持たない要素であって通常
大気中に存在すものに減衰させられる。これらは通常残
留または廃棄ガス要素として充分に認められるものであ
る。
【0062】本発明の種々の特徴が好適な具体例につい
て説明されてきたのであるが当業者ならばそれに関して
多くの変形が可能である。したがって本発明は添付の請
求の範囲の記載の範囲内において保護を与えられるべき
である。
て説明されてきたのであるが当業者ならばそれに関して
多くの変形が可能である。したがって本発明は添付の請
求の範囲の記載の範囲内において保護を与えられるべき
である。
【図1】本発明によるプラズマ殺菌装置の平面図であ
る。
る。
【図2】図1に示したプラズマ殺菌装置の正面図であ
る。
る。
【図3】図1と図2に示されるプラズマ殺菌装置の実施
例の図2の線3−3に沿って切断して示した断面図であ
る。
例の図2の線3−3に沿って切断して示した断面図であ
る。
【図4】図3のプラズマ殺菌装置の線4−4に沿って切
断して示した断面図である。
断して示した断面図である。
【図5】図3の線5−5に沿って切断して示した管54
の断面図である。
の断面図である。
【図6】図3の線6−6に沿って切断して示した管58
の断面図である。
の断面図である。
【図7】図3の線7−7に沿って切断して示した管56
の断面図である。
の断面図である。
【図8】図1に示した実施例のプラズマ発生管の断面図
である。
である。
【図9】図9は図8に示されているプラズマ発生装置の
プラズマ発生管の詳細な部分断面図である。
プラズマ発生管の詳細な部分断面図である。
【図10】図1の実施例を図3の線10−10に沿って
切断して示した導波管の断面図である。
切断して示した導波管の断面図である。
【図11】本発明によるプラズマ殺菌装置に適した1本
の導波管の具体例を示す断面図である。
の導波管の具体例を示す断面図である。
【図12】図11に示されている導波管の具体例の断面
図であって12−12に沿って切断されたものである。
図であって12−12に沿って切断されたものである。
【図13】本発明による装置の多数のマグネトロンの具
体例を示す断面図である。
体例を示す断面図である。
【図14】本発明によるプラズマ殺菌装置の具体例の多
数の導波管の断面図を示すものであって、図13の14
−14の線に沿って切断して示されている。
数の導波管の断面図を示すものであって、図13の14
−14の線に沿って切断して示されている。
【図15】図13に示された具体例におけるプラズマ発
生管の断面図である。
生管の断面図である。
2,10,12,14 プラズマ発生器 4 殺菌室 6 マグネトロン 8 導波管 16,18,20 ガス配管 22 制御バルブ組立 24,25,26 入口の線 28 中央処理装置(CPU) 30 上板 31 裏板 32,34 横板 36 底板 38 殺菌室 42 排出ポート 44 入口のキャップ 46,48,50 ガス入力ポート 51,52,53 ガス発生管 54,56,58 ガス給送管 60 ガス殺菌室 62,64 金属冷却管 74,76 出口ポート 96 ベンチュリー制限 98 キャップ 99 制限開口 100,102 頂面の板と底面の板 104,106 横板 108,110 端部の板 112 マグネトロンの軸 122 殺菌室 126 下板(床の板) 128,130,132 背板(横板) 136 排気部分 138 混合ガス 139,140,141 プラズマ発生管 142 導波管 144 給送管 146 マグネトロン 150,152 表面の板と底の板 154,156 横の板 158,160 端の板 162 マグネトロンの軸 208 プラズマ発生部 229 殺菌室容器 210 入口 211,212,213 ガス分配管 223 ガス混合ユニット 224 ドア 230 プラズマ発生管 240 同調用のロッド 256,258 O−リング 262 制限性の開口
Claims (21)
- 【請求項1】 一つの殺菌室と,前記殺菌室の外側に設
けられた一つのプラズマ生成手段と,前記プラズマ生成
手段から前記殺菌室のプラズマを給送するためのプラズ
マ給送手段を含む物品をプラズマ殺菌するための装置で
あって;前記プラズマ生成手段はさらに以下を含む:そ
の内部にプラズマ発生するためのプラズマ発生室手段
と;前記プラズマ発生室手段の中に実質的に電磁界領域
を提供するための電磁波発生手段と;前記プラズマ発生
室手段はさらに以下を含む:入口と出口を持ち,前記入
口はガス混合気を受け入れるために結合されており前記
出力はプラズマ給送手段に結合されており,前記発生管
はガス混合気からプラズマを生成するために電磁界発生
手段の電磁界領域の中に配置されている発生管と;およ
びプラズマ生成室と殺菌室間に異なったガス圧を発揮で
きるように出口に設けられた制限手段と;から構成した
プラズマ殺菌装置。 - 【請求項2】 請求項1記載の装置において、前記発生
管は水晶の管であってマグネトロン,クライストロンま
たはRFコイルの電磁界内に配置されているプラズマ殺
菌装置。 - 【請求項3】 請求項2記載の装置において、前記電磁
界発生装置はマグネトロンであるプラズマ殺菌装置。 - 【請求項4】 請求項3記載の装置において、前記マグ
ネトロンは電磁界を電磁界領域を規定する導波管内に位
置させられており前記発生管は前記導波管を通過してい
るプラズマ殺菌装置。 - 【請求項5】 請求項4記載の装置において、前記装置
は複数のマグネトロンを含み各マグネトロンは導波管内
にそれぞれの電磁界ゾーンを規定する領域に配置され各
発生器,各発生管は各々の導波管を通過しているプラズ
マ殺菌装置。 - 【請求項6】 請求項4記載の装置において、一つのマ
グネトロンと複数の発生管で導波管を通過する複数の発
生管を含み,各々の発生管は電磁界からの電磁界のエネ
ルギーを吸収する位置に配置されているプラズマ殺菌装
置。 - 【請求項7】 請求項6記載の装置において、前記導波
管は一枚の側壁と中心軸をもっており前記導波管は一つ
の導波管,前記マグネトロンは一つの導波管の一方端に
位置させられておりそして各々の発生管はマグネトロン
から異なった距離の横壁に設けられているプラズマ殺菌
装置。 - 【請求項8】 請求項2記載の装置において、前記プラ
ズマ発生室手段と前記殺菌室とを結ぶガス給送管であっ
てプラズマの流れをそれが殺菌室に放出される前に少な
くとも90°変えそれによって電磁界に形成される熱プ
ラズマが直接的に殺菌されるべき物質にとびこまないよ
うにするプラズマ殺菌装置。 - 【請求項9】 請求項2記載の装置であってプラズマ発
生室と殺菌室とを連絡するためのガス配給管であってプ
ラズマの流れをガス給送管の内壁に抜けるように位置し
ており内壁のガス配給管と殺菌室の内壁に抜けるように
位置させられておりそれによりプラズマをそれが殺菌さ
れるべき物品に到達する前に冷却するプラズマ殺菌装
置。 - 【請求項10】 プラズマ殺菌装置であって以下を含
む:殺菌されるべき物品を収容するための殺菌室と;ガ
ス混合器がその中を通過させられるのに適したプラズマ
発生室と;イオン化されたガス混合器をプラズマ発生室
内にプラズマ流として流す手段であって前記プラズマの
流れはイオン化された生成物であって帯電した粒子と紫
外線照射をもつガス混合気イオン化手段と;プラズマ発
生室から殺菌室にプラズマを給送するものであって前記
プラズマ給送手段は紫外線の放射を前記物質が殺菌室に
到達する前に前記荷電された粒子をプラズマ中の荷電さ
れた粒子を再結合させることによって除去または減衰さ
せ,実質的に荷電しておらず高い反応性の自由基,原子
または励起されたガス混合気の励起された分子は殺菌室
内にその中に収容されている物品の殺菌を効果的にする
ために分配されるプラズマ殺菌装置。 - 【請求項11】 請求項10記載のプラズマ殺菌装置に
おいて、前記ガス混合気は酸化性および/または還元性
の物質を含むプラズマ殺菌装置。 - 【請求項12】 請求項10記載のプラズマ殺菌装置に
おいて、前記プラズマは制限装置をもっておりプラズマ
発生室と殺菌室とに異なるガス圧を維持させるプラズマ
殺菌装置。 - 【請求項13】 請求項12記載のプラズマ殺菌装置に
おいて、前記制限手段は紫外線照射を前記殺菌室内の殺
菌対象物品に届かないように除去または減衰可能なもの
であるプラズマ殺菌装置。 - 【請求項14】 請求項10記載のプラズマ殺菌装置に
おいて、前記プラズマ給送手段はプラズマ流れの中で荷
電された粒子の再結合を可能にさせるのに充分な内部表
面領域をもつ多岐管を含んでおりその結果実質的に荷電
されていない高度に反応性をもつ自由基と原子またはガ
ス混合気の励起された分子をガス滅菌室内に収容された
物品を効果的に殺菌するように給送するプラズマ殺菌装
置。 - 【請求項15】 請求項14記載のプラズマ殺菌装置に
おいて、前記多岐管は角度をもった経路をもっておりそ
こで直接的にプラズマ発生装置と殺菌室内の殺菌される
物質が直視状態にならないようにし,これによって紫外
照射を前記殺菌室内の物品に届かないようにし,そして
前記荷電されたプラズマ流中の荷電された粒子の再結合
をさせることにより実質的に電荷をもたない高度に反応
性をもつ自由基,原子およびガス混合気の励起された分
子を殺菌室内に収容される殺菌されるべき物質に給送す
るプラズマ殺菌装置。 - 【請求項16】 次のステップを含むプラズマ殺菌方
法:ガス混合器からプラズマの流れを生成し,前記プラ
ズマ流はイオン化された生成物質である荷電粒子と紫外
線の放射を含むプラズマの流れを生成するステップと;
前記プラズマ流を前記殺菌室内の粒子から前記紫外線照
射を除去するように配分し,前記プラズマ流内の荷電粒
子を下流のガスが実質的に荷電されておらず高度に反応
性をもつ自由基,原子およびガス混合気の励起された分
子にする供給ステップと前記下流のガスに前記物品をさ
らすことにより効果的に殺菌を行うステップとを含むプ
ラズマ殺菌方法。 - 【請求項17】 請求項16記載の物品をプラズマ殺菌
する方法において、前記ガス混合気は酸化性および/ま
たは還元性の物質であるプラズマ殺菌方法。 - 【請求項18】 請求項16記載のプラズマ物品をプラ
ズマ殺菌するための方法において、前記プラズマ給送手
段はガスプラズマ発生用のガス混合気と下流のガスとの
間の圧力間に差をもたせる制限手段を含むプラズマ殺菌
方法。 - 【請求項19】 請求項18記載の物品をプラズマ殺菌
する方法において、前記制限手段は,前記紫外線放射が
物品に到達することを除去または減衰させるプラズマ殺
菌方法。 - 【請求項20】 請求項16記載の物品をプラズマ殺菌
する方法において、前記プラズマ給送手段はプラズマの
流れにおいて荷電粒子の再結合を許容するのに充分な内
部表面をもつ多岐管をもちその結果物品は粒子,実質的
に荷電されておらず高度に反応性をもつ自由基,原子ま
たはガス混合気中の励起された分子にさらされるプラズ
マ殺菌方法。 - 【請求項21】 請求項16記載の物品をプラズマ殺菌
する方法において,前記多岐官は角度をもつ経路をもっ
ていて前記プラズマ流が前記プラズマ分配手段と,殺菌
されるべき物品との間に直線部分をもたず,これにより
前記殺菌室内の物品に紫外線が到達しないように,除去
または減衰させ前記荷電粒子,プラズマ流内の荷電粒子
内の再結合をさせ前記物品が実質的に,電荷をもたない
高い反応性をもつ自由基,原子または混合ガス中の励起
された分子にさらされるプラズマ殺菌方法。
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