JPH06202144A - 液晶装置の駆動方法 - Google Patents
液晶装置の駆動方法Info
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- JPH06202144A JPH06202144A JP34091393A JP34091393A JPH06202144A JP H06202144 A JPH06202144 A JP H06202144A JP 34091393 A JP34091393 A JP 34091393A JP 34091393 A JP34091393 A JP 34091393A JP H06202144 A JPH06202144 A JP H06202144A
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Abstract
(57)【要約】
【目 的】 液晶それ自体に臨界電界を有することを求
めるのではなく、この液晶と配向膜（配向処理) とを一
体物とみなし、その全体で実質的に有効な臨界電界を制
御する。 【構 成】 一対の基板の内側に液晶材料が充填されて
おり、前記液晶材料に密接または実質的に密接する一方
または双方に、共重合体の高分子有機材料よりなる強誘
電体薄膜が設けられ、前記液晶材料に印加される電界
は、前記強誘電体薄膜の臨界電界に従って制御される。
めるのではなく、この液晶と配向膜（配向処理) とを一
体物とみなし、その全体で実質的に有効な臨界電界を制
御する。 【構 成】 一対の基板の内側に液晶材料が充填されて
おり、前記液晶材料に密接または実質的に密接する一方
または双方に、共重合体の高分子有機材料よりなる強誘
電体薄膜が設けられ、前記液晶材料に印加される電界
は、前記強誘電体薄膜の臨界電界に従って制御される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コントラスト比の向上
を図ると共に、マイクロ・コンピュ−タ、ワ−ドプロセ
ッサ、またはテレビ等の表示部の薄膜化を図る液晶装
置、さらにディスクメモリ等のメモリ装置、スピ−カ等
の音響機器へ応用する液晶装置の駆動方法に関するもの
である。
を図ると共に、マイクロ・コンピュ−タ、ワ−ドプロセ
ッサ、またはテレビ等の表示部の薄膜化を図る液晶装
置、さらにディスクメモリ等のメモリ装置、スピ−カ等
の音響機器へ応用する液晶装置の駆動方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶材料を用いて液晶装置を作製
せんとする場合、この液晶の一対の基板の内側に一対の
電極を設け、その電極上に対称配向膜を設ける方式が知
られている。しかし、かかる単純マトリックス構造、ま
たは各画素に非線型素子が直列に連結されたアクティブ
素子構造において、最も重要な要素として、前記した液
晶材料が十分大きい臨界電界またはスレッシュホ−ルド
電界（Ec）を有することが重要である。この臨界電界
（Ec）は、液晶が所定の電界以下で、初期の状態（たと
えば、非透過) を維持し、所定の電界以上においてきわ
めて急峻に反転し、他の状態（たとえば、透過) を呈す
る現象、およびこの逆に透過より非透過となる現象をい
う。すなわち、この臨界電界（Ec）は、Ec+(正に電界を
加える場合に観察される臨界電界) と、逆にEc-(負に電
界を加える場合に存在する電界) とがある。このEc+ と
Ec- とは、必ずしも絶対値において同じにならないが、
液晶材料に接する部分を配向処理することにより概ね一
致させることができる。また、液晶を駆動する際には、
明確な臨界電界の存在が望まれる。
せんとする場合、この液晶の一対の基板の内側に一対の
電極を設け、その電極上に対称配向膜を設ける方式が知
られている。しかし、かかる単純マトリックス構造、ま
たは各画素に非線型素子が直列に連結されたアクティブ
素子構造において、最も重要な要素として、前記した液
晶材料が十分大きい臨界電界またはスレッシュホ−ルド
電界（Ec）を有することが重要である。この臨界電界
（Ec）は、液晶が所定の電界以下で、初期の状態（たと
えば、非透過) を維持し、所定の電界以上においてきわ
めて急峻に反転し、他の状態（たとえば、透過) を呈す
る現象、およびこの逆に透過より非透過となる現象をい
う。すなわち、この臨界電界（Ec）は、Ec+(正に電界を
加える場合に観察される臨界電界) と、逆にEc-(負に電
界を加える場合に存在する電界) とがある。このEc+ と
Ec- とは、必ずしも絶対値において同じにならないが、
液晶材料に接する部分を配向処理することにより概ね一
致させることができる。また、液晶を駆動する際には、
明確な臨界電界の存在が望まれる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、かかるEc+ と
Ec- は、特にカイラルスメクチックＣ相を用いる液晶
（ＦＬＣ）において、その存在が不明確であり、この液
晶に印加するパルス電界の電界強度とそのパルス巾との
値に大きく依存している。そのため、マトリックス表示
においては、「交流バイアス法」として知られている駆
動方式を用いなければならない。たとえば、前記交流バ
イアス法は、正方向に書き換えんとする時、一度負のパ
ルスを加え、次に、正のパルスを所定の電界強度と時間
とを精密に制御して加える。また、逆に、負方向に書き
換えんとする場合も、一度、正のパルスを加え、次に、
負のパルスを所定の電界強度と時間とを精密に制御して
加えなければならない。
Ec- は、特にカイラルスメクチックＣ相を用いる液晶
（ＦＬＣ）において、その存在が不明確であり、この液
晶に印加するパルス電界の電界強度とそのパルス巾との
値に大きく依存している。そのため、マトリックス表示
においては、「交流バイアス法」として知られている駆
動方式を用いなければならない。たとえば、前記交流バ
イアス法は、正方向に書き換えんとする時、一度負のパ
ルスを加え、次に、正のパルスを所定の電界強度と時間
とを精密に制御して加える。また、逆に、負方向に書き
換えんとする場合も、一度、正のパルスを加え、次に、
負のパルスを所定の電界強度と時間とを精密に制御して
加えなければならない。
【０００４】かくの如く、臨界電界の存在が不明確な場
合、液晶を駆動する周辺回路がきわめて複雑になってし
まうため、液晶をディスプレイ装置として使用した時、
より簡単な周辺回路が求められている。そのためには、
液晶それ自体が十分明確な臨界電界（Ec）を有している
ことが重要になる。この十分明確な臨界電界を作らんと
した時、これまでの液晶は、その周波数特性を落とす等
の制約のもとに、不十分な臨界電界で満足せざるを得な
いのが実情であった。本発明は、液晶それ自体に臨界電
界を有することを求めるのではなく、この液晶と配向膜
（配向処理) とを一体物とみなし、その全体で実質的に
有効な臨界電界を制御する液晶装置の駆動方法を提供す
ることを目的とする。
合、液晶を駆動する周辺回路がきわめて複雑になってし
まうため、液晶をディスプレイ装置として使用した時、
より簡単な周辺回路が求められている。そのためには、
液晶それ自体が十分明確な臨界電界（Ec）を有している
ことが重要になる。この十分明確な臨界電界を作らんと
した時、これまでの液晶は、その周波数特性を落とす等
の制約のもとに、不十分な臨界電界で満足せざるを得な
いのが実情であった。本発明は、液晶それ自体に臨界電
界を有することを求めるのではなく、この液晶と配向膜
（配向処理) とを一体物とみなし、その全体で実質的に
有効な臨界電界を制御する液晶装置の駆動方法を提供す
ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明における液晶装置の駆動方法は、一対の基板
の内側に液晶材料が充填されており、前記液晶材料に密
接または実質的に密接する一方または双方に、共重合体
の高分子有機材料よりなる強誘電体薄膜が設けられ、前
記液晶材料に印加される電界は、前記強誘電体薄膜の臨
界電界に従って制御されることを特徴とする。本発明に
おける液晶装置の駆動方法は、一対の基板の内側に電極
を互いに対抗して設け、該一対の電極間に液晶材料が充
填されており、前記液晶材料に密接または実質的に密接
する一方または双方の電極との間に、共重合体の高分子
有機物材料よりなる強誘電体薄膜が設けられ、前記液晶
材料に印加される電界は、前記強誘電体薄膜の臨界電界
に従って制御されることを特徴とする。本発明における
液晶装置の強誘電体薄膜は、有機物材料で構成されたこ
とを特徴とする。
に、本発明における液晶装置の駆動方法は、一対の基板
の内側に液晶材料が充填されており、前記液晶材料に密
接または実質的に密接する一方または双方に、共重合体
の高分子有機材料よりなる強誘電体薄膜が設けられ、前
記液晶材料に印加される電界は、前記強誘電体薄膜の臨
界電界に従って制御されることを特徴とする。本発明に
おける液晶装置の駆動方法は、一対の基板の内側に電極
を互いに対抗して設け、該一対の電極間に液晶材料が充
填されており、前記液晶材料に密接または実質的に密接
する一方または双方の電極との間に、共重合体の高分子
有機物材料よりなる強誘電体薄膜が設けられ、前記液晶
材料に印加される電界は、前記強誘電体薄膜の臨界電界
に従って制御されることを特徴とする。本発明における
液晶装置の強誘電体薄膜は、有機物材料で構成されたこ
とを特徴とする。
【０００６】
【作 用】本発明は、臨界電界（Ec）を決定する要素
として液晶材料に密接または実質的に密接する一方また
は双方に強誘電体薄膜（FE) を設けたものである。そし
て、この液晶材料と強誘電体薄膜との臨界電界を実質的
に強誘電体薄膜により決定することに着目したものであ
る。すなわち、本発明において、この強誘電体薄膜を配
向膜として用い、この配向膜が自発分極を有し、かつそ
の時の厚さが1000Å以下、たとえば、200 Åないし300
Åであることを発見した。そして、この配向膜は、透光
性であるが、光学的異方性を好ましくは有さないものよ
り選ばれる。
として液晶材料に密接または実質的に密接する一方また
は双方に強誘電体薄膜（FE) を設けたものである。そし
て、この液晶材料と強誘電体薄膜との臨界電界を実質的
に強誘電体薄膜により決定することに着目したものであ
る。すなわち、本発明において、この強誘電体薄膜を配
向膜として用い、この配向膜が自発分極を有し、かつそ
の時の厚さが1000Å以下、たとえば、200 Åないし300
Åであることを発見した。そして、この配向膜は、透光
性であるが、光学的異方性を好ましくは有さないものよ
り選ばれる。
【０００７】図２は本発明を説明するための等価回路図
である。図２において、液晶材料(1) の電気的等価回路
は、G2（コンダクタンス) とC2（キャパシタンス) との
並列回路となる。また、強誘電体薄膜(2) の電気的等価
回路は、G1（コンダクタンス) とC1（キャパシタンス)
との並列回路となる。そして、液晶材料(1) と強誘電体
薄膜(2) とは、直列に接続され、この両端子間にV0の電
圧を印加した時、C1、G1に加わる電圧V1、電荷Q1、C
2 、G2に加わる電圧をV2、電荷Q2とすると、 V0＝V1＋V2 V1＝Q1／C1＝〔C2／（ C1+C2）〕V0 V1＝Q2／C1＝〔C1／（ C1+C2）〕V0 でｔ＝０において分圧される。
である。図２において、液晶材料(1) の電気的等価回路
は、G2（コンダクタンス) とC2（キャパシタンス) との
並列回路となる。また、強誘電体薄膜(2) の電気的等価
回路は、G1（コンダクタンス) とC1（キャパシタンス)
との並列回路となる。そして、液晶材料(1) と強誘電体
薄膜(2) とは、直列に接続され、この両端子間にV0の電
圧を印加した時、C1、G1に加わる電圧V1、電荷Q1、C
2 、G2に加わる電圧をV2、電荷Q2とすると、 V0＝V1＋V2 V1＝Q1／C1＝〔C2／（ C1+C2）〕V0 V1＝Q2／C1＝〔C1／（ C1+C2）〕V0 でｔ＝０において分圧される。
【０００８】この時、強誘電体薄膜(2) の厚さは、200
Åないし300 Åであり、液晶材料(1) 部分の厚さは、２
μｍないし３μｍであるため、C1はC2より十分大であ
る。その結果、初期において V2≒V0 となる。すなわち、初期状態においては、印加電圧のほ
とんどすべてが液晶材料(1) に印加される。さらに、液
晶材料(1) と強誘電体薄膜(2) との界面において、ｔ秒
後に蓄積されるＱは、次式で与えられる。 Q ＝〔（C2G1−C1−G2）／（G1+G2 ）〕×V0｛１−exp
〔−（G1+G2 ）／（ C1+C2）〕×ｔ｝
Åないし300 Åであり、液晶材料(1) 部分の厚さは、２
μｍないし３μｍであるため、C1はC2より十分大であ
る。その結果、初期において V2≒V0 となる。すなわち、初期状態においては、印加電圧のほ
とんどすべてが液晶材料(1) に印加される。さらに、液
晶材料(1) と強誘電体薄膜(2) との界面において、ｔ秒
後に蓄積されるＱは、次式で与えられる。 Q ＝〔（C2G1−C1−G2）／（G1+G2 ）〕×V0｛１−exp
〔−（G1+G2 ）／（ C1+C2）〕×ｔ｝
【０００９】この一般式において、前記したC1＞C2であ
る条件、および強誘電体薄膜(2) は、十分絶縁性である
ことよりG1≒０の条件を加えると、 Q ＝−C1V0｛１−exp （−G2／C1）×ｔ｝ ＝Q2−Q1 で与えられる。するとその結果、V1、V2は V1＝Q1／C1 V2＝Q2／C1 V ＝V1＋V2＝Q1／C1＋Q2／C1 Q ＝C1V1−C1V0｛１−exp(−G2／C1）ｔ｝ ＝ C2 （V0−V1） 上式を変形して V1( C1＋ C2)＝C2V0＋C1V0−C1V0exp[−（G2／C1）ｔ] V1＝V0−（C1／ C1+C2）×V0exp[−（G2／C1）ｔ] で与えられる。さらに、このV1に対しｔが十分大きくな
ると、 V1＝V0 となる。
る条件、および強誘電体薄膜(2) は、十分絶縁性である
ことよりG1≒０の条件を加えると、 Q ＝−C1V0｛１−exp （−G2／C1）×ｔ｝ ＝Q2−Q1 で与えられる。するとその結果、V1、V2は V1＝Q1／C1 V2＝Q2／C1 V ＝V1＋V2＝Q1／C1＋Q2／C1 Q ＝C1V1−C1V0｛１−exp(−G2／C1）ｔ｝ ＝ C2 （V0−V1） 上式を変形して V1( C1＋ C2)＝C2V0＋C1V0−C1V0exp[−（G2／C1）ｔ] V1＝V0−（C1／ C1+C2）×V0exp[−（G2／C1）ｔ] で与えられる。さらに、このV1に対しｔが十分大きくな
ると、 V1＝V0 となる。
【００１０】すなわち、印加の初期において、電極間に
印加した電圧は、ほとんどが液晶材料(1) 部に印加さ
れ、その後、殆どの電圧が強誘電体薄膜(2) に印加され
ることになる。言い換えるならば、印加初期の電界は、
最初液晶を動の状態にする。その後、強誘電体薄膜(2)
に、この電圧が印加されると、この強誘電体薄膜(2)
は、所定の反転または非反転を行なう。すると、この強
誘電体薄膜(2) の反転または非反転に従って、次に、臨
界電界が不明確な液晶材料(1) の反転または非反転を決
める。すなわち、強誘電体薄膜(2) の自発分極に従属し
て液晶材料(1) に印加される電界を変えさせることがで
きる。その結果、液晶材料(1) に十分な臨界電界がなく
ても、強誘電体薄膜(2) が有する臨界電界を可変制御す
ることにより、この強誘電体薄膜(2) の臨界電界に従っ
て液晶が従属的に従い、結果として見掛け上液晶が明確
な臨界電界を有するようにさせることができる。以上の
結果より、本発明は、液晶材料(1) と直列に強誘電体薄
膜(2) を存在せしめ、この強誘電体薄膜(2) の分極に従
って液晶材料(1) に印加される電界を変化させ、その反
転、非反転を決定することを技術思想としている。
印加した電圧は、ほとんどが液晶材料(1) 部に印加さ
れ、その後、殆どの電圧が強誘電体薄膜(2) に印加され
ることになる。言い換えるならば、印加初期の電界は、
最初液晶を動の状態にする。その後、強誘電体薄膜(2)
に、この電圧が印加されると、この強誘電体薄膜(2)
は、所定の反転または非反転を行なう。すると、この強
誘電体薄膜(2) の反転または非反転に従って、次に、臨
界電界が不明確な液晶材料(1) の反転または非反転を決
める。すなわち、強誘電体薄膜(2) の自発分極に従属し
て液晶材料(1) に印加される電界を変えさせることがで
きる。その結果、液晶材料(1) に十分な臨界電界がなく
ても、強誘電体薄膜(2) が有する臨界電界を可変制御す
ることにより、この強誘電体薄膜(2) の臨界電界に従っ
て液晶が従属的に従い、結果として見掛け上液晶が明確
な臨界電界を有するようにさせることができる。以上の
結果より、本発明は、液晶材料(1) と直列に強誘電体薄
膜(2) を存在せしめ、この強誘電体薄膜(2) の分極に従
って液晶材料(1) に印加される電界を変化させ、その反
転、非反転を決定することを技術思想としている。
【００１１】
【実 施 例】以下、本発明の実施例を示す。図１は本
発明の実施例を説明するための縦断面図である。図１に
おいて、液晶装置は、液晶材料(1) と、強誘電体薄膜か
らなる配向膜(2) 、(2')と、一対を構成する透光性電極
(3) 、(3')と、たとえば、ガラス等の透光性基板(4) 、
(4')とから構成されている。この図１の電気的等価回路
を用い本実施例を以下に説明する。本実施例において
は、液晶材料としてＦＬＣ材料を使用した。図１におい
て、透光性基板(4) 、(4')上には、透光性電極(3) 、
(3')、たとえば、酸化インジュ−ム・スズ(ITO）を、さ
らに、この一方の電極の上面に第１の配向膜(2')を、他
の電極の上面に第２の配向膜(2) を設けた。
発明の実施例を説明するための縦断面図である。図１に
おいて、液晶装置は、液晶材料(1) と、強誘電体薄膜か
らなる配向膜(2) 、(2')と、一対を構成する透光性電極
(3) 、(3')と、たとえば、ガラス等の透光性基板(4) 、
(4')とから構成されている。この図１の電気的等価回路
を用い本実施例を以下に説明する。本実施例において
は、液晶材料としてＦＬＣ材料を使用した。図１におい
て、透光性基板(4) 、(4')上には、透光性電極(3) 、
(3')、たとえば、酸化インジュ−ム・スズ(ITO）を、さ
らに、この一方の電極の上面に第１の配向膜(2')を、他
の電極の上面に第２の配向膜(2) を設けた。
【００１２】配向膜となる強誘電体薄膜は、たとえば、
ポリビニリデンフロライト(CH2CF2)n(VDFという) を用
いた。さらに、ポリビニリデンフロライト(CH2CF2)nに
トリフロロエチレン(TrFE)を混合し、コポリマとして用
いた。これをスピン法にて電極上に添加薄膜とするた
め、これを10重量％をメチル・エチル・ケノン溶液にと
かした。スピンコ−トすると、この薄め方とスピナの回
転スピ−ドに従って強誘電体薄膜の厚さを制御できる。
この後、この溶液を加熱気化除去をした。本実施例にお
いては、さらに強誘電体薄膜に対し、公知のラビング処
理を施し配向させ、配向膜とした。他の電極上にはこの
強誘電体薄膜であっても、また1.1.1.トリメチルシラザ
ン等の他の配向膜を形成させた。この側の表面に対して
は、ラビング処理を施すことを省略し、非対称配向膜と
した。
ポリビニリデンフロライト(CH2CF2)n(VDFという) を用
いた。さらに、ポリビニリデンフロライト(CH2CF2)nに
トリフロロエチレン(TrFE)を混合し、コポリマとして用
いた。これをスピン法にて電極上に添加薄膜とするた
め、これを10重量％をメチル・エチル・ケノン溶液にと
かした。スピンコ−トすると、この薄め方とスピナの回
転スピ−ドに従って強誘電体薄膜の厚さを制御できる。
この後、この溶液を加熱気化除去をした。本実施例にお
いては、さらに強誘電体薄膜に対し、公知のラビング処
理を施し配向させ、配向膜とした。他の電極上にはこの
強誘電体薄膜であっても、また1.1.1.トリメチルシラザ
ン等の他の配向膜を形成させた。この側の表面に対して
は、ラビング処理を施すことを省略し、非対称配向膜と
した。
【００１３】次に、この配向膜が形成された一対の基板
の周辺部を互いに封止( 図示せず)し、公知の方法にて
液晶を充填した。この液晶は、たとえば、F8とB7との1:
1 のブレンド品を用いた。この液晶は、OMOOPPとMBRAと
のブレンド品を用いてもよい。またたとえば、特開昭56
-107216 公報、特開昭59-98051公報、特開昭59-118744
号公報に示される液晶を用いてもよい。かかるセルの電
極は、1mm ×1mm となり、マトリックス構成させ、それ
ぞれに±10V の電圧を加えた。するとこの電界が加わっ
ても画素はシランカップリング材のみを用いた従来の方
法では見られないきわめてきれいな臨界電界を実質的に
有せしめることが可能となった。
の周辺部を互いに封止( 図示せず)し、公知の方法にて
液晶を充填した。この液晶は、たとえば、F8とB7との1:
1 のブレンド品を用いた。この液晶は、OMOOPPとMBRAと
のブレンド品を用いてもよい。またたとえば、特開昭56
-107216 公報、特開昭59-98051公報、特開昭59-118744
号公報に示される液晶を用いてもよい。かかるセルの電
極は、1mm ×1mm となり、マトリックス構成させ、それ
ぞれに±10V の電圧を加えた。するとこの電界が加わっ
ても画素はシランカップリング材のみを用いた従来の方
法では見られないきわめてきれいな臨界電界を実質的に
有せしめることが可能となった。
【００１４】図３は本実施例と従来例との特性の一例を
説明するための図で、縦軸に透過率、横軸に印加電圧が
示されている。図３において、従来例として示された曲
線(9) 、(9')は、シランカップリング材のみを用いた非
対称配向処理法で得たものである。（その臨界電界は、
きわめて小さくばらつきやすい欠点を有する。）本実施
例において、曲線(10)、(10') を得ることができ、きわ
めてきれいな臨界電界Ec+ 、Ec- を得ることができた。
そして、かかる臨界電界を有するため、たとえば、720
×480 画素を有する大面積のディスプレイに対しても、
まったくクロスト−クのない表示をさせることが可能と
なった。
説明するための図で、縦軸に透過率、横軸に印加電圧が
示されている。図３において、従来例として示された曲
線(9) 、(9')は、シランカップリング材のみを用いた非
対称配向処理法で得たものである。（その臨界電界は、
きわめて小さくばらつきやすい欠点を有する。）本実施
例において、曲線(10)、(10') を得ることができ、きわ
めてきれいな臨界電界Ec+ 、Ec- を得ることができた。
そして、かかる臨界電界を有するため、たとえば、720
×480 画素を有する大面積のディスプレイに対しても、
まったくクロスト−クのない表示をさせることが可能と
なった。
【００１５】本実施例において、さらにシュアリング(
液晶を充填した後、一方的に微小距離ずらすことにより
配向を行う) 法、温度勾配法をラビング法に変えて、ま
たはこれに加えて行うことは有効である。この強誘電体
を下地とし、その上に公知の配向膜処理を施し、この強
誘電体と液晶材料とを実質的に密接する方式としてもよ
い。また、この強誘電体は、１１の電極等の上のみに選
択的に形成しても、また電極を含む全面に形成してもよ
い。この液晶装置は、単にディスプレイのみならずスピ
−カ、プリンタまたはディスクメモリに対しても適用で
き、液晶の光学的異方性の適用可能な製品に適用でき
る。
液晶を充填した後、一方的に微小距離ずらすことにより
配向を行う) 法、温度勾配法をラビング法に変えて、ま
たはこれに加えて行うことは有効である。この強誘電体
を下地とし、その上に公知の配向膜処理を施し、この強
誘電体と液晶材料とを実質的に密接する方式としてもよ
い。また、この強誘電体は、１１の電極等の上のみに選
択的に形成しても、また電極を含む全面に形成してもよ
い。この液晶装置は、単にディスプレイのみならずスピ
−カ、プリンタまたはディスクメモリに対しても適用で
き、液晶の光学的異方性の適用可能な製品に適用でき
る。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、強誘電体薄膜の自発分
極に従属して液晶材料に印加される電界を変えることが
できる。すなわち、強誘電体薄膜の反転または非反転に
従って、臨界電界の不明確な液晶材料の反転または非反
転が制御される。また、本発明によれば、液晶材料それ
自体に臨界電界がなくとも、強誘電体薄膜の臨界電界で
液晶装置を駆動することができる。
極に従属して液晶材料に印加される電界を変えることが
できる。すなわち、強誘電体薄膜の反転または非反転に
従って、臨界電界の不明確な液晶材料の反転または非反
転が制御される。また、本発明によれば、液晶材料それ
自体に臨界電界がなくとも、強誘電体薄膜の臨界電界で
液晶装置を駆動することができる。
【図１】本発明の実施例を説明するための縦断面図であ
る。
る。
【図２】本発明を説明するための等価回路図である。
【図３】本実施例と従来例との特性の一例を説明するた
めの図で、縦軸に透過率、横軸に印加電圧が示されてい
る。
めの図で、縦軸に透過率、横軸に印加電圧が示されてい
る。
１・・・液晶材料 ２、２’・・・強誘電体薄膜（配向膜） ３、３’・・・透光性電極 ４、４’・・・透光性基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浜谷 敏次 東京都世田谷区北烏山７丁目21番21号 株 式会社半導体エネルギー研究所内 (72)発明者 坂間 光範 東京都世田谷区北烏山７丁目21番21号 株 式会社半導体エネルギー研究所内 (72)発明者 山口 利治 東京都世田谷区北烏山７丁目21番21号 株 式会社半導体エネルギー研究所内 (72)発明者 小林 一平 東京都世田谷区北烏山７丁目21番21号 株 式会社半導体エネルギー研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】 一対の基板の内側に液晶材料が充填され
た液晶装置の駆動方法において、 前記液晶材料に密接または実質的に密接する一方または
双方に、共重合体の高分子有機材料よりなる強誘電体薄
膜が設けられ、前記液晶材料に印加される電界は、前記
強誘電体薄膜の臨界電界に従って制御されることを特徴
とする液晶装置の駆動方法。 - 【請求項２】 一対の基板の内側に電極を互いに対抗し
て設け、該一対の電極間に液晶材料が充填された液晶装
置の駆動方法において、 前記液晶材料に密接または実質的に密接する一方または
双方の電極との間に、共重合体の高分子有機物材料より
なる強誘電体薄膜が設けられ、前記液晶材料に印加され
る電界は、前記強誘電体薄膜の臨界電界に従って制御さ
れることを特徴とする液晶装置の駆動方法。 - 【請求項３】 前記強誘電体薄膜は、有機物材料で構成
されたことを特徴とする請求項１または請求項２記載の
液晶装置の駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5340913A JP2761583B2 (ja) | 1993-12-10 | 1993-12-10 | 液晶装置の駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5340913A JP2761583B2 (ja) | 1993-12-10 | 1993-12-10 | 液晶装置の駆動方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60265333A Division JPS62124525A (ja) | 1985-11-25 | 1985-11-25 | 液晶装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06202144A true JPH06202144A (ja) | 1994-07-22 |
| JP2761583B2 JP2761583B2 (ja) | 1998-06-04 |
Family
ID=18341460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5340913A Expired - Lifetime JP2761583B2 (ja) | 1993-12-10 | 1993-12-10 | 液晶装置の駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2761583B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5635949A (en) * | 1993-10-18 | 1997-06-03 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Driving method of a liquid crystal display having ferroelectric material active elements |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6117129A (ja) * | 1984-07-03 | 1986-01-25 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 液晶表示装置 |
-
1993
- 1993-12-10 JP JP5340913A patent/JP2761583B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6117129A (ja) * | 1984-07-03 | 1986-01-25 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 液晶表示装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5635949A (en) * | 1993-10-18 | 1997-06-03 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Driving method of a liquid crystal display having ferroelectric material active elements |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2761583B2 (ja) | 1998-06-04 |
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