JPH06202085A - 光散乱形液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
光散乱形液晶表示装置の製造方法Info
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- JPH06202085A JPH06202085A JP5296640A JP29664093A JPH06202085A JP H06202085 A JPH06202085 A JP H06202085A JP 5296640 A JP5296640 A JP 5296640A JP 29664093 A JP29664093 A JP 29664093A JP H06202085 A JPH06202085 A JP H06202085A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 多層の光散乱形の液晶表示装置の製造方法に
関する。 【構成】 対向した両電極の間に形成され絶縁層に分割
された多層の液晶より構成された電界効果形の液晶層及
び前記多層液晶層の間に前記複数の絶縁層の位置を固定
させる支柱を具備する液晶表示素子を製造する方法にお
いて、基板上の第１電極を形成する段階に次いで、前記
液晶の充填される空洞部を形成するために感光性物質を
支柱と空洞部の確保のための媒介層の素材に適用し、前
記絶縁層と前記感光性媒介層を交互に積層し、前記積層
を所定のパターンに部分露光し積層中の露光された感光
性膜と未露光の感光性膜の蝕刻選択性を持つようにす
る。 【効果】 これにより、支柱形成工程が簡潔になり、そ
の構造の完成度がより向上された光散乱形の液晶表示装
置の製造方法を提供する。
関する。 【構成】 対向した両電極の間に形成され絶縁層に分割
された多層の液晶より構成された電界効果形の液晶層及
び前記多層液晶層の間に前記複数の絶縁層の位置を固定
させる支柱を具備する液晶表示素子を製造する方法にお
いて、基板上の第１電極を形成する段階に次いで、前記
液晶の充填される空洞部を形成するために感光性物質を
支柱と空洞部の確保のための媒介層の素材に適用し、前
記絶縁層と前記感光性媒介層を交互に積層し、前記積層
を所定のパターンに部分露光し積層中の露光された感光
性膜と未露光の感光性膜の蝕刻選択性を持つようにす
る。 【効果】 これにより、支柱形成工程が簡潔になり、そ
の構造の完成度がより向上された光散乱形の液晶表示装
置の製造方法を提供する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置の製造方法
に係り、詳細には多数の液晶層を有する多層液晶表示素
子の製造方法に関する。
に係り、詳細には多数の液晶層を有する多層液晶表示素
子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は駆動電圧が低くて消費電
力が少ないという特徴のために目覚ましい発展と共に適
用範囲の拡大も広範囲に成されている。現在実用化され
ている液晶表示装置で、単純Ｘ−Ｙマトリックスあるい
はＴＦＴ（THIN FILM TRANSISTOR ：薄膜トランジス
タ）を利用したアクチブマトリックスタイプの液晶表示
装置はＴＮ（TWISTED NEMATIC ：ねじれネマティック）
形、ＳＴＮ（SUPER TWISTED NEMATIC ：超ねじれネマテ
ィック）形であるため、光制御のための偏光板を要す
る。しかしながら、液晶表示装置で偏光板は偏光を制御
しながら少なくとも５０％以上の光を遮光するので光利
用効率を落とし、これにより所望の明るさの画像を得る
ためには相当な明るさの背景光源が要求される。
力が少ないという特徴のために目覚ましい発展と共に適
用範囲の拡大も広範囲に成されている。現在実用化され
ている液晶表示装置で、単純Ｘ−Ｙマトリックスあるい
はＴＦＴ（THIN FILM TRANSISTOR ：薄膜トランジス
タ）を利用したアクチブマトリックスタイプの液晶表示
装置はＴＮ（TWISTED NEMATIC ：ねじれネマティック）
形、ＳＴＮ（SUPER TWISTED NEMATIC ：超ねじれネマテ
ィック）形であるため、光制御のための偏光板を要す
る。しかしながら、液晶表示装置で偏光板は偏光を制御
しながら少なくとも５０％以上の光を遮光するので光利
用効率を落とし、これにより所望の明るさの画像を得る
ためには相当な明るさの背景光源が要求される。
【０００３】この場合、即ち電源として乾電池や蓄電池
を用いるラップトップ形のワードプロセッサーやコンピ
ューター等の場合、光源の消耗電力過多により長時間使
用できなくなる問題が発生する。
を用いるラップトップ形のワードプロセッサーやコンピ
ューター等の場合、光源の消耗電力過多により長時間使
用できなくなる問題が発生する。
【０００４】又、前記ＴＮ及びＳＴＮ液晶表示装置を含
む一般的な液晶表示装置は液晶が２枚のガラス板の間に
充填されているので均一な画像形成のために光制御領域
であるセルギャップの厳格な調整が必要である。しかし
ながら、現在ガラス基板の製造加工技術の限界により超
大型化が困難である。
む一般的な液晶表示装置は液晶が２枚のガラス板の間に
充填されているので均一な画像形成のために光制御領域
であるセルギャップの厳格な調整が必要である。しかし
ながら、現在ガラス基板の製造加工技術の限界により超
大型化が困難である。
【０００５】このような問題を考える時セルギャップ調
整に対する負担を減らすためにガラス基板枚数の１枚化
と、光利用率増大のための偏光板不使用化が望まれる。
整に対する負担を減らすためにガラス基板枚数の１枚化
と、光利用率増大のための偏光板不使用化が望まれる。
【０００６】無論従来にも偏光板を使用しない液晶表示
装置があったが、それは例えば相転移効果を利用したＣ
ＮＴ（Cholesteric Nematic Transition：コレステリッ
ク・ネマティック・遷移）であり、又一つは液晶表示装
置の開発初期当時のＤＳＭ（動的散乱効果形）である。
前記ＤＳＭ液晶表示装置は応答速度が遅く又その厚さが
他の液晶表示装置に比べ厚いので現在としては使用範囲
が至極狭い。
装置があったが、それは例えば相転移効果を利用したＣ
ＮＴ（Cholesteric Nematic Transition：コレステリッ
ク・ネマティック・遷移）であり、又一つは液晶表示装
置の開発初期当時のＤＳＭ（動的散乱効果形）である。
前記ＤＳＭ液晶表示装置は応答速度が遅く又その厚さが
他の液晶表示装置に比べ厚いので現在としては使用範囲
が至極狭い。
【０００７】又、光効率を高めるために偏光板を用いな
い液晶表示装置としてはＰＤＬＣＤ（POLYMER DISPERSE
D LIQUID CRYSTAL DISPLAY：ポリマー分散形・液晶表示
装置）がある。しかしながら、ＰＤＬＣＤはその体積の
５０％以上が光透過性の高分子材料であって、コントラ
ストを明瞭にするためには散乱が効果的に成されるべき
であるが、これのためには厚さが少なくとも２０μｍ位
でなければならない構造的制限がある。
い液晶表示装置としてはＰＤＬＣＤ（POLYMER DISPERSE
D LIQUID CRYSTAL DISPLAY：ポリマー分散形・液晶表示
装置）がある。しかしながら、ＰＤＬＣＤはその体積の
５０％以上が光透過性の高分子材料であって、コントラ
ストを明瞭にするためには散乱が効果的に成されるべき
であるが、これのためには厚さが少なくとも２０μｍ位
でなければならない構造的制限がある。
【０００８】このような従来の液晶表示装置の諸問題が
相当改善された新たな構造の電界効果形の液晶を適用し
た液晶表示装置が、日本の山村信幸により開発され、日
本国特許庁に特願平４−１１６１４６号として、１９９
２年５月８日付けで出願された。
相当改善された新たな構造の電界効果形の液晶を適用し
た液晶表示装置が、日本の山村信幸により開発され、日
本国特許庁に特願平４−１１６１４６号として、１９９
２年５月８日付けで出願された。
【０００９】この液晶表示素子は速い駆動速度と高い光
利用効率を持つものであり、対向電極の間に備えられた
液晶層が多数の絶縁層により隔離され多層化された構造
を有しているが、これは偏光板を用いず、ガラス基板は
一つのみ適用する構造を有する。
利用効率を持つものであり、対向電極の間に備えられた
液晶層が多数の絶縁層により隔離され多層化された構造
を有しているが、これは偏光板を用いず、ガラス基板は
一つのみ適用する構造を有する。
【００１０】山村信幸により先に提案された光散乱形の
液晶表示装置の製造方法は次の通りである。
液晶表示装置の製造方法は次の通りである。
【００１１】図１は山村信幸により提案された光散乱形
の液晶表示装置の概略的な斜視図であり、図２は図１の
平面図である。
の液晶表示装置の概略的な斜視図であり、図２は図１の
平面図である。
【００１２】図１と図２を参照すれば前記液晶表示装置
は、対向した二つの第１、第２電極２、８の間に電界効
果形の多層の液晶層１１が備えられ、この液晶層１１は
それらの間に位置したスペーサとしての支柱１３により
支持され、前記液晶層１１を複数層に分離する絶縁層３
が備えられ、そして液晶注入のための多数の液晶注入孔
１０が備えられている。
は、対向した二つの第１、第２電極２、８の間に電界効
果形の多層の液晶層１１が備えられ、この液晶層１１は
それらの間に位置したスペーサとしての支柱１３により
支持され、前記液晶層１１を複数層に分離する絶縁層３
が備えられ、そして液晶注入のための多数の液晶注入孔
１０が備えられている。
【００１３】前記各液晶層１１の厚さは３μｍ以下、前
記絶縁層３の厚さは５μｍ以下で構成されている。そし
て、前記絶縁層３の素材に光透過性の樹脂であるエポキ
シ樹脂又はアクリル樹脂が適用され、場合によって金属
酸化物、特にアルミニウム酸化物が使用される。
記絶縁層３の厚さは５μｍ以下で構成されている。そし
て、前記絶縁層３の素材に光透過性の樹脂であるエポキ
シ樹脂又はアクリル樹脂が適用され、場合によって金属
酸化物、特にアルミニウム酸化物が使用される。
【００１４】以下従来の液晶表示素子の製造方法を図３
Ａ、３Ｂ乃至図９Ａ、９Ｂを参照しながら説明する。各
図面でＡ図面は図２のＡ−Ａ′線断面図であり、Ｂ図面
はＢ−Ｂ′線断面図である。
Ａ、３Ｂ乃至図９Ａ、９Ｂを参照しながら説明する。各
図面でＡ図面は図２のＡ−Ａ′線断面図であり、Ｂ図面
はＢ−Ｂ′線断面図である。
【００１５】１．プラスチック又はグラス基板１上に導
電性材料であるＩＴＯ（INDIUM TINOXIDE：インジウム
・スズ酸化物）を蒸着した後、写真蝕刻工程を利用して
所定のパターンの第１電極２を形成する（図３Ａ、３
Ｂ）。
電性材料であるＩＴＯ（INDIUM TINOXIDE：インジウム
・スズ酸化物）を蒸着した後、写真蝕刻工程を利用して
所定のパターンの第１電極２を形成する（図３Ａ、３
Ｂ）。
【００１６】２．第１電極２の形成された前記基板１の
全面に光透過性樹脂（例えば、エポキシ樹脂又はアクリ
ル樹脂）による絶縁層３とＰＶＡ（POLYVINYL ALCOHOL
：ポリビニルアルコール）等よりなる溶解層４をそれ
ぞれスピン塗布法、ロール塗布法等を通じて繰り返して
積層する（図４Ａ、４Ｂ）。
全面に光透過性樹脂（例えば、エポキシ樹脂又はアクリ
ル樹脂）による絶縁層３とＰＶＡ（POLYVINYL ALCOHOL
：ポリビニルアルコール）等よりなる溶解層４をそれ
ぞれスピン塗布法、ロール塗布法等を通じて繰り返して
積層する（図４Ａ、４Ｂ）。
【００１７】３．前記積層構造の最上部の表面に後述さ
れる支柱を形成するために第２次写真蝕刻工程を利用す
る。即ち、感光性樹脂であるフォトレジスト５を塗布し
所定の支柱用の孔６をパタニングした後、フォトレジス
ト５で覆われていない部分を蝕刻し支柱用の孔６を形成
する（図５Ａ、５Ｂ）。
れる支柱を形成するために第２次写真蝕刻工程を利用す
る。即ち、感光性樹脂であるフォトレジスト５を塗布し
所定の支柱用の孔６をパタニングした後、フォトレジス
ト５で覆われていない部分を蝕刻し支柱用の孔６を形成
する（図５Ａ、５Ｂ）。
【００１８】４．前記フォトレジスト５を取り除き、前
記支柱用の孔６を前記光透過性の絶縁性樹脂で充填する
と同時に全面に塗布し支柱１３及び表面の絶縁層７を形
成する（図６Ａ、６Ｂ）。
記支柱用の孔６を前記光透過性の絶縁性樹脂で充填する
と同時に全面に塗布し支柱１３及び表面の絶縁層７を形
成する（図６Ａ、６Ｂ）。
【００１９】５．前記絶縁層７上にＩＴＯを蒸着した
後、写真蝕刻工程を利用し第２電極８を前記第１電極２
と直交されるように支柱１３の上部に形成する（図７
Ａ、７Ｂ）。
後、写真蝕刻工程を利用し第２電極８を前記第１電極２
と直交されるように支柱１３の上部に形成する（図７
Ａ、７Ｂ）。
【００２０】６．前記多層構造の上部表面にフォトレジ
ストを塗布し写真蝕刻工程を利用し、液晶の注入孔１０
を前記第１電極２に達するように形成する。以後、この
注入孔１０の中に水、アセトンあるいはアルコールを注
入しこれにより前記溶解層４であるＰＶＡ層を溶かして
取り除かせる。その結果、液晶注入孔１０と溶解層４よ
りなる部分が空いた空間９となり、各絶縁層３は支柱１
３で空いた空間９を保ちながら支持されている（図８
Ａ、８Ｂ）。
ストを塗布し写真蝕刻工程を利用し、液晶の注入孔１０
を前記第１電極２に達するように形成する。以後、この
注入孔１０の中に水、アセトンあるいはアルコールを注
入しこれにより前記溶解層４であるＰＶＡ層を溶かして
取り除かせる。その結果、液晶注入孔１０と溶解層４よ
りなる部分が空いた空間９となり、各絶縁層３は支柱１
３で空いた空間９を保ちながら支持されている（図８
Ａ、８Ｂ）。
【００２１】７．このように半加工された液晶表示装置
を乾燥させた後真空中で液晶を全面塗布し、大気中に曝
露すれば液晶は液晶注入孔１０に沿い真空状態の空間９
の中に染み込んで充填しながら液晶層１１を形成する。
液晶の充填が終了すれば液晶を密封するために積層構造
の全面に前記光透過性の絶縁性樹脂を塗布し保護膜層１
２を形成することにより目的の製品を得る（図９Ａ、９
Ｂ）。
を乾燥させた後真空中で液晶を全面塗布し、大気中に曝
露すれば液晶は液晶注入孔１０に沿い真空状態の空間９
の中に染み込んで充填しながら液晶層１１を形成する。
液晶の充填が終了すれば液晶を密封するために積層構造
の全面に前記光透過性の絶縁性樹脂を塗布し保護膜層１
２を形成することにより目的の製品を得る（図９Ａ、９
Ｂ）。
【００２２】しかしながら、このような先に提案された
製造方法では、前記支柱を形成するために第２次写真蝕
刻工程で乾式又は湿式蝕刻を施すようになり、ここで光
透過性の絶縁性樹脂を塗布し支柱用の孔に充填させる。
製造方法では、前記支柱を形成するために第２次写真蝕
刻工程で乾式又は湿式蝕刻を施すようになり、ここで光
透過性の絶縁性樹脂を塗布し支柱用の孔に充填させる。
【００２３】この際充填の終了された後の支柱用の孔部
分はこの孔により他の部分に比べ凹んで段差が形成さ
れ、これは第２次ＩＴＯ蒸着の際ステップカバレージ
（種々の薄膜が覆われる時平らな部分に対し傾斜した段
差部分の覆われた程度の比）の低下問題を誘発させる。
分はこの孔により他の部分に比べ凹んで段差が形成さ
れ、これは第２次ＩＴＯ蒸着の際ステップカバレージ
（種々の薄膜が覆われる時平らな部分に対し傾斜した段
差部分の覆われた程度の比）の低下問題を誘発させる。
【００２４】ステップカバレージ低下により、ＩＴＯ電
極である第２電極形成の後、液晶注入孔を形成し溶解層
を蝕刻する過程で、長時間の間湿式蝕刻を施すが、この
際前記支柱用の孔部分に形成された第２電極の浮き上が
り、あるいは剥離のようなリフティング現象が甚だしく
起こる。
極である第２電極形成の後、液晶注入孔を形成し溶解層
を蝕刻する過程で、長時間の間湿式蝕刻を施すが、この
際前記支柱用の孔部分に形成された第２電極の浮き上が
り、あるいは剥離のようなリフティング現象が甚だしく
起こる。
【００２５】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決すべき課
題は前記支柱形成の工程を簡潔にし、支柱用の孔部分の
平坦度を改善し、その構造の完成度がより向上された光
散乱形の液晶表示素子の製造方法を提供することであ
る。
題は前記支柱形成の工程を簡潔にし、支柱用の孔部分の
平坦度を改善し、その構造の完成度がより向上された光
散乱形の液晶表示素子の製造方法を提供することであ
る。
【００２６】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明の製造方法は、対向した両電極の間に形成され
絶縁層で分割された多層の液晶より構成された電界効果
形の液晶層及び前記多層液晶層の間で前記複数の絶縁層
の位置を固定させる支柱手段を具備する液晶表示装置の
製造方法において、（ａ）電気絶縁性を有する光透過性
の素材を基板上に塗布し絶縁層を形成する段階と、
（ｂ）前記光透過性の絶縁層上に感光性物質を所定の厚
さに塗布し媒介層を形成する段階と、（ｃ）前記段階
（ａ）、（ｂ）を所定回繰り返し所定の厚さの多重積層
を形成する段階と、（ｄ）前記（ａ）段階から（ｃ）段
階を通じて得られた前記電気絶縁層の間の媒介層を所定
のパターンに露光し溶剤により溶解され得る溶解領域と
溶解されない支柱領域を備える段階と、（ｅ）前記段階
（ａ）乃至（ｃ）から得た積層に液晶注入のための液晶
注入孔を所定の深さで形成する段階と、（ｆ）前記媒介
層に前記液晶注入孔を通じて蝕刻剤を加え、媒介層の中
露光された感光性物質の溶解層を取り除き、液晶充填の
ための多層の空洞部と未露光の感光性物質の支柱を備え
る段階を含む。
に本発明の製造方法は、対向した両電極の間に形成され
絶縁層で分割された多層の液晶より構成された電界効果
形の液晶層及び前記多層液晶層の間で前記複数の絶縁層
の位置を固定させる支柱手段を具備する液晶表示装置の
製造方法において、（ａ）電気絶縁性を有する光透過性
の素材を基板上に塗布し絶縁層を形成する段階と、
（ｂ）前記光透過性の絶縁層上に感光性物質を所定の厚
さに塗布し媒介層を形成する段階と、（ｃ）前記段階
（ａ）、（ｂ）を所定回繰り返し所定の厚さの多重積層
を形成する段階と、（ｄ）前記（ａ）段階から（ｃ）段
階を通じて得られた前記電気絶縁層の間の媒介層を所定
のパターンに露光し溶剤により溶解され得る溶解領域と
溶解されない支柱領域を備える段階と、（ｅ）前記段階
（ａ）乃至（ｃ）から得た積層に液晶注入のための液晶
注入孔を所定の深さで形成する段階と、（ｆ）前記媒介
層に前記液晶注入孔を通じて蝕刻剤を加え、媒介層の中
露光された感光性物質の溶解層を取り除き、液晶充填の
ための多層の空洞部と未露光の感光性物質の支柱を備え
る段階を含む。
【００２７】又、本発明の一つの類型の製造方法は、
（ａ）電気絶縁性を有するガラス基板上に導電材料によ
り所定のパターンの第１電極群を形成する段階と、
（ｂ）電気絶縁性を有する光透過性の素材を前記第１電
極群の形成された基板上に積層し絶縁層を形成する段階
と、（ｃ）前記光透過性の絶縁層の表面に感光性物質を
所定の厚さ積層し媒介層を形成する段階と、（ｄ）前記
段階（ｂ）、（ｃ）を所定回繰り返し所定の厚さの多重
積層構造を形成する段階と、（ｅ）前記段階（ｂ）から
（ｄ）を通じて得られた前記電気絶縁層の間の媒介層を
所定のパターンに露光し溶剤により溶解され得る溶解領
域と溶解されない支柱領域を備える段階と、（ｆ）前記
段階（ａ）−（ｅ）を通じて得られた多層積層構造の上
に光透過性の第２電極を所定のパターンに形成する段階
と、（ｇ）前記段階（ｂ）乃至（ｄ）から得た積層に液
晶注入のための液晶注入孔を所定の深さで形成する段階
と、（ｈ）前記媒介層に前記液晶注入孔を通じて蝕刻剤
を加え、媒介層の中露光された感光性物質の溶解層を取
り除き液晶充填のための多層の空洞部と未露光の感光性
物質の支柱を備える段階と、（ｉ）前記空洞部に前記液
晶注入孔を通じて液晶を充填し、前記液晶注入孔を密封
すると同時に前記積層構造の表面に光透過性の絶縁性保
護層膜を形成する段階を含む。
（ａ）電気絶縁性を有するガラス基板上に導電材料によ
り所定のパターンの第１電極群を形成する段階と、
（ｂ）電気絶縁性を有する光透過性の素材を前記第１電
極群の形成された基板上に積層し絶縁層を形成する段階
と、（ｃ）前記光透過性の絶縁層の表面に感光性物質を
所定の厚さ積層し媒介層を形成する段階と、（ｄ）前記
段階（ｂ）、（ｃ）を所定回繰り返し所定の厚さの多重
積層構造を形成する段階と、（ｅ）前記段階（ｂ）から
（ｄ）を通じて得られた前記電気絶縁層の間の媒介層を
所定のパターンに露光し溶剤により溶解され得る溶解領
域と溶解されない支柱領域を備える段階と、（ｆ）前記
段階（ａ）−（ｅ）を通じて得られた多層積層構造の上
に光透過性の第２電極を所定のパターンに形成する段階
と、（ｇ）前記段階（ｂ）乃至（ｄ）から得た積層に液
晶注入のための液晶注入孔を所定の深さで形成する段階
と、（ｈ）前記媒介層に前記液晶注入孔を通じて蝕刻剤
を加え、媒介層の中露光された感光性物質の溶解層を取
り除き液晶充填のための多層の空洞部と未露光の感光性
物質の支柱を備える段階と、（ｉ）前記空洞部に前記液
晶注入孔を通じて液晶を充填し、前記液晶注入孔を密封
すると同時に前記積層構造の表面に光透過性の絶縁性保
護層膜を形成する段階を含む。
【００２８】又、本発明の他の類型の製造方法は、
（ａ）電気絶縁層を有するガラス基板上に導電材料によ
り所定のパターンの第１電極群を形成する段階と、
（ｂ）電気絶縁性を有する光透過性の素材を前記第１電
極群の形成された基板上に積層して絶縁層を形成する段
階と、（ｃ）前記光透過性の絶縁層の表面に感光性物質
を所定の厚さで積層し媒介層を形成する段階と、（ｄ）
前記段階（ｂ）、（ｃ）を所定回繰り返し所定の厚さの
多重積層を形成する段階と、（ｅ）前記段階（ｂ）から
（ｄ）を通じて得られた前記電気絶縁層の間の媒介層を
所定のパターンに露光し溶剤により溶解され得る溶解領
域と溶解されない支柱領域を備える段階と、（ｆ）前記
段階（ｂ）乃至（ｄ）から得た積層に液晶注入のための
液晶注入孔を所定の深さで形成する段階と、（ｇ）前記
媒介層に前記液晶注入孔を通じて蝕刻剤を加え、媒介層
の中露光された感光性物質の溶解層を取り除き液晶充填
のための多層の空洞部と未露光の感光性物質の支柱を備
える段階と、（ｈ）前記空洞部に前記液晶注入孔を通じ
て液晶を充填し、前記液晶注入孔を密封する段階と、
（ｉ）前記段階（ａ）−（ｈ）を通じて得られた積層上
に光透過性の第２電極を所定のパターンに形成する段階
と、（ｊ）前記積層構造の表面に光透過性の電極保護膜
を形成する段階を含む。
（ａ）電気絶縁層を有するガラス基板上に導電材料によ
り所定のパターンの第１電極群を形成する段階と、
（ｂ）電気絶縁性を有する光透過性の素材を前記第１電
極群の形成された基板上に積層して絶縁層を形成する段
階と、（ｃ）前記光透過性の絶縁層の表面に感光性物質
を所定の厚さで積層し媒介層を形成する段階と、（ｄ）
前記段階（ｂ）、（ｃ）を所定回繰り返し所定の厚さの
多重積層を形成する段階と、（ｅ）前記段階（ｂ）から
（ｄ）を通じて得られた前記電気絶縁層の間の媒介層を
所定のパターンに露光し溶剤により溶解され得る溶解領
域と溶解されない支柱領域を備える段階と、（ｆ）前記
段階（ｂ）乃至（ｄ）から得た積層に液晶注入のための
液晶注入孔を所定の深さで形成する段階と、（ｇ）前記
媒介層に前記液晶注入孔を通じて蝕刻剤を加え、媒介層
の中露光された感光性物質の溶解層を取り除き液晶充填
のための多層の空洞部と未露光の感光性物質の支柱を備
える段階と、（ｈ）前記空洞部に前記液晶注入孔を通じ
て液晶を充填し、前記液晶注入孔を密封する段階と、
（ｉ）前記段階（ａ）−（ｈ）を通じて得られた積層上
に光透過性の第２電極を所定のパターンに形成する段階
と、（ｊ）前記積層構造の表面に光透過性の電極保護膜
を形成する段階を含む。
【００２９】
【作用】前記支柱の形成が蝕刻を利用せず部分露光のみ
で成されるので、支柱形成用の孔が形成されず、絶縁層
形成後に、前記絶縁層に対し改善された平坦度が得られ
る。
で成されるので、支柱形成用の孔が形成されず、絶縁層
形成後に、前記絶縁層に対し改善された平坦度が得られ
る。
【００３０】
【実施例】以下、添付した図面に基づき本発明を詳細に
説明する。
説明する。
【００３１】本発明により製造される液晶表示装置は背
景技術で述べられたように図１と図２に示した構造を有
する。以下の説明で参照される図１０Ａ、１１Ａ、１２
Ａ、１３Ａ、１４Ａ、そして１５Ａは図２のＡ−Ａ′線
断面図であり、そして図１０Ｂ、１１Ｂ、１２Ｂ、１３
Ｂ、１４Ｂ、そして１５Ｂは図２のＢ−Ｂ′線断面図で
ある。
景技術で述べられたように図１と図２に示した構造を有
する。以下の説明で参照される図１０Ａ、１１Ａ、１２
Ａ、１３Ａ、１４Ａ、そして１５Ａは図２のＡ−Ａ′線
断面図であり、そして図１０Ｂ、１１Ｂ、１２Ｂ、１３
Ｂ、１４Ｂ、そして１５Ｂは図２のＢ−Ｂ′線断面図で
ある。
【００３２】本発明による製造方法の実施例は次に詳細
に述べられる。なお実施例１と実施例２の相違点は透光
絶縁性樹脂の材質の差だけであるが、実施例１の場合は
露光前耐熱性のあるフォトレジストを必要とする。
に述べられる。なお実施例１と実施例２の相違点は透光
絶縁性樹脂の材質の差だけであるが、実施例１の場合は
露光前耐熱性のあるフォトレジストを必要とする。
【００３３】＜実施例１＞ １．ガラス基板２１上に導電性材料である第１次ＩＴＯ
をスパッター装置で蒸着した後、第１次写真蝕刻段階を
利用し所定のパターン、例えば多数の並んだストライプ
上の第１電極２２を形成する（図１０Ａ、１０Ｂ）。
をスパッター装置で蒸着した後、第１次写真蝕刻段階を
利用し所定のパターン、例えば多数の並んだストライプ
上の第１電極２２を形成する（図１０Ａ、１０Ｂ）。
【００３４】２．第１電極２２の形成された前記基板２
１の上面に光透過性の樹脂であるアクリル樹脂（又はＰ
Ｉ(POLYIMIDE：ポリイミド) ）を３，０００〜４，００
０Åの厚さでスピンコーティング法により塗布した後、
ベーキングを実施し結果物の全面に絶縁層２３を形成し
た（図１１Ａ、図１１Ｂ） ３．前記絶縁層２３の表面に、感光性樹脂例えば、ポジ
ティブフォトレジストを４，０００〜１０，０００Åの
厚さでスピン塗布した後ベーキングを施し結果物の全面
に媒介層２４を全面形成する（図１１Ａ、１１Ｂ）。
１の上面に光透過性の樹脂であるアクリル樹脂（又はＰ
Ｉ(POLYIMIDE：ポリイミド) ）を３，０００〜４，００
０Åの厚さでスピンコーティング法により塗布した後、
ベーキングを実施し結果物の全面に絶縁層２３を形成し
た（図１１Ａ、図１１Ｂ） ３．前記絶縁層２３の表面に、感光性樹脂例えば、ポジ
ティブフォトレジストを４，０００〜１０，０００Åの
厚さでスピン塗布した後ベーキングを施し結果物の全面
に媒介層２４を全面形成する（図１１Ａ、１１Ｂ）。
【００３５】４．前記２と３の段階を所定の回数繰り返
して実施し、後続く段階から得られる支柱及び液晶充填
空洞部のための媒介層２４と絶縁層２３よりなる多重の
積層構造物を形成する（図１１Ａ、１１Ｂ）。
して実施し、後続く段階から得られる支柱及び液晶充填
空洞部のための媒介層２４と絶縁層２３よりなる多重の
積層構造物を形成する（図１１Ａ、１１Ｂ）。
【００３６】５．前記段階２から４で形成された積層構
造物にフォトマスク２５を利用し光を照射し支柱形成の
ための領域２６′を除いた全部分を露光させる。このよ
うな過程を通じて前記媒介層２４に感光された液晶領域
２６と感光されない支柱領域２７を備える（図１２Ａ、
１２Ｂ）。
造物にフォトマスク２５を利用し光を照射し支柱形成の
ための領域２６′を除いた全部分を露光させる。このよ
うな過程を通じて前記媒介層２４に感光された液晶領域
２６と感光されない支柱領域２７を備える（図１２Ａ、
１２Ｂ）。
【００３７】６．前記最上位絶縁層２３の表面にスパッ
ター装置で第２次ＩＴＯを蒸着した後、第２次写真蝕刻
段階を利用し前記第１電極２２に対応する第２電極２８
を所定のパターンに、即ち第１電極２２に直交される多
数の並んだストライプ形に支柱２６の上部に形成する
（図１３Ａ、１３Ｂ）。
ター装置で第２次ＩＴＯを蒸着した後、第２次写真蝕刻
段階を利用し前記第１電極２２に対応する第２電極２８
を所定のパターンに、即ち第１電極２２に直交される多
数の並んだストライプ形に支柱２６の上部に形成する
（図１３Ａ、１３Ｂ）。
【００３８】７．前記段階２から６を通じて得た前記積
層にフォトレジストを塗布し第３次写真蝕刻段階を利用
し、液晶注入のための井戸形の液晶注入孔２９をＣ
Ｆ4 、Ｏ2ガスを用いたＲＩＥ（REACTIVE ION ETCHIN
G：反応イオン蝕刻）乾式蝕刻で前記第１電極２２に達
するように形成する（図１３Ａ、１３Ｂ）。
層にフォトレジストを塗布し第３次写真蝕刻段階を利用
し、液晶注入のための井戸形の液晶注入孔２９をＣ
Ｆ4 、Ｏ2ガスを用いたＲＩＥ（REACTIVE ION ETCHIN
G：反応イオン蝕刻）乾式蝕刻で前記第１電極２２に達
するように形成する（図１３Ａ、１３Ｂ）。
【００３９】８．前記液晶注入孔２９の中に蝕刻剤とし
て現像液を注入し光に感光された液晶領域２７を溶かし
て取り除かせる。その結果、液晶注入孔２９と溶解領域
２７が空いた空洞部３０となり、各絶縁層２３と光に感
光されないフォトレジスト層が支柱２６として残留する
（図１４Ａ、１４Ｂ）。
て現像液を注入し光に感光された液晶領域２７を溶かし
て取り除かせる。その結果、液晶注入孔２９と溶解領域
２７が空いた空洞部３０となり、各絶縁層２３と光に感
光されないフォトレジスト層が支柱２６として残留する
（図１４Ａ、１４Ｂ）。
【００４０】９．前記段階を通じて加工された未完の液
晶表示装置を真空室の内で長時間放置した後前記液晶注
入孔２９の上部に適正量の液晶を塗布し真空室の圧力を
徐々に大気圧に上昇させる。そうすれば、液晶は前記絶
縁層２３と光に感光されない層、即ち支柱２６により区
画されている空洞部３０に充填されて液晶層３１を形成
する（図１５Ａ、１５Ｂ）。
晶表示装置を真空室の内で長時間放置した後前記液晶注
入孔２９の上部に適正量の液晶を塗布し真空室の圧力を
徐々に大気圧に上昇させる。そうすれば、液晶は前記絶
縁層２３と光に感光されない層、即ち支柱２６により区
画されている空洞部３０に充填されて液晶層３１を形成
する（図１５Ａ、１５Ｂ）。
【００４１】１０．液晶の注入が完了すれば光透過性の
絶縁性アクリル樹脂で前記液晶注入孔２９を密封すると
同時に、引き続き第２電極２８を塗布し保護膜３２を形
成する。又、図面に示していないパッド部分を形成し駆
動集積素子と連結させるようにする（図１５Ａ、１５
Ｂ）。
絶縁性アクリル樹脂で前記液晶注入孔２９を密封すると
同時に、引き続き第２電極２８を塗布し保護膜３２を形
成する。又、図面に示していないパッド部分を形成し駆
動集積素子と連結させるようにする（図１５Ａ、１５
Ｂ）。
【００４２】＜実施例２＞ガラス基板２１上に第１電極
２２を形成する。第１電極２２を形成したガラス基板２
１上に光透過性の樹脂である硝酸セルロースを塩化メチ
レンに溶解して塗布し、約７０℃で加熱乾燥させる。も
ちろん、減圧乾燥を実施してもさしつかえない。
２２を形成する。第１電極２２を形成したガラス基板２
１上に光透過性の樹脂である硝酸セルロースを塩化メチ
レンに溶解して塗布し、約７０℃で加熱乾燥させる。も
ちろん、減圧乾燥を実施してもさしつかえない。
【００４３】硝酸セルロース塗布面上にポジ型フォトレ
ジストを塗布し低温ベークする。例えば、東京応化工業
の商品ＴＳＭＲ−ＣＲＢを粘度１０ｃｐに希釈して塗布
し、８５℃の温風で乾燥させる。
ジストを塗布し低温ベークする。例えば、東京応化工業
の商品ＴＳＭＲ−ＣＲＢを粘度１０ｃｐに希釈して塗布
し、８５℃の温風で乾燥させる。
【００４４】前記工程２と３を繰り返して、所定数の積
層構造物を形成する。
層構造物を形成する。
【００４５】最上部に硝酸セルロースを前記工程２に従
って形成する。
って形成する。
【００４６】フォトマスクを用いて支柱形成領域２６′
を除いた全面を露光させる。なお、前記工程３でポジ型
フォトレジストを用いているが、もしもネガ型フォトレ
ジストを用いるのであれば、支柱形成領域２６′のみを
露光させる。
を除いた全面を露光させる。なお、前記工程３でポジ型
フォトレジストを用いているが、もしもネガ型フォトレ
ジストを用いるのであれば、支柱形成領域２６′のみを
露光させる。
【００４７】この工程で支柱が形成されるが、また支柱
部フォトレジストの硬化が不完全なため、後の工程で硬
化を完成させる。
部フォトレジストの硬化が不完全なため、後の工程で硬
化を完成させる。
【００４８】最上部硝酸セルローズ膜上に第２電極とな
るＩＴＯ膜を蒸着し、所定の電極パターンを形成する。
るＩＴＯ膜を蒸着し、所定の電極パターンを形成する。
【００４９】フォトリソグラフィと乾式蝕刻により液晶
注入孔２９を形成し、この孔を利用して現像を実施し、
さらにポストベークする。以後は実施例１の第９工程以
後と同様である。
注入孔２９を形成し、この孔を利用して現像を実施し、
さらにポストベークする。以後は実施例１の第９工程以
後と同様である。
【００５０】
【発明の効果】以上のように本発明では前記支柱を形成
する過程がフォトマスクを使用し部分露光のみで成され
るので、その工程数が減る。即ち、先に提案された製造
方法に比べ一つの写真蝕刻工程が減るにつれ、これに伴
うフォトレジスト塗布＋支柱形成のための露光＋現像＋
ハードベーキング（HARD BAKING:蝕刻のためのフォトレ
ジストの硬化段階）＋蝕刻＋フォトレジスト除去＋絶縁
性の樹脂膜塗布＋ベーキング工程が節減される。
する過程がフォトマスクを使用し部分露光のみで成され
るので、その工程数が減る。即ち、先に提案された製造
方法に比べ一つの写真蝕刻工程が減るにつれ、これに伴
うフォトレジスト塗布＋支柱形成のための露光＋現像＋
ハードベーキング（HARD BAKING:蝕刻のためのフォトレ
ジストの硬化段階）＋蝕刻＋フォトレジスト除去＋絶縁
性の樹脂膜塗布＋ベーキング工程が節減される。
【００５１】又、前記支柱の形成が蝕刻を利用せず部分
露光のみで成されるので、支柱形成用の孔が形成され
ず、絶縁層を形成するために単一アクリル樹脂を塗布し
た後に、前記絶縁層に対し改善された平坦度が得られ
る。以後、第２次ＩＴＯ蒸着の際ステップカバレージは
向上されこれにより第２電極形成の後、液晶注入孔を通
じて溶解層を蝕刻（又は現像）する過程で第２電極のリ
フティングの問題は防がれる。従って本発明によれば、
支柱形成工程が簡潔になり、その構造の完成度がより向
上された光散乱形の液晶表示装置の製造方法を提供す
る。
露光のみで成されるので、支柱形成用の孔が形成され
ず、絶縁層を形成するために単一アクリル樹脂を塗布し
た後に、前記絶縁層に対し改善された平坦度が得られ
る。以後、第２次ＩＴＯ蒸着の際ステップカバレージは
向上されこれにより第２電極形成の後、液晶注入孔を通
じて溶解層を蝕刻（又は現像）する過程で第２電極のリ
フティングの問題は防がれる。従って本発明によれば、
支柱形成工程が簡潔になり、その構造の完成度がより向
上された光散乱形の液晶表示装置の製造方法を提供す
る。
【００５２】本発明は以上のような実施例に関連して述
べられたが、これにのみ限らず本発明の範疇と思想から
逸脱しない種々の変形と修正が成され得ることは明らか
である。
べられたが、これにのみ限らず本発明の範疇と思想から
逸脱しない種々の変形と修正が成され得ることは明らか
である。
【００５３】例えば、前記円形の支柱模様を様々な形に
変形するのが可能であり、又前記第１電極群と第２電極
群が交叉して形成される画素内での支柱を取り除くこと
もできる。又、前記第２電極群の形成工程が液晶充填と
液晶注入孔の密封ができた後に成されることもできる。
変形するのが可能であり、又前記第１電極群と第２電極
群が交叉して形成される画素内での支柱を取り除くこと
もできる。又、前記第２電極群の形成工程が液晶充填と
液晶注入孔の密封ができた後に成されることもできる。
【図１】 山村信幸により先に提案された光散乱形の液
晶表示装置の概略的斜視図である。
晶表示装置の概略的斜視図である。
【図２】 図１に示した光散乱形の液晶表示装置の部分
抜粋平面図である。
抜粋平面図である。
【図３】 図１に示した光散乱形の液晶表示装置の製造
段階の中各段階別の加工状態を示す断面図であり、Ａは
図２のＡ−Ａ′線の断面図、そしてＢは図２のＢ−Ｂ′
線の断面図である。
段階の中各段階別の加工状態を示す断面図であり、Ａは
図２のＡ−Ａ′線の断面図、そしてＢは図２のＢ−Ｂ′
線の断面図である。
【図４】 図１に示した光散乱形の液晶表示装置の製造
段階の中各段階別の加工状態を示す断面図であり、Ａは
図２のＡ−Ａ′線の断面図、そしてＢは図２のＢ−Ｂ′
線の断面図である。
段階の中各段階別の加工状態を示す断面図であり、Ａは
図２のＡ−Ａ′線の断面図、そしてＢは図２のＢ−Ｂ′
線の断面図である。
【図５】 図１に示した光散乱形の液晶表示装置の製造
段階の中各段階別の加工状態を示す断面図であり、Ａは
図２のＡ−Ａ′線の断面図、そしてＢは図２のＢ−Ｂ′
線の断面図である。
段階の中各段階別の加工状態を示す断面図であり、Ａは
図２のＡ−Ａ′線の断面図、そしてＢは図２のＢ−Ｂ′
線の断面図である。
【図６】 図１に示した光散乱形の液晶表示装置の製造
段階の中各段階別の加工状態を示す断面図であり、Ａは
図２のＡ−Ａ′線の断面図、そしてＢは図２のＢ−Ｂ′
線の断面図である。
段階の中各段階別の加工状態を示す断面図であり、Ａは
図２のＡ−Ａ′線の断面図、そしてＢは図２のＢ−Ｂ′
線の断面図である。
【図７】 図１に示した光散乱形の液晶表示装置の製造
段階の中各段階別の加工状態を示す断面図であり、Ａは
図２のＡ−Ａ′線の断面図、そしてＢは図２のＢ−Ｂ′
線の断面図である。
段階の中各段階別の加工状態を示す断面図であり、Ａは
図２のＡ−Ａ′線の断面図、そしてＢは図２のＢ−Ｂ′
線の断面図である。
【図８】 図１に示した光散乱形の液晶表示装置の製造
段階の中各段階別の加工状態を示す断面図であり、Ａは
図２のＡ−Ａ′線の断面図、そしてＢは図２のＢ−Ｂ′
線の断面図である。
段階の中各段階別の加工状態を示す断面図であり、Ａは
図２のＡ−Ａ′線の断面図、そしてＢは図２のＢ−Ｂ′
線の断面図である。
【図９】 図１に示した光散乱形の液晶表示装置の製造
段階の中各段階別の加工状態を示す断面図であり、Ａは
図２のＡ−Ａ′線の断面図、そしてＢは図２のＢ−Ｂ′
線の断面図である。
段階の中各段階別の加工状態を示す断面図であり、Ａは
図２のＡ−Ａ′線の断面図、そしてＢは図２のＢ−Ｂ′
線の断面図である。
【図１０】 本発明による光散乱形の液晶表示装置の製
造段階の中各段階別の加工状態を示す断面図であり、Ａ
は図２のＡ−Ａ′線の断面図、そしてＢは図２のＢ−
Ｂ′線の断面図である。
造段階の中各段階別の加工状態を示す断面図であり、Ａ
は図２のＡ−Ａ′線の断面図、そしてＢは図２のＢ−
Ｂ′線の断面図である。
【図１１】 本発明による光散乱形の液晶表示装置の製
造段階の中各段階別の加工状態を示す断面図であり、Ａ
は図２のＡ−Ａ′線の断面図、そしてＢは図２のＢ−
Ｂ′線の断面図である。
造段階の中各段階別の加工状態を示す断面図であり、Ａ
は図２のＡ−Ａ′線の断面図、そしてＢは図２のＢ−
Ｂ′線の断面図である。
【図１２】 本発明による光散乱形の液晶表示装置の製
造段階の中各段階別の加工状態を示す断面図であり、Ａ
は図２のＡ−Ａ′線の断面図、そしてＢは図２のＢ−
Ｂ′線の断面図である。
造段階の中各段階別の加工状態を示す断面図であり、Ａ
は図２のＡ−Ａ′線の断面図、そしてＢは図２のＢ−
Ｂ′線の断面図である。
【図１３】 本発明による光散乱形の液晶表示装置の製
造段階の中各段階別の加工状態を示す断面図であり、Ａ
は図２のＡ−Ａ′線の断面図、そしてＢは図２のＢ−
Ｂ′線の断面図である。
造段階の中各段階別の加工状態を示す断面図であり、Ａ
は図２のＡ−Ａ′線の断面図、そしてＢは図２のＢ−
Ｂ′線の断面図である。
【図１４】 本発明による光散乱形の液晶表示装置の製
造段階の中各段階別の加工状態を示す断面図であり、Ａ
は図２のＡ−Ａ′線の断面図、そしてＢは図２のＢ−
Ｂ′線の断面図である。
造段階の中各段階別の加工状態を示す断面図であり、Ａ
は図２のＡ−Ａ′線の断面図、そしてＢは図２のＢ−
Ｂ′線の断面図である。
【図１５】 本発明による光散乱形の液晶表示装置の製
造段階の中各段階別の加工状態を示す断面図であり、Ａ
は図２のＡ−Ａ′線の断面図、そしてＢは図２のＢ−
Ｂ′線の断面図である。
造段階の中各段階別の加工状態を示す断面図であり、Ａ
は図２のＡ−Ａ′線の断面図、そしてＢは図２のＢ−
Ｂ′線の断面図である。
Claims (3)
- 【請求項１】（ａ）電気絶縁性を有する光透過性の素材
を基板上に塗布し絶縁層を形成する段階と、 （ｂ）前記光透過性の絶縁層上に感光性物質で所定の厚
さの媒介層を形成する段階と、 （ｃ）前記段階（ａ）、（ｂ）を所定回繰り返し所定の
厚さの多重積層を形成する段階と、 （ｄ）前記（ａ）段階から（ｃ）段階を通じて得られた
前記電気絶縁層の間の媒介層を所定のパターンに露光し
溶剤により溶解され得る溶解領域と溶解されない支柱領
域を備える段階と、 （ｅ）前記段階（ａ）乃至（ｃ）から得た積層に液晶注
入のための液晶注入孔を所定の深さで形成する段階と、 （ｆ）前記媒介層に前記液晶注入孔を通じて蝕刻剤を加
え、媒介層の中露光された感光性物質の溶解層を取り除
き、液晶が充填される多層の空洞部と未露光の感光性物
質の支柱を備える段階と、 を含むことを特徴とする光散乱形液晶表示装置の製造方
法。 - 【請求項２】（ａ）電気絶縁性を有するガラス基板上に
導電材料により所定のパターンの第１電極群を形成する
段階と、 （ｂ）電気絶縁性を有する光透過性の素材を前記第１電
極群の形成された基板上に絶縁層を形成する段階と、 （ｃ）前記光透過性の絶縁層の表面に感光性物質で所定
の厚さの媒介層を形成する段階と、 （ｄ）前記段階（ｂ）、（ｃ）を所定回繰り返し所定の
厚さの多重積層を形成する段階と、 （ｅ）前記段階（ｂ）から（ｄ）を通じて得られた前記
電気絶縁層の間の媒介層を所定のパターンに露光し溶剤
により溶解され得る溶解領域と溶解されない支柱領域を
備える段階と、 （ｆ）前記段階（ａ）−（ｅ）を通じて得られた積層の
上に光透過性の第２電極を所定のパターンに形成する段
階と、 （ｇ）前記段階（ｂ）乃至（ｄ）から得た積層に液晶注
入のための液晶注入孔を所定の深さで形成する段階と、 （ｈ）前記媒介層に前記液晶注入孔を通じて蝕刻剤を加
え、媒介層の中露光された感光性物質の溶解層を取り除
き液晶充填のための多層の空洞部と未露光の感光性物質
の支柱を備える段階と、 （ｉ）前記空洞部に前記液晶注入孔を通じて液晶を充填
し、前記液晶注入孔を密封すると同時に前記積層構造の
表面に光透過性の絶縁性保護層膜を形成する段階を含む
ことを特徴とする光散乱形液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項３】（ａ）電気絶縁性を有するガラス基板上に
導電材料により所定のパターンの第１電極群を形成する
段階と、 （ｂ）電気絶縁性を有する光透過性の素材を前記第１電
極群の形成された基板上に絶縁層を形成する段階と、 （ｃ）前記光透過性の絶縁層の表面に感光性物質で所定
の厚さの媒介層を形成する段階と、 （ｄ）前記段階（ｂ）、（ｃ）を所定回繰り返し所定の
厚さの多重積層を形成する段階と、 （ｅ）前記段階（ｂ）から（ｄ）を通じて得られた前記
電気絶縁層の間の媒介層を所定のパターンに露光し溶剤
により溶解され得る溶解領域と溶解されない支柱領域を
備える段階と、 （ｆ）前記段階（ｂ）乃至（ｄ）から得た積層に液晶注
入のための液晶注入孔を所定の深さで形成する段階と、 （ｇ）前記媒介層に前記液晶注入孔を通じて蝕刻剤を加
え、媒介層の中露光された感光性物質の溶解層を取り除
き液晶充填のための多層の空洞部と未露光の感光性物質
の支柱を備える段階と、 （ｈ）前記空洞部に前記液晶注入孔を通じて液晶を充填
し、前記液晶注入孔を密封する段階と、 （ｉ）前記段階（ａ）−（ｈ）を通じて得られた積層上
に光透過性の第２電極を所定のパターンに形成する段階
と、 （ｊ）前記積層構造の表面に光透過性の電極保護層膜を
形成する段階と、を含むことを特徴とする光散乱形液晶
表示装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920022406A KR100230354B1 (ko) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | 광산란형 액정 표시 장치의 제조 방법 |
| KR1992-022406 | 1992-11-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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