JPH06196131A - 高圧放電ランプ - Google Patents
高圧放電ランプInfo
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- JPH06196131A JPH06196131A JP5222412A JP22241293A JPH06196131A JP H06196131 A JPH06196131 A JP H06196131A JP 5222412 A JP5222412 A JP 5222412A JP 22241293 A JP22241293 A JP 22241293A JP H06196131 A JPH06196131 A JP H06196131A
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- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims abstract description 94
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 88
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 52
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 30
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 37
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 20
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 18
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 11
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011195 cermet Substances 0.000 claims description 10
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 8
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 6
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 5
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000003610 charcoal Substances 0.000 claims 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 abstract description 10
- 230000009471 action Effects 0.000 abstract description 2
- 230000026030 halogenation Effects 0.000 abstract 2
- 238000005658 halogenation reaction Methods 0.000 abstract 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 abstract 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 10
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 7
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 7
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 4
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 3
- -1 sapphire Chemical class 0.000 description 3
- FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M sodium iodide Chemical compound [Na+].[I-] FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 3
- GQKYKPLGNBXERW-UHFFFAOYSA-N 6-fluoro-1h-indazol-5-amine Chemical compound C1=C(F)C(N)=CC2=C1NN=C2 GQKYKPLGNBXERW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000013405 beer Nutrition 0.000 description 2
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910003440 dysprosium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- NLQFUUYNQFMIJW-UHFFFAOYSA-N dysprosium(iii) oxide Chemical compound O=[Dy]O[Dy]=O NLQFUUYNQFMIJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910021343 molybdenum disilicide Inorganic materials 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- KXCRAPCRWWGWIW-UHFFFAOYSA-K holmium(3+);triiodide Chemical compound I[Ho](I)I KXCRAPCRWWGWIW-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- HUIHCQPFSRNMNM-UHFFFAOYSA-K scandium(3+);triiodide Chemical compound [Sc+3].[I-].[I-].[I-] HUIHCQPFSRNMNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 235000009518 sodium iodide Nutrition 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910019655 synthetic inorganic crystalline material Inorganic materials 0.000 description 1
- CMJCEVKJYRZMIA-UHFFFAOYSA-M thallium(i) iodide Chemical compound [Tl]I CMJCEVKJYRZMIA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- LZOMHYVAEHYDST-UHFFFAOYSA-K thulium(3+);triiodide Chemical compound I[Tm](I)I LZOMHYVAEHYDST-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- QPBYLOWPSRZOFX-UHFFFAOYSA-J tin(iv) iodide Chemical compound I[Sn](I)(I)I QPBYLOWPSRZOFX-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940105970 yttrium iodide Drugs 0.000 description 1
- LFWQXIMAKJCMJL-UHFFFAOYSA-K yttrium(3+);triiodide Chemical compound I[Y](I)I LFWQXIMAKJCMJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
- H01J61/02—Details
- H01J61/36—Seals between parts of vessels; Seals for leading-in conductors; Leading-in conductors
- H01J61/361—Seals between parts of vessel
- H01J61/363—End-disc seals or plug seals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
- H01J61/02—Details
- H01J61/36—Seals between parts of vessels; Seals for leading-in conductors; Leading-in conductors
- H01J61/366—Seals for leading-in conductors
Landscapes
- Vessels And Coating Films For Discharge Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高圧放電ランプの放電容器内の水素と酸素の
量を十分に減らすと共に、ハロゲン化物による給電導体
の腐蝕作用を防止する。 【構成】 高圧放電ランプは、第１及び第２電極４０
ａ，４０ｂが配置され、且つ金属ハロゲン化物を含有す
る充填物が封入される放電空所１１を囲むセラミック放
電容器１０を具え、放電容器は電極間の中央区分２０
と、各電極に接続した各給電導体５０ａ，５０ｂを囲む
円筒状の第１及び第２端部区分３０ａ，３０ｂとを有し
ている。少なくとも第１端部区分３０ａの直径は中央区
分２０の最小直径よりも小さくし、第１端部区分に通す
給電導体５０ａは放電空所に面する耐ハロゲン化物部分
５１ａと、放電空所とは反対側に面し、水素及び酸素に
対して透過性の部分とを有する。耐ハロゲン化物部分５
１ａは、少なくとも第１端部区分の内径Ｄを２mmだけ増
大させた距離にわたり第１端部区分を経て延在させる。
第２端部区分３０ｂに通す給電導体５０ｂにも放電空所
に面する耐ハロゲン物部分５１ｂを設ける。
量を十分に減らすと共に、ハロゲン化物による給電導体
の腐蝕作用を防止する。 【構成】 高圧放電ランプは、第１及び第２電極４０
ａ，４０ｂが配置され、且つ金属ハロゲン化物を含有す
る充填物が封入される放電空所１１を囲むセラミック放
電容器１０を具え、放電容器は電極間の中央区分２０
と、各電極に接続した各給電導体５０ａ，５０ｂを囲む
円筒状の第１及び第２端部区分３０ａ，３０ｂとを有し
ている。少なくとも第１端部区分３０ａの直径は中央区
分２０の最小直径よりも小さくし、第１端部区分に通す
給電導体５０ａは放電空所に面する耐ハロゲン化物部分
５１ａと、放電空所とは反対側に面し、水素及び酸素に
対して透過性の部分とを有する。耐ハロゲン化物部分５
１ａは、少なくとも第１端部区分の内径Ｄを２mmだけ増
大させた距離にわたり第１端部区分を経て延在させる。
第２端部区分３０ｂに通す給電導体５０ｂにも放電空所
に面する耐ハロゲン物部分５１ｂを設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は金属ハロゲン化物を含む
イオン化可能な充填物が封入され、且つ第１及び第２電
極が配置される放電空所を囲むセラミック放電容器を具
えており、この放電容器が前記電極間に延在する中央区
分の両側に、中央区分に接続される第１及び第２端部区
分を具え、これらの各端部区分が各電極に接続した給電
導体を僅かの隙間をあけて囲み、前記給電導体が前記各
端部区分を経て外部に出る個所にセラミック封止用コン
パウンドのシールを設け、少なくとも第１端部区分の外
径を中央区分の最小外径よりも小さくし、第１端部区分
に通す給電導体が放電空所に対向している耐ハロゲン化
物部分と、放電空所とは反射側に水素及び酸素に対して
透過性の部分とを有している高圧放電ランプに関するも
のである。
イオン化可能な充填物が封入され、且つ第１及び第２電
極が配置される放電空所を囲むセラミック放電容器を具
えており、この放電容器が前記電極間に延在する中央区
分の両側に、中央区分に接続される第１及び第２端部区
分を具え、これらの各端部区分が各電極に接続した給電
導体を僅かの隙間をあけて囲み、前記給電導体が前記各
端部区分を経て外部に出る個所にセラミック封止用コン
パウンドのシールを設け、少なくとも第１端部区分の外
径を中央区分の最小外径よりも小さくし、第１端部区分
に通す給電導体が放電空所に対向している耐ハロゲン化
物部分と、放電空所とは反射側に水素及び酸素に対して
透過性の部分とを有している高圧放電ランプに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】斯種のランプは米国特許第 4,409,517号
から既知である。本明細書にて用いている「セラミック
放電容器」とは、単結晶の金属酸化物、例えばサファイ
ヤか、多結晶金属酸化物、例えば半透明の気密性アルミ
ニウム酸化物（ＤＧＡ）、イットリウム−アルミニウム
ガーネット（ＹＡＧ）又はイットリウム酸化物（ＹＯ
Ｘ）か、アルミニウム窒化物（ＡｌＮ）の如き多結晶非
酸化物のような耐火材料製の放電容器を意味するものと
する。「耐ハロゲン化物」とは、ランプの作動中に放電
空間内に優先する条件下にてハロゲン化物及び遊離ハロ
ゲンによる腐蝕作用が殆ど或いは全く起らないことを意
味する。「僅かな隙間」とは端部区分と、そこから出る
給電導体との間に残存する空所が少なくとも５μm で、
最大でも端部区分の内径の１／４の大きさで、約２００
μm 以下の空所を意味するものとする。従って、端部区
分に通す給電導体の直径は、この端部区分の内径の少な
くとも１／２とする。従来のランプでは、給電導体を形
成する金属ブッシュを放電容器の各端部区分に通してい
る。このブッシュと端部区分との間の空所全体にセラミ
ック封止用コンパウンドを充填させている。給電導体用
の材料としてはニオブ又はタンタルが用いられており、
これは、これらの金属の膨張率が、ランプをアイドル状
態から点灯させた後に端部区分に及ぶ温度範囲にわたり
平均して、放電容器を造るセラミック材料の膨張率にほ
ぼ相当するからである。しかし、上記金属の欠点は、こ
れらが耐ハロゲン化物性でないことにある。従って、従
来のランプでは第１端部区分を経て放電容器内に出す給
電導体の放電空所内に位置する部分にモリブデン又はタ
ングステンの如き耐ハロゲン化物物質のカバーを設けて
いる。
から既知である。本明細書にて用いている「セラミック
放電容器」とは、単結晶の金属酸化物、例えばサファイ
ヤか、多結晶金属酸化物、例えば半透明の気密性アルミ
ニウム酸化物（ＤＧＡ）、イットリウム−アルミニウム
ガーネット（ＹＡＧ）又はイットリウム酸化物（ＹＯ
Ｘ）か、アルミニウム窒化物（ＡｌＮ）の如き多結晶非
酸化物のような耐火材料製の放電容器を意味するものと
する。「耐ハロゲン化物」とは、ランプの作動中に放電
空間内に優先する条件下にてハロゲン化物及び遊離ハロ
ゲンによる腐蝕作用が殆ど或いは全く起らないことを意
味する。「僅かな隙間」とは端部区分と、そこから出る
給電導体との間に残存する空所が少なくとも５μm で、
最大でも端部区分の内径の１／４の大きさで、約２００
μm 以下の空所を意味するものとする。従って、端部区
分に通す給電導体の直径は、この端部区分の内径の少な
くとも１／２とする。従来のランプでは、給電導体を形
成する金属ブッシュを放電容器の各端部区分に通してい
る。このブッシュと端部区分との間の空所全体にセラミ
ック封止用コンパウンドを充填させている。給電導体用
の材料としてはニオブ又はタンタルが用いられており、
これは、これらの金属の膨張率が、ランプをアイドル状
態から点灯させた後に端部区分に及ぶ温度範囲にわたり
平均して、放電容器を造るセラミック材料の膨張率にほ
ぼ相当するからである。しかし、上記金属の欠点は、こ
れらが耐ハロゲン化物性でないことにある。従って、従
来のランプでは第１端部区分を経て放電容器内に出す給
電導体の放電空所内に位置する部分にモリブデン又はタ
ングステンの如き耐ハロゲン化物物質のカバーを設けて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一般に、金属ハロゲン
化物を含む高圧放電ランプの製造中に放電容器に水素が
入り込まなないようにしたり、又は後の段階にて放電容
器内に存在する例えば金属ハロゲン化塩にて吸収された
水分を解離させて水素を放出させたりするのは困難であ
ることを確かめた。少量の水素でもランプの点弧電圧及
び再点弧電圧をかなり高めることができる。水素は酸素
と寄生反応を起して、放電容器の黒色化をまねいたり、
（再）点弧電圧の上昇をもまねくことが有り得る。ラン
プ電圧に対する再点弧電圧の比が２以上になると、通常
のランプ給電での作動中にランプが消える恐れがある。
こうした欠点をなくすために、従来のランプでは第２端
部区分に通す給電導体全体をニオブ又はタンタルで造っ
ている。これは、これらの金属が水素及び酸素に対して
高度の透過性を呈するからである。従って、水素及び酸
素はこの給電導体を経て放電容器から出ることができ
る。
化物を含む高圧放電ランプの製造中に放電容器に水素が
入り込まなないようにしたり、又は後の段階にて放電容
器内に存在する例えば金属ハロゲン化塩にて吸収された
水分を解離させて水素を放出させたりするのは困難であ
ることを確かめた。少量の水素でもランプの点弧電圧及
び再点弧電圧をかなり高めることができる。水素は酸素
と寄生反応を起して、放電容器の黒色化をまねいたり、
（再）点弧電圧の上昇をもまねくことが有り得る。ラン
プ電圧に対する再点弧電圧の比が２以上になると、通常
のランプ給電での作動中にランプが消える恐れがある。
こうした欠点をなくすために、従来のランプでは第２端
部区分に通す給電導体全体をニオブ又はタンタルで造っ
ている。これは、これらの金属が水素及び酸素に対して
高度の透過性を呈するからである。従って、水素及び酸
素はこの給電導体を経て放電容器から出ることができ
る。
【０００４】しかし、このような構成のランプでは第２
端部区分から出ている給電導体が腐食しないようにする
ために、ランプを垂直又はほぼ垂直位置にて作動させ、
放電容器内を隔離して、ハロゲン化物及び遊離ハロゲン
が主として上部に位置する端部区分内に存在するように
する必要がある。従来のランプ構成では通常、ランプの
放電容器を十分長く、しかも幅狭のものとしてしか使用
できないと云うのも欠点である。放電容器が比較的短
く、しかも幅広のランプは通常、充填成分の蒸気圧を比
較的高くして、放電容器の長さが短くても十分高いラン
プ電圧を実現できるように作動させる。こうした状況で
は、放電容器を垂直に位置させた場合に、前述したよう
に放電容器内を隔離し、従って第２端部区分を経て出る
給電導体の腐蝕を防止するのにかなり強過ぎる対流が起
る恐れがある。
端部区分から出ている給電導体が腐食しないようにする
ために、ランプを垂直又はほぼ垂直位置にて作動させ、
放電容器内を隔離して、ハロゲン化物及び遊離ハロゲン
が主として上部に位置する端部区分内に存在するように
する必要がある。従来のランプ構成では通常、ランプの
放電容器を十分長く、しかも幅狭のものとしてしか使用
できないと云うのも欠点である。放電容器が比較的短
く、しかも幅広のランプは通常、充填成分の蒸気圧を比
較的高くして、放電容器の長さが短くても十分高いラン
プ電圧を実現できるように作動させる。こうした状況で
は、放電容器を垂直に位置させた場合に、前述したよう
に放電容器内を隔離し、従って第２端部区分を経て出る
給電導体の腐蝕を防止するのにかなり強過ぎる対流が起
る恐れがある。
【０００５】本発明の目的は給電導体に及ぶ腐蝕作用を
防止するのに対流を起す必要がなく、それにも拘らず放
電容器内の水素及び酸素の存在を十分に抑えることので
きる構成を有する冒頭にて述べた種類の高圧放電ランプ
を提供することにある。
防止するのに対流を起す必要がなく、それにも拘らず放
電容器内の水素及び酸素の存在を十分に抑えることので
きる構成を有する冒頭にて述べた種類の高圧放電ランプ
を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、前記給電導体の耐ハロゲン化物部分が、少
なくとも前記第１端部区分の内径Ｄを２mmだけ増大させ
た距離Ｌ１にわたり前記第１端部区分の内側に延在し、
且つ第２端部区分に通す給電導体も放電空所の方へ向い
ている耐ハロゲン化物部分を有していることを特徴とす
る。
するために、前記給電導体の耐ハロゲン化物部分が、少
なくとも前記第１端部区分の内径Ｄを２mmだけ増大させ
た距離Ｌ１にわたり前記第１端部区分の内側に延在し、
且つ第２端部区分に通す給電導体も放電空所の方へ向い
ている耐ハロゲン化物部分を有していることを特徴とす
る。
【０００７】本発明者等は上述したようにすれば、透過
性部分がハロゲン及び遊離ハロゲン化物にさらされても
腐蝕されないことを確めた。透過性部分がハロゲン及び
遊離ハロゲンにさらされる距離を短くした場合には腐蝕
することが確められ、ランプの寿命が許容できない様に
短くなった。好ましい製造技術の観点からすると、距離
Ｌ１は約３０mm以下とするのが好適である。本発明によ
るランプの給電導体の耐ハロゲン化物部分は端部区分内
を少なくとも上述した距離Ｌ１にわたり延在し、これに
より放射熱がまわりに伝わるため、透過性部分の温度は
放電空所内の温度に比べて比較的低くなる。又、端部区
分と、そこに通す耐ハロゲン化物部分との間の僅かな隙
間により、放電空所から派生するガスと耐ハロゲン化物
部分との間の熱交換が強力となるため、この結果、放電
空所から派生するガスは透過性部分に達する前に比較的
低温になる。これによりランプの作動中に充填物成分と
透過性部分との不所望な反応による充填物成分の損失を
まねくことなく、耐ハロゲン化物部分と端部区分との間
の空所及び透過性部分を経て放電容器から水素及び酸素
を除去することができる。
性部分がハロゲン及び遊離ハロゲン化物にさらされても
腐蝕されないことを確めた。透過性部分がハロゲン及び
遊離ハロゲンにさらされる距離を短くした場合には腐蝕
することが確められ、ランプの寿命が許容できない様に
短くなった。好ましい製造技術の観点からすると、距離
Ｌ１は約３０mm以下とするのが好適である。本発明によ
るランプの給電導体の耐ハロゲン化物部分は端部区分内
を少なくとも上述した距離Ｌ１にわたり延在し、これに
より放射熱がまわりに伝わるため、透過性部分の温度は
放電空所内の温度に比べて比較的低くなる。又、端部区
分と、そこに通す耐ハロゲン化物部分との間の僅かな隙
間により、放電空所から派生するガスと耐ハロゲン化物
部分との間の熱交換が強力となるため、この結果、放電
空所から派生するガスは透過性部分に達する前に比較的
低温になる。これによりランプの作動中に充填物成分と
透過性部分との不所望な反応による充填物成分の損失を
まねくことなく、耐ハロゲン化物部分と端部区分との間
の空所及び透過性部分を経て放電容器から水素及び酸素
を除去することができる。
【０００８】なお、米国特許第 4,780,646号には放電容
器に金属ハロゲン化物を含む充填物を設けた高圧放電ラ
ンプが開示されている。放電容器の端部区分における給
電導体は耐ハロゲン化物部分を有している。放電容器の
中央区分と同じ直径を有する端部区分は複雑な構造をし
ており、この端部区分はニオブ製のディスクと、凹所内
に前記ニオブ製のディスクが入る２つのセラミック製の
ディスクと、電極ピンを囲むセラミックスリーブとを経
て電極ピンに接続されるニオブ製の電流導体を有してい
る。この場合、ピンとスリーブとの間空所は、これらの
ピンとスリーブとの平均膨張率の差を適合させるのには
十分である。しかし、前記空所は凝縮充填成分が空所内
に堆積されたり、その空所内を移動したりしなくなる程
に小さい。このようなランプの欠点は、端部区分の構造
が複雑なこと以外に、水素及び酸素輸送用に利用できる
ニオブ製ディスクの表面積が非常に小さく、しかもその
表面積は凝縮充填物成分へのアクセシビリティを増すこ
となく大きくすることができないと云うことにある。
器に金属ハロゲン化物を含む充填物を設けた高圧放電ラ
ンプが開示されている。放電容器の端部区分における給
電導体は耐ハロゲン化物部分を有している。放電容器の
中央区分と同じ直径を有する端部区分は複雑な構造をし
ており、この端部区分はニオブ製のディスクと、凹所内
に前記ニオブ製のディスクが入る２つのセラミック製の
ディスクと、電極ピンを囲むセラミックスリーブとを経
て電極ピンに接続されるニオブ製の電流導体を有してい
る。この場合、ピンとスリーブとの間空所は、これらの
ピンとスリーブとの平均膨張率の差を適合させるのには
十分である。しかし、前記空所は凝縮充填成分が空所内
に堆積されたり、その空所内を移動したりしなくなる程
に小さい。このようなランプの欠点は、端部区分の構造
が複雑なこと以外に、水素及び酸素輸送用に利用できる
ニオブ製ディスクの表面積が非常に小さく、しかもその
表面積は凝縮充填物成分へのアクセシビリティを増すこ
となく大きくすることができないと云うことにある。
【０００９】さらに、放電容器が中央区分の両側に円筒
状の端部区分を有し、これらの端部区分の直径を中央区
分の直径に比べて比較的小さくした高圧放電ランプは、
既に公開されているオランダ国特許願第 8,005,026号か
ら既知である。この場合には、水素及び酸素に対して透
過性のニオブ製の電流導体を各端部区分を経て放電空所
に通して、耐ハロゲン化物のタングステンの電極ピンに
接続している。直径が端部区分の内径の１／２以下の電
極ピンは端部区分の内側には延在していない。前記オラ
ンダ国特許出願に記載されているように、充填的として
金属ハロゲン化物を用いると、斯かる構成のランプでは
短期間の作動後にニオブ製の電流導体が腐蝕してしまう
ことになる。
状の端部区分を有し、これらの端部区分の直径を中央区
分の直径に比べて比較的小さくした高圧放電ランプは、
既に公開されているオランダ国特許願第 8,005,026号か
ら既知である。この場合には、水素及び酸素に対して透
過性のニオブ製の電流導体を各端部区分を経て放電空所
に通して、耐ハロゲン化物のタングステンの電極ピンに
接続している。直径が端部区分の内径の１／２以下の電
極ピンは端部区分の内側には延在していない。前記オラ
ンダ国特許出願に記載されているように、充填的として
金属ハロゲン化物を用いると、斯かる構成のランプでは
短期間の作動後にニオブ製の電流導体が腐蝕してしまう
ことになる。
【００１０】本発明によるランプでは給電導体の透過製
部分を、例えばチタン、ジルコニウム、ハフニウム、バ
ナジウム、ニオブ又はタンタル、或いはこれら元素の合
金で造る。ニオブ及びタンタルは、それらの平均膨張率
が屡々用いられるＤＧＡの膨張率と殆ど相違しないか
ら、給電導体の透過性部分としてはニオブ及び／又はタ
ンタルを用いるのが好適である。酸化イットリウムとイ
ットリウム−アルミニウム−ガーネットとの平均膨張率
の差もごく僅かである。窒化アルミニウムをセラミック
材料として用いる場合には上記透過性部分としてジルコ
ニウムを用いるのが好適である。
部分を、例えばチタン、ジルコニウム、ハフニウム、バ
ナジウム、ニオブ又はタンタル、或いはこれら元素の合
金で造る。ニオブ及びタンタルは、それらの平均膨張率
が屡々用いられるＤＧＡの膨張率と殆ど相違しないか
ら、給電導体の透過性部分としてはニオブ及び／又はタ
ンタルを用いるのが好適である。酸化イットリウムとイ
ットリウム−アルミニウム−ガーネットとの平均膨張率
の差もごく僅かである。窒化アルミニウムをセラミック
材料として用いる場合には上記透過性部分としてジルコ
ニウムを用いるのが好適である。
【００１１】給電導体の少なくとも耐ハロゲン化物部分
の表面は、タングステン、モリブデン、プラチナ、イリ
ジウム、レニウム及びロジウムにより形成される群から
の少なくとも１つの金属及び／又はこれら金属の少なく
とも１つの導電性珪化物、炭化物又は窒化物、例えば二
珪化モリブデンから成る材料で造るのが好適である。
の表面は、タングステン、モリブデン、プラチナ、イリ
ジウム、レニウム及びロジウムにより形成される群から
の少なくとも１つの金属及び／又はこれら金属の少なく
とも１つの導電性珪化物、炭化物又は窒化物、例えば二
珪化モリブデンから成る材料で造るのが好適である。
【００１２】耐ハロゲン化物部分の表面の放射吸収率は
０．２以上とするのが好適である。放射吸収率を比較的
高くすると、放射熱が周囲に伝達され易くなるため、他
の状況は変わらなくても透過性部分の温度は比較的低く
なる。０．２以上の吸収率は、例えば耐ハロゲン化物部
分の表面を粗面及び／又は艶なし面とすることにより簡
単に実現される。耐ハロゲン化物部分の表面に、例えば
放射吸収率の高い材料層を設けることもできる。
０．２以上とするのが好適である。放射吸収率を比較的
高くすると、放射熱が周囲に伝達され易くなるため、他
の状況は変わらなくても透過性部分の温度は比較的低く
なる。０．２以上の吸収率は、例えば耐ハロゲン化物部
分の表面を粗面及び／又は艶なし面とすることにより簡
単に実現される。耐ハロゲン化物部分の表面に、例えば
放射吸収率の高い材料層を設けることもできる。
【００１３】本発明によるランプの好適例では、透過性
部分がセラミック封止用コンパウンドのシールを越えて
第１端部区分に入り、シールから或る距離離れた所で耐
ハロゲン化物部分に隣接するようにする。この例では、
給電導体の耐ハロゲン化物部分の方を向いている透過性
部分の端部が、端部区分とこれに通す耐ハロゲン化物部
分との空所を経て放電空所と接触するため、放電空所か
ら前記透過性部分の端部を経て水素及び酸素は出ること
ができる。
部分がセラミック封止用コンパウンドのシールを越えて
第１端部区分に入り、シールから或る距離離れた所で耐
ハロゲン化物部分に隣接するようにする。この例では、
給電導体の耐ハロゲン化物部分の方を向いている透過性
部分の端部が、端部区分とこれに通す耐ハロゲン化物部
分との空所を経て放電空所と接触するため、放電空所か
ら前記透過性部分の端部を経て水素及び酸素は出ること
ができる。
【００１４】本発明によるランプの第２端部区分は比較
的短くすることができ、これには給電導体と電極の双方
を形成するタングステン又はモリブデンの棒を設けるこ
とができる。第２端部区分の構造は第１端部区分の構造
と同じとすることもできる。
的短くすることができ、これには給電導体と電極の双方
を形成するタングステン又はモリブデンの棒を設けるこ
とができる。第２端部区分の構造は第１端部区分の構造
と同じとすることもできる。
【００１５】ランプの通常の作動中に放電容器内にて水
分が解離し、給電導体の透過性部分を経て放電容器から
水素及び酸素が出ることができるも、水素の存在は、ラ
ンプが通常の給電装置で点弧し、しかも上述したプロセ
スが始動状態にセットされるまでにかなりの時間がかか
る程に点弧電圧を上昇させる恐れがある。従って、水
素、酸素及び水分はランプの製造段階にて放電容器から
追い出すのが好適である。この処理には必要に応じ高目
の点弧電圧を用いることができる。
分が解離し、給電導体の透過性部分を経て放電容器から
水素及び酸素が出ることができるも、水素の存在は、ラ
ンプが通常の給電装置で点弧し、しかも上述したプロセ
スが始動状態にセットされるまでにかなりの時間がかか
る程に点弧電圧を上昇させる恐れがある。従って、水
素、酸素及び水分はランプの製造段階にて放電容器から
追い出すのが好適である。この処理には必要に応じ高目
の点弧電圧を用いることができる。
【００１６】本発明によるランプの好適例では、給電導
体の耐ハロゲン化物部分がセラミック封止用コンパウン
ドのシールの内側に延在するようにする。この例では給
電導体の透過性部分が最終仕上げしたランプ内の金属ハ
ロゲン化物から成る充填物から完全に仕切られる。第１
端部区分の外径を同じとする場合、この端部区分の温度
は、透過性部分の端部を放電空所と接触させる構造のも
のに比べて高くすることができる。このような構成で
も、給電導体の透過性部分は第１端部区分にてセラミッ
ク封止用コンパウンドで全体が覆われるも、それでもラ
ンプの製造中に放電容器から水分、水素及び酸素を除去
することができる。この目的のために、例えば電極と、
透過性部分及び耐ハロゲン化物部分を有する給電導体と
のアセンブリを第１端部区分内に入れ、このアセンブリ
を、耐ハロゲン化物部分に隣接する給電導体の透過性部
分の端部は未だセラミック封止用コンパウンドで覆わな
いようにしてセラミック封止用コンパウンドで固定させ
る。次いでランプを数分間作動させると、放電アークで
水蒸気が解離し、水素及び酸素が前記透過性部分の端部
を経て放電容器から出る。ニオブ製の透過部分を有する
給電導体を用いる場合には、例えばランプを炉内にて加
熱することもできる。これにより発生した水蒸気は透過
性部分の表面にて解離する。この処理はチタン、ジルコ
ニウム、ハフニウム、バナジウム及びタンタルのような
金属でも行なう。放電容器から水分、水素及び酸素が十
分に除去されたら、セラミック封止用コンパウンドを再
度融解して、それが透過性部分全体に延在するようにす
る。
体の耐ハロゲン化物部分がセラミック封止用コンパウン
ドのシールの内側に延在するようにする。この例では給
電導体の透過性部分が最終仕上げしたランプ内の金属ハ
ロゲン化物から成る充填物から完全に仕切られる。第１
端部区分の外径を同じとする場合、この端部区分の温度
は、透過性部分の端部を放電空所と接触させる構造のも
のに比べて高くすることができる。このような構成で
も、給電導体の透過性部分は第１端部区分にてセラミッ
ク封止用コンパウンドで全体が覆われるも、それでもラ
ンプの製造中に放電容器から水分、水素及び酸素を除去
することができる。この目的のために、例えば電極と、
透過性部分及び耐ハロゲン化物部分を有する給電導体と
のアセンブリを第１端部区分内に入れ、このアセンブリ
を、耐ハロゲン化物部分に隣接する給電導体の透過性部
分の端部は未だセラミック封止用コンパウンドで覆わな
いようにしてセラミック封止用コンパウンドで固定させ
る。次いでランプを数分間作動させると、放電アークで
水蒸気が解離し、水素及び酸素が前記透過性部分の端部
を経て放電容器から出る。ニオブ製の透過部分を有する
給電導体を用いる場合には、例えばランプを炉内にて加
熱することもできる。これにより発生した水蒸気は透過
性部分の表面にて解離する。この処理はチタン、ジルコ
ニウム、ハフニウム、バナジウム及びタンタルのような
金属でも行なう。放電容器から水分、水素及び酸素が十
分に除去されたら、セラミック封止用コンパウンドを再
度融解して、それが透過性部分全体に延在するようにす
る。
【００１７】なお、英国特許第 3,363,133号には、放電
容器に金属ハロゲン化物から成る充填物を設けた高圧放
電ランプが記載されている。放電容器は中央区分と同じ
外径の端部区分を有しており、この端部区分に通す給電
導体はニオブ製の導体と、この導体に接続した耐ハロゲ
ン化物材料の電極ピンとを具えている。耐ハロゲン化物
の電極ピンはセラミック封止用コンパウンドのシールの
内側に延在させる。この構成は放電容器からの水素及び
酸素の除去を妨げる。セラミック封止用コンパウンドの
シールは最終仕上げしたランプにおけるアセンブリの透
過性部分に水素や酸素が輸送されないようにする。実際
上、放電容器を閉じた後にこの放電容器の内側にセラミ
ック封止用コンパウンドのシールを設けるのは不可能で
あるから、このランプの製造中に付随する所望な充填物
成分を損失することなく放電容器から水素及び酸素を除
去するのも極めて困難である。
容器に金属ハロゲン化物から成る充填物を設けた高圧放
電ランプが記載されている。放電容器は中央区分と同じ
外径の端部区分を有しており、この端部区分に通す給電
導体はニオブ製の導体と、この導体に接続した耐ハロゲ
ン化物材料の電極ピンとを具えている。耐ハロゲン化物
の電極ピンはセラミック封止用コンパウンドのシールの
内側に延在させる。この構成は放電容器からの水素及び
酸素の除去を妨げる。セラミック封止用コンパウンドの
シールは最終仕上げしたランプにおけるアセンブリの透
過性部分に水素や酸素が輸送されないようにする。実際
上、放電容器を閉じた後にこの放電容器の内側にセラミ
ック封止用コンパウンドのシールを設けるのは不可能で
あるから、このランプの製造中に付随する所望な充填物
成分を損失することなく放電容器から水素及び酸素を除
去するのも極めて困難である。
【００１８】本発明によるランプでは、透過性部分を好
ましくは第１端部区分の内径の少なくとも３倍の距離Ｌ
２にわたり第１端部区分内に延在させる。この場合に
は、特殊な手段を講じなくても、セラミック封止用コン
パウンドが耐ハロゲン化物の露出部分に隣接する透過性
部分の端部に残り、必要に応じ、例えばセラミック封止
用コンパウンドの第２融解後に透過性部分の全体をセラ
ミック封止用コンパウンドで覆うこともできる。
ましくは第１端部区分の内径の少なくとも３倍の距離Ｌ
２にわたり第１端部区分内に延在させる。この場合に
は、特殊な手段を講じなくても、セラミック封止用コン
パウンドが耐ハロゲン化物の露出部分に隣接する透過性
部分の端部に残り、必要に応じ、例えばセラミック封止
用コンパウンドの第２融解後に透過性部分の全体をセラ
ミック封止用コンパウンドで覆うこともできる。
【００１９】本発明のさらに他の好適例では、耐ハロゲ
ン化物部分をハロゲン化物に耐える材料製のむくの棒と
する。この例では、給電導体は例えばニオブ製の給電導
体をタングステン電極に接続する既知の技法により製造
することができる。電極と給電導体の耐ハロゲン化物部
分は例えばタングステン棒により継ぎ合わせて形成する
ことができる。
ン化物部分をハロゲン化物に耐える材料製のむくの棒と
する。この例では、給電導体は例えばニオブ製の給電導
体をタングステン電極に接続する既知の技法により製造
することができる。電極と給電導体の耐ハロゲン化物部
分は例えばタングステン棒により継ぎ合わせて形成する
ことができる。
【００２０】上述した例の良好な変形例としては、給電
導体の耐ハロゲン化物部分をプラチナ、ロジウム及び／
又はイリジウムから成るスリーブで囲む。スリーブ付き
の給電導体は、耐ハロゲン化物部分がセラミック封止用
コンパウンドのシールの内側に延在する場合及び／又は
放電容器の材料の平均膨張率と耐ハロゲン化物部分の平
均膨張率の差が比較的大きくても第１端部区分内に密に
嵌合させることができる。その理由は、プラチナ、ロジ
ウム及びイリジウムは弾性材料であるからである。密の
嵌合、即ち耐ハロゲン化物部分の外径と端部区分の内径
との間の５〜１００μm の差は、第１端部区分と給電導
体の耐ハロゲン化物部分との間の空所内での充填物成分
の損失を抑えるも、水素、酸素及び水蒸気の輸送は妨げ
ない。
導体の耐ハロゲン化物部分をプラチナ、ロジウム及び／
又はイリジウムから成るスリーブで囲む。スリーブ付き
の給電導体は、耐ハロゲン化物部分がセラミック封止用
コンパウンドのシールの内側に延在する場合及び／又は
放電容器の材料の平均膨張率と耐ハロゲン化物部分の平
均膨張率の差が比較的大きくても第１端部区分内に密に
嵌合させることができる。その理由は、プラチナ、ロジ
ウム及びイリジウムは弾性材料であるからである。密の
嵌合、即ち耐ハロゲン化物部分の外径と端部区分の内径
との間の５〜１００μm の差は、第１端部区分と給電導
体の耐ハロゲン化物部分との間の空所内での充填物成分
の損失を抑えるも、水素、酸素及び水蒸気の輸送は妨げ
ない。
【００２１】この例の変形例として、給電導体の耐ハロ
ゲン化物部分は、その透過性部分に隣接する端部を比較
的細くし、放電容器の中央区分に対向する側の端部を比
較的太くすることができる。このようにすれば、耐ハロ
ゲン化物部分がセラミック封止用コンパウンドの内側に
延在するランプにとっては、セラミック封止用コンパウ
ンドの平均膨張率と第１端部区分を形成する材料の膨張
率とが比較的大きく異なる場合でも第１端部区分内の機
械的応力が制限されたままとなり、それでもセラミック
封止コンパウンドが幅広の太い端部により放電空所から
有効に遮蔽されると云う利点がある。この例の場合に
は、セラミック封止用コンパウンドを比較的太い端部の
所にまで延在させる。セラミック封止用コンパウンド
の、放電空所に面する端面は比較的太い部分によってほ
ぼ覆われるため、依然良好な遮蔽が得られる。
ゲン化物部分は、その透過性部分に隣接する端部を比較
的細くし、放電容器の中央区分に対向する側の端部を比
較的太くすることができる。このようにすれば、耐ハロ
ゲン化物部分がセラミック封止用コンパウンドの内側に
延在するランプにとっては、セラミック封止用コンパウ
ンドの平均膨張率と第１端部区分を形成する材料の膨張
率とが比較的大きく異なる場合でも第１端部区分内の機
械的応力が制限されたままとなり、それでもセラミック
封止コンパウンドが幅広の太い端部により放電空所から
有効に遮蔽されると云う利点がある。この例の場合に
は、セラミック封止用コンパウンドを比較的太い端部の
所にまで延在させる。セラミック封止用コンパウンド
の、放電空所に面する端面は比較的太い部分によってほ
ぼ覆われるため、依然良好な遮蔽が得られる。
【００２２】本発明によるランプの好適例では耐ハロゲ
ン化物部分を中空の棒とする。このような棒は、その材
料の平均膨張率がセラミック封止用コンパウンドの平均
膨張率及び第１端部区分の平均膨張率と比較的大きく異
なる場合でも、第１端部区分内に密に嵌合させることが
できる。この例の場合には、同一寸法のむくの棒に比べ
て、熱放射の表面積は同じでも、透過性部分の方への熱
伝導が少なくなると云う利点がある。従って斯様な構成
によれば、端部区分の長さを長くしなくても透過性部分
の温度を低くすることができる。
ン化物部分を中空の棒とする。このような棒は、その材
料の平均膨張率がセラミック封止用コンパウンドの平均
膨張率及び第１端部区分の平均膨張率と比較的大きく異
なる場合でも、第１端部区分内に密に嵌合させることが
できる。この例の場合には、同一寸法のむくの棒に比べ
て、熱放射の表面積は同じでも、透過性部分の方への熱
伝導が少なくなると云う利点がある。従って斯様な構成
によれば、端部区分の長さを長くしなくても透過性部分
の温度を低くすることができる。
【００２３】本発明によるランプのさらに他の好適例で
は、給電導体を透過性材料製の棒で構成し、この棒の細
い部分と、この部分の上に通した耐ハロゲン化物材料製
のカバーとで耐ハロゲン化物部分を形成する。この例の
ようにすれば、給電導体の透過性部分及び耐ハロゲン化
物部分を容易に相互接続することができる。
は、給電導体を透過性材料製の棒で構成し、この棒の細
い部分と、この部分の上に通した耐ハロゲン化物材料製
のカバーとで耐ハロゲン化物部分を形成する。この例の
ようにすれば、給電導体の透過性部分及び耐ハロゲン化
物部分を容易に相互接続することができる。
【００２４】給電導体は透過性材料製の棒で構成し、こ
の棒の一部に耐ハロゲン化物材料層を設けて耐ハロゲン
化物部分を形成することもできる。この例の実施に当っ
ては、給電導体を例えばニオブ棒で形成し、この棒の端
部に例えば数１０マイクロメータまでの厚さにタングス
テン層を設ける。長期間でも棒が腐蝕しないように良好
に保護するためには、タングステン層の材料がニオブ内
に多少浸透し、タングステン層がニオブ棒に極めて良好
に付着するまで熱処理を行なうのが好適である。この熱
処理は、例えばニオブ棒を２２００Ｋの温度で数時間加
熱して行なう。この例の利点は、給電導体を単一棒によ
り製造できると共に、余計な整形作業が不要となると云
う点にある。
の棒の一部に耐ハロゲン化物材料層を設けて耐ハロゲン
化物部分を形成することもできる。この例の実施に当っ
ては、給電導体を例えばニオブ棒で形成し、この棒の端
部に例えば数１０マイクロメータまでの厚さにタングス
テン層を設ける。長期間でも棒が腐蝕しないように良好
に保護するためには、タングステン層の材料がニオブ内
に多少浸透し、タングステン層がニオブ棒に極めて良好
に付着するまで熱処理を行なうのが好適である。この熱
処理は、例えばニオブ棒を２２００Ｋの温度で数時間加
熱して行なう。この例の利点は、給電導体を単一棒によ
り製造できると共に、余計な整形作業が不要となると云
う点にある。
【００２５】さらに本発明の他の好適例では、給電導体
の耐ハロゲン化物部分を多孔質体とする。多項質体を第
１端部区分の平均膨張率とはかなり異なる平均膨張率を
有する材料で造る場合で、しかもこの多孔質体を第１端
部区分に密に嵌合させて通す場合でも第１端部区分内の
機械的応力は制限される。多孔質体の表面は粗面とし、
周囲への放熱を促進させる。多孔質体の断面積は外側寸
法が同じ固体棒の断面積に比べて小さくする。こうする
ことにより外側寸法が所定の透過性部分の温度を低くす
ることができる。
の耐ハロゲン化物部分を多孔質体とする。多項質体を第
１端部区分の平均膨張率とはかなり異なる平均膨張率を
有する材料で造る場合で、しかもこの多孔質体を第１端
部区分に密に嵌合させて通す場合でも第１端部区分内の
機械的応力は制限される。多孔質体の表面は粗面とし、
周囲への放熱を促進させる。多孔質体の断面積は外側寸
法が同じ固体棒の断面積に比べて小さくする。こうする
ことにより外側寸法が所定の透過性部分の温度を低くす
ることができる。
【００２６】本発明によるランプの他の好適例では、耐
ハロゲン化物部分を好ましくは少なくとも１０容積％の
ＭｇＯ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｓｃ2 Ｏ2 ，Ｙ2 Ｏ3 の如き耐ハ
ロゲン化物のセラミック材料のサーメットと、１種又は
数種の耐ハロゲン化物性導電材料、例えばタングステン
又は二珪化モリブデンとで製造する。サーメット内には
セラミック材料が存在するため、特に放電容器を製造す
るのに同じセラミック材料を用いる場合で、しかも３０
容積％以上の濃度で用いる場合に、耐ハロゲン化物部分
の平均膨張率が、セラミック封止用コンパウンド及び第
１端部区分の平均膨張率に非常に近くなる。さらに、サ
ーメットはセラミック材料が内部に存在するため、熱伝
導率が比較的低いと云う利点もある。これにより、耐ハ
ロゲン化物部分の長さが比較的短くても、透過性部分の
温度を比較的低くすることができる。セラミック材料の
８０容積％以下の濃度では、サーメット内に導電材料の
粒子が無作為に分配されて導電通路が形成される。セラ
ミック材料の濃度を８０容積％以上とする場合には、サ
ーメットを通る導電通路を作るために、サーメット内の
導電材料粒子を所定の分布パターンとする必要がある。
そこで、サーメット内のセラミック材料の濃度は５０容
積％以下とするのが好適である。こうすれば、サーメッ
トはあらゆる状況下にて十分低い電気抵抗値を呈する。
ハロゲン化物部分を好ましくは少なくとも１０容積％の
ＭｇＯ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｓｃ2 Ｏ2 ，Ｙ2 Ｏ3 の如き耐ハ
ロゲン化物のセラミック材料のサーメットと、１種又は
数種の耐ハロゲン化物性導電材料、例えばタングステン
又は二珪化モリブデンとで製造する。サーメット内には
セラミック材料が存在するため、特に放電容器を製造す
るのに同じセラミック材料を用いる場合で、しかも３０
容積％以上の濃度で用いる場合に、耐ハロゲン化物部分
の平均膨張率が、セラミック封止用コンパウンド及び第
１端部区分の平均膨張率に非常に近くなる。さらに、サ
ーメットはセラミック材料が内部に存在するため、熱伝
導率が比較的低いと云う利点もある。これにより、耐ハ
ロゲン化物部分の長さが比較的短くても、透過性部分の
温度を比較的低くすることができる。セラミック材料の
８０容積％以下の濃度では、サーメット内に導電材料の
粒子が無作為に分配されて導電通路が形成される。セラ
ミック材料の濃度を８０容積％以上とする場合には、サ
ーメットを通る導電通路を作るために、サーメット内の
導電材料粒子を所定の分布パターンとする必要がある。
そこで、サーメット内のセラミック材料の濃度は５０容
積％以下とするのが好適である。こうすれば、サーメッ
トはあらゆる状況下にて十分低い電気抵抗値を呈する。
【００２７】さらに本発明によるランプの好適例では、
耐ハロゲン化物部分を、タングステン、モリブデン、プ
ラチナ、イリジウム、レニウム及びロジウムの金属の内
の少なくとも１つから成るワイヤの巻線で囲むようにす
る。このようにすれば、温度変動による機械的応力をま
ねくことなく、端部区分内に残存する空所を小さくする
ことができる利点がある。このように、オープンスペー
スを小さくすれば、このスペースは充填物の成分を殆ど
保持できなくなる利点がある。これにより、ランプ動作
の再現性が向上する。
耐ハロゲン化物部分を、タングステン、モリブデン、プ
ラチナ、イリジウム、レニウム及びロジウムの金属の内
の少なくとも１つから成るワイヤの巻線で囲むようにす
る。このようにすれば、温度変動による機械的応力をま
ねくことなく、端部区分内に残存する空所を小さくする
ことができる利点がある。このように、オープンスペー
スを小さくすれば、このスペースは充填物の成分を殆ど
保持できなくなる利点がある。これにより、ランプ動作
の再現性が向上する。
【００２８】前記巻線は、これにより囲む耐ハロゲン化
物部分の直径の１／４〜１／２の直径を有するワイヤで
製造するのが好適である。この場合、ワイヤは製造中に
容易に破断しない十分な太さとすると共に、これを耐ハ
ロゲン化物部分のまわりを巻くのに特殊な手段を必要と
する程には細くしないようにする。
物部分の直径の１／４〜１／２の直径を有するワイヤで
製造するのが好適である。この場合、ワイヤは製造中に
容易に破断しない十分な太さとすると共に、これを耐ハ
ロゲン化物部分のまわりを巻くのに特殊な手段を必要と
する程には細くしないようにする。
【００２９】第１端部区分は例えば中央区分の端部に直
接焼結する。しかし、中央区分の方を向いている第１端
部区分を形成する管の端部をセラミック製のリングに固
着し、このリングを中央区分を形成する管の各端部に固
定させるのが好適である。このようにすれば、製造中に
セラミック封止用コンパウンドのシールを形成するのに
熱を殆ど必要としない利点がある。従って、シール形成
中に充填物の成分が蒸発しないようにする特殊な手段が
不要である。同様な構成は例えば第２端部区分にも適用
することができる。
接焼結する。しかし、中央区分の方を向いている第１端
部区分を形成する管の端部をセラミック製のリングに固
着し、このリングを中央区分を形成する管の各端部に固
定させるのが好適である。このようにすれば、製造中に
セラミック封止用コンパウンドのシールを形成するのに
熱を殆ど必要としない利点がある。従って、シール形成
中に充填物の成分が蒸発しないようにする特殊な手段が
不要である。同様な構成は例えば第２端部区分にも適用
することができる。
【００３０】
【実施例】以下本発明を図面を参照して実施例につき説
明するに、図２〜図８は実寸図示したものではない。図
１に示す本発明による高圧放電ランプはＤＧＡ材料製の
セラミック放電容器１０を具え、この容器は放電空所１
１を囲み、これには金属ハロゲン化物を含むイオン化可
能な充填物を入れる。この場合の充填物は１mgの水銀
と、重量比で６９：１０：２１の沃化ナトリウム、沃化
タリウム及び沃化ジスプロシウムから成る３mgの金属ハ
ロゲン化物で構成する。充填物はアルゴン及び始動ガス
も含む。ランプは最初の２つの金属ハロゲン化物成分に
より５８９nm及び５３５nmの所にてスペクトル線を呈
し、さらに第３番目の金属ハロゲン化物成分によって発
生される多数のスペクトル線も呈する。沃化ジスプロシ
ウムの代りに、例えば沃化スカンジウム、沃化イットリ
ウム、沃化ホルミウム又は沃化ツリウムの如き別の希土
類のハロゲン化物を用いることができる。充填物は、沃
化錫の如き、作動中に連続スペクトルを放射するハロゲ
ン化物で構成することもできる。放電容器１０内には第
１及び第２電極４０ａ，４０ｂを配置する。各電極４０
ａ，４０ｂは、長さが３mmで、直径が３００μm のタン
グステン棒の遊端に８００μm の距離にわたって直径が
１７０μm のタングステン製の単一ワイヤを巻回して形
成する。放電容器１０は電極４０ａと４０ｂとの間に延
在する中央区分２０を有し、又、この中央区分の両側に
はこれに接続した第１及び第２の円筒状端部区分３０
ａ，３０ｂを有している。これらの各円筒状の端部区分
は給電導体５０ａ，５０ｂを僅かな隙間をもって囲み、
給電導体は各電極４０ａ，４０ｂに接続する。各端部区
分にはセラミック封止用コンパウンドのシール３２ａ，
３２ｂを設け、これらのシールを経て関連する給電導体
５０ａ，５０ｂを外部に出す。中央区分２０の内部の長
さは１０mmとし、外径は７．６mmとし、壁厚は０．８mm
とした。この場合には、中央区分２０の方を向いてお
り、しかも端部区分３０ａ，３０ｂを形成する管３０
ａ′，３０ｂ′の端部３１ａ，３１ｂの各々をリング２
２ａ，２２ｂ内に固定させる。厚さが２mmの各リング２
２ａ，２２ｂは中央区分２０を形成する管２０′の端部
２３ａ，２３ｂに固着する。端部３１ａ，３１ｂ、リン
グ２２ａ，２２ｂ及び中央区分の端部２３ａ，２３ｂは
端部区分３０ａ，３０ｂと中央区分２０とを相互接続す
る転移部を形成する。端部区分３０ａ，３０ｂの外径は
中央区分２０の外径に比べて小さくし、これらの端部区
分をここでは２．６mmとした。端部区分３０ａ，３０ｂ
の内径Ｄは約０．７６mmとした。各給電導体５０ａ，５
０ｂは、放電空所１１の方を向いており、しかも直径が
０．７０mmの耐ハロゲン化物のモリブデン棒により形成
した部分５１ａ，５１ｂと、放電空所とは反対側を向い
ており、しかも水素及び酸素に対して透過性の0.72 mm
の太さのニオブ製の棒で形成した部分５２ａ，５２ｂと
で構成する。端部区分３０ａ，３０ｂと、そこに通した
耐ハロゲン化物部分５１ａ，５１ｂとの間の隙間の平均
値は約０．０３mmとした。
明するに、図２〜図８は実寸図示したものではない。図
１に示す本発明による高圧放電ランプはＤＧＡ材料製の
セラミック放電容器１０を具え、この容器は放電空所１
１を囲み、これには金属ハロゲン化物を含むイオン化可
能な充填物を入れる。この場合の充填物は１mgの水銀
と、重量比で６９：１０：２１の沃化ナトリウム、沃化
タリウム及び沃化ジスプロシウムから成る３mgの金属ハ
ロゲン化物で構成する。充填物はアルゴン及び始動ガス
も含む。ランプは最初の２つの金属ハロゲン化物成分に
より５８９nm及び５３５nmの所にてスペクトル線を呈
し、さらに第３番目の金属ハロゲン化物成分によって発
生される多数のスペクトル線も呈する。沃化ジスプロシ
ウムの代りに、例えば沃化スカンジウム、沃化イットリ
ウム、沃化ホルミウム又は沃化ツリウムの如き別の希土
類のハロゲン化物を用いることができる。充填物は、沃
化錫の如き、作動中に連続スペクトルを放射するハロゲ
ン化物で構成することもできる。放電容器１０内には第
１及び第２電極４０ａ，４０ｂを配置する。各電極４０
ａ，４０ｂは、長さが３mmで、直径が３００μm のタン
グステン棒の遊端に８００μm の距離にわたって直径が
１７０μm のタングステン製の単一ワイヤを巻回して形
成する。放電容器１０は電極４０ａと４０ｂとの間に延
在する中央区分２０を有し、又、この中央区分の両側に
はこれに接続した第１及び第２の円筒状端部区分３０
ａ，３０ｂを有している。これらの各円筒状の端部区分
は給電導体５０ａ，５０ｂを僅かな隙間をもって囲み、
給電導体は各電極４０ａ，４０ｂに接続する。各端部区
分にはセラミック封止用コンパウンドのシール３２ａ，
３２ｂを設け、これらのシールを経て関連する給電導体
５０ａ，５０ｂを外部に出す。中央区分２０の内部の長
さは１０mmとし、外径は７．６mmとし、壁厚は０．８mm
とした。この場合には、中央区分２０の方を向いてお
り、しかも端部区分３０ａ，３０ｂを形成する管３０
ａ′，３０ｂ′の端部３１ａ，３１ｂの各々をリング２
２ａ，２２ｂ内に固定させる。厚さが２mmの各リング２
２ａ，２２ｂは中央区分２０を形成する管２０′の端部
２３ａ，２３ｂに固着する。端部３１ａ，３１ｂ、リン
グ２２ａ，２２ｂ及び中央区分の端部２３ａ，２３ｂは
端部区分３０ａ，３０ｂと中央区分２０とを相互接続す
る転移部を形成する。端部区分３０ａ，３０ｂの外径は
中央区分２０の外径に比べて小さくし、これらの端部区
分をここでは２．６mmとした。端部区分３０ａ，３０ｂ
の内径Ｄは約０．７６mmとした。各給電導体５０ａ，５
０ｂは、放電空所１１の方を向いており、しかも直径が
０．７０mmの耐ハロゲン化物のモリブデン棒により形成
した部分５１ａ，５１ｂと、放電空所とは反対側を向い
ており、しかも水素及び酸素に対して透過性の0.72 mm
の太さのニオブ製の棒で形成した部分５２ａ，５２ｂと
で構成する。端部区分３０ａ，３０ｂと、そこに通した
耐ハロゲン化物部分５１ａ，５１ｂとの間の隙間の平均
値は約０．０３mmとした。
【００３１】耐ハロゲン化物部分５１ａ，５１ｂは端部
区分３０ａ，３０ｂの内側に７mmの距離Ｌ１にわたり延
在させる。この距離Ｌ１は端部区分の内径Ｄを２mm増分
させた２．７６mmよりも大きくする。耐ハロゲン化物部
分５１ａ，５１ｂは、その表面を荒くし、艶なし面とす
ることにより、この表面の放射吸収係数を０．２よりも
大きくし、この場合の吸収係数は約０．２２とした。
区分３０ａ，３０ｂの内側に７mmの距離Ｌ１にわたり延
在させる。この距離Ｌ１は端部区分の内径Ｄを２mm増分
させた２．７６mmよりも大きくする。耐ハロゲン化物部
分５１ａ，５１ｂは、その表面を荒くし、艶なし面とす
ることにより、この表面の放射吸収係数を０．２よりも
大きくし、この場合の吸収係数は約０．２２とした。
【００３２】水素及び酸素透過性部分５２ａ，５２ｂは
端部区分３０ａ，３０ｂの内側に５mmの距離Ｌ２にわた
って延在させる。この距離は端部区分の内径Ｄの３倍
（約２〜３mm) よりも大きくする。セラミック封止コン
パウンドのシール３２ａ，３２ｂは、透過性部分５２
ａ，５２ｂの端部５４ａ，５４ｂが長さＬ３にわたり露
出し、約２mmの距離にわたり端部区分の内部の透過性部
分のまわりに残存するように設ける。公称作動時ににけ
る本発明によるランプの消費電力は７０Ｗであった。
端部区分３０ａ，３０ｂの内側に５mmの距離Ｌ２にわた
って延在させる。この距離は端部区分の内径Ｄの３倍
（約２〜３mm) よりも大きくする。セラミック封止コン
パウンドのシール３２ａ，３２ｂは、透過性部分５２
ａ，５２ｂの端部５４ａ，５４ｂが長さＬ３にわたり露
出し、約２mmの距離にわたり端部区分の内部の透過性部
分のまわりに残存するように設ける。公称作動時ににけ
る本発明によるランプの消費電力は７０Ｗであった。
【００３３】本発明によるランプを５０００時間の耐久
試験をした。この耐久試験後に給電導体５０ａ，５０ｂ
の透過性部分５２ａ，５２ｂに殆ど腐蝕は見つからなか
った。耐久試験中の再点弧電圧対ランプ電圧の比は２以
下とした。各部の寸法を上記実施例のものと同じとする
も、給電導体全体をニオブだけで造った類似のランプを
製造した。このランプを１０００時間作動させたら、電
極から１．５〜２mmの距離の個所にて既に給電導体がひ
どく腐蝕されているのが確められた。
試験をした。この耐久試験後に給電導体５０ａ，５０ｂ
の透過性部分５２ａ，５２ｂに殆ど腐蝕は見つからなか
った。耐久試験中の再点弧電圧対ランプ電圧の比は２以
下とした。各部の寸法を上記実施例のものと同じとする
も、給電導体全体をニオブだけで造った類似のランプを
製造した。このランプを１０００時間作動させたら、電
極から１．５〜２mmの距離の個所にて既に給電導体がひ
どく腐蝕されているのが確められた。
【００３４】図２の実施例では、図１のものに対応する
部分に図１の参照番号に１００を加えて示してある。図
２は図１の例の変形例であり、この例では給電導体１５
０ａの耐ハロゲン化物部分１５１ａを内径及び外径がそ
れぞれ０．５０mm及び０．７０mmで、弾性材料のプラチ
ナ製のスリーブ１５３ａで囲む。このスリーブの材料と
しては、例えばロジウム又はイリジウムを用いることも
できる。一方の端部区分だけを示している図２のランプ
は公称作動時に７０Ｗの電力を消費した。図２の例でも
端部区分の内径Ｄは０．７６mmとした。従って、端部区
分１３０ａ内の耐ハロゲン化物部分１５１ａによる隙間
の平均値は約０．０３mmである。給電導体１５０ａの耐
ハロゲン化物部分１５１ａは第１端部区分１３０ａの内
側に８．５mmの距離Ｌ１にわたり延在させ、しかもこの
内側のセラミックシール内に２mmの距離Ｌ３にわたり延
在させる。従って、距離Ｌ１は端部区分１３０ａの内径
Ｄに２mmをたした大きさ（２．７６mm) よりも大きくす
る。透過性部分１５２ａの直径は０．７２mmとした。透
過性部分１５２ａが第１端部区分１３０ａの内側に延在
する距離Ｌ２は端部区分の内径Ｄの三倍（２．３mm) よ
りも大きくした。この場合には距離Ｌ２を３．５mmとし
た。セラミック封止用コンパウンドのシール１３２ａ
は、放電空所１１１の方を向いており、しかも３０重量
％のＡｌ2 Ｏ3と、４０重量％のＳｉＯ2 と、３０重量
％のＤｙ2 Ｏ3 との組成を有する部分１３３ａと、放電
空所１１１とは反対側で、１３重量％のＡ2 Ｏ3 と、３
７重量％のＳｉＯ2 と、５０重量％のＭｇＯとの組成を
有する部分１３４ａとを有している。
部分に図１の参照番号に１００を加えて示してある。図
２は図１の例の変形例であり、この例では給電導体１５
０ａの耐ハロゲン化物部分１５１ａを内径及び外径がそ
れぞれ０．５０mm及び０．７０mmで、弾性材料のプラチ
ナ製のスリーブ１５３ａで囲む。このスリーブの材料と
しては、例えばロジウム又はイリジウムを用いることも
できる。一方の端部区分だけを示している図２のランプ
は公称作動時に７０Ｗの電力を消費した。図２の例でも
端部区分の内径Ｄは０．７６mmとした。従って、端部区
分１３０ａ内の耐ハロゲン化物部分１５１ａによる隙間
の平均値は約０．０３mmである。給電導体１５０ａの耐
ハロゲン化物部分１５１ａは第１端部区分１３０ａの内
側に８．５mmの距離Ｌ１にわたり延在させ、しかもこの
内側のセラミックシール内に２mmの距離Ｌ３にわたり延
在させる。従って、距離Ｌ１は端部区分１３０ａの内径
Ｄに２mmをたした大きさ（２．７６mm) よりも大きくす
る。透過性部分１５２ａの直径は０．７２mmとした。透
過性部分１５２ａが第１端部区分１３０ａの内側に延在
する距離Ｌ２は端部区分の内径Ｄの三倍（２．３mm) よ
りも大きくした。この場合には距離Ｌ２を３．５mmとし
た。セラミック封止用コンパウンドのシール１３２ａ
は、放電空所１１１の方を向いており、しかも３０重量
％のＡｌ2 Ｏ3と、４０重量％のＳｉＯ2 と、３０重量
％のＤｙ2 Ｏ3 との組成を有する部分１３３ａと、放電
空所１１１とは反対側で、１３重量％のＡ2 Ｏ3 と、３
７重量％のＳｉＯ2 と、５０重量％のＭｇＯとの組成を
有する部分１３４ａとを有している。
【００３５】本発明によるランプは例えば次のようにし
て製造することができる。放電容器の第２端部区分（図
示せず）に給電導体と電極のアセンブリを設ける。給電
導体及び電極を例えば直径が０．３mmのタングステン棒
により継ぎ合わせて形成し、電極部分にはタングステン
の単一巻線も設ける。次いで放電空所１１１に充填物を
入れた後に耐ハロゲン化物部分１５１ａと透過性部分１
５２とを有する給電導体１５０ａと電極１４０ａとの第
２アセンブリを反対側の第１端部区分１３０ａ内に設け
る。次に、中央区分１２０とは反対側の第１端部区分１
３０ａの端部１３５ａに酸化ジスプロシウムから成るセ
ラミック封止用コンパウンドのリングを設け、このセラ
ミック封止用コンパウンドが第１端部区分１３０ａの内
側に約２mmにわたり延在し、又給電導体１５０ａの透過
性部分１５２ａが約１．５mmの距離にわたり露出したま
まとなるまで前記封止用コンパウンドを加熱する。次い
でランプを数分間約８０℃の温度に加熱し、その後１０
分間６００〜１１００℃の温度に加熱する。この加熱処
理中に放電容器が水素及び酸素を出すことができる。次
いで、酸化マグネシウムを含むセラミック封止用コンパ
ウンドのリングを第１端部区分１３０ａの、中央区分１
２０とは反対側の端部１３５に設ける。次いで第１端部
区分１３０ａを再度加熱して、酸化ジスプロシウムを含
むセラミック封止用コンパウンドが給電導体１５０ａの
透過性部分１５２を約２mm越して延在し、しかもこのよ
うにして形成されるシール１３３ａと、酸化マグネシウ
ムを含むセラミック封止用コンパウンドから成るシール
１３４ａとの連続シールが得られるようにする。中央区
分１２０とは反対側の端部１３５ａにおける酸化マグネ
シウムを含むセラミック封止用コンパウンドの平均膨張
率はＤＧＡの膨張率とごく僅かしか相違しないため、こ
のセラミック封止用コンパウンドは全シール１３２ａの
機械的強度にかなり貢献する。
て製造することができる。放電容器の第２端部区分（図
示せず）に給電導体と電極のアセンブリを設ける。給電
導体及び電極を例えば直径が０．３mmのタングステン棒
により継ぎ合わせて形成し、電極部分にはタングステン
の単一巻線も設ける。次いで放電空所１１１に充填物を
入れた後に耐ハロゲン化物部分１５１ａと透過性部分１
５２とを有する給電導体１５０ａと電極１４０ａとの第
２アセンブリを反対側の第１端部区分１３０ａ内に設け
る。次に、中央区分１２０とは反対側の第１端部区分１
３０ａの端部１３５ａに酸化ジスプロシウムから成るセ
ラミック封止用コンパウンドのリングを設け、このセラ
ミック封止用コンパウンドが第１端部区分１３０ａの内
側に約２mmにわたり延在し、又給電導体１５０ａの透過
性部分１５２ａが約１．５mmの距離にわたり露出したま
まとなるまで前記封止用コンパウンドを加熱する。次い
でランプを数分間約８０℃の温度に加熱し、その後１０
分間６００〜１１００℃の温度に加熱する。この加熱処
理中に放電容器が水素及び酸素を出すことができる。次
いで、酸化マグネシウムを含むセラミック封止用コンパ
ウンドのリングを第１端部区分１３０ａの、中央区分１
２０とは反対側の端部１３５に設ける。次いで第１端部
区分１３０ａを再度加熱して、酸化ジスプロシウムを含
むセラミック封止用コンパウンドが給電導体１５０ａの
透過性部分１５２を約２mm越して延在し、しかもこのよ
うにして形成されるシール１３３ａと、酸化マグネシウ
ムを含むセラミック封止用コンパウンドから成るシール
１３４ａとの連続シールが得られるようにする。中央区
分１２０とは反対側の端部１３５ａにおける酸化マグネ
シウムを含むセラミック封止用コンパウンドの平均膨張
率はＤＧＡの膨張率とごく僅かしか相違しないため、こ
のセラミック封止用コンパウンドは全シール１３２ａの
機械的強度にかなり貢献する。
【００３６】図３の実施例では、図１のものに対応する
部分に図１の参照番号よりも２００番大きい番号を付し
て示してある。この図に示す例では給電導体２５０ａの
耐ハロゲン化物部分２５１ａを内径が０．５０mmで、外
径が０．７０mmの中空ピンとした。耐ハロゲン化物部分
２５１ａの長さは９．５mmとし、これを内径Ｄが０．７
６mmの端部区分２３０ａの内側に８．５mmの距離Ｌ１に
わたり延在させた。耐ハロゲン化物部分２５１ａと端部
区分２３０ａの内壁との間の隙間は０．０３mmとした。
距離Ｌ１は端部区分の内径Ｄに２mmをたした長さ（２．
７６mm) よりも大きくする。透過性部分２５２ａは直径
が０．７２mmのニオブ製のむくの棒とした。給電導体２
５０ａの透過性部分２５２ａが端部区分の内側に延在す
る距離Ｌ２は端部区分の内径Ｄの３倍（２．３mm) より
も大きくし、この場合にはＬ２を約３．５mmとした。耐
ハロゲン化物部分２５１ａはセラミックシール２３２ａ
の内側に約２mmの距離Ｌ３にわたり延在させた。公称作
動時におけるこのランプの消費電力は７０Ｗであった。
部分に図１の参照番号よりも２００番大きい番号を付し
て示してある。この図に示す例では給電導体２５０ａの
耐ハロゲン化物部分２５１ａを内径が０．５０mmで、外
径が０．７０mmの中空ピンとした。耐ハロゲン化物部分
２５１ａの長さは９．５mmとし、これを内径Ｄが０．７
６mmの端部区分２３０ａの内側に８．５mmの距離Ｌ１に
わたり延在させた。耐ハロゲン化物部分２５１ａと端部
区分２３０ａの内壁との間の隙間は０．０３mmとした。
距離Ｌ１は端部区分の内径Ｄに２mmをたした長さ（２．
７６mm) よりも大きくする。透過性部分２５２ａは直径
が０．７２mmのニオブ製のむくの棒とした。給電導体２
５０ａの透過性部分２５２ａが端部区分の内側に延在す
る距離Ｌ２は端部区分の内径Ｄの３倍（２．３mm) より
も大きくし、この場合にはＬ２を約３．５mmとした。耐
ハロゲン化物部分２５１ａはセラミックシール２３２ａ
の内側に約２mmの距離Ｌ３にわたり延在させた。公称作
動時におけるこのランプの消費電力は７０Ｗであった。
【００３７】図４の実施例では図１のものに対応する部
分に図１の参照番号よりも３００番大きい番号を付して
示してある。この図に示す例では給電導体３５０ａの耐
ハロゲン化物部分３５１ａを、給電導体３５０ａの透過
性部分３５２ａを形成する棒の細い部分３５５ａと、こ
の部分３５５ａに通した耐ハロゲン性材料製のカバー３
５６ａとで形成した。図示の例では、放電容器の中央区
分３２０の端分３２３ａを第１端部区分３３０ａの方へ
向けてほぼ円錐状に狭くし、又転移部分３２４ａも端部
区分３３０ａの外径が放電容器の最小外径よりも小さく
なるように狭くした。端部区分３３０ａの内径Ｄは０．
６２mmとした。カバーを付けた細い部分３５５ａは端部
区分３３０ａの内側に７．５mmの距離Ｌ１にわたり延在
させた。この距離は内径Ｄに２mmをたした（２．６２m
m) の大きさよりも大きくする。カバー３５６ａの内径
は０．４５mmとした。カバー３５６ａの外径は透過性部
分３５２ａの外径と同じとし、０．５６mmとした。従っ
て、耐ハロゲン化物部分３５１ａと端部区分３３０ａの
内側との隙間は０．０３mmである。透過性部分３５２ａ
は端部区分の内径Ｄの３倍（１．９mm）よりも大きな距
離Ｌ２にわたり端部区分の内側に延在させた。この場
合、距離Ｌ２は３mmとした。セラミックシール３３２ａ
は端部区分３３０ａの内側に５mmの距離にわたり延在さ
せ、透過性部分３５２ａを約２mm越えた距離Ｌ３の所に
まで延在させた。公称作動時におけるこのランプの消費
電力は５０Ｗであった。
分に図１の参照番号よりも３００番大きい番号を付して
示してある。この図に示す例では給電導体３５０ａの耐
ハロゲン化物部分３５１ａを、給電導体３５０ａの透過
性部分３５２ａを形成する棒の細い部分３５５ａと、こ
の部分３５５ａに通した耐ハロゲン性材料製のカバー３
５６ａとで形成した。図示の例では、放電容器の中央区
分３２０の端分３２３ａを第１端部区分３３０ａの方へ
向けてほぼ円錐状に狭くし、又転移部分３２４ａも端部
区分３３０ａの外径が放電容器の最小外径よりも小さく
なるように狭くした。端部区分３３０ａの内径Ｄは０．
６２mmとした。カバーを付けた細い部分３５５ａは端部
区分３３０ａの内側に７．５mmの距離Ｌ１にわたり延在
させた。この距離は内径Ｄに２mmをたした（２．６２m
m) の大きさよりも大きくする。カバー３５６ａの内径
は０．４５mmとした。カバー３５６ａの外径は透過性部
分３５２ａの外径と同じとし、０．５６mmとした。従っ
て、耐ハロゲン化物部分３５１ａと端部区分３３０ａの
内側との隙間は０．０３mmである。透過性部分３５２ａ
は端部区分の内径Ｄの３倍（１．９mm）よりも大きな距
離Ｌ２にわたり端部区分の内側に延在させた。この場
合、距離Ｌ２は３mmとした。セラミックシール３３２ａ
は端部区分３３０ａの内側に５mmの距離にわたり延在さ
せ、透過性部分３５２ａを約２mm越えた距離Ｌ３の所に
まで延在させた。公称作動時におけるこのランプの消費
電力は５０Ｗであった。
【００３８】図５は本発明のさらに他の実施例を示し、
この図では図１のものに対応する部分に４００番大きい
番号を付して示してある。この例では給電導体４５０ａ
を水素及び酸素に対して透過性の材料であるタンタルで
造った直径が０．５０mmの棒とした。この棒の一部分４
５１ａは、それに厚さが２０μm のモリブデン層４５７
ａを被着して耐ハロゲン化物性とした。放電容器４１０
の第１端部区分４３０ａを形成する管４３０ａ′の端部
４３１ａは中央区分４２０を形成する管４２０′の端部
４２３ａに焼結法により固着した。第１端部区分４３０
ａの内径Ｄは０．５８mmとした。第１端部区分４３０ａ
と、そこに通した耐ハロゲン化物部分４５１ａとの間の
隙間は０．０２mmとした。耐ハロゲン化物部分４５１ａ
及び透過性部分４５２ａは端部区分４３０ａの内側にそ
れぞれ５．５mmの距離Ｌ１及び２．５mmの距離Ｌ２にわ
たり延在させた。距離Ｌ１は端部区分４３０ａの内径Ｄ
を２mm増大させた値、即ち２．５８mmよりも大きくす
る。距離Ｌ２は内径Ｄの３倍（１．７４mm）よりも大き
くする。セラミックシール４３２ａは耐ハロゲン化物部
分４５１ａの上を２mmの距離Ｌ３にわたり覆う。このラ
ンプの公称作動時の電力消費量は２０Ｗであった。
この図では図１のものに対応する部分に４００番大きい
番号を付して示してある。この例では給電導体４５０ａ
を水素及び酸素に対して透過性の材料であるタンタルで
造った直径が０．５０mmの棒とした。この棒の一部分４
５１ａは、それに厚さが２０μm のモリブデン層４５７
ａを被着して耐ハロゲン化物性とした。放電容器４１０
の第１端部区分４３０ａを形成する管４３０ａ′の端部
４３１ａは中央区分４２０を形成する管４２０′の端部
４２３ａに焼結法により固着した。第１端部区分４３０
ａの内径Ｄは０．５８mmとした。第１端部区分４３０ａ
と、そこに通した耐ハロゲン化物部分４５１ａとの間の
隙間は０．０２mmとした。耐ハロゲン化物部分４５１ａ
及び透過性部分４５２ａは端部区分４３０ａの内側にそ
れぞれ５．５mmの距離Ｌ１及び２．５mmの距離Ｌ２にわ
たり延在させた。距離Ｌ１は端部区分４３０ａの内径Ｄ
を２mm増大させた値、即ち２．５８mmよりも大きくす
る。距離Ｌ２は内径Ｄの３倍（１．７４mm）よりも大き
くする。セラミックシール４３２ａは耐ハロゲン化物部
分４５１ａの上を２mmの距離Ｌ３にわたり覆う。このラ
ンプの公称作動時の電力消費量は２０Ｗであった。
【００３９】図６の実施例では、図１のものに対応する
部分に５００番大きい番号を付して示してあり、この例
では給電導体５５０ａの耐ハロゲン化物部分５５１ａを
給電導体５５０ａの透過性部分５５２ａに隣接する長さ
が６mmで、直径が０．６７mmの細い端部５５８ａと、中
央区分５２０に隣接し、長さが４．５mmで、直径が０．
９２mmの太い端部５５９ａとで構成した。耐ハロゲン化
物部分５５１ａは端部区分５３０ａの内側に８mmの距離
Ｌ１にわたり延在させた。端部区分５３０ａの内径Ｄは
１．００mmとした。従って、距離Ｌ１は端部区分５３０
ａの内径Ｄに２mmをたした値、即ち３．００mmよりも大
きくする。比較的細い端部５５８ａ及び比較的太い端部
５５９ａと端部区分５３０ａの内壁との間の隙間はそれ
ぞれ０．１６mm及び０．０４mmとした。セラミックシー
ル５３２ａは比較的太い端部５５９ａまで、即ち透過性
部分５５２ａを６mm超えた距離Ｌ３にわたり延在させ
た。透過性部分５５２ａは内径Ｄの３倍（３．０mm）よ
りも大きい７．５mmの距離Ｌ２にわたり端部区分５３０
ａの内側に延在させた。このランプの公称作動時の消費
電力は１５０Ｗであった。
部分に５００番大きい番号を付して示してあり、この例
では給電導体５５０ａの耐ハロゲン化物部分５５１ａを
給電導体５５０ａの透過性部分５５２ａに隣接する長さ
が６mmで、直径が０．６７mmの細い端部５５８ａと、中
央区分５２０に隣接し、長さが４．５mmで、直径が０．
９２mmの太い端部５５９ａとで構成した。耐ハロゲン化
物部分５５１ａは端部区分５３０ａの内側に８mmの距離
Ｌ１にわたり延在させた。端部区分５３０ａの内径Ｄは
１．００mmとした。従って、距離Ｌ１は端部区分５３０
ａの内径Ｄに２mmをたした値、即ち３．００mmよりも大
きくする。比較的細い端部５５８ａ及び比較的太い端部
５５９ａと端部区分５３０ａの内壁との間の隙間はそれ
ぞれ０．１６mm及び０．０４mmとした。セラミックシー
ル５３２ａは比較的太い端部５５９ａまで、即ち透過性
部分５５２ａを６mm超えた距離Ｌ３にわたり延在させ
た。透過性部分５５２ａは内径Ｄの３倍（３．０mm）よ
りも大きい７．５mmの距離Ｌ２にわたり端部区分５３０
ａの内側に延在させた。このランプの公称作動時の消費
電力は１５０Ｗであった。
【００４０】図７の実施例では、図１のものに対応する
部分に６００番大きい番号を付して示してある。この例
では端部区分６３０ａの内径Ｄを１．００mmとした。給
電導体６５０ａの耐ハロゲン化物部分６５１ａはタング
ステン製の多孔質体とし、これは長さＬ１が１１mmで直
径が０．９２mmの大きさとし、この全体を端部区分６３
０ａの内部に延在させた。距離Ｌ１は端部区分の内径に
２mmを加えた値（３．０mm）よりも大きくする。給電導
体６５０ａの透過性部分６５２ａは直径が０．９２mmの
ニオブ製の棒とし、これを端部区分６３０ａの内側に内
径Ｄの３倍（３mm）よりも大きい距離、この場合には
４．５mmの距離Ｌ２にわたって延在させる。耐ハロゲン
化物部分６５１ａと端部区分６３０の内壁との間の隙間
は０．０３mmとした。セラミックシール剤６３２ａは透
過性部分６５２ａを２mm超えた距離Ｌ３の所まで延在さ
せた。このランプの公称作動時の消費電力は１５０Ｗで
あった。
部分に６００番大きい番号を付して示してある。この例
では端部区分６３０ａの内径Ｄを１．００mmとした。給
電導体６５０ａの耐ハロゲン化物部分６５１ａはタング
ステン製の多孔質体とし、これは長さＬ１が１１mmで直
径が０．９２mmの大きさとし、この全体を端部区分６３
０ａの内部に延在させた。距離Ｌ１は端部区分の内径に
２mmを加えた値（３．０mm）よりも大きくする。給電導
体６５０ａの透過性部分６５２ａは直径が０．９２mmの
ニオブ製の棒とし、これを端部区分６３０ａの内側に内
径Ｄの３倍（３mm）よりも大きい距離、この場合には
４．５mmの距離Ｌ２にわたって延在させる。耐ハロゲン
化物部分６５１ａと端部区分６３０の内壁との間の隙間
は０．０３mmとした。セラミックシール剤６３２ａは透
過性部分６５２ａを２mm超えた距離Ｌ３の所まで延在さ
せた。このランプの公称作動時の消費電力は１５０Ｗで
あった。
【００４１】図７の変形例では、耐ハロゲン化物部分６
５１ａを容積比で６０：４０のタングステンとアルミニ
ウムの酸化物から成るサーメットで造った。
５１ａを容積比で６０：４０のタングステンとアルミニ
ウムの酸化物から成るサーメットで造った。
【００４２】図８の実施例では図１のものに対応する部
分に７００番大きい番号を付して示してある。この例で
は耐ハロゲン化物部分７５１ａをモリブデン製の棒に同
じくモリブデン製のワイヤで造った巻線７６０ａを巻き
付けて形成した。本例の実施に当っては、棒の直径を４
０６μm とし、巻線７６０ａを直径が１２９μm ，１３
９μm 及び１４５μm のワイヤで造った。端部区分７３
０ａの内径Ｄは７６０μm とした。端部区分７３０ａの
内側面と前記各太さの巻線の外側面との間の空所はそれ
ぞれ４８μm ，３８μm 及び３２μm とした。直径が１
３９μm のワイヤで造った巻線７６０ａが極めて良好な
結果を呈することを確めた。耐ハロゲン化物部分７５１
ａの長さは８．５mmとし、これを同じ距離Ｌ１だけ端部
区分７３０内の内側に延在させた。従って距離Ｌ１は端
部区分７３０ａの内径に２mmを加えた値（２．７６mm）
よりも大きい。耐ハロゲン化物部分７５１ａには１mmの
長さＬ３にわたり融解セラミックのシール７３２ａを被
ぶせる。透過性部分７５２ａはむくのニオブ製の棒とし
た。この棒を端部区分７３０ａの内側に２mmの距離Ｌ２
にわたり延在させた。このランプの消費電力は７０Ｗで
あった。
分に７００番大きい番号を付して示してある。この例で
は耐ハロゲン化物部分７５１ａをモリブデン製の棒に同
じくモリブデン製のワイヤで造った巻線７６０ａを巻き
付けて形成した。本例の実施に当っては、棒の直径を４
０６μm とし、巻線７６０ａを直径が１２９μm ，１３
９μm 及び１４５μm のワイヤで造った。端部区分７３
０ａの内径Ｄは７６０μm とした。端部区分７３０ａの
内側面と前記各太さの巻線の外側面との間の空所はそれ
ぞれ４８μm ，３８μm 及び３２μm とした。直径が１
３９μm のワイヤで造った巻線７６０ａが極めて良好な
結果を呈することを確めた。耐ハロゲン化物部分７５１
ａの長さは８．５mmとし、これを同じ距離Ｌ１だけ端部
区分７３０内の内側に延在させた。従って距離Ｌ１は端
部区分７３０ａの内径に２mmを加えた値（２．７６mm）
よりも大きい。耐ハロゲン化物部分７５１ａには１mmの
長さＬ３にわたり融解セラミックのシール７３２ａを被
ぶせる。透過性部分７５２ａはむくのニオブ製の棒とし
た。この棒を端部区分７３０ａの内側に２mmの距離Ｌ２
にわたり延在させた。このランプの消費電力は７０Ｗで
あった。
【００４３】図８の変形例として、耐ハロゲン化物部分
７５１ａは、例えば直径を３３５μm とし、端部区分７
３０ａの内径を６６０μm とし、巻線７６０ａを造るワ
イヤの直径を例えば１１１μm 又は１２９μm とするこ
とができる。
７５１ａは、例えば直径を３３５μm とし、端部区分７
３０ａの内径を６６０μm とし、巻線７６０ａを造るワ
イヤの直径を例えば１１１μm 又は１２９μm とするこ
とができる。
【図１】本発明による高圧放電ランプの第１実施例を示
す長手方向の断面図である。
す長手方向の断面図である。
【図２】本発明によるランプの第２実施の一部を示す断
面図である。
面図である。
【図３】本発明によるランプの第３実施例の一部を示す
断面図である。
断面図である。
【図４】本発明によるランプの第４実施例の一部を示す
断面図である。
断面図である。
【図５】本発明によるランプの第５実施例の一部を示す
断面図である。
断面図である。
【図６】本発明によるランプの第６実施例の一部を示す
断面図である。
断面図である。
【図７】本発明によるランプの第７実施例の一部を示す
断面図である。
断面図である。
【図８】本発明によるランプの第８実施例の一部を示す
断面図である。
断面図である。
１０ セラミック放電容器 １１ 放電空所 ２０ 中央区分 ３０ａ 円筒状の第１端部区分 ３０ｂ 円筒状の第２端部区分 ３２ａ，３２ｂ セラミック封止用コンパウンドのシー
ル ４０ａ 第１電極 ４０ｂ 第２電極 ５０ａ，５ｂ 給電導体 ５１ａ，５１ｂ 耐ハロゲン化物部分 ５２ａ，５２ｂ 透過性部分
ル ４０ａ 第１電極 ４０ｂ 第２電極 ５０ａ，５ｂ 給電導体 ５１ａ，５１ｂ 耐ハロゲン化物部分 ５２ａ，５２ｂ 透過性部分
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マックス レオ ピーター レナルダス オランダ国 5621 ベーアー アインドー フェン フルーネヴァウツウェッハ １ (72)発明者 ペター アレンド シーネン オランダ国 5621 ベーアー アインドー フェン フルーネヴァウツウェッハ １ (72)発明者 ヤン アルフォンス ジュリア シュトッ フェルス ベルギー国 ベーエー−2300 ターンホウ ト ギールレーゼ ステーンベーク 417 (72)発明者 クリストッフェル ウェイエンベルヘ オランダ国 5621 ベーアー アインドー フェン フルーネヴァウツウェッハ １ (72)発明者 ハラルド レネ ディールス ベルギー国 ベーエー−2300 ターンホウ ト ギールレーゼ ステーンベーク 417
Claims (11)
- 【請求項１】 金属ハロゲン化物を含むイオン化可能な
充填物が封入され、且つ第１及び第２電極が配置される
放電空所を囲むセラミック放電容器を具えており、この
放電容器が前記電極間に延在する中央区分の両側に、中
央区分に接続される第１及び第２端部区分を具え、これ
らの各端部区分が各電極に接続した給電導体を僅かの隙
間をあけて囲み、前記給電導体が前記各端部区分を経て
外部に出る個所にセラミック封止用コンパウンドのシー
ルを設け、少なくとも第１端部区分の外径を中央区分の
最小外径よりも小さくし、第１端部区分に通す給電導体
が放電空所に対向している耐ハロゲン化物部分と、放電
空所とは反射側に水素及び酸素に対して透過性の部分と
を有している高圧放電ランプにおいて、前記給電導体の
耐ハロゲン化物部分が、少なくとも前記第１端部区分の
内径Ｄを２mmだけ増大させた距離Ｌ１にわたり前記第１
端部区分の内側に延在し、且つ第２端部区分に通す給電
導体も放電空所の方へ向いている耐ハロゲン化物部分を
有していることを特徴とする高圧放電ランプ。 - 【請求項２】 給電導体の透過性部分をニオブ及び／又
はタンタルから成る材料で製造したことを特徴とする請
求項１に記載の高圧放電ランプ。 - 【請求項３】 少なくとも前記耐ハロゲン化物部分の表
面を、タングステン、モリブデン、プラチナ、イリジウ
ム、レニウム及びロジウムにより形成される群からの少
なくとも１つの金属及び／又はこれら金属の少なくとも
１つの導電性珪化物、炭火物又は窒化物とから成る材料
で製造したことを特徴とする請求項１又は２に記載の高
圧放電ランプ。 - 【請求項４】 前記耐ハロゲン化物部分がセラミック封
止用コンパウンドのシールの内側に延在するようにした
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の
高圧放電ランプ。 - 【請求項５】 前記透過性部分が前記第１端部区分内
を、この第１端部区分の内径の少なくとも３倍の距離Ｌ
２にわたり延在するようにしたことを特徴とする請求項
１〜４のいずれか一項に記載の高圧放電ランプ。 - 【請求項６】 耐ハロゲン化物部分を耐ハロゲン化物材
料製のむくの棒としたことを特徴とする請求項１〜５の
いずれか一項に記載の高圧放電ランプ。 - 【請求項７】 前記給電導体の耐ハロゲン化物部分が前
記透過性部分に隣接する比較的細い端部と、放電容器の
中央区分に面する比較的太い端部とを有していることを
特徴とする請求項６に記載の高圧放電ランプ。 - 【請求項８】 前記給電導体を透過性材料の棒で構成
し、前記耐ハロゲン化物部分を前記棒の一部に耐ハロゲ
ン化物材料の層を設けて形成したことを特徴とする請求
項１〜５のいずれか一項に記載の高圧放電ランプ。 - 【請求項９】 前記給電導体の耐ハロゲン化物部分を一
種又は数種の耐ハロゲン化物金属とセラミック材料のサ
ーメットで造ったことを特徴とする請求項第１〜５のい
ずれか一項に記載の高圧放電ランプ。 - 【請求項１０】 前記耐ハロゲン化物部分を請求項３に
記載した金属の１つで造った巻線により囲んだことを特
徴とする請求項６に記載の高圧放電ランプ。 - 【請求項１１】 第１端部区分を形成する管の、中央区
分の方へ向いている端部を、中央区分を形成する管の各
端部に固定されるセラミックリングに固着したことを特
徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の高圧放
電ランプ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP92202712 | 1992-09-08 | ||
| NL92202712:3 | 1992-09-08 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06196131A true JPH06196131A (ja) | 1994-07-15 |
| JP3155651B2 JP3155651B2 (ja) | 2001-04-16 |
Family
ID=8210899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22241293A Expired - Lifetime JP3155651B2 (ja) | 1992-09-08 | 1993-09-07 | 高圧放電ランプ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5424609A (ja) |
| JP (1) | JP3155651B2 (ja) |
| DE (1) | DE69329046T2 (ja) |
| ES (1) | ES2150433T3 (ja) |
Cited By (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0836991A (ja) * | 1994-07-25 | 1996-02-06 | Japan Storage Battery Co Ltd | 不飽和蒸気圧形高圧ナトリウムランプ |
| JPH10294085A (ja) * | 1997-04-18 | 1998-11-04 | Matsushita Electron Corp | メタルハライドランプ |
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| DE69329046T2 (de) | 2001-03-29 |
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