JPH06203328A - 薄膜磁気変換器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 薄膜磁気ヘツドを与えること。 【構成】 本発明の薄膜磁気ヘツドは窒化され水素化さ
れたアモルフアス炭素から作られた幾つかのギヤツプ層
を含んでいる。このヘツドは薄膜の書き込みギヤツプ層
と、２つの薄膜読み取り層（ＭＲ層の各側に１つの層）
とを含み、夫々の層は２５原子パーセント以下の窒素と
５乃至２５原子パーセントの水素とをドープされたアモ
ルフアス炭素で作られている。アモルフアス炭素中に存
在する窒素は層の応力を顕著に減少する。２５００オン
グストローム以上の厚さでも、この層は、フエライト、
またはニツケル−鉄材料のような隣りの他の材料から剥
離しない。 【効果】 アモルフアス炭素の層と他の隣接材料との間
の中間被膜層を与える必要がない。この層中にある水素
は硬度を非常に向上させるのでヘツドの磨耗を減少す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、改善された対磨耗性を
有する薄膜磁気ヘツドに係り、より詳細に言えば、窒化
され水素化されたアモルフアス炭素の変換ギヤツプ材料
を有する薄膜磁気ヘツドに関する。

【０００２】

【従来の技術】ビデオテープ・システム、オーデイオテ
ープ・システム、コンピユータのデータテープ・システ
ム、あるいはコンピユータのフロツピ・デイスク・シス
テムのような磁気ストレージ・システムにおいて、情報
は磁気テープ面に磁気的に記録される。例えば、コンピ
ユータへの周辺ストレージ装置として使用される磁気テ
ープ・システムにおいて、デイジタル情報は、運動する
磁気テープの表面に沿つて連続した磁気領域を選択的に
磁化することによつて表示される。情報が磁気テープか
ら読み取られるときに磁気的な極性が感知され、電気的
な信号が出力される。読み取り／書き込み動作は、磁気
テープ面に近接して変換を行なう読み取り／書き込みヘ
ツドによつて行なわれる。

【０００３】テープに情報を記録する場合、可能な限り
高い情報密度で記録することが望ましい。書き込みヘツ
ドの変換ギヤツプから発生される磁束密度は、変換ギヤ
ツプからの距離が大きくなるに従つて減少する。従つ
て、可能な限り高い記録密度を達成し、しかも実用的な
信号対ノイズ比を維持するような接触記録動作が用いら
れる。接触記録動作の間で書き込みヘツドにより磁化さ
れるテープ面の領域を最小限の大きさにするために、テ
ープは書き込みヘツドに対して可能な限り接触して維持
される。磁気テープは、テープの通路上の汚染物とかテ
ープ面アスピレート（aspirate）（吸引）によつてヘツ
ドから偶発的に離れることがあるけれども、磁気テープ
は、通常、書き込みヘツドの最小限近接した変換距離
（closest possible transducing proximity）内に維持
される。同様に、磁気テープに書き込まれたデータを読
み取るときには、磁気テープは読み取りヘツドの最小限
近接した変換距離内に維持される。

【０００４】最近のより高性能の磁気ヘツドは１個以上
のインダクシヨン式の薄膜書き込み変換器と、１個以上
の読み取り磁気抵抗（以下、ＭＲと略記する）変換器と
を含んでいる。これらの変換器の薄膜構造は飽和モーメ
ント特性及びシステムの動作効率を改善する。磁気テー
プまたは磁気デイスクの名目動作速度において、ストレ
ージ媒体と読み取り／書き込みヘツドとの間の接触は研
磨作用を生じて、ヘツド面を磨耗する。変換ギヤツプ領
域の薄膜は、このような磨耗に対して特に敏感である。
ギヤツプ領域が磨耗し、ギヤツプとテープ面との間の有
効空間が増加することによつて、ヘツドの性能を低下す
る。加えて、汚染物が磨耗された領域に集められ、そし
て若しそれが導電性であればヘツドの素子を短絡し、若
し導電性でなければヘツドの素子を絶縁する。

【０００５】磁極片及びＭＲ素子は、ニツケル−鉄の材
料のような最適な磁気的性能を持つ材料で全体が作られ
ている。変換ギヤツプ領域は、書き込み／読み取り動作
の境界領域を小さくするために磁気的な絶縁体で全体が
満たされている。ヘツドの表面の磨耗を少なくするため
に、アルミナのような硬質セラミツク材料が磁気ヘツド
の変換ギヤツプ領域に用いられている。不幸なことに
は、このような材料はヘツド面の磨耗を減少しない。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上述のことに鑑みて、
本発明の目的は薄膜磁気ヘツドを改良することにある。

【０００７】本発明の他の目的は、薄膜磁気ヘツドの変
換ギヤツプ領域の磨耗を最小限にとどめることにある。

【０００８】本発明の他の目的は、薄膜磁気ヘツドの変
換ギヤツプ領域の磨耗を最小限にとどめるための付加的
な経費を軽減し、かつ製造を容易にすることにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段及び作用】上述の目的及び
他の目的は、窒化され水素化されたアモルフアス炭素か
ら製造された変換ギヤツプ素子を有する薄膜磁気ヘツド
によつて達成される。本発明の磁気ヘツドは薄膜書き込
みギヤツプ層と、２つの薄膜読み取りギヤツプ層（ＭＲ
層の各側に１つづつ）を含んでおり、各ギヤツプ層は２
５原子パーセントの窒素と、５乃至２５原子パーセント
の水素とでドープされたアモルフアス炭素で作られてい
る。アモルフアス炭素中に存在する窒素は層の応力を顕
著に減少する。２５００オングストロームを越えた厚さ
においてさえも、この層は鉄、またはニツケル−鉄材料
のような隣接した他の材料から剥離（delaminate）しな
い。従つて、アモルフアス炭素と他の隣接材料との間に
介在する被着層を与える必要がない。層中に存在する水
素は層相互を電気的に絶縁し、かつ層を極めて強固にす
るので、磨耗量を少なくする。

【００１０】

【実施例】添付の各図を参照して磁気テープの並置式
（interleaved）薄膜磁気ヘツドに適用された本発明の
実施例を以下に説明する。

【００１１】並置式薄膜磁気ヘツドは複数の並列トラツ
クを持つ磁気ストレージ媒体から磁気遷移を読み取り、
またはそのような磁気ストレージ媒体に磁気遷移を書き
込むために用いられる。このような磁気ヘツドは、例え
ばＩＢＭの３４９０磁気テープ・サブシステムのような
テープ駆動システムにおいて使用されている。磁気テー
プは磁気ヘツド中の幾つかの変換器を用いて情報を読み
取り、または書き込むために、磁気ヘツドに対して両方
向に移動される。複数個の変換器はテープ上の複数のト
ラツクから情報を読み取り、またはこれらのトラツクに
情報を書き込むために同時に付勢される。並置式磁気ヘ
ツドは、トラツクの数を増加することができ、しかもテ
ープを両方向に移動する動作を与えることによりテープ
上に書き込まれたばかりの情報の直接読み戻しチエツク
を与えるから特に重要である。

【００１２】図１を参照すると本発明の磁気テープ用の
並置式薄膜磁気ヘツドの実施例が示されている。この磁
気ヘツド１０は複数個の読み取り変換素子Ｒと複数個の
書き込み変換素子Ｗとを含んでいる。読み取り用及び書
き込み用の変換ギヤツプは直接に交番する奇数／偶数の
態様で並べられている。良好な実施例において、磁気テ
ープ１２の幅に跨がつて３６個のトラツクのデータ・フ
オーマツトを与えるために、３６対の読み取り及び書き
込みギヤツプが与えられているけれども、他の実施例と
して、トラツクの数に対応するデータ・フオーマツトを
与えるために、任意の数の読み取り及び書き込みギヤツ
プの対を与えることができる。奇数番目のトラツク１、
３、５等は、磁気テープ１２の順方向移動の間で動作さ
れるが、偶数番目のトラツク２、４、６等は、磁気テー
プ１２の逆方向移動の間で動作される。

【００１３】磁気テープ１２の長さ方向は２つの矢印１
４及び１６で示されているように順方向及び逆方向の両
方に移動される。矢印１４は順方向の移動を示してお
り、矢印１６は逆方向の移動を示している。磁気テープ
１２は磁気ヘツド１０との接触変換関係によつて動作す
る。磁気ヘツド１０は全体として同じ構造の２つのモジ
ユール１８及び２０を含んでいる。モジユール１８及び
２０は単一の物理的な単位を形成するように一体に被着
されている。このような態様で１方のモジユールの変換
ギヤツプは他方のモジユールの変換ギヤツプに対して密
に位置付けられ、また、モジユールのギヤツプはテープ
の移動方向に正確に整列されている。各モジユール１８
及び２０の中に１８個の読み取り変換器Ｒと１８個の書
き込み変換器Ｗとがある。モジユール１８及び２０の各
々は磁気フエライトの基体２２と非磁性セラミツクの封
入ブロツク２４とを含んでいる。モジユール１８はギヤ
ツプ・ライン２６を含み、モジユール２０はギヤツプ・
ライン２８を含んでいる。変換素子の構造を作るために
ホトリソグラフ・マスク及び蝕刻処理が用いられる。

【００１４】図２を参照すると、磁気ヘツド１０の書き
込み変換素子が示されている。書き込み変換器は磁気フ
エライトの基体２２と非磁性の封入ブロツク２４との間
に挟まれている。磁気フエライトの基体２２は、例えば
磁気ニツケル−亜鉛フエライトまたは磁気マンガン−亜
鉛フエライトから製造された磁極片である。封入ブロツ
ク２４は非磁性材料である任意の非磁性セラミツクから
製造することができる。書き込み変換器を作るために幾
つかの薄膜が使用される。

【００１５】約２００乃至５００オングストロームの厚
さの非常に薄いアンダーコート層４６はアルミナのよう
な非磁性材料で作られている。アンダーコート層４６
は、次の層のための平滑な面を与え、かつ、次の層の中
に磁気フエライトの基体２２のグレインの成長、即ちレ
プリカを阻止するために、次の処理の間の蝕刻停止層
（etch-stop）として基体２２の上にデポジツトされ
る。第１の磁極チツプ３０はニツケル−鉄、ニツケル−
鉄−窒化物、鉄−窒化物などのような１つ、またはそれ
以上の軟磁性材料から作られている。第１の磁極チツプ
３０は、基体２２の磁極片の磁気飽和特性を向上するた
めにアンダーコート層４６上に約９０００乃至１０００
０オングストロームの厚さにスパツタ・デボジツトされ
る。

【００１６】非磁性の書き込みギヤツプ領域２６は約７
５００乃至１００００オングストロームの厚さであり、
後述するような窒化され水素化されたアモルフアス炭素
で作られている。書き込みギヤツプ領域２６は少なくと
も２５００オングストロームの厚さでデポジツトされた
アモルフアス炭素材料の３つの別個の絶縁性ギヤツプ層
３１、３２、３３を含んでいる。良好な実施例におい
て、ギヤツプ層３１は約２８００オングストロームであ
り、ギヤツプ層３２は約３２００オングストロームであ
り、そしてギヤツプ層３３は約３３００オングストロー
ムである。第１の磁極チツプ３０に用いられた材料と同
じ軟磁性の磁気材料の第２の磁極チツプ４０は、磁気ヘ
ツドのベアリング面の近くに第２の磁極チツプを形成す
るために、ギヤツプ層３３の上に３５０００乃至３６０
００オングストロームの厚さでスパツタ・デポジツトさ
れる。テープを支持するベアリング面とは離れている絶
縁体３８は、第２の磁極チツプ４０をギヤツプ層３３か
ら離隔している。絶縁体３８は硬化ホトレジストから作
られており、インダクシヨンコイル（図示せず）を第２
の磁極チツプ４０から電気的に絶縁するために与えられ
る。

【００１７】また、硬化ホトレジストが好ましい支持絶
縁体４２は第２の磁極チツプ４０の磁極チツプ領域上に
形成される。次に、例えばアルミナ、またはエポキシ樹
脂材料のレベリング層４４が第２の磁極チツプ４０及び
絶縁層４２の上に形成される。レべリング層４４は平坦
化のために被着される。クロムを主体とした材料の付加
的な層４８は、蝕刻用のマスクとして使用され、ベアリ
ング面から離れたヘツドの部分におけるリード線（図示
せず）を形成している時にレベリング層４４中にピンホ
ールが蝕刻されるのを防ぐ。書き込み変換エレメントを
完成するために封入体２４が被着される。

【００１８】図３を参照すると、磁気ヘツド１０の読み
取り変換エレメントが示されている。読み取り変換器は
書き込み変換器と同じように、磁気フエライトの基体２
２と非磁性材料の封入体２４の間に挟まれている。読み
取り変換器を形成するために幾つかの薄膜が使用され
る。幾つかの薄膜は書き込み変換器と同じ材料であり、
その厚さは、書き込み変換器に用いられた厚さと同じで
ある（従つて、同じ参照数字を付してある）けれども、
読み取り変換器においては異なつた機能を持つている。
例えば、このような共通の層を使用することは、製造コ
ストを安価にすることができる。必要に応じて、書き込
み変換エレメントと読み取り変換エレメントとの間の構
造上の差を作るために、幾つかの層をマスクするのにホ
トリソグラフが用いられる。

【００１９】窒化され水素化されたアモルフアス炭素材
料の絶縁ギヤツプ層が、基体２２の上にデポジツトされ
ている。次に、例えばニツケル−鉄−ロジウム、タンタ
ル及びニツケル−鉄のＭＲ層３５が、約７５０乃至１０
００オングストロームの厚さにギヤツプ層３１の上にス
パツタ・デポジツトされる。次に、窒化され、水素化さ
れたアモルフアス炭素材料の絶縁ギヤツプ層３２がＭＲ
層３５の上にデポジツトされる。読み取り変換器のニツ
ケル−鉄材料のシールド層４０が絶縁ギヤツプ層３２の
上にデポジツトされる。また、磁気フエライトの基体２
２は読み取り変換器のシールドとして機能する。レベリ
ング層４４、付加的な層４８及び封入体２４は読み取り
変換エレメントを完成する。

【００２０】また、上述のデータ読み取り変換器Ｒに加
えて、基体２２はＭＲサーボ読み取り変換エレメント
（図示せず）を含むことができる。このようなエレメン
トは、磁気テープ１２に対して磁気ヘツド１０の横方向
の位置を維持する（即ち、変換器が関連するトラツクに
対して変換器の整列を維持する）ための連続サーボ・ル
ープにのみ使用される。サーボ読み取り変換エレメント
は磁気テープ１２の１つ以上のトラツク上に予め記録さ
れているパターンに追従するので、従つて、データ読み
取り変換エレメントと同じ動作パラメータの要件を持た
なくてもよい。従つて、サーボ読み取り変換エレメント
は、上述した方法以外の他の方法を使用して作ることが
できるし、あるいは製造工程を単純化するために上述し
た方法と同じ方法を用いることもできる。他の実施例と
して、磁気ヘツド１０は、上述した変換器と同じような
データ読み取り変換器を３２個か、または書き込み変換
器を３２個だけ含ませて、残りの基体部分をサーボ読み
取り変換器に用いたような磁気ヘツドとすることができ
る。このようなサーボ読み取り変換器を使用して、磁気
ヘツドを磁気テープに対して異なつた横方向位置の間で
動作させることにより、読み取り書き込みの各位置にお
いて３２個のテープ・トラツクの異なつた組に対してデ
ータの読み取り及び書き込みをすることができる。磁気
ヘツドのサーボ手段についてのこれ以上の説明は本発明
に直接関係がないので省略する。

【００２１】ベアリング面から離れている磁気ヘツド１
０の構成が図２及び図３に示されているが、この構成は
本発明に直接関係がない。磁気テープ１２は、オーデイ
オ用、ビデオ用、あるいはコンピユータ用の磁気テープ
のような任意の公知のテープであつてよい。動作用の記
録層は酸化クロム層、または金属粒子の磁気層のような
任意のものでよい。磁気テープ１２は４分の１インチ
（６．３５ミリメートル）、２分の１インチ（１２．７
ミリメートル）、または８ミリメートルの任意の幅のも
のであつてよい。

【００２２】窒化され水素化されたアモルフアス炭素の
薄膜の特性を検討した結果、従来から公知のすべての絶
縁ギヤツプ材料の特性よりも秀れていることが分つた。
本発明の窒化され水素化されたアモルフアス炭素の薄膜
は、従来から使用されているアルミナのギヤツプ材料よ
りも硬く、従つて、磁気テープ１２の研磨作用によつて
生じる磁気ヘツドの磨耗に対して、より大きな耐磨耗性
を与える。また、本発明のこのような薄膜は、低い応力
を持つており、従つて、付加的な被着層を用いることな
く磁気ヘツドに用いることができる。窒化されていない
炭素の薄膜においては、窒化されていない炭素の薄膜が
デポジツトされている基体から剥離することが分かつて
いる。

【００２３】窒化され水素化されたアモルフアス炭素の
薄膜の特性をテストするために、本発明に従つた薄膜が
プラズマ強化ＣＶＤ、またはスパツタのデポジシヨン処
理によつてシリコン・ウエハの基体上に作られた。この
薄膜の硬度が図４に示されている。図４のグラフにおい
て、薄膜の硬度は、薄膜中の水素の量に依存して薄膜中
の窒素の特定の量において最大になることが示されてい
る。窒素の量が約２５原子パーセント以上になると、図
とは対照的に、この薄膜は実際上、殆どの適用例に対し
て極めて脆弱になる。水素が約２５原子パーセント以上
になると、この薄膜は柔らかすぎになることが見出され
ており、水素が約５原子パーセント以下の薄膜は高い応
力を持つている。

【００２４】本発明に従つて２０００オングストローム
の厚さで被着された薄膜の応力が図５に示されている。
薄膜の応力は基体を反り返らすので、反り返り（deflec
tion）の量を決めるためにデフレクシヨン・ゲージを用
いて応力が測定され、この測定値が薄膜の応力を計算す
るのに用いられた。このテストに関する細部の情報は、
１９９１年１２月１６日に出願された米国特許出願第８
０８３３８号を参照されたい。

【００２５】上述の米国特許に記載されたテストは、磁
性層上に被着された夫々約２８００乃至３２００オング
ストロームのアモルフアス炭素の薄膜（ギヤツプ層３１
乃至３３について既に述べたような薄膜）が、隣りの磁
気ヘツド材料から後で剥離するのを阻止するほどこの薄
膜の応力が充分に低いか否かを示していない。このよう
な要件を満足する能力は、上述の米国特許に示されたテ
ストからは明らかではなかつたので、窒化され水素化さ
れたアモルフアス炭素の後続する３０００オングストロ
ームの層を他の公知の絶縁ギヤツプ材料の材料特性と比
較した場合、これらの層が秀れた材料特性を持つている
ことを確認するテストが後で行なわれた。本発明の薄膜
はニツケル−鉄、またはフエライト材料の層から剥離し
ない。本発明の３０００オングストロームの厚さの薄膜
についてのラサホードの逆方向スキヤツタリング及び順
方向リコイル・スキヤツタリング測定（Rutherford bac
kscattering and forward recoil scattering measurem
ent）の結果は１４原子パーセントの窒素と１２原子パ
ーセントの水素の存在を示した。

【００２６】本発明の実施例の薄膜はプラズマ強化ＣＶ
Ｄ、またはスパツタ・デポジシヨンによつて作られた。
プラズマ強化ＣＶＤのデポジシヨンに対して、炭化水素
ガス（シクロペンタン）が６ミリＴｏｒｒの圧力に維持
されたプラズマ強化ＣＶＤチヤンバの中に０．５ミリＴ
ｏｒｒの部分的圧力で導入された。プラズマは、低い周
波数（３００キロヘルツ）を用いたマグネトロンに印加
された４００ワツトで点火（ignite）された。アンダー
コート層は、直流電圧で約−２００乃至−６００ボルト
にバイアスされた。１対１比率のアルゴン及び窒素のキ
ヤリヤ・ガスがデポジシヨン処理に用いられた。

【００２７】スパツタ・デポジシヨン処理に対しては、
高純度の直流マグネトロンの炭素ターゲツトが１．５キ
ロワツトの直流電源で用いられた。アンダーコート層は
３００キロヘルツで動作する低い周波数の電源で６５０
ワツトでバイアスされた。キヤリヤ・ガスは４％の水素
と５０％の窒素を含むアルゴンである。

【００２８】なお、本発明に従つて窒化され水素化され
た炭素の薄膜は、磁気テープ・システム用の磁気変換器
以外の薄膜磁気ヘツド中の絶縁ギヤツプ材料としても用
いることができる。

【００２９】

【発明の効果】本発明は薄膜磁気ヘツドの対磨耗性を向
上し、しかも、変換ギヤツプ層の応力を減少した薄膜磁
気ヘツドを与える。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した並置式薄膜磁気ヘツドの模式
図である。

【図２】図１の並置式薄膜磁気ヘツドの書き込み素子の
ベアリング（支持）面の断面図である。

【図３】図１の並置式薄膜磁気ヘツドの読み取り素子の
ベアリング面の断面図である。

【図４】異なつた水素の量を含む薄膜に対して、含まれ
た窒素の量の関数としての窒化され水素化されたアモル
フアス炭素の薄膜の硬度を示すグラフである。

【図５】プラズマ強化の化学式蒸着（ＣＶＤ）、又はス
パツタ・デポジシヨンによつて製造された薄膜に対し
て、含まれた窒素の量の関数として窒化され水素化され
たアモルフアス炭素の薄膜の応力を示すグラフである。

【符号の説明】

１０ 薄膜磁気ヘツド １２ 磁気テープ １８、２０ モジユール ２２ 基体 ２４ 封入ブロツク ２６ ギヤツプ・ライン（書き込みギヤツプ領域） ２８ ギヤツプ・ライン（読み取りギヤツプ領域） ３０ 第１の磁極チツプ ３１、３２、３３ ギヤツプ層 ３５ 磁気抵抗（ＭＲ）層 ３８ 絶縁体 ４０ 第２の磁極チツプ ４２ 支持絶縁体 ４４ レベリング層 ４６ アンダーコート層 ４８ 付加的な層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジェームス・ハーベィ・カウフマン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 サン ノゼ、サウス・ツェルブス・ストリート 499 (72)発明者 サーハット・ミーティン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 サン ノゼ、ターナー・コート 230 (72)発明者 ディビッド・ドーン・サパースティン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 ポー トラ・バリー、ドュラズノ・ウエイ 130 (72)発明者 アンソニー・ウェイ・ウー アメリカ合衆国 カリフォルニア州 サン ノゼ、ブライア・ランチ・レーン 663

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】薄膜磁気変換器のベアリング面に隣接した
   ストレージ媒体上に情報を記録するための薄膜磁気変換
   器において、 第１の磁極チツプと、 第１の磁極チツプ上のアモルフアス炭素、水素及び窒素
   の非磁性ギヤツプ領域と、 上記ギヤツプ領域上の第２の磁極とからなり、 第１の磁極はベアリング面に書き込みギヤツプを形成す
   るために第２の磁極から離隔されていることを特徴とす
   る薄膜磁気変換器。
2. 【請求項２】上記ギヤツプ領域は約５乃至２５原子パー
   セントの間の量の水素を含んでいる請求項１に記載の薄
   膜磁気変換器。
3. 【請求項３】上記ギヤツプ領域は約２５原子パーセント
   以下の量の窒素を含んでいる請求項１に記載の薄膜磁気
   変換器。
4. 【請求項４】上記ギヤツプ領域は約２５原子パーセント
   以下の量の窒素を含んでいる請求項２に記載の薄膜磁気
   変換器。
5. 【請求項５】上記ギヤツプ領域は少なくとも２５００オ
   ングストロームの厚さである請求項４に記載の薄膜磁気
   変換器。
6. 【請求項６】隣接したストレージ媒体上の情報を読み取
   るための薄膜磁気変換器において、 第１の磁気シールドと、 アモルフアス炭素、水素及び窒素の第１の非磁性ギヤツ
   プ層と、 上記第１のギヤツプ層上の磁気抵抗層と、 上記磁気抵抗層上のアモルフアス炭素、水素及び窒素の
   第２の非磁性ギヤツプ層と、 上記第２のギヤツプ層上の第２の磁気シールドとからな
   る薄膜磁気変換器。
7. 【請求項７】磁気ヘツドのベアリング面に隣接したスト
   レージ媒体から情報を読み取り、かつ、上記ストレージ
   媒体に情報を書き込むための並置式の薄膜磁気ヘツドに
   おいて、 第１及び第２のモジユールを一体的に被着したモジユー
   ルであつて、各モジユールは複数個の読み取り変換器及
   び／又は書き込み変換器を交互に有し、第１のモジユー
   ルの複数個の読み取り変換器の各々は第２のモジユール
   の複数個の書き込み変換器の異なつた変換器と対向し、
   第１のモジユールの複数個の書き込み変換器は第２のモ
   ジユールの複数個の読み取り変換器の異なつた変換器と
   対向していることと、 各モジユールは、 磁気フエライトの基体を含むことと、 複数個の書き込み変換器の夫々の上記基体は、 基体上の非磁性のアンダーコート層と、 非磁性のアンダーコート層上の第１の磁極チツプと、 第１の磁極チツプ上のアモルフアス炭素、水素及び窒素
   の非磁性書き込みギヤツプ領域と、 上記書き込みギヤツプ領域上の第２の磁極チツプとを含
   むことと、 第１の磁極チツプはベアリング面に磁気書き込みギヤツ
   プを形成するために書き込みギヤツプ領域によつて第２
   の磁極チツプから離隔されていることと、 複数個の読み取り変換器の夫々の上記基体は、 基体上のアモルフアス炭素、水素及び窒素の第１の非磁
   性読み取りギヤツプ層と、 第１の読み取りギヤツプ層上の磁気抵抗層と、 磁気抵抗層上のアモルフアス炭素、水素及び窒素の第２
   の非磁性読み取りギヤツプ層と、 第２の読み取りギヤツプ層上の磁気シールドと、 第２の読み取りギヤツプ層上で第２の磁極チツプ上の非
   磁性レベリング層と、 レベリング層上の非磁性封入体とを含むこととを具備す
   る薄膜磁気ヘツド。