JPH06180765A - 照合装置 - Google Patents
照合装置Info
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- JPH06180765A JPH06180765A JP4332971A JP33297192A JPH06180765A JP H06180765 A JPH06180765 A JP H06180765A JP 4332971 A JP4332971 A JP 4332971A JP 33297192 A JP33297192 A JP 33297192A JP H06180765 A JPH06180765 A JP H06180765A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子錠のIDカード等の照合装置において、
装置の構成を簡単で安価なものとし、被照合体及び照合
体の情報信号の記入・消去を容易にすること。 【構成】 照合体2及び被照合体3を平板状の磁気記録
媒体で構成し、それらに情報コード信号を面方向磁化に
より記録するようにするとともに、読取部1は平板状基
板に所要数の感磁性素子M11,M12‥‥,Mmnをハイブ
リッドIC技術等により薄型に形成し、照合情報コード
信号による磁界と被照合情報コード信号によるバイアス
磁界の合成磁界の方向を読み取って、コード信号の一致
を検出するようにする。
装置の構成を簡単で安価なものとし、被照合体及び照合
体の情報信号の記入・消去を容易にすること。 【構成】 照合体2及び被照合体3を平板状の磁気記録
媒体で構成し、それらに情報コード信号を面方向磁化に
より記録するようにするとともに、読取部1は平板状基
板に所要数の感磁性素子M11,M12‥‥,Mmnをハイブ
リッドIC技術等により薄型に形成し、照合情報コード
信号による磁界と被照合情報コード信号によるバイアス
磁界の合成磁界の方向を読み取って、コード信号の一致
を検出するようにする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、金庫の電子錠、自動運
送装置や自動仕分け装置等に適用される照合装置に関
し、特に、磁性媒体に着磁した信号磁界の向きの組み合
わせとして磁気的にコーディングされた情報と、あらか
じめ設定されている照合情報との一致を検出する照合装
置に関するものである。
送装置や自動仕分け装置等に適用される照合装置に関
し、特に、磁性媒体に着磁した信号磁界の向きの組み合
わせとして磁気的にコーディングされた情報と、あらか
じめ設定されている照合情報との一致を検出する照合装
置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の照合装置は、図8に図示する如
く、複数の磁気抵抗素子M11,M12‥‥,Mmnと、それ
らの磁気抵抗素子の各々にバイアス磁界を与えるための
複数の磁石D11,D12‥‥,Dmnとから成る複数の感磁
性素子E11,E12‥‥,Emnをマトリックス状に配列し
て読取部1を構成し、この読取部1の各磁気抵抗素子M
11,M12‥‥,Mmnの出力端子を差動増幅器A1 ,A2
‥‥,Amnの一方の入力端子に接続し、他方の入力端子
に接続されたバイアス電源からのバイアス電圧との差動
出力を得るようになっていて、それら差動増幅器の出力
は一致検出回路4に接続されていて、その出力5に一致
信号を得るようになっている。
く、複数の磁気抵抗素子M11,M12‥‥,Mmnと、それ
らの磁気抵抗素子の各々にバイアス磁界を与えるための
複数の磁石D11,D12‥‥,Dmnとから成る複数の感磁
性素子E11,E12‥‥,Emnをマトリックス状に配列し
て読取部1を構成し、この読取部1の各磁気抵抗素子M
11,M12‥‥,Mmnの出力端子を差動増幅器A1 ,A2
‥‥,Amnの一方の入力端子に接続し、他方の入力端子
に接続されたバイアス電源からのバイアス電圧との差動
出力を得るようになっていて、それら差動増幅器の出力
は一致検出回路4に接続されていて、その出力5に一致
信号を得るようになっている。
【0003】被照合体3は、本体31の厚み方向に着磁
された複数個の永久磁石B11,B12‥‥,Bmnを本体3
1にマトリックス状に配列形成した装着穴C11,C12‥
‥,Cmnに配設して成り、これらの永久磁石B11,B12
‥‥,Bmnによる信号磁界H S1,HS2‥‥,HSnの方向
(図において、上方向か下方向)の組み合わせによって
情報信号がコーディングされている。
された複数個の永久磁石B11,B12‥‥,Bmnを本体3
1にマトリックス状に配列形成した装着穴C11,C12‥
‥,Cmnに配設して成り、これらの永久磁石B11,B12
‥‥,Bmnによる信号磁界H S1,HS2‥‥,HSnの方向
(図において、上方向か下方向)の組み合わせによって
情報信号がコーディングされている。
【0004】各感磁性素子は、図5にその1つの素子2
0を模式的に図示する如く、強磁性磁気抵抗効果を有す
るNiCo合金、NiFe合金、NiAl合金、NiM
n合金あるいはNiZn合金等の強磁性金属で成る線状
抵抗体を折り返しパターンに形成した感磁部11,12
を、その線状長手方向が互いに直交するように隣接配置
し、隣接点を相互接続し、その接続点から出力端子15
を取り出し、両端にバイアス電流IB 用の端子13,1
4を設けて成る三端子型磁気抵抗素子16と、この感磁
部11,12に流すバイアス電流IB の方向に対して4
5°の角度をなす方向にバイアス磁界HB を与えるバイ
アス磁石17とから構成されている。
0を模式的に図示する如く、強磁性磁気抵抗効果を有す
るNiCo合金、NiFe合金、NiAl合金、NiM
n合金あるいはNiZn合金等の強磁性金属で成る線状
抵抗体を折り返しパターンに形成した感磁部11,12
を、その線状長手方向が互いに直交するように隣接配置
し、隣接点を相互接続し、その接続点から出力端子15
を取り出し、両端にバイアス電流IB 用の端子13,1
4を設けて成る三端子型磁気抵抗素子16と、この感磁
部11,12に流すバイアス電流IB の方向に対して4
5°の角度をなす方向にバイアス磁界HB を与えるバイ
アス磁石17とから構成されている。
【0005】この磁気抵抗素子16は、図6に示す如
く、抵抗器21,22と共にブリッヂ回路を形成するよ
うに接続され、差動増幅器23は、その一入力端子が抵
抗器21,22の接続点に接続され、他の入力端子が磁
気抵抗素子16の出力端子に接続されている。
く、抵抗器21,22と共にブリッヂ回路を形成するよ
うに接続され、差動増幅器23は、その一入力端子が抵
抗器21,22の接続点に接続され、他の入力端子が磁
気抵抗素子16の出力端子に接続されている。
【0006】図6の抵抗器21,22の代わりに図7に
示す如く、磁気抵抗素子を用いても良い。
示す如く、磁気抵抗素子を用いても良い。
【0007】次に、上述のとおり構成された感磁性素子
20の動作について簡単に説明する。感磁部11,12
の線状抵抗体は強磁性磁気抵抗効果によって、バイアス
電流IB に直交する方向に磁化されたときに抵抗値が最
小となり、バイアス電流IBに平行な方向に磁化された
ときに抵抗値が最大になる。
20の動作について簡単に説明する。感磁部11,12
の線状抵抗体は強磁性磁気抵抗効果によって、バイアス
電流IB に直交する方向に磁化されたときに抵抗値が最
小となり、バイアス電流IBに平行な方向に磁化された
ときに抵抗値が最大になる。
【0008】従って、例えば、感磁部11,12に、図
6に図示したとおりの電流IB が流れているとき、実線
で示すバイアス磁界HB と実線で示す外部信号磁界HS
が印加されると、それらの合成磁界HM は感磁部11の
電流方向と直交し、感磁部12の電流方向と平行となる
から、感磁部11の抵抗値が小さくなり、感磁部12の
抵抗値が大きくなる。その結果、磁気抵抗素子16の出
力端子15の電位VM(θ)が変化し、差動増幅器23
の出力端子24に差動出力が現われる。
6に図示したとおりの電流IB が流れているとき、実線
で示すバイアス磁界HB と実線で示す外部信号磁界HS
が印加されると、それらの合成磁界HM は感磁部11の
電流方向と直交し、感磁部12の電流方向と平行となる
から、感磁部11の抵抗値が小さくなり、感磁部12の
抵抗値が大きくなる。その結果、磁気抵抗素子16の出
力端子15の電位VM(θ)が変化し、差動増幅器23
の出力端子24に差動出力が現われる。
【0009】バイアス磁界HB と外部信号磁界HS と合
成磁界HM の関係は図3(a)に示すとおりである。な
お、同図(b)は、上述の磁気抵抗素子16(図5参
照)を記号的に簡略化した図である。
成磁界HM の関係は図3(a)に示すとおりである。な
お、同図(b)は、上述の磁気抵抗素子16(図5参
照)を記号的に簡略化した図である。
【0010】図3(a)において、バイアス磁界の絶対
値|HB |と外部信号磁界の絶対値|HS |のどちらか
一方が他方に比べて非常に小さければ合成磁界の絶対値
|H M |は非常に小さいので差動増幅器23の出力V0
(θ)は零になる。
値|HB |と外部信号磁界の絶対値|HS |のどちらか
一方が他方に比べて非常に小さければ合成磁界の絶対値
|H M |は非常に小さいので差動増幅器23の出力V0
(θ)は零になる。
【0011】また、バイアス磁界HB と外部信号磁界H
S のどちらか一方又は両方が欠けていても合成磁界が零
になるので、差動増幅器23の出力は零になる。
S のどちらか一方又は両方が欠けていても合成磁界が零
になるので、差動増幅器23の出力は零になる。
【0012】従って、バイアス磁界の絶対値|HB |と
外部信号磁界の絶対値|HS |はほぼ等しくすることが
望ましい。
外部信号磁界の絶対値|HS |はほぼ等しくすることが
望ましい。
【0013】図4は、バイアス磁界HB 、外部信号磁界
HS と合成磁界HM の極性を表わす表である。
HS と合成磁界HM の極性を表わす表である。
【0014】図から明らかなとおり、バイアス磁界HB
の極性と外部信号磁界HS の極性が一致しているとき、
すなわち、それらが共に正(+)又は負(−)のとき合
成磁界の極性は正(+)になり、バイアス磁界HB の極
性と外部信号磁界HS の極性が不一致のとき、即ち、一
方が正(+)で他方が負(−)のとき、合成磁界の極性
は負(−)となる。
の極性と外部信号磁界HS の極性が一致しているとき、
すなわち、それらが共に正(+)又は負(−)のとき合
成磁界の極性は正(+)になり、バイアス磁界HB の極
性と外部信号磁界HS の極性が不一致のとき、即ち、一
方が正(+)で他方が負(−)のとき、合成磁界の極性
は負(−)となる。
【0015】次に上述の原理に基いて信号検出を行な
う、図8に図示した、従来の照合装置の動作について説
明する。
う、図8に図示した、従来の照合装置の動作について説
明する。
【0016】被照合体3が読取部1の遠方に在るとき、
すなわち、照合されていないときは外部信号磁界HS1,
HS2‥‥,HSn‥‥が読取部1に作用しないので感磁性
素子E11,E12‥‥,Emnの出力は零である(すなわ
ち、+Vo/2の電位にある)。
すなわち、照合されていないときは外部信号磁界HS1,
HS2‥‥,HSn‥‥が読取部1に作用しないので感磁性
素子E11,E12‥‥,Emnの出力は零である(すなわ
ち、+Vo/2の電位にある)。
【0017】被照合体3が読取部1の読取り位置に置か
れると、被照合体3によって与えられる信号磁界HS1,
HS2,‥‥の方向に応じて感磁性素子E11,E12‥‥,
Emnから出力信号が出るが、このとき、被照合体3にコ
ード化されている信号と読取部1の磁石D11,D12‥
‥,Dmnによってコード化されている信号が一致すれば
全感磁性素子E11,E12‥‥,Emnから正の出力信号が
出るので一致検出回路4の出力端子5に検出出力が出
る。
れると、被照合体3によって与えられる信号磁界HS1,
HS2,‥‥の方向に応じて感磁性素子E11,E12‥‥,
Emnから出力信号が出るが、このとき、被照合体3にコ
ード化されている信号と読取部1の磁石D11,D12‥
‥,Dmnによってコード化されている信号が一致すれば
全感磁性素子E11,E12‥‥,Emnから正の出力信号が
出るので一致検出回路4の出力端子5に検出出力が出
る。
【0018】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の照合装
置においては、被照合体3に記録する情報が被照合体の
厚み方向に信号磁界HS1,HS2,‥‥を作るように配列
された複数個の永久磁石B11,B12‥‥,Bmnの磁界方
向の組み合わせで表わされるようになっているため、磁
性媒体の厚みは厚くなり、従って、被照合体3の厚みが
厚くなる。
置においては、被照合体3に記録する情報が被照合体の
厚み方向に信号磁界HS1,HS2,‥‥を作るように配列
された複数個の永久磁石B11,B12‥‥,Bmnの磁界方
向の組み合わせで表わされるようになっているため、磁
性媒体の厚みは厚くなり、従って、被照合体3の厚みが
厚くなる。
【0019】永久磁石B11,B12‥‥,Bmnは、被照合
体3の本体31に設けられた穴C11,C12‥‥,Cmnに
埋設されているので、情報信号の書き換えを行なうとき
は、信号磁界の向きを変えるために永久磁石を取り出し
て方向を反転して装着しなければならず、その作業が非
常に面倒であった。
体3の本体31に設けられた穴C11,C12‥‥,Cmnに
埋設されているので、情報信号の書き換えを行なうとき
は、信号磁界の向きを変えるために永久磁石を取り出し
て方向を反転して装着しなければならず、その作業が非
常に面倒であった。
【0020】また、従来の照合装置の読取部1は、被照
合体3に対して垂直になるように感磁性素子を配列して
形成されているため、読取部1の構成が複雑となり組み
立てに手間がかかる。従って高価なものとなる。
合体3に対して垂直になるように感磁性素子を配列して
形成されているため、読取部1の構成が複雑となり組み
立てに手間がかかる。従って高価なものとなる。
【0021】同様にして、照合体も読取部の構成に合わ
せて垂直配列とする必要があるから、情報信号の変更が
困難であり、コスト・アップにつながる。本発明は、か
かる点に鑑みてなされたものであり、照合装置を簡易、
かつ、安価なものとし、被照合体及び照合体上の情報信
号の変更(書き換え)を容易にすることを目的とする。
せて垂直配列とする必要があるから、情報信号の変更が
困難であり、コスト・アップにつながる。本発明は、か
かる点に鑑みてなされたものであり、照合装置を簡易、
かつ、安価なものとし、被照合体及び照合体上の情報信
号の変更(書き換え)を容易にすることを目的とする。
【0022】
【課題を解決するための手段】本発明照合装置は、強磁
性金属磁気抵抗薄膜から成り、略直角配置で直列接続さ
れた2つの感磁部を有し、これらの感磁部に流れるバイ
アス電流の方向に対し略45°方向にバイアス磁界を印
加した感磁性素子を複数個配列して成る信号磁界の読取
部と、該読取部の各感磁性素子からの出力信号の一致を
検出する一致検出回路と、上記読取部のバイアス電流方
向に対して略45°方向に印加するバイアス磁界を発生
するため、面方向に略平行に着磁され、かつ、被照合体
の信号磁界を略直交方向をなす2つのバイアス磁界方向
の組み合わせとして情報信号が磁気的にコーディングさ
れている照合体と、面方向に略平行に着磁された磁性媒
体が発生する信号磁界の異なる2つの方向の組み合わせ
によって情報信号が磁気的にコーディングされている被
照合体(IDカード)と、から成り、照合情報信号のコ
ーディングが上記読取部の各感磁性素子に印加するバイ
アス磁界の方向と信号磁界の方向の組み合わせとして与
えられるようになっている。
性金属磁気抵抗薄膜から成り、略直角配置で直列接続さ
れた2つの感磁部を有し、これらの感磁部に流れるバイ
アス電流の方向に対し略45°方向にバイアス磁界を印
加した感磁性素子を複数個配列して成る信号磁界の読取
部と、該読取部の各感磁性素子からの出力信号の一致を
検出する一致検出回路と、上記読取部のバイアス電流方
向に対して略45°方向に印加するバイアス磁界を発生
するため、面方向に略平行に着磁され、かつ、被照合体
の信号磁界を略直交方向をなす2つのバイアス磁界方向
の組み合わせとして情報信号が磁気的にコーディングさ
れている照合体と、面方向に略平行に着磁された磁性媒
体が発生する信号磁界の異なる2つの方向の組み合わせ
によって情報信号が磁気的にコーディングされている被
照合体(IDカード)と、から成り、照合情報信号のコ
ーディングが上記読取部の各感磁性素子に印加するバイ
アス磁界の方向と信号磁界の方向の組み合わせとして与
えられるようになっている。
【0023】
【作用】本発明照合装置は、被照合体3と照合体2の両
方が磁性媒体の面方向に着磁されるようになっているか
ら、着磁と消磁が容易であるばかりでなく、薄型に形成
できる利点がある。
方が磁性媒体の面方向に着磁されるようになっているか
ら、着磁と消磁が容易であるばかりでなく、薄型に形成
できる利点がある。
【0024】また、読取部1の各感磁性素子は、基板上
に平面状に配設できるので、例えばハイブリッドIC技
術を適用することが可能であり、装置がコンパクトで、
かつ、安価に作製できるという利点もある。
に平面状に配設できるので、例えばハイブリッドIC技
術を適用することが可能であり、装置がコンパクトで、
かつ、安価に作製できるという利点もある。
【0025】情報信号のコーディングは、被照合体3の
信号磁界9の方向及び照合体2のバイアス磁界7の方向
の組み合わせで行なわれるが、コードの変更は被照合体
及び照合体の着磁と消磁が自由に行なえるので、簡単に
コード変更できる。
信号磁界9の方向及び照合体2のバイアス磁界7の方向
の組み合わせで行なわれるが、コードの変更は被照合体
及び照合体の着磁と消磁が自由に行なえるので、簡単に
コード変更できる。
【0026】
【実施例】本発明照合装置の1例について図1、図2に
よって説明する。図2に示す如く、読取部1は、1枚の
基板上に所要数(同図では3×3)の感磁性素子M11,
M12‥‥,M33を形成し、それらの感磁性素子M11,M
12‥‥,M33の各々に所定方向のバイアス磁界HB を与
える平板状の照合体2を近接配置して構成する。
よって説明する。図2に示す如く、読取部1は、1枚の
基板上に所要数(同図では3×3)の感磁性素子M11,
M12‥‥,M33を形成し、それらの感磁性素子M11,M
12‥‥,M33の各々に所定方向のバイアス磁界HB を与
える平板状の照合体2を近接配置して構成する。
【0027】被照合体3も、情報信号9を磁気的にコー
ディングすることができる平板状の被照合体で構成す
る。
ディングすることができる平板状の被照合体で構成す
る。
【0028】同図において、照合体2が発生するバイア
ス磁界HB (又は−HB )と、被照合体3に記録された
コード信号が発生する信号磁界HS (又は−HS )との
組み合わせによって作られる合成磁界HM は全て正
(+)極性となるように磁化方向が選ばれている。
ス磁界HB (又は−HB )と、被照合体3に記録された
コード信号が発生する信号磁界HS (又は−HS )との
組み合わせによって作られる合成磁界HM は全て正
(+)極性となるように磁化方向が選ばれている。
【0029】このような構造を持つ照合装置の詳細を図
1に示す。同図において、1は磁界の読取部で、一枚の
シート状基板の上に複数の感磁性素子M11,M12‥‥,
Mmnがマトリックス状に形成されている。
1に示す。同図において、1は磁界の読取部で、一枚の
シート状基板の上に複数の感磁性素子M11,M12‥‥,
Mmnがマトリックス状に形成されている。
【0030】各感磁性素子M11,M12‥‥,Mmnは、一
端が接地され、他端がバイアス電源+Voに接続されて
いて、バイアス電流IB が流れるようになっている。各
感磁性素子M11,M12‥‥,Mmnの出力端子は、それに
対応して差動増幅器A11,A 12‥‥,Amnの−入力端子
に接続されている。各差動増幅器の他の入力端子は、バ
イアス電源の抵抗器R1 ,R2 の接続中点に接続されて
いて、例えば、電圧+Voの半分の電圧+Vo/2が印
加されている。
端が接地され、他端がバイアス電源+Voに接続されて
いて、バイアス電流IB が流れるようになっている。各
感磁性素子M11,M12‥‥,Mmnの出力端子は、それに
対応して差動増幅器A11,A 12‥‥,Amnの−入力端子
に接続されている。各差動増幅器の他の入力端子は、バ
イアス電源の抵抗器R1 ,R2 の接続中点に接続されて
いて、例えば、電圧+Voの半分の電圧+Vo/2が印
加されている。
【0031】全差動増幅器A11,A12‥‥,Amnの出力
端子は一致検出回路4の入力端子に接続されている。
端子は一致検出回路4の入力端子に接続されている。
【0032】2は照合体で、例えば、磁性体から成る小
区画D11,D12‥‥,Dmnが形成されており、それらに
着磁された磁界方向の組み合わせで、照合信号を表わし
ている。
区画D11,D12‥‥,Dmnが形成されており、それらに
着磁された磁界方向の組み合わせで、照合信号を表わし
ている。
【0033】3は被照合体で、例えば、磁性体から成る
小区画B11,B12‥‥,Bmnが形成されており、それら
に着磁された磁界方向の組み合わせで、被照合信号を表
わしている。
小区画B11,B12‥‥,Bmnが形成されており、それら
に着磁された磁界方向の組み合わせで、被照合信号を表
わしている。
【0034】被照合体3が照合されないで遠方に在ると
きは、読取部1の感磁性素子M11,M12‥‥,Mmnの出
力には+Vo/2の出力電圧が出ているので差動増幅器
A11,A12‥‥,Amnに印加される2つの入力は同電位
となり、差動出力は出ない。
きは、読取部1の感磁性素子M11,M12‥‥,Mmnの出
力には+Vo/2の出力電圧が出ているので差動増幅器
A11,A12‥‥,Amnに印加される2つの入力は同電位
となり、差動出力は出ない。
【0035】被照合体3が読取部1の読み取り位置に置
かれると、被照合体3の小区画B11,B12‥‥,Bmnか
ら与えられる信号磁界と、照合体2の小区画D11,D12
‥‥,Dmnから与えられるバイアス磁界の合成磁界が作
られ、その磁界方向によって、感磁性素子の2つの感磁
部の一方の抵抗値が他方の抵抗値よりも大きくなって感
磁性素子M11,M12‥‥,Mmnの出力電圧が変化する。
かれると、被照合体3の小区画B11,B12‥‥,Bmnか
ら与えられる信号磁界と、照合体2の小区画D11,D12
‥‥,Dmnから与えられるバイアス磁界の合成磁界が作
られ、その磁界方向によって、感磁性素子の2つの感磁
部の一方の抵抗値が他方の抵抗値よりも大きくなって感
磁性素子M11,M12‥‥,Mmnの出力電圧が変化する。
【0036】ここで、照合体2のコード化された磁化信
号と被照合体3のコード化された磁化信号が一致してい
れば、全差動増幅器A11,A12‥‥,Amnに正の出力信
号が出て、一致検出回路4の出力端子5に一致信号が出
力される。
号と被照合体3のコード化された磁化信号が一致してい
れば、全差動増幅器A11,A12‥‥,Amnに正の出力信
号が出て、一致検出回路4の出力端子5に一致信号が出
力される。
【0037】以上、本発明照合装置の実施例の説明をし
てきたが、上述の説明から明らかなとおり、照合体2と
被照合体3は、それらの磁性媒体D11,D12‥‥,Dmn
及びB11,B12‥‥,Bmnの面方向に磁化するようにな
っているので照合体2と被照合体3が薄型に構成でき
る。そうして、この構成をとることにより着磁と消磁が
容易になる。また読取部1は、平板状基板の上に感磁性
素子M11,M12‥‥,M mnをハイブリッドIC技術等に
よって形成できるので装置がコンパクトにできる等々、
優れた特徴を有するものである。
てきたが、上述の説明から明らかなとおり、照合体2と
被照合体3は、それらの磁性媒体D11,D12‥‥,Dmn
及びB11,B12‥‥,Bmnの面方向に磁化するようにな
っているので照合体2と被照合体3が薄型に構成でき
る。そうして、この構成をとることにより着磁と消磁が
容易になる。また読取部1は、平板状基板の上に感磁性
素子M11,M12‥‥,M mnをハイブリッドIC技術等に
よって形成できるので装置がコンパクトにできる等々、
優れた特徴を有するものである。
【0038】尚本発明は上述実施例に限ることなく本発
明の要旨を逸脱することなく、その他種々の構成が採り
得ることは勿論である。
明の要旨を逸脱することなく、その他種々の構成が採り
得ることは勿論である。
【0039】
【発明の効果】本発明照合装置は、照合体2と被照合体
3の着磁、消磁が容易であり、従って、コード変更が簡
単にできる。照合体2と被照合体3は、ともにそれらの
磁性媒体の面方向に磁化するようになっているので装置
が薄型に構成できる。読取部の感磁性素子M11,M12‥
‥,MmnはハイブリッドIC技術によって形成できるの
で、装置がコンパクトに形成でき、かつ、安価に作製で
きる。
3の着磁、消磁が容易であり、従って、コード変更が簡
単にできる。照合体2と被照合体3は、ともにそれらの
磁性媒体の面方向に磁化するようになっているので装置
が薄型に構成できる。読取部の感磁性素子M11,M12‥
‥,MmnはハイブリッドIC技術によって形成できるの
で、装置がコンパクトに形成でき、かつ、安価に作製で
きる。
【図1】本発明照合装置の一実施例の構成を示す図であ
る。
る。
【図2】本発明照合装置に用いられる読取部と被照合体
の構造を概念的に示す図である。
の構造を概念的に示す図である。
【図3】本発明照合装置に用いられる感磁性素子の略記
図及び印加するバイアス磁界と外部信号磁界に対する合
成磁界の関係を示す図である。
図及び印加するバイアス磁界と外部信号磁界に対する合
成磁界の関係を示す図である。
【図4】バイアス磁界、外部信号磁界と読取り出力の関
係を示す図である。
係を示す図である。
【図5】従来照合装置に用いられる感磁性素子の構成を
示す模式的な外観斜視図である。
示す模式的な外観斜視図である。
【図6】本発明及び従来の照合装置に用いられる信号磁
界の読み取り回路を示す図である。
界の読み取り回路を示す図である。
【図7】信号磁界の読み取り回路の他の例を示す図であ
る。
る。
【図8】従来の照合装置の構成を示す図である。
1 読取部 2 照合体 3 被照合体 4 一致検出回路 6 バイアス電源回路 11,12 感磁部 16 磁気抵抗素子 17 バイアス磁界用磁石 20 感磁性素子 23 差動増幅器
Claims (1)
- 【請求項1】 2つの感磁部が直列に接続され、かつ、
互いに略直角の角度をなして配置され、該感磁部に流れ
るバイアス電流の方向に対して略45°方向にバイアス
磁界を印加するようになした磁気抵抗薄膜から成る感磁
性素子を複数個配列して成る信号磁界読取部と、 該読取部の上記複数の感磁性素子からの出力信号の一致
を検出する一致検出回路と、 上記読取部の感磁性素子にバイアス磁界を印加するた
め、面方向に略平行に着磁され、かつ、被照合体の信号
磁界と略直交する方向の2つの磁界方向の組み合わせと
して情報信号が磁気的にコーディングされた照合体と、 面方向に略平行に着磁される磁性媒体に2つの異なる信
号磁界方向の組み合わせによって情報信号が磁気的にコ
ーディングされてなる被照合体と、から成り、 照合情報信号のコーディングが上記読取部の各感磁性素
子に印加するバイアス磁界の方向と信号磁界の方向の組
み合わせとして与えられていることを特徴とする照合装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4332971A JPH06180765A (ja) | 1992-12-14 | 1992-12-14 | 照合装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4332971A JPH06180765A (ja) | 1992-12-14 | 1992-12-14 | 照合装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06180765A true JPH06180765A (ja) | 1994-06-28 |
Family
ID=18260871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4332971A Pending JPH06180765A (ja) | 1992-12-14 | 1992-12-14 | 照合装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06180765A (ja) |
-
1992
- 1992-12-14 JP JP4332971A patent/JPH06180765A/ja active Pending
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