JPH06191971A - 複合セラミック部材 - Google Patents
複合セラミック部材Info
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- JPH06191971A JPH06191971A JP4342984A JP34298492A JPH06191971A JP H06191971 A JPH06191971 A JP H06191971A JP 4342984 A JP4342984 A JP 4342984A JP 34298492 A JP34298492 A JP 34298492A JP H06191971 A JPH06191971 A JP H06191971A
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- silicon nitride
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5053—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials non-oxide ceramics
- C04B41/5062—Borides, Nitrides or Silicides
- C04B41/5066—Silicon nitride
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】炭化珪素：窒化珪素が１：９乃至９：１の割合
で含有する複合焼結体からなる基体上に、炭化珪素およ
び窒化珪素からなり、基体における炭化珪素／（窒化珪
素＋炭化珪素）に対する比率と、複合膜におけるその比
率の差が絶対値で０．３以内の複合膜を形成する。 【効果】成膜時や研磨時にクラックの発生のない良質な
膜を形成することができ、基体の優れた機械的特性を維
持しつつ、耐食性、耐酸化性に優れた高純度の膜を形成
することができ、半導体部品用の治具、高温機械材料
や、慴動部材等への用途を拡大することができる。
で含有する複合焼結体からなる基体上に、炭化珪素およ
び窒化珪素からなり、基体における炭化珪素／（窒化珪
素＋炭化珪素）に対する比率と、複合膜におけるその比
率の差が絶対値で０．３以内の複合膜を形成する。 【効果】成膜時や研磨時にクラックの発生のない良質な
膜を形成することができ、基体の優れた機械的特性を維
持しつつ、耐食性、耐酸化性に優れた高純度の膜を形成
することができ、半導体部品用の治具、高温機械材料
や、慴動部材等への用途を拡大することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、炭化珪素および窒化珪
素を主体としてなる耐食性、耐酸化性に優れた複合セラ
ミック部材に関するものである。
素を主体としてなる耐食性、耐酸化性に優れた複合セラ
ミック部材に関するものである。
【０００２】
【従来技術】炭化珪素や窒化珪素を主体としてなる焼結
体は、機械的強度、硬度、耐熱性などに優れることから
エンジニアリングセラミックスとして注目され、各種の
構造材料あるいは熱機関用材料として応用されている。
体は、機械的強度、硬度、耐熱性などに優れることから
エンジニアリングセラミックスとして注目され、各種の
構造材料あるいは熱機関用材料として応用されている。
【０００３】窒化珪素質焼結体は、強度、靱性および耐
熱性に優れるものの高温での強度が低下するという性質
を有し、炭化珪素質焼結体は、高温における強度や耐薬
品性に優れるものの靱性に乏しいという問題がある。そ
こで、最近ではこの炭化珪素と窒化珪素を複合化させる
ことによりそれぞれの欠点を補った焼結体が提案されて
いる。
熱性に優れるものの高温での強度が低下するという性質
を有し、炭化珪素質焼結体は、高温における強度や耐薬
品性に優れるものの靱性に乏しいという問題がある。そ
こで、最近ではこの炭化珪素と窒化珪素を複合化させる
ことによりそれぞれの欠点を補った焼結体が提案されて
いる。
【０００４】一方、セラミックに対して、その表面の改
質を目的としてその表面に性質の異なる物質をコーティ
ングし、耐酸化性や摺動特性を改善させることも行わ
れ、それにより応用分野を拡大することも行われてい
る。
質を目的としてその表面に性質の異なる物質をコーティ
ングし、耐酸化性や摺動特性を改善させることも行わ
れ、それにより応用分野を拡大することも行われてい
る。
【０００５】特に、炭化珪素や窒化珪素はコーティング
材料としても注目され、例えばＣＶＤ法等によれば高純
度の膜が生成されることから耐熱性や耐酸化性などの改
善を行うことができるために半導体製造用治具などへの
応用が期待される。
材料としても注目され、例えばＣＶＤ法等によれば高純
度の膜が生成されることから耐熱性や耐酸化性などの改
善を行うことができるために半導体製造用治具などへの
応用が期待される。
【０００６】
【発明が解決しようとする問題点】しかしながら、炭化
珪素と窒化珪素の複合焼結体からなる基体の表面にＣＶ
Ｄ法などにより炭化珪素または窒化珪素をコーティング
すると、例えば、熱ＣＶＤ法によれば、複合焼結体と炭
化珪素または窒化珪素との間に熱膨張差が存在するため
に、およそ１０００℃以上の生成温度からの冷却過程、
加工時に膜にクラックが発生してしまうという問題があ
った。
珪素と窒化珪素の複合焼結体からなる基体の表面にＣＶ
Ｄ法などにより炭化珪素または窒化珪素をコーティング
すると、例えば、熱ＣＶＤ法によれば、複合焼結体と炭
化珪素または窒化珪素との間に熱膨張差が存在するため
に、およそ１０００℃以上の生成温度からの冷却過程、
加工時に膜にクラックが発生してしまうという問題があ
った。
【０００７】成膜方法としてプラズマＣＶＤ法やＰＶＤ
法によれば、熱ＣＶＤ法よりも低温で合成することがで
きるが、基体と膜間の熱膨張差に起因する内部応力が膜
中に発生し、それが大きくなるとやはり膜が破壊してし
まう。
法によれば、熱ＣＶＤ法よりも低温で合成することがで
きるが、基体と膜間の熱膨張差に起因する内部応力が膜
中に発生し、それが大きくなるとやはり膜が破壊してし
まう。
【０００８】例えば、炭化珪素と窒化珪素との複合材料
に炭化珪素単体あるいは窒化珪素単体をコーティングし
た場合、その膜厚が約１０μｍ以上になると熱応力によ
って膜にクラックが発生してしまうのが現状であった。
に炭化珪素単体あるいは窒化珪素単体をコーティングし
た場合、その膜厚が約１０μｍ以上になると熱応力によ
って膜にクラックが発生してしまうのが現状であった。
【０００９】
【問題を解決するための手段】本発明者は、上記の問題
点に対して検討を重ねた結果、窒化珪素および炭化珪素
を主成分とする複合焼結体の表面に形成する膜を、基体
成分と同様な炭化珪素および窒化珪素の複合体により形
成することにより、基体との密着性に優れ、且つ膜にク
ラックの発生しない優れた複合材料が得られることを知
見したものである。
点に対して検討を重ねた結果、窒化珪素および炭化珪素
を主成分とする複合焼結体の表面に形成する膜を、基体
成分と同様な炭化珪素および窒化珪素の複合体により形
成することにより、基体との密着性に優れ、且つ膜にク
ラックの発生しない優れた複合材料が得られることを知
見したものである。
【００１０】即ち、本発明は、炭化珪素および窒化珪素
を主成分とする複合焼結体からなる基体上に、炭化珪素
および窒化珪素からなる複合膜を形成したことを特徴と
する複合セラミック部材に関するもので、特に、基体に
おける炭化珪素／（窒化珪素＋炭化珪素）で表される比
率と、前記複合膜の前記比率との差が絶対値で０．３以
内であることを特徴とするものである。
を主成分とする複合焼結体からなる基体上に、炭化珪素
および窒化珪素からなる複合膜を形成したことを特徴と
する複合セラミック部材に関するもので、特に、基体に
おける炭化珪素／（窒化珪素＋炭化珪素）で表される比
率と、前記複合膜の前記比率との差が絶対値で０．３以
内であることを特徴とするものである。
【００１１】以下、本発明を詳述する。本発明の複合セ
ラミック体における基体は、炭化珪素および窒化珪素を
主成分とする焼結体からなるものであって、具体的には
炭化珪素と窒化珪素の重量比率が１：９乃至９：１の比
率で存在するもので、その他にＹ2 Ｏ3 やＥｒ2 Ｏ3 、
Ｙｂ2 Ｏ3 などの周期律表３ａ族金属酸化物やＡｌ2 Ｏ
3 、ＭｇＯなどの焼結助剤を０．５乃至２０重量％の割
合で添加したり、周期律表４ａ，５ａ，６ａ族遷移金属
の酸化物、窒化物、炭化物および炭素などを特性改善を
目的として０．１乃至３０重量％の割合で添加されたも
のでもよい。この複合焼結体は、その相対密度が９５％
以上であることが、コーティング膜および複合セラミッ
ク体全体の特性の安定性の点で望ましい。
ラミック体における基体は、炭化珪素および窒化珪素を
主成分とする焼結体からなるものであって、具体的には
炭化珪素と窒化珪素の重量比率が１：９乃至９：１の比
率で存在するもので、その他にＹ2 Ｏ3 やＥｒ2 Ｏ3 、
Ｙｂ2 Ｏ3 などの周期律表３ａ族金属酸化物やＡｌ2 Ｏ
3 、ＭｇＯなどの焼結助剤を０．５乃至２０重量％の割
合で添加したり、周期律表４ａ，５ａ，６ａ族遷移金属
の酸化物、窒化物、炭化物および炭素などを特性改善を
目的として０．１乃至３０重量％の割合で添加されたも
のでもよい。この複合焼結体は、その相対密度が９５％
以上であることが、コーティング膜および複合セラミッ
ク体全体の特性の安定性の点で望ましい。
【００１２】一方、上記複合焼結体の表面に形成される
複合膜は、基体である複合焼結体と同様に成分として炭
化珪素および窒化珪素からなるものであって、膜中にお
ける炭化珪素と窒化珪素の重量比率が１：９乃至９：１
となる比率で含有するものである。
複合膜は、基体である複合焼結体と同様に成分として炭
化珪素および窒化珪素からなるものであって、膜中にお
ける炭化珪素と窒化珪素の重量比率が１：９乃至９：１
となる比率で含有するものである。
【００１３】ただし、本発明によれば、基体である複合
焼結体とその表面に形成される複合膜の炭化珪素の窒化
珪素に対する炭化珪素／（窒化珪素＋炭化珪素）で表さ
れる比率の、複合焼結体基体と複合膜との差の絶対値が
０．３以下であることが望ましい。この比率の差が０．
３を越えると基体と膜間の熱膨張差が大きくなり、膜内
に応力が発生し膜にクラックが生じてしまうためであ
る。基体と複合膜の上記比率の差は特に０．２以下が望
ましい。
焼結体とその表面に形成される複合膜の炭化珪素の窒化
珪素に対する炭化珪素／（窒化珪素＋炭化珪素）で表さ
れる比率の、複合焼結体基体と複合膜との差の絶対値が
０．３以下であることが望ましい。この比率の差が０．
３を越えると基体と膜間の熱膨張差が大きくなり、膜内
に応力が発生し膜にクラックが生じてしまうためであ
る。基体と複合膜の上記比率の差は特に０．２以下が望
ましい。
【００１４】また、基体の表面に形成される複合膜はそ
の厚みが１０μｍ以上であることが望ましいが、特に基
体となる複合焼結体と複合膜との前述した炭化珪素／
（窒化珪素＋炭化珪素）の比率の関係を満足すれば、１
００μｍ程度形成してもクラックなどの発生がなく何ら
問題はないことを確認している。
の厚みが１０μｍ以上であることが望ましいが、特に基
体となる複合焼結体と複合膜との前述した炭化珪素／
（窒化珪素＋炭化珪素）の比率の関係を満足すれば、１
００μｍ程度形成してもクラックなどの発生がなく何ら
問題はないことを確認している。
【００１５】炭化珪素および窒化珪素からなる複合膜
は、例えば、ＣＶＤ法により形成することができる。例
えば、炭化珪素および窒化珪素からなる複合焼結体から
なる基体をＣＶＤ炉に設置し、ＣＶＤ炉中に水素ガスを
希釈ガスとして、珪素含有ガスと炭素含有ガスからなる
炭化珪素形成用ガスと、珪素含有ガスと窒素含有ガスか
らなる窒化珪素形成用ガスと同時に導入し、基体を１２
００乃至１６００℃の温度に加熱することにより、反応
ガスの分解および基体への析出により基体表面に炭化珪
素と窒化珪素の複合膜を形成することができる。複合膜
の成分比率は、ＣＶＤ炉に導入するガスの比率を制御す
ることにより任意の組成に制御することができる。
は、例えば、ＣＶＤ法により形成することができる。例
えば、炭化珪素および窒化珪素からなる複合焼結体から
なる基体をＣＶＤ炉に設置し、ＣＶＤ炉中に水素ガスを
希釈ガスとして、珪素含有ガスと炭素含有ガスからなる
炭化珪素形成用ガスと、珪素含有ガスと窒素含有ガスか
らなる窒化珪素形成用ガスと同時に導入し、基体を１２
００乃至１６００℃の温度に加熱することにより、反応
ガスの分解および基体への析出により基体表面に炭化珪
素と窒化珪素の複合膜を形成することができる。複合膜
の成分比率は、ＣＶＤ炉に導入するガスの比率を制御す
ることにより任意の組成に制御することができる。
【００１６】珪素含有ガスとしては、珪素の塩化物や水
素化物が挙げられ、その中に窒素が含まれていても良
い。また、炭素含有ガスとしては炭化水素、四塩化炭素
など、窒素含有ガスとしては窒素、アンモニアなどを用
いればよい。また、珪素と炭素を含むＳｉ（Ｍｅ）4 や
メチルクロロシランなどや、珪素と窒素を含むシラザン
などを用いてもよい。
素化物が挙げられ、その中に窒素が含まれていても良
い。また、炭素含有ガスとしては炭化水素、四塩化炭素
など、窒素含有ガスとしては窒素、アンモニアなどを用
いればよい。また、珪素と炭素を含むＳｉ（Ｍｅ）4 や
メチルクロロシランなどや、珪素と窒素を含むシラザン
などを用いてもよい。
【００１７】
【作用】本発明によれば、炭化珪素と窒化珪素との複合
材料からなる基体に、同様の組成からなる炭化珪素と窒
化珪素からなる複合膜を形成することによって、基体と
膜との熱膨張差に起因する応力の発生を低減せしめるこ
とができるために、膜の厚みが大きくなってもクラック
の発生を抑制することができる。
材料からなる基体に、同様の組成からなる炭化珪素と窒
化珪素からなる複合膜を形成することによって、基体と
膜との熱膨張差に起因する応力の発生を低減せしめるこ
とができるために、膜の厚みが大きくなってもクラック
の発生を抑制することができる。
【００１８】これにより、炭化珪素−窒化珪素複合焼結
体の特性を活かしつつ、その表面に実質的に粒界が存在
しない高純度の複合膜を十分に大きい厚みに形成するこ
とができるために、例えば、半導体製造用治具などに適
用することができる。
体の特性を活かしつつ、その表面に実質的に粒界が存在
しない高純度の複合膜を十分に大きい厚みに形成するこ
とができるために、例えば、半導体製造用治具などに適
用することができる。
【００１９】
【実施例】以下、本発明を次の例で説明する。 実施例１ Ｙ2 Ｏ3 を１０重量％の割合で含有し、炭化珪素／（窒
化珪素＋炭化珪素）＝０．６５の複合焼結体を作製し、
これをＣＶＤ炉内に設置した。そこにＣＨ3 ＳｉＣ
ｌ3 、ＳｉＣｌ4 、Ｈ2 、ＮＨ3 の混合ガスをＣＶＤ炉
に導入し、基体温度１５００℃、圧力６０Ｔｏｒｒのも
とで成膜を行い、炭化珪素／（窒化珪素＋炭化珪素）が
０．７の窒化珪素−炭化珪素複合膜を４７０μｍ析出さ
せた（試料Ｎo.１）。比較のために炭化珪素単体膜およ
び窒化珪素単体膜を表１の膜厚で成膜した（試料Ｎo.２
乃至５）。
化珪素＋炭化珪素）＝０．６５の複合焼結体を作製し、
これをＣＶＤ炉内に設置した。そこにＣＨ3 ＳｉＣ
ｌ3 、ＳｉＣｌ4 、Ｈ2 、ＮＨ3 の混合ガスをＣＶＤ炉
に導入し、基体温度１５００℃、圧力６０Ｔｏｒｒのも
とで成膜を行い、炭化珪素／（窒化珪素＋炭化珪素）が
０．７の窒化珪素−炭化珪素複合膜を４７０μｍ析出さ
せた（試料Ｎo.１）。比較のために炭化珪素単体膜およ
び窒化珪素単体膜を表１の膜厚で成膜した（試料Ｎo.２
乃至５）。
【００２０】合計５種の複合体に対して研削およびダイ
ヤモンド砥粒により研磨処理を３０分行ったところ、表
１に示すように、炭化珪素ー窒化珪素複合膜を形成した
試料Ｎo.１では研磨後も全くクラックの発生はなかっ
た。これに対して炭化珪素単体膜（試料Ｎo.２）と窒化
珪素単体（試料Ｎo.４）は成膜直後にクラックの発生は
なかったが、研磨時にクラックの発生が見られた。ま
た、厚みを厚くした単体膜（試料Ｎo.３、４）はいずれ
も成膜直後にクラックが発生した。
ヤモンド砥粒により研磨処理を３０分行ったところ、表
１に示すように、炭化珪素ー窒化珪素複合膜を形成した
試料Ｎo.１では研磨後も全くクラックの発生はなかっ
た。これに対して炭化珪素単体膜（試料Ｎo.２）と窒化
珪素単体（試料Ｎo.４）は成膜直後にクラックの発生は
なかったが、研磨時にクラックの発生が見られた。ま
た、厚みを厚くした単体膜（試料Ｎo.３、４）はいずれ
も成膜直後にクラックが発生した。
【００２１】なお、表中の膜中の炭化珪素と窒化珪素の
量は炭素分析、窒素分析により定量した。また、膜厚は
ＳＥＭ写真から判定した。なお、剥離は研削、鏡面研磨
加工による加工後に判定した。
量は炭素分析、窒素分析により定量した。また、膜厚は
ＳＥＭ写真から判定した。なお、剥離は研削、鏡面研磨
加工による加工後に判定した。
【００２２】実施例２ Ｙ2 Ｏ3 を８重量％の割合で含有し、炭化珪素／（窒化
珪素＋炭化珪素）＝０．５の複合焼結体を作製してＣＶ
Ｄ炉内に設置し、ＳｉＨ4 、Ｈ2 、ＮＨ3 、Ｃ2 Ｈ2 の
混合ガスをＣＶＤ炉に導入し、温度１３００℃、圧力５
０Ｔｏｒｒのもとでコーティングを行ない、炭化珪素／
（窒化珪素＋炭化珪素）が０．５５の複合膜を２１０μ
ｍ析出させた（試料Ｎo.６）。比較のために炭化珪素単
体を５１μｍの膜厚にコーティングを行なった（試料Ｎ
o.７）。同様に、窒化珪素単体の４６μｍの被覆も行な
った（試料Ｎo.８）。
珪素＋炭化珪素）＝０．５の複合焼結体を作製してＣＶ
Ｄ炉内に設置し、ＳｉＨ4 、Ｈ2 、ＮＨ3 、Ｃ2 Ｈ2 の
混合ガスをＣＶＤ炉に導入し、温度１３００℃、圧力５
０Ｔｏｒｒのもとでコーティングを行ない、炭化珪素／
（窒化珪素＋炭化珪素）が０．５５の複合膜を２１０μ
ｍ析出させた（試料Ｎo.６）。比較のために炭化珪素単
体を５１μｍの膜厚にコーティングを行なった（試料Ｎ
o.７）。同様に、窒化珪素単体の４６μｍの被覆も行な
った（試料Ｎo.８）。
【００２３】各複合体に対して実施例１と同様に成膜直
後、および研磨処理後の膜の状態を観察した。その結
果、表１に示すように試料Ｎo.６の炭化珪素ー窒化珪素
複合膜は研磨後も全くクラックの発生はなかった。それ
に比べて試料Ｎo.７の炭化珪素単体膜と試料Ｎo.８の窒
化珪素単体膜にはクラックの発生が見られた。
後、および研磨処理後の膜の状態を観察した。その結
果、表１に示すように試料Ｎo.６の炭化珪素ー窒化珪素
複合膜は研磨後も全くクラックの発生はなかった。それ
に比べて試料Ｎo.７の炭化珪素単体膜と試料Ｎo.８の窒
化珪素単体膜にはクラックの発生が見られた。
【００２４】実施例３ 反応炉内に炭化珪素と窒化珪素とを主成分とし、炭化珪
素／（窒化珪素＋炭化珪素）＝０．３３の重量比の焼結
体基体を設置し、そこにＣＨ3 ＳｉＣｌ3 、Ｈ2 、Ｓｉ
Ｃｌ4 およびＮＨ3 の混合ガスを導入し、温度１４００
℃、圧力６０Ｔｏｒｒのもとでコーティングを行ない、
炭化珪素と窒化珪素の比率が異なる数種の複合体を作製
した（試料Ｎo.９乃至１３）。
素／（窒化珪素＋炭化珪素）＝０．３３の重量比の焼結
体基体を設置し、そこにＣＨ3 ＳｉＣｌ3 、Ｈ2 、Ｓｉ
Ｃｌ4 およびＮＨ3 の混合ガスを導入し、温度１４００
℃、圧力６０Ｔｏｒｒのもとでコーティングを行ない、
炭化珪素と窒化珪素の比率が異なる数種の複合体を作製
した（試料Ｎo.９乃至１３）。
【００２５】その結果、窒化珪素膜からなる試料Ｎo.１
３ではクラックの発生が見られ、また炭化珪素／（窒化
珪素＋炭化珪素）比率の基体と膜との差が０．３より大
きい試料Ｎo.１０において炭化珪素単体膜または窒化珪
素単体膜ほどではないが、わずかながらクラックが観察
された。
３ではクラックの発生が見られ、また炭化珪素／（窒化
珪素＋炭化珪素）比率の基体と膜との差が０．３より大
きい試料Ｎo.１０において炭化珪素単体膜または窒化珪
素単体膜ほどではないが、わずかながらクラックが観察
された。
【００２６】
【表１】
【００２７】実施例４ 炭化珪素を窒素１０００気圧の高圧下で反応焼結させた
炭化珪素、窒化珪素および炭素からなり、炭化珪素／
（窒化珪素＋炭化珪素）＝０．２５の重量比からなる焼
結体を反応炉内に設置し、そこにＳｉＣｌ4 、Ｈ2 、Ｎ
Ｈ3 およびＣ2 Ｈ2 のガスで炭化珪素／（窒化珪素＋炭
化珪素）＝０．２０の複合膜を１４０μｍの厚みで合成
した。得られた複合膜は成膜直後および研磨後も全くク
ラックの発生はなかった。
炭化珪素、窒化珪素および炭素からなり、炭化珪素／
（窒化珪素＋炭化珪素）＝０．２５の重量比からなる焼
結体を反応炉内に設置し、そこにＳｉＣｌ4 、Ｈ2 、Ｎ
Ｈ3 およびＣ2 Ｈ2 のガスで炭化珪素／（窒化珪素＋炭
化珪素）＝０．２０の複合膜を１４０μｍの厚みで合成
した。得られた複合膜は成膜直後および研磨後も全くク
ラックの発生はなかった。
【００２８】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、炭化珪素
と窒化珪素を主成分とする焼結体の表面に炭化珪素と窒
化珪素の複合膜をコーティングすることによってクラッ
クの発生のない良質な膜が形成される。これにより複合
材料の優れた機械的特性を維持しつつ、耐食性、耐酸化
性に優れ、高純度である被膜の形成が可能となった。
と窒化珪素を主成分とする焼結体の表面に炭化珪素と窒
化珪素の複合膜をコーティングすることによってクラッ
クの発生のない良質な膜が形成される。これにより複合
材料の優れた機械的特性を維持しつつ、耐食性、耐酸化
性に優れ、高純度である被膜の形成が可能となった。
【００２９】これにより、炭化珪素質焼結体の半導体部
品用の治具、高温機械材料や、慴動部材等への用途を拡
大することができる。
品用の治具、高温機械材料や、慴動部材等への用途を拡
大することができる。
Claims (2)
- 【請求項１】炭化珪素および窒化珪素を主成分とする複
合焼結体からなる基体上に、炭化珪素および窒化珪素か
らなる複合膜を形成したことを特徴とする複合セラミッ
ク部材。 - 【請求項２】前記基体における炭化珪素／（窒化珪素＋
炭化珪素）で表される比率と、前記複合膜の前記比率と
の差が絶対値で０．３以内である請求項１記載の複合セ
ラミック部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4342984A JPH06191971A (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | 複合セラミック部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4342984A JPH06191971A (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | 複合セラミック部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06191971A true JPH06191971A (ja) | 1994-07-12 |
Family
ID=18358038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4342984A Pending JPH06191971A (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | 複合セラミック部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06191971A (ja) |
-
1992
- 1992-12-24 JP JP4342984A patent/JPH06191971A/ja active Pending
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