JPH0620151B2 - アモルフアス太陽電池 - Google Patents
アモルフアス太陽電池Info
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- JPH0620151B2 JPH0620151B2 JP61290416A JP29041686A JPH0620151B2 JP H0620151 B2 JPH0620151 B2 JP H0620151B2 JP 61290416 A JP61290416 A JP 61290416A JP 29041686 A JP29041686 A JP 29041686A JP H0620151 B2 JPH0620151 B2 JP H0620151B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- film
- layer
- solar cell
- buffer layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/17—Photovoltaic cells having only PIN junction potential barriers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、アモルファス太陽電池に係り、特に大きな開
放電圧を有する高効率化せしめるに好適なアモルファス
太陽電池に関する。
放電圧を有する高効率化せしめるに好適なアモルファス
太陽電池に関する。
従来、ｐ型ａ−ＳｉＣ：Ｈ膜を用いたｐｉｎ型セルにお
いて、ヘテロ接合部であるｐ／ｉ界面にバッファ層を設
けることにより、ｐ／ｉ界面でのキャリア再結合の減
少、およびｐ層とｉ層のバンド幅が連続的につながって
障壁が緩和されることにより光電変換効率が向上するこ
とが知られている（第１７回太陽エネルギー推進委員会
第１１回アモルファス連絡会予稿集、第１９４〜５頁参
照）。また、ｐ型ａ−Ｓｉとｉ型ｐ−ＳiＧeによるヘテ
ロ接合を有する太陽電池に関しては、ｐ／ｉ界面にＧｅ
量を厚さ方向に連続的変化させて光学ギャップ（禁制帯
幅）をｐ層側からｉ層側へ変化させるようにバッファ層
を設けてバンド幅を連続的につなぎ、障壁を緩和する方
法がある（第４６回応用物理学会学術講演会講演予稿
集、２Ｐ−ＺＡ−５参照）。なおこの場合の光電変換効
率は２，３％、開放電圧は０．６５Ｖ程度である。
いて、ヘテロ接合部であるｐ／ｉ界面にバッファ層を設
けることにより、ｐ／ｉ界面でのキャリア再結合の減
少、およびｐ層とｉ層のバンド幅が連続的につながって
障壁が緩和されることにより光電変換効率が向上するこ
とが知られている（第１７回太陽エネルギー推進委員会
第１１回アモルファス連絡会予稿集、第１９４〜５頁参
照）。また、ｐ型ａ−Ｓｉとｉ型ｐ−ＳiＧeによるヘテ
ロ接合を有する太陽電池に関しては、ｐ／ｉ界面にＧｅ
量を厚さ方向に連続的変化させて光学ギャップ（禁制帯
幅）をｐ層側からｉ層側へ変化させるようにバッファ層
を設けてバンド幅を連続的につなぎ、障壁を緩和する方
法がある（第４６回応用物理学会学術講演会講演予稿
集、２Ｐ−ＺＡ−５参照）。なおこの場合の光電変換効
率は２，３％、開放電圧は０．６５Ｖ程度である。
太陽電池の主光電変換部であるｉ型ａ−ＳiＧe膜の光学
的バンドギャップは、１．４〜１．６ｅＶ程度である。
この値から、前記の太陽電池の開放電圧は充分に大きい
とは言えず、さらに増大できる可能性を含んでいると考
えられる。
的バンドギャップは、１．４〜１．６ｅＶ程度である。
この値から、前記の太陽電池の開放電圧は充分に大きい
とは言えず、さらに増大できる可能性を含んでいると考
えられる。
本発明の目的は、開放電圧が大きく、光電変換効率の高
いアモルファス太陽電池を提供することにある。
いアモルファス太陽電池を提供することにある。
上記の目的は、p型ａ-ＳiＣ／i型ａ-ＳiＧe／ｎ型μｃ
(マイクロクリスタル)-Ｓi系アモルファス太陽電池のヘ
テロ接合を形成するｐ／ｉ界面のバッファ層として、光
学的バンドギャップが等しく電子親和力が異なる複数の
ｉ型ａ−ＳｉＣＧｅ膜をｉ型ａ−ＳｉＧｅ膜の方に向か
って電子親和力が大きくなるように配置し、光学的バン
ドギャップの大きさをｐ型層より小さくｉ型層よりも大
きくした多層膜バッファ層を用いることにより達成され
る。
(マイクロクリスタル)-Ｓi系アモルファス太陽電池のヘ
テロ接合を形成するｐ／ｉ界面のバッファ層として、光
学的バンドギャップが等しく電子親和力が異なる複数の
ｉ型ａ−ＳｉＣＧｅ膜をｉ型ａ−ＳｉＧｅ膜の方に向か
って電子親和力が大きくなるように配置し、光学的バン
ドギャップの大きさをｐ型層より小さくｉ型層よりも大
きくした多層膜バッファ層を用いることにより達成され
る。
バッファ層が、ｐ型ａ−ＳｉＣ／ｉ型ａ−ＳiＧe接合の
バンドの連続性を改善することにより、特に伝導帯側を
連続的につなぐことによりｐ／ｉ界面の障壁を緩和する
ことができ、かつ界面再結合速度を減少させ、開放電圧
の拡大をもたらす。バッファ層としてｉ型ａ−Ｓｉ薄膜
を用いた場合は、バッファ層の光学的バンドギャップを
ｐ型−ＳｉＣ膜のバンドギャップより大きくすることは
困難であるが、バッファ層にｉ型ａ−ＳiＣＧe薄膜を用
いた場合は、その組成を調整することによりｐ型ａ−Ｓ
ｉＣ膜より大きいバンドギャップを有するａ−ＳiＣＧe
薄膜の作成は容易であり、さらにｐ型ａ−ＳｉＣ膜のバ
ンドギャップよりも小さくすることも可能である。さら
にａ−ＳiＣＧe膜においては、ａ−ＳiＣＧe膜の組成を
適切に選択することにより、組成が違っても同じ光学的
バンドギャップを有する膜の作成が可能である。このた
め同じバンドギャップを有する膜であっても電子親和力
の異なる膜が形成されるのでｐ型ａ−ＳｉＣ膜からｉ型
ａ−ＳｉＧｅ膜の方に向かって電子親和力が漸増するよ
うに複数のｉ型ａ−ＳｉＣＧｅ膜を配置することによ
り、ｐ／ｉ界面でのキャリアの再結合を減少させる様な
作用が働き開放電圧を大きくし得る。
バンドの連続性を改善することにより、特に伝導帯側を
連続的につなぐことによりｐ／ｉ界面の障壁を緩和する
ことができ、かつ界面再結合速度を減少させ、開放電圧
の拡大をもたらす。バッファ層としてｉ型ａ−Ｓｉ薄膜
を用いた場合は、バッファ層の光学的バンドギャップを
ｐ型−ＳｉＣ膜のバンドギャップより大きくすることは
困難であるが、バッファ層にｉ型ａ−ＳiＣＧe薄膜を用
いた場合は、その組成を調整することによりｐ型ａ−Ｓ
ｉＣ膜より大きいバンドギャップを有するａ−ＳiＣＧe
薄膜の作成は容易であり、さらにｐ型ａ−ＳｉＣ膜のバ
ンドギャップよりも小さくすることも可能である。さら
にａ−ＳiＣＧe膜においては、ａ−ＳiＣＧe膜の組成を
適切に選択することにより、組成が違っても同じ光学的
バンドギャップを有する膜の作成が可能である。このた
め同じバンドギャップを有する膜であっても電子親和力
の異なる膜が形成されるのでｐ型ａ−ＳｉＣ膜からｉ型
ａ−ＳｉＧｅ膜の方に向かって電子親和力が漸増するよ
うに複数のｉ型ａ−ＳｉＣＧｅ膜を配置することによ
り、ｐ／ｉ界面でのキャリアの再結合を減少させる様な
作用が働き開放電圧を大きくし得る。
また、複数のｉ型ａ−ＳｉＣＧｅ膜は光学的バンドギャ
ップが等しいので、バッファ層の電子親和力と光学的バ
ンドギャップとの和もｐ型ａ−ＳｉＣ膜からｉ型ａ−Ｓ
ｉＧｅ膜の方に向かっで漸増する。このため、ｉ型ａ−
ＳｉＧｅ膜からｐ型ａ−ＳｉＣ膜へ向かっての正孔の流
れが良くなる。その結果、太陽電池の電流電圧特性の形
状因子が良くなり、太陽電池の光電変化特性が良くな
る。
ップが等しいので、バッファ層の電子親和力と光学的バ
ンドギャップとの和もｐ型ａ−ＳｉＣ膜からｉ型ａ−Ｓ
ｉＧｅ膜の方に向かっで漸増する。このため、ｉ型ａ−
ＳｉＧｅ膜からｐ型ａ−ＳｉＣ膜へ向かっての正孔の流
れが良くなる。その結果、太陽電池の電流電圧特性の形
状因子が良くなり、太陽電池の光電変化特性が良くな
る。
以下、本発明の実施例を説明する。
比較例１． 第１図を用いて説明する。まずガラス基板１１上に透明
導電膜１２を周知の方法で、形成した。この上に、Ｓi
Ｈ４，ＣＨ４，Ｈ２ベースＢ２Ｈ６の混合ガスの高周波
プラズマ分解法を用いて膜厚８０Åのｐ型ａ−ＳｉＣ膜
１３を形成する。その上にバッファ層として膜１３より
も光学的バンドギャップの小さい膜厚８０Åのｉ型ａ−
Ｓｉ膜１４を形成した。該バッファ層は、ＳiＨ４およ
びＨ２の混合ガスから成膜した。さらに、その上に膜厚
５,０００Åのｉ型ａ−ＳiＧe膜１５、膜厚２００Åの
ｎ型微結晶Ｓｉ膜１６を順次形成し、最後にＡｇ電極１
７を蒸着して太陽電池を作成した。この太陽電池の開放
電圧は０．７１Ｖと高い値を示し、光電変換効率６．２
％であった。
導電膜１２を周知の方法で、形成した。この上に、Ｓi
Ｈ４，ＣＨ４，Ｈ２ベースＢ２Ｈ６の混合ガスの高周波
プラズマ分解法を用いて膜厚８０Åのｐ型ａ−ＳｉＣ膜
１３を形成する。その上にバッファ層として膜１３より
も光学的バンドギャップの小さい膜厚８０Åのｉ型ａ−
Ｓｉ膜１４を形成した。該バッファ層は、ＳiＨ４およ
びＨ２の混合ガスから成膜した。さらに、その上に膜厚
５,０００Åのｉ型ａ−ＳiＧe膜１５、膜厚２００Åの
ｎ型微結晶Ｓｉ膜１６を順次形成し、最後にＡｇ電極１
７を蒸着して太陽電池を作成した。この太陽電池の開放
電圧は０．７１Ｖと高い値を示し、光電変換効率６．２
％であった。
比較例２． 第２図を用いて説明する。
第２図の例はバッファ層２４の材料が第１の実施例と異
なるのみで、他はこれと同様である。バッファ層２４と
して、膜厚１００Åのｉ型ａ−ＳiＣＧe膜を、Ｓi
Ｈ４，ＣＨ４，ＧeＨ４及びＨ２の混合ガスの高周波プ
ラズマ分解法により形成した。バッファ層２４の光学的
バンドギャップはｐ型−ＳｉＣ層１３のバンドギャップ
より小さく、ｉ型ａ−ＳiＧe膜１５のバンドギャップよ
り大きい。本太陽電池の開放電圧は０．７Ｖと高い値を
示し、光電変換効率は６．０％であった。
なるのみで、他はこれと同様である。バッファ層２４と
して、膜厚１００Åのｉ型ａ−ＳiＣＧe膜を、Ｓi
Ｈ４，ＣＨ４，ＧeＨ４及びＨ２の混合ガスの高周波プ
ラズマ分解法により形成した。バッファ層２４の光学的
バンドギャップはｐ型−ＳｉＣ層１３のバンドギャップ
より小さく、ｉ型ａ−ＳiＧe膜１５のバンドギャップよ
り大きい。本太陽電池の開放電圧は０．７Ｖと高い値を
示し、光電変換効率は６．０％であった。
実施例１． 第３図を用いて説明する。
本実施例では、バッファ層が２層（第１層目４４および
第２層目５４）で構成されており、バッファ層以外は全
て比較例２と同じ構成である。バッファ層の第１層目４
４（膜厚５０Å）と第２層目５４（膜厚５０Å）は同じ
光学的バンドギャップを有するｉ型ａ−ＳiＣＧe膜と
し、ａ−ＳiＣＧe膜の組成を調整して、膜の電子親和力
に差を設けて第１層目４４よりも第２層目５４の方が大
きい電子親和力を有するようにした。バッファ層４４及
び５４のバンドギャップはｐ型ａ−ＳｉＣ膜のバンドギ
ャップよりも小さい。本太陽電池の開放電圧は０．７３
Ｖと高い値を示し、光電変換効率は６．０％であった。
第２層目５４）で構成されており、バッファ層以外は全
て比較例２と同じ構成である。バッファ層の第１層目４
４（膜厚５０Å）と第２層目５４（膜厚５０Å）は同じ
光学的バンドギャップを有するｉ型ａ−ＳiＣＧe膜と
し、ａ−ＳiＣＧe膜の組成を調整して、膜の電子親和力
に差を設けて第１層目４４よりも第２層目５４の方が大
きい電子親和力を有するようにした。バッファ層４４及
び５４のバンドギャップはｐ型ａ−ＳｉＣ膜のバンドギ
ャップよりも小さい。本太陽電池の開放電圧は０．７３
Ｖと高い値を示し、光電変換効率は６．０％であった。
なお、本発明において、ｎ型層はなるべく抵抗の低い周
知の半導体層でよく、その膜厚は２００〜５００Åであ
る。ｉ型層の組成は、そのバンドギャップが１．３〜
１．７ｅＶになるように選択され、膜厚は３，０００〜
７，０００Åである。ｐ型層の組成は、そのバンドギャ
ップが１．８〜２．５ｅＶとなるように選択される。バ
ッファ層とｐ型層の膜厚は、その和が５０〜２００Åに
なるように選択される。これが厚過ぎるとこの層による
光の吸収が多くなり、変換効率が低下する。
知の半導体層でよく、その膜厚は２００〜５００Åであ
る。ｉ型層の組成は、そのバンドギャップが１．３〜
１．７ｅＶになるように選択され、膜厚は３，０００〜
７，０００Åである。ｐ型層の組成は、そのバンドギャ
ップが１．８〜２．５ｅＶとなるように選択される。バ
ッファ層とｐ型層の膜厚は、その和が５０〜２００Åに
なるように選択される。これが厚過ぎるとこの層による
光の吸収が多くなり、変換効率が低下する。
バッファ層の組成および膜厚は、ｐ層とｉ層のバンドを
連続して接続するように選定されることは言うまでもな
い。
連続して接続するように選定されることは言うまでもな
い。
本発明によれば、ｐ型ａ−ＳｉＣとｉ型ａ−ＳiＧeのヘ
テロ接合にバッファ層を設けることにより、ｐ／ｉ界面
特性の秀れた、したがって開放電圧が大きく、かつ光電
変換特性の秀れたアモルファス太陽電池を簡便に作製で
きる効果がある。
テロ接合にバッファ層を設けることにより、ｐ／ｉ界面
特性の秀れた、したがって開放電圧が大きく、かつ光電
変換特性の秀れたアモルファス太陽電池を簡便に作製で
きる効果がある。
第１図は、比較例１を説明するための断面図、第２図
は、比較例２を説明するための断面図、第３図は、実施
例１を説明するための断面図である。 １１……ガラス基板、１２……透明導電膜、１３……ｐ
型ａ−ＳｉＣ膜、１４……バッファ膜，ｉ型ａ−Ｓｉ
膜、１５……ｉ型ａ−ＳiＧe膜、１６……ｎ型微結晶Ｓ
ｉ膜、１７……Ａｇ電極、２４：３４：４４：５４……
バッファ層ｉ型ａ−ＳiＣＧe膜。
は、比較例２を説明するための断面図、第３図は、実施
例１を説明するための断面図である。 １１……ガラス基板、１２……透明導電膜、１３……ｐ
型ａ−ＳｉＣ膜、１４……バッファ膜，ｉ型ａ−Ｓｉ
膜、１５……ｉ型ａ−ＳiＧe膜、１６……ｎ型微結晶Ｓ
ｉ膜、１７……Ａｇ電極、２４：３４：４４：５４……
バッファ層ｉ型ａ−ＳiＣＧe膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 晴夫 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 中村 信夫 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭60−30181（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−10871（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−205770（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−101880（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−160175（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−165374（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】ｐ型層がｐ型ａ−ＳｉＣ膜であり、ｉ型層
がｉ型ａ−ＳｉＧｅ膜である少なくとも１つのｐｉｎ接
合構造を有するアモルファス太陽電池において、上記ｐ
型層と上記ｉ型層との間に、上記ｐ型層よりも光学的バ
ンドギャップが小さく、上記ｉ型層よりも光学的バンド
ギャップが大きいバッファ層が形成されており、該バッ
ファ層は光学的バンドギャップが等しく電子親和力が異
なる複数のｉ型ａ−ＳｉＣＧｅ膜が上記ｉ型ａ−ＳｉＧ
ｅ膜の方に向かって電子親和力が大きくなるように配置
された多層膜バッファ層であることを特徴とするアモル
ファス太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61290416A JPH0620151B2 (ja) | 1986-12-08 | 1986-12-08 | アモルフアス太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61290416A JPH0620151B2 (ja) | 1986-12-08 | 1986-12-08 | アモルフアス太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63143877A JPS63143877A (ja) | 1988-06-16 |
| JPH0620151B2 true JPH0620151B2 (ja) | 1994-03-16 |
Family
ID=17755742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61290416A Expired - Fee Related JPH0620151B2 (ja) | 1986-12-08 | 1986-12-08 | アモルフアス太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0620151B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0273673A (ja) * | 1988-09-08 | 1990-03-13 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 薄膜太陽電池 |
| EP0749162B1 (en) * | 1995-06-16 | 2003-09-03 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw | Vertical MISFET devices, CMOS process integration, RAM applications |
| CN102136517A (zh) * | 2011-02-21 | 2011-07-27 | 芜湖明远新能源科技有限公司 | 一种晶体硅异质结叠层太阳电池及其制作方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57160175A (en) * | 1981-03-28 | 1982-10-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Photoelectric converter |
| JPS5810871A (ja) * | 1981-07-13 | 1983-01-21 | Agency Of Ind Science & Technol | アモルフアス太陽電池 |
| JPS5910880A (ja) * | 1982-07-09 | 1984-01-20 | 株式会社日立製作所 | 燃料スペ−サ |
| US4471155A (en) * | 1983-04-15 | 1984-09-11 | Energy Conversion Devices, Inc. | Narrow band gap photovoltaic devices with enhanced open circuit voltage |
| JPS6030181A (ja) * | 1983-07-28 | 1985-02-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非晶質薄膜光起電力素子 |
| JPS62165374A (ja) * | 1986-01-16 | 1987-07-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | アモルフアス光起電力素子 |
-
1986
- 1986-12-08 JP JP61290416A patent/JPH0620151B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63143877A (ja) | 1988-06-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |