JPH06192844A - 無電解メッキ法 - Google Patents
無電解メッキ法Info
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- JPH06192844A JPH06192844A JP34716392A JP34716392A JPH06192844A JP H06192844 A JPH06192844 A JP H06192844A JP 34716392 A JP34716392 A JP 34716392A JP 34716392 A JP34716392 A JP 34716392A JP H06192844 A JPH06192844 A JP H06192844A
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Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 メッキ反応に伴って発生する水素を無電解メ
ッキ液から放出を容易にし、被メッキ物表面に均一なメ
ッキ被膜を形成し、外観が良好な無電解メッキ法を提供
する。 【構成】 溶存酸素を含む無電解メッキ液槽（２）内の
無電解メッキ液中に、無電解メッキの液温より３０℃低
い温度以上から無電解メッキの液温より１０℃高い温度
以下迄の温度範囲の不活性ガス、又は、無電解メッキの
液温より上下１０℃の温度範囲の酸素を含む気体を被メ
ッキ物の下方より散気する。
ッキ液から放出を容易にし、被メッキ物表面に均一なメ
ッキ被膜を形成し、外観が良好な無電解メッキ法を提供
する。 【構成】 溶存酸素を含む無電解メッキ液槽（２）内の
無電解メッキ液中に、無電解メッキの液温より３０℃低
い温度以上から無電解メッキの液温より１０℃高い温度
以下迄の温度範囲の不活性ガス、又は、無電解メッキの
液温より上下１０℃の温度範囲の酸素を含む気体を被メ
ッキ物の下方より散気する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表面処理の分野で用い
られる無電解メッキ法に関する。
られる無電解メッキ法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年無電解メッキでは、例えば、無電解
メッキの反応に伴って、被メッキ物の表面より発生する
水素は、還元作用を有しているので、水素が滞留する箇
所で無電解メッキ液中に金属の析出を起こしてしまう等
の問題があり、無電解メッキ液槽内の無電解メッキ液の
品質安定化のために、攪拌操作が重要視されている。例
えば、特開昭５４−１２１２３３では酸素を含む気体の
供給による攪拌が開示されている。これに対し、供給さ
れた酸素が過剰になると、無電解メッキ液に溶解されな
い酸素が被メッキ物表面に接触し、被メッキ物表面の酸
化により金属の析出むらを起こす。この解決法として、
特開昭４−３７６には遮蔽板を用いる方法が開示されて
いる。しかし、上記方法では、遮蔽板の設置で逆に発生
した水素の放出を妨げるため、無電解メッキ液の品質の
安定には不十分である。
メッキの反応に伴って、被メッキ物の表面より発生する
水素は、還元作用を有しているので、水素が滞留する箇
所で無電解メッキ液中に金属の析出を起こしてしまう等
の問題があり、無電解メッキ液槽内の無電解メッキ液の
品質安定化のために、攪拌操作が重要視されている。例
えば、特開昭５４−１２１２３３では酸素を含む気体の
供給による攪拌が開示されている。これに対し、供給さ
れた酸素が過剰になると、無電解メッキ液に溶解されな
い酸素が被メッキ物表面に接触し、被メッキ物表面の酸
化により金属の析出むらを起こす。この解決法として、
特開昭４−３７６には遮蔽板を用いる方法が開示されて
いる。しかし、上記方法では、遮蔽板の設置で逆に発生
した水素の放出を妨げるため、無電解メッキ液の品質の
安定には不十分である。
【０００３】従来の酸素による析出むらは、外気の温度
が低い際に多く見られる。これは、供給された酸素が被
メッキ物の表面の温度を低下し、メッキの析出より酸化
反応の進行が早いためと推察される。
が低い際に多く見られる。これは、供給された酸素が被
メッキ物の表面の温度を低下し、メッキの析出より酸化
反応の進行が早いためと推察される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の事実に
鑑みてなされたもので、その目的とするところは、メッ
キ反応に伴って発生する水素を無電解メッキ液から放出
を容易にし、被メッキ物表面に均一なメッキ被膜を形成
し、外観が良好な無電解メッキ法を提供することにあ
る。
鑑みてなされたもので、その目的とするところは、メッ
キ反応に伴って発生する水素を無電解メッキ液から放出
を容易にし、被メッキ物表面に均一なメッキ被膜を形成
し、外観が良好な無電解メッキ法を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
無電解メッキ法は、溶存酸素を含む無電解メッキ液槽内
の無電解メッキ液中に、無電解メッキの液温より３０℃
低い温度以上から無電解メッキの液温より１０℃高い温
度以下迄の温度範囲の不活性ガスを被メッキ物の下方よ
り散気することを特徴とする。
無電解メッキ法は、溶存酸素を含む無電解メッキ液槽内
の無電解メッキ液中に、無電解メッキの液温より３０℃
低い温度以上から無電解メッキの液温より１０℃高い温
度以下迄の温度範囲の不活性ガスを被メッキ物の下方よ
り散気することを特徴とする。
【０００６】本発明の請求項２に係る無電解メッキ法
は、無電解メッキ液槽内の無電解メッキ液中に、無電解
メッキの液温より上下１０℃の温度範囲の酸素を含む気
体を被メッキ物の下方より散気することを特徴とする。
は、無電解メッキ液槽内の無電解メッキ液中に、無電解
メッキの液温より上下１０℃の温度範囲の酸素を含む気
体を被メッキ物の下方より散気することを特徴とする。
【０００７】
【作用】本発明の請求項１に係る無電解メッキ法は、不
活性ガスの温度を無電解メッキの液温より３０℃低い温
度以上で、無電解メッキの液温より１０℃高い温度以下
の温度範囲に限定することにより、気体の接触による被
メッキ物の表面の温度が低下するのを防ぐことによっ
て、被メッキ物表面に析出する金属被膜のむらを防ぎ、
且つ、不活性ガスはメッキ反応には影響を与えずに無電
解メッキ液の攪拌効果をあげ、さらに、被メッキ物の下
方より散気することで、発生する水素を滞留させること
なく無電解メッキ液より放出させる。
活性ガスの温度を無電解メッキの液温より３０℃低い温
度以上で、無電解メッキの液温より１０℃高い温度以下
の温度範囲に限定することにより、気体の接触による被
メッキ物の表面の温度が低下するのを防ぐことによっ
て、被メッキ物表面に析出する金属被膜のむらを防ぎ、
且つ、不活性ガスはメッキ反応には影響を与えずに無電
解メッキ液の攪拌効果をあげ、さらに、被メッキ物の下
方より散気することで、発生する水素を滞留させること
なく無電解メッキ液より放出させる。
【０００８】本発明の請求項２に係る無電解メッキ法
は、酸素を含む気体の温度を無電解メッキの液温より上
下１０℃の温度範囲に限定することにより、気体の接触
による被メッキ物の表面の温度が低下するのを防ぐこと
によって、被メッキ物の表面のむらを防ぎ、さらに、被
メッキ物の下方より散気することで、発生する水素を滞
留させることなく無電解メッキ液より放出させる。
は、酸素を含む気体の温度を無電解メッキの液温より上
下１０℃の温度範囲に限定することにより、気体の接触
による被メッキ物の表面の温度が低下するのを防ぐこと
によって、被メッキ物の表面のむらを防ぎ、さらに、被
メッキ物の下方より散気することで、発生する水素を滞
留させることなく無電解メッキ液より放出させる。
【０００９】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の
請求項１に係る無電解メッキ法を図１に基づいて説明す
る。
請求項１に係る無電解メッキ法を図１に基づいて説明す
る。
【００１０】図１は本発明の一実施例に係る無電解メッ
キ法に使用する無電解メッキ装置のブロック図である。
キ法に使用する無電解メッキ装置のブロック図である。
【００１１】図１に示す如く、本発明を用いた無電解メ
ッキ装置は無電解メッキ槽（２）を備え、この無電解メ
ッキ槽（２）は、無電解メッキ液が満たされ、ホルダー
（９）で保持した被メッキ物（８）を無電解メッキ液中
に浸漬して無電解メッキを施すものである。
ッキ装置は無電解メッキ槽（２）を備え、この無電解メ
ッキ槽（２）は、無電解メッキ液が満たされ、ホルダー
（９）で保持した被メッキ物（８）を無電解メッキ液中
に浸漬して無電解メッキを施すものである。
【００１２】この無電解メッキ装置は、不活性ガス用の
ボンベ（４）を備え、この不活性ガスの温度を調整する
温度調整器（６）を備える。そして、無電解メッキ液槽
（２）内の被メッキ物（８）より下方に上記不活性ガス
を無電解メッキ液に散気する散気管（３）が設けられて
いる。
ボンベ（４）を備え、この不活性ガスの温度を調整する
温度調整器（６）を備える。そして、無電解メッキ液槽
（２）内の被メッキ物（８）より下方に上記不活性ガス
を無電解メッキ液に散気する散気管（３）が設けられて
いる。
【００１３】さらに、上記無電解メッキ装置は、無電解
メッキ液中に酸素を溶存させる補給槽（１０）を備え
る。そして、空気を取り込む送風機（１１）を備え、補
給槽（１０）内には無電解メッキ液に上記空気に含まれ
ている酸素を供給する散気管（１４）が設けられてい
る。空気中の酸素を供給する散気管（１４）をメッキ液
槽（２）ではなく補給槽（１０）内に設けると、メッキ
反応に伴い被メッキ物（８）の表面から発生する水素の
影響を受けずに、適切な酸素溶存濃度にできるので有用
である。
メッキ液中に酸素を溶存させる補給槽（１０）を備え
る。そして、空気を取り込む送風機（１１）を備え、補
給槽（１０）内には無電解メッキ液に上記空気に含まれ
ている酸素を供給する散気管（１４）が設けられてい
る。空気中の酸素を供給する散気管（１４）をメッキ液
槽（２）ではなく補給槽（１０）内に設けると、メッキ
反応に伴い被メッキ物（８）の表面から発生する水素の
影響を受けずに、適切な酸素溶存濃度にできるので有用
である。
【００１４】次に本発明の無電解メッキ法について図１
に基づいて説明する。上記無電解メッキ液槽（２）に
は、メッキを施すための無電解メッキ液が満たされてい
る。この無電解メッキ液は公知の各種無電解メッキ液が
用いられ、例えば無電解銅メッキ、無電解ニッケルメッ
キが挙げられる。上記無電解メッキ液の温度は一般に５
０℃〜９０℃に保持される。
に基づいて説明する。上記無電解メッキ液槽（２）に
は、メッキを施すための無電解メッキ液が満たされてい
る。この無電解メッキ液は公知の各種無電解メッキ液が
用いられ、例えば無電解銅メッキ、無電解ニッケルメッ
キが挙げられる。上記無電解メッキ液の温度は一般に５
０℃〜９０℃に保持される。
【００１５】本発明においては、不活性ガスを無電解メ
ッキ液槽（２）内の無電解メッキ液に供給する。この不
活性ガスとしては、メッキ反応には影響を与えないガス
であり、例えば窒素、アルゴン等が挙げられる。ボンベ
（４）より供給された上記不活性ガスは、温度調整器
（６）で温度を無電解メッキの液温より３０℃低い温度
〜無電解メッキの液温より１０℃高い温度範囲に調整さ
れる。上記不活性ガスの温度をこの範囲に限定すると、
上記不活性ガスと接触しても被メッキ物（８）の表面の
温度が低下しないので、表面に析出する金属被膜のむら
を起こさない。
ッキ液槽（２）内の無電解メッキ液に供給する。この不
活性ガスとしては、メッキ反応には影響を与えないガス
であり、例えば窒素、アルゴン等が挙げられる。ボンベ
（４）より供給された上記不活性ガスは、温度調整器
（６）で温度を無電解メッキの液温より３０℃低い温度
〜無電解メッキの液温より１０℃高い温度範囲に調整さ
れる。上記不活性ガスの温度をこの範囲に限定すると、
上記不活性ガスと接触しても被メッキ物（８）の表面の
温度が低下しないので、表面に析出する金属被膜のむら
を起こさない。
【００１６】そして、無電解メッキ液槽（２）内の散気
管（３）により上記不活性ガスを無電解メッキ液に散気
する。散気管（３）が無電解メッキ液槽（２）内の被メ
ッキ物（８）より下方に設けられているので、メッキ反
応の進行に伴って発生した水素を効率的に無電解メッキ
液より放出する。上記散気管（３）としては、微細分化
して不活性ガスを無電解メッキ液に散気するため、例え
ば中空多孔質のフッソ樹脂製散気管、中空多孔質のセラ
ミック製散気管等が挙げられる。
管（３）により上記不活性ガスを無電解メッキ液に散気
する。散気管（３）が無電解メッキ液槽（２）内の被メ
ッキ物（８）より下方に設けられているので、メッキ反
応の進行に伴って発生した水素を効率的に無電解メッキ
液より放出する。上記散気管（３）としては、微細分化
して不活性ガスを無電解メッキ液に散気するため、例え
ば中空多孔質のフッソ樹脂製散気管、中空多孔質のセラ
ミック製散気管等が挙げられる。
【００１７】本発明においては、無電解メッキ液は溶存
酸素が含まれている。この酸素の溶解は補給槽（１０）
内で行われ、補給槽（１０）内に設けられた散気管（１
４）により酸素を無電解メッキ液に供給し、所望の溶存
酸素濃度とする。この酸素としては、例えば酸素ボンベ
等の純粋な酸素を利用してもよいし、送風機（１１）で
空気を取り入れ、この空気中の酸素を利用してもよい。
上記補給槽（１０）内の所望の溶存酸素を含んだ無電解
メッキ液と無電解メッキ液槽（２）内の無電解メッキ液
はポンプ（１２）を介して適宜循環する。
酸素が含まれている。この酸素の溶解は補給槽（１０）
内で行われ、補給槽（１０）内に設けられた散気管（１
４）により酸素を無電解メッキ液に供給し、所望の溶存
酸素濃度とする。この酸素としては、例えば酸素ボンベ
等の純粋な酸素を利用してもよいし、送風機（１１）で
空気を取り入れ、この空気中の酸素を利用してもよい。
上記補給槽（１０）内の所望の溶存酸素を含んだ無電解
メッキ液と無電解メッキ液槽（２）内の無電解メッキ液
はポンプ（１２）を介して適宜循環する。
【００１８】本発明の請求項２に係る無電解メッキ法を
図２に基づいて説明する。図２は本発明の一実施例に係
る無電解メッキ法に使用する無電解メッキ装置のブロッ
ク図である。
図２に基づいて説明する。図２は本発明の一実施例に係
る無電解メッキ法に使用する無電解メッキ装置のブロッ
ク図である。
【００１９】図２に示す如く、この無電解メッキ槽
（２）は無電解メッキ液が満たされ、ホルダー（９）で
保持した被メッキ物（８）を無電解メッキ液中に浸漬し
て無電解メッキを施す。
（２）は無電解メッキ液が満たされ、ホルダー（９）で
保持した被メッキ物（８）を無電解メッキ液中に浸漬し
て無電解メッキを施す。
【００２０】この無電解メッキ装置は、酸素を含む気体
として空気を取り込む送風機（１１）を備え、この空気
の温度を調整する温度調整器（６）を備える。そして、
無電解メッキ液槽（２）内の被メッキ物（８）より下方
に上記空気を無電解メッキ液に散気する散気管（３）が
設けられている。
として空気を取り込む送風機（１１）を備え、この空気
の温度を調整する温度調整器（６）を備える。そして、
無電解メッキ液槽（２）内の被メッキ物（８）より下方
に上記空気を無電解メッキ液に散気する散気管（３）が
設けられている。
【００２１】次に上記無電解メッキ法の酸素を含む気体
の散気について説明する。本発明においては、酸素を含
む気体として空気を無電解メッキ液槽（２）内の無電解
メッキ液に散気する。送風機（１１）より取り入れた上
記空気は、温度調整器（６）で温度を無電解メッキの液
温の上下１０℃の温度範囲に調整される。上記空気の温
度をこの範囲に限定すると、上記空気と接触しても被メ
ッキ物（８）の表面の温度が低下しないので、表面に析
出する金属被膜のむらを起こさない。無電解メッキ液槽
（２）内の散気管（３）により上記空気を無電解メッキ
液に散気する。この散気で、無電解メッキ液に空気中の
酸素が溶解する。
の散気について説明する。本発明においては、酸素を含
む気体として空気を無電解メッキ液槽（２）内の無電解
メッキ液に散気する。送風機（１１）より取り入れた上
記空気は、温度調整器（６）で温度を無電解メッキの液
温の上下１０℃の温度範囲に調整される。上記空気の温
度をこの範囲に限定すると、上記空気と接触しても被メ
ッキ物（８）の表面の温度が低下しないので、表面に析
出する金属被膜のむらを起こさない。無電解メッキ液槽
（２）内の散気管（３）により上記空気を無電解メッキ
液に散気する。この散気で、無電解メッキ液に空気中の
酸素が溶解する。
【００２２】また、請求項１及び２にかかる発明におい
て、無電解メッキ液槽（２）内の無電解メッキ液は、金
属イオン濃度、還元剤の濃度、ｐＨ値等を測定し、メッ
キ反応に伴って変化する無電解メッキ液の組成を維持す
るため、新たに金属イオン化合物、金属イオンの還元
剤、ｐＨ調整剤を適宜無電解メッキ液に補給する。
て、無電解メッキ液槽（２）内の無電解メッキ液は、金
属イオン濃度、還元剤の濃度、ｐＨ値等を測定し、メッ
キ反応に伴って変化する無電解メッキ液の組成を維持す
るため、新たに金属イオン化合物、金属イオンの還元
剤、ｐＨ調整剤を適宜無電解メッキ液に補給する。
【００２３】
実施例１ 図１に示す無電解メッキ装置を用いて無電解銅メッキを
行った。無電解メッキ液槽（２）に下記無電解銅メッキ
液を満たした。なお、この無電解銅メッキ液にｐＨ調整
剤としてＮａＯＨを加え、ｐＨを測定したところｐＨは
１２．０であった。被メッキ物（８）としてキャタリス
トーアクセレータ法によってＰｄ核を付与した２００ｍ
ｍ角のガラスエポキシ樹脂基板を１０枚、ホルダー
（９）に１０ｍｍ間隔でセットしこの無電解銅メッキ液
に浸漬した。無電解メッキ液槽（２）中の無電解銅メッ
キ液の銅イオン濃度、ＨＣＨＯ濃度、ｐＨ値を測定し、
メッキ反応に伴い、上記濃度やｐＨが一定となるよう銅
イオン、ＨＣＨＯ、ＮａＯＨを補給した。
行った。無電解メッキ液槽（２）に下記無電解銅メッキ
液を満たした。なお、この無電解銅メッキ液にｐＨ調整
剤としてＮａＯＨを加え、ｐＨを測定したところｐＨは
１２．０であった。被メッキ物（８）としてキャタリス
トーアクセレータ法によってＰｄ核を付与した２００ｍ
ｍ角のガラスエポキシ樹脂基板を１０枚、ホルダー
（９）に１０ｍｍ間隔でセットしこの無電解銅メッキ液
に浸漬した。無電解メッキ液槽（２）中の無電解銅メッ
キ液の銅イオン濃度、ＨＣＨＯ濃度、ｐＨ値を測定し、
メッキ反応に伴い、上記濃度やｐＨが一定となるよう銅
イオン、ＨＣＨＯ、ＮａＯＨを補給した。
【００２４】無電解銅メッキ液の条件 ・ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 Ｏ−−−−−−１０ｇ／リットル ・ＥＤＴＡ２Ｎａ２Ｈ2 Ｏ−−−−−３０ｇ／リットル ・ＨＣＨＯ−−−−−−−−−−−−１．８ｇ／リット
ル ・シアン系添加剤−−−−−−−−−１０ｍｇ／リット
ル ・ポリエチレングリコール−−−−−２００ｍｇ／リッ
トル ・ｐＨ−−−−−−−−−−−−−−１２．０ ・液温−−−−−−−−−−−−−−６０℃ ・比重−−−−−−−−−−−−−−１．０８０ 不活性ガスとして、ボンベ（４）の窒素ガスを用いた。
上記窒素ガスの温度を温度調整器（６）で６０±５℃と
なるよう加温した。多孔質セラミック製の散気管（３）
を無電解メッキ液槽（２）内の上記被メッキ物（８）よ
り下方に設け、上記窒素ガスを無電解メッキ液に散気し
た。一方無電解銅メッキ液の補給槽（１０）内に散気管
（１４）を設け、酸素として送風機（１１）で空気を取
り入れ、この空気を補給槽（１０）内の無電解銅メッキ
液に供給した。そして、無電解メッキ液槽（２）内の無
電解銅メッキ液と補給槽（１０）内の無電解銅メッキ液
をポンプ（１２）を介して循環した。無電解メッキ液槽
（２）内の無電解銅メッキ液の溶存酸素濃度は０．５ｐ
ｐｍの一定値に保持した。上記無電解銅メッキを４時間
施し、４時間目に処理した基板を測定用の試料とした。
ル ・シアン系添加剤−−−−−−−−−１０ｍｇ／リット
ル ・ポリエチレングリコール−−−−−２００ｍｇ／リッ
トル ・ｐＨ−−−−−−−−−−−−−−１２．０ ・液温−−−−−−−−−−−−−−６０℃ ・比重−−−−−−−−−−−−−−１．０８０ 不活性ガスとして、ボンベ（４）の窒素ガスを用いた。
上記窒素ガスの温度を温度調整器（６）で６０±５℃と
なるよう加温した。多孔質セラミック製の散気管（３）
を無電解メッキ液槽（２）内の上記被メッキ物（８）よ
り下方に設け、上記窒素ガスを無電解メッキ液に散気し
た。一方無電解銅メッキ液の補給槽（１０）内に散気管
（１４）を設け、酸素として送風機（１１）で空気を取
り入れ、この空気を補給槽（１０）内の無電解銅メッキ
液に供給した。そして、無電解メッキ液槽（２）内の無
電解銅メッキ液と補給槽（１０）内の無電解銅メッキ液
をポンプ（１２）を介して循環した。無電解メッキ液槽
（２）内の無電解銅メッキ液の溶存酸素濃度は０．５ｐ
ｐｍの一定値に保持した。上記無電解銅メッキを４時間
施し、４時間目に処理した基板を測定用の試料とした。
【００２５】実施例２ 図１に示す無電解メッキ装置を用いて無電解ニッケルメ
ッキを行った。無電解メッキ液槽（２）に下記条件の無
電解ニッケルメッキ液を満たし、実施例１と同様の被メ
ッキ物（８）を用い、無電解ニッケルメッキ液に浸漬し
た。無電解メッキ液槽（２）中の無電解ニッケルメッキ
液のニッケルイオン濃度、次亜燐酸濃度、ｐＨ値を測定
し、メッキ反応に伴い、上記濃度やｐＨが一定となるよ
うニッケルイオン、次亜燐酸ナトリウム、ＮａＯＨ又は
Ｈ2 ＳＯ4 を補給した。
ッキを行った。無電解メッキ液槽（２）に下記条件の無
電解ニッケルメッキ液を満たし、実施例１と同様の被メ
ッキ物（８）を用い、無電解ニッケルメッキ液に浸漬し
た。無電解メッキ液槽（２）中の無電解ニッケルメッキ
液のニッケルイオン濃度、次亜燐酸濃度、ｐＨ値を測定
し、メッキ反応に伴い、上記濃度やｐＨが一定となるよ
うニッケルイオン、次亜燐酸ナトリウム、ＮａＯＨ又は
Ｈ2 ＳＯ4 を補給した。
【００２６】無電解ニッケルメッキ液の条件 ・ＮｉＳＯ4 ６Ｈ2 Ｏ−−−−−−−−−−−０．１ｍ
ｏｌ／リットル ・Ｃ6 Ｈ5 Ｏ7 Ｎａ3 ２Ｈ2 Ｏ−−−−−−−０．４ｍ
ｏｌ／リットル ・ＮａＨ2 ＰＯ2 Ｈ2 Ｏ−−−−−−−−−−０．１ｍ
ｏｌ／リットル ・ｐＨ−−−−−−−−−−−−−−−−−−５．０ ・液温−−−−−−−−−−−−−−−−−−９０℃ ・メッキ液の比重−−−−−−−−−−−−−１．０６
０ 不活性ガスとして、ボンベ（４）の窒素ガスを用いた。
上記窒素ガスの温度を温度調整器（６）で７０±５℃と
なるよう加温した以外は実施例１と同様にして無電解ニ
ッケルメッキを２時間施し、２時間目に処理した基板を
測定用の試料とした。
ｏｌ／リットル ・Ｃ6 Ｈ5 Ｏ7 Ｎａ3 ２Ｈ2 Ｏ−−−−−−−０．４ｍ
ｏｌ／リットル ・ＮａＨ2 ＰＯ2 Ｈ2 Ｏ−−−−−−−−−−０．１ｍ
ｏｌ／リットル ・ｐＨ−−−−−−−−−−−−−−−−−−５．０ ・液温−−−−−−−−−−−−−−−−−−９０℃ ・メッキ液の比重−−−−−−−−−−−−−１．０６
０ 不活性ガスとして、ボンベ（４）の窒素ガスを用いた。
上記窒素ガスの温度を温度調整器（６）で７０±５℃と
なるよう加温した以外は実施例１と同様にして無電解ニ
ッケルメッキを２時間施し、２時間目に処理した基板を
測定用の試料とした。
【００２７】実施例３ 図２に示す無電解メッキ装置を用いて無電解銅メッキを
行った。無電解銅メッキ液の条件、被メッキ物（８）は
実施例１と同一のものを用いた。
行った。無電解銅メッキ液の条件、被メッキ物（８）は
実施例１と同一のものを用いた。
【００２８】そして、酸素を含む気体として空気を送風
機（１１）より取り入れ、温度調整器（６）で６０±５
℃となるよう加温し、多孔質セラミック製の散気管
（３）をメッキ液槽（２）内の上記被メッキ物（８）よ
り下方に設け、上記空気を無電解メッキ液槽（２）の無
電解銅メッキ液に散気した。無電解メッキ液槽（２）内
の無電解銅メッキ液の溶存酸素濃度は４．５ｐｐｍであ
った。上記無電解銅メッキを４時間施し、４時間目に処
理した基板を測定用の試料とした。
機（１１）より取り入れ、温度調整器（６）で６０±５
℃となるよう加温し、多孔質セラミック製の散気管
（３）をメッキ液槽（２）内の上記被メッキ物（８）よ
り下方に設け、上記空気を無電解メッキ液槽（２）の無
電解銅メッキ液に散気した。無電解メッキ液槽（２）内
の無電解銅メッキ液の溶存酸素濃度は４．５ｐｐｍであ
った。上記無電解銅メッキを４時間施し、４時間目に処
理した基板を測定用の試料とした。
【００２９】比較例１ 図２に示す装置を用いて無電解銅メッキを行った。空気
の温度を２０℃とした以外無電解銅メッキ液の条件、被
メッキ物（８）は実施例３と同一のものを用いた。無電
解メッキ液槽（２）内の無電解銅メッキ液の溶存酸素濃
度は４．５ｐｐｍとなった。上記無電解銅メッキを４時
間施し、４時間目に処理した基板を測定用の試料とし
た。
の温度を２０℃とした以外無電解銅メッキ液の条件、被
メッキ物（８）は実施例３と同一のものを用いた。無電
解メッキ液槽（２）内の無電解銅メッキ液の溶存酸素濃
度は４．５ｐｐｍとなった。上記無電解銅メッキを４時
間施し、４時間目に処理した基板を測定用の試料とし
た。
【００３０】無電解メッキを施した基板１０枚の試料を
用いて、メッキ被膜の外観、メッキ被膜のばらつきを測
定した。
用いて、メッキ被膜の外観、メッキ被膜のばらつきを測
定した。
【００３１】メッキ被膜の外観は目視でムラの有無を検
査した。ムラのなきものは○、ムラが発生したものは×
とした。
査した。ムラのなきものは○、ムラが発生したものは×
とした。
【００３２】メッキ被膜のばらつきは、被膜の厚さを蛍
光Ｘ線式膜厚計を用い、同一試料の基板で１０か所測定
し、平均、最大、最小を求めた。同一基板の平均値に対
する最大と最小の差の％を計算し「基板内ばらつき」と
し、基板１０枚中の平均値どおしを比較して、全平均に
対する各基板の平均値の最大と最小の差の％を計算し
「基板間のばらつき」とした。結果は表１のとおり、実
施例は外観も良好で、基板内、及び基板間のばらつきも
少なかった。
光Ｘ線式膜厚計を用い、同一試料の基板で１０か所測定
し、平均、最大、最小を求めた。同一基板の平均値に対
する最大と最小の差の％を計算し「基板内ばらつき」と
し、基板１０枚中の平均値どおしを比較して、全平均に
対する各基板の平均値の最大と最小の差の％を計算し
「基板間のばらつき」とした。結果は表１のとおり、実
施例は外観も良好で、基板内、及び基板間のばらつきも
少なかった。
【００３３】
【表１】
【００３４】
【発明の効果】本発明の無電解メッキ法によると、メッ
キ反応に伴って発生する水素の無電解メッキ液からの放
出を容易にし、被メッキ物表面のメッキ被膜の外観が良
好で、メッキ被膜厚さのばらつきの少ない無電解メッキ
が行える。
キ反応に伴って発生する水素の無電解メッキ液からの放
出を容易にし、被メッキ物表面のメッキ被膜の外観が良
好で、メッキ被膜厚さのばらつきの少ない無電解メッキ
が行える。
【図１】本発明の一実施例に係る無電解メッキ法に使用
する無電解メッキ装置のブロック図である。
する無電解メッキ装置のブロック図である。
【図２】本発明の一実施例に係る無電解メッキ法に使用
する無電解メッキ装置のブロック図である。
する無電解メッキ装置のブロック図である。
２ 無電解メッキ液槽 ３ 散気管 ４ ボンベ ６ 温度調節器 ８ 被メッキ物 ９ ホルダー １０ 補給槽 １１ 送風機 １２ ポンプ １４ 散気管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉井 靖 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 溶存酸素を含む無電解メッキ液槽内の無
電解メッキ液中に、無電解メッキの液温より３０℃低い
温度以上から無電解メッキの液温より１０℃高い温度以
下迄の温度範囲の不活性ガスを被メッキ物の下方より散
気することを特徴とする無電解メッキ法。 - 【請求項２】 無電解メッキ液槽内の無電解メッキ液中
に、無電解メッキの液温より上下１０℃の温度範囲の酸
素を含む気体を被メッキ物の下方より散気することを特
徴とする無電解メッキ法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34716392A JPH06192844A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 無電解メッキ法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34716392A JPH06192844A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 無電解メッキ法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06192844A true JPH06192844A (ja) | 1994-07-12 |
Family
ID=18388344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34716392A Pending JPH06192844A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 無電解メッキ法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06192844A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013216932A (ja) * | 2012-04-06 | 2013-10-24 | Hitachi Ltd | 無電解金属めっき装置 |
-
1992
- 1992-12-25 JP JP34716392A patent/JPH06192844A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013216932A (ja) * | 2012-04-06 | 2013-10-24 | Hitachi Ltd | 無電解金属めっき装置 |
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