JPH0617246A - クロムスパッタリングターゲット - Google Patents
クロムスパッタリングターゲットInfo
- Publication number
- JPH0617246A JPH0617246A JP19900392A JP19900392A JPH0617246A JP H0617246 A JPH0617246 A JP H0617246A JP 19900392 A JP19900392 A JP 19900392A JP 19900392 A JP19900392 A JP 19900392A JP H0617246 A JPH0617246 A JP H0617246A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- sputtering
- inclusions
- particles
- chromium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【構成】ターゲット表面に露出した、ターゲット中に存
在する介在物の一つの部分の径が１μｍ以上で、それら
の面積の合計が、スパッタリングの対象となるターゲッ
トの表面積の０．１％以下であるクロムスパッタリング
ターゲット。 【効果】このターゲットを用いてスパッタリングを行う
とパーティクルの少ないスパッタリング表面が得られ
る。
在する介在物の一つの部分の径が１μｍ以上で、それら
の面積の合計が、スパッタリングの対象となるターゲッ
トの表面積の０．１％以下であるクロムスパッタリング
ターゲット。 【効果】このターゲットを用いてスパッタリングを行う
とパーティクルの少ないスパッタリング表面が得られ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、クロムからなるスパッ
タリングターゲットに関し、特に微粒子（パーティク
ル）の発生を嫌う膜、例えば、フォトマスクやハードデ
ィスクに使用される薄膜の形成に用いられるターゲット
に関する。
タリングターゲットに関し、特に微粒子（パーティク
ル）の発生を嫌う膜、例えば、フォトマスクやハードデ
ィスクに使用される薄膜の形成に用いられるターゲット
に関する。
【０００２】
【従来の技術とその問題点】クロムスパッタリングター
ゲットは、クロム薄膜の形成に広く用いられており、ハ
ーフミラー、フォトマスク、ハードディクスなどは同膜
の応用例である。このうちフォトマスク、ハードディス
クに関しては膜の高品位化が要望され、中でもパーティ
クル汚染の問題が深刻化している。パーティクルとは成
膜上の微粒子のことで、径がサブミクロン以上の大きさ
のものを指す。このようなパーティクルが膜に存在する
と、フォトマスクパターンの欠陥やハードディスクの記
録不良を引き起こし、製品の歩留まりを著しく低下させ
る。
ゲットは、クロム薄膜の形成に広く用いられており、ハ
ーフミラー、フォトマスク、ハードディクスなどは同膜
の応用例である。このうちフォトマスク、ハードディス
クに関しては膜の高品位化が要望され、中でもパーティ
クル汚染の問題が深刻化している。パーティクルとは成
膜上の微粒子のことで、径がサブミクロン以上の大きさ
のものを指す。このようなパーティクルが膜に存在する
と、フォトマスクパターンの欠陥やハードディスクの記
録不良を引き起こし、製品の歩留まりを著しく低下させ
る。
【０００３】近年の半導体集積回路の微細化、ハードデ
ィスクの高密度化にともない、従来問題にならなかった
程度の微小パーティクルが問題視されてきている。スパ
ッタリングにおけるパーティクル発生の原因は、製造環
境、装置内面から発塵によるもの、装置材料に起因する
ものなどがあり、スパッタリングターゲットの材質、態
様もその一つの要因となっている。
ィスクの高密度化にともない、従来問題にならなかった
程度の微小パーティクルが問題視されてきている。スパ
ッタリングにおけるパーティクル発生の原因は、製造環
境、装置内面から発塵によるもの、装置材料に起因する
ものなどがあり、スパッタリングターゲットの材質、態
様もその一つの要因となっている。
【０００４】従来、クロムスパッタリングターゲットに
関する技術的検討は、製法に関するものがほとんどで、
材料面からの検討は数少なく、しかもこれまでに開示さ
れた材料に関する検討は組成的なものが中心であり、膜
の基体との密着性の向上（特開昭６１−２２１３６１号
公報）、膜の保磁力、成膜速度の向上（特開昭６２−２
６００５６号公報）に関するものなどがあり、パーティ
クルの発生に関するものは見当たらない。
関する技術的検討は、製法に関するものがほとんどで、
材料面からの検討は数少なく、しかもこれまでに開示さ
れた材料に関する検討は組成的なものが中心であり、膜
の基体との密着性の向上（特開昭６１−２２１３６１号
公報）、膜の保磁力、成膜速度の向上（特開昭６２−２
６００５６号公報）に関するものなどがあり、パーティ
クルの発生に関するものは見当たらない。
【０００５】上述したような背景から、スパッタリング
成膜時のパーティクルの問題が注目されるようになりか
つパーティクル発生の低減が切望されている。
成膜時のパーティクルの問題が注目されるようになりか
つパーティクル発生の低減が切望されている。
【０００６】
【問題点を解決するための手段】本発明者らは、上述の
問題点に関し、ターゲットのもつ属性を鋭意検討した結
果、ターゲット材中に存在する種々の介在物がパーティ
クル発生の原因となるとの知見を得本発明を完成した。
問題点に関し、ターゲットのもつ属性を鋭意検討した結
果、ターゲット材中に存在する種々の介在物がパーティ
クル発生の原因となるとの知見を得本発明を完成した。
【０００７】即ち、本発明は、スパッタリングの対象と
なるターゲット表面において、ターゲット中に存在する
介在物の一つの表面に露出した部分の径が少なくとも１
μｍで、それらの面積の合計が、前記ターゲット表面積
の０．１％以下である事を特徴とするクロムスパッタリ
ングターゲットに関するものであり、本発明はターゲッ
ト材中の介在物量を限定したクロムスパッタリングター
ゲットを提供するものである。
なるターゲット表面において、ターゲット中に存在する
介在物の一つの表面に露出した部分の径が少なくとも１
μｍで、それらの面積の合計が、前記ターゲット表面積
の０．１％以下である事を特徴とするクロムスパッタリ
ングターゲットに関するものであり、本発明はターゲッ
ト材中の介在物量を限定したクロムスパッタリングター
ゲットを提供するものである。
【０００８】以下、本発明に関してさらに詳しく説明す
る。本発明で言うターゲット表面とは、スパッタ中にス
パッタリングに供されるターゲットの表面を指す。又、
介在物の面積とは、ターゲット中に混在する各種介在物
がターゲット表面に露出した際にターゲット表面を構成
する断面積の合計で、その一つの断面の長径が少なくと
も１μｍであるものである。本発明では、前記断面積の
合計が、同じくスパッタ中にスパッタリングの対象とな
るターゲットの表面積の０．１％以下であることが必須
である。
る。本発明で言うターゲット表面とは、スパッタ中にス
パッタリングに供されるターゲットの表面を指す。又、
介在物の面積とは、ターゲット中に混在する各種介在物
がターゲット表面に露出した際にターゲット表面を構成
する断面積の合計で、その一つの断面の長径が少なくと
も１μｍであるものである。本発明では、前記断面積の
合計が、同じくスパッタ中にスパッタリングの対象とな
るターゲットの表面積の０．１％以下であることが必須
である。
【０００９】各種介在物が、前記した大きさ及び、占有
率より大であると、これを用いてスパッタリングを実施
した際パーティクルの発生が許容限度以上になり好まし
くない。
率より大であると、これを用いてスパッタリングを実施
した際パーティクルの発生が許容限度以上になり好まし
くない。
【００１０】介在物の種類は特に限定されないが、クロ
ム、カルシウム、アルミニウム、シリコン、鉄、銅、マ
グネシウム、バナジウムから選ばれる金属成分の、酸化
物、窒化物、炭化物、硫化物、水素化物、塩化物などが
例示される。また介在物が電気的に絶縁性である場合に
は特にパーティクル発生に与える影響が大きいことが本
発明者らの検討結果から明かとなっている。
ム、カルシウム、アルミニウム、シリコン、鉄、銅、マ
グネシウム、バナジウムから選ばれる金属成分の、酸化
物、窒化物、炭化物、硫化物、水素化物、塩化物などが
例示される。また介在物が電気的に絶縁性である場合に
は特にパーティクル発生に与える影響が大きいことが本
発明者らの検討結果から明かとなっている。
【００１１】本発明のターゲットの製法は何等限定しな
いが、例えば、電解法で得た高純度クロムを用いて、溶
解凝固法、粉末冶金法などの方法で製造することができ
る。ターゲットの形状に関しても特に限定されない。
いが、例えば、電解法で得た高純度クロムを用いて、溶
解凝固法、粉末冶金法などの方法で製造することができ
る。ターゲットの形状に関しても特に限定されない。
【００１２】
【発明の効果】本発明のターゲットを用いれば、スパッ
タリング中にターゲットから発生するパーティクルを著
しく抑制することができ、薄膜製品の歩留まりを大幅に
向上させることができる。また、本発明で得られた知見
は、物質によらず様々なターゲットにも広く適用でき、
同様の効果が充分に期待できる。
タリング中にターゲットから発生するパーティクルを著
しく抑制することができ、薄膜製品の歩留まりを大幅に
向上させることができる。また、本発明で得られた知見
は、物質によらず様々なターゲットにも広く適用でき、
同様の効果が充分に期待できる。
【００１３】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳しく説
明するが、これらは本発明を何等限定するものではな
い。
明するが、これらは本発明を何等限定するものではな
い。
【００１４】電解法によって得られた高純度クロムを粉
砕し、粒度２００メッシュ以下の粉末とした。これを通
常の冷間静水圧プレス法によって仮成型し、さらに熱間
静水圧プレス法によって高密度のクロム成型体を得た。
この成型体から約１５ｍｍ×１５ｍｍ×１０ｍｍのチッ
プ材を切り出し、成型体中の任意表面での介在物の占有
面積を測定した。本発明者らは、介在物は成型体中にほ
ぼ均一に分布しており、該チップに対する測定で、成型
体の介在物測定を代表できることを確認している。チッ
プ材の前処理として鏡面研磨、電解エッチング処理を施
した。さらに、走査型電子顕微鏡を用いて、成型体の上
記表面に露出した介在物のうち、断面の長径が１μｍ以
上のものが占有する面積および、同長径が０．５〜１μ
ｍのものが占有する面積を測定した。なお、介在物であ
ることの確認にはＸ線マイクロアナリシスを用いた。結
果を表１に示す。
砕し、粒度２００メッシュ以下の粉末とした。これを通
常の冷間静水圧プレス法によって仮成型し、さらに熱間
静水圧プレス法によって高密度のクロム成型体を得た。
この成型体から約１５ｍｍ×１５ｍｍ×１０ｍｍのチッ
プ材を切り出し、成型体中の任意表面での介在物の占有
面積を測定した。本発明者らは、介在物は成型体中にほ
ぼ均一に分布しており、該チップに対する測定で、成型
体の介在物測定を代表できることを確認している。チッ
プ材の前処理として鏡面研磨、電解エッチング処理を施
した。さらに、走査型電子顕微鏡を用いて、成型体の上
記表面に露出した介在物のうち、断面の長径が１μｍ以
上のものが占有する面積および、同長径が０．５〜１μ
ｍのものが占有する面積を測定した。なお、介在物であ
ることの確認にはＸ線マイクロアナリシスを用いた。結
果を表１に示す。
【００１５】続いて、該成型体から、直径８インチ、厚
さ０．２５インチの円板を切り出し、これを高純度銅製
のバッキングプレートにロウ付けしてクロムターゲット
とした。このターゲットを用いて、ＤＣマグネトロンス
パッタにより成膜を実施した。スパッタリング条件は次
に示す。
さ０．２５インチの円板を切り出し、これを高純度銅製
のバッキングプレートにロウ付けしてクロムターゲット
とした。このターゲットを用いて、ＤＣマグネトロンス
パッタにより成膜を実施した。スパッタリング条件は次
に示す。
【００１６】 スパッタガス／ガス圧力：Ａｒ／０．２Ｐａ 投入電力 ：１．８ｋＷ 基板 ：５インチ四方の石英ガラス 膜厚 ：１００ｎｍ 成膜は１００回行った。１０×ｎ（ｎ＝１，２，．．．
１０）回目の成膜について、成膜によるパーティクル増
加を、市販のウェハー・ゴミ検査器を用いて評価した。
評価したパーティクルは０．５μｍ以上のものである。
１０回の測定の平均を表２に示す。
１０）回目の成膜について、成膜によるパーティクル増
加を、市販のウェハー・ゴミ検査器を用いて評価した。
評価したパーティクルは０．５μｍ以上のものである。
１０回の測定の平均を表２に示す。
【００１７】
【比較例】実施例と同様にして、クロム成型体を作製し
た。これから実施例と同様にして、チップ材、ターゲッ
トを作成し、介在物、成膜によるパーティクル増加を評
価した。結果を表１、２に示す。
た。これから実施例と同様にして、チップ材、ターゲッ
トを作成し、介在物、成膜によるパーティクル増加を評
価した。結果を表１、２に示す。
【００１８】 表１ ターゲット 介在物の占有面積／％ ０．５〜１μｍ １μｍ以上 ０．５μｍ以上総計 （注） 実施例 １．９１ ０．０９ ２．００ 比較例 ０．０５ ０．１７ ０．２２ 尚、典型的な介在物組成はＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｃａ
Ｏであり、（注）に介在物の長径を示した。
Ｏであり、（注）に介在物の長径を示した。
【００１９】 表２ ターゲット パーティクル測定結果（１０回の平均／個） 実施例 ０．２ 比較例 １．１
Claims (1)
- 【請求項１】スパッタリングの対象となるターゲット表
面において、ターゲット中に存在する介在物の表面に露
出した一つの部分の径が少なくとも１μｍで、それらの
面積の合計が、前記ターゲット表面積の０．１％以下で
ある事を特徴とするクロムスパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19900392A JPH0617246A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | クロムスパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19900392A JPH0617246A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | クロムスパッタリングターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0617246A true JPH0617246A (ja) | 1994-01-25 |
Family
ID=16400489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19900392A Pending JPH0617246A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | クロムスパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0617246A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5718778A (en) * | 1995-03-31 | 1998-02-17 | Hitachi Metals, Ltd. | Chromium target and process for producing the same |
| WO1999027150A1 (en) * | 1997-11-26 | 1999-06-03 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target |
| US6315872B1 (en) | 1997-11-26 | 2001-11-13 | Applied Materials, Inc. | Coil for sputter deposition |
-
1992
- 1992-07-03 JP JP19900392A patent/JPH0617246A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5718778A (en) * | 1995-03-31 | 1998-02-17 | Hitachi Metals, Ltd. | Chromium target and process for producing the same |
| WO1999027150A1 (en) * | 1997-11-26 | 1999-06-03 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target |
| US6315872B1 (en) | 1997-11-26 | 2001-11-13 | Applied Materials, Inc. | Coil for sputter deposition |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040203 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |