JPH0618411B2 - 密着型読み取り装置 - Google Patents
密着型読み取り装置Info
- Publication number
- JPH0618411B2 JPH0618411B2 JP57192755A JP19275582A JPH0618411B2 JP H0618411 B2 JPH0618411 B2 JP H0618411B2 JP 57192755 A JP57192755 A JP 57192755A JP 19275582 A JP19275582 A JP 19275582A JP H0618411 B2 JPH0618411 B2 JP H0618411B2
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- shielding
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
- H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
- H04N1/03—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array
- H04N1/031—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明はフアクシミリ装置の小型化を目指し、原稿と寸
法的に１：１に対応させた光検知部を配置させた密着型
読み取り装置に関するものである。
法的に１：１に対応させた光検知部を配置させた密着型
読み取り装置に関するものである。
近時、フアクシミリ用の密着型読み取り装置の開発が活
発化しており、この装置には原稿からの反射光が集束性
ロツド・レンズ・アレイを通して検知する型式の他、こ
のアレイを使わずに優れた光量伝達率、小型化を達成す
ることが種々検討されており、本発明者等は以下のよう
な装置を先に提案した。
発化しており、この装置には原稿からの反射光が集束性
ロツド・レンズ・アレイを通して検知する型式の他、こ
のアレイを使わずに優れた光量伝達率、小型化を達成す
ることが種々検討されており、本発明者等は以下のよう
な装置を先に提案した。
即ち、第１図は集束性ロツド・レンズ・アレイを使わな
い密着型読み取り系の構成を示す斜視図であり、原稿１
と寸法的に１：１に対応させた光検知部２が原稿１に密
着され、けい光灯、発光ダイオード等の発光源３が原稿
１を投光し、反射光を光検知部２で受光するものであ
る。
い密着型読み取り系の構成を示す斜視図であり、原稿１
と寸法的に１：１に対応させた光検知部２が原稿１に密
着され、けい光灯、発光ダイオード等の発光源３が原稿
１を投光し、反射光を光検知部２で受光するものであ
る。
第２図は第１図中、光検知部２の一例を詳細に示す要部
断面図であり、第３図は原稿１側からみた光検知部２の
要部概略図であり、同図中、Ｘ−Ｘ′切断線によつて示
される断面図が第２図である。
断面図であり、第３図は原稿１側からみた光検知部２の
要部概略図であり、同図中、Ｘ−Ｘ′切断線によつて示
される断面図が第２図である。
図中、けい光灯、発光ダイオード等の発光源３（図示せ
ず）から導光用窓４を通して反射光ａが原稿１を投光
し、原稿１からの反射光ｂが光電部材５の一部である光
電変換部５′で受光される。この光電部材５はCdS、CdS
e等の他、アモルフアスシリコンでも構成され、光電変
換部５′は光電部材５のうち、下部電極６の上面一帯に
相当する。また、７は＃７０５９ガラス等から成る透明
基板であり、Cr等の遮光性金属膜をコートした絶縁膜、
もしくはSi等の遮光性絶縁膜で形成した遮光層８が透明
基板７上に方形状の導光用窓４を残して成層される。こ
の遮光層８上にCr，Al等から成る下部電極６が前記方形
状の導光用窓４の周囲に真空蒸着によつて形成され、下
部電極６を包むようにして前記方形状の導光用窓４を残
して光電部材５が被覆されている。更に、光電部材５の
上にはインジウムスズオキサイドから成る透明の上部電
極９がコートされている。そして原稿１との間隙を埋
め、光検知部２を保護するために光検知部２の上面並び
に、導光用窓４上にSiO2等から成る透明保護膜１０が被
覆される。
ず）から導光用窓４を通して反射光ａが原稿１を投光
し、原稿１からの反射光ｂが光電部材５の一部である光
電変換部５′で受光される。この光電部材５はCdS、CdS
e等の他、アモルフアスシリコンでも構成され、光電変
換部５′は光電部材５のうち、下部電極６の上面一帯に
相当する。また、７は＃７０５９ガラス等から成る透明
基板であり、Cr等の遮光性金属膜をコートした絶縁膜、
もしくはSi等の遮光性絶縁膜で形成した遮光層８が透明
基板７上に方形状の導光用窓４を残して成層される。こ
の遮光層８上にCr，Al等から成る下部電極６が前記方形
状の導光用窓４の周囲に真空蒸着によつて形成され、下
部電極６を包むようにして前記方形状の導光用窓４を残
して光電部材５が被覆されている。更に、光電部材５の
上にはインジウムスズオキサイドから成る透明の上部電
極９がコートされている。そして原稿１との間隙を埋
め、光検知部２を保護するために光検知部２の上面並び
に、導光用窓４上にSiO2等から成る透明保護膜１０が被
覆される。
かくして、送信中の原稿１がＣ方向へ移動されるととも
に、発光源３から導光用窓４を介して原稿１を投光する
投光路が光検知部２を貫通し、原稿１の読み取り信号が
光電変換部５′で受光され、前部電極９及び下部電極６
間の信号電圧が、それぞれ共通電極リード１１及び個別
電極リード１２を通して信号処理回路へ送られる。
に、発光源３から導光用窓４を介して原稿１を投光する
投光路が光検知部２を貫通し、原稿１の読み取り信号が
光電変換部５′で受光され、前部電極９及び下部電極６
間の信号電圧が、それぞれ共通電極リード１１及び個別
電極リード１２を通して信号処理回路へ送られる。
上述の通り、原稿１を投光する投光路が光検知部２を貫
通させるという本発明者等の提案の結果、原稿１に対す
る入射角が非常に小さくなり、付随して、原稿１と光電
変換部５′の間隙が、大きい入射角を有した従来の方式
よりも半分以下まで小さく出来、入射光ａ及び反射光ｂ
の合計した光路長は従来よりも短くなり、そのために光
路の途中での照度の減衰がかなり抑制され、加えて、原
稿１の表面の凹凸による光散乱角もかなり小さくなるた
めに、光電変換部５′での受光強度、すなわち読み取り
信号強度の低下はかなり防止されることとなつた。
通させるという本発明者等の提案の結果、原稿１に対す
る入射角が非常に小さくなり、付随して、原稿１と光電
変換部５′の間隙が、大きい入射角を有した従来の方式
よりも半分以下まで小さく出来、入射光ａ及び反射光ｂ
の合計した光路長は従来よりも短くなり、そのために光
路の途中での照度の減衰がかなり抑制され、加えて、原
稿１の表面の凹凸による光散乱角もかなり小さくなるた
めに、光電変換部５′での受光強度、すなわち読み取り
信号強度の低下はかなり防止されることとなつた。
上記の構成では、透明電極９が各光電変換素子の共通し
た電極として、すべての光電部材５上の全面にわたり被
覆されるが、そのための製作プロセスとして例えばフオ
トエツチングを採用した場合、このエツチング液は先に
下部電極６が形成される際に使用したフオトエツチング
液よりも強い酸であるため、下部電極６がエツチングや
腐食をおこし、下部電極６が電気的にオープンとなるた
め、フオトエツチングは不適当であつた。
た電極として、すべての光電部材５上の全面にわたり被
覆されるが、そのための製作プロセスとして例えばフオ
トエツチングを採用した場合、このエツチング液は先に
下部電極６が形成される際に使用したフオトエツチング
液よりも強い酸であるため、下部電極６がエツチングや
腐食をおこし、下部電極６が電気的にオープンとなるた
め、フオトエツチングは不適当であつた。
また、マスキング蒸着で透明電極９を形成する場合、マ
スクと基板の密着が完全でないため蒸着材料のまわり込
みが生じて境界が不明瞭になるという周知の欠点を有
し、更に、マスクの被覆の際、基板が約２００℃近くま
で加熱されるため、マスクと基板の熱膨脹の差により、
マスク位置の精度が劣るという問題もあり、許容範囲を
見積つて、下部電極６と個別電極リード１１を結ぶ接続
リード部の真上にある光電部材５にまで透明電極９が被
覆される。そのため、前記接続リード部をできるだけ細
くしつつも、第３図中、光電変換部５′の突出部５″で
も受光読み取りがおこなわれ、投光路の反射状況から主
として読み取り画素の隣接部分を読み取ることになり、
ノイズ成分の原因となつていた。そのため、読み取り画
像の鮮鋭度（コントラスト比）が低下して、十分な読み
取りが出来ず、未だ満足しえるものではなかつた。
スクと基板の密着が完全でないため蒸着材料のまわり込
みが生じて境界が不明瞭になるという周知の欠点を有
し、更に、マスクの被覆の際、基板が約２００℃近くま
で加熱されるため、マスクと基板の熱膨脹の差により、
マスク位置の精度が劣るという問題もあり、許容範囲を
見積つて、下部電極６と個別電極リード１１を結ぶ接続
リード部の真上にある光電部材５にまで透明電極９が被
覆される。そのため、前記接続リード部をできるだけ細
くしつつも、第３図中、光電変換部５′の突出部５″で
も受光読み取りがおこなわれ、投光路の反射状況から主
として読み取り画素の隣接部分を読み取ることになり、
ノイズ成分の原因となつていた。そのため、読み取り画
像の鮮鋭度（コントラスト比）が低下して、十分な読み
取りが出来ず、未だ満足しえるものではなかつた。
本発明者等は上記事情に鑑み、光電変換機能を有する突
出部５″をなくして、読み取り画像の鮮鋭度（コントラ
スト比）を改善し、忠実な画像の読み取りを可能とした
密着型読み取り装置を提供することを目的としている。
出部５″をなくして、読み取り画像の鮮鋭度（コントラ
スト比）を改善し、忠実な画像の読み取りを可能とした
密着型読み取り装置を提供することを目的としている。
本発明は発光源からの光を原稿面に投光し、該原稿から
の反射光が、原稿の大きさと寸法的に１：１に対応させ
て配置した光電変換素子アレーで受光されるようになし
た密着型読み取り装置において、上記光電変換素子アレ
ーの個々の受光領域を成す光導電層と、該光導電層には
上記原稿からの反射光が入射する側に設けられた透明導
電層と共通電極がそれぞれ接続されるとともに、上記受
光領域以外を遮光層で被覆したことを特徴とする。
の反射光が、原稿の大きさと寸法的に１：１に対応させ
て配置した光電変換素子アレーで受光されるようになし
た密着型読み取り装置において、上記光電変換素子アレ
ーの個々の受光領域を成す光導電層と、該光導電層には
上記原稿からの反射光が入射する側に設けられた透明導
電層と共通電極がそれぞれ接続されるとともに、上記受
光領域以外を遮光層で被覆したことを特徴とする。
以下、本発明を詳細に説明する。
第４図及び第５図は本発明密着型読み取り装置に関し、
それぞれ光検知部２の要部断面図及び要部概略図であ
り、第４図は第５図中、Ｙ−Ｙ′切断線によつて示され
る断面図である。
それぞれ光検知部２の要部断面図及び要部概略図であ
り、第４図は第５図中、Ｙ−Ｙ′切断線によつて示され
る断面図である。
第４図及び第５図に示す通り、＃７０５９ガラス等から
成る透明基板７上に、各光電変換素子の共通した電極と
して、Cr，Ti，Mo等から成る遮光性共通電極１３を、方
形状の導光用窓４を残して成層され、この遮光性共通電
極１３を包むようにして、導光用窓４を残してCdS，CdS
e、アモルフアスシリコン等の光電部材５が被覆され
る。しかも、光電部材５上には導光用窓４を残して、長
方形の透明電極１４がコートされ、透明電極１４上にC
r，Ti，Mo等の遮光性金属層１５が導光用窓４及び光電
変換部５′を残して被覆される。この光電変換部５′は
光電部材５のうち、遮光性共通電極１３の真上にあり、
且つ遮光性金属層15は光電変換部５′の真上が除かれ、
加えて、導光用窓４は光電変換部５′のほぼ真中に位置
される。そして、原稿１との間隙を埋め、光検知部２を
保護するために、光検知部２の上面並びに導光用窓４上
にSiO2等から成る透明保護膜１０が被覆される。
成る透明基板７上に、各光電変換素子の共通した電極と
して、Cr，Ti，Mo等から成る遮光性共通電極１３を、方
形状の導光用窓４を残して成層され、この遮光性共通電
極１３を包むようにして、導光用窓４を残してCdS，CdS
e、アモルフアスシリコン等の光電部材５が被覆され
る。しかも、光電部材５上には導光用窓４を残して、長
方形の透明電極１４がコートされ、透明電極１４上にC
r，Ti，Mo等の遮光性金属層１５が導光用窓４及び光電
変換部５′を残して被覆される。この光電変換部５′は
光電部材５のうち、遮光性共通電極１３の真上にあり、
且つ遮光性金属層15は光電変換部５′の真上が除かれ、
加えて、導光用窓４は光電変換部５′のほぼ真中に位置
される。そして、原稿１との間隙を埋め、光検知部２を
保護するために、光検知部２の上面並びに導光用窓４上
にSiO2等から成る透明保護膜１０が被覆される。
透明基板７上の前記各層に関し、遮光性共通電極１３、
透明電極１４、遮光性金属層１５は主として真空蒸着に
より、また光電部材５、透明保護膜１０は主としてグロ
ー放電により成膜される。
透明電極１４、遮光性金属層１５は主として真空蒸着に
より、また光電部材５、透明保護膜１０は主としてグロ
ー放電により成膜される。
かくして、けい光灯、発光ダイオード等の発光源３（図
示せず）からの入射光ａが導光用窓４を通して原稿１を
投光し、この原稿１からの反射光ｂが導光用窓４の周囲
の受光領域である光電変換部５′で受光される。この場
合、光電変換部５′は読み取り画素の信号のみ受光する
ように遮光性金属層１５により区切られ、読み取り画素
の隣接部分の信号が受光されないため、ノイズ成分が激
減されることとなつた。
示せず）からの入射光ａが導光用窓４を通して原稿１を
投光し、この原稿１からの反射光ｂが導光用窓４の周囲
の受光領域である光電変換部５′で受光される。この場
合、光電変換部５′は読み取り画素の信号のみ受光する
ように遮光性金属層１５により区切られ、読み取り画素
の隣接部分の信号が受光されないため、ノイズ成分が激
減されることとなつた。
また、本発明は集束性ロツド・レンズ・アレイを使わな
い密着型読み取り装置を例にとつたが、集束性ロツド・
レンズ・アレイを通して検知する密着型読み取り装置で
あつても、本発明は適用できる。即ち、原稿１からの反
射光ｂが集束性ロツド・レンズ・アレイを通して光電変
換部５′に導光されるという差異はあつても、上記の説
明から明らかなように、遮光性金属層１５及び透明電極
１４から成る一方の重畳型電極に対し、他の電極が、す
べての光電変換素子の共通した電極であれば、当然光電
変換部５′中に突出部５″が出来ても、この突出部５″
での受光読み取りが防止でき、同様の効果が期待でき
る。
い密着型読み取り装置を例にとつたが、集束性ロツド・
レンズ・アレイを通して検知する密着型読み取り装置で
あつても、本発明は適用できる。即ち、原稿１からの反
射光ｂが集束性ロツド・レンズ・アレイを通して光電変
換部５′に導光されるという差異はあつても、上記の説
明から明らかなように、遮光性金属層１５及び透明電極
１４から成る一方の重畳型電極に対し、他の電極が、す
べての光電変換素子の共通した電極であれば、当然光電
変換部５′中に突出部５″が出来ても、この突出部５″
での受光読み取りが防止でき、同様の効果が期待でき
る。
以上の通り、本発明の密着型読み取り装置は原稿に対向
する電極を各光電変換素子の個別電極にし、二層から成
る個別電極の一層を遮光性金属層１５にした結果、読み
取り画素以外のノイズ成分を除去し、読み取り画像の鮮
鋭度（コントラスト比）を改善し、忠実な画像の読み取
りが可能となつた。
する電極を各光電変換素子の個別電極にし、二層から成
る個別電極の一層を遮光性金属層１５にした結果、読み
取り画素以外のノイズ成分を除去し、読み取り画像の鮮
鋭度（コントラスト比）を改善し、忠実な画像の読み取
りが可能となつた。
第１図はフアクシミリ送信機の集束性ロツド・レンズ・
アレイを使わない密着型読み取り系の構成を示す斜視
図、第２図及び第３図はそれぞれ第１図光検知部の従来
の構成を示す要部断面図及び要部概略図、また第４図及
び第５図はそれぞれ本発明の実施例を示す第１図光検知
部の要部断面図及び要部概略図である。 １……原稿、２……光検知部、４……導光用窓、５……
光電部材、５′……光電変換部、５″……突出部、13…
…遮光性共通電極、１４……透明電極、１５……遮光性
金属層
アレイを使わない密着型読み取り系の構成を示す斜視
図、第２図及び第３図はそれぞれ第１図光検知部の従来
の構成を示す要部断面図及び要部概略図、また第４図及
び第５図はそれぞれ本発明の実施例を示す第１図光検知
部の要部断面図及び要部概略図である。 １……原稿、２……光検知部、４……導光用窓、５……
光電部材、５′……光電変換部、５″……突出部、13…
…遮光性共通電極、１４……透明電極、１５……遮光性
金属層
Claims (1)
- 【請求項１】発光源からの光を原稿面に投光し、該原稿
面からの反射光が、原稿の大きさと寸法的に１：１に対
応させて配置した光電変換素子アレーで受光されるよう
になした密着型読み取り装置において、上記光電変換素
子アレーは光電変換素子を複数個配列して成り、各光電
変換素子は原稿面を投光するための貫通導光用窓を有す
るとともに上記発光源からの光に導光用窓以外でそれ自
体が遮光性を有する共通電極上の、上記導光用窓を囲む
上記導光用窓に対応する位置以外の領域に光導電層、透
明導電層、遮光層とを順次積層し、且つ上記遮光層は上
記導光用窓の位置に導光用窓より広い窓を有し、上記光
導電層の上記遮光層と導光用窓との間の領域が受光領域
であることを特徴とする密着型読み取り装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57192755A JPH0618411B2 (ja) | 1982-11-02 | 1982-11-02 | 密着型読み取り装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57192755A JPH0618411B2 (ja) | 1982-11-02 | 1982-11-02 | 密着型読み取り装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5981968A JPS5981968A (ja) | 1984-05-11 |
| JPH0618411B2 true JPH0618411B2 (ja) | 1994-03-09 |
Family
ID=16296506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57192755A Expired - Lifetime JPH0618411B2 (ja) | 1982-11-02 | 1982-11-02 | 密着型読み取り装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0618411B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2563930B2 (ja) * | 1987-05-20 | 1996-12-18 | 松下電器産業株式会社 | イメ−ジセンサ |
| US5149955A (en) * | 1989-07-26 | 1992-09-22 | Nippon Steel Corporation | Full contact image sensor device with light blocking means |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5749265A (en) * | 1980-09-09 | 1982-03-23 | Sony Corp | Line sensor |
-
1982
- 1982-11-02 JP JP57192755A patent/JPH0618411B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5981968A (ja) | 1984-05-11 |
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