JPH06203742A - 電子放出素子、電子線発生装置及び画像形成装置 - Google Patents

電子放出素子、電子線発生装置及び画像形成装置

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JPH06203742A
JPH06203742A JP36135392A JP36135392A JPH06203742A JP H06203742 A JPH06203742 A JP H06203742A JP 36135392 A JP36135392 A JP 36135392A JP 36135392 A JP36135392 A JP 36135392A JP H06203742 A JPH06203742 A JP H06203742A
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electron
emitting device
fine particles
emitting
image forming
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JP36135392A
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Toshihiko Takeda
俊彦 武田
Hiroshi Yoneda
弘 米田
Toyonari Sasaki
豊成 佐々木
Ichiro Nomura
一郎 野村
Hidetoshi Suzuki
英俊 鱸
Yasuhiro Hamamoto
康弘 浜元
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Canon Inc
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
    • H01J2201/30—Cold cathodes
    • H01J2201/316—Cold cathodes having an electric field parallel to the surface thereof, e.g. thin film cathodes
    • H01J2201/3165—Surface conduction emission type cathodes

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  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
  • Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 画像形成装置の電子放出源として用いられる
表面伝導形電子放出素子を提供する。 【構成】 基板11上の電極12,13間に電子放出部
を形成する微粒子16が分散配置された電子放出素子に
おいて、微粒子16表面に、該微粒子に含有される元素
よりも原子量の大きな元素を含む被覆部材17を配し、
且つ、該被覆部材が、これを通過する電子の平均自由行
程以上の厚さを有している電子放出素子。 【効果】 電子放出量及び電子放出効率が増大し、且
つ、素子ごとの均一性,再現性が改良される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子放出源として用い
られる冷陰極型の電子放出素子及び該素子を用いた電子
線発生装置並びに画像形成装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、簡単な構造で電子の放出が得られ
る素子として、例えばエム アイ エリンソン(M.
I.Elinson)等によって発表された冷陰極素子
が知られている[ラジオ エンジニアリング エレクト
ロン フィジックス(RadioEng.Electr
on Phys.)第10巻,1290〜1296頁,
1965年]。
【0003】これは、基板上に形成された小面積の薄膜
に、膜内に平行に電流を流すことにより、電子放出が生
ずる現象を利用するもので、一般には表面伝導形電子放
出素子と呼ばれている。
【0004】この表面伝導形電子放出素子としては、前
記エリンソン等により開発されたSnO2 (Sb)薄膜
を用いたもの、Au薄膜によるもの[ジー・ディトマー
“スイン ソリド フィルムス”(G.Dittme
r:“Thin SolidFilms”),9巻 3
17頁,(1972年)]、ITO薄膜によるもの[エ
ム ハートウェル アンド シージーフォンスタッド
“アイイーイーイートランス”イーディーコンファレン
ス(M.Hartwell and C.G.Fons
tad;“IEEE Trans.ED Con
f.”)519頁,(1975年)]、カーボン薄膜に
よるもの[荒木久他:“真空”第26巻,第1号,22
頁,(1983年)]などが報告されている。
【0005】これらの表面伝導形電子放出素子の典型的
な素子構成を図6に示す。同図において、62及び63
は電気的接続を得るための電極、65は電子放出材料で
形成される薄膜、61は基板、66は電子放出部を示
す。
【0006】従来、これらの表面伝導形電子放出素子に
おいては、電子放出を行う前に予めフォーミングと呼ば
れる通電加熱処理によって電子放出部を形成する。即
ち、前記電極62と電極63の間に電圧を印加する事に
より、薄膜65に通電し、これにより発生するジュール
熱で薄膜65を局所的に破壊、変形もしくは変質せし
め、電気的に高抵抗な状態にした電子放出部66を形成
することにより電子放出機能を得ている。
【0007】なお、電気的に高抵抗状態とは、薄膜65
の一部に、0.5μm〜5μmの亀裂を有し、かつ亀裂
内が、いわゆる島構造を有する不連続状態膜であって、
空間的に不連続で電気的に連続な膜を形成している。
【0008】従来、表面伝導形電子放出素子は上述の高
抵抗不連続膜に電極62,63により電圧を印加し、素
子表面に電流を流すことにより、上述微粒子より電子を
放出せしめるものである。
【0009】しかしながら、上記の様な従来の通電加熱
によるフォーミング処理によって製造された電子放出素
子には、次のような問題点があった。 (1)加熱による薄膜の溶融と通電終了による温度低
下、溶融した薄膜の凝固といった過程を経て不連続な電
子放出部を形成するため、電子放出部を構成する島状微
粒子の大きさ、密度、配置、配列といった素子特性に関
わる構造設計は事実上不可能なため、素子の改良が難し
く、素子間のばらつきも生じやすい。 (2)フォーミング工程で発生するジュール熱が大きい
為、素子を形成する基板に多大な影響を与え、素子を構
成する薄膜の材料によっては基板破壊を生じやすく、マ
ルチ化が難しい。 (3)島の材料が金、銀、SnO2 、ITO等に限定さ
れ、仕事関数の小さい材料が使えないため、大電流を得
ることができない。
【0010】以上のような問題点があるため、表面伝導
形電子放出素子は、素子構造が簡単であるという利点が
あるにもかかわらず、産業上積極的に応用されるには至
っていなかった。
【0011】本発明者等は上記問題点を鑑みて検討した
結果、特願昭63−107570号、特願昭63−11
0480号に於いて電極間に微粒子膜を配置しこれに通
電処理を施すことにより電子放出部を設ける新規な表面
伝導形電子放出素子を提案した。この新規な電子放出素
子の構成図を図7に示す。
【0012】同図において、72及び73は電極、75
は微粒子膜、76は電子放出部、71は基板である。
【0013】この電子放出素子の特徴としては次のよう
なことが挙げられる。 (1)微粒子膜75に非常に少ない電流を流すことで電
子放出部76を形成できるので素子劣化のない素子が形
成でき、さらに電極の形状を任意に設計できる。 (2)微粒子膜を形成する微粒子自身が電子放出の構成
材となる為、微粒子の材料や形状等の設計が可能とな
り、電子放出特性を変えることができる。 (3)素子の構成材である基板71や電極の材料の選択
性が広がる。
【0014】また、従来より、面状に展開した複数の電
子放出素子とこの電子放出素子から放出された電子線の
照射を各々受ける蛍光体ターゲットとを各々相対向させ
た薄形の画像表示装置が存在する。これら電子線ディス
プレイ装置は、基本的に次のような構造からなる。
【0015】図8は従来のディスプレイ装置の概要を示
すものである。同図において81は基板、82は支持
体、83は素子配線電極、84は電子放出部、85は電
子通過孔、86は変調電極(グリッド電極)、87はガ
ラス板、88は画像形成部材で、例えば蛍光体、レジス
ト材等、電子が衝突することにより発光,変色,帯電,
変質等する部材から成る。89は蛍光体の輝点である。
【0016】ここで、電子放出部84は薄膜技術により
形成され、ガラス基板81とは接触することがない中空
構造を成すものである。素子配線電極83は電子放出部
材と同一の材料を用いて形成しても、別材料を用いても
良く、一般に融点が高く電気抵抗の小さいものが用いら
れる。支持体82は絶縁体材料もしくは導電体材料で形
成されている。
【0017】上記電子線ディスプレイ装置は、素子配線
電極83に電圧を印加せしめ、中空構造をなす電子放出
部より電子を放出させ、これら電子流を情報信号に応じ
て変調する変調電極86に電圧を印加することにより電
子を取り出し、取り出した電子を加速させ蛍光体88に
衝突させるものである。また、素子配線電極83と変調
電極86でXYマトリックスを形成せしめ、画像形成部
材たる蛍光体88上に画像表示を行うものである。
【0018】
【発明が解決しようとする課題】先述したように、図6
に示したような従来の通電加熱処理を必要とする表面伝
導形放出素子では、素子の電子放出部形状の改良が困難
であると共に、素子特性の向上もまた事実上不可能であ
った。具体的には、電子放出効率、放出電流の安定性、
素子ごとの均一性、再現性等、電子放出素子としての基
本的な特性改良が困難であった。また、通電加熱に要す
るパワーが大きいため、電子放出部や基板の劣化が著し
く、かかる素子を複数、面状に展開した電子源への応用
は事実上不可能であった。
【0019】また、図8に示したような画像表示装置の
電子源として従来の表面伝導形電子放出素子を応用する
と、各素子の電子放出効率の違いにより蛍光体の発光輝
度がばらつき、表示むらを生じていた。
【0020】即ち、本発明の目的とするところは、上述
のような問題点を解消し得る電子放出素子及び該素子を
用いた電子線発生装置並びに画像形成装置を提供するこ
とにある。
【0021】
【課題を解決するための手段及び作用】上記目的を達成
するために、本発明で講じられた手段は、基板上の電極
間に、電子放出部を形成する微粒子が分散配置された電
子放出素子において、該微粒子表面に、該微粒子に含有
される元素よりも原子量の大きな元素及び/または低仕
事関数材料を含む被覆部材を有し、且つ、該被覆部材
が、該被覆部材を通過する電子の平均自由行程以上の厚
さを有することとした。
【0022】また、本発明の電子線発生装置では、上記
本発明の電子放出素子の複数と、該電子放出素子から放
出される電子線を情報信号に応じて変調する変調手段と
を有することとした。
【0023】また、本発明の画像形成装置では、上記本
発明の電子放出素子の複数と、該電子放出素子から放出
される電子線を情報信号に応じて変調する変調手段と、
該電子線の照射により画像を形成する画像形成部材とを
有することとした。
【0024】以下に本発明の構成要素及び作用について
詳述する。
【0025】図1に本発明の電子放出素子の一実施態様
を示す上面図を、図2に図1のA−A断面の概略的部分
断面図を示す。
【0026】これらの図において、11は素子形成基
板、12,13は基板11上に形成された一対の電極、
14は電極12,13間の微小間隔部、15は電極1
2,13間に分散配置された微粒子膜、16は微粒子膜
15の材料からなり電子放出部を形成している微粒子、
17は微粒子16の表面を被覆している被覆部材であ
る。
【0027】本発明に用いられる素子構成基板11は、
概平坦な表面を持つものであればいかなる材料のもので
も良いが、導電性の高い材料からなる基板を用いた場合
には素子駆動時に基板を流れる電流が多くなるため、効
率の点で好ましくない。従って、絶縁性材料を用いるこ
とが望ましく、具体的には通常のガラス、SiO2 薄
膜、シリコン等が適当である。
【0028】また、電極12,13は電子放出部に電圧
を供給するものであり、通常使われる電極材料であれば
いかなるものを用いても良い。更に、微小電極間隔部1
4は0.1μm〜100μm程度の範囲が可能である
が、実用的には0.5μm〜20μm程度の範囲が好ま
しい。かかる電極の形成方法は通常のリソグラフィー、
印刷等いかなる方法を用いても良い。
【0029】電極12,13間に設ける微粒子膜15は
本発明の電子放出素子において、通電処理あるいは通電
加熱処理により電子放出部を形成するものであり、かか
る微粒子は粒径が十数Åから数μmの導電性材料が使用
できる。具体的には、LaB6 ,C8 B6 ,YB4 ,G
dB4 等のホウ化物、TiC,ZrC,HfC,Ta
C,SiC,WC等の炭化物、TiN,ZrN,HfN
等の窒化物、Nb,Mo,Rh,Hf,Ta,W,R
e,Ir,Pt,Ti,Au,Ag,Cu,Cr,A
l,Co,Ni,Fe,Pb,Pd,Ca,Ba等の金
属、等が挙げられるが、これらに限定されるものではな
い。また、上記の微粒子膜の形成方法としては、分散塗
布後焼成を行って微粒子化する、あるいはガスデポジシ
ョン法によって形成する等適当な手法を用いれば良く、
該微粒子膜のシート抵抗は5×103 〜1×107 Ω/
□程度が望ましい。
【0030】次に、本発明の特徴であるところの、上記
微粒子表面に付設した被覆部材について詳述する。
【0031】本発明に係る被覆部材17は、例えば図2
に示すように電子放出部を形成する微粒子16の表面を
被覆するように付設される。上記被覆部材には導電体、
半導体、絶縁体等のいかなる材料を用いても構わない
が、本発明においては、特に、電子放出部を構成する微
粒子16に含有される元素よりも原子量の大きい元素及
び/または低仕事関数材料を含むものが用いられる。
【0032】かかる被覆部材の材料としては、具体的に
はRu,Pd,Ag,Cd,Sn,Sb,Te,Ta,
W,Re,Pt,Au,Pb,Bi,Cs,Ba等の金
属材料及びこれらの化合物が挙げられる。本発明におい
て、例えば、電子放出部にPd微粒子を用いた場合、被
覆部材はPdよりも原子量の大きいPb,Pt等の材料
で形成すれば良い。
【0033】本発明の電子放出素子では、上記のように
電子放出部を形成する微粒子の表面に、該微粒子材料を
構成している元素よりも原子量の大きい元素を含む材料
からなる被覆部材を設けることにより、高い電子放出効
率を得ることができる。実際、上記被覆部材が電子放出
効率の向上にいかなる役割を果しているかは不明である
が、本発明者等は被覆部材が電子放出部の微粒子表面で
の電子の屈折、回折、あるいは散乱等の効率を向上させ
ているものと考えている。即ち、微粒子膜内で加速され
た電子は、外部から印加された電圧程度のエネルギーを
持って、通電処理,通電加熱処理等により形成された電
子放出部の微粒子に衝突し、屈折、回折あるいは散乱等
の効果により電子放出素子の概鉛直方向に向きを変化さ
せ、素子外部に脱出するものと考えられる。従って、微
粒子材料よりも原子量の大きい材料、即ち原子内部の電
子密度の高い材料を用いて被覆部材を形成することで電
子の放出効率を向上させているものと推測される。
【0034】また、先述した低仕事関数材料、例えばC
s,Ba等の材料を被覆部材に用いた場合には、被覆部
材による屈折、回折あるいは散乱等の効果に加え、微粒
子表面の仕事関数の低下により、より一層、高い電子放
出効率が得られる。
【0035】本発明において、上記被覆部材の膜厚は、
該被覆部材を通過する電子の平均自由行程以上の厚さを
有する。このことにより、上述した微粒子表面での電子
の屈折、回折、散乱等の効率がより一層高まり、電子放
出量及び電子放出効率を高めることができると共に、電
子放出量の時間的な変動を低減し、放出電流の安定化を
実現できる。
【0036】一般に、固体内部で運動する電子は固体を
形成する原子の原子核、あるいは電子等に衝突すること
によってその運動エネルギーを失う。その衝突と衝突の
間に電子の進む距離、言い替えれば、固体内部を運動す
る電子がエネルギーを失うことなく進むことのできる距
離を電子の平均自由行程(mean free pat
h)と呼ぶ。
【0037】電子の平均自由行程は固体を形成する原子
の種類にはあまり依存せず、電子の持っているエネルギ
ーに強く依存しており、数eV〜数千eVのエネルギー
を持った電子の平均自由行程はほぼ数Åから100Å程
度である。特に、電子のエネルギーが100eV程度の
場合に平均自由行程は極小値をとることが知られてい
る。(G.Someriai,Chemistry i
n Two Dimensions:Surface
Cornell University Press,
Ithaca,N.Y,1981) 従って、本発明に用いられる被覆部材は、電子放出部を
形成する超微粒子材料よりも原子量の大きい材料を用
い、更に放出部を通過する電子の持っているエネルギー
によって決まる平均自由行程以上の厚みを持たせること
で電子放出効率を向上させることが可能となる。
【0038】電子の平均自由行程の測定方法としては、
X線を励起光源として固体表面から脱出する電子の運動
エネルギーを測定するX線光電子分光(XPS)、紫外
線を励起光源とする紫外線光電子分光(UPS)、電子
線励起によるオージェ電子の運動エネルギーを測定する
オージェ電子分光(AES)等があげられ、これらよ
り、本発明に用いられる被覆部材中の電子の平均自由行
程を直接測定することができる。
【0039】また、被覆部材の膜厚は素子の駆動電圧に
よっても異なるが、一般的には数十Åから数百Åが適用
可能であり、本発明においては、上記の電子放出特性の
向上のために、300Å以上であるのが好ましい。
【0040】また、本発明に用いられる被覆部材は、必
ずしも連続膜である必要はなく、粒径数十Åから数百Å
の微粒子からなる不連続膜であっても上記と同様の効果
がある。この場合においても、上記不連続膜を構成して
いる膜部分の膜厚は前記平均自由行程以上であり、より
好ましくは被覆部材を構成している微粒子の粒径が前記
平均自由行程以上であるのが望ましい。
【0041】被覆部材の形成方法は通常の真空蒸着、有
機錯体の塗布焼成、等いかなる手法を用いても良い。ま
た、被覆部材の形成手順としては微粒子膜15形成後、
直ちに形成する、あるいは通電処理等を行い微粒子16
から成る不連続な電子放出部を形成した後、形成する等
どちらでも構わない。
【0042】また、微粒子16から成る不連続膜部分の
表面を覆う被覆部材の領域の形状(幅や長さ等)を制御
することにより、実効的な電子放出部の形状を容易に制
御することができ、素子ごとの放出電流の均一性,再現
性を向上できる。
【0043】以上のごとく、本発明による電子放出素子
では、通電処理等により形成されるところの電子放出部
を構成する微粒子の位置、配列等の制御を行うことな
く、電子放出量及び電子放出効率等の素子特性の向上を
図るものであり、これにより、安定且つ再現性良く均一
な素子特性を有する電子放出素子を提供できる。
【0044】以上述べたように、本発明は相対向する電
極と、該電極間に設けられた不連続な電子放出部からな
る表面伝導形電子放出素子に適用可能であり、従来の連
続膜を通電加熱することにより電子放出部を形成するい
わゆるフォーミング素子、及び電極間に予め不連続膜を
設けてなる表面伝導形電子放出素子、どちらにも応用で
きるものであり、特に、後者の素子に適用した場合に
は、微粒子膜に非常に少ない電流を流すことで電子放出
させることができ、かかる素子を複数面状に展開した電
子源への応用に好適である。
【0045】更にまた、本発明の電子放出素子を面状に
複数配置した面状電子源を用いた電子線発生装置及び画
像形成装置では、各素子の電子放出効率が向上すると共
に、各素子の素子特性を均一にできるため、低電力駆動
可能で且つ均一な発光輝度を有する画像表示が得られ
る。
【0046】本発明の画像形成装置において、上記電子
源からの電子線の照射により画像を形成する画像形成部
材としては、従来のように、例えば蛍光体、レジスト材
等、電子が衝突することにより発光,変色,帯電,変質
等する部材を用いることができ、特に、前記電子線の照
射により発光するレッド、グリーン、ブルーの三原色発
光体を用いた場合には、カラー画像の表示が可能とな
る。
【0047】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。
【0048】実施例1 図1は本実施例の素子構成図であり、図2は図1のA−
A断面図、図3はその製造方法を示した説明図である。
【0049】先ず、これらの図を用いて、本実施例の電
子放出素子の製造方法を説明する。
【0050】.絶縁性基板11として石英基板を用
い、有機溶剤等により充分洗浄し、真空蒸着技術、フォ
トリソグラフィー技術により電極12,13を形成す
る。電極の材料としては導電性を有するものであればど
のようなものであっても構わないが、本実施例ではNi
金属を用いて形成した。この電極間隔14は、実用的に
は0.5μmから20μmに形成されることが望まし
く、本実施例では6μm間隔とし、膜厚は1000Åと
した(図3(a)参照)。
【0051】.次に、有機パラジウムを電極12と1
3の間に分散塗布する。有機パラジウムは奥野製薬
(株)CCP−4230を用いた。
【0052】微粒子を分散したくないところにはテープ
又はレジスト膜を設け、その後ディッピング法又はスピ
ナー法で有機パラジウムを塗布する。次に、テープ又は
レジスト膜を剥離することにより所定の位置に微粒子膜
15を作成した。次に、З00℃で1時間焼成し有機パ
ラジウムを分散し、パラジウムと酸化パラジウムの混合
した微粒子膜を形成する。微粒子膜の幅Wはどのような
値のものでも構わないが本実施例では1mmとした。こ
のとき、パラジウムと酸化パラジウムの微粒子の径は共
に10Å〜150Åであったが本発明はこれに限るもの
ではない(図3(b)参照)。
【0053】.こうして得られた素子を10-6tor
r〜10-7torrの真空度に維持された真空容器中に
入れ、通電処理を行い電子放出部16を形成し、電子放
出を行ったところ、電極12,13間に印加する電圧が
14Vのとき、素子を流れる電流がほぼ5mA、素子か
ら放出される電流がほぼ3μAであった(図3(c)参
照)。
【0054】こうして得られた電子放出素子の電子放出
部をSEM観察したところ、粒径50〜100Å程度の
不連続な微粒子膜が形成されていた。 .次に、上記素子のパラジウムを含有する微粒子膜形
成部分に、プラチナの有機錯体溶液を分散塗布し、50
0℃−10分間の焼成を行い、プラチナからなる被覆部
材17を設けて素子を完成した(図3(d)参照)。
【0055】こうして得られた電子放出素子の電子放出
部をSEM観察したところ、前記微粒子膜の表面を覆う
ように、被覆部材が形成されており、その膜厚はほぼ3
00Åであった。
【0056】こうして形成された被覆部材中での電子の
平均自由行程を測定するために、プラチナ膜のUPS、
AES測定を行ったところ、初速度10〜20eV程度
のエネルギーを持った電子のプラチナ中での平均自由行
程は100〜150Å程度であった。また、本実施例に
おいて作製された電子放出素子の電子放出部表面に形成
されたプラチナ膜の膜厚を測定したところ、ほぼ300
Åであることが確認された。
【0057】また、電子放出部の組成分析を行ったとこ
ろ、パラジウムとプラチナが検出され、その強度比か
ら、放出部最表面はプラチナ、内部はパラジウムとなっ
ていることが確認された。
【0058】上記素子を再度10-6〜10-7torrの
真空中に入れ、素子印加電圧14Vとして電子放出させ
たところ、素子電流がほぼ5mAで、放出電流がほぼ1
0μAであった。また、放出電流の安定性及び経時変化
を測定したところ、放出電流の時間的変動幅はほぼ±3
%以内、100時間連続駆動後の放出電流の増減はほぼ
−5%という結果が得られた。
【0059】一方、パラジウムからなる微粒子膜を電子
放出部に用いた素子の場合の放出電流の時間的変動幅は
ほぼ±7%程度であり、前記微粒子膜表面に被覆部材を
形成することで、電子放出効率の向上と共に、放出電流
の安定化も同時に実現できることが示された。
【0060】実施例2 図4は本実施例で作製した本発明の素子構成図である。
同図において41は絶縁性ガラス基板、42,43は相
対向する一対の電極、44は電子放出部を構成する微粒
子からなる不連続膜、46は本発明の特徴である被覆部
材である。図中不図示ではあるが、通電処理後は微粒子
膜44は不連続膜となっている。
【0061】本実施例では、実施例1同様充分脱脂洗浄
したガラス基板41上に通常のフォトリソグラフィー技
術と真空蒸着技術を用いて、ほぼ2μmの電極間隔を有
する一対の電極42,43を形成した。次に、上記電極
間に有機金属ルテニウム錯体を含有する有機溶媒を回転
塗布した後、450℃−10分間の焼成を行い、電極間
にルテニウム及び酸化ルテニウムからなる微粒子不連続
膜を形成した。更に、上記素子上に有機金属からなる金
を含有する有機溶媒を回転塗布後、450℃−10分間
の焼成を行い素子を完成した。
【0062】こうして得られた素子をほぼ2×10-6t
orrの真空度に保たれた真空容器中に入れ、通電処理
を行った後、素子鉛直上方5mmの位置に直流電圧1k
Vを印加したアノード電極を設けて素子を駆動し、放出
電流の測定を行ったところ、素子駆動電圧14V時に素
子電流6mA、放出電流15μAが得られた。これは、
通常の表面伝導形素子において、放出部材料にルテニウ
ムを用いた場合と比較して、ほぼ5倍程度の放出電流量
であり、素子電流はほぼ同等であることから、およそ5
倍程度の電子放出効率の向上が見られたことになる。
【0063】また、上記素子の電子放出部の形態及び組
成を実施例1同様に確認したところ、放出部を形成して
いる微粒子は金で被覆されたルテニウム微粒子であるこ
とが確認された。
【0064】また、被覆部材の膜厚は約300Åであ
り、該被覆部材を通過する約20eVのエネルギーを持
った電子の平均自由行程は150Å以上であることが確
認された。
【0065】以上の結果から、本発明は電極間に放出部
材料と被覆部材となる材料を予め積層した後、通電処理
を施しても実施例1と同等の効果があることが確認され
た。
【0066】実施例3 本実施例では、本発明に係る被覆部材に低仕事関数材料
であるセシウムを用いた。本実施例の素子作製方法は実
施例1と同様である。また、電子放出部を形成する微粒
子膜も実施例1と同様に有機金属パラジウムの回転塗布
/焼成により形成した。
【0067】本実施例では、上記素子を5×10-8to
rrの真空中に入れ、通電処理を行って電子放出素子と
しての機能及び特性確認後、同一真空容器中でセシウム
の蒸着を行った。
【0068】その結果、セシウム蒸着前の放出電流は1
μA以下、電子放出効率0.1%以下であったが、セシ
ウム蒸着後の放出電流は20μA以上、電子放出効率1
0%以上となり、放出電流、放出効率共に激増した。こ
れは、被覆部材による屈折、回折あるいは散乱等の効率
上昇と共にセシウム蒸着による微粒子表面の仕事関数の
低下が有効に働いていることを示している。
【0069】また、上記素子の電子放出部の形態及び組
成を実施例1同様に確認したところ、放出部を形成して
いる微粒子はセシウムで被覆されたパラジウム微粒子で
あった。また、被覆部材の膜厚は約300Åであり、該
被覆部材を通過する電子の平均自由行程は150Å以上
であることが確認された。
【0070】実施例4 図5は、本実施例の画像形成装置を示す構成図である。
本実施例の面状電子源は、実施例1の電子放出素子を複
数配列したもので、特に、電極502と電極503の間
に電子放出素子を並列に配置した線電子源を複数本基板
に規則正しく設けたものである。
【0071】同図において、501は絶縁性基板、50
5は微粒子膜、506は電子放出部、507はグリッド
電極、508は電子通過孔であり、上記線電子源を複数
本設けた面状電子源と、該電子源から放出される電子線
を情報信号に応じて変調するグリッド電極507により
電子線発生装置が構成されている。
【0072】また、509はアルミニウム材からなるメ
タルバック、510は画像形成部材であるところの蛍光
体、511はガラス板であり、これらによってフェース
プレート513を構成している。尚、512は蛍光体の
輝点である。
【0073】本実施例において、グリッド電極507は
複数のライン電極群からなり、面状電子源の電極群と直
角方向に配置される。電子通過孔508は電子放出部5
06のほぼ鉛直上に設けられ、グリッド電極507を信
号電極、線電子源群を走査電極として、XYマトリック
ス駆動を行い画像を形成するものである。
【0074】フェースプレート513は透明なガラス板
511の上に蛍光体510が一様に塗布され、さらにそ
の上にメタルバック509を設けたものである。
【0075】本実施例の画像形成装置に於いて、電極5
02と電極503に14Vの電圧を印加することにより
各電子放出部506から電子を放出させ、グリッド電極
507に適当な電圧を印加することにより電子を引き出
し蛍光体510に電子を衝突させた。尚、本画像形成装
置は、当然ながら真空度1×10-5torr〜1×10
-7torrの環境下に置かれ、蛍光体に500〜500
0Vの電圧を印加した。
【0076】本発明の特徴である被覆部材を設けた電子
放出素子を用いて形成した本実施例の画像形成装置と、
被覆部材を設けない同様の電子放出素子を用いて形成し
た従来の画像形成装置とを比較検討したところ、次のよ
うな結果が得られた。 (1)本実施例の画像形成装置は、各電子放出部から放
出される電流量が、従来装置に比べ2〜3倍増加し、極
めて明るい表示画像が得られた。 (2)本実施例の画像形成装置は、明るさのばらつき及
び各発光輝点のチラツキの少ない良好な表示画像が得ら
れた。 (3)本実施例の画像形成装置は、従来装置より明るい
表示画像が得られるにもかかわらず、消費電力は従来装
置とほぼ同等であった。
【0077】以上のことから、本発明の電子放出素子を
用いた画像形成装置は、カラー画像、高精細画像を得る
のに好適に用いることができる。
【0078】以上、本実施例は画像形成装置についての
み説明してきたが、電子ビーム応用装置としては、記録
装置,記憶装置,電子ビーム描画装置等の様々な装置が
あり、本発明は電子放出素子が複数配置された面状電子
源を用いた装置であれば同等の効果がある。
【0079】
【発明の効果】以上説明したように、電子放出部を形成
する微粒子表面に被覆部材を付設した本発明の電子放出
素子及び、該素子を用いて構成した電子線発生装置並び
に画像形成装置は以下の効果を奏する。 (1)電子放出部を構成する微粒子の位置,配列等の制
御を行うことなく、電子放出量及び電子放出効率等の素
子特性を大幅に向上させることができる。 (2)放出電流の時間的変動(ゆらぎ)を低減すること
ができる。 (3)安定且つ再現性良い電子放出素子を提供でき、該
素子を複数面状に展開した電子線発生装置は、均一な電
子放出量が得られる。 (4)画像形成装置として、均一な発光輝度の画像表示
が得られる。 (5)画像形成装置として、低消費電力化が可能とな
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の表面伝導形電子放出素子の構成図であ
る。
【図2】図1のA−A断面の概略図である。
【図3】実施例1における本発明の電子放出素子の製造
工程を説明するための工程図である。
【図4】実施例2で作製した本発明の電子放出素子の概
略図である。
【図5】本発明の電子放出素子を用いた画像形成装置の
構成図である。
【図6】従来の通電加熱によって作製された電子放出素
子の構成図である。
【図7】従来の微粒子膜を通電処理することにより作製
された電子放出素子の構成図である。
【図8】従来型電子源を用いた画像形成装置の構成図で
ある。
【符号の説明】
11 素子形成基板 12,13 電極 14 電極間隔部 15 微粒子膜 16 電子放出部を形成する微粒子 17 被覆部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野村 一郎 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 鱸 英俊 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 浜元 康弘 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板上の電極間に、電子放出部を形成す
    る微粒子が分散配置された電子放出素子において、該微
    粒子表面に、該微粒子に含有される元素よりも原子量の
    大きな元素を含む被覆部材を有し、且つ、該被覆部材
    が、該被覆部材を通過する電子の平均自由行程以上の厚
    さを有することを特徴とする電子放出素子。
  2. 【請求項2】 基板上の電極間に、電子放出部を形成す
    る微粒子が分散配置された電子放出素子において、該微
    粒子表面に、低仕事関数材料を含む被覆部材を有し、且
    つ、該被覆部材が、該被覆部材を通過する電子の平均自
    由行程以上の厚さを有することを特徴とする電子放出素
    子。
  3. 【請求項3】 前記被覆部材の厚さが、前記平均自由行
    程以上で、且つ、300Å以上であることを特徴とする
    請求項1又は2に記載の電子放出素子。
  4. 【請求項4】 前記被覆部材が、微粒子で構成される不
    連続膜よりなることを特徴とする請求項1又は2に記載
    の電子放出素子。
  5. 【請求項5】 前記被覆部材を構成する微粒子の粒径
    が、前記平均自由行程以上であることを特徴とする請求
    項4記載の電子放出素子。
  6. 【請求項6】 請求項1〜5いずれかに記載の電子放出
    素子の複数と、該電子放出素子から放出される電子線を
    情報信号に応じて変調する変調手段とを有することを特
    徴とする電子線発生装置。
  7. 【請求項7】 請求項1〜5いずれかに記載の電子放出
    素子の複数と、該電子放出素子から放出される電子線を
    情報信号に応じて変調する変調手段と、該電子線の照射
    により画像を形成する画像形成部材とを有することを特
    徴とする画像形成装置。
  8. 【請求項8】 前記画像形成部材が、前記電子線の照射
    により発光する発光体であることを特徴とする請求項7
    記載の画像形成装置。
  9. 【請求項9】 前記画像形成部材が、前記電子線の照射
    により発光するレッド、グリーン、ブルーの三原色発光
    体であることを特徴とする請求項7記載の画像形成装
    置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0741402A3 (de) * 1995-05-02 1997-11-26 Philips Patentverwaltung GmbH Elektrische Entladungsröhre oder Entladungslampe, Flachbildschirm, Niedertemperaturkathode und Verfahren zu deren Herstellung
US6184626B1 (en) 1995-01-31 2001-02-06 Canon Kabushiki Kaisha Electron beam apparatus and method of driving the same
CN100372047C (zh) * 2005-09-09 2008-02-27 清华大学 一种薄膜场发射显示器件及其场发射阴极的制备方法

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