JPH0617897B2 - ガス濃度測定装置 - Google Patents
ガス濃度測定装置Info
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- JPH0617897B2 JPH0617897B2 JP60109420A JP10942085A JPH0617897B2 JP H0617897 B2 JPH0617897 B2 JP H0617897B2 JP 60109420 A JP60109420 A JP 60109420A JP 10942085 A JP10942085 A JP 10942085A JP H0617897 B2 JPH0617897 B2 JP H0617897B2
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 58
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 18
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 15
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 5
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015800 MoS Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 1
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ガスの濃度を超音波により測定する装置にお
いて、使用される超音波センサー部に優れた耐湿性を付
与することにより、長期間連続して精度よく計測し得る
ガス濃度測定装置に関するものである。
いて、使用される超音波センサー部に優れた耐湿性を付
与することにより、長期間連続して精度よく計測し得る
ガス濃度測定装置に関するものである。
超音波伝播速度の被測定ガス濃度依存性を利用して、混
合ガス或いは単組成ガスの濃度を測定する装置につい
て、まずその測定原理について説明する。
合ガス或いは単組成ガスの濃度を測定する装置につい
て、まずその測定原理について説明する。
混合ガスの超音波伝播速度は混合ガスの各諸定数、濃
度、温度等により決定され、次式(1)にて表わされる。
度、温度等により決定され、次式(1)にて表わされる。
V:混合ガスの超音波伝播速度 Cpi:混合ガス中の測定対象ガスiの定圧比熱 Cvi:混合ガス中の測定対象ガスiの定容比熱 Mi:混合ガス中の測定対象ガスiの分子量 Xi:混合ガス中の測定対象ガスiのモル分率 R:気体定数 T:混合ガス絶体温度 今、混合ガスの成分を空気、CO2の2成分系を例とし
て式(1)を書き換えると、 V2=(Cpco2Xco2+CpairXair)/(Cvco2Xco2+CvairXair)・R・T……(2) となり、各定数を入れ、混合ガス絶体温度293゜Kにおけ
るCO2各濃度の超音波伝播速度を計算した結果を第1表
及び第1図に示す。
て式(1)を書き換えると、 V2=(Cpco2Xco2+CpairXair)/(Cvco2Xco2+CvairXair)・R・T……(2) となり、各定数を入れ、混合ガス絶体温度293゜Kにおけ
るCO2各濃度の超音波伝播速度を計算した結果を第1表
及び第1図に示す。
またΣXi=1であるので、式(2)は次式(3)で表わされ
る。
る。
式(3)よりXco2濃度は次式(4)で表わされる Xco2=F(V,T) 即ち、測定対象ガス濃度は、超音波伝播速度V及びガス
温度Tの関数となる。
温度Tの関数となる。
以上の理論に基づき設計した測定系統図の1例を第2図
に従い説明する。
に従い説明する。
超音波センサー(1)は、送波用超音波素子(2)及び該送波
用超音波素子(2)と相対する位置に設置された受波用超
音波素子(3)とからなる。超音波センサー(1)を測定対象
ガス雰囲気(4)中に適切なる方法で設置する。送波用超
音波素子(2)より送信された超音波は測定対象ガスが存
在する超音波パス部(5)を通過し、受波用超音波素子(3)
にて受信される。この際超音波パス(5)を通過する音速
は測定対象ガス濃度に反比例する。送波用超音波素子
(2)は電歪型振動子等からなるものであり、駆動増幅器
(6)及び負イミタンス変換器(7)は、帰環発振用増幅器(1
0)にて制御される信号発生器(8)より発生された高周波
信号を増幅し、且つ応答特性を向上させるものである。
受波用超音波素子(3)は電歪型振動子等からなるもので
あり、前置増幅器(9)は受波用超音波素子(3)からの高周
波信号を増幅し、帰環発振増幅器(10)に入力するもので
ある。抵抗(11)及び負イミタンス変換器(12)は受波用超
音波素子(3)の応答特性を向上させるものである。
用超音波素子(2)と相対する位置に設置された受波用超
音波素子(3)とからなる。超音波センサー(1)を測定対象
ガス雰囲気(4)中に適切なる方法で設置する。送波用超
音波素子(2)より送信された超音波は測定対象ガスが存
在する超音波パス部(5)を通過し、受波用超音波素子(3)
にて受信される。この際超音波パス(5)を通過する音速
は測定対象ガス濃度に反比例する。送波用超音波素子
(2)は電歪型振動子等からなるものであり、駆動増幅器
(6)及び負イミタンス変換器(7)は、帰環発振用増幅器(1
0)にて制御される信号発生器(8)より発生された高周波
信号を増幅し、且つ応答特性を向上させるものである。
受波用超音波素子(3)は電歪型振動子等からなるもので
あり、前置増幅器(9)は受波用超音波素子(3)からの高周
波信号を増幅し、帰環発振増幅器(10)に入力するもので
ある。抵抗(11)及び負イミタンス変換器(12)は受波用超
音波素子(3)の応答特性を向上させるものである。
一方前述の帰環発振系(13)の周波数fmと超音波パス(5)
における測定対象混合ガス中の超音波伝播速度Vとの間
には、fm=k・V/l(但しlは送波用超音波素子(2)と受波
用超音波素子(3)との距離、kは比例定数を各々表わ
す)の関係があるので、該帰環発振系(13)の周波数fmと
水晶振動子(14)等により発生させた安定された基準周波
数foとを混合器(15)に入力し、fmとfoとの差Fをとる。
このFを周波数電圧変換器(16)により電圧に変換し、演
算器(17)に入力させる。
における測定対象混合ガス中の超音波伝播速度Vとの間
には、fm=k・V/l(但しlは送波用超音波素子(2)と受波
用超音波素子(3)との距離、kは比例定数を各々表わ
す)の関係があるので、該帰環発振系(13)の周波数fmと
水晶振動子(14)等により発生させた安定された基準周波
数foとを混合器(15)に入力し、fmとfoとの差Fをとる。
このFを周波数電圧変換器(16)により電圧に変換し、演
算器(17)に入力させる。
温度センサー(18)はサーミスター,測温抵抗体,熱電対
等の1種からなるもので、測定対象ガス雰囲気(4)中の
温度計測用であり、この温度情報を演算器(17)に入力さ
せ、超音波伝播速度の温度依存性を消去させる温度補償
を行なわしめる。この温度補償された出力電圧はアナロ
グ電圧計,ディジタル電圧計,記録計等の表示器(19)に
表示される。
等の1種からなるもので、測定対象ガス雰囲気(4)中の
温度計測用であり、この温度情報を演算器(17)に入力さ
せ、超音波伝播速度の温度依存性を消去させる温度補償
を行なわしめる。この温度補償された出力電圧はアナロ
グ電圧計,ディジタル電圧計,記録計等の表示器(19)に
表示される。
次にこのガス濃度測定装置を用い、混合ガス組成,即ち
空気,CO2,H2Oの3成分系に於けるCO2ガス濃度測定の
1例を第2図及び第3図により詳述する。
空気,CO2,H2Oの3成分系に於けるCO2ガス濃度測定の
1例を第2図及び第3図により詳述する。
100%CO2ガス入りボンベ(20)及びコンプレッサー型エア
ポンプ(21)から各々供給されるCO2ガス及び空気を流量
調節バルブ付流量計(22),(23)でCO2ガスの濃度を予め
設定し、流量計(22),(23)の後にCO2ガスと空気を混合
するチェンバー型の混合室(24)を設け、混合室(24)で混
合されたCO2/空気の混合ガスを測定用チェンバー(25)
内へ導入管(26)を介して導入する。測定用チェッバー(2
5)の底面に導入管(26)が十分浸るだけの水層(27)を設
け、導入管(26)に適宜設けられたガス吹出し口よりCO2
/空気混合ガスを水層(27)を介して測定用チェンバー(2
5)内に吹き出させる。この操作により、測定用チェンバ
ー(25)内の相対湿度は95〜100%の高湿度となる。測定用
チェンバー(25)の上部にモーター(28)により回転する攪
拌羽根(29)を設け、測定用チェンバー(25)内の混合ガス
濃度を均一にする。混合ガスは混合ガス出口用パイプ(3
0)より測定用チェンバー(25)外に排出される。測定用チ
ェンバー(25)内の適切なる位置に本発明による超音波セ
ンサー(1)を設置し、シールドケーブル(31)にて帰環発
振系(13),水晶振動子(14),混合器(15),周波数電圧変
換器(16)及び演算器(17)より構成される演算制御器(32)
に接続する。温度補償用測定抵抗型温度センサー(18)を
ケーブル(33)にて演算制御器(32)の演算器(17)に接続す
る。演算器(17)からの出力電圧は、CO2ガス濃度0〜20V
ol%に対し、0〜20Vに合わせた。従って出力電圧の読み
がCO2ガス濃度となる。表示器(19)にはディジタル電圧
計を用い、また帰環発振系(13)の周波数fmを周波数カウ
ンター(34)にてモニターした。ガス出口用パイプ(30)よ
り導き出される混合ガスを赤外ガス分析器(35)に排出パ
イプ(36)により導入し、CO2ガス濃度を測定する。また
排出パイプ(36)の途中にサンプリングポート(37)を設
け、ガスクロマトグラフ(38)に接続しCO2ガス濃度を検
定する。
ポンプ(21)から各々供給されるCO2ガス及び空気を流量
調節バルブ付流量計(22),(23)でCO2ガスの濃度を予め
設定し、流量計(22),(23)の後にCO2ガスと空気を混合
するチェンバー型の混合室(24)を設け、混合室(24)で混
合されたCO2/空気の混合ガスを測定用チェンバー(25)
内へ導入管(26)を介して導入する。測定用チェッバー(2
5)の底面に導入管(26)が十分浸るだけの水層(27)を設
け、導入管(26)に適宜設けられたガス吹出し口よりCO2
/空気混合ガスを水層(27)を介して測定用チェンバー(2
5)内に吹き出させる。この操作により、測定用チェンバ
ー(25)内の相対湿度は95〜100%の高湿度となる。測定用
チェンバー(25)の上部にモーター(28)により回転する攪
拌羽根(29)を設け、測定用チェンバー(25)内の混合ガス
濃度を均一にする。混合ガスは混合ガス出口用パイプ(3
0)より測定用チェンバー(25)外に排出される。測定用チ
ェンバー(25)内の適切なる位置に本発明による超音波セ
ンサー(1)を設置し、シールドケーブル(31)にて帰環発
振系(13),水晶振動子(14),混合器(15),周波数電圧変
換器(16)及び演算器(17)より構成される演算制御器(32)
に接続する。温度補償用測定抵抗型温度センサー(18)を
ケーブル(33)にて演算制御器(32)の演算器(17)に接続す
る。演算器(17)からの出力電圧は、CO2ガス濃度0〜20V
ol%に対し、0〜20Vに合わせた。従って出力電圧の読み
がCO2ガス濃度となる。表示器(19)にはディジタル電圧
計を用い、また帰環発振系(13)の周波数fmを周波数カウ
ンター(34)にてモニターした。ガス出口用パイプ(30)よ
り導き出される混合ガスを赤外ガス分析器(35)に排出パ
イプ(36)により導入し、CO2ガス濃度を測定する。また
排出パイプ(36)の途中にサンプリングポート(37)を設
け、ガスクロマトグラフ(38)に接続しCO2ガス濃度を検
定する。
測定用チェンバー内に混合ガスの温度を測定するための
サーミスター温度センサー(39)を設け、温度測定器(40)
にてモニターする。測定用チェンバー(25)は、混合ガス
入口用パイプ(41)及び混合ガス出口用パイプ(30)以外は
完全に密封系となっている。また、測定用チェンバー(2
5)は、±0.1℃にコントロールされる温度可変の空気恒
温槽(42)内に設置し、測定用チェンバー(25)内の温度が
任意に変えられるようにしてある。
サーミスター温度センサー(39)を設け、温度測定器(40)
にてモニターする。測定用チェンバー(25)は、混合ガス
入口用パイプ(41)及び混合ガス出口用パイプ(30)以外は
完全に密封系となっている。また、測定用チェンバー(2
5)は、±0.1℃にコントロールされる温度可変の空気恒
温槽(42)内に設置し、測定用チェンバー(25)内の温度が
任意に変えられるようにしてある。
以上の検定用装置により、測定用チェンバー(25)内の温
度を27℃,35℃,42℃と変え、各々の温度に於いて、CO
2ガス濃度を流量計(22),(23)にて0〜20%の範囲で変
え、赤外線ガス分析器(35)及びガスクロマトグラフ(38)
による本超音波ガス濃度測定装置の測定データを第2表
及び第4図に示す。
度を27℃,35℃,42℃と変え、各々の温度に於いて、CO
2ガス濃度を流量計(22),(23)にて0〜20%の範囲で変
え、赤外線ガス分析器(35)及びガスクロマトグラフ(38)
による本超音波ガス濃度測定装置の測定データを第2表
及び第4図に示す。
第2表及び第4図より、本超音波ガス濃度測定装置の帰
環発振系周波数fmが検定用ガスクロマトグラフによる濃
度に対して直線性を示し、且つ超音波ガス濃度測定装置
の濃度指示が検定用ガスクロマトグラフによる濃度に一
致する。
環発振系周波数fmが検定用ガスクロマトグラフによる濃
度に対して直線性を示し、且つ超音波ガス濃度測定装置
の濃度指示が検定用ガスクロマトグラフによる濃度に一
致する。
以上、本超音波ガス濃度測定装置の1実施例としてCO2
/空気系で説明したが、これに限定されるものではな
い。
/空気系で説明したが、これに限定されるものではな
い。
次に、本超音波ガス濃度測定装置の送波用超音波素子及
び受波用超音波素子内に用いられている、超音波センサ
ーについて説明する。両素子とも超音波センサーの構造
自体は従来のものと変りはなく、従来より、超音波振動
子(例えばPZT等の圧電磁器)に銀電極を焼き付け、こ
れを板またはホルダー(例えば金属製、プラスチック製
等)に貼り合せた構造の、計測・制御用超音波機器の送
信用もしくは受信用として使われている超音波センサー
と同一である。これらはPZT等の表面の電極、例えば銀
等の導電体は水蒸気によって電蝕現象を起こし易く、正
確に超音波信号を電気信号へ変換し、もしくは、電気信
号を超音波信号へ変換することが難しくなるケースが多
い。そこで、超音波振動子に付けた電極の電蝕を防ぐた
めに、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン等
の封止物質を用いて、ホルダー内部へ水蒸気が侵入する
のを防止する方法がとられている。しかし、超音波振動
子を貼り合せ、封止物質で封止してある構造の超音波セ
ンサーは、1年乃至10年と言う長期間、湿度80〜100%の
雰囲気中で連続使用した場合、水分の経時的な侵入によ
り電蝕現象を起こしてしまうという欠点があった。ま
た、金属ホルダーを用いて、溶接でシーリングを行なう
方法もあるが、超音波振動子と金属ホルダーとの貼り合
せに用いる接着用樹脂の熱による劣化があり、溶接は難
しいという欠点があった。
び受波用超音波素子内に用いられている、超音波センサ
ーについて説明する。両素子とも超音波センサーの構造
自体は従来のものと変りはなく、従来より、超音波振動
子(例えばPZT等の圧電磁器)に銀電極を焼き付け、こ
れを板またはホルダー(例えば金属製、プラスチック製
等)に貼り合せた構造の、計測・制御用超音波機器の送
信用もしくは受信用として使われている超音波センサー
と同一である。これらはPZT等の表面の電極、例えば銀
等の導電体は水蒸気によって電蝕現象を起こし易く、正
確に超音波信号を電気信号へ変換し、もしくは、電気信
号を超音波信号へ変換することが難しくなるケースが多
い。そこで、超音波振動子に付けた電極の電蝕を防ぐた
めに、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン等
の封止物質を用いて、ホルダー内部へ水蒸気が侵入する
のを防止する方法がとられている。しかし、超音波振動
子を貼り合せ、封止物質で封止してある構造の超音波セ
ンサーは、1年乃至10年と言う長期間、湿度80〜100%の
雰囲気中で連続使用した場合、水分の経時的な侵入によ
り電蝕現象を起こしてしまうという欠点があった。ま
た、金属ホルダーを用いて、溶接でシーリングを行なう
方法もあるが、超音波振動子と金属ホルダーとの貼り合
せに用いる接着用樹脂の熱による劣化があり、溶接は難
しいという欠点があった。
以下図面に従って、従来技術を更に詳しく説明する。第
8図は、従来の超音波センサーの1例を示したもので、
第8図(a)は超音波センサー(59)の側面の断面形状を示
し、第8図(b)は第8図(a)の超音波振動子(45)(例え
ば、PZT等の圧電磁器、圧電特性を有する樹脂)の周辺
部分の拡大図である。
8図は、従来の超音波センサーの1例を示したもので、
第8図(a)は超音波センサー(59)の側面の断面形状を示
し、第8図(b)は第8図(a)の超音波振動子(45)(例え
ば、PZT等の圧電磁器、圧電特性を有する樹脂)の周辺
部分の拡大図である。
第8図(b)に示したように、超音波振動子(45)には電極
(60)、(61)を設けてあり、超音波振動子(45)をホルダー
(44)(例えば、金属及び樹脂等)に、超音波伝播特性の
良い接着剤(62)によって貼り合せてある。電極(60)、(6
1)は第8図(b)に示したように、ケーブル(46)、(47)で端
子(48)、(49)と結び、端子(48)、(49)を基板(50)(例え
ば、フェノール樹脂積層板、エポキシ樹脂積層板)で固
定し、その上を封止物質(51)で封止している。水蒸気雰
囲気中で長期間、例えば1年から10年間以上連続して使
用した場合、封止物質(51)を通して水分がホルダー(44)
内部に侵入し、電極(60)、(61)が電蝕を起こし、超音波
の正常な送信、受信ができなくなるという欠点があっ
た。
(60)、(61)を設けてあり、超音波振動子(45)をホルダー
(44)(例えば、金属及び樹脂等)に、超音波伝播特性の
良い接着剤(62)によって貼り合せてある。電極(60)、(6
1)は第8図(b)に示したように、ケーブル(46)、(47)で端
子(48)、(49)と結び、端子(48)、(49)を基板(50)(例え
ば、フェノール樹脂積層板、エポキシ樹脂積層板)で固
定し、その上を封止物質(51)で封止している。水蒸気雰
囲気中で長期間、例えば1年から10年間以上連続して使
用した場合、封止物質(51)を通して水分がホルダー(44)
内部に侵入し、電極(60)、(61)が電蝕を起こし、超音波
の正常な送信、受信ができなくなるという欠点があっ
た。
本発明は、従来の超音波センサーのこのような欠点に鑑
み超音波ガス濃度測定装置の送波用超音波素子及び受波
用超音波素子に使用される超音波センサー表面に薄膜を
形成して水分の侵入を防止することにより、長時間連続
して精度よく計測し得るガス濃度測定装置を提供するこ
とを目的としたものである。
み超音波ガス濃度測定装置の送波用超音波素子及び受波
用超音波素子に使用される超音波センサー表面に薄膜を
形成して水分の侵入を防止することにより、長時間連続
して精度よく計測し得るガス濃度測定装置を提供するこ
とを目的としたものである。
即ち本発明は、超音波振動子、ホルダー、及び封止物質
から基本的に構成され、該封止物質の表面に導電性及び
/または非導電性物質からなる厚さ500〜5000Åの膜を
形成したことを特徴とする耐湿型超音波センサーを用い
たガス濃度測定装置である。
から基本的に構成され、該封止物質の表面に導電性及び
/または非導電性物質からなる厚さ500〜5000Åの膜を
形成したことを特徴とする耐湿型超音波センサーを用い
たガス濃度測定装置である。
以下、図面を参照して本発明を説明する。
第5図、第6図及び第7図は、本発明に従う実施例の超
音波センサー(43)、(53)、(56)の側面の断面形状を示すも
のである。いずれもその基本構造は、第8図に示した従
来の超音波センサーと同様であり、超音波振動子(45)に
は第8図(b)のごとく電極(60)、(61)が設けてあり、該超
音波振動子(45)は、接着剤(62)によってホルダー(44)に
貼り合せてある。電極(60)、(61)はケーブル(46)、(47)に
より端子(48)、(49)と結ばれている。端子(48)、(49)は基
板(50)で固定され、その上を封止物質(51)で封止してあ
る。
音波センサー(43)、(53)、(56)の側面の断面形状を示すも
のである。いずれもその基本構造は、第8図に示した従
来の超音波センサーと同様であり、超音波振動子(45)に
は第8図(b)のごとく電極(60)、(61)が設けてあり、該超
音波振動子(45)は、接着剤(62)によってホルダー(44)に
貼り合せてある。電極(60)、(61)はケーブル(46)、(47)に
より端子(48)、(49)と結ばれている。端子(48)、(49)は基
板(50)で固定され、その上を封止物質(51)で封止してあ
る。
第5図は、超音波センサー(43)の封止物質(51)等の表面
に薄膜(52)を形成した超音波センサーを示す。薄膜(52)
の材質は、非導電性物質、例えば真空蒸着、スパッタリ
ング、イオンプレーティング等の薄膜形成方法で形成で
きる物質が対象であり、特にSiO、SiO2、ポリテトラフ
ルオロエチレン等のフッ素系樹脂等が良い。膜厚は500
Å〜5000Åとし、好ましくは1500Å〜3000Åとするのが
好適である。薄膜(52)は非導電性であるから、封止物質
(51)よりホルダー(44)の外部に出ている端子(48)、(49)
部分には、薄膜が形成されないように、例えばテフロン
(商標名)テープ等を巻きつけ、カバーをして薄膜(52)
を形成させる。
に薄膜(52)を形成した超音波センサーを示す。薄膜(52)
の材質は、非導電性物質、例えば真空蒸着、スパッタリ
ング、イオンプレーティング等の薄膜形成方法で形成で
きる物質が対象であり、特にSiO、SiO2、ポリテトラフ
ルオロエチレン等のフッ素系樹脂等が良い。膜厚は500
Å〜5000Åとし、好ましくは1500Å〜3000Åとするのが
好適である。薄膜(52)は非導電性であるから、封止物質
(51)よりホルダー(44)の外部に出ている端子(48)、(49)
部分には、薄膜が形成されないように、例えばテフロン
(商標名)テープ等を巻きつけ、カバーをして薄膜(52)
を形成させる。
第6図は、超音波センサー(53)の端子(48)、(49)の薄膜
(57)に接する部分に絶縁皮膜(54)、(55)をつけ、封止物
質(51)の表面に薄膜(57)を形成した超音波センサーを示
す。薄膜(57)の材質は、導電性物質、例えば真空蒸着、
スパッタリング、イオンプレーティング等の薄膜形成方
法で形成できる物質が対象であり、特にAl、Au、Pb、C
u、チタン合金、Ni、Cr、MoS2、MgF2等が良い。その膜
厚は500Å〜5000Å、好ましくは1500Å〜3000Åが好適
である。薄膜(57)は導電性であるから、端子(48)、(49)
の基板(50)、封止物質(51)、及び薄膜(57)に接する部分
には、絶縁被膜(54)、(55)を設けてある。また、端子(4
8)、(49)の封止物質(51)よりホルダー(44)の外部に出て
いる部分には、薄膜が形成されないように、例えばテフ
ロン(商標名)テープ等を巻きつけ、カバーをして薄膜
(57)を形成させる。
(57)に接する部分に絶縁皮膜(54)、(55)をつけ、封止物
質(51)の表面に薄膜(57)を形成した超音波センサーを示
す。薄膜(57)の材質は、導電性物質、例えば真空蒸着、
スパッタリング、イオンプレーティング等の薄膜形成方
法で形成できる物質が対象であり、特にAl、Au、Pb、C
u、チタン合金、Ni、Cr、MoS2、MgF2等が良い。その膜
厚は500Å〜5000Å、好ましくは1500Å〜3000Åが好適
である。薄膜(57)は導電性であるから、端子(48)、(49)
の基板(50)、封止物質(51)、及び薄膜(57)に接する部分
には、絶縁被膜(54)、(55)を設けてある。また、端子(4
8)、(49)の封止物質(51)よりホルダー(44)の外部に出て
いる部分には、薄膜が形成されないように、例えばテフ
ロン(商標名)テープ等を巻きつけ、カバーをして薄膜
(57)を形成させる。
第7図は、超音波センサー(56)の封止物質(51)の表面
と、端子(48)、(49)の薄膜(57)に接する部分に薄膜(58)
を形成し、更に薄膜(58)の上に薄膜(57)を形成した超音
波センサーを示す。薄膜(58)は、真空蒸着、スパッタリ
ング、イオンプレーティング等の薄膜形成方法で形成で
きる物質が対象であり、その材質の種類は限定されるも
のではないが、特に、封止物質(51)と薄膜(57)との間の
線膨張係数を有する物質が好適である。薄膜(58)の膜厚
は、100Å〜4000Å、好ましくは500Å〜1000Åが好適で
ある。また、薄膜(58)と薄膜(57)とを合わせた薄膜全体
の厚さは、500Å〜5000Å、好ましくは1500
Å〜3000Åが好適である。また、薄膜(58)及び(57)
を形成する際には、封止物質(51)よりホルダー(44)の外
部に出ている端子(48)、(49)部分で、薄膜(57)と接する
部分以外に薄膜(58)が形成されないように、更に薄膜(5
8)等の上に出ている端子(48)、(49)の部分に薄膜(57)が
形成されないように、例えばテフロン(商標名)テープ
を巻きつけ、カバーをしてから薄膜(58)及び(57)の形成
を夫々行なう。
と、端子(48)、(49)の薄膜(57)に接する部分に薄膜(58)
を形成し、更に薄膜(58)の上に薄膜(57)を形成した超音
波センサーを示す。薄膜(58)は、真空蒸着、スパッタリ
ング、イオンプレーティング等の薄膜形成方法で形成で
きる物質が対象であり、その材質の種類は限定されるも
のではないが、特に、封止物質(51)と薄膜(57)との間の
線膨張係数を有する物質が好適である。薄膜(58)の膜厚
は、100Å〜4000Å、好ましくは500Å〜1000Åが好適で
ある。また、薄膜(58)と薄膜(57)とを合わせた薄膜全体
の厚さは、500Å〜5000Å、好ましくは1500
Å〜3000Åが好適である。また、薄膜(58)及び(57)
を形成する際には、封止物質(51)よりホルダー(44)の外
部に出ている端子(48)、(49)部分で、薄膜(57)と接する
部分以外に薄膜(58)が形成されないように、更に薄膜(5
8)等の上に出ている端子(48)、(49)の部分に薄膜(57)が
形成されないように、例えばテフロン(商標名)テープ
を巻きつけ、カバーをしてから薄膜(58)及び(57)の形成
を夫々行なう。
尚、本発明で用いられる超音波振動子(45)、ホルダー(4
4)、基板(50)、及び封止物質(51)の材質は、従来の超音
波センサーと同様で特に限定されるものではなく、超音
波振動子としてはPZT等の圧電磁器や圧電特性を有する
樹脂、ホルダーとしては金属やプラスチック、基板とし
てはフェノール樹脂、エポキシ樹脂等の積層板、また封
止物質としてはシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリウ
レタン等が使用できる。
4)、基板(50)、及び封止物質(51)の材質は、従来の超音
波センサーと同様で特に限定されるものではなく、超音
波振動子としてはPZT等の圧電磁器や圧電特性を有する
樹脂、ホルダーとしては金属やプラスチック、基板とし
てはフェノール樹脂、エポキシ樹脂等の積層板、また封
止物質としてはシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリウ
レタン等が使用できる。
更に第9図は、第5図、第6図および第7図で説明した
本発明による超音波センサー(68)をブロック(67)に内蔵
する事により、本発明の目的とする耐湿性を更に向上さ
せ得る1実施例である。第9図中、ブロック(67)は、ア
ルミニウム、ステンレススティール等の耐蝕性に優れた
金属または合成樹脂等からなり、超音波センサー(68)の
端子(48)及び(49)側の端面(69)は、ブロック(67)のセン
サー受け部(70)にて超音波センサー(68)の振動端面(71)
とブロック(67)のブロック端面部(72)がほぼ同一面内に
なるように位置決めを行なう。超音波センサー(68)とブ
ロック(67)との環状空隙部(73)には、超音波センサー(6
8)の超音波振動を吸収し得るシリコン樹脂、ゴム等の弾
性材料からなる弾性封止材(74)、(75)にて超音波センサ
ー(68)をブロック(67)に固定する。ケーブル(76)は、超
音波センサー(68)の端子(48)、(49)に超音波高周波信号
を送受信する二芯の電線であり、ブロック(67)の図中左
端面部に削孔した穴(77)を介して端子(48)、(49)に接続
される。ブロック(67)とケーブル(76)との隙間には、ネ
ジブッシュまたはポリブタジエン、ポリ塩化ビニリデン
等の高耐湿性樹脂等を封入する。
本発明による超音波センサー(68)をブロック(67)に内蔵
する事により、本発明の目的とする耐湿性を更に向上さ
せ得る1実施例である。第9図中、ブロック(67)は、ア
ルミニウム、ステンレススティール等の耐蝕性に優れた
金属または合成樹脂等からなり、超音波センサー(68)の
端子(48)及び(49)側の端面(69)は、ブロック(67)のセン
サー受け部(70)にて超音波センサー(68)の振動端面(71)
とブロック(67)のブロック端面部(72)がほぼ同一面内に
なるように位置決めを行なう。超音波センサー(68)とブ
ロック(67)との環状空隙部(73)には、超音波センサー(6
8)の超音波振動を吸収し得るシリコン樹脂、ゴム等の弾
性材料からなる弾性封止材(74)、(75)にて超音波センサ
ー(68)をブロック(67)に固定する。ケーブル(76)は、超
音波センサー(68)の端子(48)、(49)に超音波高周波信号
を送受信する二芯の電線であり、ブロック(67)の図中左
端面部に削孔した穴(77)を介して端子(48)、(49)に接続
される。ブロック(67)とケーブル(76)との隙間には、ネ
ジブッシュまたはポリブタジエン、ポリ塩化ビニリデン
等の高耐湿性樹脂等を封入する。
弾性封止材(75)の外気に曝される表面、即ち振動端面(7
1)及びブロック端面部(72)の表面には薄膜(78)及び/ま
たは薄膜(79)を形成する。薄膜(78)の材質は、弾性封止
材(75)との密着性の良い材質、例えば弾性封止材(75)が
シリコン樹脂の場合には真空蒸着、スパッタリング、イ
オンプレーティング等の薄膜形成方法で形成できる物質
が対象であり、SiO、SiO2等の非電導性薄膜が望ましい。
また薄膜(79)の材質は、SiO、SiO2等の薄膜(78)、ブロッ
ク(67)及び振動端面(71)との密着性が良く、真空蒸着、
スパッタリング、イオンプレーティング等の薄膜形成方
法で形成でき、且つピンホール等の発生の少ない物質が
対象であり、特にAl、Au、Pb、Cu、チタン合金、Ni、C
r、MoS2、MgF2等の導電性薄膜が良い。薄膜(78)の膜厚
は100Å〜4000Å、好ましくは500Å〜1000Å、薄膜(79)
の膜厚は500Å〜5000Å、好ましくは1500Å〜3000Å、
薄膜(78)と薄膜(79)との合計の厚みは1000Å〜5000Å、
好ましくは2000Å〜4000Åが良い。
1)及びブロック端面部(72)の表面には薄膜(78)及び/ま
たは薄膜(79)を形成する。薄膜(78)の材質は、弾性封止
材(75)との密着性の良い材質、例えば弾性封止材(75)が
シリコン樹脂の場合には真空蒸着、スパッタリング、イ
オンプレーティング等の薄膜形成方法で形成できる物質
が対象であり、SiO、SiO2等の非電導性薄膜が望ましい。
また薄膜(79)の材質は、SiO、SiO2等の薄膜(78)、ブロッ
ク(67)及び振動端面(71)との密着性が良く、真空蒸着、
スパッタリング、イオンプレーティング等の薄膜形成方
法で形成でき、且つピンホール等の発生の少ない物質が
対象であり、特にAl、Au、Pb、Cu、チタン合金、Ni、C
r、MoS2、MgF2等の導電性薄膜が良い。薄膜(78)の膜厚
は100Å〜4000Å、好ましくは500Å〜1000Å、薄膜(79)
の膜厚は500Å〜5000Å、好ましくは1500Å〜3000Å、
薄膜(78)と薄膜(79)との合計の厚みは1000Å〜5000Å、
好ましくは2000Å〜4000Åが良い。
本実施例では、薄膜(78)及び薄膜(79)からなる2層の薄
膜で説明したが、弾性封止材(75)、ブロック(67)、振動
端面(71)の材質の組み合わせ等によっては、薄膜(78)ま
たは薄膜(79)のどちらか一層でもよい。
膜で説明したが、弾性封止材(75)、ブロック(67)、振動
端面(71)の材質の組み合わせ等によっては、薄膜(78)ま
たは薄膜(79)のどちらか一層でもよい。
本発明に従うと、従来より使用されている超音波センサ
ーのシーリング部材の上に薄膜を形成することによっ
て、従来の超音波センサーの耐湿性を著しく向上させる
ことができ、超音波ガス濃度測定装置に使用される超音
波センサーを、長期間連続して水蒸気雰囲気中で使用で
きる。薄膜を形成している本発明による超音波センサー
と、従来の超音波センサーとを促進試験にかけた結果を
第10図に示した。試験は、60℃の温水中に超音波センサ
ーを浸漬し、直流電圧を印加して行なった。第10図にお
いて、縦軸(66)は絶縁抵抗で単位はMΩ、横軸(65)は、
試験時間で単位は時間である。薄膜を形成している本発
明による超音波センサーの変化線(63)と、従来の超音波
センサーの変化線(64)とを比較すると、本発明に従う構
造の超音波センサーには変化が見られず、絶縁抵抗の劣
化がなく、耐湿性が優れていることが分かる。また、本
発明による超音波センサーをブロック(67)に内蔵し、弾
性封止材(75)、ブロック(67)及び振動端面(71)上に薄膜
を形成させる事により、超音波センサーの耐湿性を更に
向上させる事が可能である。
ーのシーリング部材の上に薄膜を形成することによっ
て、従来の超音波センサーの耐湿性を著しく向上させる
ことができ、超音波ガス濃度測定装置に使用される超音
波センサーを、長期間連続して水蒸気雰囲気中で使用で
きる。薄膜を形成している本発明による超音波センサー
と、従来の超音波センサーとを促進試験にかけた結果を
第10図に示した。試験は、60℃の温水中に超音波センサ
ーを浸漬し、直流電圧を印加して行なった。第10図にお
いて、縦軸(66)は絶縁抵抗で単位はMΩ、横軸(65)は、
試験時間で単位は時間である。薄膜を形成している本発
明による超音波センサーの変化線(63)と、従来の超音波
センサーの変化線(64)とを比較すると、本発明に従う構
造の超音波センサーには変化が見られず、絶縁抵抗の劣
化がなく、耐湿性が優れていることが分かる。また、本
発明による超音波センサーをブロック(67)に内蔵し、弾
性封止材(75)、ブロック(67)及び振動端面(71)上に薄膜
を形成させる事により、超音波センサーの耐湿性を更に
向上させる事が可能である。
以上述べた如く、本発明による耐湿性を著しく向上させ
た超音波センサーを用いた超音波ガス濃度測定装置は、
温度及び湿度の変動に対する影響が少なく、且つ高湿度
下における長期の連続使用に対しても精度良く計測する
ことができ、工業上極めて有用なる発明である。
た超音波センサーを用いた超音波ガス濃度測定装置は、
温度及び湿度の変動に対する影響が少なく、且つ高湿度
下における長期の連続使用に対しても精度良く計測する
ことができ、工業上極めて有用なる発明である。
第1図はCO2ガス濃度と超音波伝播速度の関係を示すグ
ラフ、第2図は測定系統図の1例、第3図はガス濃度測
定装置を用いてCO2ガス濃度を測定する1例、第4図は
第2表をグラフ化したもの、第5図、第6図及び第7図
は本発明に従う超音波センサーの実施例を示し、夫々、
側面の断面図である。第8図(a)は従来の超音波センサ
ーの側面の断面形状を示し、第8図(b)は第8図(a)の超
音波振動子(45)の周辺部分の拡大図である。第9図は本
発明に従うブロック内蔵型超音波センサーの1実施例を
示す図である。また、第10図は耐湿性能を比較する促進
試験の結果を示す図である。
ラフ、第2図は測定系統図の1例、第3図はガス濃度測
定装置を用いてCO2ガス濃度を測定する1例、第4図は
第2表をグラフ化したもの、第5図、第6図及び第7図
は本発明に従う超音波センサーの実施例を示し、夫々、
側面の断面図である。第8図(a)は従来の超音波センサ
ーの側面の断面形状を示し、第8図(b)は第8図(a)の超
音波振動子(45)の周辺部分の拡大図である。第9図は本
発明に従うブロック内蔵型超音波センサーの1実施例を
示す図である。また、第10図は耐湿性能を比較する促進
試験の結果を示す図である。
Claims (3)
- 【請求項1】帰還増幅器によって制御される信号発生
器、該信号発生器により発生される高周波信号を増幅す
る駆動増幅器、該駆動増幅器により増幅された高周波信
号を超音波に変換し発信する電歪型振動子よりなる送波
用超音波素子と該超音波を受信し電気信号に変換する電
歪型振動子よりなる受波用超音波素子から構成される超
音波センサー、該送波用超音波素子と駆動増幅器の間に
接続した負イミタンス変換器、該受波用超音波素子と並
列に接続した抵抗及び負イミタンス変換器、及び帰還増
幅器に入力するための前置増幅器より構成された帰還発
信系と、帰還発信系の周波数と水晶振動子等より発生さ
れた基準周波数との差を演算する混合器、該混合器によ
り演算された周波数を電圧に変換する周波数電圧変換
器、該周波数電圧変換器により出力された値と温度セン
サーによって検出された温度情報とからガス濃度を演算
し出力する演算器よりなる演算出力系とから構成される
ガス濃度測定装置において、前記超音波センサーが、超
音波振動子、ホルダー及び封止物質から基本的に構成さ
れ、該超音波振動子をホルダーに接着し、ホルダーの開
口部を封止物質で封止すると共に、該封止物質の表面に
導電性または非導電性物質からなる厚さ500〜500
0Åの薄膜を形成した耐湿型超音波センサーであること
を特徴とするガス濃度測定装置。 - 【請求項2】超音波センサーが、封止物質の表面に厚さ
100〜4000Åの非導電性物質の薄膜を形成した
後、該非導電性物質の薄膜の上に導電性物質の薄膜を形
成し、薄膜全体の厚さを500〜5000Åとしたこと
を特徴とする、特許請求の範囲第(1)項記載のガス濃
度測定装置。 - 【請求項3】超音波センサーをブロックに内蔵し、弾性
封止材、超音波センサー振動端面及びブロック端面部に
非導電性及び導電性物質からなる厚さ1000〜500
0Åの薄膜を形成したことを特徴とする、特許請求の範
囲第(1)項または第(2)項記載のガス濃度測定装
置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60109420A JPH0617897B2 (ja) | 1985-05-23 | 1985-05-23 | ガス濃度測定装置 |
| US06/752,535 US4662212A (en) | 1984-09-10 | 1985-07-08 | Measuring instrument for concentration of gas |
| CN 85105865 CN1011441B (zh) | 1985-05-23 | 1985-08-02 | 气体浓度测量仪 |
| DE8585111375T DE3587415D1 (de) | 1984-09-10 | 1985-09-09 | Geraet zur messung der konzentration eines gases. |
| EP85111375A EP0174627B1 (en) | 1984-09-10 | 1985-09-09 | Measuring instrument for concentration of gas |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60109420A JPH0617897B2 (ja) | 1985-05-23 | 1985-05-23 | ガス濃度測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61269061A JPS61269061A (ja) | 1986-11-28 |
| JPH0617897B2 true JPH0617897B2 (ja) | 1994-03-09 |
Family
ID=14509790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60109420A Expired - Lifetime JPH0617897B2 (ja) | 1984-09-10 | 1985-05-23 | ガス濃度測定装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0617897B2 (ja) |
| CN (1) | CN1011441B (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BRPI0418266A (pt) * | 2003-12-30 | 2007-05-02 | 3M Innovative Properties Co | método, meio legìvel por computador, e, sistema |
| CN100465613C (zh) * | 2005-06-28 | 2009-03-04 | 上海理工大学 | 一种在线检测大气颗粒物浓度的方法及其装置 |
| CN102362178B (zh) * | 2009-03-23 | 2014-11-12 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 使用超声的气体感测 |
| KR101956955B1 (ko) * | 2011-11-22 | 2019-03-11 | 인피콘, 인크. | 기체 조성을 결정하기 위한 다중-챔버 음향 센서 |
| CN103425099B (zh) * | 2013-07-16 | 2014-08-06 | 广东工业大学 | 一种硫化过程嵌入式碳排放监控与检测系统 |
| CN108474764B (zh) * | 2015-11-06 | 2021-12-10 | Qorvo美国公司 | 声学谐振器设备和提供气密性及表面功能化的制造方法 |
| CN107246923A (zh) * | 2017-08-07 | 2017-10-13 | 李昕虎 | 一种基于TPoS谐振器的温度计及温度测量方法 |
| CN110957178B (zh) * | 2019-12-13 | 2022-03-22 | 四川新能电力有限公司 | 一种真空开关在线检测方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS554528A (en) * | 1978-06-27 | 1980-01-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Method and apparatus for measuring gas concentration |
| JPS58136734U (ja) * | 1982-03-11 | 1983-09-14 | 日本電子機器株式会社 | ノツキングセンサ− |
| JPS6166126A (ja) * | 1984-09-10 | 1986-04-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 耐湿型超音波センサ− |
-
1985
- 1985-05-23 JP JP60109420A patent/JPH0617897B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1985-08-02 CN CN 85105865 patent/CN1011441B/zh not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61269061A (ja) | 1986-11-28 |
| CN85105865A (zh) | 1986-11-19 |
| CN1011441B (zh) | 1991-01-30 |
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