JPH06191929A - アルミナ質焼結体 - Google Patents
アルミナ質焼結体Info
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- JPH06191929A JPH06191929A JP4345782A JP34578292A JPH06191929A JP H06191929 A JPH06191929 A JP H06191929A JP 4345782 A JP4345782 A JP 4345782A JP 34578292 A JP34578292 A JP 34578292A JP H06191929 A JPH06191929 A JP H06191929A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】
【構成】Ａｌ2 Ｏ3 を主成分とし、Ｓｍ2 Ｏ3 を０．５
重量％以上含有するアルミナ質焼結体であり、特にＡｌ
2 Ｏ3 結晶相が存在するとともに、該結晶相粒界相にＳ
ｍＡｌＯ3 結晶相が存在することを特徴とする。このよ
うなアルミナ質焼結体は、例えば、Ａｌ2 Ｏ3 粉末とＳ
ｍ2 Ｏ3 粉末を０．５重量％以上添加し、これに有機溶
媒を加えて混合粉砕し、加熱乾燥した後バインダーを添
加し、加熱混合し混合粉粉末を得る。得られた粉末を成
形し、これを大気中において１５００〜１７００℃の範
囲内の焼成温度で焼成することにより得られる。 【効果】高周波数域ＳＨＦ帯において誘電損失（ｔａｎ
δ）を１×１０-4以下にすることができるともに、焼成
温度を１５００〜１７００℃とすることができ、容易に
製造することができる。
重量％以上含有するアルミナ質焼結体であり、特にＡｌ
2 Ｏ3 結晶相が存在するとともに、該結晶相粒界相にＳ
ｍＡｌＯ3 結晶相が存在することを特徴とする。このよ
うなアルミナ質焼結体は、例えば、Ａｌ2 Ｏ3 粉末とＳ
ｍ2 Ｏ3 粉末を０．５重量％以上添加し、これに有機溶
媒を加えて混合粉砕し、加熱乾燥した後バインダーを添
加し、加熱混合し混合粉粉末を得る。得られた粉末を成
形し、これを大気中において１５００〜１７００℃の範
囲内の焼成温度で焼成することにより得られる。 【効果】高周波数域ＳＨＦ帯において誘電損失（ｔａｎ
δ）を１×１０-4以下にすることができるともに、焼成
温度を１５００〜１７００℃とすることができ、容易に
製造することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、マイクロ波用
誘電体磁器として使用されるアルミナ質焼結体に関する
ものである。
誘電体磁器として使用されるアルミナ質焼結体に関する
ものである。
【０００２】
【従来技術】近年、例えば、自動車電話，コードレステ
レホン，パーソナル無線機，衛星放送受信機の実用化に
伴い、マイクロ波領域での回路素子として誘電体磁器が
広く使用されている。
レホン，パーソナル無線機，衛星放送受信機の実用化に
伴い、マイクロ波領域での回路素子として誘電体磁器が
広く使用されている。
【０００３】このようなマイクロ波用誘電体磁器はおも
に共振器に用いられるが、そこに要求される特性とし
て、小型化の要求に対して比誘電率が大きいこと、高周
波での誘電損失（ｔａｎδ）が小さいこと、言い換えれ
ばＱ値が大きいことが主として挙げられる。しかし、よ
り高周波数域（ＳＨＦ帯、周波数３ＧＨｚ以上）で使用
する場合、用いられる電波の波長が短波長（ミリ波）で
あるため、加工精度等の点からむしろ誘電率１０〜２０
程度の低い誘電率の材料が必要となることが知られてい
る。
に共振器に用いられるが、そこに要求される特性とし
て、小型化の要求に対して比誘電率が大きいこと、高周
波での誘電損失（ｔａｎδ）が小さいこと、言い換えれ
ばＱ値が大きいことが主として挙げられる。しかし、よ
り高周波数域（ＳＨＦ帯、周波数３ＧＨｚ以上）で使用
する場合、用いられる電波の波長が短波長（ミリ波）で
あるため、加工精度等の点からむしろ誘電率１０〜２０
程度の低い誘電率の材料が必要となることが知られてい
る。
【０００４】そこで、近年においては、このような低誘
電率の誘電体磁器のうち、高周波電子回路の導波体とし
て高周波数で作動するアルミナ磁器が注目されている。
電率の誘電体磁器のうち、高周波電子回路の導波体とし
て高周波数で作動するアルミナ磁器が注目されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする問題点】しかしながら、従来
のアルミナ磁器では、アルミナの含有率が９９．９％以
上の焼結体であり、誘電率（ε）が約１０の優れた特性
を有するが、このようなアルミナ含有率９９．９％以上
のアルミナ磁器は、１８００℃以上で焼成する必要があ
り、量産性に乏しいという問題があった。
のアルミナ磁器では、アルミナの含有率が９９．９％以
上の焼結体であり、誘電率（ε）が約１０の優れた特性
を有するが、このようなアルミナ含有率９９．９％以上
のアルミナ磁器は、１８００℃以上で焼成する必要があ
り、量産性に乏しいという問題があった。
【０００６】このような量産性という観点から考える
と、アルミナ質焼結体はアルミナ成分が多いほど焼成温
度も高くなり、その製造が困難になる。そこで、従来か
ら焼成温度を下げるためにアルミナに種々の添加物を添
加することが行われているが、焼成温度を満足できる程
度に低下させるためには添加量が多くなり、誘電損失
（ｔａｎδ）が増加するという問題があった。
と、アルミナ質焼結体はアルミナ成分が多いほど焼成温
度も高くなり、その製造が困難になる。そこで、従来か
ら焼成温度を下げるためにアルミナに種々の添加物を添
加することが行われているが、焼成温度を満足できる程
度に低下させるためには添加量が多くなり、誘電損失
（ｔａｎδ）が増加するという問題があった。
【０００７】
【問題点を解決するための手段】本発明者等は、上記の
問題点について検討を重ねた結果、Ａｌ2 Ｏ3 にＳｍ2
Ｏ3 を０．５重量％以上添加することにより、高周波数
域において誘電損失（ｔａｎδ）を１×１０-4以下にす
ることができるとともに、焼成温度を１５００〜１７０
０℃とすることができ、容易に製造することができるこ
とを知見し、本発明に至った。
問題点について検討を重ねた結果、Ａｌ2 Ｏ3 にＳｍ2
Ｏ3 を０．５重量％以上添加することにより、高周波数
域において誘電損失（ｔａｎδ）を１×１０-4以下にす
ることができるとともに、焼成温度を１５００〜１７０
０℃とすることができ、容易に製造することができるこ
とを知見し、本発明に至った。
【０００８】即ち、本発明のアルミナ質焼結体は、Ａｌ
2 Ｏ3 を主成分とし、Ｓｍ2 Ｏ3 を０．５重量％以上含
有するアルミナ質焼結体であり、特にＡｌ2 Ｏ3 結晶相
が存在し、Ａｌ2 Ｏ3 結晶相粒界中にＳｍＡｌＯ3 が存
在することを特徴とする。
2 Ｏ3 を主成分とし、Ｓｍ2 Ｏ3 を０．５重量％以上含
有するアルミナ質焼結体であり、特にＡｌ2 Ｏ3 結晶相
が存在し、Ａｌ2 Ｏ3 結晶相粒界中にＳｍＡｌＯ3 が存
在することを特徴とする。
【０００９】ここで、Ｓｍ2 Ｏ3 を０．５重量％以上含
有させたのは、Ｓｍ2 Ｏ3 を添加することにより、不可
避不純物、特にＭｇＯ等の周期律２ａ族元素のアルミナ
への固溶を抑制し、格子欠陥の生成を防止し、誘電損失
を低下させるためであり、また、１５００〜１７００℃
において焼成可能にするためである。また、Ｓｍ2 Ｏ3
が０．５重量％よりも少ないと誘電損失が増加するから
である。特にＡｌ2 Ｏ3 ２０〜９９重量％、Ｓｍ2 Ｏ3
１〜８０重量％の割合からなることが好ましい。この範
囲であると誘電率を２０以下に抑制することができるか
らである。また、粒界相中にＳｍＡｌＯ3 を存在させた
のは、焼結体全体の誘電損失を低くするためである。
有させたのは、Ｓｍ2 Ｏ3 を添加することにより、不可
避不純物、特にＭｇＯ等の周期律２ａ族元素のアルミナ
への固溶を抑制し、格子欠陥の生成を防止し、誘電損失
を低下させるためであり、また、１５００〜１７００℃
において焼成可能にするためである。また、Ｓｍ2 Ｏ3
が０．５重量％よりも少ないと誘電損失が増加するから
である。特にＡｌ2 Ｏ3 ２０〜９９重量％、Ｓｍ2 Ｏ3
１〜８０重量％の割合からなることが好ましい。この範
囲であると誘電率を２０以下に抑制することができるか
らである。また、粒界相中にＳｍＡｌＯ3 を存在させた
のは、焼結体全体の誘電損失を低くするためである。
【００１０】本発明のアルミナ質焼結体には不可避不純
物が存在しているが、この不可避不純物としては、Ｓｉ
Ｏ2 ，ＭｇＯ，ＦｅＯ3 ，Ｎａ2 Ｏがあり、存在量とし
ては、ＳｉＯ2 が０．０４重量％以下、ＭｇＯが０．４
重量％以下、Ｆｅ2 Ｏ3 が０．０３重量％以下、Ｎａ2
Ｏが０．０８重量％以下存在する場合がある。
物が存在しているが、この不可避不純物としては、Ｓｉ
Ｏ2 ，ＭｇＯ，ＦｅＯ3 ，Ｎａ2 Ｏがあり、存在量とし
ては、ＳｉＯ2 が０．０４重量％以下、ＭｇＯが０．４
重量％以下、Ｆｅ2 Ｏ3 が０．０３重量％以下、Ｎａ2
Ｏが０．０８重量％以下存在する場合がある。
【００１１】本発明のアルミナ質焼結体は、純度９９．
８％以上，平均結晶粒径２μｍ以下のＡｌ2 Ｏ3 粉末
と、純度９９．８％以上，平均結晶粒径０．５〜５μｍ
のＳｍ2 Ｏ3 粉末を０．５重量％以上添加し、これに、
例えば、イソプロピルアルコール等の有機溶媒を加え、
ボールミル等で混合粉砕する。得られたスラリーを所定
温度で加熱し乾燥した後、パラフィンワックス等のバイ
ンダーを添加し、加熱混合し混合粉粉末を得る。
８％以上，平均結晶粒径２μｍ以下のＡｌ2 Ｏ3 粉末
と、純度９９．８％以上，平均結晶粒径０．５〜５μｍ
のＳｍ2 Ｏ3 粉末を０．５重量％以上添加し、これに、
例えば、イソプロピルアルコール等の有機溶媒を加え、
ボールミル等で混合粉砕する。得られたスラリーを所定
温度で加熱し乾燥した後、パラフィンワックス等のバイ
ンダーを添加し、加熱混合し混合粉粉末を得る。
【００１２】得られた粉末を公知の成形方法、例えば、
プレス成形により成形し、これを、例えば、大気中にお
いて１５００〜１７００℃の範囲内の焼成温度で０．５
〜５時間焼成し、アルミナ質焼結体を得る。得られたア
ルミナ質焼結体には、Ａｌ2 Ｏ3 結晶相或いはＡｌ2 Ｏ
3 結晶相とＳｍ2 Ｏ3 結晶相が存在し、その粒界相中に
ＳｍＡｌＯ3 結晶相が存在する。
プレス成形により成形し、これを、例えば、大気中にお
いて１５００〜１７００℃の範囲内の焼成温度で０．５
〜５時間焼成し、アルミナ質焼結体を得る。得られたア
ルミナ質焼結体には、Ａｌ2 Ｏ3 結晶相或いはＡｌ2 Ｏ
3 結晶相とＳｍ2 Ｏ3 結晶相が存在し、その粒界相中に
ＳｍＡｌＯ3 結晶相が存在する。
【００１３】
【作用】本発明によれば、Ａｌ2 Ｏ3 にＳｍ2 Ｏ3 を
０．５重量％以上含有させることにより、不可避不純
物、特にＭｇＯ等の周期律２ａ族元素のアルミナへの固
溶を抑制し、格子欠陥の生成を防止し、誘電損失を低下
させることが可能となるとともに、１５００〜１７００
℃の範囲内で焼成可能となる。
０．５重量％以上含有させることにより、不可避不純
物、特にＭｇＯ等の周期律２ａ族元素のアルミナへの固
溶を抑制し、格子欠陥の生成を防止し、誘電損失を低下
させることが可能となるとともに、１５００〜１７００
℃の範囲内で焼成可能となる。
【００１４】また、粒界相中にＳｍＡｌＯ3 を存在させ
ることにより、焼結体の誘電損失を低下させることが可
能となる。
ることにより、焼結体の誘電損失を低下させることが可
能となる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明を次の例で説明する。純度９
９．８％，平均結晶粒径０．５μｍのＡｌ2 Ｏ3 粉末
と、純度９９．９％，平均結晶粒径１μｍのＳｍ2 Ｏ3
粉末を表１に示す割合で添加し、これに、イソプロピル
アルコールからなる有機溶媒と、アルミナボール１００
ｇとともに、ポリエチレン製ポットに入れ、４８時間混
合粉砕した。得られたスラリーを８０℃で加熱し乾燥し
た後、８０メッシュの篩いを通し、パラフィンワックス
からなるバインダーを添加し、加熱混合した後、４０メ
ッシュの篩いを通して原料粉末を得た。
９．８％，平均結晶粒径０．５μｍのＡｌ2 Ｏ3 粉末
と、純度９９．９％，平均結晶粒径１μｍのＳｍ2 Ｏ3
粉末を表１に示す割合で添加し、これに、イソプロピル
アルコールからなる有機溶媒と、アルミナボール１００
ｇとともに、ポリエチレン製ポットに入れ、４８時間混
合粉砕した。得られたスラリーを８０℃で加熱し乾燥し
た後、８０メッシュの篩いを通し、パラフィンワックス
からなるバインダーを添加し、加熱混合した後、４０メ
ッシュの篩いを通して原料粉末を得た。
【００１６】得られた粉末を圧力１０００ｋｇ／ｃｍ2
で成形し、直径６０ｍｍ厚さ２ｍｍに成形し、これを表
１に示すような温度で焼成した。このようにして得られ
た焼結体をアセトンにて１０分間超音波洗浄した後、自
然乾燥し試料とした。
で成形し、直径６０ｍｍ厚さ２ｍｍに成形し、これを表
１に示すような温度で焼成した。このようにして得られ
た焼結体をアセトンにて１０分間超音波洗浄した後、自
然乾燥し試料とした。
【００１７】得られた試料を、空洞共振器法により、ネ
ットワークアナライザー（ＨＰ−８７５７Ｃ）、シンセ
サイズドスイーパー（ＨＰ−８７５７Ｃ）で測定周波数
８〜９ＧＨｚにおいて誘電率および誘電損失（ｔａｎ
δ）を測定した。この結果を表１に示す。
ットワークアナライザー（ＨＰ−８７５７Ｃ）、シンセ
サイズドスイーパー（ＨＰ−８７５７Ｃ）で測定周波数
８〜９ＧＨｚにおいて誘電率および誘電損失（ｔａｎ
δ）を測定した。この結果を表１に示す。
【００１８】
【表１】
【００１９】表１において、Ｓｍ2 Ｏ3 が０．５重量％
以下の場合には誘電損失が非常に高くなることが判る。
これに対して、Ｓｍ2 Ｏ3 が０．５重量％以上添加した
本発明のアルミナ質焼結体の場合には、焼成温度が１５
５０〜１７００℃であり、誘電率が１０〜２２で、ＧＨ
ｚ帯における誘電損失も１×１０-4以下と低いことが判
る。
以下の場合には誘電損失が非常に高くなることが判る。
これに対して、Ｓｍ2 Ｏ3 が０．５重量％以上添加した
本発明のアルミナ質焼結体の場合には、焼成温度が１５
５０〜１７００℃であり、誘電率が１０〜２２で、ＧＨ
ｚ帯における誘電損失も１×１０-4以下と低いことが判
る。
【００２０】尚、本発明のアルミナ質焼結体の結晶相を
Ｘ線回折より確認し、熱リン酸でケミカルエッチングし
た焼結体を波長分散型マイクロアナライザーを用いて局
所分析を行ったところ、Ａｌ2 Ｏ3 結晶相が存在し、粒
界相中にＳｍＡｌＯ3 結晶相が存在することを確認し
た。
Ｘ線回折より確認し、熱リン酸でケミカルエッチングし
た焼結体を波長分散型マイクロアナライザーを用いて局
所分析を行ったところ、Ａｌ2 Ｏ3 結晶相が存在し、粒
界相中にＳｍＡｌＯ3 結晶相が存在することを確認し
た。
【００２１】
【発明の効果】以上記述したように、本発明のアルミナ
質焼結体では、Ａｌ2 Ｏ3 を主成分とし、Ｓｍ2 Ｏ3 を
０．５重量％以上含有するため、不可避不純物、特にＭ
ｇＯ等の周期律２ａ族元素のアルミナへの固溶を抑制
し、格子欠陥の生成を防止し、誘電損失を低下させるこ
とができるとともに、１５００〜１７００℃の範囲内で
焼成することができる。これにより、高周波数域ＳＨＦ
帯（周波数３ＧＨｚ以上）で使用する場合に最適な誘電
体磁器を提供することができるとともに、量産性に適し
た誘電体磁器を提供することができる。
質焼結体では、Ａｌ2 Ｏ3 を主成分とし、Ｓｍ2 Ｏ3 を
０．５重量％以上含有するため、不可避不純物、特にＭ
ｇＯ等の周期律２ａ族元素のアルミナへの固溶を抑制
し、格子欠陥の生成を防止し、誘電損失を低下させるこ
とができるとともに、１５００〜１７００℃の範囲内で
焼成することができる。これにより、高周波数域ＳＨＦ
帯（周波数３ＧＨｚ以上）で使用する場合に最適な誘電
体磁器を提供することができるとともに、量産性に適し
た誘電体磁器を提供することができる。
【００２２】また、粒界相中にＳｍＡｌＯ3 を存在させ
ることにより、焼結体の誘電損失を低下させることがで
きる。
ることにより、焼結体の誘電損失を低下させることがで
きる。
Claims (2)
- 【請求項１】Ａｌ2 Ｏ3 を主成分とし、Ｓｍ2 Ｏ3 を
０．５重量％以上含有することを特徴とするアルミナ質
焼結体。 - 【請求項２】Ａｌ2 Ｏ3 結晶相が存在するとともに、該
結晶相粒界にＳｍＡｌＯ3 が存在することを特徴とする
請求項１記載のアルミナ質焼結体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04345782A JP3131058B2 (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | アルミナ質焼結体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04345782A JP3131058B2 (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | アルミナ質焼結体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06191929A true JPH06191929A (ja) | 1994-07-12 |
| JP3131058B2 JP3131058B2 (ja) | 2001-01-31 |
Family
ID=18378942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04345782A Expired - Fee Related JP3131058B2 (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | アルミナ質焼結体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3131058B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4814041A (en) * | 1986-10-08 | 1989-03-21 | International Business Machines Corporation | Method of forming a via-hole having a desired slope in a photoresist masked composite insulating layer |
| JPH08325054A (ja) * | 1995-05-31 | 1996-12-10 | Kyocera Corp | 低誘電損失体 |
| JP2014518559A (ja) * | 2011-03-08 | 2014-07-31 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 酸化アルミニウムペーストおよびその使用方法 |
| WO2015056702A1 (ja) * | 2013-10-15 | 2015-04-23 | 住友大阪セメント株式会社 | 耐食性部材、静電チャック装置 |
-
1992
- 1992-12-25 JP JP04345782A patent/JP3131058B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4814041A (en) * | 1986-10-08 | 1989-03-21 | International Business Machines Corporation | Method of forming a via-hole having a desired slope in a photoresist masked composite insulating layer |
| JPH08325054A (ja) * | 1995-05-31 | 1996-12-10 | Kyocera Corp | 低誘電損失体 |
| JP2014518559A (ja) * | 2011-03-08 | 2014-07-31 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 酸化アルミニウムペーストおよびその使用方法 |
| WO2015056702A1 (ja) * | 2013-10-15 | 2015-04-23 | 住友大阪セメント株式会社 | 耐食性部材、静電チャック装置 |
| JPWO2015056702A1 (ja) * | 2013-10-15 | 2017-03-09 | 住友大阪セメント株式会社 | 耐食性部材、静電チャック装置 |
| US10189745B2 (en) | 2013-10-15 | 2019-01-29 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Corrosion-resistant member and electrostatic chuck device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3131058B2 (ja) | 2001-01-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081117 Year of fee payment: 8 |
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