JPH06180204A - 位置検出センサ - Google Patents
位置検出センサInfo
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- JPH06180204A JPH06180204A JP33178392A JP33178392A JPH06180204A JP H06180204 A JPH06180204 A JP H06180204A JP 33178392 A JP33178392 A JP 33178392A JP 33178392 A JP33178392 A JP 33178392A JP H06180204 A JPH06180204 A JP H06180204A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 温度変化等に対しても、高精度の位置検出を
行うことができる位置検出センサを提供することを目的
とする。 【構成】 位置検出方向に互いに所定距離だけ離隔し
て、位置検出方向と垂直方向に互いにオフセットして配
置した2つの検出手段1、2と、この2つの検出手段
1、2に対向して配置した被検出手段3、4と、この2
つの検出手段1、2と被検出手段3、4との相対的位置
関係に対応する2つの検出信号を出力する2つの検出信
号出力手段5、6と、この2つの検出信号出力手段5、
6の2つの検出信号の差分が略0になる位置で一致信号
を出力する一致信号出力手段7とからなるものである。
行うことができる位置検出センサを提供することを目的
とする。 【構成】 位置検出方向に互いに所定距離だけ離隔し
て、位置検出方向と垂直方向に互いにオフセットして配
置した2つの検出手段1、2と、この2つの検出手段
1、2に対向して配置した被検出手段3、4と、この2
つの検出手段1、2と被検出手段3、4との相対的位置
関係に対応する2つの検出信号を出力する2つの検出信
号出力手段5、6と、この2つの検出信号出力手段5、
6の2つの検出信号の差分が略0になる位置で一致信号
を出力する一致信号出力手段7とからなるものである。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、温度変化に対
しても極めて安定な位置検出を行うことができる位置検
出センサに関するものである。
しても極めて安定な位置検出を行うことができる位置検
出センサに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、位置検出を行う場合、図9に示す
ように、磁気抵抗素子を利用した位置検出センサの要部
は、複数の直線部分とこれらを連結する屈曲部とから1
郡を形成する例えばニッケルやコバルトのような磁気抵
抗の異方性効果を有する強磁性体の薄膜パターンの一群
とこの一群と直列接続される他の郡とが違いに直行する
するように配列された磁気抵抗素子30と、磁気抵抗素
子30の配列方向にバイアス磁界をかけるN極、S極の
磁極が着磁されているバイアス磁石31とからなる検出
ヘッド32と、厚さ方向にN極、S極の磁極が着磁され
ていて、検出ヘッドに対して距離dだけ隔ててx方向に
移動する発磁体33とにより構成されていた。
ように、磁気抵抗素子を利用した位置検出センサの要部
は、複数の直線部分とこれらを連結する屈曲部とから1
郡を形成する例えばニッケルやコバルトのような磁気抵
抗の異方性効果を有する強磁性体の薄膜パターンの一群
とこの一群と直列接続される他の郡とが違いに直行する
するように配列された磁気抵抗素子30と、磁気抵抗素
子30の配列方向にバイアス磁界をかけるN極、S極の
磁極が着磁されているバイアス磁石31とからなる検出
ヘッド32と、厚さ方向にN極、S極の磁極が着磁され
ていて、検出ヘッドに対して距離dだけ隔ててx方向に
移動する発磁体33とにより構成されていた。
【0003】これにより、バイアス磁石31によるバイ
アス磁界と発磁体との合成磁界が磁電変換素子30に対
して略45度となったときに、磁気抵抗素子の電気抵抗
によらない出力電圧が得られることが例えば、実公昭5
6ー47528号公報により知られているので、この位
置で位置検出信号を得るようにしている。
アス磁界と発磁体との合成磁界が磁電変換素子30に対
して略45度となったときに、磁気抵抗素子の電気抵抗
によらない出力電圧が得られることが例えば、実公昭5
6ー47528号公報により知られているので、この位
置で位置検出信号を得るようにしている。
【0004】図10に示すような、従来の磁電変換素子
を利用した位置検出センサは、検出ヘッド32に対して
発磁体33を移動させると、検出回路34より図11に
示す波形を有するアナログ出力電圧を得る。この検出回
路34の出力電圧をシュミット回路等の波形変換回路3
5で矩形波状に波形整形し、増幅器36により増幅し
て、リレー回路37を動作させることによりリレー回路
出力電圧を出力端子38より得る。
を利用した位置検出センサは、検出ヘッド32に対して
発磁体33を移動させると、検出回路34より図11に
示す波形を有するアナログ出力電圧を得る。この検出回
路34の出力電圧をシュミット回路等の波形変換回路3
5で矩形波状に波形整形し、増幅器36により増幅し
て、リレー回路37を動作させることによりリレー回路
出力電圧を出力端子38より得る。
【0005】また、図12に示すように、磁気変調型磁
気センサを利用した位置検出センサの要部は、それぞれ
にコイルL1 及びL2 が巻回された2つのアームを有す
る可飽和コア40を、磁気ヨーク41で両側から包んだ
2つのギャップを持つ検出ヘッドと、長さ方向にN極、
S極の磁極が着磁されていて、検出ヘッドに対して所定
距離だけ隔ててX、Y、Z方向に移動する発磁体とによ
り構成されていた。
気センサを利用した位置検出センサの要部は、それぞれ
にコイルL1 及びL2 が巻回された2つのアームを有す
る可飽和コア40を、磁気ヨーク41で両側から包んだ
2つのギャップを持つ検出ヘッドと、長さ方向にN極、
S極の磁極が着磁されていて、検出ヘッドに対して所定
距離だけ隔ててX、Y、Z方向に移動する発磁体とによ
り構成されていた。
【0006】図13に示すように、磁気変調型磁気セン
サを利用した位置検出センサは、電源回路43により電
圧を供給された発振回路44は、高周波信号を検出ヘッ
ド42のコイルL1 及びL2 に印加し、コイルL1 及び
L2 に互いに逆向きに変化したインダクタンスを検出回
路45で加算し、出力端子46に磁束に比例した直流電
圧を出力する。
サを利用した位置検出センサは、電源回路43により電
圧を供給された発振回路44は、高周波信号を検出ヘッ
ド42のコイルL1 及びL2 に印加し、コイルL1 及び
L2 に互いに逆向きに変化したインダクタンスを検出回
路45で加算し、出力端子46に磁束に比例した直流電
圧を出力する。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の従来の
磁気抵抗素子を利用した位置検出センサは装置及び磁気
変調型磁気センサを利用した位置検出センサは、メカ的
原因による検出ヘッドと発磁体とのクリアランスの変
動、使用環境の変動による温度変化、あるいは電源電圧
の影響による駆動電圧の変動等によって、その出力電圧
が図11及び図14で点線または一点鎖線で示すように
変化し、このため検出位置のズレが生ずるという不都合
があった。
磁気抵抗素子を利用した位置検出センサは装置及び磁気
変調型磁気センサを利用した位置検出センサは、メカ的
原因による検出ヘッドと発磁体とのクリアランスの変
動、使用環境の変動による温度変化、あるいは電源電圧
の影響による駆動電圧の変動等によって、その出力電圧
が図11及び図14で点線または一点鎖線で示すように
変化し、このため検出位置のズレが生ずるという不都合
があった。
【0008】本発明は、これらの課題を解決するために
なされたもので、クリアランスの変動、温度変化、ある
いは駆動電圧の変動等に対しても、高精度の位置検出を
行うことができる位置検出センサを提供することを目的
とする。
なされたもので、クリアランスの変動、温度変化、ある
いは駆動電圧の変動等に対しても、高精度の位置検出を
行うことができる位置検出センサを提供することを目的
とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の位置検出センサ
は例えば図1及び図3に示す如く、2つの検出手段1、
2と、この2つの検出手段1、2に対向して配置した被
検出手段と、この2つの検出手段1、2と被検出手段と
の相対的位置関係に対応する2つの検出信号を出力する
2つの検出信号出力手段5、6と、この2つの検出信号
出力手段5、6の2つの検出信号の差分が略0になる位
置で一致信号を出力する一致信号出力手段7とからな
り、この一致信号を用いて位置検出をするるものであ
る。
は例えば図1及び図3に示す如く、2つの検出手段1、
2と、この2つの検出手段1、2に対向して配置した被
検出手段と、この2つの検出手段1、2と被検出手段と
の相対的位置関係に対応する2つの検出信号を出力する
2つの検出信号出力手段5、6と、この2つの検出信号
出力手段5、6の2つの検出信号の差分が略0になる位
置で一致信号を出力する一致信号出力手段7とからな
り、この一致信号を用いて位置検出をするるものであ
る。
【0010】また、本発明の位置検出センサは例えば図
1及び図2に示す如く、2つの検出手段1、2と被検出
手段との相対的位置関係に対応する2つの検出信号のピ
ーク位置を互いにずらして線対称になるように設定した
ものである。
1及び図2に示す如く、2つの検出手段1、2と被検出
手段との相対的位置関係に対応する2つの検出信号のピ
ーク位置を互いにずらして線対称になるように設定した
ものである。
【0011】また、本発明の位置検出センサは、図1に
示す如く、検出手段1、2が、磁気抵抗の異方性効果を
有する強磁性体からなる磁気抵抗素子と、磁気抵抗素子
にバイアス磁界をかけるバイアス磁石とからなり、被検
出手段は検出手段1、2に対向する方向に着磁された発
磁体からなり、磁気抵抗素子に作用するバイアス磁界と
発磁体の信号磁界との合成磁界が略45度の位置で検出
信号を得るようにしたものである。
示す如く、検出手段1、2が、磁気抵抗の異方性効果を
有する強磁性体からなる磁気抵抗素子と、磁気抵抗素子
にバイアス磁界をかけるバイアス磁石とからなり、被検
出手段は検出手段1、2に対向する方向に着磁された発
磁体からなり、磁気抵抗素子に作用するバイアス磁界と
発磁体の信号磁界との合成磁界が略45度の位置で検出
信号を得るようにしたものである。
【0012】また、本発明の位置検出センサは、図4に
示す如く、検出手段10、11は、それぞれに高周波信
号を印加したコイルが巻回された2つのアームを有する
コアと、このコアに対して2つのギャップを設けて両側
から包んだヨークとからなり、被検出手段12、13は
位置検出方向に着磁された発磁体12、13からなり、
2つの検出信号が略0になる位置で一致出力信号を得る
ようにしたものである。
示す如く、検出手段10、11は、それぞれに高周波信
号を印加したコイルが巻回された2つのアームを有する
コアと、このコアに対して2つのギャップを設けて両側
から包んだヨークとからなり、被検出手段12、13は
位置検出方向に着磁された発磁体12、13からなり、
2つの検出信号が略0になる位置で一致出力信号を得る
ようにしたものである。
【0013】
【作用】上述せる本発明によれば、温度変化等により、
検出信号出力手段5、6の出力電圧が変動しても、2つ
の検出信号の一致する位置で検出するので、安定して高
精度の位置検出ができる。また、本発明によれば、2つ
の検出信号のピーク位置を互いにずらして線対称になる
ように設定するので、2つの検出信号の一致する位置を
容易に検出できる。
検出信号出力手段5、6の出力電圧が変動しても、2つ
の検出信号の一致する位置で検出するので、安定して高
精度の位置検出ができる。また、本発明によれば、2つ
の検出信号のピーク位置を互いにずらして線対称になる
ように設定するので、2つの検出信号の一致する位置を
容易に検出できる。
【0014】また、本発明によれば、バイアス磁石によ
るバイアス磁界と発磁体との合成磁界が磁電変換素子に
対して略45度となったときに、検出信号を得るので、
温度変化に対して安定した出力が得られる。また、本発
明によれば、2つの検出信号が略0になる位置で検出信
号を得るので、温度等の変動によらずに、安定して、高
精度の位置検出ができる。
るバイアス磁界と発磁体との合成磁界が磁電変換素子に
対して略45度となったときに、検出信号を得るので、
温度変化に対して安定した出力が得られる。また、本発
明によれば、2つの検出信号が略0になる位置で検出信
号を得るので、温度等の変動によらずに、安定して、高
精度の位置検出ができる。
【0015】
【実施例】以下に、図1乃至図7を参照して本発明の位
置検出センサの一実施例について詳細に説明する。図1
に磁気抵抗素子を利用した位置検出センサの要部の斜視
図及びこれに対応する正面図を示す。検出ヘッドの構成
は図9に詳細に示した従来の構成と同じものであるの
で、その詳細説明を省略する。
置検出センサの一実施例について詳細に説明する。図1
に磁気抵抗素子を利用した位置検出センサの要部の斜視
図及びこれに対応する正面図を示す。検出ヘッドの構成
は図9に詳細に示した従来の構成と同じものであるの
で、その詳細説明を省略する。
【0016】図1において、検出ヘッド1及び2は位置
検出方向に互いに距離D/2だけ離隔して、検出方向と
垂直方向に互いにオフセットして配置し、発磁体3及び
4は、その厚さ方向にN極及びS極の磁極を着磁し、位
置検出方向に互いに距離Dだけ離隔して、検出方向と垂
直方向に違いにオフセットして配置して、2トラックの
検出路を得るようにしたものである。
検出方向に互いに距離D/2だけ離隔して、検出方向と
垂直方向に互いにオフセットして配置し、発磁体3及び
4は、その厚さ方向にN極及びS極の磁極を着磁し、位
置検出方向に互いに距離Dだけ離隔して、検出方向と垂
直方向に違いにオフセットして配置して、2トラックの
検出路を得るようにしたものである。
【0017】図3に示すように磁気抵抗素子を利用した
位置検出センサは、図1のように配置された検出ヘッド
1及び2、発磁体3及び4と、この検出ヘッド1及び2
に対して発磁体3及び4の相対的な移動により出力電圧
を検出する検出回路5及び6と、この検出回路5及び6
の出力電圧を比較して、その一致信号を出力する電圧比
較回路7と、電圧比較回路7の一致信号を矩形波に波形
整形するシュミット回路8と、この矩形波電圧を出力す
る出力端子9により構成されている。
位置検出センサは、図1のように配置された検出ヘッド
1及び2、発磁体3及び4と、この検出ヘッド1及び2
に対して発磁体3及び4の相対的な移動により出力電圧
を検出する検出回路5及び6と、この検出回路5及び6
の出力電圧を比較して、その一致信号を出力する電圧比
較回路7と、電圧比較回路7の一致信号を矩形波に波形
整形するシュミット回路8と、この矩形波電圧を出力す
る出力端子9により構成されている。
【0018】本例の磁気抵抗素子を利用した位置検出セ
ンサは以上のように構成されていて、検出ヘッド1及び
2に対して発磁体3及び4を相対的に移動させることに
より、検出回路5及び6の出力電圧は、図2に示すよう
な曲線になる。ここで、図2中の曲線に付したA1 、B
1 、C1 及びA1'、B1'、C1'の各点はそれぞれ図1中
の検出方向の位置を示すA1 、B1 、C1 及びA1'、B
1'、C1'の各位置に対応するものである。
ンサは以上のように構成されていて、検出ヘッド1及び
2に対して発磁体3及び4を相対的に移動させることに
より、検出回路5及び6の出力電圧は、図2に示すよう
な曲線になる。ここで、図2中の曲線に付したA1 、B
1 、C1 及びA1'、B1'、C1'の各点はそれぞれ図1中
の検出方向の位置を示すA1 、B1 、C1 及びA1'、B
1'、C1'の各位置に対応するものである。
【0019】図2に示すように、一方の検出回路5の出
力電圧のピーク点A1 と、他方の検出回路6の出力電圧
のピーク点C1'との距離がDとなり、検出位置近傍
B1 、B 1'で、一方の検出回路の出力電圧が減少して、
他方の検出回路の出力電圧が増加するようになる。ま
た、2つの検出回路の出力電圧の曲線同士の交点B1 、
B1'は、一方の検出回路の出力電圧のピーク点A1 と、
他方の検出回路の出力電圧のピーク点C1'との距離Dの
中点となる。
力電圧のピーク点A1 と、他方の検出回路6の出力電圧
のピーク点C1'との距離がDとなり、検出位置近傍
B1 、B 1'で、一方の検出回路の出力電圧が減少して、
他方の検出回路の出力電圧が増加するようになる。ま
た、2つの検出回路の出力電圧の曲線同士の交点B1 、
B1'は、一方の検出回路の出力電圧のピーク点A1 と、
他方の検出回路の出力電圧のピーク点C1'との距離Dの
中点となる。
【0020】また、ここで、検出ヘッド1及び2のバイ
アス磁石によるバイアス磁界と発磁体3及び4との合成
磁界が磁気抵抗素子に対して45度の場合に、磁気抵抗
素子の電気抵抗によらない出力電圧を得られることが、
例えば実公昭56ー47528号公報により知られてい
るので、ほぼ45度となったときに位置検出信号を得る
ようにしている。図2のような検出回路5及び6の出力
電圧が得られるので、検出ヘッド1及び2と発磁体3及
び4とのクリアランスの変動、温度変化、あるいは駆動
電圧の変動等により実線から点線のように出力電圧が変
動しても、位置検出点を2つの検出回路5及び6の出力
電圧の曲線同士の交点B1 、B1'の位置に設定するよう
にすれば、出力電圧の変動によらず高精度の位置検出を
行うことができる。
アス磁石によるバイアス磁界と発磁体3及び4との合成
磁界が磁気抵抗素子に対して45度の場合に、磁気抵抗
素子の電気抵抗によらない出力電圧を得られることが、
例えば実公昭56ー47528号公報により知られてい
るので、ほぼ45度となったときに位置検出信号を得る
ようにしている。図2のような検出回路5及び6の出力
電圧が得られるので、検出ヘッド1及び2と発磁体3及
び4とのクリアランスの変動、温度変化、あるいは駆動
電圧の変動等により実線から点線のように出力電圧が変
動しても、位置検出点を2つの検出回路5及び6の出力
電圧の曲線同士の交点B1 、B1'の位置に設定するよう
にすれば、出力電圧の変動によらず高精度の位置検出を
行うことができる。
【0021】このように、図2において、位置検出点で
ある、2つの検出回路5及び6の出力電圧の曲線同士の
交点B1 、B1'の位置において、2つの出力電圧の差分
が0になることを利用しているが、図2において、右方
端または左方端の、検出ヘッドが発磁体から遠く離隔し
た状態では、各検出ヘッドによる出力電圧が0になり、
位置検出点と混同する恐れがあるので、予め、各検出ヘ
ッドの出力電圧の差分が0にならないように変位させて
おくものとする。
ある、2つの検出回路5及び6の出力電圧の曲線同士の
交点B1 、B1'の位置において、2つの出力電圧の差分
が0になることを利用しているが、図2において、右方
端または左方端の、検出ヘッドが発磁体から遠く離隔し
た状態では、各検出ヘッドによる出力電圧が0になり、
位置検出点と混同する恐れがあるので、予め、各検出ヘ
ッドの出力電圧の差分が0にならないように変位させて
おくものとする。
【0022】また、図4に示すように、磁気変調型磁気
センサを利用した位置検出センサの要部を示す。検出ヘ
ッドは、図12に詳細に示したものと同じものなので、
その詳細説明を省略する。図4において、検出方向に対
して垂直方向に所定距離離隔して縦列配置した検出ヘッ
ド10及び11と、検出ヘッド10及び11に対向して
検出方向に対して垂直方向に所定距離離隔して、一方が
一方向の検出方向にN極およびS極の磁極を着磁し、他
方が他方向の検出方向にN極及びS極の磁極を着磁して
縦列配置した発磁体12及び13とから構成される。
センサを利用した位置検出センサの要部を示す。検出ヘ
ッドは、図12に詳細に示したものと同じものなので、
その詳細説明を省略する。図4において、検出方向に対
して垂直方向に所定距離離隔して縦列配置した検出ヘッ
ド10及び11と、検出ヘッド10及び11に対向して
検出方向に対して垂直方向に所定距離離隔して、一方が
一方向の検出方向にN極およびS極の磁極を着磁し、他
方が他方向の検出方向にN極及びS極の磁極を着磁して
縦列配置した発磁体12及び13とから構成される。
【0023】図6に示す磁気変調型磁気センサを利用し
た位置検出センサは、図4のように配置された検出ヘッ
ド10及び11、発磁体12及び13と、電源回路14
と、電源回路14により電圧を供給されて、高周波パル
ス電圧を検出ヘッド10及び11のコイルに印加する発
振回路15と、この検出ヘッド10及び11に対して発
磁体12及び13の相対的移動により、検出ヘッド10
及び11内で変化するコイルのインダクタンスを加算す
る検出回路16及び17と、検出回路16及び17の出
力電圧を比較して、その一致信号を出力する電圧比較回
路18と、電圧比較回路18の一致信号を矩形波に波形
整形するシュミット回路19と、この矩形波電圧を出力
する出力端子20により構成されている。
た位置検出センサは、図4のように配置された検出ヘッ
ド10及び11、発磁体12及び13と、電源回路14
と、電源回路14により電圧を供給されて、高周波パル
ス電圧を検出ヘッド10及び11のコイルに印加する発
振回路15と、この検出ヘッド10及び11に対して発
磁体12及び13の相対的移動により、検出ヘッド10
及び11内で変化するコイルのインダクタンスを加算す
る検出回路16及び17と、検出回路16及び17の出
力電圧を比較して、その一致信号を出力する電圧比較回
路18と、電圧比較回路18の一致信号を矩形波に波形
整形するシュミット回路19と、この矩形波電圧を出力
する出力端子20により構成されている。
【0024】本例の磁気変調型磁気センサを利用した位
置検出センサは以上のように構成されていて、検出ヘッ
ド10及び11に対して発磁体12及び13を相対的移
動に移動させることにより、検出回路16及び17の出
力電圧は、図5に示すような曲線になる。ここで、図5
中の曲線に付したA2 、B2 、C2 及びA2'、B2'、C
2'の各点はそれぞれ図4中の検出方向の位置を示す
A2 、B2 、C2 及びA2'、B2'、C2'の各位置に対応
するものである。
置検出センサは以上のように構成されていて、検出ヘッ
ド10及び11に対して発磁体12及び13を相対的移
動に移動させることにより、検出回路16及び17の出
力電圧は、図5に示すような曲線になる。ここで、図5
中の曲線に付したA2 、B2 、C2 及びA2'、B2'、C
2'の各点はそれぞれ図4中の検出方向の位置を示す
A2 、B2 、C2 及びA2'、B2'、C2'の各位置に対応
するものである。
【0025】図5に示すように、一方の検出回路16の
出力電圧のプラスのピーク点A2 と、他方の検出回路1
7の出力電圧のプラスのピーク点C2'との距離及び一方
の検出回路16の出力電圧のマイナスのピーク点A2'
と、他方の検出回路17の出力電圧のマイナスのピーク
点C2 との距離が、発磁体12及び13の磁極N極から
S極の長さ、つまり、検出方向の長さに対応する。
出力電圧のプラスのピーク点A2 と、他方の検出回路1
7の出力電圧のプラスのピーク点C2'との距離及び一方
の検出回路16の出力電圧のマイナスのピーク点A2'
と、他方の検出回路17の出力電圧のマイナスのピーク
点C2 との距離が、発磁体12及び13の磁極N極から
S極の長さ、つまり、検出方向の長さに対応する。
【0026】また、検出位置近傍B2 、B2'で、一方の
検出回路16の出力電圧が減少して、他方の検出回路1
7の出力電圧が増加するようになる。さらに、2つの検
出回路16及び17の出力電圧の曲線同士の交点B2 、
B2'は、一方の検出回路16の出力電圧のプラスのピー
ク点A2 と、他方の検出回路17の出力電圧のプラスの
ピーク点C2'との距離の中点となる。
検出回路16の出力電圧が減少して、他方の検出回路1
7の出力電圧が増加するようになる。さらに、2つの検
出回路16及び17の出力電圧の曲線同士の交点B2 、
B2'は、一方の検出回路16の出力電圧のプラスのピー
ク点A2 と、他方の検出回路17の出力電圧のプラスの
ピーク点C2'との距離の中点となる。
【0027】図5のような検出回路16及び17の出力
電圧が得られるので、検出ヘッド10及び11と発磁体
12及び13とのクリアランスの変動、温度変化、ある
いは駆動電圧の変動等により実線から点線のように出力
電圧が変動しても、位置検出点を2つの検出回路16及
び17の出力電圧の曲線同士の交点B2 、B2'の位置に
設定するようにすれば、出力電圧の変動によらず高精度
の位置検出を行うことができる。
電圧が得られるので、検出ヘッド10及び11と発磁体
12及び13とのクリアランスの変動、温度変化、ある
いは駆動電圧の変動等により実線から点線のように出力
電圧が変動しても、位置検出点を2つの検出回路16及
び17の出力電圧の曲線同士の交点B2 、B2'の位置に
設定するようにすれば、出力電圧の変動によらず高精度
の位置検出を行うことができる。
【0028】このように、図5において、位置検出点で
ある、2つの検出回路16及び17の出力電圧の曲線同
士の交点B2 、B2'の位置において、2つの出力電圧の
差分が0になることを利用しているが、図5において、
右方端または左方端の、検出ヘッドが発磁体から遠く離
隔した状態では、各検出ヘッドによる出力電圧が0にな
り、位置検出点と混同する恐れがあるので、予め、各検
出ヘッドの出力電圧の差分が0にならないように変位さ
せておくものとする。
ある、2つの検出回路16及び17の出力電圧の曲線同
士の交点B2 、B2'の位置において、2つの出力電圧の
差分が0になることを利用しているが、図5において、
右方端または左方端の、検出ヘッドが発磁体から遠く離
隔した状態では、各検出ヘッドによる出力電圧が0にな
り、位置検出点と混同する恐れがあるので、予め、各検
出ヘッドの出力電圧の差分が0にならないように変位さ
せておくものとする。
【0029】また、図7に別の磁気抵抗素子を利用した
位置検出センサの要部を示す。図7において、検出ヘッ
ド21及び22は位置検出方向に互いに距離Dだけ離隔
して、検出方向と垂直方向に互いにオフセットして配置
し、発磁体23は位置検出方向と垂直方向に検出ヘッド
21及び22を覆うような長さを有し、紙面を貫く方向
に、磁極N極、S極が向くようにして配置する。図7に
示した別の磁気抵抗素子を利用した位置検出センサが図
1に示した磁気抵抗素子を利用した位置検出センサと比
較して、発磁体23を一つにしたところが異なる。ま
た、図7に検出ヘッドが検出方向と垂直方向に互いにオ
フセットして配置した例を示したが、オフセットをしな
いで垂直方向に縦列配置してもよい。
位置検出センサの要部を示す。図7において、検出ヘッ
ド21及び22は位置検出方向に互いに距離Dだけ離隔
して、検出方向と垂直方向に互いにオフセットして配置
し、発磁体23は位置検出方向と垂直方向に検出ヘッド
21及び22を覆うような長さを有し、紙面を貫く方向
に、磁極N極、S極が向くようにして配置する。図7に
示した別の磁気抵抗素子を利用した位置検出センサが図
1に示した磁気抵抗素子を利用した位置検出センサと比
較して、発磁体23を一つにしたところが異なる。ま
た、図7に検出ヘッドが検出方向と垂直方向に互いにオ
フセットして配置した例を示したが、オフセットをしな
いで垂直方向に縦列配置してもよい。
【0030】このような別の磁気抵抗素子を利用した位
置検出センサは、図3に示した磁気抵抗素子を利用した
位置検出センサにおいて、発磁体を1つにしたものと同
等であるので、その構成の詳細説明を省略する。このよ
うな別の磁気抵抗素子を利用した位置検出センサの検出
回路の出力電圧は、図8に示すように、検出方向が右方
向の場合は、上段に示すようになり、また、検出方向が
左方向の場合は、下段に示すようになり、検出ヘッド2
1に波形A3 が対応し、検出ヘッド22に波形B3 が対
応する。
置検出センサは、図3に示した磁気抵抗素子を利用した
位置検出センサにおいて、発磁体を1つにしたものと同
等であるので、その構成の詳細説明を省略する。このよ
うな別の磁気抵抗素子を利用した位置検出センサの検出
回路の出力電圧は、図8に示すように、検出方向が右方
向の場合は、上段に示すようになり、また、検出方向が
左方向の場合は、下段に示すようになり、検出ヘッド2
1に波形A3 が対応し、検出ヘッド22に波形B3 が対
応する。
【0031】ここで、上段に示す右方向に検出の場合及
び下段に示す左方向の検出の場合共に、2つの波形の交
点の位置でそれぞれ位置を検出するので、上段の出力電
圧の波形の交点と下段の出力電圧の波形の交点との距離
D’が位置検出センサの動作範囲になるが、この距離は
図7に示す検出ヘッド21及び22の位置検出方向の距
離Dに等しくなる。また、発磁体の中心位置C3 は上段
の出力電圧の波形の交点と下段の出力電圧の波形の交点
との距離D’の中点に対応する。
び下段に示す左方向の検出の場合共に、2つの波形の交
点の位置でそれぞれ位置を検出するので、上段の出力電
圧の波形の交点と下段の出力電圧の波形の交点との距離
D’が位置検出センサの動作範囲になるが、この距離は
図7に示す検出ヘッド21及び22の位置検出方向の距
離Dに等しくなる。また、発磁体の中心位置C3 は上段
の出力電圧の波形の交点と下段の出力電圧の波形の交点
との距離D’の中点に対応する。
【0032】このように発磁体を1つに構成しても、検
出方向により検出位置を変えることにより、検出ヘッド
21及び22と発磁体23とのクリアランスの変動、温
度変化、あるいは駆動電圧の変動等により出力電圧が変
動しても、位置検出点を検出方向により図8に示す位置
に設定するようにすれば、出力電圧の変動によらず高精
度の位置検出を行うことができる。
出方向により検出位置を変えることにより、検出ヘッド
21及び22と発磁体23とのクリアランスの変動、温
度変化、あるいは駆動電圧の変動等により出力電圧が変
動しても、位置検出点を検出方向により図8に示す位置
に設定するようにすれば、出力電圧の変動によらず高精
度の位置検出を行うことができる。
【0033】このように、図8において、位置検出点で
ある、2つの検出回路の出力電圧の曲線同士の交点の位
置において、2つの出力電圧の差分が0になることを利
用しているが、図8において、右方端または左方端の、
検出ヘッドが発磁体から遠く離隔した状態では、各検出
ヘッドによる出力電圧が0になり、位置検出点と混同す
る恐れがあるので、予め、各検出ヘッドの出力電圧の差
分が0にならないように変位させておくものとする。
ある、2つの検出回路の出力電圧の曲線同士の交点の位
置において、2つの出力電圧の差分が0になることを利
用しているが、図8において、右方端または左方端の、
検出ヘッドが発磁体から遠く離隔した状態では、各検出
ヘッドによる出力電圧が0になり、位置検出点と混同す
る恐れがあるので、予め、各検出ヘッドの出力電圧の差
分が0にならないように変位させておくものとする。
【0034】上述せる本例によれば、温度変化等によ
り、検出信号出力手段5、6の出力電圧が変動しても、
2つの検出信号の一致する位置で検出するので、安定し
て高精度の位置検出ができる。また、本例によれば、2
つの検出信号のピーク位置を互いにずらして線対称にな
るように設定するので、2つの検出信号の一致する位置
を容易に検出できる。
り、検出信号出力手段5、6の出力電圧が変動しても、
2つの検出信号の一致する位置で検出するので、安定し
て高精度の位置検出ができる。また、本例によれば、2
つの検出信号のピーク位置を互いにずらして線対称にな
るように設定するので、2つの検出信号の一致する位置
を容易に検出できる。
【0035】また、本例によれば、バイアス磁石による
バイアス磁界と発磁体3、4との合成磁界が磁気抵抗素
子に対して略45度となったときに、検出信号を得るの
で、温度変化に対して安定した出力が得られる。また、
本例によれば、2つの検出信号が略0になる位置で検出
信号を得るので、温度等の変動によらずに、安定して、
高精度の位置検出ができる。
バイアス磁界と発磁体3、4との合成磁界が磁気抵抗素
子に対して略45度となったときに、検出信号を得るの
で、温度変化に対して安定した出力が得られる。また、
本例によれば、2つの検出信号が略0になる位置で検出
信号を得るので、温度等の変動によらずに、安定して、
高精度の位置検出ができる。
【0036】従って、上述した本例によれば、2つの検
出ヘッドと1つまたは2つの発磁体とのクリアランスの
変動、温度変化、あるいは駆動電圧の変動等により出力
電圧が変動しても、位置検出点を2つの検出回路の出力
電圧の曲線同士の交点の位置に設定するようにすれば、
出力電圧の変動によらず高精度の位置検出を行うことが
できる。尚、上述の実施例は本発明の一例であり、本発
明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得
ることは勿論である。
出ヘッドと1つまたは2つの発磁体とのクリアランスの
変動、温度変化、あるいは駆動電圧の変動等により出力
電圧が変動しても、位置検出点を2つの検出回路の出力
電圧の曲線同士の交点の位置に設定するようにすれば、
出力電圧の変動によらず高精度の位置検出を行うことが
できる。尚、上述の実施例は本発明の一例であり、本発
明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得
ることは勿論である。
【0037】
【発明の効果】本発明によれば、温度変化等により、検
出信号出力手段の出力電圧が変動しても、2つの検出信
号の一致する位置で検出するので、安定して高精度の位
置検出ができる。また、2つの検出信号のピーク位置を
互いにずらして線対称になるように設定するので、2つ
の検出信号の一致する位置を容易に検出でき、検出方向
の両方向からの移動に対して、唯一の位置で信号を発生
することができる。また、バイアス磁石によるバイアス
磁界と発磁体3、4との合成磁界が磁気抵抗素子に対し
て略45度となったときに、検出信号を得るので、温度
変化に対して安定した出力が得られる。また、2つの検
出信号が略0になる位置で検出信号を得るので、温度等
の変動によらずに、安定して、高精度の位置検出ができ
る。従って、上述した本発明によれば、2つの検出ヘッ
ドと発磁体とのクリアランスの変動、温度変化、あるい
は駆動電圧の変動等により出力電圧が変動しても、位置
検出点を2つの検出回路の出力電圧の曲線同士の交点の
位置に設定するようにすれば、出力電圧の変動によらず
高精度の位置検出を行うことができる。
出信号出力手段の出力電圧が変動しても、2つの検出信
号の一致する位置で検出するので、安定して高精度の位
置検出ができる。また、2つの検出信号のピーク位置を
互いにずらして線対称になるように設定するので、2つ
の検出信号の一致する位置を容易に検出でき、検出方向
の両方向からの移動に対して、唯一の位置で信号を発生
することができる。また、バイアス磁石によるバイアス
磁界と発磁体3、4との合成磁界が磁気抵抗素子に対し
て略45度となったときに、検出信号を得るので、温度
変化に対して安定した出力が得られる。また、2つの検
出信号が略0になる位置で検出信号を得るので、温度等
の変動によらずに、安定して、高精度の位置検出ができ
る。従って、上述した本発明によれば、2つの検出ヘッ
ドと発磁体とのクリアランスの変動、温度変化、あるい
は駆動電圧の変動等により出力電圧が変動しても、位置
検出点を2つの検出回路の出力電圧の曲線同士の交点の
位置に設定するようにすれば、出力電圧の変動によらず
高精度の位置検出を行うことができる。
【図1】本発明の磁気抵抗素子を利用した位置検出セン
サの要部を示す斜視図である。
サの要部を示す斜視図である。
【図2】本発明の磁気抵抗素子を利用した位置検出セン
サの検出回路の出力電圧を示す図である。
サの検出回路の出力電圧を示す図である。
【図3】本発明の磁気抵抗素子を利用した位置検出セン
サのブロック図である。
サのブロック図である。
【図4】本発明の磁気変調型磁気センサを利用した位置
検出センサの要部を示す斜視図である。
検出センサの要部を示す斜視図である。
【図5】本発明の磁気変調型磁気センサを利用した位置
検出センサの検出回路の出力電圧を示す図である。
検出センサの検出回路の出力電圧を示す図である。
【図6】本発明の磁気変調型磁気センサを利用した位置
検出センサのブロック図である。
検出センサのブロック図である。
【図7】本発明の他の磁気抵抗素子を利用した位置検出
センサの要部を示す斜視図である。
センサの要部を示す斜視図である。
【図8】本発明の他の磁気抵抗素子を利用した位置検出
センサの検出回路の出力電圧を示す図である。
センサの検出回路の出力電圧を示す図である。
【図9】従来の磁気抵抗素子を利用した位置検出センサ
の要部を示す斜視図である。
の要部を示す斜視図である。
【図10】従来の磁気抵抗素子を利用した位置検出セン
サのブロック図である。
サのブロック図である。
【図11】従来の磁気抵抗素子を利用した位置検出セン
サの検出回路及びリレー回路の出力電圧を示す図であ
る。
サの検出回路及びリレー回路の出力電圧を示す図であ
る。
【図12】従来の磁気変調型磁気センサを利用した位置
検出センサの要部を示す斜視図である。
検出センサの要部を示す斜視図である。
【図13】従来の磁気変調型磁気センサを利用した位置
検出センサのブロック図である。
検出センサのブロック図である。
【図14】従来の磁気変調型磁気センサを利用した位置
検出センサの検出回路の出力電圧を示す図である。
検出センサの検出回路の出力電圧を示す図である。
1、2 検出ヘッド 3、4 発磁体 5、6 検出回路 7 電圧比較回路 10、11 検出ヘッド 12、13 発磁体 16、17 検出回路 18 電圧比較回路
Claims (4)
- 【請求項1】 2つの検出手段と、前記2つの検出手段
に対向して配置した被検出手段と、前記2つの検出手段
と前記被検出手段との相対的位置関係に対応する2つの
検出信号を出力する2つの検出信号出力手段と、前記2
つの検出信号出力手段の2つの検出信号の差分が略0に
なる位置で一致信号を出力する一致信号出力手段とから
なり、前記一致信号を用いて位置検出をする位置検出セ
ンサ。 - 【請求項2】 前記2つの検出手段と前記被検出手段と
の相対的位置関係に対応する2つの検出信号のピーク位
置を互いにずらして線対称になるように設定したことを
特徴とする請求項1記載の位置検出センサ。 - 【請求項3】 前記検出手段は、磁気抵抗の異方性効果
を有する強磁性体からなる磁気抵抗素子と、前記磁気抵
抗素子にバイアス磁界をかけるバイアス磁石とからな
り、前記被検出手段は前記検出手段に対向する方向に着
磁された発磁体からなり、前記磁気抵抗素子に作用する
バイアス磁界と前記発磁体の信号磁界との合成磁界が略
45度の位置で検出信号を得るようにしたことを特徴と
する請求項1記載の位置検出センサ。 - 【請求項4】 前記検出手段は、それぞれに高周波信号
を印加したコイルが巻回された2つのアームを有するコ
アと、前記コアに対して2つのギャップを設けて両側か
ら包んだヨークとからなり、前記被検出手段は前記位置
検出方向に着磁された発磁体からなり、前記2つの検出
信号が略0になる位置で検出信号を得るようにしたこと
を特徴とする請求項1記載の位置検出センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33178392A JPH06180204A (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | 位置検出センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33178392A JPH06180204A (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | 位置検出センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06180204A true JPH06180204A (ja) | 1994-06-28 |
Family
ID=18247590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33178392A Pending JPH06180204A (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | 位置検出センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06180204A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09152303A (ja) * | 1995-12-01 | 1997-06-10 | Smc Corp | 位置検出装置 |
| JP2008076193A (ja) * | 2006-09-20 | 2008-04-03 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 位置検出装置、位置検出装置を有する光学系と撮像装置 |
| JP2013100843A (ja) * | 2011-11-07 | 2013-05-23 | Honda Motor Co Ltd | 変速機ニュートラル位置判定装置 |
-
1992
- 1992-12-11 JP JP33178392A patent/JPH06180204A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09152303A (ja) * | 1995-12-01 | 1997-06-10 | Smc Corp | 位置検出装置 |
| JP2008076193A (ja) * | 2006-09-20 | 2008-04-03 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 位置検出装置、位置検出装置を有する光学系と撮像装置 |
| JP2013100843A (ja) * | 2011-11-07 | 2013-05-23 | Honda Motor Co Ltd | 変速機ニュートラル位置判定装置 |
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