JPH06177292A - 半導体スタック - Google Patents
半導体スタックInfo
- Publication number
- JPH06177292A JPH06177292A JP32632792A JP32632792A JPH06177292A JP H06177292 A JPH06177292 A JP H06177292A JP 32632792 A JP32632792 A JP 32632792A JP 32632792 A JP32632792 A JP 32632792A JP H06177292 A JPH06177292 A JP H06177292A
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- Japan
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- stack
- stud
- semiconductor stack
- cooling pieces
- cooling
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Abstract
(57)【要約】
【目的】中央部の撓みによる平形素子と冷却片の片当り
を防ぎ、素子交換の容易な半導体スタックを得る。 【構成】スタックの中間部の冷却片２の間に挟み板14を
装着する。この挟み板14には、スタックの平形素子１を
両側から締め付けるスタッド９の中間部を貫挿する。
を防ぎ、素子交換の容易な半導体スタックを得る。 【構成】スタックの中間部の冷却片２の間に挟み板14を
装着する。この挟み板14には、スタックの平形素子１を
両側から締め付けるスタッド９の中間部を貫挿する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、複数の平形素子と冷却
片を交互に重ねて構成された半導体スタックに関する。
片を交互に重ねて構成された半導体スタックに関する。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、複数の手形素子（以下、
素子という）と冷却片を交互に重ねて構成された半導体
スタック（以下、スタックという）においては、発熱体
となる素子とこの素子の熱を吸収する冷却片との間の熱
伝達効率を上げるために、素子と冷却片は、両側から締
め付けられている。
素子という）と冷却片を交互に重ねて構成された半導体
スタック（以下、スタックという）においては、発熱体
となる素子とこの素子の熱を吸収する冷却片との間の熱
伝達効率を上げるために、素子と冷却片は、両側から締
め付けられている。
【０００３】図６は、従来のスタックを示す平面図、図
７は、図６の前面図、図８は、図７のＢ−Ｂ断面図であ
る。図６，図７及び図８において、スタックは、中間部
に組み込まれた絶縁碍子４Ａの左右に、冷部片２と素子
１が交互に重ねられ（注；図８においては、素子１が３
個、冷却片２が４個）、これらの両端には、碍子４Ｂが
それぞれ重ねられ、この碍子４Ｂの更に外側には、円錐
座８が頂点側を内側にしてそれぞれ重ねられ、この円錐
座８の更に外側には図示しない右側面図では短冊状の加
圧板７がそれぞれ重ねられている。
７は、図６の前面図、図８は、図７のＢ−Ｂ断面図であ
る。図６，図７及び図８において、スタックは、中間部
に組み込まれた絶縁碍子４Ａの左右に、冷部片２と素子
１が交互に重ねられ（注；図８においては、素子１が３
個、冷却片２が４個）、これらの両端には、碍子４Ｂが
それぞれ重ねられ、この碍子４Ｂの更に外側には、円錐
座８が頂点側を内側にしてそれぞれ重ねられ、この円錐
座８の更に外側には図示しない右側面図では短冊状の加
圧板７がそれぞれ重ねられている。
【０００４】左右の加圧板７の間には、一対の両ねじボ
ルト29が貫挿され、この両ねじボルト29には、加圧板７
の外側に複数枚の皿ばね６が背中合わせに挿入され、こ
の皿ばね６の外側と右側の加圧板７の外側には、図７に
おいてはＬ字形の取付板５がそれぞれ挿入されている。
ルト29が貫挿され、この両ねじボルト29には、加圧板７
の外側に複数枚の皿ばね６が背中合わせに挿入され、こ
の皿ばね６の外側と右側の加圧板７の外側には、図７に
おいてはＬ字形の取付板５がそれぞれ挿入されている。
【０００５】これらの取付板５の外側には、ナット10Ａ
が各両ねじボルト29の外側から挿入され、各ナット10Ａ
は、専用の小形油圧プレス機や、トルクレンチで素子１
の定格や形式で決まる所定の締付力となるように締め付
けられている。
が各両ねじボルト29の外側から挿入され、各ナット10Ａ
は、専用の小形油圧プレス機や、トルクレンチで素子１
の定格や形式で決まる所定の締付力となるように締め付
けられている。
【０００６】図９は、図６及び図７で示したスタックが
高圧回路に適用されたときを示し、左右端の取付板５の
下面とスタックの取付面との間には、複数の絶縁碍子４
Ｃが重ねられている。また、中央部に位置する冷却片２
と右端の取付板５は、電線17で接続され、この結果、中
央部に位置する冷却片２と取付板５を等電位にして、絶
縁碍子４Ｂの小形化が図られている。
高圧回路に適用されたときを示し、左右端の取付板５の
下面とスタックの取付面との間には、複数の絶縁碍子４
Ｃが重ねられている。また、中央部に位置する冷却片２
と右端の取付板５は、電線17で接続され、この結果、中
央部に位置する冷却片２と取付板５を等電位にして、絶
縁碍子４Ｂの小形化が図られている。
【０００７】このように構成されたスタックにおいて
は、左右の取付板５の下端の前後に形成された楕円穴の
挿入されたボルト12によって、このスタックが収納され
た箱体に図７に示すように横又は縦に固定される。一
方、各冷却片２に螺合された図示しない一対の配管継手
には、図示しない冷却配管が接続され、この冷却配管に
は、蒸留水が循環されて、通電で発熱した素子１が冷却
されている。
は、左右の取付板５の下端の前後に形成された楕円穴の
挿入されたボルト12によって、このスタックが収納され
た箱体に図７に示すように横又は縦に固定される。一
方、各冷却片２に螺合された図示しない一対の配管継手
には、図示しない冷却配管が接続され、この冷却配管に
は、蒸留水が循環されて、通電で発熱した素子１が冷却
されている。
【０００８】なお、このスタックの素子１を交換すると
きには、まず、図７及びこの図７のＢ−Ｂ断面図を示す
図８に示すように、長方形の板状の素子交換治具13をス
タックとこのスタックの取付面の間に挿入し、素子交換
治具13の下面とスタックの取付面の間にスペーサを挿入
して、素子交換治具13の上面中央に形成された凹部13ａ
の上面を冷却片２の下面に当接させる。
きには、まず、図７及びこの図７のＢ−Ｂ断面図を示す
図８に示すように、長方形の板状の素子交換治具13をス
タックとこのスタックの取付面の間に挿入し、素子交換
治具13の下面とスタックの取付面の間にスペーサを挿入
して、素子交換治具13の上面中央に形成された凹部13ａ
の上面を冷却片２の下面に当接させる。
【０００９】次に、両ねじボルト29を介して素子１や冷
却片２を締め付けている片側のナット10Ａを緩め、交換
対象となる素子１の両面とこの素子１の左右の冷却片２
の間に治具を挿入して対象の素子１を取り出す。
却片２を締め付けている片側のナット10Ａを緩め、交換
対象となる素子１の両面とこの素子１の左右の冷却片２
の間に治具を挿入して対象の素子１を取り出す。
【００１０】素子交換治具13は、ナット10Ａを緩めたと
きの冷却片２のずれを防ぐために用いられ、取付面との
挿入作業を容易にするために、摩擦係数の小さいフッ素
樹脂の材料で製作されている。
きの冷却片２のずれを防ぐために用いられ、取付面との
挿入作業を容易にするために、摩擦係数の小さいフッ素
樹脂の材料で製作されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このように
構成されたスタックにおいては、このスタックが接続さ
れる電力半導体回路の電圧によって、互いに積み重ねら
れた素子１，冷却片２が増えると、このスタックが図７
に示すように箱体の取付面に横に収納されたときには、
素子１と冷却片２の自重によって中央部が下方に撓ん
で、各素子１とこの各素子１の両側に重ねられた冷却片
２の接触面に偏荷重（注；締付力の不均一）が加わる。
すると、各素子１とこの各素子１の両側に重ねられた冷
却片２との間の接触面積の減少により、相互間の熱伝達
特性が損われて、各素子１の温度上昇値が許容値を超え
るおそれがある。
構成されたスタックにおいては、このスタックが接続さ
れる電力半導体回路の電圧によって、互いに積み重ねら
れた素子１，冷却片２が増えると、このスタックが図７
に示すように箱体の取付面に横に収納されたときには、
素子１と冷却片２の自重によって中央部が下方に撓ん
で、各素子１とこの各素子１の両側に重ねられた冷却片
２の接触面に偏荷重（注；締付力の不均一）が加わる。
すると、各素子１とこの各素子１の両側に重ねられた冷
却片２との間の接触面積の減少により、相互間の熱伝達
特性が損われて、各素子１の温度上昇値が許容値を超え
るおそれがある。
【００１２】また、前述したように素子１を交換する場
合、治具13を装着し素子１を交換するためにナット10Ａ
を締めるときには、各冷却片２の間に挟まれた素子１が
ずれていないかどうかを確認しながら、更に、所定のト
ルクを確認しながら行わなければならないので、交換作
業に時間がかかり、所定の保守時間内にはできなくなる
おそれもある。
合、治具13を装着し素子１を交換するためにナット10Ａ
を締めるときには、各冷却片２の間に挟まれた素子１が
ずれていないかどうかを確認しながら、更に、所定のト
ルクを確認しながら行わなければならないので、交換作
業に時間がかかり、所定の保守時間内にはできなくなる
おそれもある。
【００１３】そのため、素子１の数が増えたときには、
スタックの数を増やして、重ねられる素子１の数を減ら
す方法も採られていたが、すると、それだけスタックが
増え、組立作業が増えるので、電力半導体装置の組立時
間が長くなるでだけでなく、収納面積も増えるので、こ
のスタックを組み込んだ電力半導体装置を収納した箱体
が大形となる欠点もある。
スタックの数を増やして、重ねられる素子１の数を減ら
す方法も採られていたが、すると、それだけスタックが
増え、組立作業が増えるので、電力半導体装置の組立時
間が長くなるでだけでなく、収納面積も増えるので、こ
のスタックを組み込んだ電力半導体装置を収納した箱体
が大形となる欠点もある。
【００１４】そこで、本発明の目的は、重ねられる素子
の数を減らすことなく、冷却片への熱伝達の低下を防
ぎ、素子の交換を容易に行うことのできる半導体スタッ
クを得ることである。
の数を減らすことなく、冷却片への熱伝達の低下を防
ぎ、素子の交換を容易に行うことのできる半導体スタッ
クを得ることである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、複数の電力半導体素子と複数の冷却片が交互に重ね
られ、両端からスタッドで締め付けられた半導体スタッ
クにおいて、この半導体スタックの中間部の冷却片の間
に、スタッドの中間部が貫通する挟み板を介在させたこ
とを特徴とする。
は、複数の電力半導体素子と複数の冷却片が交互に重ね
られ、両端からスタッドで締め付けられた半導体スタッ
クにおいて、この半導体スタックの中間部の冷却片の間
に、スタッドの中間部が貫通する挟み板を介在させたこ
とを特徴とする。
【００１６】請求項２に記載の発明は、複数の電力半導
体素子と複数の冷却片が交互に重ねられ、両端からスタ
ッドで締め付けられた半導体スタックにおいて、この半
導体スタックの中間部の冷却片の間に、スタッドの中間
部が貫通する絶縁材の挟み板を介在させたことを特徴と
する。
体素子と複数の冷却片が交互に重ねられ、両端からスタ
ッドで締め付けられた半導体スタックにおいて、この半
導体スタックの中間部の冷却片の間に、スタッドの中間
部が貫通する絶縁材の挟み板を介在させたことを特徴と
する。
【００１７】請求項３に記載の発明は、複数の電力半導
体素子と複数の冷却片が交互に重ねられ、両端からスタ
ッドで締め付けられた半導体スタックにおいて、この半
導体スタックの中間部の冷却片の間に、スタッドの中間
部が貫通する挟み板を介在させるとともに、スタッド
を、スタックの片側から挟み板に係止され、この挟み板
からスタックの片側の電力半導体素子を締め付ける第１
のスタッドと、スタックの他側から挟み板に係止され、
この挟み板からスタックの他側の電力半導体素子を締め
付ける第２のスタッドで構成したことを特徴とする。
体素子と複数の冷却片が交互に重ねられ、両端からスタ
ッドで締め付けられた半導体スタックにおいて、この半
導体スタックの中間部の冷却片の間に、スタッドの中間
部が貫通する挟み板を介在させるとともに、スタッド
を、スタックの片側から挟み板に係止され、この挟み板
からスタックの片側の電力半導体素子を締め付ける第１
のスタッドと、スタックの他側から挟み板に係止され、
この挟み板からスタックの他側の電力半導体素子を締め
付ける第２のスタッドで構成したことを特徴とする。
【００１８】請求項４に記載の発明は、複数の電力半導
体素子と複数の冷却片が交互に重ねられ、両端からスタ
ッドで締め付けられた半導体スタックにおいて、この半
導体スタックの中間部の冷却片の間に、スタッドの中間
部が貫通する挟み板を介在させ、この挟み板に支持具を
取り付けたことを特徴とする。
体素子と複数の冷却片が交互に重ねられ、両端からスタ
ッドで締め付けられた半導体スタックにおいて、この半
導体スタックの中間部の冷却片の間に、スタッドの中間
部が貫通する挟み板を介在させ、この挟み板に支持具を
取り付けたことを特徴とする。
【００１９】請求項５に記載の発明は、複数の電力半導
体素子と複数の冷却片が交互に重ねられ、両端から金属
材料のスタッドで締め付けられた半導体スタックにおい
て、この半導体スタックの中間部の冷却片の間に、スタ
ッドの中間部が貫通する金属材の挟み板を介在させ、こ
の挟み板に支持具を取り付けるとともに、この支持具及
びスタッドの両端と取付部との間に碍子を介在させたこ
とを特徴とする。
体素子と複数の冷却片が交互に重ねられ、両端から金属
材料のスタッドで締め付けられた半導体スタックにおい
て、この半導体スタックの中間部の冷却片の間に、スタ
ッドの中間部が貫通する金属材の挟み板を介在させ、こ
の挟み板に支持具を取り付けるとともに、この支持具及
びスタッドの両端と取付部との間に碍子を介在させたこ
とを特徴とする。
【００２０】
【作用】請求項１に記載の発明においては、交互に重ね
られた電力半導体素子と冷却片の中間部は、挟み板を介
してスタッドに支持される。請求項２に記載の発明にお
いては、交互に重ねられた電力半導体素子と冷却片の中
間部は、絶縁材の挟み板を介してスタッドに支持され
る。請求項３に記載の発明においては、交互に重ねられ
た電力半導体素子と冷却片の中間部は、挟み板を介して
第１のスタッドと第２のスタッドで支持される。請求項
４に記載の発明においては、交互に重ねられた電力半導
体素子と冷却片の中間部は、挟み板を介して支持具で支
持される。
られた電力半導体素子と冷却片の中間部は、挟み板を介
してスタッドに支持される。請求項２に記載の発明にお
いては、交互に重ねられた電力半導体素子と冷却片の中
間部は、絶縁材の挟み板を介してスタッドに支持され
る。請求項３に記載の発明においては、交互に重ねられ
た電力半導体素子と冷却片の中間部は、挟み板を介して
第１のスタッドと第２のスタッドで支持される。請求項
４に記載の発明においては、交互に重ねられた電力半導
体素子と冷却片の中間部は、挟み板を介して支持具で支
持される。
【００２１】請求項５に記載の発明においては、交互に
重ねられた電力半導体素子と冷却片の中間部は、挟み板
を介して支持具で支持されるとともに、中間部は、スタ
ッドの端部と等電位となり、且つ設置電位部から絶縁さ
れる。
重ねられた電力半導体素子と冷却片の中間部は、挟み板
を介して支持具で支持されるとともに、中間部は、スタ
ッドの端部と等電位となり、且つ設置電位部から絶縁さ
れる。
【００２２】
【実施例】以下、本発明の半導体スタックの一実施例を
図面を参照して説明する。図１は、請求項１，２，３及
び請求項４に記載の発明の半導体スタックを示す平面図
で、従来技術で示した図８に対応する図、図２は、図１
の前面図で、図９に対応する図である。図１及び図２に
おいて、従来の図８及び図９と異なる点は、スタックの
中央部には絶縁碍子４Ａが２枚用いられ、この絶縁碍子
４Ａの間には、図８及び図９で示した加圧板７とほぼ同
形の挟み板14が重ねられ、この挟み板14の図１において
前後には、図２に示す支持金具３の上端が固定されてい
ることである。
図面を参照して説明する。図１は、請求項１，２，３及
び請求項４に記載の発明の半導体スタックを示す平面図
で、従来技術で示した図８に対応する図、図２は、図１
の前面図で、図９に対応する図である。図１及び図２に
おいて、従来の図８及び図９と異なる点は、スタックの
中央部には絶縁碍子４Ａが２枚用いられ、この絶縁碍子
４Ａの間には、図８及び図９で示した加圧板７とほぼ同
形の挟み板14が重ねられ、この挟み板14の図１において
前後には、図２に示す支持金具３の上端が固定されてい
ることである。
【００２３】すなわち、図１及び図２において、中央部
に挿入された挟み板14には、前後に両ねじボルト９Ａが
貫通し、この両ねじボルト９Ａの中央部には図１のＡ部
詳細拡大断面図を示す図３（ａ）に示すように、この両
ねじボルト９Ａのねじのない部分の外径よりも内径が僅
かに大きいおねじ９ａが形成されている。このおねじ９
ａには、挟み板14の両側からナット10Ｂがそれぞれら螺
合され、挟み板14を両側から締め付けている。
に挿入された挟み板14には、前後に両ねじボルト９Ａが
貫通し、この両ねじボルト９Ａの中央部には図１のＡ部
詳細拡大断面図を示す図３（ａ）に示すように、この両
ねじボルト９Ａのねじのない部分の外径よりも内径が僅
かに大きいおねじ９ａが形成されている。このおねじ９
ａには、挟み板14の両側からナット10Ｂがそれぞれら螺
合され、挟み板14を両側から締め付けている。
【００２４】さらに、この挟み板14の下方には、図１に
おいて前後の右側面に、図２で示すＬ字形に形成された
支持金具３の上端が図示しないボルトで固定され、支持
金具３の下端は、このスタックが収納された電力半導体
装置の箱体の取付面に図示しないボルトで固定されてい
る。
おいて前後の右側面に、図２で示すＬ字形に形成された
支持金具３の上端が図示しないボルトで固定され、支持
金具３の下端は、このスタックが収納された電力半導体
装置の箱体の取付面に図示しないボルトで固定されてい
る。
【００２５】このように構成されたスタックにおいて
は、重ねられた素子１や冷却片２の数が増えても、この
スタックの中央部が挟み板14を介して支持金具３によっ
て箱体の取付面に支えられているので、スタックの撓み
を防ぐことができるだけでなく、図１及び図２におい
て、例えば、支持金具３の右側に組み込まれた素子１を
交換するときには、両ねじボルト９Ａの右端のナット10
Ａを緩めたときに、支持金具３の左側に重ねられた素子
１は、下方にずれるおそれがないので、ずれの有無を確
認する範囲を減らすことができ、素子交換時の作業が容
易となる。
は、重ねられた素子１や冷却片２の数が増えても、この
スタックの中央部が挟み板14を介して支持金具３によっ
て箱体の取付面に支えられているので、スタックの撓み
を防ぐことができるだけでなく、図１及び図２におい
て、例えば、支持金具３の右側に組み込まれた素子１を
交換するときには、両ねじボルト９Ａの右端のナット10
Ａを緩めたときに、支持金具３の左側に重ねられた素子
１は、下方にずれるおそれがないので、ずれの有無を確
認する範囲を減らすことができ、素子交換時の作業が容
易となる。
【００２６】さらに、挟み板14の左右の素子の定格が異
っていて、冷却片２との圧接力が異なるときには、右端
のナット10Ａを左端ののナット10Ａの締付トルクを変え
ることで対応することができる利点もある。
っていて、冷却片２との圧接力が異なるときには、右端
のナット10Ａを左端ののナット10Ａの締付トルクを変え
ることで対応することができる利点もある。
【００２７】なお、図１及び図２においては、挟み板14
は金属材でもよいが、例えばＦＲＰ材などの絶縁板とし
て、請求項２に記載の発明としてもよい。この場合に
は、中間に装着された絶縁碍子４Ａは要らなくなるの
で、このスタックの長さを短縮することができる。ま
た、図３において、挟み板14に設けられたスタッド14の
貫通用の穴をねじ穴として、スタッド14の中央部のおね
じ部９ａを螺合させることで、ナット10Ｂを省いてもよ
い。
は金属材でもよいが、例えばＦＲＰ材などの絶縁板とし
て、請求項２に記載の発明としてもよい。この場合に
は、中間に装着された絶縁碍子４Ａは要らなくなるの
で、このスタックの長さを短縮することができる。ま
た、図３において、挟み板14に設けられたスタッド14の
貫通用の穴をねじ穴として、スタッド14の中央部のおね
じ部９ａを螺合させることで、ナット10Ｂを省いてもよ
い。
【００２８】また、図１及び図２において、支持金具３
を省いて請求項１に記載の発明としてもよい。この場合
でも、スタックの中間部の素子１と冷却片２の荷重は、
両ねじボルト９Ａで支えられているので、下方への撓み
を減らし、素子１と冷却片２との接触面の片当りを防
ぎ、素子１から冷却片２への熱伝達特性の低下を防ぐこ
とができる。
を省いて請求項１に記載の発明としてもよい。この場合
でも、スタックの中間部の素子１と冷却片２の荷重は、
両ねじボルト９Ａで支えられているので、下方への撓み
を減らし、素子１と冷却片２との接触面の片当りを防
ぎ、素子１から冷却片２への熱伝達特性の低下を防ぐこ
とができる。
【００２９】図３（ｂ）は、挟み板14の前後に設けられ
た穴をめねじ穴とし、両ねじボルト９Ｂは、図１，図２
で示した両ねじボルト９Ａの２分の１の長さとして、こ
の両ねじボルト９Ｂの片側を挟み板14のめねじ穴に螺合
させて請求項３に記載の発とした場合を示す。この場合
にも、支持金具３を用いることで、素子１や冷却片２の
撓みや、素子交換時の片側の素子のずれを防ぐことがで
きる。
た穴をめねじ穴とし、両ねじボルト９Ｂは、図１，図２
で示した両ねじボルト９Ａの２分の１の長さとして、こ
の両ねじボルト９Ｂの片側を挟み板14のめねじ穴に螺合
させて請求項３に記載の発とした場合を示す。この場合
にも、支持金具３を用いることで、素子１や冷却片２の
撓みや、素子交換時の片側の素子のずれを防ぐことがで
きる。
【００３０】図４及び図５は、高圧回路に接続されるス
タックの例を示す図で、図４は従来技術で説明した図９
に対応する平面図，図５は図４の正面図である。図４及
び図５においては、図１及び図２で示したスタックが図
９で示した碍子４Ｃを介して取付面に固定され、挟み板
には軟鋼板が使われている。この場合には、図９で示し
た電線17による中間部の冷却片と取付板５との接続が要
らなくなる利点がある。
タックの例を示す図で、図４は従来技術で説明した図９
に対応する平面図，図５は図４の正面図である。図４及
び図５においては、図１及び図２で示したスタックが図
９で示した碍子４Ｃを介して取付面に固定され、挟み板
には軟鋼板が使われている。この場合には、図９で示し
た電線17による中間部の冷却片と取付板５との接続が要
らなくなる利点がある。
【００３１】
【発明の効果】以上、請求項１に記載の発明によれば、
複数の電力半導体素子と複数の冷却片が交互に重ねら
れ、両端からスタッドで締め付けられた半導体スタック
において、この半導体スタックの中間部の冷却片の間
に、スタッドの中間部が貫通する挟み板を介在させるこ
とで、交互に重ねられた電力半導体素子と冷却片の中間
部を、挟み板を介してスタッドで支持したので、重ねら
れた素子の数を減らすことなく、冷却片への熱伝達の低
下を防ぎ、素子の交換を容易に行うことのできる半導体
スタックを得ることができる。
複数の電力半導体素子と複数の冷却片が交互に重ねら
れ、両端からスタッドで締め付けられた半導体スタック
において、この半導体スタックの中間部の冷却片の間
に、スタッドの中間部が貫通する挟み板を介在させるこ
とで、交互に重ねられた電力半導体素子と冷却片の中間
部を、挟み板を介してスタッドで支持したので、重ねら
れた素子の数を減らすことなく、冷却片への熱伝達の低
下を防ぎ、素子の交換を容易に行うことのできる半導体
スタックを得ることができる。
【００３２】また、請求項２に記載の発明によれば、複
数の電力半導体素子と複数の冷却片が交互に重ねられ、
両端からスタッドで締め付けられた半導体スタックにお
いて、この半導体スタックの中間部の冷却片の間に、ス
タッドの中間部が貫通する絶縁材の挟み板を介在させる
ことで、交互に重ねられた電力半導体素子と冷却片の中
間部を、絶縁材の挟み板を介してスタッドで支持したの
で、重ねられた素子の数を減らすことなく、冷却片への
熱伝達の低下を防ぎ、素子の交換を容易に行うことので
きる半導体スタックを得ることができる。
数の電力半導体素子と複数の冷却片が交互に重ねられ、
両端からスタッドで締め付けられた半導体スタックにお
いて、この半導体スタックの中間部の冷却片の間に、ス
タッドの中間部が貫通する絶縁材の挟み板を介在させる
ことで、交互に重ねられた電力半導体素子と冷却片の中
間部を、絶縁材の挟み板を介してスタッドで支持したの
で、重ねられた素子の数を減らすことなく、冷却片への
熱伝達の低下を防ぎ、素子の交換を容易に行うことので
きる半導体スタックを得ることができる。
【００３３】さらに、請求項３に記載の発明によれば、
複数の電力半導体素子と複数の冷却片が交互に重ねら
れ、両端からスタッドで締め付けられた半導体スタック
において、この半導体スタックの中間部の冷却片の間
に、スタッドの中間部が貫通する挟み板を介在させると
ともに、スタッドを、スタックの片側から挟み板に係止
し、この挟み板からスタックの片側の電力半導体素子を
締め付ける第１のスタッドと、スタックの他側から挟み
板に係止され、この挟み板からスタックの他側の電力半
導体素子を締め付ける第２のスタッドで構成すること
で、交互に重ねられた電力半導体素子と冷却片の中間部
を挟み板を介して第１のスタッドと第２のスタッドで支
持したので、重ねられた素子の数を減らすことなく、冷
却片への熱伝達の低下を防ぎ、素子の交換を容易に行う
ことのできる半導体スタックを得ることができる。
複数の電力半導体素子と複数の冷却片が交互に重ねら
れ、両端からスタッドで締め付けられた半導体スタック
において、この半導体スタックの中間部の冷却片の間
に、スタッドの中間部が貫通する挟み板を介在させると
ともに、スタッドを、スタックの片側から挟み板に係止
し、この挟み板からスタックの片側の電力半導体素子を
締め付ける第１のスタッドと、スタックの他側から挟み
板に係止され、この挟み板からスタックの他側の電力半
導体素子を締め付ける第２のスタッドで構成すること
で、交互に重ねられた電力半導体素子と冷却片の中間部
を挟み板を介して第１のスタッドと第２のスタッドで支
持したので、重ねられた素子の数を減らすことなく、冷
却片への熱伝達の低下を防ぎ、素子の交換を容易に行う
ことのできる半導体スタックを得ることができる。
【００３４】さらに、請求項４に記載の発明によれば、
複数の電力半導体素子と複数の冷却片が交互に重ねら
れ、両端からスタッドで締め付けられた半導体スタック
において、この半導体スタックの中間部の冷却片の間
に、スタッドの中間部が貫通する挟み板を介在させ、こ
の挟み板に支持具を取り付けることで、交互に重ねられ
た電力半導体素子と冷却片の中間部を挟み板を介して支
持具で支持したので、重ねられた素子の数を減らすこと
なく、冷却片への熱伝達の低下を防ぎ、素子の交換を容
易に行うことのできる半導体スタックを得ることができ
る。
複数の電力半導体素子と複数の冷却片が交互に重ねら
れ、両端からスタッドで締め付けられた半導体スタック
において、この半導体スタックの中間部の冷却片の間
に、スタッドの中間部が貫通する挟み板を介在させ、こ
の挟み板に支持具を取り付けることで、交互に重ねられ
た電力半導体素子と冷却片の中間部を挟み板を介して支
持具で支持したので、重ねられた素子の数を減らすこと
なく、冷却片への熱伝達の低下を防ぎ、素子の交換を容
易に行うことのできる半導体スタックを得ることができ
る。
【００３５】さらに、請求項５に記載の発明によれば、
複数の電力半導体素子と複数の冷却片が交互に重ねら
れ、両端から金属材料のスタッドで締め付けられた半導
体スタックにおいて、この半導体スタックの中間部の冷
却片の間に、スタッドの中間部が貫通する金属材の挟み
板を介在させ、この挟み板に支持具を取り付けるととも
に、この支持具及びスタッドの両端と取付部との間に碍
子を介在させることで、交互に重ねられた電力半導体素
子と冷却片の中間部を、挟み板を介して支持具で支持さ
れるとともに、中間部を、スタッドの端部と等電位と
し、且つ設置電位部から絶縁したので、重ねられた素子
の数を減らすことなく、冷却片への熱伝達の低下を防
ぎ、素子の交換を容易に行うことのできる半導体スタッ
クを得ることができる。
複数の電力半導体素子と複数の冷却片が交互に重ねら
れ、両端から金属材料のスタッドで締め付けられた半導
体スタックにおいて、この半導体スタックの中間部の冷
却片の間に、スタッドの中間部が貫通する金属材の挟み
板を介在させ、この挟み板に支持具を取り付けるととも
に、この支持具及びスタッドの両端と取付部との間に碍
子を介在させることで、交互に重ねられた電力半導体素
子と冷却片の中間部を、挟み板を介して支持具で支持さ
れるとともに、中間部を、スタッドの端部と等電位と
し、且つ設置電位部から絶縁したので、重ねられた素子
の数を減らすことなく、冷却片への熱伝達の低下を防
ぎ、素子の交換を容易に行うことのできる半導体スタッ
クを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】請求項１，２，３及び請求項５に記載の発明の
半導体スタックの一実施例を示す平面図。
半導体スタックの一実施例を示す平面図。
【図２】図１の正面図。
【図３】（ａ）は、図１の部分拡大断面図。（ｂ）は、
請求項３に記載の発明の半導体スタックの一実施例を示
す部分拡大断面図。
請求項３に記載の発明の半導体スタックの一実施例を示
す部分拡大断面図。
【図４】請求項５に記載の発明の半導体スタックの一実
施例を示す平面図。
施例を示す平面図。
【図５】図４の正面図。
【図６】従来の半導体スタックの一例を示す平面図。
【図７】図６の正面図。
【図８】図７のＢ−Ｂ断面図。
【図９】従来の半導体スタックの図６と異なる一例を示
す正面図。
す正面図。
１…平形素子、２…冷却片、３…支持金具、４Ａ，４
Ｂ，４Ｃ…絶縁碍子、５…取付板、６…皿ばね、７…加
圧板、８…円錐座、９…両ねじボルト。
Ｂ，４Ｃ…絶縁碍子、５…取付板、６…皿ばね、７…加
圧板、８…円錐座、９…両ねじボルト。
Claims (5)
- 【請求項１】 複数の電力半導体素子と複数の冷却片が
交互に重ねられ、両端からスタッドで締め付けられた半
導体スタックにおいて、この半導体スタックの中間部の
前記冷却片の間に、前記スタッドの中間部が貫通する挟
み板を介在させたことを特徴とする半導体スタック。 - 【請求項２】 複数の電力半導体素子と複数の冷却片が
交互に重ねられ、両端からスタッドで締め付けられた半
導体スタックにおいて、この半導体スタックの中間部の
前記冷却片の間に、前記スタッドの中間部が貫通する絶
縁材の挟み板を介在させたことを特徴とする半導体スタ
ック。 - 【請求項３】 複数の電力半導体素子と複数の冷却片が
交互に重ねられ、両端からスタッドで締め付けられた半
導体スタックにおいて、この半導体スタックの中間部の
前記冷却片の間に、前記スタッドの中間部が貫通する挟
み板を介在させるとともに、前記スタッドを、前記スタ
ックの片側から前記挟み板に係止され、この挟み板から
前記スタックの片側の前記電力半導体素子を締め付ける
第１のスタッドと、前記スタックの他側から前記挟み板
に係止され、この挟み板から前記スタックの他側の前記
電力半導体素子を締め付ける第２のスタッドで構成した
ことを特徴とする半導体スタック。 - 【請求項４】 複数の電力半導体素子と複数の冷却片が
交互に重ねられ、両端からスタッドで締め付けられた半
導体スタックにおいて、この半導体スタックの中間部の
前記冷却片の間に、前記スタッドの中間部が貫通する挟
み板を介在させ、この挟み板に支持具を取り付けたこと
を特徴とする半導体スタック。 - 【請求項５】 複数の電力半導体素子と複数の冷却片が
交互に重ねられ、両端から金属材料のスタッドで締め付
けられた半導体スタックにおいて、この半導体スタック
の中間部の前記冷却片の間に、前記スタッドの中間部が
貫通する金属材の挟み板を介在させ、この挟み板に支持
具を取り付けるとともに、この支持具及び前記スタッド
の両端と取付部との間に碍子を介在させたことを特徴と
する半導体スタック。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32632792A JPH06177292A (ja) | 1992-12-07 | 1992-12-07 | 半導体スタック |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32632792A JPH06177292A (ja) | 1992-12-07 | 1992-12-07 | 半導体スタック |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06177292A true JPH06177292A (ja) | 1994-06-24 |
Family
ID=18186536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32632792A Pending JPH06177292A (ja) | 1992-12-07 | 1992-12-07 | 半導体スタック |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06177292A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011181707A (ja) * | 2010-03-02 | 2011-09-15 | Mitsubishi Electric Corp | 大電力スタック |
| JP2020150747A (ja) * | 2019-03-15 | 2020-09-17 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 電力装置 |
-
1992
- 1992-12-07 JP JP32632792A patent/JPH06177292A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011181707A (ja) * | 2010-03-02 | 2011-09-15 | Mitsubishi Electric Corp | 大電力スタック |
| JP2020150747A (ja) * | 2019-03-15 | 2020-09-17 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 電力装置 |
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