JPH06201500A - 圧力センサ - Google Patents
圧力センサInfo
- Publication number
- JPH06201500A JPH06201500A JP17554691A JP17554691A JPH06201500A JP H06201500 A JPH06201500 A JP H06201500A JP 17554691 A JP17554691 A JP 17554691A JP 17554691 A JP17554691 A JP 17554691A JP H06201500 A JPH06201500 A JP H06201500A
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- JP
- Japan
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- anode
- diaphragm
- emitter
- cold cathode
- pressure sensor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高温度でも高感度で安定した出力を得ること
が可能な圧力センサを提供する。 【構成】 シリコン基板１の表面に形成されたダイアフ
ラム２と，該ダイアフラム２上に形成されたアノ―ド
（または冷陰極エミッタ）４と，該アノ―ド（または冷
陰極エミッタ）４に対向して配置された冷陰極エミッタ
（またはアノ―ド）からなり，前記アノ―ド４とエミッ
タ７との空間を真空とした。
が可能な圧力センサを提供する。 【構成】 シリコン基板１の表面に形成されたダイアフ
ラム２と，該ダイアフラム２上に形成されたアノ―ド
（または冷陰極エミッタ）４と，該アノ―ド（または冷
陰極エミッタ）４に対向して配置された冷陰極エミッタ
（またはアノ―ド）からなり，前記アノ―ド４とエミッ
タ７との空間を真空とした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はシリコン圧力センサに関
し，高温域（２００℃以上）における高感度化をはかっ
たシリコン圧力センサに関する。
し，高温域（２００℃以上）における高感度化をはかっ
たシリコン圧力センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来，半導体形圧力センサとしては Ｓｉのダイアフラム上に抵抗を配置してピエゾ抵抗
効果を利用したもの。 シリコンやガラスを加工してギャップを形成し容量
変化を検出するもの。等が知られている。
効果を利用したもの。 シリコンやガラスを加工してギャップを形成し容量
変化を検出するもの。等が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，ピエゾ
効果を利用するためにｐｎ接合を形成したものは１２０
℃以上の高温領域ではリ―ク電流が大きく，感度も小さ
いという問題がある。一方容量形圧力センサにおいては
高感度ではあるが浮遊容量の影響を受け易いという問題
がある。即ち，容量形は出力インピ―ダンスが高い上
に，小形化した場合はセンサ容量が小さくなり，相対的
に浮遊容量の影響が大きくなる。
効果を利用するためにｐｎ接合を形成したものは１２０
℃以上の高温領域ではリ―ク電流が大きく，感度も小さ
いという問題がある。一方容量形圧力センサにおいては
高感度ではあるが浮遊容量の影響を受け易いという問題
がある。即ち，容量形は出力インピ―ダンスが高い上
に，小形化した場合はセンサ容量が小さくなり，相対的
に浮遊容量の影響が大きくなる。
【０００４】本発明は，上記従来技術の問題点を解決す
る為に成されたもので，高温度でも高感度で安定した出
力を得ることが可能な圧力センサを提供することを目的
とする。
る為に成されたもので，高温度でも高感度で安定した出
力を得ることが可能な圧力センサを提供することを目的
とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する為に
本発明は，シリコン基板に形成されたダイアフラムと，
該ダイアフラム上に形成されたアノ―ド（または冷陰極
エミッタ）と，該アノ―ド（または冷陰極エミッタ）に
対向して配置された冷陰極エミッタ（またはアノ―ド）
からなり，前記アノ―ドと冷陰極エミッタとの空間を真
空としたものである。
本発明は，シリコン基板に形成されたダイアフラムと，
該ダイアフラム上に形成されたアノ―ド（または冷陰極
エミッタ）と，該アノ―ド（または冷陰極エミッタ）に
対向して配置された冷陰極エミッタ（またはアノ―ド）
からなり，前記アノ―ドと冷陰極エミッタとの空間を真
空としたものである。
【０００６】
【作用】真空空間に対向して配置された冷陰極エミッタ
とアノ―ドの間に電圧を印加するとエミッタから出射し
た電子は電界強度の関数に比例（電極間距離に反比例）
して増大する。ダイアフラムは印加される圧力に比例し
て変位するのでエミッタとアノ―ドの間の距離の変化に
関連して電界放出電流が変化する。
とアノ―ドの間に電圧を印加するとエミッタから出射し
た電子は電界強度の関数に比例（電極間距離に反比例）
して増大する。ダイアフラムは印加される圧力に比例し
て変位するのでエミッタとアノ―ドの間の距離の変化に
関連して電界放出電流が変化する。
【０００７】
【実施例】図１は本発明の一実施例を示す断面構成図で
あり，１は異方性エッチングにより矩形状のダイアフラ
ム２が形成された第１Ｓｉウエハである。この第１Ｓｉ
ウエハ１のダイアフラム２上にはリ―ド線として機能す
る高濃度拡散部３，およびアノ―ドとして機能する電極
４が形成されている。５は凹部６を有する第２Ｓｉウエ
ハであり，凹部６の底（図ではアノ―ド４の上方）には
エミッタとして機能する多孔質Ｓｉ７が形成されてい
る。この多孔質Ｓｉ７にはリ―ド線として機能する高濃
度拡散部３´が接続されている。８は凹部６を除く第２
シリコンウエハ５の表面に形成された絶縁膜（ＳｉＯ2
やＳｉ3 Ｎ4 ）である。第１Ｓｉウエハ１のアノ―ド４
が形成された側と第２Ｓｉウエハ５の絶縁膜が形成され
た側は直接接合により接合され，凹部６は真空室とされ
ている。９，９´はリ―ド線３，３´と接続する為の耐
熱配線からなるコンタクト部である。
あり，１は異方性エッチングにより矩形状のダイアフラ
ム２が形成された第１Ｓｉウエハである。この第１Ｓｉ
ウエハ１のダイアフラム２上にはリ―ド線として機能す
る高濃度拡散部３，およびアノ―ドとして機能する電極
４が形成されている。５は凹部６を有する第２Ｓｉウエ
ハであり，凹部６の底（図ではアノ―ド４の上方）には
エミッタとして機能する多孔質Ｓｉ７が形成されてい
る。この多孔質Ｓｉ７にはリ―ド線として機能する高濃
度拡散部３´が接続されている。８は凹部６を除く第２
シリコンウエハ５の表面に形成された絶縁膜（ＳｉＯ2
やＳｉ3 Ｎ4 ）である。第１Ｓｉウエハ１のアノ―ド４
が形成された側と第２Ｓｉウエハ５の絶縁膜が形成され
た側は直接接合により接合され，凹部６は真空室とされ
ている。９，９´はリ―ド線３，３´と接続する為の耐
熱配線からなるコンタクト部である。
【０００８】１０は例えばパイレックスガラスからなり
貫通孔１１が形成された取付け基板であり，この取付け
基板１０に第１Ｓｉウエハ１の他方の面が接合されて流
体導入室１２が形成されている。１３はアノ―ド４上の
所定の箇所に形成された絶縁体からなる支柱である。次
に，上記圧力センサの概略製作工程について図２，図
３，図４を用いて説明する。図２（ａ）において，第１
Ｓｉウエハ１のダイアフラム２が形成される部分および
リ―ド線となる部分に例えばボロン等の不純物３を高濃
度（１０19〜１０20cm-3程度）に拡散する。次に（ｂ）
図においてダイアフラム上の不純物を拡散した部分にＴ
ｉ膜をスパッタにより形成し，その後Ｎ2 雰囲気中で熱
処理（アニ―ル）を行う。このアニ―ルによりＴｉ膜は
ＴｉＳｉｘとＴｉＮからなるアノ―ドとして機能する電
極４となる。次にこの電極４を含む基板上にレジストを
塗布し所定の箇所に穴明けを行って電極４を露出させ，
例えばＳｉＯ2 を数μｍの厚さにスパッタする。次にレ
ジストを除去することにより複数の支柱１３を形成す
る。
貫通孔１１が形成された取付け基板であり，この取付け
基板１０に第１Ｓｉウエハ１の他方の面が接合されて流
体導入室１２が形成されている。１３はアノ―ド４上の
所定の箇所に形成された絶縁体からなる支柱である。次
に，上記圧力センサの概略製作工程について図２，図
３，図４を用いて説明する。図２（ａ）において，第１
Ｓｉウエハ１のダイアフラム２が形成される部分および
リ―ド線となる部分に例えばボロン等の不純物３を高濃
度（１０19〜１０20cm-3程度）に拡散する。次に（ｂ）
図においてダイアフラム上の不純物を拡散した部分にＴ
ｉ膜をスパッタにより形成し，その後Ｎ2 雰囲気中で熱
処理（アニ―ル）を行う。このアニ―ルによりＴｉ膜は
ＴｉＳｉｘとＴｉＮからなるアノ―ドとして機能する電
極４となる。次にこの電極４を含む基板上にレジストを
塗布し所定の箇所に穴明けを行って電極４を露出させ，
例えばＳｉＯ2 を数μｍの厚さにスパッタする。次にレ
ジストを除去することにより複数の支柱１３を形成す
る。
【０００９】次にリ―ド部に耐熱部材としての電極（例
えばＡｕ，Ｐｔ，Ｔ2 Ｎ，Ｔ2 Ｓｉｘ等）９´を形成す
る。次にＳｉウエハ１の裏面から異方性エッチングを行
い流体導入室１２を形成するとともにダイアフラム２を
形成する。図３（ａ）において，第２Ｓｉウエハ５の一
方の面を図２のダイアフラム２の面積よりも広く，か
つ，浅く（例えば数μｍ）エッチングした後，そのエッ
チングした凹部６にボロン等の不純物３´を高濃度（１
０19〜１０20cm-3程度）に拡散して電極および電極リ―
ドを形成する。この工程において不純物拡散を行わない
部分には絶縁膜（ＳｉＯ2 やＳｉ3 Ｎ4 ）８を形成し，
不純物３´を形成後除去する。図３（ｂ）において，再
び絶縁膜８を形成しエミッタとすべき電極部のみ窓開け
した状態で高濃度のＨＦ（弗酸）に浸漬する。そして不
純物拡散層３´を陽極として通電すると次の反応を生じ
る。 Ｓｉ＋２ＨＦ＋２ｈ+ →ＳｉＦ2 ＋２Ｈ+
えばＡｕ，Ｐｔ，Ｔ2 Ｎ，Ｔ2 Ｓｉｘ等）９´を形成す
る。次にＳｉウエハ１の裏面から異方性エッチングを行
い流体導入室１２を形成するとともにダイアフラム２を
形成する。図３（ａ）において，第２Ｓｉウエハ５の一
方の面を図２のダイアフラム２の面積よりも広く，か
つ，浅く（例えば数μｍ）エッチングした後，そのエッ
チングした凹部６にボロン等の不純物３´を高濃度（１
０19〜１０20cm-3程度）に拡散して電極および電極リ―
ドを形成する。この工程において不純物拡散を行わない
部分には絶縁膜（ＳｉＯ2 やＳｉ3 Ｎ4 ）８を形成し，
不純物３´を形成後除去する。図３（ｂ）において，再
び絶縁膜８を形成しエミッタとすべき電極部のみ窓開け
した状態で高濃度のＨＦ（弗酸）に浸漬する。そして不
純物拡散層３´を陽極として通電すると次の反応を生じ
る。 Ｓｉ＋２ＨＦ＋２ｈ+ →ＳｉＦ2 ＋２Ｈ+
【００１０】このＳｉＦ2 ＋２Ｈ+ が非晶質Ｓｉ* を生
成するがこの非晶質Ｓｉ* が拡散層の表面に析出し多孔
質Ｓｉ層７となる。この多孔質Ｓｉ（エミッタとして機
能する）は拡散層の表面から１μｍを越えない程度の深
さに形成されるが，拡散層３´を例えば３μｍ程度の厚
さに形成しておけば，多孔質Ｓｉ層７に接して電極層
（拡散層）が残され，その残された部分はリ―ド部に延
長された状態となる。図３（ｃ）において，リ―ド線の
端部には耐熱部材としての電極（例えばＡｕ，Ｐｔ，Ｔ
2 Ｎ，Ｔ2 Ｓｉｘ等）９をＳｉウエハ５の反対側から穴
明けを行った後形成する。
成するがこの非晶質Ｓｉ* が拡散層の表面に析出し多孔
質Ｓｉ層７となる。この多孔質Ｓｉ（エミッタとして機
能する）は拡散層の表面から１μｍを越えない程度の深
さに形成されるが，拡散層３´を例えば３μｍ程度の厚
さに形成しておけば，多孔質Ｓｉ層７に接して電極層
（拡散層）が残され，その残された部分はリ―ド部に延
長された状態となる。図３（ｃ）において，リ―ド線の
端部には耐熱部材としての電極（例えばＡｕ，Ｐｔ，Ｔ
2 Ｎ，Ｔ2 Ｓｉｘ等）９をＳｉウエハ５の反対側から穴
明けを行った後形成する。
【００１１】なお，図２におけるダイアフラムの厚さや
ボロンの拡散深さ，Ｔｉのスパッタ膜厚および図３にお
ける凹部６のエッチングの深さや拡散の深さは電界放出
させる場合の電極間の基本的な距離となるが，これらは
測定すべき圧力や温度条件に合わせて最適な状態に調整
する。また，凹部６を真空室にする方法としてはＳｉウ
エハ１と５を合わせて脱ガスさせて減圧下で接合した
り，例えばＳｉウエハ５に小さな排気ドレインを設け凹
部６内の気体を排気後封止する様にしても良い。この場
合アノ―ド電極４としてはＴｉを使用して耐熱性を持た
せているがＴｉには真空室内の不要なガスを吸着するゲ
ッタ作用があるので真空度を向上させる効果も期待でき
る。
ボロンの拡散深さ，Ｔｉのスパッタ膜厚および図３にお
ける凹部６のエッチングの深さや拡散の深さは電界放出
させる場合の電極間の基本的な距離となるが，これらは
測定すべき圧力や温度条件に合わせて最適な状態に調整
する。また，凹部６を真空室にする方法としてはＳｉウ
エハ１と５を合わせて脱ガスさせて減圧下で接合した
り，例えばＳｉウエハ５に小さな排気ドレインを設け凹
部６内の気体を排気後封止する様にしても良い。この場
合アノ―ド電極４としてはＴｉを使用して耐熱性を持た
せているがＴｉには真空室内の不要なガスを吸着するゲ
ッタ作用があるので真空度を向上させる効果も期待でき
る。
【００１２】図４は上記図２で作製したＳｉウエハ１の
アノ―ド４を形成した側と，図３で形成したＳｉウエハ
５のエミッタ７を形成した側を合わせて１１００℃程度
に加熱し，直接接合により接合した状態を示す断面図で
あり，この後例えばパイレックスガラス等で形成された
取付基板１０を接合して図１に示すＳｉ圧力センサを完
成する。
アノ―ド４を形成した側と，図３で形成したＳｉウエハ
５のエミッタ７を形成した側を合わせて１１００℃程度
に加熱し，直接接合により接合した状態を示す断面図で
あり，この後例えばパイレックスガラス等で形成された
取付基板１０を接合して図１に示すＳｉ圧力センサを完
成する。
【００１３】図１の構成において，貫通孔１１から流体
が圧力導入室１２内に導入され，ダイアフラム２に印加
される圧力が変化するとダイアフラム２が変形し，アノ
―ド４とエミッタ７の電極間隔が変化する。なお，ダイ
アフラムに過大圧が印加された時は支柱の先端がエミッ
タに当接してアノ―ドとエミッタの接触を防止する。図
５はエミッタ７部分７´を突起（コ―ン）状に形成した
請求項２の実施例を示すもので，図１に示すものとは多
孔質シリコン部分をコ―ン状に形成する工程のみが異な
っている。その他の符号は図１と同じである。
が圧力導入室１２内に導入され，ダイアフラム２に印加
される圧力が変化するとダイアフラム２が変形し，アノ
―ド４とエミッタ７の電極間隔が変化する。なお，ダイ
アフラムに過大圧が印加された時は支柱の先端がエミッ
タに当接してアノ―ドとエミッタの接触を防止する。図
５はエミッタ７部分７´を突起（コ―ン）状に形成した
請求項２の実施例を示すもので，図１に示すものとは多
孔質シリコン部分をコ―ン状に形成する工程のみが異な
っている。その他の符号は図１と同じである。
【００１４】シリコンウエハ上にコ―ンを作製する方法
は例えば1990年10月29日発行のNIKKEI ELECTRONICSや米
国特許３，７８９，４７１号公報に記載された公知の方
法により作製することができる。一般にダイアフラムに
圧力ｐを印加した時のダイアフラム中央の変位（ω0 ）
は次式により表わすことができる。 （ω0 ）＝１．１７１０-13 ［｛（２ａ）4 ／ｈ3 ｝］
ｐ ａ；ダイアフラムの一辺の長さ ｈ；ダイアフラムの厚さ
は例えば1990年10月29日発行のNIKKEI ELECTRONICSや米
国特許３，７８９，４７１号公報に記載された公知の方
法により作製することができる。一般にダイアフラムに
圧力ｐを印加した時のダイアフラム中央の変位（ω0 ）
は次式により表わすことができる。 （ω0 ）＝１．１７１０-13 ［｛（２ａ）4 ／ｈ3 ｝］
ｐ ａ；ダイアフラムの一辺の長さ ｈ；ダイアフラムの厚さ
【００１５】即ち，ダイアフラムの変位は圧力に比例す
る。また，エミッタ（７，７´）がシリコンの場合，価
電子帯からのエミッション電流密度ｊは次式により表わ
される。 ｊ＝ＡＴ2 ｛ｅｘｐ（−ｂ）／（ｃｋＴ）2 ・（ｒｐ／１＋ｒｐ）… ｂ＝｛Ｕ1/2 （ｘ＋Ｅｇ）3/2 ／ψｉ2 ｝φ｛ψｉ／（ｘ＋Ｅｇ）｝ ｃ＝３｛Ｕ（ｘ＋Ｅｇ）｝1/2 ／２ψｉ2 ここで Ａ；係数， Ｕ；エネルギ―， ｍｐ；正孔の
有効質量 ｍ；電子の静止質量 ｋ；ボルツマン定数，
Ｔ；絶対温度 ψｉ（ポテンシャル）；３．８×１０-4Φ［Ｆ1/2 ］ Ｆ；電界， Φ；係数 ｒｐ；ｍｐ／ｍ ｘ；電子親和力 Ｅｇ；エネルギ―ギャップ なお，上記式は電子技術総合研究所彙報 第５３巻
第１０号 １１７１〜１１８２頁により公知である。
る。また，エミッタ（７，７´）がシリコンの場合，価
電子帯からのエミッション電流密度ｊは次式により表わ
される。 ｊ＝ＡＴ2 ｛ｅｘｐ（−ｂ）／（ｃｋＴ）2 ・（ｒｐ／１＋ｒｐ）… ｂ＝｛Ｕ1/2 （ｘ＋Ｅｇ）3/2 ／ψｉ2 ｝φ｛ψｉ／（ｘ＋Ｅｇ）｝ ｃ＝３｛Ｕ（ｘ＋Ｅｇ）｝1/2 ／２ψｉ2 ここで Ａ；係数， Ｕ；エネルギ―， ｍｐ；正孔の
有効質量 ｍ；電子の静止質量 ｋ；ボルツマン定数，
Ｔ；絶対温度 ψｉ（ポテンシャル）；３．８×１０-4Φ［Ｆ1/2 ］ Ｆ；電界， Φ；係数 ｒｐ；ｍｐ／ｍ ｘ；電子親和力 Ｅｇ；エネルギ―ギャップ なお，上記式は電子技術総合研究所彙報 第５３巻
第１０号 １１７１〜１１８２頁により公知である。
【００１６】図６は上式を用い，電界Ｆの逆数に対する
関数として計算した放射電流密度を示すものである。図
は電極間距離の逆数に比例して電流が増大することを示
しており，また，絶対温度Ｔが２００〜４００Ｋに変化
しても出力には影響がないことを示している。更に，図
６によれば電界が２倍に変化すると電流密度が２〜３桁
増加していることがわかる。そして，本発明ではこれを
ダイアフラムの変位として検出するので微小な変位の変
化を大きな出力電流の変化として取出すことができる。
図７は本発明のＳｉ圧力センサを差圧計として応用した
場合の実施例を示すもので，この例においては，図１に
示す第２シリコンウエハ５の両側に図３（ａ）〜（ｃ）
で示す工程を施し，図２の工程で作製したＳｉウエハ１
を両側に接合したものである。この差圧計のエミッタ
７，７には共通の電源（図では省略）から同様の電圧が
印加され，アノ―ド４，４の電位も共通な電位に接続さ
れる（１４はコンタクト部９´，９´の接続部材であ
る）。そしてこの差圧計においては両方のダイアフラム
２，２に印加されるそれぞれの出力を別々に測定してそ
の出力差を信号として検出する。
関数として計算した放射電流密度を示すものである。図
は電極間距離の逆数に比例して電流が増大することを示
しており，また，絶対温度Ｔが２００〜４００Ｋに変化
しても出力には影響がないことを示している。更に，図
６によれば電界が２倍に変化すると電流密度が２〜３桁
増加していることがわかる。そして，本発明ではこれを
ダイアフラムの変位として検出するので微小な変位の変
化を大きな出力電流の変化として取出すことができる。
図７は本発明のＳｉ圧力センサを差圧計として応用した
場合の実施例を示すもので，この例においては，図１に
示す第２シリコンウエハ５の両側に図３（ａ）〜（ｃ）
で示す工程を施し，図２の工程で作製したＳｉウエハ１
を両側に接合したものである。この差圧計のエミッタ
７，７には共通の電源（図では省略）から同様の電圧が
印加され，アノ―ド４，４の電位も共通な電位に接続さ
れる（１４はコンタクト部９´，９´の接続部材であ
る）。そしてこの差圧計においては両方のダイアフラム
２，２に印加されるそれぞれの出力を別々に測定してそ
の出力差を信号として検出する。
【００１７】なお，本実施例においては第１Ｓｉウエハ
１のダイアフラム２の上にアノ―ド４を形成し，第２Ｓ
ｉウエハ５にエミッタ７を形成したが，第１Ｓｉウエハ
１側にエミッタ７を形成し，第２Ｓｉウエハ５にアノ―
ド４を形成してもよい。また，過大圧防止の為の支柱は
エミッタ側に形成しても良い。また，本実施例において
は圧力計に応用した例について説明したが，この実施例
に限ることなく例えば加速度計等に用いても良い。
１のダイアフラム２の上にアノ―ド４を形成し，第２Ｓ
ｉウエハ５にエミッタ７を形成したが，第１Ｓｉウエハ
１側にエミッタ７を形成し，第２Ｓｉウエハ５にアノ―
ド４を形成してもよい。また，過大圧防止の為の支柱は
エミッタ側に形成しても良い。また，本実施例において
は圧力計に応用した例について説明したが，この実施例
に限ることなく例えば加速度計等に用いても良い。
【００１８】
【発明の効果】以上，詳細に説明したように，本発明に
よれば， 電極材料として耐熱性の高いものを使用しているの
で高い領域まで使用可能である。 微小なダイアフラムの変位量が大きな電流変化とし
て検出できるので高感度化が可能であり，微圧計測も可
能である。 価電子帯からの放出を用いているので温度に依存し
にくく温度特性が良い。 過大圧に対しても強い。 エミッタとアノ―ドを真空室に配置しているので外
界の影響を受けにくい。等の効果がある。
よれば， 電極材料として耐熱性の高いものを使用しているの
で高い領域まで使用可能である。 微小なダイアフラムの変位量が大きな電流変化とし
て検出できるので高感度化が可能であり，微圧計測も可
能である。 価電子帯からの放出を用いているので温度に依存し
にくく温度特性が良い。 過大圧に対しても強い。 エミッタとアノ―ドを真空室に配置しているので外
界の影響を受けにくい。等の効果がある。
【図１】本発明の圧力センサの一実施例を示す斜視図で
ある。
ある。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は製作工程の概略を示す断面図
である。
である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は製作工程の概略を示す断面図
である。
である。
【図４】製作工程の概略を示す断面図である。
【図５】本発明の圧力センサの請求項２の実施例を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図６】エミッタをＳｉとしアノ―ドとの距離を電界下
の関数として計算した放射電流密度を示す図である。
の関数として計算した放射電流密度を示す図である。
【図７】本発明の他の実施例を示す断面図である。
１ 第１Ｓｉウエハ ２ ダイアフラム ３，３´ 高濃度拡散部 ４ 電極（アノ―ド） ５ 第２Ｓｉウエハ ６ 真空室 ７ 多孔質Ｓｉ（エミッタ） ８ 絶縁膜 ９，９´ 耐熱配線（コンタクト部） １０ 取付け基板 １１ 貫通孔 １２ 流体導入室 １３ 支柱
Claims (3)
- 【請求項１】 シリコン基板に形成されたダイアフラム
と，該ダイアフラム上に形成されたアノ―ド（または冷
陰極エミッタ）と，該アノ―ド（または冷陰極エミッ
タ）に対向して配置された冷陰極エミッタ（またはアノ
―ド）からなり，前記アノ―ドと冷陰極エミッタとの空
間を真空としたことを特徴とする圧力センサ。 - 【請求項２】 冷陰極エミッタとして多孔質処理を施し
たシリコンを用いたことを特徴とする請求項１記載の圧
力センサ。 - 【請求項３】 冷陰極エミッタとして突起先端を有する
複数のエミッタを用いたことを特徴とする請求項１記載
の圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17554691A JPH06201500A (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | 圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17554691A JPH06201500A (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | 圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06201500A true JPH06201500A (ja) | 1994-07-19 |
Family
ID=15997971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17554691A Pending JPH06201500A (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | 圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06201500A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000199727A (ja) * | 1998-10-27 | 2000-07-18 | Fuji Electric Co Ltd | 静電容量式圧力センサ及びその製造方法 |
| JP2009510421A (ja) * | 2005-09-27 | 2009-03-12 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | モノリシック集積回路を有するセンサユニットを製作するための方法 |
| JP2010032220A (ja) * | 2008-07-24 | 2010-02-12 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 半導体装置の電極取り出し構造 |
| WO2018168013A1 (ja) * | 2017-03-16 | 2018-09-20 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | Ｍｅｍｓセンサ |
-
1991
- 1991-07-16 JP JP17554691A patent/JPH06201500A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000199727A (ja) * | 1998-10-27 | 2000-07-18 | Fuji Electric Co Ltd | 静電容量式圧力センサ及びその製造方法 |
| JP2009510421A (ja) * | 2005-09-27 | 2009-03-12 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | モノリシック集積回路を有するセンサユニットを製作するための方法 |
| JP2010032220A (ja) * | 2008-07-24 | 2010-02-12 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 半導体装置の電極取り出し構造 |
| WO2018168013A1 (ja) * | 2017-03-16 | 2018-09-20 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | Ｍｅｍｓセンサ |
| JP2018155526A (ja) * | 2017-03-16 | 2018-10-04 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | Ｍｅｍｓセンサ |
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