JPH06195635A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH06195635A JPH06195635A JP35787292A JP35787292A JPH06195635A JP H06195635 A JPH06195635 A JP H06195635A JP 35787292 A JP35787292 A JP 35787292A JP 35787292 A JP35787292 A JP 35787292A JP H06195635 A JPH06195635 A JP H06195635A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
Landscapes
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 歩留率が非常に良好となり、工程数の低減化
が図れる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 【構成】 ウエハ１０上で複数の薄膜磁気ヘッドの下部
磁性層１５を積層しこの積層した下部磁性層１５上に少
なくともギャップ層２３を介して上部磁性層３０を積層
した後、ウエハ１０を切断して個々の薄膜磁気ヘッドを
得るようにした薄膜磁気ヘッドの製造方法において、下
部磁性層１５の積層前にウエハ１０上の所定位置に凸部
１４を形成しておき、各薄膜磁気ヘッドの下部磁性層１
５の磁気媒体対向面側の端部が凸部１４上に重畳するよ
うに下部磁性層１５を積層する。
が図れる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 【構成】 ウエハ１０上で複数の薄膜磁気ヘッドの下部
磁性層１５を積層しこの積層した下部磁性層１５上に少
なくともギャップ層２３を介して上部磁性層３０を積層
した後、ウエハ１０を切断して個々の薄膜磁気ヘッドを
得るようにした薄膜磁気ヘッドの製造方法において、下
部磁性層１５の積層前にウエハ１０上の所定位置に凸部
１４を形成しておき、各薄膜磁気ヘッドの下部磁性層１
５の磁気媒体対向面側の端部が凸部１４上に重畳するよ
うに下部磁性層１５を積層する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク等の磁気
媒体への記録及び／又は再生を行う薄膜磁気ヘッドの製
造方法に関する。
媒体への記録及び／又は再生を行う薄膜磁気ヘッドの製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録装置は近年ますます高密度化が
図られており、このような磁気記録装置に用いられる薄
膜磁気ヘッドとして、記録再生波形に歪のない良好な磁
気記録密度特性を備えることが要求されている。
図られており、このような磁気記録装置に用いられる薄
膜磁気ヘッドとして、記録再生波形に歪のない良好な磁
気記録密度特性を備えることが要求されている。
【０００３】しかしながら、通常の構成の薄膜磁気ヘッ
ドにおいては、その孤立再生波形の主パルスの前後にア
ンダーシュートが発生し、再生波形に歪が生じてしま
う。このアンダーシュートは、有限ポール長効果に基づ
くネガティブエッジと称されるノイズであり、このネガ
ティブエッジノイズの発生を抑制したりその影響を低減
するための種々の構成が公知である。
ドにおいては、その孤立再生波形の主パルスの前後にア
ンダーシュートが発生し、再生波形に歪が生じてしま
う。このアンダーシュートは、有限ポール長効果に基づ
くネガティブエッジと称されるノイズであり、このネガ
ティブエッジノイズの発生を抑制したりその影響を低減
するための種々の構成が公知である。
【０００４】例えば、特公昭５３−２９０９０号公報及
び特開昭６２−２８７４１１号公報には、磁極の磁気記
録媒体と対向する端面におけるギャップ側エッジとその
反対側エッジとを非平行とした薄膜磁気ヘッドが記載さ
れている。
び特開昭６２−２８７４１１号公報には、磁極の磁気記
録媒体と対向する端面におけるギャップ側エッジとその
反対側エッジとを非平行とした薄膜磁気ヘッドが記載さ
れている。
【０００５】本出願人は、ネガティブエッジノイズの発
生を見かけ上解消する他の方法を既に提案している。図
７はこの種の薄膜磁気ヘッドの一部の構成を磁気媒体に
対向する底面側から概略的に表した図であり、図８はそ
のVIII−VIII線断面図である。
生を見かけ上解消する他の方法を既に提案している。図
７はこの種の薄膜磁気ヘッドの一部の構成を磁気媒体に
対向する底面側から概略的に表した図であり、図８はそ
のVIII−VIII線断面図である。
【０００６】これらの図において、７０はスライダを構
成するＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等のセラミック構造体、７１
はその上に形成されるＡｌ2 Ｏ3 等の下地膜である。下
地膜７１上には、パーマロイ等の下部磁性層７２が形成
されており、その上にギャップ層７３が、さらに絶縁層
７４に挟まれてコイル導体７５が設けられており、その
上にパーマロイ等の上部磁性層７６が形成されている。
上部磁性層７６の上には保護膜７７が形成されている。
成するＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等のセラミック構造体、７１
はその上に形成されるＡｌ2 Ｏ3 等の下地膜である。下
地膜７１上には、パーマロイ等の下部磁性層７２が形成
されており、その上にギャップ層７３が、さらに絶縁層
７４に挟まれてコイル導体７５が設けられており、その
上にパーマロイ等の上部磁性層７６が形成されている。
上部磁性層７６の上には保護膜７７が形成されている。
【０００７】下部磁性層７２及び上部磁性層７６の磁気
媒体に対向する面７８、即ち磁気ヘッドの浮上面（ＡＢ
Ｓ面）は、その一部が掘り下げられてトラック幅方向に
連続する段差が設けられており、これによって下部磁性
層７２及び上部磁性層７６のポール長ＰＬ１及びＰＬ２
が小さくなるように設定されている。このようにポール
長ＰＬ１及びＰＬ２を小さくすることにより、ネガティ
ブエッジ部分をレベルの高い主パルス部分に移動させ、
その結果、ネガティブエッジが主パルスに隠れて見かけ
上消えたかのようになるので、再生波形の歪発生が解消
できることになる。
媒体に対向する面７８、即ち磁気ヘッドの浮上面（ＡＢ
Ｓ面）は、その一部が掘り下げられてトラック幅方向に
連続する段差が設けられており、これによって下部磁性
層７２及び上部磁性層７６のポール長ＰＬ１及びＰＬ２
が小さくなるように設定されている。このようにポール
長ＰＬ１及びＰＬ２を小さくすることにより、ネガティ
ブエッジ部分をレベルの高い主パルス部分に移動させ、
その結果、ネガティブエッジが主パルスに隠れて見かけ
上消えたかのようになるので、再生波形の歪発生が解消
できることになる。
【０００８】下部磁性層７２及び上部磁性層７６にこの
ような段差を形成するためには、ウエハ上で複数の薄膜
磁気ヘッドをマトリクス状に形成した後、このウエハを
薄膜磁気ヘッド列毎に切断する。これにより、例えば図
９に示すごとく、複数の薄膜磁気ヘッド９０が一列に並
んだバー９１が得られる。この状態でバー９１のＡＢＳ
面９１ａ側からフォトリソグラフィ及びイオンミリング
加工を行って図７及び図８の７９及び８０の部分をエッ
チング除去する。
ような段差を形成するためには、ウエハ上で複数の薄膜
磁気ヘッドをマトリクス状に形成した後、このウエハを
薄膜磁気ヘッド列毎に切断する。これにより、例えば図
９に示すごとく、複数の薄膜磁気ヘッド９０が一列に並
んだバー９１が得られる。この状態でバー９１のＡＢＳ
面９１ａ側からフォトリソグラフィ及びイオンミリング
加工を行って図７及び図８の７９及び８０の部分をエッ
チング除去する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
上述したごとき製造方法によると、バー９１に切断した
後フォトリソグラフィ及びイオンミリング加工を行うの
で、そのバー９１に発生する反り等により位置合わせが
非常に困難となる。このため、ピークシフトへの影響を
考慮すると寸法公差は±０．１μｍ程度が要求される
が、フォトリソグラフィのパターニングを精度良く行う
ことができず、歩留が悪化する。さらに、バー９１に切
断した後、フォトリソグラフィ及びイオンミリング加工
を行うことは、工程数を大幅に増やすことになり、その
分製造コストが増大してしまう。
上述したごとき製造方法によると、バー９１に切断した
後フォトリソグラフィ及びイオンミリング加工を行うの
で、そのバー９１に発生する反り等により位置合わせが
非常に困難となる。このため、ピークシフトへの影響を
考慮すると寸法公差は±０．１μｍ程度が要求される
が、フォトリソグラフィのパターニングを精度良く行う
ことができず、歩留が悪化する。さらに、バー９１に切
断した後、フォトリソグラフィ及びイオンミリング加工
を行うことは、工程数を大幅に増やすことになり、その
分製造コストが増大してしまう。
【００１０】また、薄膜磁気ヘッドの各層を形成した
後、ＡＢＳ面側からフォトリソグラフィ及びイオンミリ
ング加工を行うと、下部磁性層７２の端部近傍のＡＢＳ
面側にレジストの一部が露出してしまう。表面に露出し
たレジストは、環境変化により収縮してクラック発生の
原因となり、歩留が非常に悪化する。また、図８からも
明らかのように、ＡＢＳ面側に凹部が形成されてしまう
ため、ＣＳＳ（コンタクトスタートストップ）テスト等
においてクラッシュを引き起こし易く、しかもゴミ等が
付着して動作エラーを発生する恐れもある。
後、ＡＢＳ面側からフォトリソグラフィ及びイオンミリ
ング加工を行うと、下部磁性層７２の端部近傍のＡＢＳ
面側にレジストの一部が露出してしまう。表面に露出し
たレジストは、環境変化により収縮してクラック発生の
原因となり、歩留が非常に悪化する。また、図８からも
明らかのように、ＡＢＳ面側に凹部が形成されてしまう
ため、ＣＳＳ（コンタクトスタートストップ）テスト等
においてクラッシュを引き起こし易く、しかもゴミ等が
付着して動作エラーを発生する恐れもある。
【００１１】従って本発明は、従来技術の上述の問題点
を解決するものであり、歩留率が非常に良好となり、工
程数の低減化が図れる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供
する。
を解決するものであり、歩留率が非常に良好となり、工
程数の低減化が図れる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供
する。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、ウエハ
上で複数の薄膜磁気ヘッドの下部磁性層を積層しこの積
層した下部磁性層上に少なくともギャップ層を介して上
部磁性層を積層した後、ウエハを切断して個々の薄膜磁
気ヘッドを得るようにした薄膜磁気ヘッドの製造方法に
おいて、下部磁性層の積層前にウエハ上の所定位置に凸
部を形成しておき、各薄膜磁気ヘッドの下部磁性層の磁
気媒体対向面側の端部が凸部上に重畳するように下部磁
性層を積層する薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供され
る。
上で複数の薄膜磁気ヘッドの下部磁性層を積層しこの積
層した下部磁性層上に少なくともギャップ層を介して上
部磁性層を積層した後、ウエハを切断して個々の薄膜磁
気ヘッドを得るようにした薄膜磁気ヘッドの製造方法に
おいて、下部磁性層の積層前にウエハ上の所定位置に凸
部を形成しておき、各薄膜磁気ヘッドの下部磁性層の磁
気媒体対向面側の端部が凸部上に重畳するように下部磁
性層を積層する薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供され
る。
【００１３】凸部の側面を傾斜して形成することが好ま
しい。
しい。
【００１４】上部磁性層の積層後、各薄膜磁気ヘッドの
上部磁性層の磁気媒体対向面側の端部における上部を部
分的に除去した後、ウエハを切断することも好ましい。
上部磁性層の磁気媒体対向面側の端部における上部を部
分的に除去した後、ウエハを切断することも好ましい。
【００１５】ポール長の少なくとも上述の凸部の形状に
基づいてなる変化を監視してスロート高さの追い込み調
整を行うことも好ましい。
基づいてなる変化を監視してスロート高さの追い込み調
整を行うことも好ましい。
【００１６】
【作用】ウエハをバー状に切断する前に次の処理を行
う。下部磁性層を積層する前に、ウエハ上に凸部を形成
しておく。次いで、各薄膜磁気ヘッドに関する下部磁性
層の磁気媒体対向面側の端部が凸部上に重畳するように
下部磁性層を積層する。その上に保護膜を形成した後、
ウエハをバー状に切断する。
う。下部磁性層を積層する前に、ウエハ上に凸部を形成
しておく。次いで、各薄膜磁気ヘッドに関する下部磁性
層の磁気媒体対向面側の端部が凸部上に重畳するように
下部磁性層を積層する。その上に保護膜を形成した後、
ウエハをバー状に切断する。
【００１７】
【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する。
【００１８】図２は、本発明の一実施例として製造され
た薄膜磁気ヘッドの一部を示す断面図である。
た薄膜磁気ヘッドの一部を示す断面図である。
【００１９】同図に示すように、２０は浮上用スライダ
を構成するＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等のセラミック構造体、
２１はその上に形成されるＡｌ2 Ｏ3 又はＳｉＯ2 等の
電気絶縁材料による下地膜である。下地膜２１上には、
パーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）等の下部磁性層２２が形
成されており、その上にＡｌ2 Ｏ3 等によるギャップ層
２３が、さらにＡｌ2 Ｏ3 又はＳｉＯ2 等の絶縁層２４
に挟まれてＣｕ又はＡｕ等によるコイル導体２５が設け
られており、その上にパーマロイ等の上部磁性層２６が
形成されている。上部磁性層２６の上にはＡｌ2 Ｏ3 又
はＳｉＯ2 等による保護膜２７が形成されている。
を構成するＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等のセラミック構造体、
２１はその上に形成されるＡｌ2 Ｏ3 又はＳｉＯ2 等の
電気絶縁材料による下地膜である。下地膜２１上には、
パーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）等の下部磁性層２２が形
成されており、その上にＡｌ2 Ｏ3 等によるギャップ層
２３が、さらにＡｌ2 Ｏ3 又はＳｉＯ2 等の絶縁層２４
に挟まれてＣｕ又はＡｕ等によるコイル導体２５が設け
られており、その上にパーマロイ等の上部磁性層２６が
形成されている。上部磁性層２６の上にはＡｌ2 Ｏ3 又
はＳｉＯ2 等による保護膜２７が形成されている。
【００２０】同図からも明らかのように、本実施例の薄
膜磁気ヘッドにおいては、下部磁性層２２はその断面が
直線状ではなく、ＡＢＳ面２８側の端部で上部磁性層２
６側に近付くように湾曲した形状となっている。さらに
上部磁性層２６のＡＢＳ面２８側の端部の一部が切り欠
けておりそのポール長が小さくなるように設定されてい
る。これによって、ネガティブエッジ部分をレベルの高
い主パルス部分に移動させ、その結果、ネガティブエッ
ジが主パルスに隠れて見かけ上消えたかのようになるの
で、再生波形の歪発生が解消できることになる。さらに
また、本実施例の薄膜磁気ヘッドでは、ＡＢＳ面２８が
凹部のない平坦な形状となっている。
膜磁気ヘッドにおいては、下部磁性層２２はその断面が
直線状ではなく、ＡＢＳ面２８側の端部で上部磁性層２
６側に近付くように湾曲した形状となっている。さらに
上部磁性層２６のＡＢＳ面２８側の端部の一部が切り欠
けておりそのポール長が小さくなるように設定されてい
る。これによって、ネガティブエッジ部分をレベルの高
い主パルス部分に移動させ、その結果、ネガティブエッ
ジが主パルスに隠れて見かけ上消えたかのようになるの
で、再生波形の歪発生が解消できることになる。さらに
また、本実施例の薄膜磁気ヘッドでは、ＡＢＳ面２８が
凹部のない平坦な形状となっている。
【００２１】図１は、本実施例における下部磁性層２２
の製造工程を示す工程図である。
の製造工程を示す工程図である。
【００２２】まず、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等のセラミック
構造体からなるウエハ１０上の全面に、Ａｌ2 Ｏ3 又は
ＳｉＯ2 等の電気絶縁材料をスパッタして下地膜１１
（２１）を形成する。次いで、このウエハ上に位置合わ
せ用のマーカを形成するアドレス工程を実施する。
構造体からなるウエハ１０上の全面に、Ａｌ2 Ｏ3 又は
ＳｉＯ2 等の電気絶縁材料をスパッタして下地膜１１
（２１）を形成する。次いで、このウエハ上に位置合わ
せ用のマーカを形成するアドレス工程を実施する。
【００２３】まず、図１（Ａ）に示すごとく、この下地
膜１１上の全面にＴｉ膜１２を形成する。次いで、マー
カ位置と本発明に関連する凸部を形成すべき所定位置
（各薄膜磁気ヘッドの形成すべき下部磁性層のＡＢＳ面
側の端部位置）とにフォトレジストパターンを形成して
イオンミリングを行い、アッシングによってフォトレジ
ストを除去して図１（Ｂ）に示すごときマーカ１３及び
凸部１４を形成する。これらマーカ１３及び凸部１４の
段差はＰＬ１＋ＰＬ２＜２μｍとなるように形成する。
本実施例においては、これら凸部１４の側壁１４ａはそ
の凸部１４の幅が下方に向かって広がるように傾斜（例
えば側壁１４ａの面の角度θが約３０°程度に傾斜）し
て形成されている。
膜１１上の全面にＴｉ膜１２を形成する。次いで、マー
カ位置と本発明に関連する凸部を形成すべき所定位置
（各薄膜磁気ヘッドの形成すべき下部磁性層のＡＢＳ面
側の端部位置）とにフォトレジストパターンを形成して
イオンミリングを行い、アッシングによってフォトレジ
ストを除去して図１（Ｂ）に示すごときマーカ１３及び
凸部１４を形成する。これらマーカ１３及び凸部１４の
段差はＰＬ１＋ＰＬ２＜２μｍとなるように形成する。
本実施例においては、これら凸部１４の側壁１４ａはそ
の凸部１４の幅が下方に向かって広がるように傾斜（例
えば側壁１４ａの面の角度θが約３０°程度に傾斜）し
て形成されている。
【００２４】その後、図１（Ｃ）に示すように、パーマ
ロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）等をめっきすることによって下
部磁性層１５（２２）が積層形成される。この場合、下
部磁性層１５の端部が凸部１４上に重畳するように積層
される。なお、図１には１つの下部磁性層１５しか表さ
れていないが、ウエハ１０上にはそれぞれの磁気ヘッド
用の多数の下部磁性層１５が形成されることとなる。
ロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）等をめっきすることによって下
部磁性層１５（２２）が積層形成される。この場合、下
部磁性層１５の端部が凸部１４上に重畳するように積層
される。なお、図１には１つの下部磁性層１５しか表さ
れていないが、ウエハ１０上にはそれぞれの磁気ヘッド
用の多数の下部磁性層１５が形成されることとなる。
【００２５】この図１の例では、アドレス工程において
マーカと同時に凸部を形成しているので、凸部形成のた
めに工程数が増大しない。しかしながら、凸部をアドレ
ス工程とは別の工程で形成してもよいことは明らかであ
る。その場合、チタン膜を必ずしも形成する必要はな
い。また、凸部の側壁は、傾斜していることが好ましい
が、場合によってはほぼ直角であってもよい。
マーカと同時に凸部を形成しているので、凸部形成のた
めに工程数が増大しない。しかしながら、凸部をアドレ
ス工程とは別の工程で形成してもよいことは明らかであ
る。その場合、チタン膜を必ずしも形成する必要はな
い。また、凸部の側壁は、傾斜していることが好ましい
が、場合によってはほぼ直角であってもよい。
【００２６】下部磁性層１５（２２）上には、Ａｌ2 Ｏ
3 等によるギャップ層２３が積層され、さらにその上に
はＡｌ2 Ｏ3 又はＳｉＯ2 等の絶縁膜２４に挟まれてＣ
ｕ又はＡｕ等によるコイル導体２５が設けられる。その
上にパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）等をめっきすること
によって上部磁性層２６が積層される。
3 等によるギャップ層２３が積層され、さらにその上に
はＡｌ2 Ｏ3 又はＳｉＯ2 等の絶縁膜２４に挟まれてＣ
ｕ又はＡｕ等によるコイル導体２５が設けられる。その
上にパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）等をめっきすること
によって上部磁性層２６が積層される。
【００２７】図３は、本実施例におけるこの上部磁性層
２６の加工工程を示す工程図である。
２６の加工工程を示す工程図である。
【００２８】図３（Ａ）に示すようにパーマロイ等をめ
っきして上部磁性層３０（２６）を形成し、図３（Ｂ）
に示すごとく、その上の所定位置（各薄膜磁気ヘッドの
形成すべき上部磁性層のＡＢＳ面側の端部位置）にのみ
窓を有するフォトレジストパターン３１を形成する。こ
の状態で、イオンミリングを行った後、レジストを剥離
する。これにより、図３（Ｃ）に示すごとく、上部磁性
層３０のＡＢＳ面側の端部位置に凹部３２が形成され
る。
っきして上部磁性層３０（２６）を形成し、図３（Ｂ）
に示すごとく、その上の所定位置（各薄膜磁気ヘッドの
形成すべき上部磁性層のＡＢＳ面側の端部位置）にのみ
窓を有するフォトレジストパターン３１を形成する。こ
の状態で、イオンミリングを行った後、レジストを剥離
する。これにより、図３（Ｃ）に示すごとく、上部磁性
層３０のＡＢＳ面側の端部位置に凹部３２が形成され
る。
【００２９】その後、この上部磁性層３０の上にＡｌ2
Ｏ3 又はＳｉＯ2 等による保護膜３３（２７）を形成す
ることにより、ウエハ１０上に図４に示すような薄膜磁
気ヘッド用の多数の積層体をマトリクス状に形成する。
次いで、このウエハ１０を薄膜磁気ヘッド列毎に切断す
る。これにより、例えば図７に示すごとく、複数の薄膜
磁気ヘッドが一列に並んだバーが得られる。
Ｏ3 又はＳｉＯ2 等による保護膜３３（２７）を形成す
ることにより、ウエハ１０上に図４に示すような薄膜磁
気ヘッド用の多数の積層体をマトリクス状に形成する。
次いで、このウエハ１０を薄膜磁気ヘッド列毎に切断す
る。これにより、例えば図７に示すごとく、複数の薄膜
磁気ヘッドが一列に並んだバーが得られる。
【００３０】このバー状態の薄膜磁気ヘッド列のＡＢＳ
面を研磨してスロート高さを調整した後、切断すること
により、図２にその一部断面を示す個々の薄膜磁気ヘッ
ドが得られる。
面を研磨してスロート高さを調整した後、切断すること
により、図２にその一部断面を示す個々の薄膜磁気ヘッ
ドが得られる。
【００３１】前述したように、本実施例の薄膜磁気ヘッ
ドにおいては、下部磁性層２２が、ＡＢＳ面２８側の端
部近傍で上部磁性層２６側に近付くように湾曲した形状
となっている。さらに上部磁性層２６のＡＢＳ面２８側
の端部の一部が切り欠けておりそのポール長が小さくな
るように設定されている。従って、図６の従来の薄膜磁
気ヘッドと同様に、ネガティブエッジ部分をレベルの高
い主パルス部分に移動させ、その結果、再生波形の歪発
生が解消できる。
ドにおいては、下部磁性層２２が、ＡＢＳ面２８側の端
部近傍で上部磁性層２６側に近付くように湾曲した形状
となっている。さらに上部磁性層２６のＡＢＳ面２８側
の端部の一部が切り欠けておりそのポール長が小さくな
るように設定されている。従って、図６の従来の薄膜磁
気ヘッドと同様に、ネガティブエッジ部分をレベルの高
い主パルス部分に移動させ、その結果、再生波形の歪発
生が解消できる。
【００３２】このような薄膜磁気ヘッドを製造する場
合、本発明によれば、その下部磁性層及び上部磁性層の
ＡＢＳ面側端部の加工を全てウエハ上で行っている。従
って、工程数を大幅に増大させることなく大量処理が可
能となり、しかも精度の高い加工が簡単に行え歩留を大
幅に向上させることができる。
合、本発明によれば、その下部磁性層及び上部磁性層の
ＡＢＳ面側端部の加工を全てウエハ上で行っている。従
って、工程数を大幅に増大させることなく大量処理が可
能となり、しかも精度の高い加工が簡単に行え歩留を大
幅に向上させることができる。
【００３３】また、本発明によれば、薄膜磁気ヘッドの
各層を形成した後にＡＢＳ面側からフォトリソグラフィ
及びイオンミリング加工を行わないので、ＡＢＳ面側に
レジストの一部が露出するような不都合が生じない。そ
の結果、クラック発生等がほとんど起こらず、歩留が非
常に向上して信頼性が著しく高まる。さらにまた、ＡＢ
Ｓ面に凹部のない平坦な形状となっているため、ＣＳＳ
（コンタクトスタートストップ）テスト等においてクラ
ッシュを引き起こす恐れも全くなく、しかもゴミ等が付
着して動作エラーを発生する恐れもない。
各層を形成した後にＡＢＳ面側からフォトリソグラフィ
及びイオンミリング加工を行わないので、ＡＢＳ面側に
レジストの一部が露出するような不都合が生じない。そ
の結果、クラック発生等がほとんど起こらず、歩留が非
常に向上して信頼性が著しく高まる。さらにまた、ＡＢ
Ｓ面に凹部のない平坦な形状となっているため、ＣＳＳ
（コンタクトスタートストップ）テスト等においてクラ
ッシュを引き起こす恐れも全くなく、しかもゴミ等が付
着して動作エラーを発生する恐れもない。
【００３４】以上述べた利点の他に、本発明によれば、
バー状態の薄膜磁気ヘッド列のＡＢＳ面を研磨してスロ
ート高さの追い込み調整をする際の手間が非常に簡単と
なる。即ち、従来のように、加工マーカをたよりにポー
ル長の数値を測定しながらスロート高さの追い込みをす
る必要がなく、ポール長ＰＬ１、ＰＬ２が急激に変化す
ることを監視するのみで調整可能となる。
バー状態の薄膜磁気ヘッド列のＡＢＳ面を研磨してスロ
ート高さの追い込み調整をする際の手間が非常に簡単と
なる。即ち、従来のように、加工マーカをたよりにポー
ル長の数値を測定しながらスロート高さの追い込みをす
る必要がなく、ポール長ＰＬ１、ＰＬ２が急激に変化す
ることを監視するのみで調整可能となる。
【００３５】図５及び図６は、本発明の他の実施例にお
ける下部磁性層の製造工程の一部を示す工程図及びその
薄膜磁気ヘッドの一部の断面図である。
ける下部磁性層の製造工程の一部を示す工程図及びその
薄膜磁気ヘッドの一部の断面図である。
【００３６】図５に示すように、図１（Ｂ）の工程の後
に、パーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）等を２段にめっきし
て層１５ａ（２２ａ）及び１５ｂ（２２ｂ）を積層する
ことによって下部磁性層を形成している。下部磁性層を
このような形状に形成することによって、磁気特性を改
善することができる。本実施例のその他の構成及び作用
効果は図２の実施例の場合と同じである。
に、パーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）等を２段にめっきし
て層１５ａ（２２ａ）及び１５ｂ（２２ｂ）を積層する
ことによって下部磁性層を形成している。下部磁性層を
このような形状に形成することによって、磁気特性を改
善することができる。本実施例のその他の構成及び作用
効果は図２の実施例の場合と同じである。
【００３７】上述した実施例においては、下部磁性層及
び上部磁性層の両方について、ＡＢＳ面側端部の加工を
行っているが、下部磁性層のみについてＡＢＳ面側端部
の加工を行うようにしてもよい。これは、有限ポール長
効果に基づくネガティブエッジの影響は、特に下部磁性
層側によるものが大きいためである。
び上部磁性層の両方について、ＡＢＳ面側端部の加工を
行っているが、下部磁性層のみについてＡＢＳ面側端部
の加工を行うようにしてもよい。これは、有限ポール長
効果に基づくネガティブエッジの影響は、特に下部磁性
層側によるものが大きいためである。
【００３８】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、下部磁性層の積層前にウエハ上の所定位置に凸部を
形成しておき、各薄膜磁気ヘッドの下部磁性層の磁気媒
体対向面側の端部が凸部上に重畳するように下部磁性層
を積層し、その後、ウエハを切断して個々の薄膜磁気ヘ
ッドを得るようにしているので、歩留率が非常に良好と
なり、工程数の低減化が図れて製造コストを低減でき
る。
ば、下部磁性層の積層前にウエハ上の所定位置に凸部を
形成しておき、各薄膜磁気ヘッドの下部磁性層の磁気媒
体対向面側の端部が凸部上に重畳するように下部磁性層
を積層し、その後、ウエハを切断して個々の薄膜磁気ヘ
ッドを得るようにしているので、歩留率が非常に良好と
なり、工程数の低減化が図れて製造コストを低減でき
る。
【図１】図２の実施例における薄膜磁気ヘッドの下部磁
性層の製造工程図である。
性層の製造工程図である。
【図２】本発明の一実施例として製造された薄膜磁気ヘ
ッドの一部を示す断面図である。
ッドの一部を示す断面図である。
【図３】図２の実施例における薄膜磁気ヘッドの上部磁
性層の製造工程図である。
性層の製造工程図である。
【図４】図２の実施例における薄膜磁気ヘッドの製造工
程図である。
程図である。
【図５】図６の実施例における薄膜磁気ヘッドの下部磁
性層の製造工程図である。
性層の製造工程図である。
【図６】本発明の他の実施例として製造された薄膜磁気
ヘッドの一部を示す断面図である。
ヘッドの一部を示す断面図である。
【図７】従来の薄膜磁気ヘッドの一部を示す断面図であ
る。
る。
【図８】図７のVIII−VIII線断面図である。
【図９】複数の薄膜磁気ヘッドが一列に並んだバーの斜
視図である。
視図である。
１０ ウエハ １１、２１ 下地膜 １４ 凸部 １４ａ 側壁 １５、２２ 下部磁性層 ２３ ギャップ層 ２４ 絶縁層 ２５ コイル導体 ２６、３０ 上部磁性層 ２７、３３ 保護膜 ２８ ＡＢＳ面
Claims (4)
- 【請求項１】 ウエハ上で複数の薄膜磁気ヘッドの下部
磁性層を積層し該積層した下部磁性層上に少なくともギ
ャップ層を介して上部磁性層を積層した後、該ウエハを
切断して個々の薄膜磁気ヘッドを得るようにした薄膜磁
気ヘッドの製造方法であって、前記下部磁性層の積層前
に前記ウエハ上の所定位置に凸部を形成しておき、各薄
膜磁気ヘッドの下部磁性層の磁気媒体対向面側の端部が
前記凸部上に重畳するように該下部磁性層を積層するこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２】 前記凸部の側面を傾斜して形成すること
を特徴とする請求項１に記載の製造方法。 - 【請求項３】 前記上部磁性層の積層後、各薄膜磁気ヘ
ッドの該上部磁性層の磁気媒体対向面側の端部における
上部を部分的に除去した後、該ウエハを切断することを
特徴とする請求項１又は２に記載の製造方法。 - 【請求項４】 ポール長の少なくとも前記凸部の形状に
基づいてなる変化を監視してスロート高さの追い込み調
整を行うことを特徴とする請求項１から３のいずれか１
項に記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35787292A JPH06195635A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35787292A JPH06195635A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06195635A true JPH06195635A (ja) | 1994-07-15 |
Family
ID=18456373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35787292A Pending JPH06195635A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06195635A (ja) |
-
1992
- 1992-12-25 JP JP35787292A patent/JPH06195635A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20021224 |