JPH06195645A - 磁気抵抗効果型ヘッドおよびそれを用いた磁気記録装置 - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッドおよびそれを用いた磁気記録装置Info
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- JPH06195645A JPH06195645A JP34575492A JP34575492A JPH06195645A JP H06195645 A JPH06195645 A JP H06195645A JP 34575492 A JP34575492 A JP 34575492A JP 34575492 A JP34575492 A JP 34575492A JP H06195645 A JPH06195645 A JP H06195645A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】記録再生分離型の磁気ヘッドにおいて、磁気抵
抗効果膜の膜厚の薄い領域において従来よりも大きな磁
気抵抗変化率を実現し、高密度磁気記録装置に用いる磁
気抵抗効果型ヘッドを提供する。 【構成】磁気抵抗効果を示す磁性体材料からなる磁気抵
抗効果膜を感磁部に用いた磁気抵抗効果型ヘッドにおい
て、磁気抵抗効果膜を、膜面に対して最も大きな磁気抵
抗変化率を示す面方位（結晶方位）である〈１００〉配
向させた磁気抵抗効果型ヘッド。 【効果】従来の磁気抵抗効果膜は膜厚が２０ｎｍ以下に
なると磁気抵抗変化率が低下するが、磁気抵抗効果膜を
〈１００〉配向させると膜厚が２０ｎｍ以下の薄い領域
においても大きな磁気抵抗変化率が得られる。したがっ
て、通電によって生じる磁気抵抗効果膜の熱の発散が良
く許容電流値を増大させることができ、再生出力の大き
な磁気抵抗効果型ヘッドが得られる。このヘッドを磁気
記録装置に搭載することにより高密度磁気記録再生を実
現することができる。
抗効果膜の膜厚の薄い領域において従来よりも大きな磁
気抵抗変化率を実現し、高密度磁気記録装置に用いる磁
気抵抗効果型ヘッドを提供する。 【構成】磁気抵抗効果を示す磁性体材料からなる磁気抵
抗効果膜を感磁部に用いた磁気抵抗効果型ヘッドにおい
て、磁気抵抗効果膜を、膜面に対して最も大きな磁気抵
抗変化率を示す面方位（結晶方位）である〈１００〉配
向させた磁気抵抗効果型ヘッド。 【効果】従来の磁気抵抗効果膜は膜厚が２０ｎｍ以下に
なると磁気抵抗変化率が低下するが、磁気抵抗効果膜を
〈１００〉配向させると膜厚が２０ｎｍ以下の薄い領域
においても大きな磁気抵抗変化率が得られる。したがっ
て、通電によって生じる磁気抵抗効果膜の熱の発散が良
く許容電流値を増大させることができ、再生出力の大き
な磁気抵抗効果型ヘッドが得られる。このヘッドを磁気
記録装置に搭載することにより高密度磁気記録再生を実
現することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気記録装置に用いられ
る磁気ヘッドに係り、特に高密度磁気記録の読み取りに
好適な磁気抵抗効果型ヘッドとそれを用いた磁気記録装
置に関する。
る磁気ヘッドに係り、特に高密度磁気記録の読み取りに
好適な磁気抵抗効果型ヘッドとそれを用いた磁気記録装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、磁気抵抗効果型ヘッドに使用さ
れる磁気抵抗効果を示す強磁性体としては、ＮｉＦｅ合
金薄膜やＮｉＦｅＣｏ合金薄膜等が用いられている。こ
れらの合金薄膜は、真空蒸着法やスパッタリング法によ
って金属または酸化物上に形成され、通常は膜面に対し
て無配向な薄膜となる。そして、磁気抵抗効果型ヘッド
に用いられる膜厚が１００ｎｍ以下の薄膜では、磁気抵
抗変化（Δρ）と比抵抗（ρ）の比である磁気抵抗変化
率（Δρ／ρ）は、ＮｉＦｅ合金薄膜で約３％、ＮｉＦ
ｅＣｏ合金薄膜で約４％である。なお、従来の磁気抵抗
効果膜に関する技術については、例えば アイ・イ−・
イ−・イ− トランザクション オン マグネティクス、
１１巻、４号、１９７５年６月、１０１８〜１０３８頁
（IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS,VOL.MAG-11,No.4,J
ULY 1975 pp1018-1038）に記載されている。
れる磁気抵抗効果を示す強磁性体としては、ＮｉＦｅ合
金薄膜やＮｉＦｅＣｏ合金薄膜等が用いられている。こ
れらの合金薄膜は、真空蒸着法やスパッタリング法によ
って金属または酸化物上に形成され、通常は膜面に対し
て無配向な薄膜となる。そして、磁気抵抗効果型ヘッド
に用いられる膜厚が１００ｎｍ以下の薄膜では、磁気抵
抗変化（Δρ）と比抵抗（ρ）の比である磁気抵抗変化
率（Δρ／ρ）は、ＮｉＦｅ合金薄膜で約３％、ＮｉＦ
ｅＣｏ合金薄膜で約４％である。なお、従来の磁気抵抗
効果膜に関する技術については、例えば アイ・イ−・
イ−・イ− トランザクション オン マグネティクス、
１１巻、４号、１９７５年６月、１０１８〜１０３８頁
（IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS,VOL.MAG-11,No.4,J
ULY 1975 pp1018-1038）に記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来技術において、磁
気記録媒体に記録されている情報を、磁気抵抗効果ヘッ
ドを用いて読み出し（再生）を行う場合に、記録密度の
増大に伴い記録トラックが狭小化するため、磁気抵抗効
果ヘッドのトラック幅も狭くする必要が生じる。ところ
が、磁気抵抗効果ヘッドのトラック幅を狭くすると、磁
束の感磁部分が狭くなるので磁気抵抗効果ヘッドの再生
出力が小さくなり、高記録密度再生を行うことができな
いという問題があった。
気記録媒体に記録されている情報を、磁気抵抗効果ヘッ
ドを用いて読み出し（再生）を行う場合に、記録密度の
増大に伴い記録トラックが狭小化するため、磁気抵抗効
果ヘッドのトラック幅も狭くする必要が生じる。ところ
が、磁気抵抗効果ヘッドのトラック幅を狭くすると、磁
束の感磁部分が狭くなるので磁気抵抗効果ヘッドの再生
出力が小さくなり、高記録密度再生を行うことができな
いという問題があった。
【０００４】本発明の目的は、上記従来技術における問
題点を解消するものであって、磁気抵抗効果ヘッドに用
いる磁気抵抗効果膜の磁気抵抗変化率が最も大きな方向
に設定し、高記録密度再生を行うのに好適な大きな再生
出力が得られる磁気抵抗効果ヘッドおよびそれを用いた
磁気記録装置を提供することにある。
題点を解消するものであって、磁気抵抗効果ヘッドに用
いる磁気抵抗効果膜の磁気抵抗変化率が最も大きな方向
に設定し、高記録密度再生を行うのに好適な大きな再生
出力が得られる磁気抵抗効果ヘッドおよびそれを用いた
磁気記録装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の磁気抵抗効果型ヘッドにおいては、磁気抵抗
効果膜の磁気抵抗変化率が、膜の結晶方位によって異な
ることを利用し、磁気抵抗効果膜を、最も大きな磁気抵
抗変化率を示す結晶方位に配向させることにより、無配
向の磁気抵抗効果膜に比べて大きな磁気抵抗変化率が得
られるように設定するものである。本発明者らは磁気抵
抗効果膜として、一般的なパ−マロイ合金薄膜の結晶構
造と磁気抵抗変化率の検討を行った。その結果、面心立
方格子であるパ−マロイ合金の最密充填方位である〈１
１１〉方向に配向した薄膜に比べ、〈１００〉方向に配
向したパ−マロイ合金薄膜の磁気抵抗変化率が大きいこ
とを見出した。また、〈１００〉方向に配向したパ−マ
ロイ合金薄膜は、従来のパ−マロイ合金薄膜に比べて、
膜厚の薄い領域においても大きな磁気抵抗変化率が得ら
れることが判明した。そこで本発明は、磁気抵抗効果を
示す磁性体材料からなる磁気抵抗効果膜を感磁部に用い
た磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、磁気抵抗効果膜とし
て、例えばパ−マロイ合金薄膜を用い、これを〈１０
０〉方向に配向させることにより、パ−マロイ合金薄膜
の膜厚が薄い領域において、大きな磁気抵抗変化率を示
す磁気抵抗効果膜を得ることができ、再生出力の大きな
磁気抵抗効果型ヘッドを実現することができるので、高
密度磁気記録を達成することが可能となる。本発明は、
磁気抵抗効果を示す磁性体材料からなる磁気抵抗効果膜
を感磁部に用いた磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、上記
磁気抵抗効果膜は、膜面に対し最も大きな磁気抵抗変化
率を示す面方位（結晶方位）に配向した磁気抵抗効果型
ヘッドである。そして、本発明の磁気抵抗効果膜は、Ｎ
ｉＦｅ系の磁気抵抗効果を示す磁性体材料からなるもの
であって、好ましくはＦｅを重量％で１８〜２１％の範
囲で含有するＮｉ−Ｆｅ合金からなり、かつ磁気抵抗効
果膜の面方位が膜面に対して〈１００〉配向させたもの
であって、磁気抵抗効果膜の膜厚は５ｎｍ以上、２０ｎ
ｍ以下の範囲が好ましい。本発明の磁気抵抗効果膜は、
結晶構造が正方晶または立方晶もしくは六方晶からなる
金属薄膜上に積層して構成することにより、〈１００〉
配向の良好な磁気抵抗効果膜を容易に得ることができ
る。 上記金属薄膜は、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗの
うちから選択される少なくとも１種の金属もしくはそれ
らの金属を主成分とする合金からなることが好ましい。
そして本発明の再生用の磁気抵抗効果型ヘッドと、記録
用の誘導型磁気ヘッドとを絶縁基板上に複合して構成
し、記録および再生を行う複合型の磁気記録ヘッドとす
ることもできる。さらに、本発明の磁気ヘッドと、該磁
気ヘッドに電流を供給するための電源を一体化して構成
し磁気ヘッド装置とすることもでき、また本発明の磁気
ヘッドと、電源、符号変換、誤り訂正を含む信号再生回
路を設けて磁気ヘッド装置とすることも可能である。そ
して本発明は、磁気記録媒体を用い、情報の記録または
再生もしくは記録および再生を行う磁気記録装置に、上
記した本発明の磁気ヘッドまたは磁気ヘッド装置を搭載
し、情報の記録、再生を行う高密度磁気記録装置を構成
するものである。
に本発明の磁気抵抗効果型ヘッドにおいては、磁気抵抗
効果膜の磁気抵抗変化率が、膜の結晶方位によって異な
ることを利用し、磁気抵抗効果膜を、最も大きな磁気抵
抗変化率を示す結晶方位に配向させることにより、無配
向の磁気抵抗効果膜に比べて大きな磁気抵抗変化率が得
られるように設定するものである。本発明者らは磁気抵
抗効果膜として、一般的なパ−マロイ合金薄膜の結晶構
造と磁気抵抗変化率の検討を行った。その結果、面心立
方格子であるパ−マロイ合金の最密充填方位である〈１
１１〉方向に配向した薄膜に比べ、〈１００〉方向に配
向したパ−マロイ合金薄膜の磁気抵抗変化率が大きいこ
とを見出した。また、〈１００〉方向に配向したパ−マ
ロイ合金薄膜は、従来のパ−マロイ合金薄膜に比べて、
膜厚の薄い領域においても大きな磁気抵抗変化率が得ら
れることが判明した。そこで本発明は、磁気抵抗効果を
示す磁性体材料からなる磁気抵抗効果膜を感磁部に用い
た磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、磁気抵抗効果膜とし
て、例えばパ−マロイ合金薄膜を用い、これを〈１０
０〉方向に配向させることにより、パ−マロイ合金薄膜
の膜厚が薄い領域において、大きな磁気抵抗変化率を示
す磁気抵抗効果膜を得ることができ、再生出力の大きな
磁気抵抗効果型ヘッドを実現することができるので、高
密度磁気記録を達成することが可能となる。本発明は、
磁気抵抗効果を示す磁性体材料からなる磁気抵抗効果膜
を感磁部に用いた磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、上記
磁気抵抗効果膜は、膜面に対し最も大きな磁気抵抗変化
率を示す面方位（結晶方位）に配向した磁気抵抗効果型
ヘッドである。そして、本発明の磁気抵抗効果膜は、Ｎ
ｉＦｅ系の磁気抵抗効果を示す磁性体材料からなるもの
であって、好ましくはＦｅを重量％で１８〜２１％の範
囲で含有するＮｉ−Ｆｅ合金からなり、かつ磁気抵抗効
果膜の面方位が膜面に対して〈１００〉配向させたもの
であって、磁気抵抗効果膜の膜厚は５ｎｍ以上、２０ｎ
ｍ以下の範囲が好ましい。本発明の磁気抵抗効果膜は、
結晶構造が正方晶または立方晶もしくは六方晶からなる
金属薄膜上に積層して構成することにより、〈１００〉
配向の良好な磁気抵抗効果膜を容易に得ることができ
る。 上記金属薄膜は、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗの
うちから選択される少なくとも１種の金属もしくはそれ
らの金属を主成分とする合金からなることが好ましい。
そして本発明の再生用の磁気抵抗効果型ヘッドと、記録
用の誘導型磁気ヘッドとを絶縁基板上に複合して構成
し、記録および再生を行う複合型の磁気記録ヘッドとす
ることもできる。さらに、本発明の磁気ヘッドと、該磁
気ヘッドに電流を供給するための電源を一体化して構成
し磁気ヘッド装置とすることもでき、また本発明の磁気
ヘッドと、電源、符号変換、誤り訂正を含む信号再生回
路を設けて磁気ヘッド装置とすることも可能である。そ
して本発明は、磁気記録媒体を用い、情報の記録または
再生もしくは記録および再生を行う磁気記録装置に、上
記した本発明の磁気ヘッドまたは磁気ヘッド装置を搭載
し、情報の記録、再生を行う高密度磁気記録装置を構成
するものである。
【０００６】
【作用】磁気抵抗変化率の（１１１）面と（２００）面
のＸ線強度比［Ｉ（111）／Ｉ（200）］依存性を、図２
に示す。すなわち、〈１００〉配向が強いほど磁気抵抗
変化率（Δρ／ρ）は大きくなる。したがって、パ−マ
ロイ膜を〈１００〉配向させれば磁気抵抗変化率を最も
大きくすることができる。そして、図３に示すごとく、
従来技術における無配向パ−マロイ膜は、膜厚が２０ｎ
ｍ以下になると磁気抵抗変化率が急激に低下するのに対
し、本発明の〈１００〉配向したパ−マロイ膜は、膜厚
が２０ｎｍ以下になっても磁気抵抗変化率の低下の度合
が小さい。磁気抵抗効果膜の膜厚の低減は、通電によっ
て生じる磁気抵抗効果膜の発熱の発散に有利で、その結
果、膜厚の低減に伴って許容電流値は増大し電流密度が
大となり高い再生出力が得られる。したがって、磁気抵
抗効果膜の膜厚は薄い方が望ましいが、５ｎｍ以下とな
ると薄膜の連続性が悪くなり、また通常の薄膜形成法で
は実用レベルの良質な薄膜を形成することができない。
それで、本発明の〈１００〉配向した磁気抵抗効果膜の
膜厚は５〜２０ｎｍの範囲とするものである。また、結
晶構造が正方晶、立方晶または六方晶からなる金属薄膜
上に、磁気抵抗効果膜（例えばパ−マロイ膜）をエピタ
キシャル成長させることにより、本発明の〈１００〉配
向した磁気抵抗効果膜を容易に作製することができる。
そして、磁気抵抗効果型ヘッドを再生ヘッドとして用い
る場合に、磁気抵抗効果膜の磁歪定数の値が重要な因子
となる。ヘッドの出力波形の歪の原因となる磁気抵抗効
果膜の多磁区化は磁歪定数の値によって異なり、磁歪定
数が非常に大きい場合には硬質磁性膜を使っても単磁区
化はできない。本発明の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて
は、図５に示すように磁気抵抗効果型ヘッドの出力波形
歪の発生頻度は磁歪定数が＋５×１０~6から−５×１０
~6の範囲で非常に低くなり、この範囲を超えると急激に
高くなる。したがって、〈１００〉配向したＮｉＦｅ系
磁気抵抗効果膜を磁気抵抗効果型ヘッドに使用する場合
には、磁気抵抗効果膜の磁歪定数を＋５×１０~6から−
５×１０~6の範囲にすることが好ましい。また、バイア
ス手段として、シャント膜と軟磁性膜の複合バイアスを
用いる場合は、磁気抵抗効果膜と、シャント膜＋軟磁性
膜とに流す電流の比 Ｒ（磁気抵抗効果膜の電流を１と
する）を０．２から１．３の範囲にすることが好まし
い。これは、上記電流の比が０．２以下であると、磁気
抵抗効果膜にかかるバイアス磁界が小さくなり過ぎて、
外部磁界に対する磁気抵抗変化の線形性領域に入らなく
なるので再生出力が低下する。一方、上記電流の比が
１．３以上の場合には、バイアス磁界が強くなり過ぎて
磁気抵抗効果膜の電流が相対的に低下するので再生出力
が低減する。さらに、本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの
上に、 絶縁膜として アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）をスパッ
タ法で成膜し、その上に誘導型磁気記録ヘッドを形成す
ることにより、記録および再生が行える複合型磁気ヘッ
ドを作製することができ、歪みが少なくＳ／Ｎ比の高い
再生出力が得られる高密度磁気記録再生装置を実現する
ことができる。
のＸ線強度比［Ｉ（111）／Ｉ（200）］依存性を、図２
に示す。すなわち、〈１００〉配向が強いほど磁気抵抗
変化率（Δρ／ρ）は大きくなる。したがって、パ−マ
ロイ膜を〈１００〉配向させれば磁気抵抗変化率を最も
大きくすることができる。そして、図３に示すごとく、
従来技術における無配向パ−マロイ膜は、膜厚が２０ｎ
ｍ以下になると磁気抵抗変化率が急激に低下するのに対
し、本発明の〈１００〉配向したパ−マロイ膜は、膜厚
が２０ｎｍ以下になっても磁気抵抗変化率の低下の度合
が小さい。磁気抵抗効果膜の膜厚の低減は、通電によっ
て生じる磁気抵抗効果膜の発熱の発散に有利で、その結
果、膜厚の低減に伴って許容電流値は増大し電流密度が
大となり高い再生出力が得られる。したがって、磁気抵
抗効果膜の膜厚は薄い方が望ましいが、５ｎｍ以下とな
ると薄膜の連続性が悪くなり、また通常の薄膜形成法で
は実用レベルの良質な薄膜を形成することができない。
それで、本発明の〈１００〉配向した磁気抵抗効果膜の
膜厚は５〜２０ｎｍの範囲とするものである。また、結
晶構造が正方晶、立方晶または六方晶からなる金属薄膜
上に、磁気抵抗効果膜（例えばパ−マロイ膜）をエピタ
キシャル成長させることにより、本発明の〈１００〉配
向した磁気抵抗効果膜を容易に作製することができる。
そして、磁気抵抗効果型ヘッドを再生ヘッドとして用い
る場合に、磁気抵抗効果膜の磁歪定数の値が重要な因子
となる。ヘッドの出力波形の歪の原因となる磁気抵抗効
果膜の多磁区化は磁歪定数の値によって異なり、磁歪定
数が非常に大きい場合には硬質磁性膜を使っても単磁区
化はできない。本発明の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて
は、図５に示すように磁気抵抗効果型ヘッドの出力波形
歪の発生頻度は磁歪定数が＋５×１０~6から−５×１０
~6の範囲で非常に低くなり、この範囲を超えると急激に
高くなる。したがって、〈１００〉配向したＮｉＦｅ系
磁気抵抗効果膜を磁気抵抗効果型ヘッドに使用する場合
には、磁気抵抗効果膜の磁歪定数を＋５×１０~6から−
５×１０~6の範囲にすることが好ましい。また、バイア
ス手段として、シャント膜と軟磁性膜の複合バイアスを
用いる場合は、磁気抵抗効果膜と、シャント膜＋軟磁性
膜とに流す電流の比 Ｒ（磁気抵抗効果膜の電流を１と
する）を０．２から１．３の範囲にすることが好まし
い。これは、上記電流の比が０．２以下であると、磁気
抵抗効果膜にかかるバイアス磁界が小さくなり過ぎて、
外部磁界に対する磁気抵抗変化の線形性領域に入らなく
なるので再生出力が低下する。一方、上記電流の比が
１．３以上の場合には、バイアス磁界が強くなり過ぎて
磁気抵抗効果膜の電流が相対的に低下するので再生出力
が低減する。さらに、本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの
上に、 絶縁膜として アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）をスパッ
タ法で成膜し、その上に誘導型磁気記録ヘッドを形成す
ることにより、記録および再生が行える複合型磁気ヘッ
ドを作製することができ、歪みが少なくＳ／Ｎ比の高い
再生出力が得られる高密度磁気記録再生装置を実現する
ことができる。
【０００７】
【実施例】以下に本発明の実施例を挙げ、図面を用いて
さらに詳細に説明する。 〈実施例１〉ガラスからなる基板上に、アルミナ膜を
０．１μｍの膜厚にスパッタ法で形成し、さらにその上
に、膜厚２０ｎｍのＮｉ−１９ｗｔ（重量）％Ｆｅ膜
（磁歪定数５×１０~7）を磁気抵抗効果膜として形成し
た。このときのスパッタ条件は、到達真空度５×１０~7
Ｔｏｒｒ（ｍｍＨｇ）、スパッタＡｒ圧力は、アルミナ
膜の場合は５×１０~3Ｔｏｒｒ、Ｎｉ−１９ｗｔ％Ｆｅ
膜の場合は ０．８〜９×１０~3Ｔｏｒｒである。ま
た、投入電力密度は３Ｗ／ｃｍ2、基板温度は２５０℃
である。検討したＮｉ−１９ｗｔ％Ｆｅ膜の膜厚は、３
ｎｍから７０ｎｍの範囲とした。作製したＮｉ−１９ｗ
ｔ％Ｆｅ膜を、イオンミリング法により １０ｍｍ×
０．５ｍｍにパタ−ニングして４端子法により比抵抗を
求めた。この際、５０００Ａ／ｍの外部磁界を印加し
て、磁気抵抗変化率を算出した。また、Ｘ線回折により
作製したＮｉ−１９ｗｔ％Ｆｅ膜の配向性を調べた。そ
して、Ｎｉ−１９ｗｔ％Ｆｅ膜の優先成長方位である
（１１１）面と（２００）面のＸ線強度比［Ｉ（111）
／Ｉ（200）］により、Ｎｉ−１９ｗｔ％Ｆｅ膜の配向
性を表わした。図１に、Ｉ（111）／Ｉ（200）のスパッ
タＡｒ圧依存性を示す。 スパッタＡｒ圧が高いと〈１
００〉配向し、スパッタＡｒ圧が低いほど〈１１１〉配
向が強まる。したがって、スパッタＡｒ圧により配向性
を制御することができる。磁気抵抗変化率の（１１１）
面と（２００）面のＸ線強度比［Ｉ（111）／Ｉ（20
0）］依存性を、図２に示す。図から明らかなごとく、
〈１００〉配向が強いほど磁気抵抗変化率は大きくな
る。したがって、パ−マロイ膜を〈１００〉配向させれ
ば、磁気抵抗変化率を最も大きくすることができる。次
に、〈１００〉配向したパ−マロイ膜の磁気抵抗変化率
の膜厚依存性を、図３に示す。なお、比較のため従来技
術である無配向パ−マロイ膜の磁気抵抗変化率の膜厚依
存性を併せて図３に破線で示した。図から明らかなごと
く、従来技術におけるパ−マロイ膜は、膜厚が２０ｎｍ
以下になると磁気抵抗変化率が急に低下するのに対し
て、本発明による〈１００〉配向した パ−マロイ膜
は、膜厚が２０ｎｍ以下になっても磁気抵抗変化率の低
下の度合いが小さい。磁気抵抗効果膜の膜厚の低減は、
通電による磁気抵抗効果膜の発熱を逃がすのに有利とな
り、その結果、膜厚の低減に伴って許容電流値は増大
し、磁気抵抗効果ヘッドの再生出力は増大する。よっ
て、磁気抵抗効果膜の膜厚は薄い方が望ましいが、５ｎ
ｍ以下となると薄膜の連続性が悪くなり、また通常の薄
膜形成法では実用レベルの良質な薄膜を形成することが
できない。したがって、本発明の〈１００〉配向した磁
気抵抗効果膜の膜厚は５〜２０ｎｍの範囲であることが
好ましい。本発明の磁気抵抗効果膜を、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｔ
ａ、Ｍｏ、Ｗ等の金属、およびこれらの金属を主成分と
する合金、例えばＮｂ−１５％Ｔｉ合金、Ｎｂ−５％Ｒ
ｕ合金などからなる金属薄膜上に成膜した。磁気抵抗効
果膜としてパ−マロイ膜を用い、成膜時のスパッタＡｒ
圧力は、図２で示すように〈１００〉配向が強くなる９
×１０~3Ｔｏｒｒとした。上記金属薄膜上に形成したパ
−マロイ膜は、上述のアルミナ膜上に成膜したパ−マロ
イ膜と比べ〈１００〉配向が強くなった。これは、下地
である上記金属薄膜に対してパ−マロイ膜がエピタキシ
ャル成長して〈１００〉配向が強くなったためであると
考えられる。これらの金属薄膜は、その結晶構造が正方
晶または立方晶もしくは六方晶であることが特徴で、特
にＮｂ、ＴｉまたはＴａの金属薄膜の場合に、パ−マロ
イ膜が〈１００〉配向する効果が大きかった。
さらに詳細に説明する。 〈実施例１〉ガラスからなる基板上に、アルミナ膜を
０．１μｍの膜厚にスパッタ法で形成し、さらにその上
に、膜厚２０ｎｍのＮｉ−１９ｗｔ（重量）％Ｆｅ膜
（磁歪定数５×１０~7）を磁気抵抗効果膜として形成し
た。このときのスパッタ条件は、到達真空度５×１０~7
Ｔｏｒｒ（ｍｍＨｇ）、スパッタＡｒ圧力は、アルミナ
膜の場合は５×１０~3Ｔｏｒｒ、Ｎｉ−１９ｗｔ％Ｆｅ
膜の場合は ０．８〜９×１０~3Ｔｏｒｒである。ま
た、投入電力密度は３Ｗ／ｃｍ2、基板温度は２５０℃
である。検討したＮｉ−１９ｗｔ％Ｆｅ膜の膜厚は、３
ｎｍから７０ｎｍの範囲とした。作製したＮｉ−１９ｗ
ｔ％Ｆｅ膜を、イオンミリング法により １０ｍｍ×
０．５ｍｍにパタ−ニングして４端子法により比抵抗を
求めた。この際、５０００Ａ／ｍの外部磁界を印加し
て、磁気抵抗変化率を算出した。また、Ｘ線回折により
作製したＮｉ−１９ｗｔ％Ｆｅ膜の配向性を調べた。そ
して、Ｎｉ−１９ｗｔ％Ｆｅ膜の優先成長方位である
（１１１）面と（２００）面のＸ線強度比［Ｉ（111）
／Ｉ（200）］により、Ｎｉ−１９ｗｔ％Ｆｅ膜の配向
性を表わした。図１に、Ｉ（111）／Ｉ（200）のスパッ
タＡｒ圧依存性を示す。 スパッタＡｒ圧が高いと〈１
００〉配向し、スパッタＡｒ圧が低いほど〈１１１〉配
向が強まる。したがって、スパッタＡｒ圧により配向性
を制御することができる。磁気抵抗変化率の（１１１）
面と（２００）面のＸ線強度比［Ｉ（111）／Ｉ（20
0）］依存性を、図２に示す。図から明らかなごとく、
〈１００〉配向が強いほど磁気抵抗変化率は大きくな
る。したがって、パ−マロイ膜を〈１００〉配向させれ
ば、磁気抵抗変化率を最も大きくすることができる。次
に、〈１００〉配向したパ−マロイ膜の磁気抵抗変化率
の膜厚依存性を、図３に示す。なお、比較のため従来技
術である無配向パ−マロイ膜の磁気抵抗変化率の膜厚依
存性を併せて図３に破線で示した。図から明らかなごと
く、従来技術におけるパ−マロイ膜は、膜厚が２０ｎｍ
以下になると磁気抵抗変化率が急に低下するのに対し
て、本発明による〈１００〉配向した パ−マロイ膜
は、膜厚が２０ｎｍ以下になっても磁気抵抗変化率の低
下の度合いが小さい。磁気抵抗効果膜の膜厚の低減は、
通電による磁気抵抗効果膜の発熱を逃がすのに有利とな
り、その結果、膜厚の低減に伴って許容電流値は増大
し、磁気抵抗効果ヘッドの再生出力は増大する。よっ
て、磁気抵抗効果膜の膜厚は薄い方が望ましいが、５ｎ
ｍ以下となると薄膜の連続性が悪くなり、また通常の薄
膜形成法では実用レベルの良質な薄膜を形成することが
できない。したがって、本発明の〈１００〉配向した磁
気抵抗効果膜の膜厚は５〜２０ｎｍの範囲であることが
好ましい。本発明の磁気抵抗効果膜を、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｔ
ａ、Ｍｏ、Ｗ等の金属、およびこれらの金属を主成分と
する合金、例えばＮｂ−１５％Ｔｉ合金、Ｎｂ−５％Ｒ
ｕ合金などからなる金属薄膜上に成膜した。磁気抵抗効
果膜としてパ−マロイ膜を用い、成膜時のスパッタＡｒ
圧力は、図２で示すように〈１００〉配向が強くなる９
×１０~3Ｔｏｒｒとした。上記金属薄膜上に形成したパ
−マロイ膜は、上述のアルミナ膜上に成膜したパ−マロ
イ膜と比べ〈１００〉配向が強くなった。これは、下地
である上記金属薄膜に対してパ−マロイ膜がエピタキシ
ャル成長して〈１００〉配向が強くなったためであると
考えられる。これらの金属薄膜は、その結晶構造が正方
晶または立方晶もしくは六方晶であることが特徴で、特
にＮｂ、ＴｉまたはＴａの金属薄膜の場合に、パ−マロ
イ膜が〈１００〉配向する効果が大きかった。
【０００８】〈実施例２〉本発明の磁気抵抗効果膜を用
いて作製した磁気抵抗効果型ヘッドの構成の一例を図４
に示す。図において、ジルコニアからなる基板９上に、
下部磁気シ−ルド膜５として、Ｎｉ−１９％Ｆｅ膜を約
１μｍの膜厚にスパッタ法で形成し、必要部分だけを
リソグラフィ法で残し、 この上に 絶縁膜７として、ア
ルミナ膜を０．１〜０．５μｍの膜厚に形成した。な
お、磁気シ−ルド膜としてＣｏ系アモルファス膜やＦｅ
系磁性膜を用いても良いが、再生特性などが若干異なる
場合がある。 上記絶縁膜７の上に、磁気抵抗効果膜２
として膜厚が３〜４５ｎｍの〈１００〉配向したＮｉ−
１９ｗｔ％Ｆｅ膜（磁歪定数５×１０~7）を形成し、磁
気抵抗効果素子として必要な部分を残して他を除去し
た。そして、磁気抵抗効果膜２の両端にＣｏ−２０ｗｔ
％Ｐｔ合金からなる厚さ３〜１００ｎｍの磁区制御膜１
を、スパッタ法により形成した後、上記と同様の手法で
微細加工を施し必要な部分を残して他を除去した。次
に、磁区制御膜１の上に、Ｎｂからなるシャント膜３、
ＣｏＺｒＴａＲｕ系アモルファス合金からなる軟磁性膜
４を積層した。さらに、磁気抵抗効果素子に通電するた
めの電極８を形成し、その上に絶縁膜７であるアルミナ
膜および上部磁気シ−ルド膜６を積層して磁気抵抗効果
素子とした。なお、膜厚は下部のアルミナ膜（絶縁膜
７）および下部磁気シ−ルド膜５と同じであるが、ヘッ
ドの使用目的によっては膜厚が異なっても良い。トラッ
ク幅は、０．５〜１０μｍの範囲に任意に構成した。以
上のようにして作製した磁気抵抗効果素子を、磁気抵抗
効果膜の高さが所望の寸法、例えば１から１０μｍとな
るように機械加工を施して、磁気抵抗効果型ヘッドとな
し、その再生特性を評価した。磁気記録媒体としては、
ＣｏＣｒＴａ系またはＣｏＰｔＣｒ系等のスパッタ媒体
を用いた。また、比較例として従来技術である膜面内に
無配向であるパ−マロイ膜を磁気抵抗効果膜２として用
いた磁気抵抗効果型ヘッドも作製した。その結果、再生
出力のＳ／Ｎ比は、従来の磁気抵抗効果型ヘッドに比べ
１．５から３．０倍に改善された。磁気抵抗効果型ヘッ
ドを再生ヘッドとして用いる場合に、磁気抵抗効果膜の
磁歪定数の値が重要である。磁気抵抗効果型ヘッドの出
力波形の歪の原因となる磁気抵抗効果膜の多磁区化は、
磁歪定数の値によって異なり、磁歪定数が非常に大きい
場合には、硬質磁性膜を使っても単磁区化はできない。
本実施例で作製した磁気抵抗効果型ヘッドにより、磁気
抵抗効果膜の磁歪定数を＋１０×１０~6から−１０×１
０~6の範囲で変えて再生特性を調べたところ、図５に示
すごとく、磁気抵抗効果型ヘッドの出力波形歪の発生頻
度は、磁歪定数が＋５×１０~6から−５×１０~6の範囲
では非常に低いが、この範囲を超えると急激に高くなる
ことが明らかになった。したがって、本発明の〈１０
０〉配向したＮｉＦｅ系磁気抵抗効果膜を磁気抵抗効果
型ヘッドに使用する場合には、磁気抵抗効果膜の磁歪定
数を＋５×１０~6から−５×１０~6の範囲にすることが
望ましい。また、バイアス手段として、シャント膜と軟
磁性膜の複合バイアスを用いた場合には、磁気抵抗効果
膜と、シャント膜＋軟磁性膜とに流す電流の比 Ｒ（磁
気抵抗効果膜の電流を１とする）は、０．２から１．３
の間に制御することが好ましい。上記電流の比が０．２
以下であると、磁気抵抗効果膜にかかるバイアス磁界が
小さ過ぎて、外部磁界に対する磁気抵抗変化の線形性領
域に入らないため再生出力が低下する。一方、上記電流
の比が１．３以上の場合には、バイアス磁界が強くなり
過ぎて磁気抵抗効果膜の電流が相対的に低下するので再
生出力の低下が生じる。したがって、Ｒは０．２から
１．３の間が望ましい。 ここで、ＮｉＦｅ系磁気抵抗
効果膜の比抵抗は１５から３０μΩｃｍであり、上述の
Ｒを満足するシャント膜の比抵抗は２０から８０μΩｃ
ｍ、軟磁性膜の比抵抗は８０から１５０μΩｃｍが適当
な範囲となる。 これらを満足するシャント膜として
は、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｖ、Ｍｏ、ＷまたはＨｆ等の金
属、およびこれらの金属を主成分とする合金、例えばＮ
ｂ−１５％Ｔｉ合金またはＮｂ−５％Ｒｕ合金などを用
い、軟磁性膜としてＣｏＴａＺｒまたはＣｏＮｂＺｒ等
のアモルファス合金、ＣｏＮｉＦｅ系やセンダスト等の
結晶性合金膜を用いた場合には、磁気抵抗効果膜の電流
密度が５×１０6から３×１０7Ａ／ｃｍ2で、出力波形
対称性が５％以下の磁気抵抗効果型ヘッドが得られた。
本実施例 における 磁気抵抗効果型ヘッドの上に、絶縁
膜として アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）をスパッタ法で形成
し、その上に誘導型磁気記録ヘッドを作製した、いわゆ
る複合型磁気ヘッドを用いて記録再生特性を評価した結
果、上記の磁気抵抗効果型ヘッドを単独で用いた場合と
同様に歪みが少なくＳ／Ｎ比の高い再生出力が得られ
た。さらに、磁気抵抗効果型ヘッドの磁気シ−ルド膜
と、記録用誘導型ヘッドのコア膜を兼用した複合型磁気
ヘッドを作製し、その記録再生特性を評価した結果、上
記と同様に歪みが少なくＳ／Ｎ比の高い再生出力が得ら
れた。
いて作製した磁気抵抗効果型ヘッドの構成の一例を図４
に示す。図において、ジルコニアからなる基板９上に、
下部磁気シ−ルド膜５として、Ｎｉ−１９％Ｆｅ膜を約
１μｍの膜厚にスパッタ法で形成し、必要部分だけを
リソグラフィ法で残し、 この上に 絶縁膜７として、ア
ルミナ膜を０．１〜０．５μｍの膜厚に形成した。な
お、磁気シ−ルド膜としてＣｏ系アモルファス膜やＦｅ
系磁性膜を用いても良いが、再生特性などが若干異なる
場合がある。 上記絶縁膜７の上に、磁気抵抗効果膜２
として膜厚が３〜４５ｎｍの〈１００〉配向したＮｉ−
１９ｗｔ％Ｆｅ膜（磁歪定数５×１０~7）を形成し、磁
気抵抗効果素子として必要な部分を残して他を除去し
た。そして、磁気抵抗効果膜２の両端にＣｏ−２０ｗｔ
％Ｐｔ合金からなる厚さ３〜１００ｎｍの磁区制御膜１
を、スパッタ法により形成した後、上記と同様の手法で
微細加工を施し必要な部分を残して他を除去した。次
に、磁区制御膜１の上に、Ｎｂからなるシャント膜３、
ＣｏＺｒＴａＲｕ系アモルファス合金からなる軟磁性膜
４を積層した。さらに、磁気抵抗効果素子に通電するた
めの電極８を形成し、その上に絶縁膜７であるアルミナ
膜および上部磁気シ−ルド膜６を積層して磁気抵抗効果
素子とした。なお、膜厚は下部のアルミナ膜（絶縁膜
７）および下部磁気シ−ルド膜５と同じであるが、ヘッ
ドの使用目的によっては膜厚が異なっても良い。トラッ
ク幅は、０．５〜１０μｍの範囲に任意に構成した。以
上のようにして作製した磁気抵抗効果素子を、磁気抵抗
効果膜の高さが所望の寸法、例えば１から１０μｍとな
るように機械加工を施して、磁気抵抗効果型ヘッドとな
し、その再生特性を評価した。磁気記録媒体としては、
ＣｏＣｒＴａ系またはＣｏＰｔＣｒ系等のスパッタ媒体
を用いた。また、比較例として従来技術である膜面内に
無配向であるパ−マロイ膜を磁気抵抗効果膜２として用
いた磁気抵抗効果型ヘッドも作製した。その結果、再生
出力のＳ／Ｎ比は、従来の磁気抵抗効果型ヘッドに比べ
１．５から３．０倍に改善された。磁気抵抗効果型ヘッ
ドを再生ヘッドとして用いる場合に、磁気抵抗効果膜の
磁歪定数の値が重要である。磁気抵抗効果型ヘッドの出
力波形の歪の原因となる磁気抵抗効果膜の多磁区化は、
磁歪定数の値によって異なり、磁歪定数が非常に大きい
場合には、硬質磁性膜を使っても単磁区化はできない。
本実施例で作製した磁気抵抗効果型ヘッドにより、磁気
抵抗効果膜の磁歪定数を＋１０×１０~6から−１０×１
０~6の範囲で変えて再生特性を調べたところ、図５に示
すごとく、磁気抵抗効果型ヘッドの出力波形歪の発生頻
度は、磁歪定数が＋５×１０~6から−５×１０~6の範囲
では非常に低いが、この範囲を超えると急激に高くなる
ことが明らかになった。したがって、本発明の〈１０
０〉配向したＮｉＦｅ系磁気抵抗効果膜を磁気抵抗効果
型ヘッドに使用する場合には、磁気抵抗効果膜の磁歪定
数を＋５×１０~6から−５×１０~6の範囲にすることが
望ましい。また、バイアス手段として、シャント膜と軟
磁性膜の複合バイアスを用いた場合には、磁気抵抗効果
膜と、シャント膜＋軟磁性膜とに流す電流の比 Ｒ（磁
気抵抗効果膜の電流を１とする）は、０．２から１．３
の間に制御することが好ましい。上記電流の比が０．２
以下であると、磁気抵抗効果膜にかかるバイアス磁界が
小さ過ぎて、外部磁界に対する磁気抵抗変化の線形性領
域に入らないため再生出力が低下する。一方、上記電流
の比が１．３以上の場合には、バイアス磁界が強くなり
過ぎて磁気抵抗効果膜の電流が相対的に低下するので再
生出力の低下が生じる。したがって、Ｒは０．２から
１．３の間が望ましい。 ここで、ＮｉＦｅ系磁気抵抗
効果膜の比抵抗は１５から３０μΩｃｍであり、上述の
Ｒを満足するシャント膜の比抵抗は２０から８０μΩｃ
ｍ、軟磁性膜の比抵抗は８０から１５０μΩｃｍが適当
な範囲となる。 これらを満足するシャント膜として
は、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｖ、Ｍｏ、ＷまたはＨｆ等の金
属、およびこれらの金属を主成分とする合金、例えばＮ
ｂ−１５％Ｔｉ合金またはＮｂ−５％Ｒｕ合金などを用
い、軟磁性膜としてＣｏＴａＺｒまたはＣｏＮｂＺｒ等
のアモルファス合金、ＣｏＮｉＦｅ系やセンダスト等の
結晶性合金膜を用いた場合には、磁気抵抗効果膜の電流
密度が５×１０6から３×１０7Ａ／ｃｍ2で、出力波形
対称性が５％以下の磁気抵抗効果型ヘッドが得られた。
本実施例 における 磁気抵抗効果型ヘッドの上に、絶縁
膜として アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）をスパッタ法で形成
し、その上に誘導型磁気記録ヘッドを作製した、いわゆ
る複合型磁気ヘッドを用いて記録再生特性を評価した結
果、上記の磁気抵抗効果型ヘッドを単独で用いた場合と
同様に歪みが少なくＳ／Ｎ比の高い再生出力が得られ
た。さらに、磁気抵抗効果型ヘッドの磁気シ−ルド膜
と、記録用誘導型ヘッドのコア膜を兼用した複合型磁気
ヘッドを作製し、その記録再生特性を評価した結果、上
記と同様に歪みが少なくＳ／Ｎ比の高い再生出力が得ら
れた。
【０００９】
【発明の効果】以上詳細に説明したごとく、磁気抵抗効
果膜を、膜面に対し最も大きな磁気抵抗変化率を示す面
方位（結晶方位）に配向して構成した本発明の磁気抵抗
効果型ヘッドによれば、磁気抵抗効果膜の膜厚の薄い領
域で大きい磁気抵抗変化率を示し、通電による磁気抵抗
効果膜の熱の発散がよく、許容電流値を増大させること
ができ、再生出力の大きな磁気抵抗効果型ヘッドが得ら
れる。したがって、この再生出力の大きな磁気抵抗効果
型ヘッドを磁気記録装置に装着することにより高密度磁
気記録再生を実現することができる。
果膜を、膜面に対し最も大きな磁気抵抗変化率を示す面
方位（結晶方位）に配向して構成した本発明の磁気抵抗
効果型ヘッドによれば、磁気抵抗効果膜の膜厚の薄い領
域で大きい磁気抵抗変化率を示し、通電による磁気抵抗
効果膜の熱の発散がよく、許容電流値を増大させること
ができ、再生出力の大きな磁気抵抗効果型ヘッドが得ら
れる。したがって、この再生出力の大きな磁気抵抗効果
型ヘッドを磁気記録装置に装着することにより高密度磁
気記録再生を実現することができる。
【図１】本発明の実施例１で例示したＮｉ−１９ｗｔ％
Ｆｅ膜の（１１１）面と（２００）面のＸ線強度比［Ｉ
（111）／Ｉ（200）］とスパッタＡｒ圧力の関係を示す
図。
Ｆｅ膜の（１１１）面と（２００）面のＸ線強度比［Ｉ
（111）／Ｉ（200）］とスパッタＡｒ圧力の関係を示す
図。
【図２】本発明の実施例１で例示した磁気抵抗効果膜の
（１１１）面と（２００）面のＸ線強度比と磁気抵抗変
化率との関係を示す図。
（１１１）面と（２００）面のＸ線強度比と磁気抵抗変
化率との関係を示す図。
【図３】本発明の実施例１で例示した磁気抵抗効果膜の
磁気抵抗変化率と膜厚との関係を従来技術と比較して示
した図。
磁気抵抗変化率と膜厚との関係を従来技術と比較して示
した図。
【図４】本発明の実施例２で作製した磁気抵抗効果素子
の構造の一例を示す模式図。
の構造の一例を示す模式図。
【図５】本発明の実施例２で例示した磁気抵抗効果型ヘ
ッドの出力波形歪の発生頻度と磁歪定数との関係を示す
図。
ッドの出力波形歪の発生頻度と磁歪定数との関係を示す
図。
１…磁区制御膜 ２…磁気抵抗効果膜 ３…シャント膜 ４…軟磁性膜 ５…下部シ−ルド膜 ６…上部シ−ルド膜 ７…絶縁膜 ８…電極 ９…基板
Claims (10)
- 【請求項１】磁気抵抗効果を示す磁性体材料からなる磁
気抵抗効果膜を感磁部に用いた磁気抵抗効果型ヘッドに
おいて、上記磁気抵抗効果膜は、膜面に対し最も大きな
磁気抵抗変化率を示す面方位に配向してなることを特徴
とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項２】請求項１において、磁気抵抗効果膜は、Ｎ
ｉＦｅ合金からなり、かつ磁気抵抗効果膜の面方位が膜
面に対して〈１００〉配向してなることを特徴とする磁
気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項３】請求項２において、磁気抵抗効果膜は、Ｆ
ｅを重量％で１８〜２１％含有するＮｉＦｅ合金からな
り、かつ磁気抵抗効果膜の面方位が膜面に対して〈１０
０〉配向してなることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッ
ド。 - 【請求項４】請求項１ないし請求項３のいずれか１項に
おいて、磁気抵抗効果膜の膜厚が５ｎｍ以上、２０ｎｍ
以下の範囲にあることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッ
ド。 - 【請求項５】請求項１ないし請求項４のいずれか１項に
おいて、磁気抵抗効果膜は、結晶構造が正方晶または立
方晶もしくは六方晶からなる金属薄膜と積層してなるこ
とを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項６】請求項５において、金属薄膜はＮｂ、Ｔ
ａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗのうちから選択される少なくとも１
種の金属もしくは該金属を主成分とする合金からなるこ
とを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項７】請求項１ないし請求項６のいずれか１項に
記載の再生用の磁気抵抗効果型ヘッドと記録用の誘導型
磁気ヘッドとが絶縁基板上に複合して構成したことを特
徴とする複合型の磁気記録再生用ヘッド。 - 【請求項８】請求項１ないし請求項７のいずれか１項に
記載の磁気ヘッドと、該磁気ヘッドに電流を供給するた
めの電源を一体化して構成したことを特徴とする磁気ヘ
ッド装置。 - 【請求項９】請求項１ないし請求項８のいずれか１項に
記載の磁気ヘッドと、電源、符号変換、誤り訂正を含む
信号再生回路を設けてなることを特徴とする磁気ヘッド
装置。 - 【請求項１０】請求項１ないし請求項９のいずれか１項
に記載の磁気ヘッドまたは磁気ヘッド装置を装着し、磁
気記録媒体に対し情報の記録および再生を行う手段を備
えたことを特徴とする磁気記録装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34575492A JPH06195645A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 磁気抵抗効果型ヘッドおよびそれを用いた磁気記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34575492A JPH06195645A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 磁気抵抗効果型ヘッドおよびそれを用いた磁気記録装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06195645A true JPH06195645A (ja) | 1994-07-15 |
Family
ID=18378749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34575492A Pending JPH06195645A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 磁気抵抗効果型ヘッドおよびそれを用いた磁気記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06195645A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5852533A (en) * | 1995-07-28 | 1998-12-22 | Tdk Corporation | Magnetoresistance effect transducer element with continuous central active area |
| US8154828B2 (en) | 2009-07-10 | 2012-04-10 | Tdk Corporation | Magnetoresistive effect element in CPP-type structure and magnetic disk device |
| US8279548B2 (en) | 2010-04-20 | 2012-10-02 | Tdk Corporation | Microwave oscillating element and thin film magnetic head therewith |
-
1992
- 1992-12-25 JP JP34575492A patent/JPH06195645A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5852533A (en) * | 1995-07-28 | 1998-12-22 | Tdk Corporation | Magnetoresistance effect transducer element with continuous central active area |
| US8154828B2 (en) | 2009-07-10 | 2012-04-10 | Tdk Corporation | Magnetoresistive effect element in CPP-type structure and magnetic disk device |
| US8279548B2 (en) | 2010-04-20 | 2012-10-02 | Tdk Corporation | Microwave oscillating element and thin film magnetic head therewith |
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