JPH06179962A - ガスバリヤー性透明電極フィルム - Google Patents
ガスバリヤー性透明電極フィルムInfo
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- JPH06179962A JPH06179962A JP33200292A JP33200292A JPH06179962A JP H06179962 A JPH06179962 A JP H06179962A JP 33200292 A JP33200292 A JP 33200292A JP 33200292 A JP33200292 A JP 33200292A JP H06179962 A JPH06179962 A JP H06179962A
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- Japan
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- gas barrier
- transparent electrode
- electrode film
- silicon oxide
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 ポリエーテルスルフォンやポリエーテルエ
ーテルケトン等の高分子フィルム基材に対して、少なく
とも有機珪素化合物ガスと酸素を原料としたプラズマＣ
ＶＤ法により作成した酸化珪素層と透明導電層とが適宜
積層され、かつ、酸化珪素層の外側にシリコン樹脂層が
積層されてなるガスバリヤー性透明電極フィルム。 【効果】 水蒸気や酸素を避けなければならない液晶
表示素子への応用に適した、透明性ならびに可撓性、耐
摩耗性、高ガスバリヤー性を持つ透明電極フィルムが提
供される。
ーテルケトン等の高分子フィルム基材に対して、少なく
とも有機珪素化合物ガスと酸素を原料としたプラズマＣ
ＶＤ法により作成した酸化珪素層と透明導電層とが適宜
積層され、かつ、酸化珪素層の外側にシリコン樹脂層が
積層されてなるガスバリヤー性透明電極フィルム。 【効果】 水蒸気や酸素を避けなければならない液晶
表示素子への応用に適した、透明性ならびに可撓性、耐
摩耗性、高ガスバリヤー性を持つ透明電極フィルムが提
供される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高分子フィルムを基材
としたガスバリヤー性導電性積層体に関する。さらに詳
しくは、可視光領域における透明性を有し、かつ、酸素
および水蒸気等の気体の透過率が極めて小さく、かつ、
優れた耐候性、耐薬品性ならびに耐摩耗性を有する導電
性フィルムに関するものであって、水蒸気や酸素、その
他有害な気体を避けなければならない液晶表示素子への
応用に適したガスバリヤー性透明電極フィルムに関す
る。
としたガスバリヤー性導電性積層体に関する。さらに詳
しくは、可視光領域における透明性を有し、かつ、酸素
および水蒸気等の気体の透過率が極めて小さく、かつ、
優れた耐候性、耐薬品性ならびに耐摩耗性を有する導電
性フィルムに関するものであって、水蒸気や酸素、その
他有害な気体を避けなければならない液晶表示素子への
応用に適したガスバリヤー性透明電極フィルムに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より、液晶表示用透明導電体の基材
としてはガラスが用いられきたが、近年になり、軽量
である、大面積化が容易である、割れない、加工
性が優れているという性質をもつ透明導電性フィルムを
電極に用いることが提案されている。しかしながら、導
電性フィルムを使用した場合、フィルムを透過する水蒸
気や酸素が液晶素子の性能劣化を招くことがわかってき
た。このような問題を解決するために、フィルム基材に
気体に対するバリヤー性を付与する必要が明らかになっ
た。そこで、導電性フィルムにプラズマ化学気相蒸着法
により酸化珪素の透明なガスバリヤー層を形成すること
が本発明者らによって検討がなされてきた（特願平０４
−２１１３６２）。すなわち、具体的に示せば、高分子
フィルム上に、少なくとも有機珪素化合物のガスと酸素
とを真空容器に導入し、高周波グロー放電を発生させ、
高分子フィルム上に８０℃以下の温度で酸化珪素の層を
形成し、さらに、スパッタ法により透明導電層を形成す
るものである。この場合、高分子フィルムをＡ、透明導
電層をＢ、酸化珪素の層をＣとすると、ＣＡＢ、ＣＡＣ
Ｂ等の構成が考えられる。
としてはガラスが用いられきたが、近年になり、軽量
である、大面積化が容易である、割れない、加工
性が優れているという性質をもつ透明導電性フィルムを
電極に用いることが提案されている。しかしながら、導
電性フィルムを使用した場合、フィルムを透過する水蒸
気や酸素が液晶素子の性能劣化を招くことがわかってき
た。このような問題を解決するために、フィルム基材に
気体に対するバリヤー性を付与する必要が明らかになっ
た。そこで、導電性フィルムにプラズマ化学気相蒸着法
により酸化珪素の透明なガスバリヤー層を形成すること
が本発明者らによって検討がなされてきた（特願平０４
−２１１３６２）。すなわち、具体的に示せば、高分子
フィルム上に、少なくとも有機珪素化合物のガスと酸素
とを真空容器に導入し、高周波グロー放電を発生させ、
高分子フィルム上に８０℃以下の温度で酸化珪素の層を
形成し、さらに、スパッタ法により透明導電層を形成す
るものである。この場合、高分子フィルムをＡ、透明導
電層をＢ、酸化珪素の層をＣとすると、ＣＡＢ、ＣＡＣ
Ｂ等の構成が考えられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者らが、上記の構成の透明電極フィルムに対して切断、
曲げ、他材料との接着等の２次加工を行っていたとこ
ろ、加工後のフィルムの中にガスバリヤー性が著しく低
下するものが見られるという予期せぬ問題に遭遇した。
そこで、本発明者らはかかる問題の原因を鋭意調査した
ところ、加工時にフィルム表面に接触する各種工具や治
具がフィルム表面に欠陥を生じせしめているという事実
を発見した。本発明者らは、かかる問題を解決するため
に、鋭意研究を重ねた結果、透明導電層と酸化珪素層と
が、適宜、透明高分子フィルム基材に積層されて成る透
明導電性フィルムの少なくとも片面にシリコン樹脂層が
積層されてなる、透明電極フィルムを見いだし本発明に
到達した。
者らが、上記の構成の透明電極フィルムに対して切断、
曲げ、他材料との接着等の２次加工を行っていたとこ
ろ、加工後のフィルムの中にガスバリヤー性が著しく低
下するものが見られるという予期せぬ問題に遭遇した。
そこで、本発明者らはかかる問題の原因を鋭意調査した
ところ、加工時にフィルム表面に接触する各種工具や治
具がフィルム表面に欠陥を生じせしめているという事実
を発見した。本発明者らは、かかる問題を解決するため
に、鋭意研究を重ねた結果、透明導電層と酸化珪素層と
が、適宜、透明高分子フィルム基材に積層されて成る透
明導電性フィルムの少なくとも片面にシリコン樹脂層が
積層されてなる、透明電極フィルムを見いだし本発明に
到達した。
【０００４】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、透
明導電層と酸化珪素層とが、透明高分子フィルム基材に
積層されて成る透明導電性フィルムの少なくとも片面に
さらにシリコン樹脂層が積層されてなるガスバリヤー性
透明電極フィルム、であり、また好ましくは、透明高分
子フィルム基材が、ポリエーテルスルフォンであるガス
バリヤー性透明電極フィルム、であり、また好ましく
は、透明高分子フィルム基材が、ポリエーテルエーテル
ケトンであるガスバリヤー性透明電極フィルム、であ
り、また好ましくは、高分子フィルム（Ａ）と透明導電
層（Ｂ）と酸化珪素層（Ｃ）とシリコン樹脂層（Ｄ）
が、ＤＣＡＢまたはＤＣＡＣＢの順に積層されてなるガ
スバリヤー性透明電極フィルム、であり、また好ましく
は、酸化珪素の層が、少なくとも有機珪素化合物ガスと
酸素とを用いた減圧プラズマ化学気相蒸着法により作製
されるガスバリヤー性透明電極フィルム、であり、また
好ましくは、透明導電層がスパッタ法で作製されるガス
バリヤー性透明電極フィルム、であり、また好ましく
は、２３℃における酸素透過率が、０．１ｃｃ／ｍ2／
２４ｈｏｕｒ／１ａｔｍ以下であって、かつ、３８℃相
対湿度９０％における水蒸気の透過率が、０．２ｇ／ｍ
2／２４ｈｏｕｒ以下である請求項１〜６の何れかに記
載のガスバリヤー性透明電極フィルム、を要旨とするも
のである。
明導電層と酸化珪素層とが、透明高分子フィルム基材に
積層されて成る透明導電性フィルムの少なくとも片面に
さらにシリコン樹脂層が積層されてなるガスバリヤー性
透明電極フィルム、であり、また好ましくは、透明高分
子フィルム基材が、ポリエーテルスルフォンであるガス
バリヤー性透明電極フィルム、であり、また好ましく
は、透明高分子フィルム基材が、ポリエーテルエーテル
ケトンであるガスバリヤー性透明電極フィルム、であ
り、また好ましくは、高分子フィルム（Ａ）と透明導電
層（Ｂ）と酸化珪素層（Ｃ）とシリコン樹脂層（Ｄ）
が、ＤＣＡＢまたはＤＣＡＣＢの順に積層されてなるガ
スバリヤー性透明電極フィルム、であり、また好ましく
は、酸化珪素の層が、少なくとも有機珪素化合物ガスと
酸素とを用いた減圧プラズマ化学気相蒸着法により作製
されるガスバリヤー性透明電極フィルム、であり、また
好ましくは、透明導電層がスパッタ法で作製されるガス
バリヤー性透明電極フィルム、であり、また好ましく
は、２３℃における酸素透過率が、０．１ｃｃ／ｍ2／
２４ｈｏｕｒ／１ａｔｍ以下であって、かつ、３８℃相
対湿度９０％における水蒸気の透過率が、０．２ｇ／ｍ
2／２４ｈｏｕｒ以下である請求項１〜６の何れかに記
載のガスバリヤー性透明電極フィルム、を要旨とするも
のである。
【０００５】本発明において、基材となる高分子フィル
ムは特に限定しないが、透明性を持ち、ガラス転移温度
がある程度高く、吸湿性の少ないものがのぞましく、ポ
リエステル、ポリエーテルスルフォン、ポリエーテルエ
ーテルケトン、ポリカーボネート、ポリオレフィンフィ
ルム等が挙げられ、特に、ポリエーテルスルフォンとポ
リエーテルエーテルケトンが好ましい。高分子フィルム
の厚さは、５０〜５００μｍが好ましいが、必ずしもこ
の範囲に限定されるものではない。
ムは特に限定しないが、透明性を持ち、ガラス転移温度
がある程度高く、吸湿性の少ないものがのぞましく、ポ
リエステル、ポリエーテルスルフォン、ポリエーテルエ
ーテルケトン、ポリカーボネート、ポリオレフィンフィ
ルム等が挙げられ、特に、ポリエーテルスルフォンとポ
リエーテルエーテルケトンが好ましい。高分子フィルム
の厚さは、５０〜５００μｍが好ましいが、必ずしもこ
の範囲に限定されるものではない。
【０００６】本発明で用いられる、高分子フィルム基材
に積層する酸化珪素層は物理蒸着法、化学蒸着法、湿式
法等で作製しうる。具体的に示せば、物理蒸着法では、
真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法等が
あり、化学蒸着法としては、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、
プラズマＣＶＤ法等があり、湿式法としてはゾルゲル法
等がある。しかしながら、本発明では基材は高分子フィ
ルムであるため低温で成膜することが望ましく、物理蒸
着法やプラズマＣＶＤ法が好ましい。プラズマＣＶＤ法
による成膜方法を具体的に示せば、例えばテトラメチル
ジシロキサンやヘキサメチルジシロキサン、トリメチル
メトキシシラン等の有機珪素化合物ガスと酸素ガスを、
真空容器に導入して高周波放電を発生させることによ
り、高分子フィルム上に酸化珪素層を形成することが好
ましい。有機珪素化合物ガスを導入する時にヘリウム等
の希ガスを用いることも可能である。真空蒸着法では、
二酸化珪素や一酸化珪素の原料を抵抗加熱や電子線加熱
により蒸発させ、高分子フィルム上に膜を堆積させる。
スパッタ法では、二酸化珪素のターゲットをアルゴンで
スパッタし、高分子フィルム上に膜を堆積させる。酸化
珪素層の厚さは、ガスバリヤー性保ちながらも透明性を
損ねない範囲であればよく、具体的に示せば、２０〜５
００ｎｍが好ましく、より好ましくは３０〜３００ｎｍ
で、さらに好ましくは５０〜２００ｎｍである。さらに
同じ厚みであれば、両面に酸化珪素の層を設ける方がよ
り好ましい。すなわち、２００ｎｍの層を片面に設ける
よりも、１００ｎｍの層を両面に設ける方がより好まし
い。
に積層する酸化珪素層は物理蒸着法、化学蒸着法、湿式
法等で作製しうる。具体的に示せば、物理蒸着法では、
真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法等が
あり、化学蒸着法としては、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、
プラズマＣＶＤ法等があり、湿式法としてはゾルゲル法
等がある。しかしながら、本発明では基材は高分子フィ
ルムであるため低温で成膜することが望ましく、物理蒸
着法やプラズマＣＶＤ法が好ましい。プラズマＣＶＤ法
による成膜方法を具体的に示せば、例えばテトラメチル
ジシロキサンやヘキサメチルジシロキサン、トリメチル
メトキシシラン等の有機珪素化合物ガスと酸素ガスを、
真空容器に導入して高周波放電を発生させることによ
り、高分子フィルム上に酸化珪素層を形成することが好
ましい。有機珪素化合物ガスを導入する時にヘリウム等
の希ガスを用いることも可能である。真空蒸着法では、
二酸化珪素や一酸化珪素の原料を抵抗加熱や電子線加熱
により蒸発させ、高分子フィルム上に膜を堆積させる。
スパッタ法では、二酸化珪素のターゲットをアルゴンで
スパッタし、高分子フィルム上に膜を堆積させる。酸化
珪素層の厚さは、ガスバリヤー性保ちながらも透明性を
損ねない範囲であればよく、具体的に示せば、２０〜５
００ｎｍが好ましく、より好ましくは３０〜３００ｎｍ
で、さらに好ましくは５０〜２００ｎｍである。さらに
同じ厚みであれば、両面に酸化珪素の層を設ける方がよ
り好ましい。すなわち、２００ｎｍの層を片面に設ける
よりも、１００ｎｍの層を両面に設ける方がより好まし
い。
【０００７】上記酸化珪素中には、鉄、ニッケル、クロ
ム、チタン、マグネシウム、アルミ、インジュウム、亜
鉛、錫、アンチモン、タングステン、モリブデン、銅等
が、微量含まれてもよい。また、膜の可撓性を改善する
目的で、炭素や弗素を適宜含有させてもよい。膜厚の測
定には、触針粗さ計、繰り返し反射干渉計、マイクロバ
ランス、水晶振動子法等があるが、水晶振動子法では成
膜中に膜厚測定が可能なので所望の膜厚を得るのに適し
ている。また、前もって成膜の条件を定めておき試験基
材上に成膜を行い、成膜時間と膜厚との関係を調べた上
で、成膜時間により膜厚を制御する方法もある。
ム、チタン、マグネシウム、アルミ、インジュウム、亜
鉛、錫、アンチモン、タングステン、モリブデン、銅等
が、微量含まれてもよい。また、膜の可撓性を改善する
目的で、炭素や弗素を適宜含有させてもよい。膜厚の測
定には、触針粗さ計、繰り返し反射干渉計、マイクロバ
ランス、水晶振動子法等があるが、水晶振動子法では成
膜中に膜厚測定が可能なので所望の膜厚を得るのに適し
ている。また、前もって成膜の条件を定めておき試験基
材上に成膜を行い、成膜時間と膜厚との関係を調べた上
で、成膜時間により膜厚を制御する方法もある。
【０００８】透明導電膜としては、 1)金、銀、銅、アルミニウム、パラジュウム等の単金属
または合金薄膜層 2)酸化錫、酸化インジュウム、酸化亜鉛、ヨウ化銅等化
合物半導体 3)上記1)および2)を組み合わせた積層膜 が知られている。上記の透明導電膜は、物理蒸着法、ま
たは、湿式の成膜法により作製することができる。物理
蒸着法として、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレー
ティング法、活性化反応蒸着法等を用いることができ
る。湿式の成膜法としては、ゾルーゲル法等が知られて
いる。透明導電層の厚さは、透明性を損ねない範囲で充
分な導電率を得られる範囲ならばよく、３０ｎｍ〜５０
０ｎｍの範囲が望ましく、より望ましくは５０ｎｍ〜３
００ｎｍの範囲である。
または合金薄膜層 2)酸化錫、酸化インジュウム、酸化亜鉛、ヨウ化銅等化
合物半導体 3)上記1)および2)を組み合わせた積層膜 が知られている。上記の透明導電膜は、物理蒸着法、ま
たは、湿式の成膜法により作製することができる。物理
蒸着法として、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレー
ティング法、活性化反応蒸着法等を用いることができ
る。湿式の成膜法としては、ゾルーゲル法等が知られて
いる。透明導電層の厚さは、透明性を損ねない範囲で充
分な導電率を得られる範囲ならばよく、３０ｎｍ〜５０
０ｎｍの範囲が望ましく、より望ましくは５０ｎｍ〜３
００ｎｍの範囲である。
【０００９】酸化珪素層および透明導電層の組成は、Ｘ
線光電子分光法やＸ線マイクロ分析法、オージェ電子分
光法、ラザフォード後方散乱法等を用いて分析すること
ができる。例えば、ラザフォード後方散乱法を用いる場
合には、供試体フィルムを真空容器中に設置し、試料表
面から、１〜４ＭｅＶに加速したα粒子を照射し、後方
散乱されてくるイオンのエネルギーを分析することによ
り膜の深さ方向の組成やその組成の均一性を調査するこ
とができる。表面層の帯電を防ぐために適宜表面に金等
を蒸着しても良い。また、オージェ電子分光法で分析を
行う場合には超高真空の容器の中に供試体を設置し、供
試体表面に１〜１０ｋｅＶに加速した電子線を照射し、
その時に放出されるオージェ電子を検出することにより
組成を調べることができる。この場合、供試体の電気抵
抗は高いので帯電の影響が出ないように、１次電子線の
電流を１０ｐＡ以下に抑え更にエネルギーも２ｋｅＶ以
下にすることが好ましい。電子線の代わりにＸ線を用い
たＸ線光電子分光法は、オージェ電子分光法よりも帯電
の影響が出にくい点が有利である。また、Ｘ線光電子分
光法では、珪素の化学シフトから珪素の結合状態に関す
る情報を得ることができるので、ポリマー表面の酸化珪
素の濃度を調査することが可能である。酸化珪素層また
は透明導電層を高分子基材の上に形成するときには、該
基材の前処理として、コロナ放電処理、プラズマ処理、
グロー放電処理、逆スパッタ処理、表面粗面化処理、化
学処理等を行うことや、公知のアンダーコートを施した
りすることは適宜行うことができる。本発明は、かくし
て形成された透明導電層と酸化珪素層とが、透明高分子
フィルム基材に積層されて成る透明導電性フィルムにお
いて、その少なくとも片面にさらにシリコン樹脂層が形
成・積層されるものである。
線光電子分光法やＸ線マイクロ分析法、オージェ電子分
光法、ラザフォード後方散乱法等を用いて分析すること
ができる。例えば、ラザフォード後方散乱法を用いる場
合には、供試体フィルムを真空容器中に設置し、試料表
面から、１〜４ＭｅＶに加速したα粒子を照射し、後方
散乱されてくるイオンのエネルギーを分析することによ
り膜の深さ方向の組成やその組成の均一性を調査するこ
とができる。表面層の帯電を防ぐために適宜表面に金等
を蒸着しても良い。また、オージェ電子分光法で分析を
行う場合には超高真空の容器の中に供試体を設置し、供
試体表面に１〜１０ｋｅＶに加速した電子線を照射し、
その時に放出されるオージェ電子を検出することにより
組成を調べることができる。この場合、供試体の電気抵
抗は高いので帯電の影響が出ないように、１次電子線の
電流を１０ｐＡ以下に抑え更にエネルギーも２ｋｅＶ以
下にすることが好ましい。電子線の代わりにＸ線を用い
たＸ線光電子分光法は、オージェ電子分光法よりも帯電
の影響が出にくい点が有利である。また、Ｘ線光電子分
光法では、珪素の化学シフトから珪素の結合状態に関す
る情報を得ることができるので、ポリマー表面の酸化珪
素の濃度を調査することが可能である。酸化珪素層また
は透明導電層を高分子基材の上に形成するときには、該
基材の前処理として、コロナ放電処理、プラズマ処理、
グロー放電処理、逆スパッタ処理、表面粗面化処理、化
学処理等を行うことや、公知のアンダーコートを施した
りすることは適宜行うことができる。本発明は、かくし
て形成された透明導電層と酸化珪素層とが、透明高分子
フィルム基材に積層されて成る透明導電性フィルムにお
いて、その少なくとも片面にさらにシリコン樹脂層が形
成・積層されるものである。
【００１０】該シリコン樹脂層の形成には、公知である
湿式の薄膜作製法を用いることができる。具体的には、
バーコート、ロールコート、スピンコート、リバースロ
ールコート、ディップコート等である。使用し得るシリ
コン樹脂を示すならば、純シリコン樹脂、変性用シリコ
ン、シリコンアルキド、シリコンエポキシ、シリコンア
クリル、シリコンポリエステル等である。シリコン樹脂
層を得る方法をさらにいくつか具体的に示すならば、 直鎖状ポリマーを主成分として使用し、室温下で架橋
して弾性体被膜を得るもの。直鎖状ポリマーとしては溶
剤タイプのものも水溶性タイプのものもあり、どちらの
タイプにおいても溶液の段階でコーターでフィルムに塗
布し、室温で硬化させ樹脂層を得る。室温で硬化して弾
性体となるシリコン樹脂を具体的に示すならば、両末端
がシラノール基で閉塞されたポリジオルガノシロキサン
にたいして、珪素原子に結合しているアセトキシ基、ア
ルコキシ基、ジアルキルケトキシム基、ジアルキルアミ
ノ基、ジアルキルアミノキシ基、Ｎ−メチルアミド基な
ど加水分解し得る基を持つ有機珪素化合物を架橋剤とし
て使用したポリオルガノシロキサン組成物である。 アルキルトリアルコキシラン類に水を加えて加水分解
をし、これに水溶性のカルボン酸を添加して加水分解部
分縮合物の溶液を得た後、これに硬化触媒、サーファク
タント、溶液調整用添加剤を加えて、コーターによりフ
ィルム表面に塗布し室温で硬化させるもの。 市販の多官能シリコーンを主成分としたシリコン樹脂
のアルコール系溶剤の溶液（例えば、東芝シリコーン製
トスガード５１０）を、フィルム表面にコートし、室温
で乾燥させた後、１２０℃で３時間加熱処理を行うも
の。 市販のシリコンゴムレジンの溶液（例えば、ロードシ
ルＲＴＶ−５７３）を適当な溶剤で粘度を調整した後、
コーターでフィルムに塗布し室温で硬化させるもの、等
を挙げることができる。
湿式の薄膜作製法を用いることができる。具体的には、
バーコート、ロールコート、スピンコート、リバースロ
ールコート、ディップコート等である。使用し得るシリ
コン樹脂を示すならば、純シリコン樹脂、変性用シリコ
ン、シリコンアルキド、シリコンエポキシ、シリコンア
クリル、シリコンポリエステル等である。シリコン樹脂
層を得る方法をさらにいくつか具体的に示すならば、 直鎖状ポリマーを主成分として使用し、室温下で架橋
して弾性体被膜を得るもの。直鎖状ポリマーとしては溶
剤タイプのものも水溶性タイプのものもあり、どちらの
タイプにおいても溶液の段階でコーターでフィルムに塗
布し、室温で硬化させ樹脂層を得る。室温で硬化して弾
性体となるシリコン樹脂を具体的に示すならば、両末端
がシラノール基で閉塞されたポリジオルガノシロキサン
にたいして、珪素原子に結合しているアセトキシ基、ア
ルコキシ基、ジアルキルケトキシム基、ジアルキルアミ
ノ基、ジアルキルアミノキシ基、Ｎ−メチルアミド基な
ど加水分解し得る基を持つ有機珪素化合物を架橋剤とし
て使用したポリオルガノシロキサン組成物である。 アルキルトリアルコキシラン類に水を加えて加水分解
をし、これに水溶性のカルボン酸を添加して加水分解部
分縮合物の溶液を得た後、これに硬化触媒、サーファク
タント、溶液調整用添加剤を加えて、コーターによりフ
ィルム表面に塗布し室温で硬化させるもの。 市販の多官能シリコーンを主成分としたシリコン樹脂
のアルコール系溶剤の溶液（例えば、東芝シリコーン製
トスガード５１０）を、フィルム表面にコートし、室温
で乾燥させた後、１２０℃で３時間加熱処理を行うも
の。 市販のシリコンゴムレジンの溶液（例えば、ロードシ
ルＲＴＶ−５７３）を適当な溶剤で粘度を調整した後、
コーターでフィルムに塗布し室温で硬化させるもの、等
を挙げることができる。
【００１１】シリコン樹脂層の厚みは特に臨界的な制限
はないが、その効果を奏し、かつ取扱の容易さの点か
ら、０．５〜５０μm 、好ましくは１〜１０μm 程度で
ある。なお、図に本発明の好ましい実施の態様を示し
た。高分子フィルム（Ａ）と透明導電層（Ｂ）と酸化珪
素層（Ｃ）とシリコン樹脂層（Ｄ）と表示したとき、図
１はこれらが、ＤＣＡＣＢの順に積層されてなるもの、
図２は、ＤＣＡＢの順に積層されてなるガスバリヤー性
透明電極フィルム、を表す。
はないが、その効果を奏し、かつ取扱の容易さの点か
ら、０．５〜５０μm 、好ましくは１〜１０μm 程度で
ある。なお、図に本発明の好ましい実施の態様を示し
た。高分子フィルム（Ａ）と透明導電層（Ｂ）と酸化珪
素層（Ｃ）とシリコン樹脂層（Ｄ）と表示したとき、図
１はこれらが、ＤＣＡＣＢの順に積層されてなるもの、
図２は、ＤＣＡＢの順に積層されてなるガスバリヤー性
透明電極フィルム、を表す。
【００１２】本発明のガスバリヤー性透明電極フィルム
は、もともと２３℃における酸素透過率が、０．１ｃｃ
／ｍ2／２４ｈｏｕｒ／１ａｔｍ以下程度であって、か
つ、３８℃相対湿度９０％における水蒸気の透過率が、
０．２ｇ／ｍ2／２４ｈｏｕｒ以下程度であるような極
めて高ガスバリヤー性のものであるが、この値は、以下
実施例にも示されているように加工操作を加えても殆ど
低下しないことに注意すべきである。
は、もともと２３℃における酸素透過率が、０．１ｃｃ
／ｍ2／２４ｈｏｕｒ／１ａｔｍ以下程度であって、か
つ、３８℃相対湿度９０％における水蒸気の透過率が、
０．２ｇ／ｍ2／２４ｈｏｕｒ以下程度であるような極
めて高ガスバリヤー性のものであるが、この値は、以下
実施例にも示されているように加工操作を加えても殆ど
低下しないことに注意すべきである。
【００１３】
【実施例】以下、実施例ならびに比較例に基づき本発明
について説明する。 （実施例１）厚さ５０μｍのポリエーテルスルフォン
（以下ＰＥＳと略記する）フィルムの両面に、ヘリウム
をキャリヤーガスとしたテトラメチルジシロキサン（以
下ＴＭＤＳＯと略記する）と酸素とを原料ガスとして平
行平板型電極を有するプラズマＣＶＤ装置により１３．
５６ＭＨｚの高周波でプラズマ放電を発生させ、表１に
示す条件で膜厚１００ｎｍの酸化珪素の層を形成した。
同フィルムの片面に酸化インジュウムを主成分とする透
明導電層を表２の条件でスパッタリング法で５０ｎｍ形
成した。さらに、透明導電層を形成したのと逆の面にシ
リコン樹脂のアルコール系溶剤の溶液（東芝シリコーン
製トスガード５１０）をスピンコーターで塗布した後、
１２０℃で３時間加熱処理を行い、厚さ５μｍのシリコ
ン樹脂層を形成した。
について説明する。 （実施例１）厚さ５０μｍのポリエーテルスルフォン
（以下ＰＥＳと略記する）フィルムの両面に、ヘリウム
をキャリヤーガスとしたテトラメチルジシロキサン（以
下ＴＭＤＳＯと略記する）と酸素とを原料ガスとして平
行平板型電極を有するプラズマＣＶＤ装置により１３．
５６ＭＨｚの高周波でプラズマ放電を発生させ、表１に
示す条件で膜厚１００ｎｍの酸化珪素の層を形成した。
同フィルムの片面に酸化インジュウムを主成分とする透
明導電層を表２の条件でスパッタリング法で５０ｎｍ形
成した。さらに、透明導電層を形成したのと逆の面にシ
リコン樹脂のアルコール系溶剤の溶液（東芝シリコーン
製トスガード５１０）をスピンコーターで塗布した後、
１２０℃で３時間加熱処理を行い、厚さ５μｍのシリコ
ン樹脂層を形成した。
【００１４】
【表１】
【００１５】
【表２】
【００１６】かかる方法によりフィルムを得た後、シリ
コン樹脂をコーティングした面に対して、テーバー摩耗
試験を、ＡＳＴＭ Ｄ１０４４−７３に準じ、摩耗輪Ｃ
Ｓ１０、加重５００ｇ、回転数６０ｒｍｐで行った。テ
ーバー試験後の濁り度の測定をＡＳＴＭ Ｄ１００３−
６１に準じて行い、酸素透過率の測定をＡＳＴＭ Ｄ１
４３４−７５に準じて行った。濁り度および酸素透過率
試験結果を表３に示す。
コン樹脂をコーティングした面に対して、テーバー摩耗
試験を、ＡＳＴＭ Ｄ１０４４−７３に準じ、摩耗輪Ｃ
Ｓ１０、加重５００ｇ、回転数６０ｒｍｐで行った。テ
ーバー試験後の濁り度の測定をＡＳＴＭ Ｄ１００３−
６１に準じて行い、酸素透過率の測定をＡＳＴＭ Ｄ１
４３４−７５に準じて行った。濁り度および酸素透過率
試験結果を表３に示す。
【００１７】
【表３】
【００１８】（実施例２）厚さ５０μｍのポリエーテル
スルフォン（以下ＰＥＳと略記する）フィルムの両面
に、ヘリウムをキャリヤーガスとしたテトラメチルジシ
ロキサン（以下ＴＭＤＳＯと略記する）と酸素とを原料
ガスとして平行平板型電極を有するプラズマＣＶＤ装置
により１３．５６ＭＨｚの高周波でプラズマ放電を発生
させ、表１に示す条件で膜厚１００ｎｍの酸化珪素の層
を形成した。同フィルムの片面に酸化インジュウムを主
成分とする透明導電層をスパッタリング法で５０ｎｍ形
成した。さらに、透明導電層を形成したのと逆の面にシ
リコンゴムレジンの溶液（ロードシルＲＴＶ−５７３）
を溶剤で粘度を調整した後、リバースロールコーターで
フィルムに塗布し室温で硬化さた。かかる方法によりフ
ィルムを得た後、シリコン樹脂をコーティングした面を
外側にして、φ１２．５ｍｍのステンレス鋼丸棒（材質
ＳＵＳ３０４、表面仕上げＲa＜１．６μｍ）にフィル
ムを巻き付けた。同供試体の酸素透過率の測定をＡＳＴ
Ｍ Ｄ１４３４−７５に準じて、曲げ試験の前後で行っ
た。さらに、透湿度の測定をＡＳＴＭ Ｅ９６−８２に
準じて、曲げ試験の前後で行った。酸素透過率試験なら
びに透湿度の結果を表４に示す。
スルフォン（以下ＰＥＳと略記する）フィルムの両面
に、ヘリウムをキャリヤーガスとしたテトラメチルジシ
ロキサン（以下ＴＭＤＳＯと略記する）と酸素とを原料
ガスとして平行平板型電極を有するプラズマＣＶＤ装置
により１３．５６ＭＨｚの高周波でプラズマ放電を発生
させ、表１に示す条件で膜厚１００ｎｍの酸化珪素の層
を形成した。同フィルムの片面に酸化インジュウムを主
成分とする透明導電層をスパッタリング法で５０ｎｍ形
成した。さらに、透明導電層を形成したのと逆の面にシ
リコンゴムレジンの溶液（ロードシルＲＴＶ−５７３）
を溶剤で粘度を調整した後、リバースロールコーターで
フィルムに塗布し室温で硬化さた。かかる方法によりフ
ィルムを得た後、シリコン樹脂をコーティングした面を
外側にして、φ１２．５ｍｍのステンレス鋼丸棒（材質
ＳＵＳ３０４、表面仕上げＲa＜１．６μｍ）にフィル
ムを巻き付けた。同供試体の酸素透過率の測定をＡＳＴ
Ｍ Ｄ１４３４−７５に準じて、曲げ試験の前後で行っ
た。さらに、透湿度の測定をＡＳＴＭ Ｅ９６−８２に
準じて、曲げ試験の前後で行った。酸素透過率試験なら
びに透湿度の結果を表４に示す。
【００１９】
【表４】
【００２０】（比較例１）厚さ５０μｍのポリエーテル
スルフォン（以下ＰＥＳと略記する）フィルムの両面
に、ヘリウムをキャリヤーガスとしたテトラメチルジシ
ロキサン（以下ＴＭＤＳＯと略記する）と酸素とを原料
ガスとして平行平板型電極を有するプラズマＣＶＤ装置
により１３．５６ＭＨｚの高周波でプラズマ放電を発生
させ、表１に示す条件で膜厚１００ｎｍの酸化珪素の層
を形成した。同フィルムの片面に酸化インジュウムを主
成分とする透明導電層をスパッタリング法で５０ｎｍ形
成した。かかる方法によりフィルムを得た後、酸化珪素
の層の面に対して、テーバー摩耗試験を、ＡＳＴＭ Ｄ
１０４４−７３に準じ、摩耗輪ＣＳ１０、加重５００
ｇ、回転数６０ｒｍｐで行った。テーバー試験後の濁り
度の測定をＡＳＴＭ Ｄ１００３−６１に準じて行い、
酸素透過率の測定をＡＳＴＭ Ｄ１４３４−７５に準じ
て行った。テーバー摩耗試験後の濁り度および酸素透過
率試験結果を表５に示す。
スルフォン（以下ＰＥＳと略記する）フィルムの両面
に、ヘリウムをキャリヤーガスとしたテトラメチルジシ
ロキサン（以下ＴＭＤＳＯと略記する）と酸素とを原料
ガスとして平行平板型電極を有するプラズマＣＶＤ装置
により１３．５６ＭＨｚの高周波でプラズマ放電を発生
させ、表１に示す条件で膜厚１００ｎｍの酸化珪素の層
を形成した。同フィルムの片面に酸化インジュウムを主
成分とする透明導電層をスパッタリング法で５０ｎｍ形
成した。かかる方法によりフィルムを得た後、酸化珪素
の層の面に対して、テーバー摩耗試験を、ＡＳＴＭ Ｄ
１０４４−７３に準じ、摩耗輪ＣＳ１０、加重５００
ｇ、回転数６０ｒｍｐで行った。テーバー試験後の濁り
度の測定をＡＳＴＭ Ｄ１００３−６１に準じて行い、
酸素透過率の測定をＡＳＴＭ Ｄ１４３４−７５に準じ
て行った。テーバー摩耗試験後の濁り度および酸素透過
率試験結果を表５に示す。
【００２１】
【表５】
【００２２】（比較例２）比較例１で用いたのと同一の
条件で作製した供試体の酸化珪素の層の面を外側にして
φ１２．５ｍｍのステンレス鋼丸棒（材質ＳＵＳ３０
４、表面仕上げＲa＜１．６μｍ）にフィルムを巻き付
けることにより曲げ試験を行った。曲げ試験前後の酸素
透過率の試験をＡＳＴＭ Ｄ１４３４−７５に準じて行
った。さらに、透湿度の試験をＡＳＴＭ Ｅ９６−８２
に準じて行った。曲げ試験前後での酸素透過率ならびに
透湿度試験結果を表６に示す。
条件で作製した供試体の酸化珪素の層の面を外側にして
φ１２．５ｍｍのステンレス鋼丸棒（材質ＳＵＳ３０
４、表面仕上げＲa＜１．６μｍ）にフィルムを巻き付
けることにより曲げ試験を行った。曲げ試験前後の酸素
透過率の試験をＡＳＴＭ Ｄ１４３４−７５に準じて行
った。さらに、透湿度の試験をＡＳＴＭ Ｅ９６−８２
に準じて行った。曲げ試験前後での酸素透過率ならびに
透湿度試験結果を表６に示す。
【００２３】
【表６】
【００２４】
【発明の効果】実施例および比較例の示すところによ
り、本発明になるシリコン樹脂の層を設けたガスバリヤ
ー性透明電極フィルムは、加工しても酸素透過率や水蒸
気透過率が殆ど低下せず、著しく優れた耐摩耗特性なら
びに曲げ特性を示すことわかる。一方、比較例の場合の
フイルムは、加工前に比較して加工時に急激に酸素透過
率や水蒸気透過率が急激に低下して仕舞うのである。す
なわち、本発明に従えば、特に液晶表示用電極として好
適な、２次加工時にガスバリヤー性能劣化のない透明導
電性フィルムが提供されるのである。
り、本発明になるシリコン樹脂の層を設けたガスバリヤ
ー性透明電極フィルムは、加工しても酸素透過率や水蒸
気透過率が殆ど低下せず、著しく優れた耐摩耗特性なら
びに曲げ特性を示すことわかる。一方、比較例の場合の
フイルムは、加工前に比較して加工時に急激に酸素透過
率や水蒸気透過率が急激に低下して仕舞うのである。す
なわち、本発明に従えば、特に液晶表示用電極として好
適な、２次加工時にガスバリヤー性能劣化のない透明導
電性フィルムが提供されるのである。
【図１】本発明のガスバリヤー性透明電極フィルムの構
成図
成図
【図２】本発明のガスバリヤー性透明電極フィルムの構
成図
成図
１ 透明高分子フィルム基材 ２ 酸化珪素層 ３ 透明導電層 ４ シリコン樹脂層
Claims (7)
- 【請求項１】 透明導電層と酸化珪素層とが、透明高分
子フィルム基材に積層されて成る透明導電性フィルムの
少なくとも片面にさらにシリコン樹脂層が積層されてな
るガスバリヤー性透明電極フィルム。 - 【請求項２】 透明高分子フィルム基材が、ポリエーテ
ルスルフォンである請求項１記載のガスバリヤー性透明
電極フィルム。 - 【請求項３】 透明高分子フィルム基材が、ポリエーテ
ルエーテルケトンである請求項１項記載のガスバリヤー
性透明電極フィルム。 - 【請求項４】 高分子フィルム（Ａ）と透明導電層
（Ｂ）と酸化珪素層（Ｃ）とシリコン樹脂層（Ｄ）が、
ＤＣＡＢまたはＤＣＡＣＢの順に積層されてなる請求項
１〜３の何れかに記載のガスバリヤー性透明電極フィル
ム。 - 【請求項５】 酸化珪素の層が、少なくとも有機珪素化
合物ガスと酸素とを用いた減圧プラズマ化学気相蒸着法
により作製される請求項１〜４の何れかに記載のガスバ
リヤー性透明電極フィルム。 - 【請求項６】 透明導電層がスパッタ法で作製される請
求項１〜５の何れかに記載のガスバリヤー性透明電極フ
ィルム。 - 【請求項７】 ２３℃における酸素透過率が、０．１ｃ
ｃ／ｍ2／２４ｈｏｕｒ／１ａｔｍ以下であって、か
つ、３８℃相対湿度９０％における水蒸気の透過率が、
０．２ｇ／ｍ2／２４ｈｏｕｒ以下である請求項１〜６
の何れかに記載のガスバリヤー性透明電極フィルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33200292A JPH06179962A (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | ガスバリヤー性透明電極フィルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33200292A JPH06179962A (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | ガスバリヤー性透明電極フィルム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06179962A true JPH06179962A (ja) | 1994-06-28 |
Family
ID=18250044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33200292A Pending JPH06179962A (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | ガスバリヤー性透明電極フィルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06179962A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0848369A (ja) * | 1994-08-01 | 1996-02-20 | Toppan Printing Co Ltd | 透明ガスバリア材 |
| JP2002539004A (ja) * | 1999-03-17 | 2002-11-19 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 金属酸化物ｕｖフィルタ用接着層 |
| JP2005302425A (ja) * | 2004-04-08 | 2005-10-27 | Oike Ind Co Ltd | 透明導電性フィルム |
| US20140170423A1 (en) * | 2004-09-21 | 2014-06-19 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Method For Manufacturing A Transparent Gas Barrier Film And An Organic Electroluminescence Element Comprising Such A Film |
-
1992
- 1992-12-11 JP JP33200292A patent/JPH06179962A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0848369A (ja) * | 1994-08-01 | 1996-02-20 | Toppan Printing Co Ltd | 透明ガスバリア材 |
| JP2002539004A (ja) * | 1999-03-17 | 2002-11-19 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 金属酸化物ｕｖフィルタ用接着層 |
| JP2005302425A (ja) * | 2004-04-08 | 2005-10-27 | Oike Ind Co Ltd | 透明導電性フィルム |
| US20140170423A1 (en) * | 2004-09-21 | 2014-06-19 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Method For Manufacturing A Transparent Gas Barrier Film And An Organic Electroluminescence Element Comprising Such A Film |
| US9263677B2 (en) * | 2004-09-21 | 2016-02-16 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Method for manufacturing a transparent gas barrier film |
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