JPH0620253A - 磁気記録媒体とその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体とその製造方法Info
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- JPH0620253A JPH0620253A JP4352784A JP35278492A JPH0620253A JP H0620253 A JPH0620253 A JP H0620253A JP 4352784 A JP4352784 A JP 4352784A JP 35278492 A JP35278492 A JP 35278492A JP H0620253 A JPH0620253 A JP H0620253A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高い保磁力と低いノイズを示す磁性薄膜媒体
とその製造方法を提供する。 【構成】 本発明は、下層２８に低いノイズと低い残留
磁気特性を有した第１の合金Ｍ１と、上層３０に比較的
高いノイズと高い残留磁気特性を有した合金Ｍ２とを持
ち、中間層２９が下層２８から上層３０に向けて第１の
合金Ｍ１と第２の合金Ｍ２の組成量が徐々に変化するよ
うスパッタした。上記第１の合金Ｍ１と第２の合金Ｍ２
を、角度を持った面で接合して単一のターゲット合金を
形成し、これを用いてスパッタにより蒸着を行った。
とその製造方法を提供する。 【構成】 本発明は、下層２８に低いノイズと低い残留
磁気特性を有した第１の合金Ｍ１と、上層３０に比較的
高いノイズと高い残留磁気特性を有した合金Ｍ２とを持
ち、中間層２９が下層２８から上層３０に向けて第１の
合金Ｍ１と第２の合金Ｍ２の組成量が徐々に変化するよ
うスパッタした。上記第１の合金Ｍ１と第２の合金Ｍ２
を、角度を持った面で接合して単一のターゲット合金を
形成し、これを用いてスパッタにより蒸着を行った。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜磁気ディスクに関
し、薄膜磁性層の厚さ全体に亙って、複数の合金の組成
が徐々に変化するように形成されているものである。
尚、これに関する参考文献を以下に示す。 フタモト、M.他、 IEEE Trans.on Magn、 27(6):52
80(1991) ミラー、M.S.他、 J.Appl.Phys 、 69(8):47
15(1991) ランジャン、R.他、 J.Appl.Phys 、 69(8):47
27(1991) サンダース、I.他、 IEEE Trans.on Magn、 25(5):38
69(1989) シロイシ、Y.他、 IEEE Trans.on Magn、 24(6):27
30(1988) ホワイト、R.（監修）磁気記録入門、 IEEE Pre
ss、N.Y.(1985) ヨギ、T.他、 IEEE Trans.on Magn、 26(5):22
71(1990) ヨギ、T.他、 J.Appl.Phys 、 69(8):47
49(1991)
し、薄膜磁性層の厚さ全体に亙って、複数の合金の組成
が徐々に変化するように形成されているものである。
尚、これに関する参考文献を以下に示す。 フタモト、M.他、 IEEE Trans.on Magn、 27(6):52
80(1991) ミラー、M.S.他、 J.Appl.Phys 、 69(8):47
15(1991) ランジャン、R.他、 J.Appl.Phys 、 69(8):47
27(1991) サンダース、I.他、 IEEE Trans.on Magn、 25(5):38
69(1989) シロイシ、Y.他、 IEEE Trans.on Magn、 24(6):27
30(1988) ホワイト、R.（監修）磁気記録入門、 IEEE Pre
ss、N.Y.(1985) ヨギ、T.他、 IEEE Trans.on Magn、 26(5):22
71(1990) ヨギ、T.他、 J.Appl.Phys 、 69(8):47
49(1991)
【０００２】
【従来の技術】薄膜ハードディスク磁気媒体は、コンピ
ューターのオンラインデータの保存に広く使用されてい
る。近年この分野では、高記録密度を達成すべく精力的
な努力が傾注されてきた。この高密度における最も重要
な因子としては、以下に述べるパラメーターがある （１）残留磁気 残留磁気とは、媒体に記憶された絶縁パルスから読み取
れる信号出力の尺度である。残留磁気あるいはモーメン
トが大きい程、読み取りの際に検出される信号出力は大
きくなる。 （２）保磁力 保磁力とは、残留磁束を０に減少させるために必要な磁
界、即ち、記録した情報ビットを消去するのに必要な磁
界として定義される。媒体の保磁力が高いと、隣接する
記録ビット同士を、相互に消去しあうことなく、さらに
近づけることができる。従って、高保磁力は情報の高い
記憶密度に適している。 （３）信号対ノイズ比（ＳＮＲ） 信号対ノイズ比とは、与えられた周波数帯幅での、ノイ
ズ出力に対する所与の信号出力の比として定義され、ノ
イズレベルに関した信号出力の尺度である。Ｓ／Ｎ比が
高いほど、所与の信頼性のある読み取りが可能なビット
密度が大きくなる。
ューターのオンラインデータの保存に広く使用されてい
る。近年この分野では、高記録密度を達成すべく精力的
な努力が傾注されてきた。この高密度における最も重要
な因子としては、以下に述べるパラメーターがある （１）残留磁気 残留磁気とは、媒体に記憶された絶縁パルスから読み取
れる信号出力の尺度である。残留磁気あるいはモーメン
トが大きい程、読み取りの際に検出される信号出力は大
きくなる。 （２）保磁力 保磁力とは、残留磁束を０に減少させるために必要な磁
界、即ち、記録した情報ビットを消去するのに必要な磁
界として定義される。媒体の保磁力が高いと、隣接する
記録ビット同士を、相互に消去しあうことなく、さらに
近づけることができる。従って、高保磁力は情報の高い
記憶密度に適している。 （３）信号対ノイズ比（ＳＮＲ） 信号対ノイズ比とは、与えられた周波数帯幅での、ノイ
ズ出力に対する所与の信号出力の比として定義され、ノ
イズレベルに関した信号出力の尺度である。Ｓ／Ｎ比が
高いほど、所与の信頼性のある読み取りが可能なビット
密度が大きくなる。
【０００３】（４）オーバーライト特性 オーバーライト特性とは、高周波数信号を有するある周
波数で、読み取られた信号を消去する際の効果として定
義される。オーバーライト特性は、新しい信号で古い信
号の上に上書きした後に残る残余信号の尺度となる。 （５）浮上高 浮上高とは、勢いよく回転するディスクの上方に浮いて
いる読み書きヘッドとディスクの間隔である。読み書き
ヘッドがディスク表面に近づくと、ディスクの隣接した
磁気領域の電圧信号の重なりが小さくなり記録密度が増
加する。浮上高は、原則的にはディスク表面の凸凹の度
合いにより限定される。標準のアルミニウム基板上に形
成された薄膜媒体は、最小浮上高が約６μインチであ
る。ガラス基板のようなもっと完璧に平らな基板上に形
成された薄膜媒体では、１〜２μインチと低い浮上高が
得られている。 （６）磁気ヒステリシスループ角形比 これは、飽和磁界に対する保磁力の比である。飽和磁界
が小さくなり、保磁力に近づくと、媒体の切り替え又は
媒体への「書き込み」の磁界強度が減少する。 （７）ビットシフトあるいはピークシフト これは、読み取り電圧波形で起きるピーク出力の減少と
同様、電圧ピーク間の広がりに関する用語である。ビッ
トシフトは隣接ピークの読み取り分解能を限定し、記録
密度の上限を決めるので、一般的に低いビットシフトを
達成することが望ましい。
波数で、読み取られた信号を消去する際の効果として定
義される。オーバーライト特性は、新しい信号で古い信
号の上に上書きした後に残る残余信号の尺度となる。 （５）浮上高 浮上高とは、勢いよく回転するディスクの上方に浮いて
いる読み書きヘッドとディスクの間隔である。読み書き
ヘッドがディスク表面に近づくと、ディスクの隣接した
磁気領域の電圧信号の重なりが小さくなり記録密度が増
加する。浮上高は、原則的にはディスク表面の凸凹の度
合いにより限定される。標準のアルミニウム基板上に形
成された薄膜媒体は、最小浮上高が約６μインチであ
る。ガラス基板のようなもっと完璧に平らな基板上に形
成された薄膜媒体では、１〜２μインチと低い浮上高が
得られている。 （６）磁気ヒステリシスループ角形比 これは、飽和磁界に対する保磁力の比である。飽和磁界
が小さくなり、保磁力に近づくと、媒体の切り替え又は
媒体への「書き込み」の磁界強度が減少する。 （７）ビットシフトあるいはピークシフト これは、読み取り電圧波形で起きるピーク出力の減少と
同様、電圧ピーク間の広がりに関する用語である。ビッ
トシフトは隣接ピークの読み取り分解能を限定し、記録
密度の上限を決めるので、一般的に低いビットシフトを
達成することが望ましい。
【０００４】（８）ビット密度 ビット密度とは、ビットが記録される媒体の密度であ
る。ビットは媒体での磁束遷移として確認され、単位長
当たりの磁束遷移の数として測定される。典型的にはビ
ット密度が高いほど、ノイズ対信号比は低くなる。 （９）パルス幅 パルス幅とは、一般に保磁力とは逆の関係にあるパラメ
ーターである。即ち、保磁力が高いほど、読み取られる
べきビットが少なくなる。 （１０）信号出力 信号出力とは、信号パルスのピーク対ピークの出力で、
記録周波数の関数である。媒体の記録密度は記録周波数
の増加における信号出力の低下に関係している。 （１１）信号の分解能 信号の分解能とは、低周波数トラック出力で高周波数ト
ラックの平均出力を割った比である。７０％の分解能が
得られるところでの記録周波数は、ディスクの情報記録
密度の一つの尺度を示す
る。ビットは媒体での磁束遷移として確認され、単位長
当たりの磁束遷移の数として測定される。典型的にはビ
ット密度が高いほど、ノイズ対信号比は低くなる。 （９）パルス幅 パルス幅とは、一般に保磁力とは逆の関係にあるパラメ
ーターである。即ち、保磁力が高いほど、読み取られる
べきビットが少なくなる。 （１０）信号出力 信号出力とは、信号パルスのピーク対ピークの出力で、
記録周波数の関数である。媒体の記録密度は記録周波数
の増加における信号出力の低下に関係している。 （１１）信号の分解能 信号の分解能とは、低周波数トラック出力で高周波数ト
ラックの平均出力を割った比である。７０％の分解能が
得られるところでの記録周波数は、ディスクの情報記録
密度の一つの尺度を示す
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の基本的課題
は、複数の合金からなる磁性薄膜層が、下層から上層に
向かって複数の合金の組成が徐々に変化するようにつく
られた磁気記録媒体を提供することにある。また、もう
一つの課題は、その製造方法を提供するものである。
は、複数の合金からなる磁性薄膜層が、下層から上層に
向かって複数の合金の組成が徐々に変化するようにつく
られた磁気記録媒体を提供することにある。また、もう
一つの課題は、その製造方法を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、一つの面から
みると次のようにいうことができる。即ち、本発明は、
（ａ）ディスク状の基板と、（ｂ）基板表面につくられ
たスパッタされた下地層と、（ｃ）約２０〜１００ｎｍ
の厚さで軸方向に組成が徐々に変化する組成上の勾配を
有する磁性薄膜層とからなり、その組成上の勾配におい
ては、層の最下層が、単一磁性層としてスパッタにより
蒸着されたときスパッタされた下地層に密接し、好まし
くは比較的低いノイズと低い残留磁気特性を有する第１
の合金から構成され、さらに、下地層の最上層が比較的
高いノイズと残留磁気特性を有する第２の合金とから構
成されているものである。この媒体は、（ｉ）磁性薄膜
層が第１又は第２の合金のいずれか一つの合金のみから
なる同様の媒体より十分に高い保磁力と、（ii）磁性薄
膜層が第１又は第２の合金のいずれか一つの合金のみか
らなる同様の媒体より十分に低い媒体のノイズレベルと
で特徴づけられている。一つの具体例では、スパッタさ
れた下地層は約３０〜３００ｎｍの厚さを有するクロム
下地層である。薄膜層は、約４０〜８０ｎｍの厚さを有
している。下層と上層の合金はコバルトと、Ｃｒ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｗ、Ｂ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｈｆ、Ｐのうちか
ら一つ又はそれ以上の元素を含み、磁性層は下層から上
層へ向かって徐々にその量が増えていくＰｔ及び／又は
Ｎｉを有している。
みると次のようにいうことができる。即ち、本発明は、
（ａ）ディスク状の基板と、（ｂ）基板表面につくられ
たスパッタされた下地層と、（ｃ）約２０〜１００ｎｍ
の厚さで軸方向に組成が徐々に変化する組成上の勾配を
有する磁性薄膜層とからなり、その組成上の勾配におい
ては、層の最下層が、単一磁性層としてスパッタにより
蒸着されたときスパッタされた下地層に密接し、好まし
くは比較的低いノイズと低い残留磁気特性を有する第１
の合金から構成され、さらに、下地層の最上層が比較的
高いノイズと残留磁気特性を有する第２の合金とから構
成されているものである。この媒体は、（ｉ）磁性薄膜
層が第１又は第２の合金のいずれか一つの合金のみから
なる同様の媒体より十分に高い保磁力と、（ii）磁性薄
膜層が第１又は第２の合金のいずれか一つの合金のみか
らなる同様の媒体より十分に低い媒体のノイズレベルと
で特徴づけられている。一つの具体例では、スパッタさ
れた下地層は約３０〜３００ｎｍの厚さを有するクロム
下地層である。薄膜層は、約４０〜８０ｎｍの厚さを有
している。下層と上層の合金はコバルトと、Ｃｒ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｗ、Ｂ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｈｆ、Ｐのうちか
ら一つ又はそれ以上の元素を含み、磁性層は下層から上
層へ向かって徐々にその量が増えていくＰｔ及び／又は
Ｎｉを有している。
【０００７】本発明の別の側面は、ディスク状の基板に
層状に形成された薄膜層を製造する方法である。その方
法は、約３０〜３００ｎｍの厚さを有する下地層を基板
上に効果的に形成する条件下、クロムを含むターゲット
を有する第１スパッタ領域を上流から下流方向にディス
ク状の基板を動かすものである。その後基板は、（ｉ）
基板がスパッタ蒸着領域の上流範囲に入ってから通過す
る間、単一磁性層としてスパッタにより蒸着される際
に、被覆された基板上にスパッタされた部材が蒸着され
るように配置された、比較的低いノイズと低い残留磁気
特性とを有する合金からなる上流ターゲット部分と、
（ii）基板が当該スパッタ蒸着領域の下流範囲を通過し
て出るまでの間、被覆された基板上にスパッタされた部
材が蒸着できるように配置された、比較的高いノイズと
残留磁気特性を有する第２の合金からなる下流のターゲ
ット部分とを、備えた上流部用と下流部用とに区分され
たターゲットを有する第２スパッタ領域を移動させられ
る。媒体の保磁力は、第１又は第２の合金のいずれか一
つのみからなる磁性薄膜層を有する同様の媒体よりも十
分に高く、さらに、媒体のノイズレベルも十分に小さ
い。
層状に形成された薄膜層を製造する方法である。その方
法は、約３０〜３００ｎｍの厚さを有する下地層を基板
上に効果的に形成する条件下、クロムを含むターゲット
を有する第１スパッタ領域を上流から下流方向にディス
ク状の基板を動かすものである。その後基板は、（ｉ）
基板がスパッタ蒸着領域の上流範囲に入ってから通過す
る間、単一磁性層としてスパッタにより蒸着される際
に、被覆された基板上にスパッタされた部材が蒸着され
るように配置された、比較的低いノイズと低い残留磁気
特性とを有する合金からなる上流ターゲット部分と、
（ii）基板が当該スパッタ蒸着領域の下流範囲を通過し
て出るまでの間、被覆された基板上にスパッタされた部
材が蒸着できるように配置された、比較的高いノイズと
残留磁気特性を有する第２の合金からなる下流のターゲ
ット部分とを、備えた上流部用と下流部用とに区分され
たターゲットを有する第２スパッタ領域を移動させられ
る。媒体の保磁力は、第１又は第２の合金のいずれか一
つのみからなる磁性薄膜層を有する同様の媒体よりも十
分に高く、さらに、媒体のノイズレベルも十分に小さ
い。
【０００８】製造方法の具体例では、基板は、第１及び
第２スパッタ領域に移動するとき、複数の当該被覆され
た基板を支持するパレットに載せられて運ばれる。上流
のターゲット部分はＣｏと、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、
Ｗ、Ｂ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｈｆ、あるいはＰからの一つ又は
それ以上の元素とを含む合金からなり、下流のターゲッ
ト部分はＣｏと、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｗ、Ｂ、Ｚ
ｒ、Ｓｉ、Ｈｆ、あるいはＰからの一つ又はそれ以上の
元素とを含む合金からなり、さらに、下流のターゲット
部分は上流のターゲット部分よりもＰｔ及び／又はＮｉ
を多く含んでいる。本発明に関して上に述べたことやそ
の他の課題及び特徴は、以下、添付図面と併せて発明の
詳細な説明により、一層明らかにする。
第２スパッタ領域に移動するとき、複数の当該被覆され
た基板を支持するパレットに載せられて運ばれる。上流
のターゲット部分はＣｏと、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、
Ｗ、Ｂ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｈｆ、あるいはＰからの一つ又は
それ以上の元素とを含む合金からなり、下流のターゲッ
ト部分はＣｏと、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｗ、Ｂ、Ｚ
ｒ、Ｓｉ、Ｈｆ、あるいはＰからの一つ又はそれ以上の
元素とを含む合金からなり、さらに、下流のターゲット
部分は上流のターゲット部分よりもＰｔ及び／又はＮｉ
を多く含んでいる。本発明に関して上に述べたことやそ
の他の課題及び特徴は、以下、添付図面と併せて発明の
詳細な説明により、一層明らかにする。
【０００９】
Ｉ．薄膜媒体 図１は、本発明の一つの実施例により製造された薄膜媒
体であるディスク２０の部分横断面図である。このディ
スクは、一般に硬い基板２２と基板上に連続的に形成さ
れた薄膜層、スパッタされた結晶状下地層２４あるいは
ニッケル含有合金を有している。これらは、直接基板上
にスパッタされ、磁性薄膜層２６は下層２８、中間層２
９及び上層３０と、さらに保護用の炭素被覆３２とから
なっている。最後に、モンテジソン社製のＡｍ２００１
からなる保護層上に、ペルフルオロポリマーの潤滑層
（図示されず）が形成されている。この潤滑層は好まし
くは、１〜４ｎｍの厚さを有するものである。三つの層
は、典型的には、順次連続的に組成比が変化していくよ
うになっている。即ち、そこでは、下の方の副層は一つ
の合金Ｍ１が主体であって、上方の副層は別の合金Ｍ２
が主体であり、さらに、中間の副層は上方の副層に向か
って徐々に合金Ｍ２が増えるように形成されている。基
板はテクスチャー処理が施された基板でよく、ディジタ
ル記録媒体で通常使用されている表面被覆された、テク
スチャー処理済みのアルミニウム基板のようなものでよ
い。典型的には、基板は先ず、必要な表面の高度を得る
ために、ニッケル／リンメッキ処理のような選ばれた合
金メッキ処理によりメッキされており、そのメッキの厚
さは約３００〜７００μインチである。基板は、テクス
チャー処理済み又はテクスチャー処理されないガラス、
セラミックあるいはカーボン基板のどれでもよく、これ
らは例えば１９９０年２月２０日出願の共同出願に係る
米国特許第475,715 号の「被制御低摩擦表面を有するガ
ラス基板」に開示されている。
体であるディスク２０の部分横断面図である。このディ
スクは、一般に硬い基板２２と基板上に連続的に形成さ
れた薄膜層、スパッタされた結晶状下地層２４あるいは
ニッケル含有合金を有している。これらは、直接基板上
にスパッタされ、磁性薄膜層２６は下層２８、中間層２
９及び上層３０と、さらに保護用の炭素被覆３２とから
なっている。最後に、モンテジソン社製のＡｍ２００１
からなる保護層上に、ペルフルオロポリマーの潤滑層
（図示されず）が形成されている。この潤滑層は好まし
くは、１〜４ｎｍの厚さを有するものである。三つの層
は、典型的には、順次連続的に組成比が変化していくよ
うになっている。即ち、そこでは、下の方の副層は一つ
の合金Ｍ１が主体であって、上方の副層は別の合金Ｍ２
が主体であり、さらに、中間の副層は上方の副層に向か
って徐々に合金Ｍ２が増えるように形成されている。基
板はテクスチャー処理が施された基板でよく、ディジタ
ル記録媒体で通常使用されている表面被覆された、テク
スチャー処理済みのアルミニウム基板のようなものでよ
い。典型的には、基板は先ず、必要な表面の高度を得る
ために、ニッケル／リンメッキ処理のような選ばれた合
金メッキ処理によりメッキされており、そのメッキの厚
さは約３００〜７００μインチである。基板は、テクス
チャー処理済み又はテクスチャー処理されないガラス、
セラミックあるいはカーボン基板のどれでもよく、これ
らは例えば１９９０年２月２０日出願の共同出願に係る
米国特許第475,715 号の「被制御低摩擦表面を有するガ
ラス基板」に開示されている。
【００１０】二つの通常サイズの基板は、４０ｍｍ及び
２５ｍｍ（１．５７及び０．９８インチ）の内径に合わ
せて、それぞれ１３０ｍｍと９０ｍｍの（５．１及び
３．７４インチ）の外径を有している。本発明の好まし
い具体例及び比較例に使用されたディスクは、０．９８
インチの内径と３．７４インチの外径を有している。こ
れらの口径は内側及び外側の縁で決められており、図１
ではそれぞれ、３４、３６で示されている。結晶状下地
層は、好ましくは約３０〜３００ｎｍの厚さを有するス
パッタされたクロム下地層である。高い保磁力、残留磁
気及びループ角形比の値は、特に約１００〜３００ｎｍ
の下地層の厚さで得られた。クロム含有合金、例えば、
ＣｒＶ、ＣｒＧｄ、ＣｒＳｉのようなものも、タングス
テン下地層のように使用できる。スパッタされた磁性薄
膜層２６は、軸方向に徐々に変化する組成を有してい
る。そこでは、スパッタにより単一磁性層として蒸着さ
れるとき、スパッタされた下地層に密接してつくられた
た最下層２８が、比較的低いノイズと低い残留磁気特性
を有した、通例Ｍ１として区別される第１の合金からな
っている。上層３０は、比較的高いノイズと残留磁気特
性を有する第２の合金からなっている。中間層２９は、
合金Ｍ１から合金Ｍ２へ組成が徐々に変化している。媒
体は、（ｉ）磁性薄膜層が第１又は第２の合金のいずれ
か一つのみからなる同様の媒体よりも、十分に大きな保
磁力と、（ii）磁性薄膜が第１又は第２の合金のいずれ
か一つのみからなる同様の媒体よりも、十分に小さい媒
体のノイズレベルとで、特徴づけられている。
２５ｍｍ（１．５７及び０．９８インチ）の内径に合わ
せて、それぞれ１３０ｍｍと９０ｍｍの（５．１及び
３．７４インチ）の外径を有している。本発明の好まし
い具体例及び比較例に使用されたディスクは、０．９８
インチの内径と３．７４インチの外径を有している。こ
れらの口径は内側及び外側の縁で決められており、図１
ではそれぞれ、３４、３６で示されている。結晶状下地
層は、好ましくは約３０〜３００ｎｍの厚さを有するス
パッタされたクロム下地層である。高い保磁力、残留磁
気及びループ角形比の値は、特に約１００〜３００ｎｍ
の下地層の厚さで得られた。クロム含有合金、例えば、
ＣｒＶ、ＣｒＧｄ、ＣｒＳｉのようなものも、タングス
テン下地層のように使用できる。スパッタされた磁性薄
膜層２６は、軸方向に徐々に変化する組成を有してい
る。そこでは、スパッタにより単一磁性層として蒸着さ
れるとき、スパッタされた下地層に密接してつくられた
た最下層２８が、比較的低いノイズと低い残留磁気特性
を有した、通例Ｍ１として区別される第１の合金からな
っている。上層３０は、比較的高いノイズと残留磁気特
性を有する第２の合金からなっている。中間層２９は、
合金Ｍ１から合金Ｍ２へ組成が徐々に変化している。媒
体は、（ｉ）磁性薄膜層が第１又は第２の合金のいずれ
か一つのみからなる同様の媒体よりも、十分に大きな保
磁力と、（ii）磁性薄膜が第１又は第２の合金のいずれ
か一つのみからなる同様の媒体よりも、十分に小さい媒
体のノイズレベルとで、特徴づけられている。
【００１１】図１の具体例における磁性層は、約２０〜
４０ｎｍの好ましい磁性膜の厚さを有している。例で
は、二つの副層が異なった磁性合金、好ましくはＣｏを
主体とした合金からなっている。典型的には、合金はＣ
ｏと、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｖ、Ｗ、Ｂ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｈ
ｆ、又はＰからなる元素のうち一つ又はそれ以上を含ん
でいる。一つの具体例では、下層の合金は、原子量比７
０〜９０％のコバルト、原子量比５〜２０％のクロム、
原子量比２〜１０％のタンタルからなっている。詳細例
としては、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｔａは、表１に示されているよ
うに８４．５：１２．５：３原子量比のものである。上
層の合金は、原子量比５５〜７０％のコバルト、原子量
比５〜４０％のニッケル、原子量比３〜２０％のクロム
からなっている。詳しくは、原子量比６２．５％のコバ
ルト、原子量比３０％のニッケル及び原子量比７．５％
のクロムで、表１に示されている例である。
４０ｎｍの好ましい磁性膜の厚さを有している。例で
は、二つの副層が異なった磁性合金、好ましくはＣｏを
主体とした合金からなっている。典型的には、合金はＣ
ｏと、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｖ、Ｗ、Ｂ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｈ
ｆ、又はＰからなる元素のうち一つ又はそれ以上を含ん
でいる。一つの具体例では、下層の合金は、原子量比７
０〜９０％のコバルト、原子量比５〜２０％のクロム、
原子量比２〜１０％のタンタルからなっている。詳細例
としては、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｔａは、表１に示されているよ
うに８４．５：１２．５：３原子量比のものである。上
層の合金は、原子量比５５〜７０％のコバルト、原子量
比５〜４０％のニッケル、原子量比３〜２０％のクロム
からなっている。詳しくは、原子量比６２．５％のコバ
ルト、原子量比３０％のニッケル及び原子量比７．５％
のクロムで、表１に示されている例である。
【表１】
【００１２】ＩＩ．媒体の製造方法 Ｉ節で述べた薄膜媒体を製造する発明の方法に、通常の
スパッタ装置（図示せず）を使用しても構わない。装置
は、スパッタ又は加熱工程が行われる少なくとも四つの
ステーションを有する真空室を備えている。真空室の上
流端部の加熱ステーションは、複数の赤外線光源又は抵
抗線を持つヒーターを有しており、それらは、ディスク
保持器又はパレットで真空室内のステーションを運ばれ
た基板の両面を加熱できるように配列されている。加熱
ステーションの下流は、三つのスパッタステーションと
なっており、そこでは、（１）クロム下地層、（２）磁
性薄膜を形成する三つの層、（３）炭素被覆が、スパッ
タされるようになっている。基本的なスパッタ装置は、
好ましくは以下に述べるところから購入できる市販シス
テムである。ヴァリアン／インテバック社（カリフォル
ニア州、サンタクララ）、サーキット・プロセッシング
・アパラタス社（カリフォルニア州、フェアモント）、
ＵＬＶＡＣ社（日本）、レイバルト・ヘラウス社（ドイ
ツ）、ＶＡＣＴＥＣ（ボルダー社）、アネルバ（日本）
またはマテリアル・リサーチ・コーポレーション（ニョ
ーク州、アリバニー）。これらのシステムは、ロード及
びアンロード用に２つの連動システムを備えた両面、イ
ン−ライン、高処理能力装置である。
スパッタ装置（図示せず）を使用しても構わない。装置
は、スパッタ又は加熱工程が行われる少なくとも四つの
ステーションを有する真空室を備えている。真空室の上
流端部の加熱ステーションは、複数の赤外線光源又は抵
抗線を持つヒーターを有しており、それらは、ディスク
保持器又はパレットで真空室内のステーションを運ばれ
た基板の両面を加熱できるように配列されている。加熱
ステーションの下流は、三つのスパッタステーションと
なっており、そこでは、（１）クロム下地層、（２）磁
性薄膜を形成する三つの層、（３）炭素被覆が、スパッ
タされるようになっている。基本的なスパッタ装置は、
好ましくは以下に述べるところから購入できる市販シス
テムである。ヴァリアン／インテバック社（カリフォル
ニア州、サンタクララ）、サーキット・プロセッシング
・アパラタス社（カリフォルニア州、フェアモント）、
ＵＬＶＡＣ社（日本）、レイバルト・ヘラウス社（ドイ
ツ）、ＶＡＣＴＥＣ（ボルダー社）、アネルバ（日本）
またはマテリアル・リサーチ・コーポレーション（ニョ
ーク州、アリバニー）。これらのシステムは、ロード及
びアンロード用に２つの連動システムを備えた両面、イ
ン−ライン、高処理能力装置である。
【００１３】運転時には、スパッタ室は約１０-7トール
まで減圧し、最終スパッタ圧が５〜２０ｍＴｏｒｒにな
るまでアルゴンガスが室内に導入される。基板は、三つ
のスパッタ室に進む前に、加熱ステーションで選定温度
にまで加熱されるようになっている。装置の加熱条件
は、好ましくは約２００℃の基板温度になるように調節
されるのがよく、さらには約２７０℃が好ましい。基板
温度は、非金属基板に対しては約４００℃まで上げても
構わない。図５は、媒体Ｍ１（＋）あるいはＭ２
（＊）、又は組成量が徐々に変化するように構成された
媒体（黒塗りの四角）Ｍ２／Ｍ１とからできた磁性層を
有するディスクの保磁力を示している。上記三つの媒体
では全て、加熱時間が、２．５、４．５、及び５分と、
長いほど高い保磁力が得られている。さらに、組成量が
徐々に変化する媒体を有したディスクの保磁力は、Ｍ１
又はＭ２のいずれか一つからなる磁性層を有したディス
クよりも高い。加熱された基板は、第１スパッタ室に送
られ、テクスチャー処理が施されたディスク表面にクロ
ム下地層がスパッタされる。その際、蒸着層では（１１
０）結晶面が、主に基板の表面となっている。すなわ
ち、クロム下地層が、高い異方性を有した平行／垂直方
向の結晶配向比を有しているということである。この異
方性は、平行なＣ軸方向に磁性層を形成する間に、所望
の磁性層の結晶配向をつくる上で重要であり、ひいて
は、このことは縦方向の記録における高い保磁力の達成
に必要である。（１１０）結晶面の形成に好適なスパッ
タ電圧と蒸着層の割合は、当該業者には公知である。
まで減圧し、最終スパッタ圧が５〜２０ｍＴｏｒｒにな
るまでアルゴンガスが室内に導入される。基板は、三つ
のスパッタ室に進む前に、加熱ステーションで選定温度
にまで加熱されるようになっている。装置の加熱条件
は、好ましくは約２００℃の基板温度になるように調節
されるのがよく、さらには約２７０℃が好ましい。基板
温度は、非金属基板に対しては約４００℃まで上げても
構わない。図５は、媒体Ｍ１（＋）あるいはＭ２
（＊）、又は組成量が徐々に変化するように構成された
媒体（黒塗りの四角）Ｍ２／Ｍ１とからできた磁性層を
有するディスクの保磁力を示している。上記三つの媒体
では全て、加熱時間が、２．５、４．５、及び５分と、
長いほど高い保磁力が得られている。さらに、組成量が
徐々に変化する媒体を有したディスクの保磁力は、Ｍ１
又はＭ２のいずれか一つからなる磁性層を有したディス
クよりも高い。加熱された基板は、第１スパッタ室に送
られ、テクスチャー処理が施されたディスク表面にクロ
ム下地層がスパッタされる。その際、蒸着層では（１１
０）結晶面が、主に基板の表面となっている。すなわ
ち、クロム下地層が、高い異方性を有した平行／垂直方
向の結晶配向比を有しているということである。この異
方性は、平行なＣ軸方向に磁性層を形成する間に、所望
の磁性層の結晶配向をつくる上で重要であり、ひいて
は、このことは縦方向の記録における高い保磁力の達成
に必要である。（１１０）結晶面の形成に好適なスパッ
タ電圧と蒸着層の割合は、当該業者には公知である。
【００１４】本発明では、発明の薄膜記録媒体における
所望の磁気特性を得るために、下地層の厚さを適宜選択
しても構わない。これに関する研究は、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｔ
ａ／Ｐｔからなる薄膜媒体を有したもので行われ、共同
出願に係る米国特許第 5,049,451で報告されており、約
１００〜３００ｎｍの下地層の厚さで最高の保磁力と分
解能が得られる可能性を示唆している。下地層の厚さ
は、通常のスパッタ蒸着パラメータ、つまりスパッタ
圧、ターゲット出力、電圧及び蒸着時間などによって制
御されるようになっている。これらのパラメーターは、
通常所望の下地層の厚さが得られるように設定される。
図６は、クロム−下地層の厚さの関数としての、媒体Ｍ
１、Ｍ２及びＭ２／Ｍ１からなるディスクの結果として
得られた保磁力を示している。より厚い下地層を有した
ディスクが、一般により高い保磁力を有している。組成
量が徐々に変化する、いわゆる組成勾配を有する媒体の
保磁力は、組成勾配を持たない二つのどの媒体よりも大
きい。図２は、一般に図４（Ａ）に示す第２スパッタス
テーション４６に入る前の、工程内進行中の基板及び下
地層からなる個々のディスク４４が並んだ、ディスク配
置４２を有するパレット４０を示している。図４（Ａ）
のスパッタステーション４６は、合金Ｍ１でできた上流
部分５０と、合金Ｍ２でできた隣接した下流部分とから
なるターゲット４８を有している。ターゲットはパレッ
トに応じた長さを有しており、パレットがスパッタステ
ーションを通過するときに、全てのディスクが一貫して
ターゲット合金によりスパッタされるようになってい
る。
所望の磁気特性を得るために、下地層の厚さを適宜選択
しても構わない。これに関する研究は、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｔ
ａ／Ｐｔからなる薄膜媒体を有したもので行われ、共同
出願に係る米国特許第 5,049,451で報告されており、約
１００〜３００ｎｍの下地層の厚さで最高の保磁力と分
解能が得られる可能性を示唆している。下地層の厚さ
は、通常のスパッタ蒸着パラメータ、つまりスパッタ
圧、ターゲット出力、電圧及び蒸着時間などによって制
御されるようになっている。これらのパラメーターは、
通常所望の下地層の厚さが得られるように設定される。
図６は、クロム−下地層の厚さの関数としての、媒体Ｍ
１、Ｍ２及びＭ２／Ｍ１からなるディスクの結果として
得られた保磁力を示している。より厚い下地層を有した
ディスクが、一般により高い保磁力を有している。組成
量が徐々に変化する、いわゆる組成勾配を有する媒体の
保磁力は、組成勾配を持たない二つのどの媒体よりも大
きい。図２は、一般に図４（Ａ）に示す第２スパッタス
テーション４６に入る前の、工程内進行中の基板及び下
地層からなる個々のディスク４４が並んだ、ディスク配
置４２を有するパレット４０を示している。図４（Ａ）
のスパッタステーション４６は、合金Ｍ１でできた上流
部分５０と、合金Ｍ２でできた隣接した下流部分とから
なるターゲット４８を有している。ターゲットはパレッ
トに応じた長さを有しており、パレットがスパッタステ
ーションを通過するときに、全てのディスクが一貫して
ターゲット合金によりスパッタされるようになってい
る。
【００１５】図３には、二つのターゲット部分が接着さ
れて、単一の一個のターゲットを形成していることが示
されている。二つの部分は、製造の際に接着し易いよう
に、互いに傾斜面５３を合わせるようにして接合されて
いる。本発明では他の形のターゲットも考えられてい
る。例えば、下層２８及び上層３０に比べて、中間層が
少なくてもよい場合には、二つの部分を若干離して配置
するようにすればよい。また、図３に見られるように、
二つの部分のそれぞれの平均的な長さＬ１、Ｌ２はほぼ
等しくなっている。ディスクのそれぞれの媒体の蒸着量
を変えるには、二つの部分のうち一方又は両方の長さの
寸法を変えるようにすればよい。図４（Ａ）〜（Ｃ）
は、図１で示したディスク２０を製造する際の、磁性媒
体でディスク４４をスパッタする工程を簡単に図示した
ものである。図４（Ａ）は、ターゲット部分５０により
Ｍ１媒体だけが蒸着されるようになっている、初めのス
パッタ領域５４に入った直後の、パレット４０に載せら
れたディスク４４を示している。図４（Ｂ）は、両方の
ターゲット部分からスパッタされる中間のスパッタ領域
５６を通過するディスクを示している。ディスク４４が
この領域を通過するときには、ターゲット部分５２より
受ける媒体Ｍ２の量は増えていき、媒体Ｍ１の量は減っ
ていくようになっている。図４（Ｃ）は、ディスクが媒
体Ｍ２だけでスパッタされるようになっている最終のス
パッタ領域５８を通過して、スパッタステーション４６
の工程を終えようとするところを示している。
れて、単一の一個のターゲットを形成していることが示
されている。二つの部分は、製造の際に接着し易いよう
に、互いに傾斜面５３を合わせるようにして接合されて
いる。本発明では他の形のターゲットも考えられてい
る。例えば、下層２８及び上層３０に比べて、中間層が
少なくてもよい場合には、二つの部分を若干離して配置
するようにすればよい。また、図３に見られるように、
二つの部分のそれぞれの平均的な長さＬ１、Ｌ２はほぼ
等しくなっている。ディスクのそれぞれの媒体の蒸着量
を変えるには、二つの部分のうち一方又は両方の長さの
寸法を変えるようにすればよい。図４（Ａ）〜（Ｃ）
は、図１で示したディスク２０を製造する際の、磁性媒
体でディスク４４をスパッタする工程を簡単に図示した
ものである。図４（Ａ）は、ターゲット部分５０により
Ｍ１媒体だけが蒸着されるようになっている、初めのス
パッタ領域５４に入った直後の、パレット４０に載せら
れたディスク４４を示している。図４（Ｂ）は、両方の
ターゲット部分からスパッタされる中間のスパッタ領域
５６を通過するディスクを示している。ディスク４４が
この領域を通過するときには、ターゲット部分５２より
受ける媒体Ｍ２の量は増えていき、媒体Ｍ１の量は減っ
ていくようになっている。図４（Ｃ）は、ディスクが媒
体Ｍ２だけでスパッタされるようになっている最終のス
パッタ領域５８を通過して、スパッタステーション４６
の工程を終えようとするところを示している。
【００１６】従って、この工程によって、図１に関して
前に述べたように、磁性媒体の下層と中間層及び上層と
を有した組成量が、軸方向に徐々に変化するように形成
された磁性薄膜層２６が得られる。単一磁性層としてス
パッタにより蒸着されるとき、スパッタされた下地層に
密接してつくられた層の最下層は、比較的低いノイズ及
び低い残留磁気特性を有する第１の合金から構成されて
いることが好ましい。下地層の上層は、比較的高いノイ
ズと残留磁気特性とを有する第２の合金からなってい
る。この結果、（ｉ）第１又は第２の合金のいずれか一
つだけで構成された磁性薄膜層を持つ同様の媒体よりも
十分に高い保磁力と、（ii）第１又は第２の合金のいず
れか一つだけで構成された磁性薄膜層を持つ同様の媒体
よりも十分に小さいノイズレベルとを有する、磁性薄膜
が得られる。薄膜媒体の炭素被覆は、炭素がダイヤモン
ド構造のＳＰ2 が主体である条件下、磁性層状に炭素を
スパッタすることにより製造された炭素層であることが
好ましい。その被覆の厚さは、好ましくは２０〜５０ｎ
ｍである。本発明により構成された磁性媒体の諸特性の
性能を評価するために、四つの薄膜媒体が用意された。
媒体の二つは、表１に示したように、ＣｏＣｒＴａ（Ｍ
１）の単一層か、又はＣｏＮｉＣｒ（Ｍ２）の単一層か
のいずれか一つからなる単一合金の磁性層を有してい
る。以下述べた図５〜９に関して分かるように、単一磁
性層としてスパッタにより蒸着されるときは、ＣｏＣｒ
Ｔａ媒体は比較的低いノイズと低い残留磁気特性を有し
ている。一方、ＣｏＮｉＴａ媒体は、比較的高いノイズ
と残留磁気特性を有している。
前に述べたように、磁性媒体の下層と中間層及び上層と
を有した組成量が、軸方向に徐々に変化するように形成
された磁性薄膜層２６が得られる。単一磁性層としてス
パッタにより蒸着されるとき、スパッタされた下地層に
密接してつくられた層の最下層は、比較的低いノイズ及
び低い残留磁気特性を有する第１の合金から構成されて
いることが好ましい。下地層の上層は、比較的高いノイ
ズと残留磁気特性とを有する第２の合金からなってい
る。この結果、（ｉ）第１又は第２の合金のいずれか一
つだけで構成された磁性薄膜層を持つ同様の媒体よりも
十分に高い保磁力と、（ii）第１又は第２の合金のいず
れか一つだけで構成された磁性薄膜層を持つ同様の媒体
よりも十分に小さいノイズレベルとを有する、磁性薄膜
が得られる。薄膜媒体の炭素被覆は、炭素がダイヤモン
ド構造のＳＰ2 が主体である条件下、磁性層状に炭素を
スパッタすることにより製造された炭素層であることが
好ましい。その被覆の厚さは、好ましくは２０〜５０ｎ
ｍである。本発明により構成された磁性媒体の諸特性の
性能を評価するために、四つの薄膜媒体が用意された。
媒体の二つは、表１に示したように、ＣｏＣｒＴａ（Ｍ
１）の単一層か、又はＣｏＮｉＣｒ（Ｍ２）の単一層か
のいずれか一つからなる単一合金の磁性層を有してい
る。以下述べた図５〜９に関して分かるように、単一磁
性層としてスパッタにより蒸着されるときは、ＣｏＣｒ
Ｔａ媒体は比較的低いノイズと低い残留磁気特性を有し
ている。一方、ＣｏＮｉＴａ媒体は、比較的高いノイズ
と残留磁気特性を有している。
【００１７】他の二つのディスクは、下層Ｍ１と上層Ｍ
２からなる組成量が徐々に変化するように構成された層
（Ｍ２／Ｍ１）、又は下層Ｍ２と上層Ｍ１からなる組成
量が徐々に変化するように構成された層（Ｍ１／Ｍ２）
とからなっている。これら組成量が徐々に変化する媒体
の方が両方とも、それぞれの媒体よりも高い保磁力を示
してはいるが、Ｍ１／Ｍ２で示される組成量が徐々に変
化する媒体の方は、Ｍ２／Ｍ１媒体で示される組成量が
徐々に変化する媒体よりもかなり高いノイズ特性を有し
ており、Ｍ１／Ｍ２はこの点で余り望ましいものではな
い。以下に論じる媒体の記録特性は、Ｇｕｚｉｋモデル
５０１の読み／書きアナライザーで、０．３６ミクロン
のギャップ長、１１ミクロンのギャップ幅、１２〜１５
ミクロンのポール幅、巻き数３０のコイルを有する薄膜
誘導読み出し及び記録用ヘッドを用いて行われた。７．
７（ＩＤ）〜１７（ＯＤ）ｍ／ｓｅｃ．の間で変えられ
た線形速度での浮上高は、１００〜１５０ｎｍの範囲内
であった。ヘッドのインダクタンスは１．１μヘンリー
で、抵抗は３０オームであった。浮上高は、１１４ｎｍ
であった。記録電流は、３０ｍアンペアーで飽和した。
記録周波数はディスク内径で７．１７ＭＨｚ、ディスク
外径で１４．６４ＭＨｚであり、これらの周波数は、特
に内径及び外径が２５ｍｍ、９５ｍｍであるディスクの
読み書き用ヘッドの、通常操作における周波数に該当し
ている。遷移ノイズは、読み／書きアナライザー及びヒ
ューレット−パッカード社製のモデルＨＰ−５３８５ス
ペクトル分析器を使用して測定された。リードバック信
号のノイズ出力のスペクトルの密度が測定され、回路の
スペクトル密度が除かれた。全ての媒体のノイズ出力を
算出するため、その結果が０〜２０ＭＨｚに亙って積算
された。トータルの媒体ノイズＮｍは、異なった一次密
度で測定を繰り返して得られた。Ｎｍは、遷移位置の変
化の尺度である。ノイズと信号出力は、記録ヘッドのア
ウトプットに関係している。トータルの媒体ノイズ電圧
Ｎｍは、ＩＥＥＥ磁気部門会報１９８３年、ＭＡＧ−１
９の１７２２ページに記載のＲ．Ａ．Ｂａｕｇｈ等にし
たがって、残留磁気と厚さの積、（Ｍｒｔ）2 で割って
標準化された。
２からなる組成量が徐々に変化するように構成された層
（Ｍ２／Ｍ１）、又は下層Ｍ２と上層Ｍ１からなる組成
量が徐々に変化するように構成された層（Ｍ１／Ｍ２）
とからなっている。これら組成量が徐々に変化する媒体
の方が両方とも、それぞれの媒体よりも高い保磁力を示
してはいるが、Ｍ１／Ｍ２で示される組成量が徐々に変
化する媒体の方は、Ｍ２／Ｍ１媒体で示される組成量が
徐々に変化する媒体よりもかなり高いノイズ特性を有し
ており、Ｍ１／Ｍ２はこの点で余り望ましいものではな
い。以下に論じる媒体の記録特性は、Ｇｕｚｉｋモデル
５０１の読み／書きアナライザーで、０．３６ミクロン
のギャップ長、１１ミクロンのギャップ幅、１２〜１５
ミクロンのポール幅、巻き数３０のコイルを有する薄膜
誘導読み出し及び記録用ヘッドを用いて行われた。７．
７（ＩＤ）〜１７（ＯＤ）ｍ／ｓｅｃ．の間で変えられ
た線形速度での浮上高は、１００〜１５０ｎｍの範囲内
であった。ヘッドのインダクタンスは１．１μヘンリー
で、抵抗は３０オームであった。浮上高は、１１４ｎｍ
であった。記録電流は、３０ｍアンペアーで飽和した。
記録周波数はディスク内径で７．１７ＭＨｚ、ディスク
外径で１４．６４ＭＨｚであり、これらの周波数は、特
に内径及び外径が２５ｍｍ、９５ｍｍであるディスクの
読み書き用ヘッドの、通常操作における周波数に該当し
ている。遷移ノイズは、読み／書きアナライザー及びヒ
ューレット−パッカード社製のモデルＨＰ−５３８５ス
ペクトル分析器を使用して測定された。リードバック信
号のノイズ出力のスペクトルの密度が測定され、回路の
スペクトル密度が除かれた。全ての媒体のノイズ出力を
算出するため、その結果が０〜２０ＭＨｚに亙って積算
された。トータルの媒体ノイズＮｍは、異なった一次密
度で測定を繰り返して得られた。Ｎｍは、遷移位置の変
化の尺度である。ノイズと信号出力は、記録ヘッドのア
ウトプットに関係している。トータルの媒体ノイズ電圧
Ｎｍは、ＩＥＥＥ磁気部門会報１９８３年、ＭＡＧ−１
９の１７２２ページに記載のＲ．Ａ．Ｂａｕｇｈ等にし
たがって、残留磁気と厚さの積、（Ｍｒｔ）2 で割って
標準化された。
【００１８】表２は、表１に示された二つの磁性合金Ｍ
１とＭ２、及び二つの合金からなる組成量が徐々に変化
する媒体Ｍ２／Ｍ１とＭ１／Ｍ２とにおける、保磁力、
角形比、残留磁気（４π Ｍｒ）、及び磁性膜の厚さを
示している。
１とＭ２、及び二つの合金からなる組成量が徐々に変化
する媒体Ｍ２／Ｍ１とＭ１／Ｍ２とにおける、保磁力、
角形比、残留磁気（４π Ｍｒ）、及び磁性膜の厚さを
示している。
【表２】 組成量が徐々に変化する媒体の保磁力は、約２０％ほど
ＣｏＣｒＴａやＣｏＮｉＣｒ媒体よりも大きい。組成量
が徐々に変化する媒体の磁気モーメントは、ＣｏＣｒＴ
ａ媒体よりも約１５〜３０％ほども高いが、ＣｏＮｉＣ
ｒ媒体よりは約２５〜３５％ほど低い。
ＣｏＣｒＴａやＣｏＮｉＣｒ媒体よりも大きい。組成量
が徐々に変化する媒体の磁気モーメントは、ＣｏＣｒＴ
ａ媒体よりも約１５〜３０％ほども高いが、ＣｏＮｉＣ
ｒ媒体よりは約２５〜３５％ほど低い。
【００１９】表３は、ディスクの種々のパラメーターを
一覧にしたもので、このパラメーターは、周波数７．１
７ＭＨｚでの内径で測定された媒体Ｍ１、Ｍ２及びＭ２
／Ｍ１からなる磁性薄膜層を有するディスクのパラメー
ターである。各々の型の薄膜媒体に対し、パラメーター
はＯｅで測定された保磁力（ＢＨ、ＨＣ）、μＶで測定
された高周波数出力（ＨＦ）、パーセント分解能、−ｄ
Ｂで測定されたオーバーライト機能（ＯＷ）、ｎｓで測
定されたパルス幅（ＰＷ ５０）、ｎｓで測定されたビ
ットシフト（ＢＳ）である。一次記録密度は、三つの全
ての媒体に対して、１７８２ flux chages ／ｍｍであ
る。
一覧にしたもので、このパラメーターは、周波数７．１
７ＭＨｚでの内径で測定された媒体Ｍ１、Ｍ２及びＭ２
／Ｍ１からなる磁性薄膜層を有するディスクのパラメー
ターである。各々の型の薄膜媒体に対し、パラメーター
はＯｅで測定された保磁力（ＢＨ、ＨＣ）、μＶで測定
された高周波数出力（ＨＦ）、パーセント分解能、−ｄ
Ｂで測定されたオーバーライト機能（ＯＷ）、ｎｓで測
定されたパルス幅（ＰＷ ５０）、ｎｓで測定されたビ
ットシフト（ＢＳ）である。一次記録密度は、三つの全
ての媒体に対して、１７８２ flux chages ／ｍｍであ
る。
【表３】 これらのパラメーターは、一般に類似しており、元の媒
体Ｍ１（ＣｏＣｒＴａ）に比較して組成量が徐々に変化
する媒体は、かなり低いビットシフトを有していること
がわかる。
体Ｍ１（ＣｏＣｒＴａ）に比較して組成量が徐々に変化
する媒体は、かなり低いビットシフトを有していること
がわかる。
【００２０】表４には、表３と同じディスクに対する同
じパラメーターが示されている。異なる点は、表４のパ
ラメーターが１４．６４ＭＨｚの外径で測定されたこと
だけである。
じパラメーターが示されている。異なる点は、表４のパ
ラメーターが１４．６４ＭＨｚの外径で測定されたこと
だけである。
【表４】
【００２１】外径領域では、組成量が徐々に変化する媒
体での分解能は改善されるが、オーバーライト機能は減
少している。図７〜９は、色々な値の領域で得られた他
の比較結果を示している。図７は、Ｍ１、Ｍ２及びＭ２
／Ｍ１の三つのディスクの保磁力と、残留磁気−膜厚の
積とのプロットを示しており、残留磁気と保磁力の間に
は負の相関があることがわかる。つまり、残留磁気−膜
厚の積が増加すると、それに対応して保磁力で減少が見
られる。しかしながら、両方の媒体で測定された残留磁
気−膜厚の積の値においては、組成量が徐々に変化する
薄膜媒体を有するディスクの保磁力は、二つの単一の型
の磁性薄膜層でできたディスクよりも大きいことがわか
る。図８には、記録一次密度の関数であるディスクの標
準化されたノイズが示されている。予想されたように、
記録密度が増えるにしたがって、ノイズも増えている。
また、組成量が徐々に変化する媒体を有するディスク
は、Ｍ１又はＭ２の媒体だけからなる磁性層を持つディ
スクより低いノイズレベルを示している。組成量が徐々
に変化する媒体の交流の電流信号対ノイズ比のプロット
は、ＣｏＣｒＴａ媒体と類似し、一般にＣｏＮｉＣｒ媒
体より大きいことが分かる。ＳＮＲは、一般に記録一次
密度に反比例して変化し、このことは図８において示さ
れている標準化されたノイズにおける変化と一致してい
る。ノイズレベルが増加すると、ノイズ対信号比が減少
する。
体での分解能は改善されるが、オーバーライト機能は減
少している。図７〜９は、色々な値の領域で得られた他
の比較結果を示している。図７は、Ｍ１、Ｍ２及びＭ２
／Ｍ１の三つのディスクの保磁力と、残留磁気−膜厚の
積とのプロットを示しており、残留磁気と保磁力の間に
は負の相関があることがわかる。つまり、残留磁気−膜
厚の積が増加すると、それに対応して保磁力で減少が見
られる。しかしながら、両方の媒体で測定された残留磁
気−膜厚の積の値においては、組成量が徐々に変化する
薄膜媒体を有するディスクの保磁力は、二つの単一の型
の磁性薄膜層でできたディスクよりも大きいことがわか
る。図８には、記録一次密度の関数であるディスクの標
準化されたノイズが示されている。予想されたように、
記録密度が増えるにしたがって、ノイズも増えている。
また、組成量が徐々に変化する媒体を有するディスク
は、Ｍ１又はＭ２の媒体だけからなる磁性層を持つディ
スクより低いノイズレベルを示している。組成量が徐々
に変化する媒体の交流の電流信号対ノイズ比のプロット
は、ＣｏＣｒＴａ媒体と類似し、一般にＣｏＮｉＣｒ媒
体より大きいことが分かる。ＳＮＲは、一般に記録一次
密度に反比例して変化し、このことは図８において示さ
れている標準化されたノイズにおける変化と一致してい
る。ノイズレベルが増加すると、ノイズ対信号比が減少
する。
【００２２】以上述べたことから、本発明の種々の目的
と特徴がおわかり願えたものと思われる。二つの磁性合
金の複合ターゲットが、組成量が徐々に変化する薄膜媒
体を製造するために、イン−ライン、パス−バイ方式の
スパッタシステムで使用されている。その結果、組成量
が徐々に変化する媒体の残留磁気は、少なくともＣｏＣ
ｒＴａ媒体に関しては、単一合金媒体よりも大きい。保
磁力も高く、その保磁力はＣｒ下地層の厚さの増加や基
板を加熱することによって、もっと大きくなる。一方ビ
ットシフトと媒体ノイズは減少している。ＳＮＲは、高
いノイズの単一媒体よりも改善されているが、低いノイ
ズの単一媒体とは同じである。従って、軸方向に組成量
が徐々に変化する磁性薄膜媒体は、それらを構成する合
金のいずれか一つからなる徐々に変化する組成量を持た
ない媒体よりも改善されている。この発明は特定の実施
例に関して述べられたが、本発明の主旨から外れること
がなければ、種々の変化及び変更を行っても構わないこ
とが、当該技術に熟練したものには明らかである。
と特徴がおわかり願えたものと思われる。二つの磁性合
金の複合ターゲットが、組成量が徐々に変化する薄膜媒
体を製造するために、イン−ライン、パス−バイ方式の
スパッタシステムで使用されている。その結果、組成量
が徐々に変化する媒体の残留磁気は、少なくともＣｏＣ
ｒＴａ媒体に関しては、単一合金媒体よりも大きい。保
磁力も高く、その保磁力はＣｒ下地層の厚さの増加や基
板を加熱することによって、もっと大きくなる。一方ビ
ットシフトと媒体ノイズは減少している。ＳＮＲは、高
いノイズの単一媒体よりも改善されているが、低いノイ
ズの単一媒体とは同じである。従って、軸方向に組成量
が徐々に変化する磁性薄膜媒体は、それらを構成する合
金のいずれか一つからなる徐々に変化する組成量を持た
ない媒体よりも改善されている。この発明は特定の実施
例に関して述べられたが、本発明の主旨から外れること
がなければ、種々の変化及び変更を行っても構わないこ
とが、当該技術に熟練したものには明らかである。
【００２３】
【発明の効果】本発明は、下層に低いノイズと残留磁気
特性を有した第１の合金と、上層に比較的高いノイズと
高い残留磁気特性を有した合金とを持ち、下層から上層
に向けて第１の合金と第２の合金の組成量が徐々に変化
するような組成勾配を有するように構成されている磁気
記録媒体である。そのため、従来の第１の合金又は、第
２の合金のいずれか一つからなる磁性薄膜層を有する媒
体より、十分に大きい保磁力と低いノイズを示すことが
できるようになった。また、本発明による製造方法を使
用することにより、組成量が徐々に変化する上記磁気記
録媒体を製造することができる。
特性を有した第１の合金と、上層に比較的高いノイズと
高い残留磁気特性を有した合金とを持ち、下層から上層
に向けて第１の合金と第２の合金の組成量が徐々に変化
するような組成勾配を有するように構成されている磁気
記録媒体である。そのため、従来の第１の合金又は、第
２の合金のいずれか一つからなる磁性薄膜層を有する媒
体より、十分に大きい保磁力と低いノイズを示すことが
できるようになった。また、本発明による製造方法を使
用することにより、組成量が徐々に変化する上記磁気記
録媒体を製造することができる。
【図１】本発明により製造された薄膜磁気ディスクの横
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の磁気記録媒体を製造するために使用さ
れるスパッタ装置のスパッタステーションに入る前の、
ディスクを載せたパレットを簡潔に示した平面図であ
る。
れるスパッタ装置のスパッタステーションに入る前の、
ディスクを載せたパレットを簡潔に示した平面図であ
る。
【図３】図２に示したスパッタ用ターゲットの側面図で
ある。
ある。
【図４】本発明の磁気記録媒体の図２のスパッタステー
ションでの蒸着の様子を示す側面図で、ターゲット合金
Ｍ１のスパッタ領域に入った時点での図（Ａ）、ターゲ
ット合金Ｍ１とＭ２の接合部あたりを通過している時点
での図（Ｂ）、ターゲット合金Ｍ２のスパッタ領域から
出る直前の図（Ｃ）である。
ションでの蒸着の様子を示す側面図で、ターゲット合金
Ｍ１のスパッタ領域に入った時点での図（Ａ）、ターゲ
ット合金Ｍ１とＭ２の接合部あたりを通過している時点
での図（Ｂ）、ターゲット合金Ｍ２のスパッタ領域から
出る直前の図（Ｃ）である。
【図５】ＣｏＣｒＴａ（＋）、ＣｏＮｉＣｒ（＊）及び
組成量が徐々に変化する組成勾配を有したこれら二つの
合金組成（黒塗りの四角）とからなるスパッタされた磁
性薄膜での、基板の加熱時間と保磁力とのグラフ。
組成量が徐々に変化する組成勾配を有したこれら二つの
合金組成（黒塗りの四角）とからなるスパッタされた磁
性薄膜での、基板の加熱時間と保磁力とのグラフ。
【図６】図５と同じ薄膜を有するディスクの、Ｃｒ下地
層の関数としての保磁力のグラフ。
層の関数としての保磁力のグラフ。
【図７】図５の薄膜の残留磁気−膜厚の関数としての保
磁力のグラフ。
磁力のグラフ。
【図８】図５の薄膜の記録一次密度の関数としての標準
化されたノイズのグラフ。
化されたノイズのグラフ。
【図９】記録一次密度の関数としてのノイズ対信号比
（ＳＮＲ）のグラフ。
（ＳＮＲ）のグラフ。
２０ ディスク ２２ 基板 ２４ 結晶状下地層 ２６ 磁性薄膜層 ２８ 下層 ２９ 中間層 ３０ 上層 ３２ 炭素被覆 ３４ ディスクの内径 ３６ ディスクの外径 ４０ パレット ４２ ディスク配置 ４４ ディスク ４６ スパッタステーション ４８ ターゲット ５０ 合金Ｍ１でできた上流部分 ５２ 合金Ｍ２でできた下流部分 ５３ 斜面 ５４ 初めのスパッタ領域 ５６ 中間のスパッタ領域 ５８ 最終のスパッタ領域
Claims (11)
- 【請求項１】 磁気記録媒体は、ディスク状の基板と、
基板表面につくられたスパッタされた下地層と、約２０
〜１００ｎｍの厚さで軸方向に組成量が徐々に変化する
組成上の勾配を有する磁性薄膜層とからなり、磁性薄膜
層はその組成上の勾配で、層の最下層が単一磁性層とし
てスパッタにより蒸着されたときスパッタされた下地層
に密接し、比較的低いノイズと低い残留磁気特性を有す
る第１の合金から構成され、さらに、下地層の最上層が
比較的高いノイズと残留磁気特性を有する第２の合金と
から構成されており、（ｉ）磁性薄膜層が第１又は第２
の合金のいずれか一つの合金のみからなる同様の媒体よ
り十分に高い保磁力と、（ii）磁性薄膜層が第１又は第
２の合金のいずれか一つの合金のみからなる同様の媒体
より十分に低い媒体のノイズレベルとを、有することを
特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 スパッタされた下地層が、約３０〜３０
０ｎｍの厚さを有するクロム下地層であることを特徴と
する請求項１に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】 スパッタされた磁性薄膜層が、約２０〜
８０ｎｍの厚さを有することを特徴とする請求項１に記
載の磁気記録媒体。 - 【請求項４】 下層及び上層の合金がＣｏと、Ｃｒ、Ｔ
ａ、Ｖ、Ｗ、Ｎｂ、Ｂ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｈｆ、Ｐからなる
グループから選ばれた少なくとも一つの元素を含み、磁
性薄膜層では、Ｐｔ及び／又はＮｉからなるグループか
ら選ばれた少なくとも一つの成分要素が、下層から上層
に向かって量が増加していくようにしたことを特徴とす
る請求項１に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項５】 下層の合金がＣｏ／Ｃｒ／Ｔａ合金で、
上層の合金がＣｏ／Ｎｉ／Ｃｒ合金であることを特徴と
する請求項４に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項６】 Ｃｏ／Ｃｒ／Ｔａ合金が、原子量比７０
〜９０％のコバルトと、原子量比７〜２０％のクロム及
び原子量比２〜１０％のタンタルとを含み、Ｃｏ／Ｎｉ
／Ｃｒ合金が、原子量比約５５〜７０％のコバルトと、
原子量比５〜４０％のニッケル及び原子量比３〜２０％
のクロムとを含んでいることを特徴とする請求項５に記
載の磁気記録媒体。 - 【請求項７】 磁気記録媒体の製造方法であって、クロ
ムを含むターゲットを有する第１スパッタ領域を、約３
０〜３００ｎｍの厚さを有する下地層を基板上に効果的
に形成する条件下、上流から下流方向にディスク状基板
を動かし、 さらに基板を、（ｉ）基板がスパッタ蒸着領域の上流範
囲に入ってから通過する間、単一磁性層としてスパッタ
により蒸着される際に、被覆された基板上にスパッタさ
れた部材が蒸着されるように配置された、比較的低いノ
イズと低い残留磁気特性とを有する合金からなる上流タ
ーゲット部分と、（ii）基板が当該スパッタ蒸着領域の
下流範囲を通過して出るまでの間、被覆された基板上に
スパッタされた部材が蒸着できるように配置された、比
較的高いノイズと残留磁気特性を有する第２の合金から
なる下流のターゲット部分とを、備えた上流部用と下流
部用とに区分されたターゲットを有する第２スパッタ領
域を移動させ、 そのため、第１又は第２の合金のいずれか一つのみから
なる磁性薄膜層を有する同様の媒体よりも十分に高い保
磁力と、さらに、十分に低い媒体のノイズレベルが、媒
体で得られることを特徴とする磁気記録媒体の製造方
法。 - 【請求項８】 基板が、複数の被覆された基板を支持す
るパレットに載せられ、第１及び第２スパッタ領域を運
ばれることを特徴とする請求項７に記載の磁気記録媒体
の製造方法。 - 【請求項９】 上流ターゲット部分がＣｏと、Ｃｒ、Ｔ
ａ、Ｖ、Ｗ、Ｂ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｓｉ、Ｈｆ、Ｐからなる
グループから選ばれた少なくとも一つの元素とを含む合
金からなり、下流ターゲット部分がＣｏと、Ｃｒ、Ｔ
ａ、Ｖ、Ｗ、Ｂ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｓｉ、Ｈｆ、Ｐからなる
グループから選ばれた少なくとも一つの元素と、Ｐｔ及
び／又はＮｉからなるグループから選ばれた少なくとも
一つの元素とからなることを特徴とする請求項７に記載
の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１０】 上流ターゲット部分の合金がＣｏ／Ｃ
ｒ／Ｔａ合金であり、下流ターゲット部分の合金がＣｏ
／Ｎｉ／Ｃｒ合金であることを特徴とする請求項９に記
載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１１】 Ｃｏ／Ｃｒ／Ｔａ合金が原子量比７０
〜９０％のコバルト、原子量比７〜２０％のクロム及び
原子量比２〜１０％のタンタルを含み、Ｃｏ／Ｎｉ／Ｃ
ｒ合金が原子量比約５５〜７０％のコバルト、原子量比
５〜４０％のニッケル、原子量比３〜２０％のクロムを
含むことを特徴とする請求項１０に記載の磁気記録媒体
の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/907,774 | 1992-06-30 | ||
| US07/907,774 US5432012A (en) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | Thin-film medium with compositional gradient |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0620253A true JPH0620253A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=25424620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4352784A Pending JPH0620253A (ja) | 1992-06-30 | 1992-12-14 | 磁気記録媒体とその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
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