JPH06188517A - 波長変換器 - Google Patents
波長変換器Info
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- JPH06188517A JPH06188517A JP4336887A JP33688792A JPH06188517A JP H06188517 A JPH06188517 A JP H06188517A JP 4336887 A JP4336887 A JP 4336887A JP 33688792 A JP33688792 A JP 33688792A JP H06188517 A JPH06188517 A JP H06188517A
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- wavelength converter
- wavelength
- light
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は波長多重伝送システム等に使用される
波長変換器に関し、温度制御等が容易でスイッチング時
間が短く且つ信頼性の高い波長変換器の提供を目的とす
る。 【構成】入力信号をm系列(mは2以上の自然数)の分
岐入力信号に分岐する分配回路10と、発振波長が異な
るm個の半導体レーザ21をモノリシックに集積化して
なる発光素子20と、半導体レーザ21の各々からの信
号光を合波する光合波器40と、半導体レーザ21の各
々から光合波器40に供給される信号光を制御信号によ
りオン・オフするm個の光シャッター31とから構成す
る。
波長変換器に関し、温度制御等が容易でスイッチング時
間が短く且つ信頼性の高い波長変換器の提供を目的とす
る。 【構成】入力信号をm系列(mは2以上の自然数)の分
岐入力信号に分岐する分配回路10と、発振波長が異な
るm個の半導体レーザ21をモノリシックに集積化して
なる発光素子20と、半導体レーザ21の各々からの信
号光を合波する光合波器40と、半導体レーザ21の各
々から光合波器40に供給される信号光を制御信号によ
りオン・オフするm個の光シャッター31とから構成す
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、波長多重伝送システ
ム、周波数多重伝送システム、光交換システムその他の
光システムに使用される波長変換器に関する。
ム、周波数多重伝送システム、光交換システムその他の
光システムに使用される波長変換器に関する。
【0002】波長多重(WDM)伝送や周波数多重(F
DM)伝送は、異なる波長(周波数)に異なる信号をの
せる方式であり、光の広帯域性、高速処理性、並列処理
性という優れた特徴を利用し、システムの大容量化に適
している。また、波長分割(WD)光交換は、波長多重
(周波数多重)された各チャンネルの波長(周波数)を
任意に交換することで、従来の時分割(TDM)方式に
比べ、より広帯域な光信号をより多くのチャンネルで交
換できるものとして期待されている。
DM)伝送は、異なる波長(周波数)に異なる信号をの
せる方式であり、光の広帯域性、高速処理性、並列処理
性という優れた特徴を利用し、システムの大容量化に適
している。また、波長分割(WD)光交換は、波長多重
(周波数多重)された各チャンネルの波長(周波数)を
任意に交換することで、従来の時分割(TDM)方式に
比べ、より広帯域な光信号をより多くのチャンネルで交
換できるものとして期待されている。
【0003】図6に光交換の機能構成を示す。波長変換
機能部210で波長λ0 から波長λ 2 に波長変換された
信号光は、多重化部220で多重化され、波長選択機能
部230に供給される。波長選択機能部230では複数
ある出力ポートから信号光の波長に応じた出力ポートが
選択され、波長λ2 の信号光はその出力ポートから出力
される。
機能部210で波長λ0 から波長λ 2 に波長変換された
信号光は、多重化部220で多重化され、波長選択機能
部230に供給される。波長選択機能部230では複数
ある出力ポートから信号光の波長に応じた出力ポートが
選択され、波長λ2 の信号光はその出力ポートから出力
される。
【0004】このようなシステムにおいて、出力側のチ
ャンネルにそれぞれ異なる波長を割り振っておくと、入
力光の波長を所望のチャンネルの波長に変えることで信
号の交換が可能になる。そして、このようなシステムを
構築するために、波長変換機能部の実現が要望されてい
る。
ャンネルにそれぞれ異なる波長を割り振っておくと、入
力光の波長を所望のチャンネルの波長に変えることで信
号の交換が可能になる。そして、このようなシステムを
構築するために、波長変換機能部の実現が要望されてい
る。
【0005】
【従来の技術】波長変換機能を実現するために提案され
ている従来技術の一つは、光信号を一旦電気信号に変換
した後に、その電気信号により所望の波長で発振する個
別の半導体レーザを駆動するものである。この従来技術
は、波長数に応じた複数個の半導体レーザ毎に温度制御
回路等を設ける必要があり、余り実用的なものではない
とされている。
ている従来技術の一つは、光信号を一旦電気信号に変換
した後に、その電気信号により所望の波長で発振する個
別の半導体レーザを駆動するものである。この従来技術
は、波長数に応じた複数個の半導体レーザ毎に温度制御
回路等を設ける必要があり、余り実用的なものではない
とされている。
【0006】波長変換機能を達成するための従来技術の
他の一つは、半導体レーザの外部に回折格子等からなる
反射鏡を設け、回折格子の光軸に対する角度を変えるこ
とで発振波長を変えるものである。この従来技術による
場合、モードジャンプが生じやすく、また、機械的な可
動部分が必要になるので、信頼性に欠け実用化には適さ
ないという欠点がある。
他の一つは、半導体レーザの外部に回折格子等からなる
反射鏡を設け、回折格子の光軸に対する角度を変えるこ
とで発振波長を変えるものである。この従来技術による
場合、モードジャンプが生じやすく、また、機械的な可
動部分が必要になるので、信頼性に欠け実用化には適さ
ないという欠点がある。
【0007】波長変換機能を達成するための従来技術の
さらに他の一つは、DFB半導体レーザ(分布帰還型半
導体レーザ)やDBR半導体レーザ(分布ブラッグ反射
型半導体レーザ)の素子を光軸方向に複数の領域に分割
し、それぞれの領域への注入電流の分配比によって生じ
る屈折率変化(プラズマ効果)を利用し、回折格子の実
効的ピッチ又は素子内を伝播する光の位相を変化させる
ことで、波長変換を行うものである。
さらに他の一つは、DFB半導体レーザ(分布帰還型半
導体レーザ)やDBR半導体レーザ(分布ブラッグ反射
型半導体レーザ)の素子を光軸方向に複数の領域に分割
し、それぞれの領域への注入電流の分配比によって生じ
る屈折率変化(プラズマ効果)を利用し、回折格子の実
効的ピッチ又は素子内を伝播する光の位相を変化させる
ことで、波長変換を行うものである。
【0008】しかし、注入電流を変化させると素子温度
も変化するため、所望の発振波長に設定するためには注
入電流制御と同時に温度制御も必要になり、そのために
スイッチング時間が余計にかかる。また、発振波長に経
時変化があるために、要求される制御レンジを考慮する
と制御系がより複雑になるという問題がある。
も変化するため、所望の発振波長に設定するためには注
入電流制御と同時に温度制御も必要になり、そのために
スイッチング時間が余計にかかる。また、発振波長に経
時変化があるために、要求される制御レンジを考慮する
と制御系がより複雑になるという問題がある。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】よって、本発明の目的
は、温度制御が容易でスイッチング時間が短く且つ信頼
性の高い波長変換器を提供することにある。
は、温度制御が容易でスイッチング時間が短く且つ信頼
性の高い波長変換器を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の波長変換器の第
1の構成は、入力信号をm系列(mは1より大きい自然
数)の分岐入力信号に分岐して出力する分配回路と、発
振波長が異なるm個の半導体レーザをモノリシックに集
積化してなり、該半導体レーザの各々は上記分岐入力信
号に基づいてそれぞれ駆動される発光素子と、上記半導
体レーザの各々からの信号光を合波する光合波器と、上
記半導体レーザの各々から上記光合波器に供給される信
号光を制御信号によりオン・オフするm個の光シャッタ
ーとを備える。
1の構成は、入力信号をm系列(mは1より大きい自然
数)の分岐入力信号に分岐して出力する分配回路と、発
振波長が異なるm個の半導体レーザをモノリシックに集
積化してなり、該半導体レーザの各々は上記分岐入力信
号に基づいてそれぞれ駆動される発光素子と、上記半導
体レーザの各々からの信号光を合波する光合波器と、上
記半導体レーザの各々から上記光合波器に供給される信
号光を制御信号によりオン・オフするm個の光シャッタ
ーとを備える。
【0011】本発明の波長変換器の第2の構成は、n個
(nは1より大きい自然数)の入力ポート及び該入力ポ
ートと同数の出力ポートを有し、該入力ポートの各々に
供給された入力信号を制御信号により入れ換えてそれぞ
れ該出力ポートから出力するスイッチング回路と、発振
波長が異なるn個の半導体レーザをモノリシックに集積
化してなり、該半導体レーザの各々は上記スイッチング
回路の出力ポートから供給される上記入力信号に基づい
てそれぞれ駆動される発光素子とを備える。
(nは1より大きい自然数)の入力ポート及び該入力ポ
ートと同数の出力ポートを有し、該入力ポートの各々に
供給された入力信号を制御信号により入れ換えてそれぞ
れ該出力ポートから出力するスイッチング回路と、発振
波長が異なるn個の半導体レーザをモノリシックに集積
化してなり、該半導体レーザの各々は上記スイッチング
回路の出力ポートから供給される上記入力信号に基づい
てそれぞれ駆動される発光素子とを備える。
【0012】本発明の波長変換器の第3の構成は、本発
明の第2の構成又はその後述する特定の実施態様にかか
るn×n波長変換器と、n個(nは1より大きい自然
数)の本発明の第1の構成の後述する特定の実施態様に
係る1×1波長変換器とを備える。そして、本発明の第
3の構成においては、上記n×n波長変換器の発光素子
の各半導体レーザからの信号光が上記1×1波長変換器
の受光素子にそれぞれ供給される。
明の第2の構成又はその後述する特定の実施態様にかか
るn×n波長変換器と、n個(nは1より大きい自然
数)の本発明の第1の構成の後述する特定の実施態様に
係る1×1波長変換器とを備える。そして、本発明の第
3の構成においては、上記n×n波長変換器の発光素子
の各半導体レーザからの信号光が上記1×1波長変換器
の受光素子にそれぞれ供給される。
【0013】
【作用】本発明の波長変換器においては、発光素子は発
振波長が異なる複数の半導体レーザをモノリシックに集
積化して構成されているので、各半導体レーザの発振波
長の経時劣化は同程度に生じ、その場合、発光素子のチ
ップ全体の温度を変更することで全ての半導体レーザの
発振波長を同時に補償することができ、温度制御等の制
御が容易になる。
振波長が異なる複数の半導体レーザをモノリシックに集
積化して構成されているので、各半導体レーザの発振波
長の経時劣化は同程度に生じ、その場合、発光素子のチ
ップ全体の温度を変更することで全ての半導体レーザの
発振波長を同時に補償することができ、温度制御等の制
御が容易になる。
【0014】また、各半導体レーザについては定常発光
させておき、各出射光を光シャッターによりオン・オフ
するようにしているので、スイッチング時間は短くて済
む。さらに、本発明の波長変換器は機械的な可動部分を
有していないので、信頼性の向上が可能である。
させておき、各出射光を光シャッターによりオン・オフ
するようにしているので、スイッチング時間は短くて済
む。さらに、本発明の波長変換器は機械的な可動部分を
有していないので、信頼性の向上が可能である。
【0015】
【実施例】以下本発明の実施例を説明する。図1は本発
明の第1実施例を示す波長変換器のブロック図であり、
この実施例では本発明の第1の構成を有する波長変換器
を用いて電気入力光出力型1×1波長交換システムを構
成している。
明の第1実施例を示す波長変換器のブロック図であり、
この実施例では本発明の第1の構成を有する波長変換器
を用いて電気入力光出力型1×1波長交換システムを構
成している。
【0016】この実施例においては、波長変換器1は、
入力信号を、制御信号により4つの波長から選択される
いずれかの波長の信号光に変換して出力するように機能
し、分配回路10と発光素子20と光シャッターアレイ
30と光合波器40とを備えている。
入力信号を、制御信号により4つの波長から選択される
いずれかの波長の信号光に変換して出力するように機能
し、分配回路10と発光素子20と光シャッターアレイ
30と光合波器40とを備えている。
【0017】分配回路10は1つの入力ポート11と4
つの出力ポート12(#1〜#4)とを有しており、入
力ポート11への入力信号を4系列の分岐入力信号に分
岐してそれぞれ出力ポート12(#1〜#4)から出力
するように機能する。
つの出力ポート12(#1〜#4)とを有しており、入
力ポート11への入力信号を4系列の分岐入力信号に分
岐してそれぞれ出力ポート12(#1〜#4)から出力
するように機能する。
【0018】発光素子20は発振波長が異なる4個の半
導体レーザ21(#1〜#4)をモノリシックに集積化
して構成され、各半導体レーザ21(#1〜#4)はそ
れぞれ分配回路10の出力ポート12(#1〜#4)か
らの分岐入力信号に基づいて駆動される。
導体レーザ21(#1〜#4)をモノリシックに集積化
して構成され、各半導体レーザ21(#1〜#4)はそ
れぞれ分配回路10の出力ポート12(#1〜#4)か
らの分岐入力信号に基づいて駆動される。
【0019】各半導体レーザ21(#1〜#4)の発振
波長を異ならせるには各半導体レーザ21(#1〜#
4)の駆動条件を異ならせればよいが、発光素子20を
製造するときの結晶成長段階で各半導体レーザ21(#
1〜#4)の活性層の組成に勾配をもたせることで、ほ
ぼ同一の駆動条件の下で各半導体レーザ21(#1〜#
4)の発振波長を異ならせることもできる。
波長を異ならせるには各半導体レーザ21(#1〜#
4)の駆動条件を異ならせればよいが、発光素子20を
製造するときの結晶成長段階で各半導体レーザ21(#
1〜#4)の活性層の組成に勾配をもたせることで、ほ
ぼ同一の駆動条件の下で各半導体レーザ21(#1〜#
4)の発振波長を異ならせることもできる。
【0020】この実施例では、各半導体レーザ21(#
1〜#4)の発振波長はそれぞれλ 1 〜λ4 である。光
シャッターアレイ30は、発光素子20の各半導体レー
ザ21(#1〜#4)からそれぞれ供給される信号光を
制御信号によりオン・オフする4つの光シャッター31
(#1〜#4)を有している。各光シャッター31(#
1〜#4)は例えばマッハツェンダ干渉計型光スイッチ
からなり、この場合ナノ秒オーダ以下程度の高速スイッ
チングが可能である。
1〜#4)の発振波長はそれぞれλ 1 〜λ4 である。光
シャッターアレイ30は、発光素子20の各半導体レー
ザ21(#1〜#4)からそれぞれ供給される信号光を
制御信号によりオン・オフする4つの光シャッター31
(#1〜#4)を有している。各光シャッター31(#
1〜#4)は例えばマッハツェンダ干渉計型光スイッチ
からなり、この場合ナノ秒オーダ以下程度の高速スイッ
チングが可能である。
【0021】マッハツェンダ干渉計型光スイッチは通常
の光導波路形成技術及び電極形成技術を用いて容易に作
成することができ、例えば光シャッターアレイ30を発
光素子20等とモノリシックに集積化して一体に構成す
ることにより装置の小型化が可能である。
の光導波路形成技術及び電極形成技術を用いて容易に作
成することができ、例えば光シャッターアレイ30を発
光素子20等とモノリシックに集積化して一体に構成す
ることにより装置の小型化が可能である。
【0022】光合波器40は各光シャッター31(#1
〜#4)からの信号光が供給される4つの入力ポート4
1(#1〜#4)と1つの出力ポート42とを有してお
り、各入力ポート41(#1〜#4)に供給された信号
光を合流して出力ポート42から同一光路上に出力する
ように機能する。
〜#4)からの信号光が供給される4つの入力ポート4
1(#1〜#4)と1つの出力ポート42とを有してお
り、各入力ポート41(#1〜#4)に供給された信号
光を合流して出力ポート42から同一光路上に出力する
ように機能する。
【0023】光合波器40の出力ポート42から出力さ
れた所定波長の信号光は、光伝送路50を介して光分波
器60に供給される。光分波器60は4つの出力ポート
61(#1〜#4)を有しており、光分波器60に供給
された信号光はその波長に応じて決定されるいずれかの
出力ポート61から出力される。
れた所定波長の信号光は、光伝送路50を介して光分波
器60に供給される。光分波器60は4つの出力ポート
61(#1〜#4)を有しており、光分波器60に供給
された信号光はその波長に応じて決定されるいずれかの
出力ポート61から出力される。
【0024】いま、分配回路10の入力ポート11に適
当なパルス列からなる入力信号Aが供給されると、発光
素子20の各半導体レーザ21(#1〜#4)は入力信
号Aに基づいて駆動され、各半導体レーザ21(#1〜
#4)からはそれぞれに対応した波長の光を入力信号A
で変調した信号光が出力される。
当なパルス列からなる入力信号Aが供給されると、発光
素子20の各半導体レーザ21(#1〜#4)は入力信
号Aに基づいて駆動され、各半導体レーザ21(#1〜
#4)からはそれぞれに対応した波長の光を入力信号A
で変調した信号光が出力される。
【0025】そしてこの状態で光シャッターアレイ30
に制御信号(0.1.0.0)が供給されているとする
と、光シャッター31(#1〜#4)のうちの光シャッ
ター31(#2)のみが透過状態になり他は遮断状態に
なり、半導体レーザ21(#2)が選択されてその出力
光である波長λ2 の信号光が光合波器40に供給され
る。この波長λ2 の信号光が光伝送路50を介して光分
配器60に供給されると、この信号光は波長λ2 に対応
した出力ポート61(#2)から出力される。
に制御信号(0.1.0.0)が供給されているとする
と、光シャッター31(#1〜#4)のうちの光シャッ
ター31(#2)のみが透過状態になり他は遮断状態に
なり、半導体レーザ21(#2)が選択されてその出力
光である波長λ2 の信号光が光合波器40に供給され
る。この波長λ2 の信号光が光伝送路50を介して光分
配器60に供給されると、この信号光は波長λ2 に対応
した出力ポート61(#2)から出力される。
【0026】光分波器60の出力ポート61(#1)か
ら信号光を出力させる場合には、これに対応した波長λ
1 を選択するために、光シャッターアレイ30には制御
信号(1.0.0.0)が供給され、光シャッター31
(#1)のみが透過状態になり他は遮断状態になる。
ら信号光を出力させる場合には、これに対応した波長λ
1 を選択するために、光シャッターアレイ30には制御
信号(1.0.0.0)が供給され、光シャッター31
(#1)のみが透過状態になり他は遮断状態になる。
【0027】この実施例では、発光素子20の各半導体
レーザ21(#1〜#4)は同一チップ内に集積化され
ているので、それぞれの発振波長の経時劣化は同程度に
生じ、従って、発振波長の経時劣化に対する補償を各半
導体レーザ21(#1〜#4)について一律に実施する
ことができ、制御回路等が簡単になる。
レーザ21(#1〜#4)は同一チップ内に集積化され
ているので、それぞれの発振波長の経時劣化は同程度に
生じ、従って、発振波長の経時劣化に対する補償を各半
導体レーザ21(#1〜#4)について一律に実施する
ことができ、制御回路等が簡単になる。
【0028】また、各光シャッター31(#1〜#4)
として例えば前に例示したような高速スイッチング特性
を有するものを用いれば、高速動作が可能で且つ信頼性
の高い交換システムの実現が可能になる。
として例えば前に例示したような高速スイッチング特性
を有するものを用いれば、高速動作が可能で且つ信頼性
の高い交換システムの実現が可能になる。
【0029】図2は本発明の第2実施例を示すブロック
図であり、この実施例では、本発明の第1の構成に係る
波長変換器を用いて光入力光出力型1×1波長交換シス
テムを構成している。
図であり、この実施例では、本発明の第1の構成に係る
波長変換器を用いて光入力光出力型1×1波長交換シス
テムを構成している。
【0030】この実施例における波長変換器2が図1の
第1実施例における波長変換器1と異なる点は、フォト
ダイオード等からなる受光器70を付加的に備えている
点である。受光器70は供給された光信号A′を電気信
号Aに変換してこの電気信号Aを分配回路10の入力ポ
ート11に供給する。
第1実施例における波長変換器1と異なる点は、フォト
ダイオード等からなる受光器70を付加的に備えている
点である。受光器70は供給された光信号A′を電気信
号Aに変換してこの電気信号Aを分配回路10の入力ポ
ート11に供給する。
【0031】この実施例によると、受光器70に供給さ
れる光信号を、その波長にかかわらず光シャッターアレ
イ30への制御信号により波長λ1 〜λ4 から選択され
るいずれかの波長の光に変換して、光分波器60の所望
の出力ポートから出力させることができる。
れる光信号を、その波長にかかわらず光シャッターアレ
イ30への制御信号により波長λ1 〜λ4 から選択され
るいずれかの波長の光に変換して、光分波器60の所望
の出力ポートから出力させることができる。
【0032】図3は本発明の第3実施例を示すブロック
図であり、この実施例では、本発明の第2の構成に係る
波長変換器を用いて電気入力光出力型3×3波長交換シ
ステムを構成している。
図であり、この実施例では、本発明の第2の構成に係る
波長変換器を用いて電気入力光出力型3×3波長交換シ
ステムを構成している。
【0033】この実施例での波長変換器3は、スイッチ
ング回路80と発光素子90とを備えている。スイッチ
ング回路80は3つの入力ポート81(#1〜#3)と
3つの出力ポート82(#1〜#3)とを有しており、
各入力ポート81(#1〜#3)に供給された入力信号
を制御信号により入れ換えてそれぞれ出力ポート82
(#1〜#3)から出力するように機能する。
ング回路80と発光素子90とを備えている。スイッチ
ング回路80は3つの入力ポート81(#1〜#3)と
3つの出力ポート82(#1〜#3)とを有しており、
各入力ポート81(#1〜#3)に供給された入力信号
を制御信号により入れ換えてそれぞれ出力ポート82
(#1〜#3)から出力するように機能する。
【0034】発光素子90は発振波長が異なる3つの半
導体レーザ91(#1〜#3)をモノリシックに集積化
して構成されており、各半導体レーザ91(#1〜#
3)はスイッチング回路80の各出力ポート82(#1
〜#3)から供給される入力信号に基づいてそれぞれ駆
動される。各半導体レーザ91(#1〜#3)の発振波
長はそれぞれλ1 〜λ3 である。
導体レーザ91(#1〜#3)をモノリシックに集積化
して構成されており、各半導体レーザ91(#1〜#
3)はスイッチング回路80の各出力ポート82(#1
〜#3)から供給される入力信号に基づいてそれぞれ駆
動される。各半導体レーザ91(#1〜#3)の発振波
長はそれぞれλ1 〜λ3 である。
【0035】いま、スイッチング回路80の各入力ポー
ト81(#1〜#3)にそれぞれ入力信号A,B,Cが
供給されているとして、この波長変換器3の機能を説明
する。スイッチング回路80に供給される制御信号はス
イッチング回路80における入力信号の入れ換えの順序
を決定するためのもので、例えば制御信号(2.1.
3)が供給されているとすると、入力ポート81(#
1)に供給された入力信号Aは出力ポート82(#2)
から出力され、入力ポート81(#2)に供給された入
力信号Bは出力ポート82(#1)から出力され、入力
ポート81(#3)に供給された入力信号Cはそのまま
出力ポート82(#3)から出力される。
ト81(#1〜#3)にそれぞれ入力信号A,B,Cが
供給されているとして、この波長変換器3の機能を説明
する。スイッチング回路80に供給される制御信号はス
イッチング回路80における入力信号の入れ換えの順序
を決定するためのもので、例えば制御信号(2.1.
3)が供給されているとすると、入力ポート81(#
1)に供給された入力信号Aは出力ポート82(#2)
から出力され、入力ポート81(#2)に供給された入
力信号Bは出力ポート82(#1)から出力され、入力
ポート81(#3)に供給された入力信号Cはそのまま
出力ポート82(#3)から出力される。
【0036】これにより、入力信号Bは半導体レーザ9
1(#1)からの波長λ1 の光にのって送出され、入力
信号Aは半導体レーザ91(#2)からの波長λ2 の光
にのって送出され、入力信号Cは半導体レーザ91(#
3)からの波長λ3 の光にのって送出される。
1(#1)からの波長λ1 の光にのって送出され、入力
信号Aは半導体レーザ91(#2)からの波長λ2 の光
にのって送出され、入力信号Cは半導体レーザ91(#
3)からの波長λ3 の光にのって送出される。
【0037】このように本実施例によると、複数の入力
信号に対して割り当てられる波長の変換を行うことがで
きる。本実施例においては、半導体レーザの発振波長を
変化させることで複数の入力信号の波長切り換えを行う
のではなく、予め各半導体レーザの上流側でスイッチン
グ回路80により電気的に信号の入れ換えを行い、信号
がのる光の波長を切り換えるようにしており、スイッチ
ング速度は主としてこのスイッチング回路80の応答速
度で決定されるので、高速な波長切り換えが可能にな
る。
信号に対して割り当てられる波長の変換を行うことがで
きる。本実施例においては、半導体レーザの発振波長を
変化させることで複数の入力信号の波長切り換えを行う
のではなく、予め各半導体レーザの上流側でスイッチン
グ回路80により電気的に信号の入れ換えを行い、信号
がのる光の波長を切り換えるようにしており、スイッチ
ング速度は主としてこのスイッチング回路80の応答速
度で決定されるので、高速な波長切り換えが可能にな
る。
【0038】図4は本発明の第4実施例を示すブロック
図であり、この実施例では、本発明の第2の構成に係る
波長変換器を用いて光入力光出力型3×3波長交換シス
テムを構成している。
図であり、この実施例では、本発明の第2の構成に係る
波長変換器を用いて光入力光出力型3×3波長交換シス
テムを構成している。
【0039】この実施例は、図3の第3実施例に対比し
て、スイッチング回路80の各入力ポート81(#1〜
#3)にそれぞれフォトダイオード等からなる受光器1
00(#1〜#3)を付加的に備えている点で特徴付け
られる。
て、スイッチング回路80の各入力ポート81(#1〜
#3)にそれぞれフォトダイオード等からなる受光器1
00(#1〜#3)を付加的に備えている点で特徴付け
られる。
【0040】各受光器100(#1〜#3)はそれぞれ
供給された光信号A′,B′,C′を電気信号A,B,
Cに変換してこの電気信号を前実施例における入力信号
としてスイッチング回路80の各入力ポート81(#1
〜#3)に供給する。
供給された光信号A′,B′,C′を電気信号A,B,
Cに変換してこの電気信号を前実施例における入力信号
としてスイッチング回路80の各入力ポート81(#1
〜#3)に供給する。
【0041】この実施例によると、供給された光信号を
波長変換して所望の出力ポートから送出することができ
る。また、前実施例におけるのと同じようにこのシステ
ムにおけるスイッチング速度は主としてスイッチング回
路80の応答速度で決定されるので、高速な波長切替が
可能になる。
波長変換して所望の出力ポートから送出することができ
る。また、前実施例におけるのと同じようにこのシステ
ムにおけるスイッチング速度は主としてスイッチング回
路80の応答速度で決定されるので、高速な波長切替が
可能になる。
【0042】図5は本発明の第5実施例を示すブロック
図であり、この実施例では、本発明の第3の構成に係る
波長変換器を用いて電気入力光出力型3×3波長交換シ
ステムを構成している。
図であり、この実施例では、本発明の第3の構成に係る
波長変換器を用いて電気入力光出力型3×3波長交換シ
ステムを構成している。
【0043】このシステムは、入力側に図3の第3実施
例における電気入力光出力型3×3波長変換器3を備
え、出力側に図2の第2実施例における光入力光出力型
1×1波長変換器2を3つ(#1〜#3)備えている。
波長変換器3の各半導体レーザ91(#1〜#3)から
の光は波長変換器2(#1〜#3)のそれぞれの受光器
70に供給される。また、各波長変換器2(#1〜#
3),3には制御回路110から制御信号が供給され
る。
例における電気入力光出力型3×3波長変換器3を備
え、出力側に図2の第2実施例における光入力光出力型
1×1波長変換器2を3つ(#1〜#3)備えている。
波長変換器3の各半導体レーザ91(#1〜#3)から
の光は波長変換器2(#1〜#3)のそれぞれの受光器
70に供給される。また、各波長変換器2(#1〜#
3),3には制御回路110から制御信号が供給され
る。
【0044】波長変換器のそれぞれの動作についてはこ
れまでの実施例より明らかであるからその説明を省略す
る。この実施例では、波長変換器3の各半導体レーザ9
1(#1〜#3)の発振波長はそれぞれλ1 〜λ3 であ
り、波長変換器2(#1)の各半導体レーザ21(#1
〜#4)の発振波長はそれぞれλ11〜λ14であり、波長
変換器2(#2)の各半導体レーザ21(#1〜#4)
の発振波長はそれぞれλ21〜λ24であり、波長変換器2
(#3)の各半導体レーザ21(#1〜#4)の発振波
長はそれぞれλ31〜λ34である。これらの各波長は互い
に異なるものである。
れまでの実施例より明らかであるからその説明を省略す
る。この実施例では、波長変換器3の各半導体レーザ9
1(#1〜#3)の発振波長はそれぞれλ1 〜λ3 であ
り、波長変換器2(#1)の各半導体レーザ21(#1
〜#4)の発振波長はそれぞれλ11〜λ14であり、波長
変換器2(#2)の各半導体レーザ21(#1〜#4)
の発振波長はそれぞれλ21〜λ24であり、波長変換器2
(#3)の各半導体レーザ21(#1〜#4)の発振波
長はそれぞれλ31〜λ34である。これらの各波長は互い
に異なるものである。
【0045】いま、波長変換器3のスイッチング回路8
0の各入力ポート81(#1〜#3)にそれぞれ入力信
号A,B,Cが供給されており、制御回路110から波
長変換器3に供給される制御信号が(2.1.3)であ
り、制御回路110から波長変換器2(#1〜#3)に
それぞれ供給される制御信号が(0.1.0.0),
(0.0.1.0),(0.0.0.1)であるとする
と、波長変換器2(#1)からは入力信号Bで変調され
た波長λ12の光が出力され、波長変換器2(#2)から
は入力信号Aで変調された波長λ23の光が出力され、波
長変換器2(#3)からは入力信号Cで変調された波長
λ34の光が出力される。
0の各入力ポート81(#1〜#3)にそれぞれ入力信
号A,B,Cが供給されており、制御回路110から波
長変換器3に供給される制御信号が(2.1.3)であ
り、制御回路110から波長変換器2(#1〜#3)に
それぞれ供給される制御信号が(0.1.0.0),
(0.0.1.0),(0.0.0.1)であるとする
と、波長変換器2(#1)からは入力信号Bで変調され
た波長λ12の光が出力され、波長変換器2(#2)から
は入力信号Aで変調された波長λ23の光が出力され、波
長変換器2(#3)からは入力信号Cで変調された波長
λ34の光が出力される。
【0046】このように本実施例によると、制御回路1
10から各波長変換器3,2(#1〜#3)に供給する
制御信号の組み合わせによって、入力側の波長変換器3
のいずれかの入力ポートに供給された入力信号に対して
12通りの波長を選択することができる。
10から各波長変換器3,2(#1〜#3)に供給する
制御信号の組み合わせによって、入力側の波長変換器3
のいずれかの入力ポートに供給された入力信号に対して
12通りの波長を選択することができる。
【0047】この実施例における機能は図1の第1実施
例において半導体レーザの数を12にすることによって
も実現可能であるが、発光素子の歩留りや信頼性を考慮
すると、1つの発光素子が有する半導体レーザの数が少
ない本実施例の方が優れている。
例において半導体レーザの数を12にすることによって
も実現可能であるが、発光素子の歩留りや信頼性を考慮
すると、1つの発光素子が有する半導体レーザの数が少
ない本実施例の方が優れている。
【0048】尚、本発明の第3の構成を実施する場合に
は、図5の第5実施例における波長変換器3に代えて図
4の第4実施例における波長変換器4を用い、光入力光
出力型波長交換システムを構成してもよい。
は、図5の第5実施例における波長変換器3に代えて図
4の第4実施例における波長変換器4を用い、光入力光
出力型波長交換システムを構成してもよい。
【0049】また、図5の第5実施例においては、波長
変換器3又は2(#1〜#3)の各構成要素をモノリシ
ックに集積化してもよい。
変換器3又は2(#1〜#3)の各構成要素をモノリシ
ックに集積化してもよい。
【0050】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
温度制御等が容易でスイッチング時間が短く且つ信頼性
の高い波長変換器の提供が可能になるという効果が生じ
る。
温度制御等が容易でスイッチング時間が短く且つ信頼性
の高い波長変換器の提供が可能になるという効果が生じ
る。
【図1】本発明の第1実施例を示す波長交換システムの
ブロック図である。
ブロック図である。
【図2】本発明の第2実施例を示す波長交換システムの
ブロック図である。
ブロック図である。
【図3】本発明の第3実施例を示す波長交換システムの
ブロック図である。
ブロック図である。
【図4】本発明の第4実施例を示す波長交換システムの
ブロック図である。
ブロック図である。
【図5】本発明の第5実施例を示す波長交換システムの
ブロック図である。
ブロック図である。
【図6】従来技術の説明図である。
10 光分配回路 20,90 発光素子 21,91 半導体レーザ 31 光シャッター 40 光合波器 70,100 受光器 80 スイッチング回路
Claims (7)
- 【請求項1】 入力信号をm系列(mは1より大きい自
然数)の分岐入力信号に分岐して出力する分配回路(10)
と、 発振波長が異なるm個の半導体レーザ(21)をモノリシッ
クに集積化してなり、該半導体レーザ(21)の各々は上記
分岐入力信号に基づいてそれぞれ駆動される発光素子(2
0)と、 上記半導体レーザ(21)の各々からの信号光を合波する光
合波器(40)と、 上記半導体レーザ(21)の各々から上記光合波器(40)に供
給される信号光を制御信号によりオン・オフするm個の
光シャッター(31)とを備えたことを特徴とする1×1波
長変換器。 - 【請求項2】 光信号を電気信号に変換して該電気信号
を上記入力信号として上記分配回路(10)に供給する受光
素子(70)をさらに備えたことを特徴とする請求項1に記
載の1×1波長変換器。 - 【請求項3】 上記分配回路(10)、上記光合波器(40)、
上記光シャッター(31)及び上記受光素子(70)から選択さ
れる少なくともいずれかが上記発光素子(20)とともにモ
ノリシックに集積化されていることを特徴とする請求項
1又は2に記載の1×1波長変換器。 - 【請求項4】 n個(nは1より大きい自然数)の入力
ポート(81)及び該入力ポート(81)と同数の出力ポート(8
2)を有し、該入力ポート(81)の各々に供給された入力信
号を制御信号により入れ換えてそれぞれ該出力ポート(8
2)から出力するスイッチング回路(80)と、 発振波長が異なるn個の半導体レーザ(91)をモノリシッ
クに集積化してなり、該半導体レーザ(91)の各々は上記
スイッチング回路(80)の出力ポート(82)から供給される
上記入力信号に基づいてそれぞれ駆動される発光素子(9
0)とを備えたことを特徴とするn×n波長変換器。 - 【請求項5】 n系列の光信号を電気信号に変換して該
電気信号をそれぞれ上記入力信号として上記スイッチン
グ回路(80)の入力ポート(81)に供給するn個の受光素子
(100) をさらに備えたことを特徴とする請求項4に記載
のn×n波長変換器。 - 【請求項6】 上記スイッチング回路(80)及び上記受光
素子(100) から選択される少なくともいずれかが上記発
光素子(90)とともにモノリシックに集積化されているこ
とを特徴とする請求項4又は5に記載のn×n波長変換
器。 - 【請求項7】 請求項4乃至6のいずれかに記載のn×
n波長変換器(3,4)と、 n個(nは1より大きい自然数)の請求項2又は3に記
載の1×1波長変換器(2) とを備え、 該n×n波長変換器(3,4) の発光素子(90)の各半導体レ
ーザ(91)からの信号光が該1×1波長変換器(2) の受光
素子(70)にそれぞれ供給されることを特徴とするn×n
波長変換器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4336887A JPH06188517A (ja) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | 波長変換器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4336887A JPH06188517A (ja) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | 波長変換器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06188517A true JPH06188517A (ja) | 1994-07-08 |
Family
ID=18303572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4336887A Pending JPH06188517A (ja) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | 波長変換器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06188517A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6128115A (en) * | 1997-04-03 | 2000-10-03 | Nec Corporation | Optical switch device |
| WO2001015291A1 (en) * | 1999-08-23 | 2001-03-01 | Fujitsu Limited | Wavelength multiplexer |
-
1992
- 1992-12-17 JP JP4336887A patent/JPH06188517A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6128115A (en) * | 1997-04-03 | 2000-10-03 | Nec Corporation | Optical switch device |
| WO2001015291A1 (en) * | 1999-08-23 | 2001-03-01 | Fujitsu Limited | Wavelength multiplexer |
| US6707963B2 (en) | 1999-08-23 | 2004-03-16 | Fujitsu Limited | Wavelength division multiplexing apparatus |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010703 |