JPH0618738A - 光集積回路の製造方法 - Google Patents
光集積回路の製造方法Info
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- JPH0618738A JPH0618738A JP17113092A JP17113092A JPH0618738A JP H0618738 A JPH0618738 A JP H0618738A JP 17113092 A JP17113092 A JP 17113092A JP 17113092 A JP17113092 A JP 17113092A JP H0618738 A JPH0618738 A JP H0618738A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光集積回路において、設計と異なる箇所を途
中で修正でき、良品歩留りが高く、しかも位置合わせの
精度の良いものとする。 【構成】 光学素子であるミラーを形成すべき位置4
5′まで、そのミラーの一部を除去した後に、光導伝性
硬化材料78を塗布し、又はミラーの上に光導伝性硬化
材料78を塗布する。そして、塗布した該光導伝性硬化
材料78の表面状態を、ミラーの位置と形状とが所定の
位置と形状になるように加工し、硬化させるので、ミラ
ーの形成状態を修正できる。
中で修正でき、良品歩留りが高く、しかも位置合わせの
精度の良いものとする。 【構成】 光学素子であるミラーを形成すべき位置4
5′まで、そのミラーの一部を除去した後に、光導伝性
硬化材料78を塗布し、又はミラーの上に光導伝性硬化
材料78を塗布する。そして、塗布した該光導伝性硬化
材料78の表面状態を、ミラーの位置と形状とが所定の
位置と形状になるように加工し、硬化させるので、ミラ
ーの形成状態を修正できる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光ピックアップなどに
使用される光集積回路の製造方法に関し、詳細には光電
子集積基板に、例えばレーザ素子、レーザ光モニター用
の受光素子、レーザ駆動回路、多分割受光素子、及び信
号処理回路等が形成され、かかる光電子集積基板に、刻
印技術などによりレンズ、凹面鏡、ミラーなどの光学素
子を形成した透明基板が取り付けられるか、或は上述の
光電子集積基板を樹脂によりモールドされた光集積回路
の製造方法に関する。
使用される光集積回路の製造方法に関し、詳細には光電
子集積基板に、例えばレーザ素子、レーザ光モニター用
の受光素子、レーザ駆動回路、多分割受光素子、及び信
号処理回路等が形成され、かかる光電子集積基板に、刻
印技術などによりレンズ、凹面鏡、ミラーなどの光学素
子を形成した透明基板が取り付けられるか、或は上述の
光電子集積基板を樹脂によりモールドされた光集積回路
の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】上述した光ピックアップなどに使用され
る光集積回路は小型軽量化が要望されている。本願出願
人は、先に、小型軽量化が可能な構造の光集積回路とし
て、図12(平面図)、図13(正面図)及び図14
(断面図)に示すものを提案している(特願平3−33
2232号)。なお、図14においては、帰りの光のう
ち、ホログラムビームスプリッター12を通った後は光
束ではなく光軸のみを描いている。この光集積回路は、
光電子集積基板10が6ピンのDIPに樹脂モールドさ
れた構成をとる。具体的には、光電子集積基板10に
は、ホログラムコリメートレンズ11と、ホログラムビ
ームスプリッター12と、多分割受光素子13と、3ビ
ーム発生格子14と、レーザ光モニター受光素子15
と、レーザ素子20とが形成されている。この光電子集
積基板10を、リード端子34を有するリードフレーム
上に設けたダイパッド31の上に載置したものの外部が
モールド樹脂40にて覆った状態にされ、そのモールド
樹脂40にて対物レンズ41が形成され、更にモールド
樹脂40の表面上にミラー42、43、44、45が形
成された構造となっている。
る光集積回路は小型軽量化が要望されている。本願出願
人は、先に、小型軽量化が可能な構造の光集積回路とし
て、図12(平面図)、図13(正面図)及び図14
(断面図)に示すものを提案している(特願平3−33
2232号)。なお、図14においては、帰りの光のう
ち、ホログラムビームスプリッター12を通った後は光
束ではなく光軸のみを描いている。この光集積回路は、
光電子集積基板10が6ピンのDIPに樹脂モールドさ
れた構成をとる。具体的には、光電子集積基板10に
は、ホログラムコリメートレンズ11と、ホログラムビ
ームスプリッター12と、多分割受光素子13と、3ビ
ーム発生格子14と、レーザ光モニター受光素子15
と、レーザ素子20とが形成されている。この光電子集
積基板10を、リード端子34を有するリードフレーム
上に設けたダイパッド31の上に載置したものの外部が
モールド樹脂40にて覆った状態にされ、そのモールド
樹脂40にて対物レンズ41が形成され、更にモールド
樹脂40の表面上にミラー42、43、44、45が形
成された構造となっている。
【0003】この構造の光集積回路は、レーザ素子20
から生じたレーザ光が、ミラー45、44、3ビーム発
生格子14、ミラー43、ホログラムビームスプリッタ
ー12、ミラー42、ホログラムコリメートレンズ11
を順に経て、対物レンズ41から光記録媒体50に向け
て出射され、光記録媒体50から反射された光が対物レ
ンズ41、ホログラムコリメートレンズ11、ミラー4
2、ホログラムビームスプリッター12、ミラー43を
順に経て多分割受光素子13に捉えられる。
から生じたレーザ光が、ミラー45、44、3ビーム発
生格子14、ミラー43、ホログラムビームスプリッタ
ー12、ミラー42、ホログラムコリメートレンズ11
を順に経て、対物レンズ41から光記録媒体50に向け
て出射され、光記録媒体50から反射された光が対物レ
ンズ41、ホログラムコリメートレンズ11、ミラー4
2、ホログラムビームスプリッター12、ミラー43を
順に経て多分割受光素子13に捉えられる。
【0004】以下に、かかる構造の光集積回路の製造方
法を、図15に示す製造フローチャートに基づいて説明
する。
法を、図15に示す製造フローチャートに基づいて説明
する。
【0005】先ず、所定のエッチング、堆積および成長
などを行うシリコンウエハ工程B10を実施して、多数
の光電子集積基板10が形成されたシリコンウエハを
得、このシリコンウエハ上に形成された回路の機能チェ
ックをウエハ検査B11により行い、不良品のみマーク
を付けた後にスクライビング工程B12によりチップ化
して、光電子集積基板10を作製する。
などを行うシリコンウエハ工程B10を実施して、多数
の光電子集積基板10が形成されたシリコンウエハを
得、このシリコンウエハ上に形成された回路の機能チェ
ックをウエハ検査B11により行い、不良品のみマーク
を付けた後にスクライビング工程B12によりチップ化
して、光電子集積基板10を作製する。
【0006】チップ化された光電子集積基板10は、マ
ークの無い良品のみシリコン基板マウント工程B2で、
予めリードフレーム工程B1にて、図16(a)に示す
ように作製されているリードフレーム30の上に設けら
れたダイパッド31上に取り付けられる。その取り付け
方は、図16(f)に示すように光電子集積基板10上
に付けられたマーク16、17を結ぶ線をダイパッド3
0上に刻印された線32に重ね、かつ光電子集積基板1
0上に付けられたマーク18とダイパッド30上に付け
られたマーク33とを合わせるようにして位置決めし取
り付ける。
ークの無い良品のみシリコン基板マウント工程B2で、
予めリードフレーム工程B1にて、図16(a)に示す
ように作製されているリードフレーム30の上に設けら
れたダイパッド31上に取り付けられる。その取り付け
方は、図16(f)に示すように光電子集積基板10上
に付けられたマーク16、17を結ぶ線をダイパッド3
0上に刻印された線32に重ね、かつ光電子集積基板1
0上に付けられたマーク18とダイパッド30上に付け
られたマーク33とを合わせるようにして位置決めし取
り付ける。
【0007】次に、ガリウムヒ素ウエハ工程B13にて
作られたレーザ素子20を、光電子集積基板10の上に
レーザ素子マウント工程B3にて図16(b)に示すよ
うに取り付ける。その取り付け方は、レーザ素子20の
縦、横、厚みの各寸法が、例えば0.2×0.3×0.
1mmと大変小さく、通電しながらレーザ光の出射位置
や出射方向を確認することが難しいため、図16(g)
に示すように画像認識によりレーザ素子20の中心軸を
レーザ光の出射軸とし、それを光電子集積基板10上に
光学素子の形成時に同時に作ったマーク16、17を結
ぶ線に平行にし、かつ、ある間隔84を離し、またレー
ザ素子20の端面を光電子集積基板10の端面に合わせ
た状態にして、つまり実際に確認したレーザ光の出射位
置や出射方向によらず、間接的に位置合わせした状態に
して、ろう付けを行う。
作られたレーザ素子20を、光電子集積基板10の上に
レーザ素子マウント工程B3にて図16(b)に示すよ
うに取り付ける。その取り付け方は、レーザ素子20の
縦、横、厚みの各寸法が、例えば0.2×0.3×0.
1mmと大変小さく、通電しながらレーザ光の出射位置
や出射方向を確認することが難しいため、図16(g)
に示すように画像認識によりレーザ素子20の中心軸を
レーザ光の出射軸とし、それを光電子集積基板10上に
光学素子の形成時に同時に作ったマーク16、17を結
ぶ線に平行にし、かつ、ある間隔84を離し、またレー
ザ素子20の端面を光電子集積基板10の端面に合わせ
た状態にして、つまり実際に確認したレーザ光の出射位
置や出射方向によらず、間接的に位置合わせした状態に
して、ろう付けを行う。
【0008】次いで、レーザ素子20が取り付けられた
後、ワイヤーボンディング工程B4を行い、図16
(c)(h)に示すように光電子集積基板10上のラン
ド19とリード端子34との間、及びランド19とレー
ザ素子20との間に金線などを使用して配線する。
後、ワイヤーボンディング工程B4を行い、図16
(c)(h)に示すように光電子集積基板10上のラン
ド19とリード端子34との間、及びランド19とレー
ザ素子20との間に金線などを使用して配線する。
【0009】その後、モールド工程B5を行い、図16
(d)(i)に示すようにダイパッド31とリード端子
34を、金型を構成する下側のコア81と上側のキャビ
ティ82とで挟み込み、その中に樹脂を射出してモール
ディングする。その挟み込み方は、金型のキャビティ8
2上の対物レンズ41に相当する部分83の光軸に、ダ
イパッド31上の光電子集積基板10のホログラムコリ
メートレンズ11の光軸を合わせて行うことが理想的で
あるが、その光軸は仮想的なものであるため、実際はリ
ードフレーム30に設けた位置決め穴35、36と、金
型に設けた基準(図示せず)とを合わせる間接的な位置
合わせ方法を取る。
(d)(i)に示すようにダイパッド31とリード端子
34を、金型を構成する下側のコア81と上側のキャビ
ティ82とで挟み込み、その中に樹脂を射出してモール
ディングする。その挟み込み方は、金型のキャビティ8
2上の対物レンズ41に相当する部分83の光軸に、ダ
イパッド31上の光電子集積基板10のホログラムコリ
メートレンズ11の光軸を合わせて行うことが理想的で
あるが、その光軸は仮想的なものであるため、実際はリ
ードフレーム30に設けた位置決め穴35、36と、金
型に設けた基準(図示せず)とを合わせる間接的な位置
合わせ方法を取る。
【0010】その後、図16(e)(j)に示すように
樹脂モールドされた後、リードフレーム30を切断し、
曲げ加工を施す。
樹脂モールドされた後、リードフレーム30を切断し、
曲げ加工を施す。
【0011】次に、各種膜作成工程B6を行って、ミラ
ー42、43、44、45を形成し、対物レンズ41の
表面に図示しない反射防止膜を形成すると共に、レン
ズ、ミラー等の光学素子以外の表面に図示しない迷光吸
収膜を形成する。
ー42、43、44、45を形成し、対物レンズ41の
表面に図示しない反射防止膜を形成すると共に、レン
ズ、ミラー等の光学素子以外の表面に図示しない迷光吸
収膜を形成する。
【0012】最後に、機能検査B7を行い、良品、不良
品の判別をする。
品の判別をする。
【0013】以上のようにして光集積回路が完成する。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】ところで、先に提案し
た光集積回路は、光学系が個別部品により構成されてお
らず、一体的に製造されているため、光が通る光路が設
計と異なっていてもそれを修正できないという難点があ
った。また、レーザ素子20の光電子集積基板10に対
する位置合わせや、金型上に光学素子とは逆形状に形成
した彫り込み部と実際の光学素子との位置合わせは、上
述したように間接的に位置決めせざるを得ないので、位
置合わせの精度が悪くなる。これにより光学素子の集積
度が高くなると、各部品に与えられる設計許容値が小さ
くなるため、それらの部品の位置や形状のばらつきの影
響が無視できなくなり良品歩留りが悪くなるという欠点
があった。
た光集積回路は、光学系が個別部品により構成されてお
らず、一体的に製造されているため、光が通る光路が設
計と異なっていてもそれを修正できないという難点があ
った。また、レーザ素子20の光電子集積基板10に対
する位置合わせや、金型上に光学素子とは逆形状に形成
した彫り込み部と実際の光学素子との位置合わせは、上
述したように間接的に位置決めせざるを得ないので、位
置合わせの精度が悪くなる。これにより光学素子の集積
度が高くなると、各部品に与えられる設計許容値が小さ
くなるため、それらの部品の位置や形状のばらつきの影
響が無視できなくなり良品歩留りが悪くなるという欠点
があった。
【0015】本発明はこのような従来技術の課題を解決
すべくなされたものであり、設計と異なる箇所を途中で
修正でき、これにより良品歩留りを高くでき、しかも位
置合わせ精度を良好にできる光集積回路の製造方法を提
供することを目的とする。
すべくなされたものであり、設計と異なる箇所を途中で
修正でき、これにより良品歩留りを高くでき、しかも位
置合わせ精度を良好にできる光集積回路の製造方法を提
供することを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明の光学素子の製造
方法は、レーザ素子、レーザ光モニター用の受光素子が
少なくとも形成された光電子集積基板に対し光学素子を
形成した透明基板が取付けられ、又は該光電子集積基板
の外側に形成した樹脂に対して光学素子が設けられた光
集積回路において、該光学素子の一部を除去した後に光
導伝性硬化材料を塗布し、又は光学素子の上に光導伝性
硬化材料を塗布する工程と、塗布した該光導伝性硬化材
料の表面状態を、光学素子の位置と形状とが所定の位置
と形状とになるように加工する工程と、表面状態が所定
の位置と形状とになった該光導伝性硬化材料を硬化させ
る工程と、を含んでおり、そのことにより上記目的が達
成される。
方法は、レーザ素子、レーザ光モニター用の受光素子が
少なくとも形成された光電子集積基板に対し光学素子を
形成した透明基板が取付けられ、又は該光電子集積基板
の外側に形成した樹脂に対して光学素子が設けられた光
集積回路において、該光学素子の一部を除去した後に光
導伝性硬化材料を塗布し、又は光学素子の上に光導伝性
硬化材料を塗布する工程と、塗布した該光導伝性硬化材
料の表面状態を、光学素子の位置と形状とが所定の位置
と形状とになるように加工する工程と、表面状態が所定
の位置と形状とになった該光導伝性硬化材料を硬化させ
る工程と、を含んでおり、そのことにより上記目的が達
成される。
【0017】前記光導伝性硬化材料及び透明基板の表面
状態を光学素子の位置と形状とが所定の位置と形状にな
るように加工する手段としては、レーザ加工機を用いて
もよい。
状態を光学素子の位置と形状とが所定の位置と形状にな
るように加工する手段としては、レーザ加工機を用いて
もよい。
【0018】
【作用】本発明にあっては、光学素子の一部を除去した
後に光導伝性硬化材料を塗布し、又は光学素子の上に光
導伝性硬化材料を塗布する。そして、塗布した該光導伝
性硬化材料の表面状態を、光学素子の位置と形状とが所
定の位置と形状になるように加工し、その該光導伝性硬
化材料を硬化させるので、光学素子の形成状態を修正で
きる。
後に光導伝性硬化材料を塗布し、又は光学素子の上に光
導伝性硬化材料を塗布する。そして、塗布した該光導伝
性硬化材料の表面状態を、光学素子の位置と形状とが所
定の位置と形状になるように加工し、その該光導伝性硬
化材料を硬化させるので、光学素子の形成状態を修正で
きる。
【0019】
【実施例】以下に本発明の実施例を説明する。
【0020】本実施例においては、図14に示した構成
と同一の光集積回路を製造する場合を例に挙げ、図1の
本発明方法を示すフローチャートに基づいて述べる。な
お、図1において、従来のフローチャートである図15
と同一の工程である部分には同一の符号を附している。
と同一の光集積回路を製造する場合を例に挙げ、図1の
本発明方法を示すフローチャートに基づいて述べる。な
お、図1において、従来のフローチャートである図15
と同一の工程である部分には同一の符号を附している。
【0021】先ず、モールド工程B5までは従来技術と
同様に行う。即ち、所定のエッチング、堆積および成長
などが行われるシリコンウエハ工程B10により多数の
光電子集積基板10が形成されたシリコンウエハを得、
このシリコンウエハ上に形成された回路の機能チェック
をウエハ検査B11により行い、不良品のみマークを付
けた後にスクライビング工程B12によりチップ化し
て、光電子集積基板10を作製する。
同様に行う。即ち、所定のエッチング、堆積および成長
などが行われるシリコンウエハ工程B10により多数の
光電子集積基板10が形成されたシリコンウエハを得、
このシリコンウエハ上に形成された回路の機能チェック
をウエハ検査B11により行い、不良品のみマークを付
けた後にスクライビング工程B12によりチップ化し
て、光電子集積基板10を作製する。
【0022】チップ化された光電子集積基板10は、マ
ークの無い良品のみシリコン基板マウント工程B2で、
予めリードフレーム工程B1にて、図16(a)に示す
ように作製されているリードフレーム30のダイパッド
31上に取り付けられる。その取り付け方は、図16
(f)に示すように光電子集積基板10上に付けられた
マーク16、17を結ぶ線をダイパッド30上に刻印さ
れた線32に重ね、かつ光電子集積基板10上のマーク
18とダイパッド30上のマーク33を合わせるように
して位置決めし取り付ける。
ークの無い良品のみシリコン基板マウント工程B2で、
予めリードフレーム工程B1にて、図16(a)に示す
ように作製されているリードフレーム30のダイパッド
31上に取り付けられる。その取り付け方は、図16
(f)に示すように光電子集積基板10上に付けられた
マーク16、17を結ぶ線をダイパッド30上に刻印さ
れた線32に重ね、かつ光電子集積基板10上のマーク
18とダイパッド30上のマーク33を合わせるように
して位置決めし取り付ける。
【0023】次に、ガリウムヒ素ウエハ工程B13にて
作られたレーザ素子20を、光電子集積基板10の上に
レーザ素子マウント工程B3にて図16(b)に示すよ
うに取り付ける。その取り付け方は、レーザ素子20の
縦、横、厚みの寸法が、例えば0.2×0.3×0.1
mmと大変小さく、通電しながらレーザ光の出射位置や
出射方向を確認することが難しいため、図16(g)に
示すように画像認識によりレーザ素子20の中心軸をレ
ーザ光の出射軸とし、それを光電子集積基板10上に光
学素子の形成時に同時に作ったマーク16、17を結ぶ
線に平行にし、かつ、ある間隔84を離し、またレーザ
素子20の端面を光電子集積基板10の端面に合わせた
状態にして、つまり実際に確認したレーザ光の出射位置
や出射方向によらず、間接的に位置合わせした状態にし
て、ろう付けを行う。
作られたレーザ素子20を、光電子集積基板10の上に
レーザ素子マウント工程B3にて図16(b)に示すよ
うに取り付ける。その取り付け方は、レーザ素子20の
縦、横、厚みの寸法が、例えば0.2×0.3×0.1
mmと大変小さく、通電しながらレーザ光の出射位置や
出射方向を確認することが難しいため、図16(g)に
示すように画像認識によりレーザ素子20の中心軸をレ
ーザ光の出射軸とし、それを光電子集積基板10上に光
学素子の形成時に同時に作ったマーク16、17を結ぶ
線に平行にし、かつ、ある間隔84を離し、またレーザ
素子20の端面を光電子集積基板10の端面に合わせた
状態にして、つまり実際に確認したレーザ光の出射位置
や出射方向によらず、間接的に位置合わせした状態にし
て、ろう付けを行う。
【0024】次いで、レーザ素子20が取り付けられた
後、ワイヤーボンディング工程B4を行い、図16
(c)(h)に示すように光電子集積基板10上のラン
ド19とリード端子34との間、及びランド19とレー
ザ素子20との間に金線などを使用して配線する。
後、ワイヤーボンディング工程B4を行い、図16
(c)(h)に示すように光電子集積基板10上のラン
ド19とリード端子34との間、及びランド19とレー
ザ素子20との間に金線などを使用して配線する。
【0025】その後、モールド工程B5を行い、図16
(d)(i)に示すようにダイパッド31とリード端子
34を、金型を構成するコア81とキャビティ82とで
挟み込み、その中に樹脂を射出してモールディングす
る。その挟み込み方は、金型のキャビティ82上の対物
レンズ41に相当する部分83の光軸に、ダイパッド3
1上の光電子集積基板10のホログラムコリメートレン
ズ11の光軸を合わせて行うことが理想的であるが、そ
の光軸は仮想的なものであるため、実際はリードフレー
ム30の位置決め穴35、36と、金型に設けた基準
(図示せず)とを合わせる間接的な方法を取る。ここま
では、従来技術と同様に行っている。
(d)(i)に示すようにダイパッド31とリード端子
34を、金型を構成するコア81とキャビティ82とで
挟み込み、その中に樹脂を射出してモールディングす
る。その挟み込み方は、金型のキャビティ82上の対物
レンズ41に相当する部分83の光軸に、ダイパッド3
1上の光電子集積基板10のホログラムコリメートレン
ズ11の光軸を合わせて行うことが理想的であるが、そ
の光軸は仮想的なものであるため、実際はリードフレー
ム30の位置決め穴35、36と、金型に設けた基準
(図示せず)とを合わせる間接的な方法を取る。ここま
では、従来技術と同様に行っている。
【0026】次に、図1に示すようにリード端子分離工
程A1を行う。ここでは、図2(a)に示すリードフレ
ーム30のリード端子34を、図2(b)に示すように
切断し、これによりリードフレーム30からリード端子
34を分離する。その結果、リード端子34に電流を通
じすると、レーザ素子20を発振させることなどが可能
になる。上記分離は、光集積回路の保持に便利なように
リード端子34部分のみ行うのが好ましい。
程A1を行う。ここでは、図2(a)に示すリードフレ
ーム30のリード端子34を、図2(b)に示すように
切断し、これによりリードフレーム30からリード端子
34を分離する。その結果、リード端子34に電流を通
じすると、レーザ素子20を発振させることなどが可能
になる。上記分離は、光集積回路の保持に便利なように
リード端子34部分のみ行うのが好ましい。
【0027】次に、表面形状検査工程A2へ進む。ここ
では、図3に示すように、市販の非接触方式の表面形状
測定機70を使用し、モールディングされた樹脂の表面
に表面形状測定機の検査プローブ70から発生させた検
査光71を照射して、樹脂表面の形状や、ミラー42等
の位置が設計の公差内にあるかどうかを検査する。な
お、ミラー45に相当する箇所に対しては、検査用のミ
ラー72を用いて検査する。検査の後、得られたデータ
を記録する。
では、図3に示すように、市販の非接触方式の表面形状
測定機70を使用し、モールディングされた樹脂の表面
に表面形状測定機の検査プローブ70から発生させた検
査光71を照射して、樹脂表面の形状や、ミラー42等
の位置が設計の公差内にあるかどうかを検査する。な
お、ミラー45に相当する箇所に対しては、検査用のミ
ラー72を用いて検査する。検査の後、得られたデータ
を記録する。
【0028】次に、レーザ光出射検査A3を行う。ここ
では、図4(a)に示すように、実際にレーザ素子を発
振させ、モールド樹脂から出射されたレーザ光74を、
CCDカメラなどの撮像素子73により捉え、その信号
に基づき、例えば撮像素子73の光軸とレーザ光74の
ずれを検出する。その検出により、レーザ光74の出射
方向が判り、また、その判った出射方向とレーザ光74
の広がりとからレーザ光74の出射位置が判るので、そ
れらの値が設計の公差内にあるかどうか検査する。例え
ば、レーザ素子が図4(b)のように、設計位置Aにな
く、ずれた位置Bにあり、かつレーザ光74の出射方向
がずれている場合は、レーザ光74は設計上の光軸74
aと異なる光軸75上を出射する。この場合は、レーザ
光74が出射する面にミラー45を形成しても、レーザ
光74は3ビーム発生格子14を通らず、製品として不
良となる。
では、図4(a)に示すように、実際にレーザ素子を発
振させ、モールド樹脂から出射されたレーザ光74を、
CCDカメラなどの撮像素子73により捉え、その信号
に基づき、例えば撮像素子73の光軸とレーザ光74の
ずれを検出する。その検出により、レーザ光74の出射
方向が判り、また、その判った出射方向とレーザ光74
の広がりとからレーザ光74の出射位置が判るので、そ
れらの値が設計の公差内にあるかどうか検査する。例え
ば、レーザ素子が図4(b)のように、設計位置Aにな
く、ずれた位置Bにあり、かつレーザ光74の出射方向
がずれている場合は、レーザ光74は設計上の光軸74
aと異なる光軸75上を出射する。この場合は、レーザ
光74が出射する面にミラー45を形成しても、レーザ
光74は3ビーム発生格子14を通らず、製品として不
良となる。
【0029】上述した検査の結果、良品は従来技術の各
種膜作成工程へ進み製品となり、不良品は表面初期化工
程A4へ進む。この表面初期化工程A4では、表面形状
測定機や撮像素子からの情報を基に、修正する光学素子
を選び、その表面を除去する。除去は、研削、切削など
の機械加工でも可能だが加工歪みをモールド樹脂に与え
るため、或は加工圧が生じるために光集積回路をしっか
りと固定する必要があるなど実用的でないため、図5に
示すように、エキシマレーザ光を受けたPMMAなどの
高分子材料がそのエネルギーにより溶発する現象、所謂
レーザアブレーションを利用できるレーザ加工機76を
用いる。実際に除去する量は微小であり精度の点からも
レーザ加工機76を用いるのが有用である。なお、加工
量が大きくても修正は可能だが、修正するかどうかはコ
スト的な判断による。本実施例では説明のため、加工量
を大きく表現している。
種膜作成工程へ進み製品となり、不良品は表面初期化工
程A4へ進む。この表面初期化工程A4では、表面形状
測定機や撮像素子からの情報を基に、修正する光学素子
を選び、その表面を除去する。除去は、研削、切削など
の機械加工でも可能だが加工歪みをモールド樹脂に与え
るため、或は加工圧が生じるために光集積回路をしっか
りと固定する必要があるなど実用的でないため、図5に
示すように、エキシマレーザ光を受けたPMMAなどの
高分子材料がそのエネルギーにより溶発する現象、所謂
レーザアブレーションを利用できるレーザ加工機76を
用いる。実際に除去する量は微小であり精度の点からも
レーザ加工機76を用いるのが有用である。なお、加工
量が大きくても修正は可能だが、修正するかどうかはコ
スト的な判断による。本実施例では説明のため、加工量
を大きく表現している。
【0030】具体的には、例えば図6(a)に示すよう
に、対物レンズ41の光軸(一点鎖線)が、設計上の位
置Cからずれて位置Dになっており、また対物レンズ4
1が設計した形状ではなく、少し大きい対物レンズの不
良表面形状46となっている場合には、表面初期化工程
A4において、図6(b)に示すように、設計した形状
より少し小さい破線にて示す除去表面形状47になるよ
うに、記録した前記データに基づいて不要部分を除去す
る。設計した形状より少し小さい形状とするのは、後述
する位置、形状修正工程A5で光導伝性硬化材料により
肉を盛って復元させるためである。このとき、設計した
形状にレーザ加工機で加工することは可能であるが、時
間が掛かり実現性に乏しい。
に、対物レンズ41の光軸(一点鎖線)が、設計上の位
置Cからずれて位置Dになっており、また対物レンズ4
1が設計した形状ではなく、少し大きい対物レンズの不
良表面形状46となっている場合には、表面初期化工程
A4において、図6(b)に示すように、設計した形状
より少し小さい破線にて示す除去表面形状47になるよ
うに、記録した前記データに基づいて不要部分を除去す
る。設計した形状より少し小さい形状とするのは、後述
する位置、形状修正工程A5で光導伝性硬化材料により
肉を盛って復元させるためである。このとき、設計した
形状にレーザ加工機で加工することは可能であるが、時
間が掛かり実現性に乏しい。
【0031】なお、元々形状が不足している場合は、取
り除くことが不要であるので、表面初期化工程A4は行
う必要はない。
り除くことが不要であるので、表面初期化工程A4は行
う必要はない。
【0032】また、上述した表面初期化A4は、形状や
位置の不良を修正するだけでなく、元々の、またはこれ
らの修正による光路距離の過不足を補うためにも行われ
る。例えば、図7に示すように、3ビーム発生格子14
への入射光の方向だけでなく広がりについても同様に行
われる。
位置の不良を修正するだけでなく、元々の、またはこれ
らの修正による光路距離の過不足を補うためにも行われ
る。例えば、図7に示すように、3ビーム発生格子14
への入射光の方向だけでなく広がりについても同様に行
われる。
【0033】次に、レーザ素子20が、前述した図4
(b)のように設計位置Aになく、ずれた位置Bにあ
り、かつレーザ光74の出射方向がずれている場合は、
以下のような位置、形状修正工程A5が行われる。この
場合は、上述した検査により得られたデータより、B点
の位置と出射方向がわかるので、図7に示すように修正
後のミラー45′、44′の傾きと位置とを計算により
予め求めておく。この計算の時、光導伝性硬化材料の屈
折率を考慮する。つまり、ミラーなどの修正の場合は、
モールド樹脂と光導伝性硬化材料との屈折率が異なって
も計算は簡単に行えるが、対物レンズなどの修正の場合
では計算量が多くなりすぎるため、この場合は屈折率を
合わせるべきである。
(b)のように設計位置Aになく、ずれた位置Bにあ
り、かつレーザ光74の出射方向がずれている場合は、
以下のような位置、形状修正工程A5が行われる。この
場合は、上述した検査により得られたデータより、B点
の位置と出射方向がわかるので、図7に示すように修正
後のミラー45′、44′の傾きと位置とを計算により
予め求めておく。この計算の時、光導伝性硬化材料の屈
折率を考慮する。つまり、ミラーなどの修正の場合は、
モールド樹脂と光導伝性硬化材料との屈折率が異なって
も計算は簡単に行えるが、対物レンズなどの修正の場合
では計算量が多くなりすぎるため、この場合は屈折率を
合わせるべきである。
【0034】上述のようにして予め求めておいた修正後
のミラー45′、44′の傾きと位置とが得られるよう
に修正を加える。例えば、図8(a)に示すように、ミ
ラー45′とすべき部分はレーザ加工機により修正す
る。その後、図9に示すように、レーザ素子20の波長
に対して反応しない透明なUV樹脂や熱硬化樹脂などの
光導伝性硬化材料78を、修正した部分にノズル77な
どにより塗布する。塗布後、図8(b)に示すように、
ミラーの表面を持ったミラー修正用金型79を空気の入
らないように光導伝性硬化材料78の表面に斜めに接触
させ、先に求めた位置や角度に調整する(図8(c)参
照)。次に、図10(a)に示すように、該光導伝性硬
化材料78を硬化させ、形状や位置を固定する。硬化方
法は材料に合わせるのは言うまでもない。UV樹脂なら
ばUV光を照射し、熱硬化樹脂ならば熱を加える。
のミラー45′、44′の傾きと位置とが得られるよう
に修正を加える。例えば、図8(a)に示すように、ミ
ラー45′とすべき部分はレーザ加工機により修正す
る。その後、図9に示すように、レーザ素子20の波長
に対して反応しない透明なUV樹脂や熱硬化樹脂などの
光導伝性硬化材料78を、修正した部分にノズル77な
どにより塗布する。塗布後、図8(b)に示すように、
ミラーの表面を持ったミラー修正用金型79を空気の入
らないように光導伝性硬化材料78の表面に斜めに接触
させ、先に求めた位置や角度に調整する(図8(c)参
照)。次に、図10(a)に示すように、該光導伝性硬
化材料78を硬化させ、形状や位置を固定する。硬化方
法は材料に合わせるのは言うまでもない。UV樹脂なら
ばUV光を照射し、熱硬化樹脂ならば熱を加える。
【0035】発生したレーザ光がミラー45の次に照射
されるミラー44に対しても同様の操作を繰り返す。本
実施例の不良ならば、このミラー44までの修正で良
い。但し、レーザ光の出射位置や方向の変動が大きい場
合は、より多くのミラーの修正が必要になる。つまり、
ミラー45、44以外のミラーについても修正が必要に
なる。
されるミラー44に対しても同様の操作を繰り返す。本
実施例の不良ならば、このミラー44までの修正で良
い。但し、レーザ光の出射位置や方向の変動が大きい場
合は、より多くのミラーの修正が必要になる。つまり、
ミラー45、44以外のミラーについても修正が必要に
なる。
【0036】対物レンズ41の修正についても、図10
(a)に示すようにミラーと同様に行う。違う点は、図
11に示すように対物レンズ修正用金型80が対物レン
ズ41と逆形状となるように彫り込まれた金型の対物レ
ンズ部分83を持っていること、及び空気の入らないよ
うに金型80内に前もって光導伝性硬化材料78を充填
しておくことである。
(a)に示すようにミラーと同様に行う。違う点は、図
11に示すように対物レンズ修正用金型80が対物レン
ズ41と逆形状となるように彫り込まれた金型の対物レ
ンズ部分83を持っていること、及び空気の入らないよ
うに金型80内に前もって光導伝性硬化材料78を充填
しておくことである。
【0037】なお、金型79、80の位置や角度を調整
する時、調整している光学素子の次の光学素子が形成さ
れる表面に撮像素子を配置し、レーザ素子を発振させレ
ーザ光を検出しながら、設計の位置に合わせても良い。
する時、調整している光学素子の次の光学素子が形成さ
れる表面に撮像素子を配置し、レーザ素子を発振させレ
ーザ光を検出しながら、設計の位置に合わせても良い。
【0038】また、上記修正方法は対物レンズ41など
の屈折率型の光学素子だけでなく、回折型の光学素子で
あるホログラム光学素子などにも適用できる。特にホロ
グラムパターンが高分子材料で作成されている場合は、
レーザアブレーションが可能なので、その実現性は高
い。
の屈折率型の光学素子だけでなく、回折型の光学素子で
あるホログラム光学素子などにも適用できる。特にホロ
グラムパターンが高分子材料で作成されている場合は、
レーザアブレーションが可能なので、その実現性は高
い。
【0039】以上のようにして、図10(b)に示すご
とく修正した後、修正済みの光集積回路をその修正後の
表面形状データと共に表面形状検査工程A2へ戻す。再
度不良となった光集積回路には、再び修正が行われる。
このとき、何度修正するかは、コスト的に決まる。良品
となった光集積回路は、各種膜作成工程B6へ行き製品
とされ、機能検査B7を経て良品と不良品とに選別され
る。
とく修正した後、修正済みの光集積回路をその修正後の
表面形状データと共に表面形状検査工程A2へ戻す。再
度不良となった光集積回路には、再び修正が行われる。
このとき、何度修正するかは、コスト的に決まる。良品
となった光集積回路は、各種膜作成工程B6へ行き製品
とされ、機能検査B7を経て良品と不良品とに選別され
る。
【0040】従って、本発明の製造方法による場合は、
設計と異なる箇所を修正して光集積回路を製造できるの
で、良品歩留りが高く、しかも位置合わせ精度の良いも
のとなる。また、不良品を修正するのではなく、前もっ
て光集積回路の光学系に調整箇所を設けるように製造工
程を構築すれば、設計の自由度を増すことができ、これ
により従来では、歩留りが悪すぎて使えなかった光学素
子や光学系を使うことができる。
設計と異なる箇所を修正して光集積回路を製造できるの
で、良品歩留りが高く、しかも位置合わせ精度の良いも
のとなる。また、不良品を修正するのではなく、前もっ
て光集積回路の光学系に調整箇所を設けるように製造工
程を構築すれば、設計の自由度を増すことができ、これ
により従来では、歩留りが悪すぎて使えなかった光学素
子や光学系を使うことができる。
【0041】なお、上記実施例においてはレーザ素子、
レーザ光モニター用の受光素子が少なくとも形成された
光電子集積基板の外側にモールド樹脂を形成し、その樹
脂に対して光学素子を設けて光集積回路を製造する場合
を例に挙げているが、本発明はこれに限らず、レーザ素
子、レーザ光モニター用の受光素子が少なくとも形成さ
れた光電子集積基板に対し、光学素子を形成した透明基
板を取付けて光集積回路を製造する場合においても同様
に適用できる。
レーザ光モニター用の受光素子が少なくとも形成された
光電子集積基板の外側にモールド樹脂を形成し、その樹
脂に対して光学素子を設けて光集積回路を製造する場合
を例に挙げているが、本発明はこれに限らず、レーザ素
子、レーザ光モニター用の受光素子が少なくとも形成さ
れた光電子集積基板に対し、光学素子を形成した透明基
板を取付けて光集積回路を製造する場合においても同様
に適用できる。
【0042】
【発明の効果】以上の本発明による製造方法によれば、
設計と異なる箇所を修正して光集積回路を製造できるの
で、良品歩留りを向上でき、しかも位置合わせ精度の良
いものにできる。
設計と異なる箇所を修正して光集積回路を製造できるの
で、良品歩留りを向上でき、しかも位置合わせ精度の良
いものにできる。
【図1】本実施例の光集積回路の製造工程を示すフロー
チャートである。
チャートである。
【図2】本実施例におけるリード端子分離工程を示す図
であり、(a)は分離前、(b)は分離後を示す。
であり、(a)は分離前、(b)は分離後を示す。
【図3】本実施例における表面形状検査工程を示す図で
ある。
ある。
【図4】本実施例におけるレーザ光出射検査工程を示す
図である。
図である。
【図5】本実施例における表面初期化工程を示す図であ
る。
る。
【図6】対物レンズ41部分の表面初期化工程を示す図
である。
である。
【図7】本実施例におけるレーザ光出射検査工程におい
て修正すべき状態を示す図である。
て修正すべき状態を示す図である。
【図8】本実施例におけるミラー45′部分の位置、形
状修正工程を示す図である。
状修正工程を示す図である。
【図9】本実施例におけるミラー44′、45′部分の
位置、形状修正工程を示す図である。
位置、形状修正工程を示す図である。
【図10】(a)は本実施例におけるミラー44′、4
5′及び対物レンズ41部分の位置、形状修正工程を示
す図、(b)は修正後の状態を示す図である。
5′及び対物レンズ41部分の位置、形状修正工程を示
す図、(b)は修正後の状態を示す図である。
【図11】本実施例における対物レンズ用金型へ光導伝
性硬化材料を塗布した状態を示す図である。
性硬化材料を塗布した状態を示す図である。
【図12】従来技術による光集積回路の平面図である。
【図13】従来技術による光集積回路の正面図である。
【図14】従来技術による光集積回路の断面図である。
【図15】従来技術による光集積回路の製造工程を示す
フローチャートである。
フローチャートである。
【図16】従来技術の光集積回路の製造方法の詳細を示
す図である。
す図である。
10 光電子集積基板 11 ホログラムコリメートレンズ 12 ホログラムビームスプリッター 13 多分割受光素子 14 3ビーム発生格子 15 レーザ光モニター受光素子 16、17、18 マーク 19 ランド 20 レーザ素子 30 リードフレーム 31 ダイパッド 32、33 マーク 34 リード端子 35、36 位置決め穴 40 モールド樹脂 41 対物レンズ 42、43、44、45 ミラー 46 対物レンズの不良表面形状 47 除去表面形状 44′、45′ 修正後のミラー位置、方向 50 光記録媒体 70 表面形状測定機の検査プローブ 71 検査光 72 ミラー 73 撮像素子 74 レーザ光 74a、75 光軸 76 レーザ加工機 77 ノズル 78 光導伝性硬化材料 79 ミラー修正用金型 80 対物レンズ修正用金型 81 コア 82 キャビティ 83 金型の対物レンズ部分 84 間隔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中野 貴彦 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内
Claims (2)
- 【請求項1】 レーザ素子、レーザ光モニター用の受光
素子が少なくとも形成された光電子集積基板に対し光学
素子を形成した透明基板が取付けられ、又は該光電子集
積基板の外側に形成した樹脂に対して光学素子が設けら
れた光集積回路において、 該光学素子の一部を除去した後に光導伝性硬化材料を塗
布し、又は光学素子の上に光導伝性硬化材料を塗布する
工程と、 塗布した該光導伝性硬化材料の表面状態を、光学素子の
位置と形状とが所定の位置と形状とになるように加工す
る工程と、 表面状態が所定の位置と形状とになった該光導伝性硬化
材料を硬化させる工程と、 を含む光集積回路の製造方法。 - 【請求項2】 前記光導伝性硬化材料及び透明基板の表
面状態を、光学素子の位置と形状とが所定の位置と形状
になるように加工する手段に、レーザ加工機を用いる請
求項1記載の光集積回路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17113092A JPH0618738A (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | 光集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17113092A JPH0618738A (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | 光集積回路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0618738A true JPH0618738A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=15917541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17113092A Withdrawn JPH0618738A (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | 光集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0618738A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0915448A (ja) * | 1995-06-26 | 1997-01-17 | Takahisa Jitsuno | 光ファイバコネクタ及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-06-29 JP JP17113092A patent/JPH0618738A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0915448A (ja) * | 1995-06-26 | 1997-01-17 | Takahisa Jitsuno | 光ファイバコネクタ及びその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990831 |