JPH06202009A - 光開閉装置及びその製造方法 - Google Patents

光開閉装置及びその製造方法

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JPH06202009A JP5281530A JP28153093A JPH06202009A JP H06202009 A JPH06202009 A JP H06202009A JP 5281530 A JP5281530 A JP 5281530A JP 28153093 A JP28153093 A JP 28153093A JP H06202009 A JPH06202009 A JP H06202009A
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Sin-Chong Park
晨鐘 朴
Hyung-Moo Park
亨茂 朴
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Abstract

(57)【要約】 【目的】半導体工程のみで製作されたマイクロ静電アク
チュエーターを利用した光開閉器およびその製造方法を
提供。 【構成】選択電極３および信号電極２に正負の電圧を印
加して、移動子１２を帯電させる。信号電極２の印加電
圧極性が瞬間的に替えると、移動子側に帯状に帯電され
た電荷は移動子１２の抵抗に因り、直ちには反応できな
い。このため、移動子１２と電極２の間に反発力と共
に、移動子１２を左側に動かせる駆動力が生じ、移動子
１２は移動する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光開閉装置に関するも
ので、より具体的には、静電アクチュエータ（ｅｌｅｃ
ｔｒｏｓｔａｔｉｃ ａｃｔｕａｔｏｒ）を用いる光開
閉装置及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光を遮断又は通過させる光開閉器（ｌｉ
ｇｈｔ ｖａｌｖｅ）の中で最も代表的なものは液晶
（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ）を用いる液晶表示装
置が有る。
【０００３】このように液晶を利用した液晶表示装置に
おいては、光の開閉時に所要する電力消耗が少なく、数
多くの微細画素が各々独立的に駆動されることができ
る。このため、そのような液晶表示装置が、ディスプレ
イのような表示装置において主に応用されている。最
近、平面ディスプレイ装置として最も多く用いられてい
る液晶ディスプレイ装置（ＬＣＤ）は、既存のＣＲＴ
（ｃａｔｈｏｄ ｒａｙ ｔｕｂｅ）ディスプレイに比
べて低い電圧により駆動されることができ、且つ、薄く
又軽く製造することができるという長所が有る。
【０００４】特に、薄膜トランジスター液晶ディスプレ
イ装置（ＴＦＴ ＬＣＤ）は、種々の色相の高画質の画
面具現が可能であるために、多くの平面ディスプレイの
中で最も多く用いられているディスプレイ装置中の一つ
である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、液晶ディスプ
レイ装置は、現行技術上、次のように幾つかの問題点が
有る。
【０００６】第一、画素数が多くなるに従って、画素の
設計及びその製造工程が難しくなる。
【０００７】第二、薄膜トランジスター液晶ディスプレ
イ装置（ＴＦＴ ＬＣＤ）の場合、大画面ディスプレイ
装置を製造する工程の遂行が難しいので、画面が大きく
なる程、急激な歩留り低下を招く。
【０００８】第三、液晶を媒介体として用いるので、液
晶注入、液晶の整列、そして、二つのガラス板の間の液
晶が詰められる空間の間隔を正確に調節しなければなら
ない等の組立工程に難しいことが多い。
【０００９】第四、上記の理由に因りディスプレイの価
格が非常に高い。
【００１０】第五、ＣＲＴに比べて視野角度（ｖｉｅｗ
ａｎｇｌｅ）が小さい。
【００１１】第六、偏光板を用いなければならないた
め、光の損失が大きい。
【００１２】一方、最近開発されている機械的な光シャ
ッターにおいては、一般的に電力消耗が多く、速い動作
が難しいばかりではなく、微細光開閉器を製作すること
が困難である。
【００１３】しかし、最近半導体工程技術の発達によ
り、機械的な動作の可能な数十ミクロン大きさの微小な
アクチュエーター（ｍｉｃｒｏ ａｃｔｕａｔｏｒ）の
製作が可能になった。
【００１４】このような半導体工程技術を利用して、機
械的なシャッターの大きさを非常に小さく製造するなら
ば、微小な力をもっても速い開閉が可能にすることがで
きるのであろう。
【００１５】現在用いられている液晶ディスプレイ装置
の一つの画素の大きさは、約１００μｍ×１００μｍで
あるが、一つの画素がこの大きさ以下である場合には、
低い電圧においても運動体に作用する重力に比べて静電
気力が著しく大いに作用する。
【００１６】従って、運動体の摩擦問題のみ解決するこ
とができるならば、強い静電気力で一つの画素大きさが
１００μｍ×１００μｍ以下のシャッターの機械的な作
動を速やかにすることができる。
【００１７】これは、数十ミクロン大きさの静電モータ
ー（ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃｍｏｔｏｒ）の実現を
通じて既に明らかになった。
【００１８】本発明は、上述した液晶ディスプレイの短
所を克服するためになされたもので、半導体工程のみで
製作されたマイクロ静電アクチュエーターを利用した光
開閉器の製造方法を提供することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明では、前記目的を
達成するために、平面ディスプレイ装置の構成要素であ
るマイクロ光開閉器（光シャッター）を、マイクロミシ
ン分野において多く使用される表面マイクロミシニング
技法を用いて製作する。各光開閉器は、左右直線運動を
することができる平板形のマイクロ移動子と、この移動
子を駆動するための三つの電極（選択電極、共通電極、
信号電極）、移動子と各電極の間に形成された絶縁体
等、そして移動子の運動ガイド及び、液晶ディスプレイ
のブラックマトリックス（ｂｌａｃｋ ｍａｔｒｉｘ）
役割をするフレーム（ｆｒａｍｅ）で構成され、３相
（ｔｈｒｅｅ ｐｈａｓｅ）の駆動電極に適切な駆動信
号電圧を印加して光開閉器の移動子を望む方向へ動くよ
うにすることにより開口を開閉する方式を用いる。
【００２０】このようなマイクロシャッターは、２次元
アレイの構成が可能で従来の液晶ディスプレイと類似す
る駆動方式を用いてマイクロシャッターアレイを駆動す
ることができるようにしたので、微細画素平面ディスプ
レイの具現が可能である。
【００２１】本発明において用いた工程技法である表面
マイクロミシニングとは、多くの構造層（ｓｔｒｕｃｔ
ｕｒａｌ ｌａｙｅｒ）と犠牲層（ｓａｃｒｉｆｉｃｉ
ａｌｌａｙｅｒ）等を蒸着、エッチングして複雑な微細
構造を形成するプロセスを言う。
【００２２】ここで、犠牲層は蒸着された層等の中で運
動する部材を分離独立させるため後にエッチングにより
除去される層である。
【００２３】
【作用】本発明による光開閉装置は、半導体工程のみで
製作されたマイクロ静電アクチュエータを利用して製造
する。これにより、高い画素密度のディスプレイも歩留
まり良く容易に製造することができる。
【００２４】
【実施例】以下図面を参照して本発明を詳細に説明すれ
ば次の通りである。
【００２５】図１から図８は、本発明の一実施例により
静電アクチュエーター（ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ
ａｃｔｕａｔｏｒ）を用いる光開閉装置の製造工程を示
した断面図であり、これを参照して光開閉装置の製造方
法を説明すれば次の通りである。
【００２６】図１は信号線（ｄａｔａ ｌｉｎｅ）の透
明電極を形成する工程を示した図面である。図１で、高
温状態下にガラス基板１の上に、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ
Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）層がスパッタリング（ｓｐｕｔ
ｔｅｒｉｎｇ）方法により２０００Å程度の厚さを有し
て蒸着される。
【００２７】次いで、フォトレジストを前記ＩＴＯ層上
に塗布した後、パターン工程で信号線のための透明電極
又は信号電極２を定義する。この時、信号電極の幅は３
０μｍ程度の大きさに定義される。
【００２８】図２に、選択（ｓｅｌｅｃｔｉｏｎ）電極
と共通（ｃｏｍｍｏｎ）電極を形成する工程が例示され
ている。
【００２９】図２で、透明電極２の厚さと同一に、ガラ
ス基板１上に、電子ビーム蒸着方法でクローム層（Ｃ
ｒ）を２０００Å程度の厚さを有するように蒸着する。
次いで所定パターンのフォトレジストを前記クローム層
上に塗布した後、前記クローム層をエッチングして選択
電極３の幅と共通電極４の幅が各々３０，２０μｍにな
るように形成する。この時、電極間の間隔は、２０μｍ
程度になるようにする。
【００３０】図３では絶縁層蒸着工程を例示している。
図３で、ＬＰＣＶＤ（低圧ＣＶＤ）方法で、絶縁層５ａ
として窒化シリコンを前記基板１及び電極等２，３，４
上に５０００Å程度の厚さを有するように蒸着する。次
いで、この絶縁層５ａ上に、第２絶縁層である窒化シリ
コン層５ｂがＬＰＣＶＤ方法で５０００Åの厚さを有す
るように形成される。
【００３１】図４は下層犠牲層を蒸着する工程を示して
いる。図４で、この工程は、次いで続けられる工程で形
成されるシャッターの第１犠牲層（ｓａｃｒｉｆｉｃｉ
ａｌｌａｙｅｒ）６として用いられるアルミニウム層
（Ａｌ）を、電子ビーム蒸着方法で３μｍの厚さを有す
るように前記絶縁層５ｂ上に蒸着する。図５は、シャッ
ターの移動子である抵抗体の形成工程を例示している。
【００３２】図５に図示されたように、まず、ＬＰＣＶ
Ｄ方法で前記アルミニウム層上に窒化シリコン７を１μ
ｍ程度の厚さで蒸着した後、その上、に非晶質シリコン
８、２μｍ程度の厚さで蒸着する。
【００３３】一般的に、非晶質シリコンは、低い温度に
おいて蒸着されることができるし、可視光線に対する吸
収度が十分に大きいので、２μｍ程度の厚さだけでも光
を遮断することができる長所がある。非晶質シリコン膜
の板抵抗値は、非晶質シリコン蒸着時１０9 〜１０10Ω
／□になるようにする。
【００３４】次いで、所定パターンのフォトレジストを
塗布した後、このパターン化されたフォトレジストをマ
スクとして、ＲＩＥ（反応性イオンエチッグ）方法によ
り、前記非晶質シリコンと窒化シリコンを順次除去して
シャッター移動子７，８を形成する。
【００３５】図６は上層犠牲層を形成する工程を示して
いる。上述した工程で形成されたアルミニウム層である
第１犠牲層６と共に、シャッターの第２犠牲層９として
用いられるアルミニウム層を、電子ビーム蒸着方法で２
μｍ程度の厚さで前記基板上に蒸着する。
【００３６】所定パターンのフォトレジストを塗布し
て、シャッター移動子が動くことができるガイドとなる
フレームを定義した後、下層と上層犠牲層であるＡｌ膜
を６０℃の純粋なＨ3 ＰＯ4 溶液で腐蝕する。
【００３７】図７はフレーム形成工程を示している。図
７でＬＰＣＶＤ方法で窒化シリコン層１０を１μｍ厚さ
で蒸着した後、その上に、非晶質シリコン層１１を３μ
ｍ程度蒸着する。次いで、フォトレジストを塗布してパ
ターン化した後、このパターン化されたフォトレジスト
をマスクとして、非晶質シリコン膜１１と窒化シリコン
膜１０をＲＩＥ方法でエッチングしてフレームを形成す
る。
【００３８】本工程で形成されたフレームは、シャッタ
ー移動子の運動ガイドとなるだけでなく、既存液晶ディ
スプレイにおいてのブラックマトリックスと同様な役割
をする。
【００３９】図８は、第１及び第２犠牲層６，９をＡｌ
エッチングする工程を示している。即ち、図８に図示さ
れたように、上層の第２犠牲層９と下層の第１犠牲層６
が除去され、フレーム内でシャッター移動子が動くこと
ができるように、移動子ガイドが形成される。この時、
前記上層及び下層の犠牲層の除去に用いられる腐蝕液
は、６０℃の純粋なＨ3 ＰＯ4 溶液を使用する。
【００４０】以下、本発明によるマイクロ光開閉器を駆
動する原理に対して詳細に説明する。
【００４１】先ず、選択電極３と信号電極２に、共通電
極４の電圧に対して各々正と負の電圧が印加すると、フ
レーム１３内の任意の位置にあるシャッター移動子１２
は、抵抗体内で電荷が動いて、図９のように帯状に帯電
される。十分な時間が経過して、平衡状態に到達した
時、順次的に選択線１７−１〜１７−ｎの印加電圧極性
を変換すれば、選択電極の電荷は瞬間的に変化するが、
移動子側に帯電された電荷は抵抗の妨げに因り直ちに移
動することができないので、シャッター移動子は、図１
０のように位置する。
【００４２】この状態では、移動子１２と選択電極３の
間に反発力と共に移動子１２を右側に動かせる駆動力が
生じるので、図１１のようにシャッターの状態が閉じた
状態に替わる。
【００４３】このようなシャッターの構造において、抵
抗体である移動子に電荷が帯電されるとか弛緩されるの
にかかる時間τは、τ＝ＲＣ／２で示される。
【００４４】ここで、Ｒは抵抗体移動子の両端間の抵抗
で、Ｃは移動子と電極でなるキャパシタ（ｃａｐａｃｉ
ｔｏｒ）の容量を示す。
【００４５】図１１のようなシャッターの配置におい
て、Ｃ値はほぼ２×１０~12 Ｆの値を有する。この場
合、Ｒ＝１０9 Ωの時、τはほぼτ＝１０μｓｅｃの値
を有する。
【００４６】閉じた状態のシャッターを開けるとか、開
けた状態のシャッターを閉めようとする時には、図１２
のように、選択電極３と信号電極２に同時に正（＋）の
電圧を印加する。
【００４７】一方、図１３のように、選択電極３の信号
がＯＮ（＋）の時、信号電極２へ提供されるデータ信号
値が負（−）の値を保っているか、データ信号にかかわ
りなく選択電極３の信号がＯＦＦ（−）状態の場合に
は、シャッターの状態は、以前の状態をそのまま保つ。
即ち、選択電極の信号と信号電極のデータ信号が、同時
にＯＮ（＋）にならない場合には、何時でもシャッター
は以前状態を維持しなければならない。
【００４８】この時、シャッターの駆動を正確にするた
めには、次のような三つの条件を満たすべきである。
【００４９】条件１）駆動信号の上昇時間は抵抗体移動
子の電荷緩和時間（ｃｈａｒｇｅｒｅｌａｘａｔｉｏｎ
ｔｉｍｅ）に比べて十分に短くあるべきで、信号電極
のデータ信号と選択電極の信号がＯＮ（＋）になってい
る時間が抵抗体移動子の電荷緩和時間に比べて長くては
ならない。即ち、図１２と図１３においてのｔD がｔD
＜τの条件を満たさなければならない。
【００５０】条件２）データ信号の一周期において、デ
ータ信号をＯＦＦ（−）状態に維持させるべき時間は、
電荷緩和時間に比べて長くなければならない。即ち、図
１２と図１３においてのｔL が、ｔL ＞τの条件を満た
さなければならない。これは図１４のような、安定した
初期条件を得るためである。
【００５１】条件３）選択ライン信号の立下がり時間
（ｔF ）は、抵抗体内の電荷緩和時間程度に長くなけれ
ばならない。即ち、ｔ F ＞τの条件を満たさなければな
らない。
【００５２】具体的なシャッターの駆動方法及び駆動状
態について、駆動信号の印加状態による各時間において
のシャッター状態に対して添付された図１４から図１７
及び図１８から図２１を参照して詳細に説明する。
【００５３】図１２は、閉じた状態のシャッターを開け
るとか、開けた状態のシャッターを閉めようとする時に
印加される信号電圧の波形を示したものである。
【００５４】図１４から図１７は、シャッター移動子の
閉じた状態から開けた状態への変換を示したもので、図
１２のような印加電圧に対して各時間別シャッターの状
態を示したものである。
【００５５】図１４は、図１２のｔ＝ｔ1 時間において
のシャッター状態を示したもので、閉じた状態での初期
状態を示す。
【００５６】図１５は、図１２のｔ＝ｔ2 時間において
のシャッター状態を示したものである。信号電極２の印
加電圧極性が瞬間的に替ったが、移動子側に帯状に帯電
された電荷は移動子１２の抵抗に因り直ちに反応するこ
とができないため、シャツター移動子１２は図示された
ような状態に位置する。この状態で、移動子と電極の間
に反発力と共に、移動子を左側に動かせる駆動力が生じ
るので、図示されたようにシャッターの状態を替える運
動をすることになる。
【００５７】この場合、移動子と電極の間の反発力に因
り運動摩擦力を大幅的に減少させることができる。
【００５８】シャッターの運動は、電荷の緩和時間以内
に大部分なされなければならない。この時、静電気力に
より移動子に与えられる加速度は、重力加速度の１００
００倍以上である。
【００５９】図１６は、図１２のｔ＝ｔ3 時間において
のシャッター状態を示したものである。この時間には、
データ信号が再びＯＦＦ（−）状態になっているけれど
も、選択電極と移動子の間の引力に因り、図１６に図示
されたような状態を維持する。
【００６０】図１７は図１２のｔ＝ｔ4 時間においての
シャッター状態を示したものである。選択線の信号印加
電圧がｔ3 とｔ4 時間の間にゆっくり下がるので、移動
子１２の位置は変わらないまま電荷の再分布がなされ
て、図示されたように帯電状態から平衡状態をなす。
【００６１】図１８から図２１は、シャッター移動子の
開けた状態から閉じた状態への変換を示したもので、図
１２は同一の信号印加電圧に対して各時間別シャッター
の状態を示したものである。
【００６２】図１８は、図１２のｔ＝ｔ1 時間において
のシャッター状態を示したもので、開けた状態での初期
状態を示す。一信号周期（ＴS ）が始まる時点において
の初期状態は、何時でも図１４と図１８の状態の中の一
つでなければならない。
【００６３】図１９は、図１３のｔ＝ｔ2 時間において
のシャッター状態を示したものである。
【００６４】この時にも、図１５と同様に、電極の印加
電圧極性が瞬間的に替わったけれども移動子側に帯状に
帯電された電荷は移動子の抵抗に因り直ちに反応するこ
とができないので、シャッター移動子は図示されたよう
な状態に位置する。
【００６５】この状態で移動子１２と電極３の間に反発
力と共に、移動子１２を右側に動かす駆動力が生じるの
で、図示されたように、シャッターの状態を替える運動
をすることになる。
【００６６】図２０は、図１２のｔ＝ｔ3 時間において
のシャッター状態を示したものである。データ信号が再
びＯＦＦ（−）状態になっているけれども、選択電極３
と移動子１２の間の斥力に因り、シャッターは閉じた状
態を維持することになる。
【００６７】図２１は、図１２のｔ＝ｔ4 時間において
のシャッター状態を示したものである。選択電極３の信
号印加電圧がｔ3 とｔ4 時間の間に、ゆっくり下がるの
で、移動子１２の位置は変わらず、電荷の再分布がなさ
れて、帯電状態から平衡状態をなす。
【００６８】一方、選択電極３の信号がＯＮ（＋）状態
になった時、データ信号がＯＦＦ（−）状態であれば、
以前の状態をそのまま維持しなければならないし、選択
電極３がＯＦＦ（−）状態になっている時には、データ
信号にかかわらず以前の状態を維持しなければならな
い。
【００６９】図１３は、シャッターの状態を変化させな
いようにする時の信号印加電圧波形を示したものであ
る。図１３のような信号印加電圧に対して、各時間別シ
ャッターの状態を図２２から図２８及び図２９から図３
５を参照して詳細に説明する。
【００７０】図２２から図２８は、元来初期状態が閉じ
た状態においての各時間別状態を示したもので、図２９
から図３５は開けた状態においての各時間別状態を示し
たものである。
【００７１】図２２は、図１３のｔ＝ｔ1 時間において
の閉じた状態で、初期シャッター状態を示したものであ
る。
【００７２】図２３、は図１３のｔ＝ｔ2 時間において
のシャッター状態を示したものである。この場合、選択
電極３の信号がＯＮ状態になっているが、信号電極２の
データ信号がＯＦＦ状態を維持しているので、移動子１
２は動けられない。
【００７３】図２４は、図１３のｔ＝ｔ3 時間において
のシャッター状態を示す。この状態は図２３と同一な状
態である。
【００７４】図２５は、図１３のｔ＝ｔ4 時間において
のシャッター状態を示したものである。ｔ＝ｔ1 におい
ての初期シャッター状態と同一な状態に戻る。
【００７５】図２６は、図１３のｔ＝ｔ5 時間において
のシャッター状態を示したもので、選択電極３がＯＦＦ
（−）状態の時、データ信号がＯＮ（＋）になる場合を
示したものである。データ信号がＯＮ状態になっていて
も、選択線がＯＦＦ状態を維持しているので移動子が動
かない。
【００７６】図２７は、図１３のｔ＝ｔ6 時間において
のシャッター状態を示したものである。データ信号がＯ
Ｎされている時間ｔD が抵抗体移動子内においての電荷
緩和時間に比べて短いので、電荷の再配置が十分になさ
れていない状態でデータ信号が再びＯＦＦされたため、
図示されたように帯電された電荷量は少ないが、初期状
態に近い状態になっている。
【００７７】図２８は、図１３のｔ＝ｔ7 時間において
のシャッター状態を示したもので、ｔ＝ｔ1 、又はｔ＝
ｔ4 においての状態と全く同一な状態である。この場合
に、信号周期内でｔL がτより長いため、抵抗体内にお
いての電荷が十分に動き、帯電された状態で平衡をなし
ている。
【００７８】図２９から図３０は、図１３の信号電圧印
加波形に対して開けた状態での初期状態を維持すること
を示したものである。
【００７９】図２９は、図１３のｔ＝ｔ1 時間において
の開けた状態での初期シャッター状態を示したものであ
る。
【００８０】図３０は、図１３のｔ＝ｔ2 時間において
のシャッター状態を示したものである。選択電極３の信
号が瞬間的にＯＮ状態に変わり、移動子１２と電極１３
の間に反発力が生じるが、信号電極２と移動子１２の間
にも斥力が作用するので移動子は右側に動かない。
【００８１】図３１は、図１３のｔ＝ｔ3 時間において
のシャッター状態を示す。移動子内においての電荷がｔ
2 とｔ3 の間の時間に再分布される過程を引き起こす
が、ｔD が電荷の緩和時間より短いため、十分な電荷の
再配置がなされていない状態である。
【００８２】図３２は、図１３のｔ＝ｔ4 時間において
のシャッター状態を示したものである。ｔ＝ｔ1 におい
ての初期シャッター状態と同一な状態に戻る。
【００８３】図３３は、図１３のｔ＝ｔ5 時間において
のシャッター状態を示したもので、選択電極３がＯＦＦ
（−）状態になっている時、信号電極２のデータ信号が
ＯＮ（＋）になる場合を示したものである。この場合に
は、データ信号の変化が移動子状態の変化に何等の影響
も及ぼさない。
【００８４】図３４は、図１３のｔ＝ｔ6 時間において
のシャッター状態を示したものである。この場合にも、
データ信号に影響を及ぼさない配置であるから、初期状
態と同一な状態を示す。
【００８５】図３５は、図１３のｔ＝ｔ7 時間において
のシャッター状態を示したもので、ｔ＝ｔ1 、又はｔ＝
ｔ4 においての状態と全く同一な状態である。
【００８６】以上のような駆動方式により、表面マイク
ロミシニング技法で製作したシャッター移動子を、左右
直線運動させて、光を遮断又は通過させることができ
る。このようなマイクロ光開閉器を利用して、平面ディ
スプレイ装置を具現することができる。
【００８７】
【発明の効果】本発明によるディスプレイは、従来の半
導体工程のみで製作が可能で、現在液晶ディスプレイの
問題点である液晶を詰めるべき、二つのガラス板の間の
空間間隔の調節、液晶整列のための配向膜工程等の難し
い組立工程が不要であるため、高い画素密度のディスプ
レイも高い歩留りに製作することができる。したがっ
て、液晶のような媒介体を用いないので、画面の質が非
常に優れて、光の効率が良いのみならず、上述した駆動
方式を用いて、動的な画面も表わすことができる卓越な
効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例による平面ディスプレイ装置
のマイクロ光開閉器の製造方法を示す工程断面図。
【図２】本発明の一実施例による平面ディスプレイ装置
のマイクロ光開閉器の製造方法を示す工程断面図。
【図３】本発明の一実施例による平面ディスプレイ装置
のマイクロ光開閉器の製造方法を示す工程断面図。
【図４】本発明の一実施例による平面ディスプレイ装置
のマイクロ光開閉器の製造方法を示す工程断面図。
【図５】本発明の一実施例による平面ディスプレイ装置
のマイクロ光開閉器の製造方法を示す工程断面図。
【図６】本発明の一実施例による平面ディスプレイ装置
のマイクロ光開閉器の製造方法を示す工程断面図。
【図７】本発明の一実施例による平面ディスプレイ装置
のマイクロ光開閉器の製造方法を示す工程断面図。
【図８】本発明の一実施例による平面ディスプレイ装置
のマイクロ光開閉器の製造方法を示す工程断面図。
【図９】図８に図示された光開閉器において電極の極性
変化によるシャッターの位置変化を示す図面。
【図１０】図８に図示された光開閉器において電極の極
性変化によるシャッターの位置変化を示す図面。
【図１１】図８に図示された光開閉器において電極の極
性変化によるシャッターの位置変化を示す図面。
【図１２】図８に図示された光開閉器のシャッターの位
置を変化させるための駆動信号の波形図。
【図１３】図８に図示された光開閉器のシャッターの位
置を以前の位置そのまま保持させるための駆動信号の波
形図。
【図１４】図１２の駆動信号変化による各時間別シャッ
ターの位置変化を示したもので、閉じた状態から開けた
状態への位置変換を示した図面。
【図１５】図１２の駆動信号変化による各時間別シャッ
ターの位置変化を示したもので、閉じた状態から開けた
状態への位置変換を示した図面。
【図１６】図１２の駆動信号変化による各時間別シャッ
ターの位置変化を示したもので、閉じた状態から開けた
状態への位置変換を示した図面。
【図１７】図１２の駆動信号変化による各時間別シャッ
ターの位置変化を示したもので、閉じた状態から開けた
状態への位置変換を示した図面。
【図１８】図１２の駆動信号変化による各時間別シャッ
ターの位置変化を示したもので、開けた状態から閉じた
状態への位置変換を示した図面。
【図１９】図１２の駆動信号変化による各時間別シャッ
ターの位置変化を示したもので、開けた状態から閉じた
状態への位置変換を示した図面。
【図２０】図１２の駆動信号変化による各時間別シャッ
ターの位置変化を示したもので、開けた状態から閉じた
状態への位置変換を示した図面。
【図２１】図１２の駆動信号変化による各時間別シャッ
ターの位置変化を示したもので、開けた状態から閉じた
状態への位置変換を示した図面。
【図２２】図１３の駆動信号変化による各時間別シャッ
ターの位置変化を示したもので、閉じた状態を保持する
場合を示す図面。
【図２３】図１３の駆動信号変化による各時間別シャッ
ターの位置変化を示したもので、閉じた状態を保持する
場合を示す図面。
【図２４】図１３の駆動信号変化による各時間別シャッ
ターの位置変化を示したもので、閉じた状態を保持する
場合を示す図面。
【図２５】図１３の駆動信号変化による各時間別シャッ
ターの位置変化を示したもので、閉じた状態を保持する
場合を示す図面。
【図２６】図１３の駆動信号変化による各時間別シャッ
ターの位置変化を示したもので、閉じた状態を保持する
場合を示す図面。
【図２７】図１３の駆動信号変化による各時間別シャッ
ターの位置変化を示したもので、閉じた状態を保持する
場合を示す図面。
【図２８】図１３の駆動信号変化による各時間別シャッ
ターの位置変化を示したもので、閉じた状態を保持する
場合を示す図面。
【図２９】図１３の駆動信号変化による各時間別シャッ
ターの位置変化を示したもので、開けた状態を保持する
場合を示す図面。
【図３０】図１３の駆動信号変化による各時間別シャッ
ターの位置変化を示したもので、開けた状態を保持する
場合を示す図面。
【図３１】図１３の駆動信号変化による各時間別シャッ
ターの位置変化を示したもので、開けた状態を保持する
場合を示す図面。
【図３２】図１３の駆動信号変化による各時間別シャッ
ターの位置変化を示したもので、開けた状態を保持する
場合を示す図面。
【図３３】図１３の駆動信号変化による各時間別シャッ
ターの位置変化を示したもので、開けた状態を保持する
場合を示す図面。
【図３４】図１３の駆動信号変化による各時間別シャッ
ターの位置変化を示したもので、開けた状態を保持する
場合を示す図面。
【図３５】図１３の駆動信号変化による各時間別シャッ
ターの位置変化を示したもので、開けた状態を保持する
場合を示す図面。
【符号の説明】
１ ガラス基板 ２ 透明電極（信号電極） ３ 選択電極 ４ 共通電極 ５ａ，５ｂ 絶縁層 ６ 第１犠牲層 ７，１０ 窒化シリコン ８，１１ 非晶質シリコン ９ 第２犠牲層 １２ 移動子 １３ フレーム

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】各画素に対応し、かつ、画像を表示するた
    め、静電力によって光ビームを透過したり、遮断したり
    する光開閉器であって、 基板上に形成され、かつ、各々ビアホールを介してデー
    タ線と接続されるデータ電極と、 基板上に形成され、かつ、選択線と接続される選択電極
    と、 選択電極およびデータ電極の間に形成される共通電極
    と、 抵抗体として機能し、かつ、直線移動可能な移動子と、 前記移動子と各電極とを絶縁する絶縁層と、 前記移動子を案内するフレームとを有し、 前記三つの電極に対する駆動信号電圧の与え方を変える
    ことにより、移動子を目的の方向に駆動させて、開閉を
    行なう光開閉器。
  2. 【請求項２】基板（１）を準備する工程と、 前記基板（１）上に、所定パターンを有する信号電極で
    ある透明電極と選択電極及び共通電極を互いに平行に形
    成する電極形成工程と、 電極等が形成された基板上に、絶縁層（５ａ，５ｂ）を
    形成する工程と、 前記絶縁層上に、第１犠牲層（６）を形成する工程と、 前記第１犠牲層（６）上に、所定パターンの移動子層を
    形成する工程と、 前記移動子層が形成された基板上に、所定パターンの第
    ２犠牲層を形成して、前記積層された第１及び第２犠牲
    層の一部分を除去して、フレーム接触部分を形成する工
    程と、 前記フレーム接触部分と、前記第２犠牲層の一部分の上
    に、所定パターンを有するフレーム層を形成する工程
    と、 前記第１及び第２犠牲層等を除去する工程とを含む光開
    閉装置の製造方法。
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