JPH06188538A - Formation of this film circuit - Google Patents

Formation of this film circuit

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JPH06188538A
JPH06188538A JP35553792A JP35553792A JPH06188538A JP H06188538 A JPH06188538 A JP H06188538A JP 35553792 A JP35553792 A JP 35553792A JP 35553792 A JP35553792 A JP 35553792A JP H06188538 A JPH06188538 A JP H06188538A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
film circuit
photopolymerization
property
forming
Prior art date
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Pending
Application number
JP35553792A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Koji Okamoto
浩治 岡本
Natsuya Ishikawa
夏也 石川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tanaka Kikinzoku Kogyo KK
Original Assignee
Tanaka Kikinzoku Kogyo KK
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Publication date
Application filed by Tanaka Kikinzoku Kogyo KK filed Critical Tanaka Kikinzoku Kogyo KK
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Abstract

(57)【要約】 【目的】従来の薄膜回路形成方法では金属薄膜の回路形
成にエッチング液として強い酸を用いて行うものを現像
液で処理することで薄膜回路を形成する方法を提供する
こと。 【構成】環状オレフィンオリゴマー等の光重合する性質
を有する樹脂成分と、光重合する性質を有する樹脂成分
と貴金属等の金属の化合物及び/または錯塩と有機溶媒
から成る光重合メタロオーガニックを塗布し、乾燥した
後、フォトマスクして露光し、次いで現像液で処理し、
焼成することで薄膜回路形成させるものである。
(57) [Summary] [Object] To provide a method for forming a thin film circuit by treating a thin film circuit forming method using a strong acid as an etching solution with a developing solution in the conventional thin film circuit forming method. . [Structure] A resin component having a property of photopolymerization such as a cyclic olefin oligomer, a resin component having a property of photopolymerization, a compound of a metal such as a noble metal and / or a photopolymerization metalloorganic consisting of an organic solvent is applied, After drying, it is exposed with a photomask and then treated with a developer,
A thin film circuit is formed by firing.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、電子工業材料として使
用されるガラスやセラミックス基板上に金属薄膜回路を
形成するための薄膜回路形成法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin film circuit forming method for forming a metal thin film circuit on a glass or ceramic substrate used as an electronic industrial material.

【0002】[0002]

【従来の技術とその問題点】従来、金属薄膜回路形成法
としてペースト等が使用されているが、例えばガラス又
はセラミックス基板上に直接金属薄膜回路を形成させる
ためにマスク等を用いて塗布し、乾燥、焼成する方法で
は微細な回路には適用が困難であり、転写による方法等
もあるが金属薄膜の厚みの均一性や再現性等で不十分で
ある。他にペーストを全面に塗布し、乾燥焼成して金属
薄膜を形成し、フォトレジスト等を用いて所望の回路部
をレジストで覆い、酸等のエッチング液を用いて回路以
外の部分をエッチング処理して金属薄膜回路を形成させ
る方法もあるが、金属薄膜が白金や抵抗体等の場合エッ
チングに用いる酸が強い酸でなければエッチングできな
いためレジストが侵されたり、ガラス又はセラミックス
の基板が腐食される等が生じて微細な回路を形成させる
ことが困難であった。
2. Description of the Related Art Conventionally, a paste or the like has been used as a method for forming a metal thin film circuit. For example, a paste or the like is used to directly form a metal thin film circuit on a glass or ceramic substrate. The method of drying and baking is difficult to apply to a fine circuit, and there are methods such as transfer, but the uniformity and reproducibility of the thickness of the metal thin film are insufficient. In addition, paste is applied to the entire surface, dried and baked to form a metal thin film, a desired circuit part is covered with a resist using a photoresist or the like, and a part other than the circuit is etched using an etching solution such as an acid. There is also a method to form a metal thin film circuit, but when the metal thin film is platinum or a resistor, the acid used for etching can not be etched unless it is a strong acid, so the resist is attacked or the glass or ceramic substrate is corroded. However, it is difficult to form a fine circuit.

【0003】[0003]

【発明の目的】本発明は、上記従来の欠点を解決するた
めに成されたもので、エッチング処理の際に強い酸を用
いることなくエッチング処理し微細な金属薄膜回路を形
成させる方法を提供することを目的とするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional drawbacks and provides a method for forming a fine metal thin film circuit by etching without using a strong acid. That is the purpose.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明の薄膜回路形成法
は、ガラス又はセラミックス基板上に金属薄膜回路を形
成させる方法において、光重合する性質を有する樹脂成
分と、光重合する性質を有する樹脂成分と金属の化合物
及び/又は錯塩と、有機溶媒の混合溶液より成る光重合
する性質を有する薄膜形成材料を塗布し、乾燥後、フォ
トマスクして露光し、次いで現像液で処理した後、焼成
することを特徴とする薄膜回路形成法である。
The thin film circuit forming method of the present invention is a method for forming a metal thin film circuit on a glass or ceramic substrate, in which a resin component having a photopolymerization property and a resin having a photopolymerization property are used. A thin film-forming material composed of a mixed solution of a component and a metal compound and / or a complex salt and an organic solvent, which has a property of photopolymerization, is applied, dried, photomasked, exposed, and then treated with a developing solution, and then baked. This is a thin film circuit forming method.

【0005】本発明で使用する光重合する性質を有する
樹脂成分としては、エポキシ系アクリレートオリゴマや
ウレタン系アクリレートオリゴマ等から選び、金属とし
てはAu、Pt、Ag、Pd、Rh、Ir、Ru、C
u、Ni等から選ばれたものが使用でき、この樹脂成分
と、この樹脂成分と金属の化合物及び/又は錯塩へ有機
溶媒を加えて均一な溶液状としたものが、光重合する性
質を有する薄膜形成材料として使用できる。
The photopolymerizable resin component used in the present invention is selected from epoxy-based acrylate oligomers and urethane-based acrylate oligomers, and the metal is Au, Pt, Ag, Pd, Rh, Ir, Ru, C.
A material selected from u, Ni, etc. can be used, and this resin component and a compound and / or complex salt of this resin component and a metal which are added to an organic solvent to form a uniform solution have a property of photopolymerization. It can be used as a thin film forming material.

【0006】前記薄膜形成材料の塗布方法は、各種印刷
法、スピンコータ、ディピング、筆塗り、スタンプ、ロ
ーリング等の方法より選択して塗布すればよい。次いで
乾燥する方法としては無風オーブンまたは乾燥機中、1
00〜125℃で10分間行えばよいものである。
The coating method of the thin film forming material may be selected from various printing methods, spin coaters, dipping, brush coating, stamping, rolling and the like. Next, the method for drying is as follows:
It may be carried out at 00 to 125 ° C. for 10 minutes.

【0007】次に、所望の回路が描かれたフォトマスク
を塗布面にして、露光するが、その条件はポジタイプ、
ネガタイプ共一般的におこなわれているフォトリソエッ
チング法で用いられる条件でよく、また現像液としても
通常のフォトレジストに用いられているもので光重合さ
せていない部分または光重合した部分の溶解をする。
Next, a photomask on which a desired circuit is drawn is used as a coating surface and exposed to light.
Negative type can be used under the conditions used in commonly used photolithographic etching method, and it is also used as a developing solution for ordinary photoresists, and dissolves non-photopolymerized or photopolymerized parts. .

【0008】その後、大気中で焼成温度500〜850
℃で1〜10分間行うことで所望の金属薄膜回路を形成
させることができるものである。以下、本発明をより具
体的にするために、実施例により説明するが、該実施例
は本発明を限定するものではない。
Thereafter, the firing temperature is 500 to 850 in the atmosphere.
A desired metal thin film circuit can be formed by carrying out at 1 ° C. for 1 to 10 minutes. Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the Examples are not intended to limit the present invention.

【0009】[0009]

【実施例1】ガラスグレーズ基板(75mm×150m
m×厚さ0.85mm)にネガタイプの光重合金メタロ
オーガニック(ウレタンアクリレートオリゴマー)を全
面にスクリーン印刷法で塗布し、120℃で10分間乾
燥した後、ポジフォトマスクをして光源を紫外線ランプ
にて露光時間10秒で露光し重合させた。次いで、現像
液としてNMD−3(東京応化社製)を用い処理し、そ
の後大気中800℃で10分間焼成してライン巾25ミ
クロン、厚み0.5ミクロンの金の回路を形成させるこ
とができた。
[Example 1] Glass glaze substrate (75 mm x 150 m
(m x thickness 0.85mm) negative type photo-polymerized gold metalloorganic (urethane acrylate oligomer) is applied on the entire surface by screen printing method, dried at 120 ° C for 10 minutes, and then a positive photomask is used as a light source for an ultraviolet lamp. Was exposed for 10 seconds for polymerization. Then, NMD-3 (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) is used as a developing solution, and then baked at 800 ° C. for 10 minutes in the atmosphere to form a gold circuit having a line width of 25 μm and a thickness of 0.5 μm. It was

【0010】[0010]

【実施例2】ガラスグレーズ基板(75mm×150m
m×厚さ0.85mm)に光重合白金メタロオーガニッ
ク(エポキシアクリレートオリゴマー)を全面にスピン
コータ法で塗布し、120℃で10分間乾燥した後、ポ
ジフォトマスクをして光源を紫外線ランプにて露光時間
10秒で露光し重合させた。次いで、現像液としてNM
D−3(東京応化社製)を用い処理し、その後800℃
で10分間焼成してライン巾25ミクロン、厚み0.3
ミクロンの白金回路を形成させることができた。
[Example 2] Glass glaze substrate (75 mm x 150 m
m × thickness 0.85 mm) photopolymerized platinum metalloorganic (epoxy acrylate oligomer) is applied to the entire surface by spin coater method, dried at 120 ° C. for 10 minutes, and then exposed to an ultraviolet lamp as a light source using a positive photomask. It was exposed and polymerized for 10 seconds. Then NM as a developer
Treated with D-3 (manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.), then 800 ° C
Line width 25 microns, thickness 0.3 after firing for 10 minutes
A micron platinum circuit could be formed.

【0011】[0011]

【発明の効果】以上の説明で明らかのように、本発明の
方法は光重合する性質を有する薄膜形成材料を用い、ガ
ラス又はセラミックス基板上に塗布し、乾燥した後、所
望の回路が描かれたポジまたはネガフォトマスクをし、
露光、現像して焼成することで微細な金属薄膜回路を形
成させることができ、従来の方法では薄膜を形成した後
エッチング液として強い酸を用いなければならない方法
と比較し、現像液で処理することができるので微細な回
路を容易に形成させることができ、ガラス又はセラミッ
クスの基板をも痛めることもなく極めて効果的なものと
いえる。
As is apparent from the above description, the method of the present invention uses a thin film-forming material having a property of photopolymerization, coats it on a glass or ceramic substrate, and after drying, a desired circuit is drawn. Positive or negative photomask,
It is possible to form a fine metal thin film circuit by exposing, developing and baking. Compared with the method in which a strong acid is used as an etching solution after forming a thin film in the conventional method, it is treated with a developing solution. Since it is possible to form a fine circuit easily, it can be said that it is extremely effective without damaging the glass or ceramic substrate.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ガラス又はセラミックス基板上に金属薄
膜回路を形成させる方法において、光重合する性質を有
する樹脂成分と、光重合する性質を有する樹脂成分と金
属の化合物及び/又は錯塩と、有機溶媒の混合溶液より
成る光重合する性質を有する薄膜形成材料を塗布し、乾
燥後、フォトマスクして露光し、次いで現像液で処理し
た後、焼成することを特徴とする薄膜回路形成法。
1. A method of forming a metal thin film circuit on a glass or ceramic substrate, wherein a resin component having a photopolymerization property, a compound and / or a complex salt of a resin component and a metal having a photopolymerization property, and an organic solvent are used. A method for forming a thin film circuit, which comprises coating a thin film forming material having a property of photopolymerization consisting of a mixed solution of 1), drying, exposing with a photomask, exposing with a developing solution, and then baking.
JP35553792A 1992-12-18 1992-12-18 Formation of this film circuit Pending JPH06188538A (en)

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