JPH06188220A - マイクロ波プラズマ処理方法及び装置 - Google Patents
マイクロ波プラズマ処理方法及び装置Info
- Publication number
- JPH06188220A JPH06188220A JP4338376A JP33837692A JPH06188220A JP H06188220 A JPH06188220 A JP H06188220A JP 4338376 A JP4338376 A JP 4338376A JP 33837692 A JP33837692 A JP 33837692A JP H06188220 A JPH06188220 A JP H06188220A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma processing
- processing chamber
- wall
- temperature
- chamber
- Prior art date
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- Pending
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- Plasma Technology (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】プラズマ処理室の内壁を一定温度に制御するこ
とにより、エッチング処理時の反応生成物がプラズマ処
理室の内壁に付着する量を一定に保ち、エッチング処理
の再現性を向上させる。 【構成】プラズマ処理室１の外壁に電熱ヒータ９を設
け、プラズマ処理室１の壁内に冷却媒体室１１と温度検
出センサー１４を設け、温度コントローラ１５と電力調
整器１０によりプラズマ処理室１の壁温を一定に制御す
る。 【効果】エッチング速度，選択比，エッチング形状等の
経時変化を防止し、エッチング処理の再現性の向上がで
きる。
とにより、エッチング処理時の反応生成物がプラズマ処
理室の内壁に付着する量を一定に保ち、エッチング処理
の再現性を向上させる。 【構成】プラズマ処理室１の外壁に電熱ヒータ９を設
け、プラズマ処理室１の壁内に冷却媒体室１１と温度検
出センサー１４を設け、温度コントローラ１５と電力調
整器１０によりプラズマ処理室１の壁温を一定に制御す
る。 【効果】エッチング速度，選択比，エッチング形状等の
経時変化を防止し、エッチング処理の再現性の向上がで
きる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマイクロ波プラズマ処理
方法及び装置に係り、特に処理に伴う反応生成物が処理
室の内壁に付着する量を一定に保つのに好適なマイクロ
波プラズマ処理方法及び装置に関するものである。
方法及び装置に係り、特に処理に伴う反応生成物が処理
室の内壁に付着する量を一定に保つのに好適なマイクロ
波プラズマ処理方法及び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のマイクロ波プラズマ処理装置で
は、例えば、特開平１−１４５８１４号公報に記載のよ
うに、プラズマ処理室の外壁に導電性部材を設け、該導
電性部材への通電手段を設け、導電性部材へ通電するこ
とによって発生するジュール熱によりプラズマ処理室を
加熱することで、処理に伴う反応生成物が処理室内壁に
付着する量を低減させていた。
は、例えば、特開平１−１４５８１４号公報に記載のよ
うに、プラズマ処理室の外壁に導電性部材を設け、該導
電性部材への通電手段を設け、導電性部材へ通電するこ
とによって発生するジュール熱によりプラズマ処理室を
加熱することで、処理に伴う反応生成物が処理室内壁に
付着する量を低減させていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、連
続処理における処理室内壁の温度制御の点について配慮
されておらず、試料の連続処理時にプラズマ処理室の壁
温が処理枚数の増大に伴って上昇し、壁温を一定温度に
保つことが困難であった。又、処理に伴う反応生成物の
プラズマ処理室の内壁への付着量は壁温により変化し、
それに伴って試料に付着する反応生成物の量が変化する
ので、エッチング速度や選択比等が処理枚数の増大に伴
い変化するといった問題を生じていた。
続処理における処理室内壁の温度制御の点について配慮
されておらず、試料の連続処理時にプラズマ処理室の壁
温が処理枚数の増大に伴って上昇し、壁温を一定温度に
保つことが困難であった。又、処理に伴う反応生成物の
プラズマ処理室の内壁への付着量は壁温により変化し、
それに伴って試料に付着する反応生成物の量が変化する
ので、エッチング速度や選択比等が処理枚数の増大に伴
い変化するといった問題を生じていた。
【０００４】本発明の目的は、試料の連続処理時にプラ
ズマ処理室の内壁を一定温度に保ち、エッチング速度や
選択比等の経時変化を小さく抑制することのできるマイ
クロ波プラズマ処理方法及び装置を提供することにあ
る。
ズマ処理室の内壁を一定温度に保ち、エッチング速度や
選択比等の経時変化を小さく抑制することのできるマイ
クロ波プラズマ処理方法及び装置を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、プラズマ
処理室の外壁に電熱ヒータを設け、処理室の壁内に冷却
媒体室と温度検出手段を設け、温度コントローラと電力
調整器により処理室の壁温を一定温度に制御することに
より達成される。
処理室の外壁に電熱ヒータを設け、処理室の壁内に冷却
媒体室と温度検出手段を設け、温度コントローラと電力
調整器により処理室の壁温を一定温度に制御することに
より達成される。
【０００６】
【作用】電熱ヒータに通電することで発生する熱により
プラズマ処理室の壁面を加熱し、又、冷却媒体室に供給
される冷却水によりプラズマ処理室の壁面を冷却する。
プラズマ処理室の壁面を加熱し、又、冷却媒体室に供給
される冷却水によりプラズマ処理室の壁面を冷却する。
【０００７】温度検出センサーによりプラズマ処理室の
壁温を検出し、温度コントローラで設定された温度にな
るように電力調整器で電熱ヒータに流す電流を調節する
ことにより、プラズマ処理室の壁温を一定温度に制御す
る。
壁温を検出し、温度コントローラで設定された温度にな
るように電力調整器で電熱ヒータに流す電流を調節する
ことにより、プラズマ処理室の壁温を一定温度に制御す
る。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面によって説明す
る。
る。
【０００９】図１は本発明の電熱ヒータと冷却媒体室を
適用したマイクロ波プラズマ処理装置の縦断面構成図で
ある。
適用したマイクロ波プラズマ処理装置の縦断面構成図で
ある。
【００１０】図１においてエッチング装置は、プラズマ
処理室１、プラズマ処理室１の上部の開口部に設けた石
英製のマイクロ波導入窓２、マイクロ波発振器より発振
されたマイクロ波をプラズマ処理室１へ導く導波管３、
ソレノイドコイル４、上面に試料を配置可能な試料台
５、プラズマ処理室１を排気する真空ポンプ６及び高周
波電源７から構成されている。そして、エッチングガス
はガス供給管８を通り導入される。
処理室１、プラズマ処理室１の上部の開口部に設けた石
英製のマイクロ波導入窓２、マイクロ波発振器より発振
されたマイクロ波をプラズマ処理室１へ導く導波管３、
ソレノイドコイル４、上面に試料を配置可能な試料台
５、プラズマ処理室１を排気する真空ポンプ６及び高周
波電源７から構成されている。そして、エッチングガス
はガス供給管８を通り導入される。
【００１１】プラズマ処理室１の外壁には電熱ヒータ９
が周方向に巻き付けられ、電熱ヒータ９に流れる電流は
電力調整器１０により調整でき、電力ヒータ９の発熱に
よりプラズマ処理室１の壁面が加熱される。
が周方向に巻き付けられ、電熱ヒータ９に流れる電流は
電力調整器１０により調整でき、電力ヒータ９の発熱に
よりプラズマ処理室１の壁面が加熱される。
【００１２】更に、プラズマ処理室１の壁内に形成され
た冷却媒体室１１には冷却媒体供給管１２より冷却水が
供給され、供給された冷却水は冷却媒体排出管１３によ
り排出されることにより、プラズマ処理室１の壁面は冷
却される。又、プラズマ処理室１の壁内に温度検出セン
サー１４が設けられている。温度検出センサー１４でプ
ラズマ処理室１の内壁の温度を検出し、その検出値は温
度コントローラ１５に入力される。
た冷却媒体室１１には冷却媒体供給管１２より冷却水が
供給され、供給された冷却水は冷却媒体排出管１３によ
り排出されることにより、プラズマ処理室１の壁面は冷
却される。又、プラズマ処理室１の壁内に温度検出セン
サー１４が設けられている。温度検出センサー１４でプ
ラズマ処理室１の内壁の温度を検出し、その検出値は温
度コントローラ１５に入力される。
【００１３】温度コントローラ１５では、プラズマ処理
室１の内壁の設定温度と上記検出値との差により電熱ヒ
ータ９に流す電流値を制御信号で電力調整器１０に送
る。その制御信号により電力調整器１０は電熱ヒータ９
に流す電流を調節する。このようにして、電熱ヒータ９
の発熱量が調節され、プラズマ処理室１の壁温は設定温
度に維持される。
室１の内壁の設定温度と上記検出値との差により電熱ヒ
ータ９に流す電流値を制御信号で電力調整器１０に送
る。その制御信号により電力調整器１０は電熱ヒータ９
に流す電流を調節する。このようにして、電熱ヒータ９
の発熱量が調節され、プラズマ処理室１の壁温は設定温
度に維持される。
【００１４】本実施例によれば、プラズマ処理室の壁温
を一定に保つことでエッチング連続処理に伴う反応生成
物がプラズマ処理室の内壁に付着する量を一定にし、試
料への反応生成物の付着量の変化を小さく抑えることが
でき、エッチング処理の再現性を向上させることができ
る。
を一定に保つことでエッチング連続処理に伴う反応生成
物がプラズマ処理室の内壁に付着する量を一定にし、試
料への反応生成物の付着量の変化を小さく抑えることが
でき、エッチング処理の再現性を向上させることができ
る。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、プラズマ処理室の壁温
を一定に保持することができるので、エッチング速度，
選択比，エッチング形状等の経時変化を防止し、エッチ
ング処理の再現性を向上させることができる。
を一定に保持することができるので、エッチング速度，
選択比，エッチング形状等の経時変化を防止し、エッチ
ング処理の再現性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例であるマイクロ波プラズマ処
理装置の縦断面図である。
理装置の縦断面図である。
１…プラズマ処理室、２…マイクロ波導入窓、３…導波
管、４…ソレノイドコイル、５…試料台、６…真空ポン
プ、７…高周波電源、８…ガス供給管、９…電熱ヒー
タ、１０…電力調整器、１１…冷却媒体室、１２…冷却
媒体供給管、１３…冷却媒体排出管、１４…温度検出セ
ンサー、１５…温度コントローラ。
管、４…ソレノイドコイル、５…試料台、６…真空ポン
プ、７…高周波電源、８…ガス供給管、９…電熱ヒー
タ、１０…電力調整器、１１…冷却媒体室、１２…冷却
媒体供給管、１３…冷却媒体排出管、１４…温度検出セ
ンサー、１５…温度コントローラ。
Claims (2)
- 【請求項１】プラズマエッチング処理時にプラズマ処理
室を加熱する工程と冷却する工程とを有し、かつ、プラ
ズマ処理室を一定温度に調節する工程を有することを特
徴とするマイクロ波プラズマ処理方法。 - 【請求項２】プラズマ処理室の外壁に電熱ヒータを設
け、処理室の壁内に冷却媒体室と温度検出手段を設け、
前記温度検出手段からの信号を前記電熱ヒータに接続さ
れた電力調整器を調整し、前記プラズマ処理室を一定温
度に制御する温度コントローラを設けたことを特徴とす
るマイクロ波プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4338376A JPH06188220A (ja) | 1992-12-18 | 1992-12-18 | マイクロ波プラズマ処理方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4338376A JPH06188220A (ja) | 1992-12-18 | 1992-12-18 | マイクロ波プラズマ処理方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06188220A true JPH06188220A (ja) | 1994-07-08 |
Family
ID=18317575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4338376A Pending JPH06188220A (ja) | 1992-12-18 | 1992-12-18 | マイクロ波プラズマ処理方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06188220A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0734047A3 (en) * | 1995-03-20 | 1997-04-02 | Hitachi Ltd | Process and device for plasma processing |
| US6815365B2 (en) | 1995-03-16 | 2004-11-09 | Hitachi, Ltd. | Plasma etching apparatus and plasma etching method |
| JP2008034885A (ja) * | 2007-10-18 | 2008-02-14 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| KR20210070419A (ko) * | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 주식회사 원익아이피에스 | 박막 증착 장치 및 방법 |
-
1992
- 1992-12-18 JP JP4338376A patent/JPH06188220A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6815365B2 (en) | 1995-03-16 | 2004-11-09 | Hitachi, Ltd. | Plasma etching apparatus and plasma etching method |
| US7208422B2 (en) | 1995-03-16 | 2007-04-24 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing method |
| US7565879B2 (en) | 1995-03-16 | 2009-07-28 | Hitachi, Ltd | Plasma processing apparatus |
| EP0734047A3 (en) * | 1995-03-20 | 1997-04-02 | Hitachi Ltd | Process and device for plasma processing |
| JP2008034885A (ja) * | 2007-10-18 | 2008-02-14 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| KR20210070419A (ko) * | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 주식회사 원익아이피에스 | 박막 증착 장치 및 방법 |
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