JPH06204149A - 化合物半導体製造方法 - Google Patents
化合物半導体製造方法Info
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- JPH06204149A JPH06204149A JP5169193A JP16919393A JPH06204149A JP H06204149 A JPH06204149 A JP H06204149A JP 5169193 A JP5169193 A JP 5169193A JP 16919393 A JP16919393 A JP 16919393A JP H06204149 A JPH06204149 A JP H06204149A
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- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10P14/2907—Materials being Group IIIA-VA materials
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- H10P14/3414—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being group IIIA-VIA materials
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- Y10S148/11—Metal-organic CVD, ruehrwein type
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/914—Doping
- Y10S438/925—Fluid growth doping control, e.g. delta doping
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 化合物半導体への効率の高い炭素ドーピング
の方法を得る。 【構成】 ＧａＡｓ：Ｃの減圧有機金属気相エピタキシ
ー１３において、第三ブチルアルシンの代わりにトリメ
チルアルシン３を使用することによってＣＣｌ4 ５の炭
素ドーピングが促進される。同様な条件の場合、３によ
れば第三ブチルアルシンの場合よりも成長層中の正孔濃
度は３倍高い。この結果、３を用いることにより、より
高い成長温度を採用でき、従ってより安定した炭素のド
ーピングが実現できる。６５０℃で５分間のアニーリン
グでも３によって成長させた層を劣化させることはない
が、第三ブチルアルシンを用いた成長層は正孔の濃度お
よび移動度のいずれにおいても減少を示す。また、この
ＧａＡｓ：Ｃ中には高いレベルの水素原子が検出され
る。この水素レベル３を用いて成長させた層中では約３
０分の１となる。この水素濃度の減少は付加的なメリッ
トである。
の方法を得る。 【構成】 ＧａＡｓ：Ｃの減圧有機金属気相エピタキシ
ー１３において、第三ブチルアルシンの代わりにトリメ
チルアルシン３を使用することによってＣＣｌ4 ５の炭
素ドーピングが促進される。同様な条件の場合、３によ
れば第三ブチルアルシンの場合よりも成長層中の正孔濃
度は３倍高い。この結果、３を用いることにより、より
高い成長温度を採用でき、従ってより安定した炭素のド
ーピングが実現できる。６５０℃で５分間のアニーリン
グでも３によって成長させた層を劣化させることはない
が、第三ブチルアルシンを用いた成長層は正孔の濃度お
よび移動度のいずれにおいても減少を示す。また、この
ＧａＡｓ：Ｃ中には高いレベルの水素原子が検出され
る。この水素レベル３を用いて成長させた層中では約３
０分の１となる。この水素濃度の減少は付加的なメリッ
トである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体のドーピングに関するものであり、更に詳細には炭素
ドープされるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のドーピング安
定性の改善に関するものである。
体のドーピングに関するものであり、更に詳細には炭素
ドープされるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のドーピング安
定性の改善に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近では、有機金属気相エピタキシー
（ＯＭＶＰＥ、あるいはしばしばＭＯＶＰＥ、ＭＯＣＶ
ＤまたはＯＭＣＶＤと呼ばれている）によるＧａＡｓ中
でのｐ形ドーパントとして炭素が広く用いられている。
炭素は高濃度においても拡散性が低いことから、ＡｌＧ
ａＡｓ／ＧａＡｓヘテロ接合バイポーラトランジスタ
（ＨＢＴ）や縦型電界効果トランジスタ（ＶＦＥＴ）等
の高濃度にドープされたｐ形層を必要とするデバイス構
造に対して理想的なドーパントである。このことはＢ．
Ｔ．カニンガム（Cunningham）等による、Applied Phys
ics Letters の第５４巻、頁１９０５（１９８９年）に
記載された論文に述べられている。
（ＯＭＶＰＥ、あるいはしばしばＭＯＶＰＥ、ＭＯＣＶ
ＤまたはＯＭＣＶＤと呼ばれている）によるＧａＡｓ中
でのｐ形ドーパントとして炭素が広く用いられている。
炭素は高濃度においても拡散性が低いことから、ＡｌＧ
ａＡｓ／ＧａＡｓヘテロ接合バイポーラトランジスタ
（ＨＢＴ）や縦型電界効果トランジスタ（ＶＦＥＴ）等
の高濃度にドープされたｐ形層を必要とするデバイス構
造に対して理想的なドーパントである。このことはＢ．
Ｔ．カニンガム（Cunningham）等による、Applied Phys
ics Letters の第５４巻、頁１９０５（１９８９年）に
記載された論文に述べられている。
【０００３】ＯＭＶＰＥでの炭素ドーピングに最も広く
用いられている２つの方法は、（１）意図的にドーパン
ト源としてＣＣｌ4 を付加するものと、（２）意図的な
ドーパント源としてではなく、砒素と炭素の材料源とし
てトリメチルアルシン（（ＣＨ3 ）3 ＡｓまたはＭｅ3
Ａｓ）を用いるものである。これらについては、Applie
d Physics Letters の第５７巻、頁２３４８（１９９０
年）に発表されたＰ．Ｍ．エンキスト（Enquist ）の論
文およびJournal of Crystal Growth の第１０２巻、頁
１８３（１９９０年）に発表されたＴ．小林（Kobayash
i ）等による論文に述べられている。両方法とも、Ｇａ
Ａｓ中に１×１０20／ｃｍ3 を越える正孔濃度を実現で
きるが、ドーピング濃度は、成長温度、ＩＩＩ族元素と
Ｖ族元素の比率、そして成長速度等の数多くの成長パラ
メータに左右される。第２の方法では、ドーピング濃度
を変化させるための最も都合の良いパラメータは成長温
度であって、成長温度が低いほどドーピング濃度を高く
できる。ＣＣｌ4 を使用する場合、ＣＣｌ4 の流量を変
化させることによってある程度はドーピング濃度を変化
させることができるが、ＣＣｌ4 の流量を最小化するた
めには、それは反応炉にとって危険を伴うのであるが、
より高いドーピング濃度を得るのには、より低い成長温
度（≦６００℃）が望ましい。他方、低い成長温度（≦
６００℃）を用いることは、炭素ドープされたＧａＡｓ
（ＧａＡｓ：Ｃ）の電気的および光学的性質が熱処理後
に劣化するため、望ましくない。ＧａＡｓ：Ｃのアニー
リングは、Applied Physics Letters の第５９巻、頁２
００１（１９９１年）に記載されたＭ．Ｃ．ハンナ（Ha
nna ）等による論文に述べられたように、正孔の濃度と
移動度およびフォトルミネッセンス強度を低下させる。
そのような劣化は高濃度に炭素をドープされたＧａＡｓ
において特に問題となる。それは、そのような高濃度レ
ベルのドーピングを得るために用いられる成長温度がそ
れ以後の層成長のために十分高いものではないためであ
る。例えば、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓのＨＢＴの高濃度
ドープされたベース層の後でＡｌＧａＡｓエミッタ層を
成長させるためには成長温度を本質的に高くする必要が
あり、その持ち上げられる温度はベース層の電気的特性
を劣化させるのに十分に高いものである。更に、デバイ
ス製造の過程ではしばしば、被覆成長やアニーリングと
いった高温処理工程が必要とされる。それらの処理工程
もまたベース層の電気的特性を劣化させ得る。
用いられている２つの方法は、（１）意図的にドーパン
ト源としてＣＣｌ4 を付加するものと、（２）意図的な
ドーパント源としてではなく、砒素と炭素の材料源とし
てトリメチルアルシン（（ＣＨ3 ）3 ＡｓまたはＭｅ3
Ａｓ）を用いるものである。これらについては、Applie
d Physics Letters の第５７巻、頁２３４８（１９９０
年）に発表されたＰ．Ｍ．エンキスト（Enquist ）の論
文およびJournal of Crystal Growth の第１０２巻、頁
１８３（１９９０年）に発表されたＴ．小林（Kobayash
i ）等による論文に述べられている。両方法とも、Ｇａ
Ａｓ中に１×１０20／ｃｍ3 を越える正孔濃度を実現で
きるが、ドーピング濃度は、成長温度、ＩＩＩ族元素と
Ｖ族元素の比率、そして成長速度等の数多くの成長パラ
メータに左右される。第２の方法では、ドーピング濃度
を変化させるための最も都合の良いパラメータは成長温
度であって、成長温度が低いほどドーピング濃度を高く
できる。ＣＣｌ4 を使用する場合、ＣＣｌ4 の流量を変
化させることによってある程度はドーピング濃度を変化
させることができるが、ＣＣｌ4 の流量を最小化するた
めには、それは反応炉にとって危険を伴うのであるが、
より高いドーピング濃度を得るのには、より低い成長温
度（≦６００℃）が望ましい。他方、低い成長温度（≦
６００℃）を用いることは、炭素ドープされたＧａＡｓ
（ＧａＡｓ：Ｃ）の電気的および光学的性質が熱処理後
に劣化するため、望ましくない。ＧａＡｓ：Ｃのアニー
リングは、Applied Physics Letters の第５９巻、頁２
００１（１９９１年）に記載されたＭ．Ｃ．ハンナ（Ha
nna ）等による論文に述べられたように、正孔の濃度と
移動度およびフォトルミネッセンス強度を低下させる。
そのような劣化は高濃度に炭素をドープされたＧａＡｓ
において特に問題となる。それは、そのような高濃度レ
ベルのドーピングを得るために用いられる成長温度がそ
れ以後の層成長のために十分高いものではないためであ
る。例えば、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓのＨＢＴの高濃度
ドープされたベース層の後でＡｌＧａＡｓエミッタ層を
成長させるためには成長温度を本質的に高くする必要が
あり、その持ち上げられる温度はベース層の電気的特性
を劣化させるのに十分に高いものである。更に、デバイ
ス製造の過程ではしばしば、被覆成長やアニーリングと
いった高温処理工程が必要とされる。それらの処理工程
もまたベース層の電気的特性を劣化させ得る。
【０００４】
【発明の概要】本発明に従えば、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体、特にＧａＡｓのための炭素ドーピング法が得られ
る。この方法は一般的に用いられているアルシン（また
はｔ−ＢｕＡｓＨ2 ）の代わりに原子状水素のない砒素
源と、望ましくはＭｅ3 あるいはトリエチルアルシン
（Ｅｔ3 Ａｓ）を用いて、（アルシン（またはｔ−Ｂｕ
ＡｓＨ2 ）の分解によって発生する原子状水素をなくす
ことによって）ＣＣｌ4 のドーピング効率を高めるもの
である。このＣＣｌ4 はＣＣｌ3 Ｈ、ＣＣｌ2 Ｈ2、あ
るいはＣＣｌＨ3 によって置き換えることも可能で、ま
た多分、臭素およびヨウ素の対応するハロゲン化物およ
び１個よりも多い炭素原子を含むハロゲン化物によって
置き換えらることもできる。炭化水素の生成を最小化す
るためには、系の中の水素を最小化することが望まし
く、従ってＩＩＩ−Ｖ族半導体材料をドーピングするた
めに利用できるフリーな炭素の量を最大化することが望
ましい。従って、ＣＣｌ4 が望ましい。高い成長温度を
許容する本方法によって、より安定した炭素ドーピング
が達成できる。本発明はＧａＡｓや他のＩＩＩ−Ｖ族半
導体材料に加えてＡｌＧａＡｓに対しても有用である。
また、本方法は高濃度にドープされるｐ形ＡｌＧａＡｓ
を必要とする任意の応用に対して有用である。
導体、特にＧａＡｓのための炭素ドーピング法が得られ
る。この方法は一般的に用いられているアルシン（また
はｔ−ＢｕＡｓＨ2 ）の代わりに原子状水素のない砒素
源と、望ましくはＭｅ3 あるいはトリエチルアルシン
（Ｅｔ3 Ａｓ）を用いて、（アルシン（またはｔ−Ｂｕ
ＡｓＨ2 ）の分解によって発生する原子状水素をなくす
ことによって）ＣＣｌ4 のドーピング効率を高めるもの
である。このＣＣｌ4 はＣＣｌ3 Ｈ、ＣＣｌ2 Ｈ2、あ
るいはＣＣｌＨ3 によって置き換えることも可能で、ま
た多分、臭素およびヨウ素の対応するハロゲン化物およ
び１個よりも多い炭素原子を含むハロゲン化物によって
置き換えらることもできる。炭化水素の生成を最小化す
るためには、系の中の水素を最小化することが望まし
く、従ってＩＩＩ−Ｖ族半導体材料をドーピングするた
めに利用できるフリーな炭素の量を最大化することが望
ましい。従って、ＣＣｌ4 が望ましい。高い成長温度を
許容する本方法によって、より安定した炭素ドーピング
が達成できる。本発明はＧａＡｓや他のＩＩＩ−Ｖ族半
導体材料に加えてＡｌＧａＡｓに対しても有用である。
また、本方法は高濃度にドープされるｐ形ＡｌＧａＡｓ
を必要とする任意の応用に対して有用である。
【０００５】従って本発明の目的は、系の水素量を最小
化することである。この理由で、炭素ドープのＧａＡｓ
（または炭素ドープの他のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体）
の堆積を行わせるために、反応炉中へＣＣｌ4 、トリメ
チルアルシン、そしてトリメチルガリウム（Ｍｅ3 Ｇ
ａ）を運ぶ（あるいはその他のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体前駆物質および炭素を含有するドーパントを運ぶ）た
めに通常用いられている水素キャリアガスの代わりに、
供給される材料および反応炉中で生成される材料に対し
て不活性の、ヘリウム、アルゴン等のキャリアガスを用
いることができる。
化することである。この理由で、炭素ドープのＧａＡｓ
（または炭素ドープの他のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体）
の堆積を行わせるために、反応炉中へＣＣｌ4 、トリメ
チルアルシン、そしてトリメチルガリウム（Ｍｅ3 Ｇ
ａ）を運ぶ（あるいはその他のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体前駆物質および炭素を含有するドーパントを運ぶ）た
めに通常用いられている水素キャリアガスの代わりに、
供給される材料および反応炉中で生成される材料に対し
て不活性の、ヘリウム、アルゴン等のキャリアガスを用
いることができる。
【０００６】
【実施例】図１を参照すると、本発明に従って炭素ドー
プされたＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を供給する典型的な反
応炉システムが示されている。このシステムは複数個の
バルブで制御されるタンク１、３、５、７、９を含んで
おり、各々のタンクには反応に必要な前駆ガスの１つま
たはキャリアガスが収容されている。図示のシステムで
は、水素キャリアガス（これは材料および製造工程での
反応生成物に対して不活性なガスで置き換えることがで
きる）を収容するタンク１、トリメチルアルシンを収容
するタンク３、四塩化炭素を収容するタンク５、トリメ
チルガリウムを収容するタンク７、そしてトリメチルア
ルミニウムを収容するタンク９がある。タンク１からの
水素ガスは、タンク３、５、７、および９のうちの１個
または複数個のタンク中で、それぞれのタンクに付随す
るバルブを必要に応じて選択的に開閉することによっ
て、その液体中を気泡状態でくぐらされる。この水素ガ
スはキャリアガスとして働き、くぐらされることにより
選ばれた化合物を気体の形で反応室１３中へ運ぶ。反応
室は加熱可能な架台１５を含み、その上には例えばＧａ
Ａｓ基板１７が置かれて架台によって加熱され得る。反
応室１３は約１０ないし約７６０Ｔｏｒｒの圧力、望ま
しくは約６０Ｔｏｒｒまたは８０ｋＰａに排気され、そ
こでの温度は４５０℃ないし８００℃、望ましくは６１
０℃（炭素ドーピングのためには４５０℃ないし６００
℃）に加熱される。
プされたＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を供給する典型的な反
応炉システムが示されている。このシステムは複数個の
バルブで制御されるタンク１、３、５、７、９を含んで
おり、各々のタンクには反応に必要な前駆ガスの１つま
たはキャリアガスが収容されている。図示のシステムで
は、水素キャリアガス（これは材料および製造工程での
反応生成物に対して不活性なガスで置き換えることがで
きる）を収容するタンク１、トリメチルアルシンを収容
するタンク３、四塩化炭素を収容するタンク５、トリメ
チルガリウムを収容するタンク７、そしてトリメチルア
ルミニウムを収容するタンク９がある。タンク１からの
水素ガスは、タンク３、５、７、および９のうちの１個
または複数個のタンク中で、それぞれのタンクに付随す
るバルブを必要に応じて選択的に開閉することによっ
て、その液体中を気泡状態でくぐらされる。この水素ガ
スはキャリアガスとして働き、くぐらされることにより
選ばれた化合物を気体の形で反応室１３中へ運ぶ。反応
室は加熱可能な架台１５を含み、その上には例えばＧａ
Ａｓ基板１７が置かれて架台によって加熱され得る。反
応室１３は約１０ないし約７６０Ｔｏｒｒの圧力、望ま
しくは約６０Ｔｏｒｒまたは８０ｋＰａに排気され、そ
こでの温度は４５０℃ないし８００℃、望ましくは６１
０℃（炭素ドーピングのためには４５０℃ないし６００
℃）に加熱される。
【０００７】炭素ドープされるＧａＡｓをＧａＡｓ基板
１７上に形成する場合を想定すると、タンク１、３、
５、および７のバルブはそれぞれのガスを予め定められ
た流量率で供給するように開かれ、それらのガスがバブ
ラ１１を経て反応室１３中へ通過してゆく。これらのガ
スは反応室中で反応し、ＧａＡｓ：Ｃを形成して、それ
がＧａＡｓ基板１７上へ堆積する。炭化水素ガスと一緒
に形成されるＨＣｌガスは反応室から排除される。
１７上に形成する場合を想定すると、タンク１、３、
５、および７のバルブはそれぞれのガスを予め定められ
た流量率で供給するように開かれ、それらのガスがバブ
ラ１１を経て反応室１３中へ通過してゆく。これらのガ
スは反応室中で反応し、ＧａＡｓ：Ｃを形成して、それ
がＧａＡｓ基板１７上へ堆積する。炭化水素ガスと一緒
に形成されるＨＣｌガスは反応室から排除される。
【０００８】炭素ドープの三元化合物を生成する場合
は、タンク９のバルブも開いてそこから予め定められた
流量を反応室１３中へ供給することによって、ＧａＡｓ
基板１７上へ炭素ドープのＡｌＧａＡｓが形成される。
は、タンク９のバルブも開いてそこから予め定められた
流量を反応室１３中へ供給することによって、ＧａＡｓ
基板１７上へ炭素ドープのＡｌＧａＡｓが形成される。
【０００９】特定の例では、成長はＥＭＣＯＲＥ社のＧ
Ｓ−３２００型ＯＭＶＰＥ反応炉中で行われる。この反
応炉はトリメチルガリウム（Ｍｅ3 Ｇａ）と、第三ブチ
ルアルシン（アルシンの代わりのｔ−ＢｕＡｓＨ2 ）ま
たはＭｅ3 Ａｓのいずれかを使用する、低圧（８ｋＰ
ａ）、円盤回転型の縦型反応炉である。エピタキシャル
層は約４００ｎｍ厚の炭素ドープされたＧａＡｓ層と４
００ｎｍ厚の未ドープ（アンドープ）のＧａＡｓバッフ
ァ層であって、それらは（１１０）面方向へ２度傾けら
れた半絶縁性（１００）ＧａＡｓ基板上へ成長される。
Ｓ−３２００型ＯＭＶＰＥ反応炉中で行われる。この反
応炉はトリメチルガリウム（Ｍｅ3 Ｇａ）と、第三ブチ
ルアルシン（アルシンの代わりのｔ−ＢｕＡｓＨ2 ）ま
たはＭｅ3 Ａｓのいずれかを使用する、低圧（８ｋＰ
ａ）、円盤回転型の縦型反応炉である。エピタキシャル
層は約４００ｎｍ厚の炭素ドープされたＧａＡｓ層と４
００ｎｍ厚の未ドープ（アンドープ）のＧａＡｓバッフ
ァ層であって、それらは（１１０）面方向へ２度傾けら
れた半絶縁性（１００）ＧａＡｓ基板上へ成長される。
【００１０】炭素のドーピング効率は同様な成長条件の
もとで層成長を行うことによってｔ−ＢｕＡｓＨ2 −お
よびＭｅ3 Ａｓ−成長のＧａＡｓに関して測定された。
６１０℃での炭素ドープの成長層に関して、Ｍｅ3 Ｇ
ａ、ＣＣｌ4 、ｔ−ＢｕＡｓＨ 2 、そしてＭｅ3 Ａｓの
流量率はそれぞれ、３０、８、１００、そして１００マ
イクロモル／分間であった。次に、炭素ドーピングの安
定性を、同様な正孔濃度（約１．２×１０20／ｃｍ3 ）
を有する成長層を同様なアニーリング条件に曝すことに
よって比較した。高い正孔濃度を選んだのは、劣化が高
い正孔濃度で強調されるからである。炭素ドープ層を成
長させる間のＭｅ3 Ｇａ、ＣＣｌ4 、ｔ−ＢｕＡｓ
Ｈ2 、そしてＭｅ3 Ａｓの流量率はそれぞれ、６０、２
６、５０、そして１００マイクロモル／分間であった。
ｔ−ＢｕＡｓＨ2 −成長のＧａＡｓの成長温度は、望み
のドーピング濃度を得るために５５０℃に下げた。他方
Ｍｅ3 Ａｓ−成長の場合は６１０℃のままとした。いく
つかの層は、ＡｌＧａＡｓの典型的な成長温度である６
５０℃で５分間の成長後アニーリングを成長室中で施し
た。アニーリングの間、ｔ−ＢｕＡｓＨ2 の分解によっ
て生成される原子状水素の効果を調べるために、ｔ−Ｂ
ｕＡｓＨ2 またはＭｅ3 Ａｓのいずれかによって砒素の
過剰圧を保つようにした。アニーリングの間のｔ−Ｂｕ
ＡｓＨ2 およびＭｅ 3 Ａｓの流量率はいずれも２４０マ
イクロモル／分間であった。成長速度が大きいほどドー
ピング効率が高まることが見いだされたが、高い成長速
度ではＨＢＴ構造の薄い（≦１００ｎｍ）ベース層を信
頼性高く成長させることが困難であるため、成長速度は
１００ｎｍ／分間よりも小さい値に制限された。電荷キ
ャリアの濃度はファン・デア・パウ（Ｖａｎ ｄｅｒ
Ｐａｕｗ）の形状を用いたホール効果測定によって測定
され、炭素および水素の原子濃度は二次イオン質量分析
（ＳＩＭＳ）システムを用いて測定された。
もとで層成長を行うことによってｔ−ＢｕＡｓＨ2 −お
よびＭｅ3 Ａｓ−成長のＧａＡｓに関して測定された。
６１０℃での炭素ドープの成長層に関して、Ｍｅ3 Ｇ
ａ、ＣＣｌ4 、ｔ−ＢｕＡｓＨ 2 、そしてＭｅ3 Ａｓの
流量率はそれぞれ、３０、８、１００、そして１００マ
イクロモル／分間であった。次に、炭素ドーピングの安
定性を、同様な正孔濃度（約１．２×１０20／ｃｍ3 ）
を有する成長層を同様なアニーリング条件に曝すことに
よって比較した。高い正孔濃度を選んだのは、劣化が高
い正孔濃度で強調されるからである。炭素ドープ層を成
長させる間のＭｅ3 Ｇａ、ＣＣｌ4 、ｔ−ＢｕＡｓ
Ｈ2 、そしてＭｅ3 Ａｓの流量率はそれぞれ、６０、２
６、５０、そして１００マイクロモル／分間であった。
ｔ−ＢｕＡｓＨ2 −成長のＧａＡｓの成長温度は、望み
のドーピング濃度を得るために５５０℃に下げた。他方
Ｍｅ3 Ａｓ−成長の場合は６１０℃のままとした。いく
つかの層は、ＡｌＧａＡｓの典型的な成長温度である６
５０℃で５分間の成長後アニーリングを成長室中で施し
た。アニーリングの間、ｔ−ＢｕＡｓＨ2 の分解によっ
て生成される原子状水素の効果を調べるために、ｔ−Ｂ
ｕＡｓＨ2 またはＭｅ3 Ａｓのいずれかによって砒素の
過剰圧を保つようにした。アニーリングの間のｔ−Ｂｕ
ＡｓＨ2 およびＭｅ 3 Ａｓの流量率はいずれも２４０マ
イクロモル／分間であった。成長速度が大きいほどドー
ピング効率が高まることが見いだされたが、高い成長速
度ではＨＢＴ構造の薄い（≦１００ｎｍ）ベース層を信
頼性高く成長させることが困難であるため、成長速度は
１００ｎｍ／分間よりも小さい値に制限された。電荷キ
ャリアの濃度はファン・デア・パウ（Ｖａｎ ｄｅｒ
Ｐａｕｗ）の形状を用いたホール効果測定によって測定
され、炭素および水素の原子濃度は二次イオン質量分析
（ＳＩＭＳ）システムを用いて測定された。
【００１１】同様な条件下で成長させたｔ−ＢｕＡｓＨ
2 およびＭｅ3 Ａｓ−ＧａＡｓ：Ｃ層についてのホール
効果測定結果をまとめた表１から明かなように、成長速
度はＭｅ3 Ａｓの方がｔ−ＢｕＡｓＨ2 よりも３０％低
く、これは多分、Ｍｅ3 Ａｓによるサイトブロッキング
（site blocking ）によるものと考えられる。炭素のド
ーピング効率はＭｅ3 Ａｓを用いた場合の方がｔ−Ｂｕ
ＡｓＨ2 を用いた場合より約３倍大きく、ｔ−ＢｕＡｓ
Ｈ2 では分解によって原子状水素が生成されるためであ
ろうと思われる。ｔ−ＢｕＡｓＨ2 （またはＡｓＨ3 ）
の分解によって生成される成長表面における原子状水素
はＣＣｌ4 のドーピング効率を決定する際の重要な役目
を果たす。原子状水素はＣＣｌ4 と反応し、Applied Ph
ysics Letters の第５８巻、頁１６４（１９９１年）に
発表されたＭ．Ｃ．ハンナ（Hanna ）等による論文に述
べられているように、揮発性の物質を形成する。
2 およびＭｅ3 Ａｓ−ＧａＡｓ：Ｃ層についてのホール
効果測定結果をまとめた表１から明かなように、成長速
度はＭｅ3 Ａｓの方がｔ−ＢｕＡｓＨ2 よりも３０％低
く、これは多分、Ｍｅ3 Ａｓによるサイトブロッキング
（site blocking ）によるものと考えられる。炭素のド
ーピング効率はＭｅ3 Ａｓを用いた場合の方がｔ−Ｂｕ
ＡｓＨ2 を用いた場合より約３倍大きく、ｔ−ＢｕＡｓ
Ｈ2 では分解によって原子状水素が生成されるためであ
ろうと思われる。ｔ−ＢｕＡｓＨ2 （またはＡｓＨ3 ）
の分解によって生成される成長表面における原子状水素
はＣＣｌ4 のドーピング効率を決定する際の重要な役目
を果たす。原子状水素はＣＣｌ4 と反応し、Applied Ph
ysics Letters の第５８巻、頁１６４（１９９１年）に
発表されたＭ．Ｃ．ハンナ（Hanna ）等による論文に述
べられているように、揮発性の物質を形成する。
【００１２】ｔ−ＢｕＡｓＨ2 をＭｅ3 Ａｓで置き換え
ると、Ｍｅ3 からの付加的なメチルラジカルがＣＣｌ4
から塩素原子を奪い、後に炭素原子を残す。ＣＣｌ4 な
しでＭｅ3 Ａｓだけでも炭素ドーピングを実現できる
が、正孔濃度は大幅に低下し、そのことはそのような成
長条件下では炭素の大部分がＣＣｌ4 から生成すること
を示している。Ｍｅ3 Ａｓだけの場合に同様な正孔濃度
を達成するためには成長温度を５５０℃に下げなければ
ならない。アルシンは安全性を考えて使用しなかった
が、ＡｓＨ3 もまた分解によって原子状水素を発生させ
るので、ＡｓＨ3 −成長のＧａＡｓ：Ｃもｔ−ＢｕＡｓ
Ｈ2 −成長のＧａＡｓ：Ｃと同様に振る舞うはずであ
る。
ると、Ｍｅ3 からの付加的なメチルラジカルがＣＣｌ4
から塩素原子を奪い、後に炭素原子を残す。ＣＣｌ4 な
しでＭｅ3 Ａｓだけでも炭素ドーピングを実現できる
が、正孔濃度は大幅に低下し、そのことはそのような成
長条件下では炭素の大部分がＣＣｌ4 から生成すること
を示している。Ｍｅ3 Ａｓだけの場合に同様な正孔濃度
を達成するためには成長温度を５５０℃に下げなければ
ならない。アルシンは安全性を考えて使用しなかった
が、ＡｓＨ3 もまた分解によって原子状水素を発生させ
るので、ＡｓＨ3 −成長のＧａＡｓ：Ｃもｔ−ＢｕＡｓ
Ｈ2 −成長のＧａＡｓ：Ｃと同様に振る舞うはずであ
る。
【００１３】
【表１】 Ａｓ／Ｃ源 正孔濃度 移動度 (1018/cm3) (cm2/Vs) t-BuAsH2/CCl4 １５ １０３ Me3As/CCl4 ４３ ７４ Me3As のみ ４−６ −
【００１４】表２は成長だけの場合とアニーリングを施
した場合のＧａＡｓ：Ｃ層のホール効果測定とＳＩＭＳ
測定の結果をまとめたものである。成長のみのＧａＡ
ｓ：Ｃのホール移動度はＭｅ3 Ａｓ−成長層の方がｔ−
ＢｕＡｓＨ2 −成長層よりも約１５％高い。一方、炭素
の原子濃度はｔ−ＢｕＡｓＨ2 −成長層の方がＭｅ3 Ａ
ｓ−成長層の約２倍である。これらの結果は、ｔ−Ｂｕ
ＡｓＨ2 −成長のＧａＡｓ：Ｃ中の過剰な炭素原子がド
ナー状態を生みだし、それが炭素アクセプタを補償して
いることを示唆する。また、ｔ−ＢｕＡｓＨ2 −成長の
場合にはＭｅ3 Ａｓ−成長層よりも非常に高レベルの水
素が検出された。これはｔ−ＢｕＡｓＨ2の分解によっ
て発生した原子状水素がＧａＡｓ：Ｃ中へ取り込まれた
ことを暗示している。ＣＣｌ4 を除いて同じ成長条件下
で成長させた未ドープＧａＡｓバッファ層中の水素レベ
ルはＳＩＭＳの検出限界以下であった。これは水素原子
が炭素アクセプタにトラップされたことを示す。水素原
子は炭素とのアクセプタ−水素複合体を形成することに
よってトラップされるとみられる。
した場合のＧａＡｓ：Ｃ層のホール効果測定とＳＩＭＳ
測定の結果をまとめたものである。成長のみのＧａＡ
ｓ：Ｃのホール移動度はＭｅ3 Ａｓ−成長層の方がｔ−
ＢｕＡｓＨ2 −成長層よりも約１５％高い。一方、炭素
の原子濃度はｔ−ＢｕＡｓＨ2 −成長層の方がＭｅ3 Ａ
ｓ−成長層の約２倍である。これらの結果は、ｔ−Ｂｕ
ＡｓＨ2 −成長のＧａＡｓ：Ｃ中の過剰な炭素原子がド
ナー状態を生みだし、それが炭素アクセプタを補償して
いることを示唆する。また、ｔ−ＢｕＡｓＨ2 −成長の
場合にはＭｅ3 Ａｓ−成長層よりも非常に高レベルの水
素が検出された。これはｔ−ＢｕＡｓＨ2の分解によっ
て発生した原子状水素がＧａＡｓ：Ｃ中へ取り込まれた
ことを暗示している。ＣＣｌ4 を除いて同じ成長条件下
で成長させた未ドープＧａＡｓバッファ層中の水素レベ
ルはＳＩＭＳの検出限界以下であった。これは水素原子
が炭素アクセプタにトラップされたことを示す。水素原
子は炭素とのアクセプタ−水素複合体を形成することに
よってトラップされるとみられる。
【００１５】
【表２】 成長 アニーリング 正孔濃度 移動度 Ｃ濃度 Ｈ濃度 (1019/cm3) (cm2/Vs) (1020/cm3) (1019/cm3) Me3As 成長のみ １２ ７０ ２ １−２ Me3As Me3As １２ ７０ ２ ２ Me3As t-BuAsH2 １２ ７０ ２ ２ t-BuAsH2 成長のみ １２ ６０ ６ ４０ t-BuAsH2 t-BuAsH2 ６ ４５ ６ ２０
【００１６】Ｍｅ3 Ａｓ−成長のＧａＡｓ：Ｃ中の水素
レベルはｔ−ＢｕＡｓＨ2 −成長のＧａＡｓ：Ｃ中の値
の３０分の１であるが、そのレベルは未ドープのバッフ
ァ層中の値（ＳＩＭＳの検出限界）の５倍である。これ
らの結果はさらに、成長中にＧａＡｓ中への水素の取り
込みに関して炭素アクセプタの存在が重要な役目を果た
すという仮説を裏付ける。アニーリングの後で、Ｍｅ3
Ａｓ−成長層は実質的に移動度およびキャリア濃度の低
下を示していない。ｔ−ＢｕＡｓＨ2 及びＭｅ 3 Ａｓの
いずれを流しても、アニールされた試料間で電気的特性
および原子分布の差異はみられない。ｔ−ＢｕＡｓＨ2
の分解による原子状水素の発生は、アニーリング条件下
でＧａＡｓ中への水素の顕著な内部方向拡散を引き起こ
していないようにみえる。ｔ−ＢｕＡｓＨ2 −成長のＧ
ａＡｓ：Ｃ中の水素濃度はアニーリングによってほぼ半
分に減少している。ｔ−ＢｕＡｓＨ2 −成長のＧａＡ
ｓ：Ｃ中の水素濃度のアニーリングによる減少は正孔濃
度の増加をもたらさず、かえって正孔の濃度および移動
度の重大な減少をもたらしている。これらの結果は高濃
度に炭素をドープされたＧａＡｓ中の電気的特性の劣化
が過剰炭素原子によるドナー状態の形成によってもたら
されていることを示している。ｔ−ＢｕＡｓＨ 2 −成長
のＧａＡｓ：Ｃ中に検出された水素原子および炭素原子
の高いレベルは、Applied Physics Letters の第５１
巻、頁５９６（１９８７年）においてＮ．パン（Pan ）
等によって指摘されたように、炭素アクセプタのいくら
かがｔ−ＢｕＡｓＨ2 −成長のＧａＡｓ：Ｃ中の水素に
よって中性化されることを示唆している。水素−ドーパ
ント複合体はかなり低い温度（≦２５０℃）で分解し始
めるので、非水素雰囲気中の中間温度でのアニーリング
によってキャリア濃度は増大するはずである。高濃度に
炭素をドープされた（≧１×１０20／ｃｍ3 ）ＡｌＧａ
Ａｓ中のキャリア濃度のアニーリング後の増加について
はApplied Physics Letters の第６０巻、頁８４７（１
９９２年）で、Ｋ．渡辺（Watanabe）等によって報告さ
れている。
レベルはｔ−ＢｕＡｓＨ2 −成長のＧａＡｓ：Ｃ中の値
の３０分の１であるが、そのレベルは未ドープのバッフ
ァ層中の値（ＳＩＭＳの検出限界）の５倍である。これ
らの結果はさらに、成長中にＧａＡｓ中への水素の取り
込みに関して炭素アクセプタの存在が重要な役目を果た
すという仮説を裏付ける。アニーリングの後で、Ｍｅ3
Ａｓ−成長層は実質的に移動度およびキャリア濃度の低
下を示していない。ｔ−ＢｕＡｓＨ2 及びＭｅ 3 Ａｓの
いずれを流しても、アニールされた試料間で電気的特性
および原子分布の差異はみられない。ｔ−ＢｕＡｓＨ2
の分解による原子状水素の発生は、アニーリング条件下
でＧａＡｓ中への水素の顕著な内部方向拡散を引き起こ
していないようにみえる。ｔ−ＢｕＡｓＨ2 −成長のＧ
ａＡｓ：Ｃ中の水素濃度はアニーリングによってほぼ半
分に減少している。ｔ−ＢｕＡｓＨ2 −成長のＧａＡ
ｓ：Ｃ中の水素濃度のアニーリングによる減少は正孔濃
度の増加をもたらさず、かえって正孔の濃度および移動
度の重大な減少をもたらしている。これらの結果は高濃
度に炭素をドープされたＧａＡｓ中の電気的特性の劣化
が過剰炭素原子によるドナー状態の形成によってもたら
されていることを示している。ｔ−ＢｕＡｓＨ 2 −成長
のＧａＡｓ：Ｃ中に検出された水素原子および炭素原子
の高いレベルは、Applied Physics Letters の第５１
巻、頁５９６（１９８７年）においてＮ．パン（Pan ）
等によって指摘されたように、炭素アクセプタのいくら
かがｔ−ＢｕＡｓＨ2 −成長のＧａＡｓ：Ｃ中の水素に
よって中性化されることを示唆している。水素−ドーパ
ント複合体はかなり低い温度（≦２５０℃）で分解し始
めるので、非水素雰囲気中の中間温度でのアニーリング
によってキャリア濃度は増大するはずである。高濃度に
炭素をドープされた（≧１×１０20／ｃｍ3 ）ＡｌＧａ
Ａｓ中のキャリア濃度のアニーリング後の増加について
はApplied Physics Letters の第６０巻、頁８４７（１
９９２年）で、Ｋ．渡辺（Watanabe）等によって報告さ
れている。
【００１７】本発明はそれの特定の実施例について説明
してきたが、当業者には数多くの変更や修正が直ちに思
いつかれよう。従って、特許請求の範囲に請求された本
発明はそのような変更、修正を従来技術の観点から可能
な限り幅広く包含するように解釈されるべきである。
してきたが、当業者には数多くの変更や修正が直ちに思
いつかれよう。従って、特許請求の範囲に請求された本
発明はそのような変更、修正を従来技術の観点から可能
な限り幅広く包含するように解釈されるべきである。
【００１８】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。 （１）ＩＩＩ−Ｖ族化合物の炭素ドープ層を作製する方
法であって： （ａ）予め定められたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の、原
子状水素を含まない気体の前駆物質と１個の炭素原子を
有するハロゲン化炭素の流れを供給すること、（ｂ）Ｉ
ＩＩ−Ｖ族基板を収納する反応室を提供すること、
（ｃ）前記流れから、前記前駆物質に基づくＩＩＩ−Ｖ
族化合物の炭素ドープされた材料層を前記反応室中の前
記基板上へ堆積させること、の工程を含む方法
る。 （１）ＩＩＩ−Ｖ族化合物の炭素ドープ層を作製する方
法であって： （ａ）予め定められたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の、原
子状水素を含まない気体の前駆物質と１個の炭素原子を
有するハロゲン化炭素の流れを供給すること、（ｂ）Ｉ
ＩＩ−Ｖ族基板を収納する反応室を提供すること、
（ｃ）前記流れから、前記前駆物質に基づくＩＩＩ−Ｖ
族化合物の炭素ドープされた材料層を前記反応室中の前
記基板上へ堆積させること、の工程を含む方法
【００１９】（２）第１項記載の方法であって、前記反
応室中の圧力が約１０ないし約７６０Ｔｏｒｒであり、
温度が約４５０℃ないし約８００℃である方法。
応室中の圧力が約１０ないし約７６０Ｔｏｒｒであり、
温度が約４５０℃ないし約８００℃である方法。
【００２０】（３）第１項記載の方法であって、前記ハ
ロゲン化炭素が四塩化炭素である方法。
ロゲン化炭素が四塩化炭素である方法。
【００２１】（４）第２項記載の方法であって、前記ハ
ロゲン化炭素が四塩化炭素である方法。
ロゲン化炭素が四塩化炭素である方法。
【００２２】（５）第１項記載の方法であって、前記炭
素ドープのＩＩＩ−Ｖ族化合物がＧａＡｓであり、前記
前駆物質の１つがトリメチルアルシンである方法。
素ドープのＩＩＩ−Ｖ族化合物がＧａＡｓであり、前記
前駆物質の１つがトリメチルアルシンである方法。
【００２３】（６）第２項記載の方法であって、前記炭
素ドープのＩＩＩ−Ｖ族化合物がＧａＡｓであり、前記
前駆物質の１つがトリメチルアルシンである方法。
素ドープのＩＩＩ−Ｖ族化合物がＧａＡｓであり、前記
前駆物質の１つがトリメチルアルシンである方法。
【００２４】（７）第３項記載の方法であって、前記炭
素ドープのＩＩＩ−Ｖ族化合物がＧａＡｓであり、前記
前駆物質の１つがトリメチルアルシンである方法。
素ドープのＩＩＩ−Ｖ族化合物がＧａＡｓであり、前記
前駆物質の１つがトリメチルアルシンである方法。
【００２５】（８）第４項記載の方法であって、前記炭
素ドープのＩＩＩ−Ｖ族化合物がＧａＡｓであり、前記
前駆物質の１つがトリメチルアルシンである方法。
素ドープのＩＩＩ−Ｖ族化合物がＧａＡｓであり、前記
前駆物質の１つがトリメチルアルシンである方法。
【００２６】（９）第１項記載の方法であって、前記炭
素ドープのＩＩＩ−Ｖ族化合物がＧａＡｓであり、前記
前駆物質の１つがトリメチルガリウムである方法。
素ドープのＩＩＩ−Ｖ族化合物がＧａＡｓであり、前記
前駆物質の１つがトリメチルガリウムである方法。
【００２７】（１０）第２項記載の方法であって、前記
炭素ドープのＩＩＩ−Ｖ族化合物がＧａＡｓであり、前
記前駆物質の１つがトリメチルガリウムである方法。
炭素ドープのＩＩＩ−Ｖ族化合物がＧａＡｓであり、前
記前駆物質の１つがトリメチルガリウムである方法。
【００２８】（１１）第３項記載の方法であって、前記
炭素ドープのＩＩＩ−Ｖ族化合物がＧａＡｓであり、前
記前駆物質の１つがトリメチルガリウムである方法。
炭素ドープのＩＩＩ−Ｖ族化合物がＧａＡｓであり、前
記前駆物質の１つがトリメチルガリウムである方法。
【００２９】（１２）第４項記載の方法であって、前記
炭素ドープのＩＩＩ−Ｖ族化合物がＧａＡｓであり、前
記前駆物質の１つがトリメチルガリウムである方法。
炭素ドープのＩＩＩ−Ｖ族化合物がＧａＡｓであり、前
記前駆物質の１つがトリメチルガリウムである方法。
【００３０】（１３）第５項記載の方法であって、前記
前駆物質の他のものがトリメチルガリウムである方法。
前駆物質の他のものがトリメチルガリウムである方法。
【００３１】（１４）第６項記載の方法であって、前記
前駆物質の他のものがトリメチルガリウムである方法。
前駆物質の他のものがトリメチルガリウムである方法。
【００３２】（１５）第７項記載の方法であって、前記
前駆物質の他のものがトリメチルガリウムである方法。
前駆物質の他のものがトリメチルガリウムである方法。
【００３３】（１６）第８項記載の方法であって、前記
前駆物質の他のものがトリメチルガリウムである方法。
前駆物質の他のものがトリメチルガリウムである方法。
【００３４】（１７）第１項記載の方法であって、前記
炭素ドープの化合物がＡｌＧａＡｓであり、それの前駆
物質がトリメチルアルシン、トリメチルガリウム、およ
びトリメチルアルミニウムである方法。
炭素ドープの化合物がＡｌＧａＡｓであり、それの前駆
物質がトリメチルアルシン、トリメチルガリウム、およ
びトリメチルアルミニウムである方法。
【００３５】（１８）第２項記載の方法であって、前記
炭素ドープの化合物がＡｌＧａＡｓであり、それの前駆
物質がトリメチルアルシン、トリメチルガリウム、およ
びトリメチルアルミニウムである方法。
炭素ドープの化合物がＡｌＧａＡｓであり、それの前駆
物質がトリメチルアルシン、トリメチルガリウム、およ
びトリメチルアルミニウムである方法。
【００３６】（１９）第３項記載の方法であって、前記
炭素ドープの化合物がＡｌＧａＡｓであり、それの前駆
物質がトリメチルアルシン、トリメチルガリウム、およ
びトリメチルアルミニウムである方法。
炭素ドープの化合物がＡｌＧａＡｓであり、それの前駆
物質がトリメチルアルシン、トリメチルガリウム、およ
びトリメチルアルミニウムである方法。
【００３７】（２０）第４項記載の方法であって、前記
炭素ドープの化合物がＡｌＧａＡｓであり、それの前駆
物質がトリメチルアルシン、トリメチルガリウム、およ
びトリメチルアルミニウムである方法。
炭素ドープの化合物がＡｌＧａＡｓであり、それの前駆
物質がトリメチルアルシン、トリメチルガリウム、およ
びトリメチルアルミニウムである方法。
【００３８】（２１）ＧａＡｓ：Ｃの減圧有機金属気相
エピタキシー（１３）において、第三ブチルアルシンの
代わりにトリメチルアルシン（３）を使用することによ
ってＣＣｌ4 （５）の炭素ドーピングが促進される。同
様な条件の場合、トリメチルアルシンによれば第三ブチ
ルアルシンの場合よりも成長層中の正孔濃度は３倍高
い。この結果、トリメチルアルシンを用いることによ
り、より高い成長温度を採用でき、従ってより安定した
炭素のドーピングが実現できる。６５０℃で５分間のア
ニーリングでもトリメチルアルシンによって成長させた
層を劣化させることはないが、第三ブチルアルシンを用
いた成長層は正孔の濃度および移動度のいずれにおいて
も減少を示す。また、第三ブチルアルシンで成長させた
ＧａＡｓ：Ｃ中には高いレベルの水素原子が検出され
る。この水素レベルはトリメチルアルシンを用いて成長
させた層中では約３０分の１となる。この水素濃度の減
少はトリメチルアルシンを使用することの付加的なメリ
ットである。それは水素がＧａＡｓ中のアクセプタを中
性化して、電荷キャリア濃度を減少させることが知られ
ているからである。
エピタキシー（１３）において、第三ブチルアルシンの
代わりにトリメチルアルシン（３）を使用することによ
ってＣＣｌ4 （５）の炭素ドーピングが促進される。同
様な条件の場合、トリメチルアルシンによれば第三ブチ
ルアルシンの場合よりも成長層中の正孔濃度は３倍高
い。この結果、トリメチルアルシンを用いることによ
り、より高い成長温度を採用でき、従ってより安定した
炭素のドーピングが実現できる。６５０℃で５分間のア
ニーリングでもトリメチルアルシンによって成長させた
層を劣化させることはないが、第三ブチルアルシンを用
いた成長層は正孔の濃度および移動度のいずれにおいて
も減少を示す。また、第三ブチルアルシンで成長させた
ＧａＡｓ：Ｃ中には高いレベルの水素原子が検出され
る。この水素レベルはトリメチルアルシンを用いて成長
させた層中では約３０分の１となる。この水素濃度の減
少はトリメチルアルシンを使用することの付加的なメリ
ットである。それは水素がＧａＡｓ中のアクセプタを中
性化して、電荷キャリア濃度を減少させることが知られ
ているからである。
【図１】本発明に従って炭素をドープされたＩＩＩ−Ｖ
族半導体材料を形成するための標準的な反応炉システム
の模式図。
族半導体材料を形成するための標準的な反応炉システム
の模式図。
１，３，５，７，９ タンク １１ バブラ １３ 反応室 １５ 架台 １７ 基板
Claims (1)
- 【請求項１】 ＩＩＩ−Ｖ族化合物の炭素ドープ層を作
製する方法であって： （ａ）予め定められたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の、原
子状水素を含まない気体状の前駆物質と１個の炭素原子
を有するハロゲン化炭素の流れを供給すること、 （ｂ）ＩＩＩ−Ｖ族基板を収納する反応室を提供するこ
と、 （ｃ）前記流れから、前記前駆物質に基づくＩＩＩ−Ｖ
族化合物の炭素ドープされた材料層を前記反応室中の前
記基板上へ堆積させること、 の工程を含む方法
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US910934 | 1992-07-09 | ||
| US07/910,934 US5244829A (en) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | Organometallic vapor-phase epitaxy process using (CH3)3 As and CCl4 for improving stability of carbon-doped GaAs |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06204149A true JPH06204149A (ja) | 1994-07-22 |
Family
ID=25429524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5169193A Pending JPH06204149A (ja) | 1992-07-09 | 1993-07-08 | 化合物半導体製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5244829A (ja) |
| EP (1) | EP0578254A3 (ja) |
| JP (1) | JPH06204149A (ja) |
Families Citing this family (57)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3326704B2 (ja) * | 1993-09-28 | 2002-09-24 | 富士通株式会社 | Ｉｉｉ／ｖ系化合物半導体装置の製造方法 |
| DE19523181A1 (de) * | 1994-07-05 | 1996-01-11 | Motorola Inc | Verfahren zum P-Dotieren einer Licht emittierenden Vorrichtung |
| GB2323708B (en) * | 1994-09-05 | 1999-03-03 | Mitsubishi Electric Corp | Method of fabricating a semiconductor layer,method of fabricating a semiconductor laser,and a semiconductor laser |
| KR0162865B1 (ko) * | 1995-03-09 | 1999-02-01 | 김은영 | 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법 |
| US5656538A (en) * | 1995-03-24 | 1997-08-12 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Halide dopant process for producing semi-insulating group III-V regions for semiconductor devices |
| US5756375A (en) * | 1995-06-14 | 1998-05-26 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor growth method with thickness control |
| JP3537246B2 (ja) * | 1995-11-14 | 2004-06-14 | 三菱電機株式会社 | 化合物半導体装置の製造方法 |
| US6150677A (en) * | 1998-02-19 | 2000-11-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of crystal growth of compound semiconductor, compound semiconductor device and method of manufacturing the device |
| JP2000049094A (ja) * | 1998-07-27 | 2000-02-18 | Sumitomo Chem Co Ltd | 化合物半導体の製造方法 |
| CA2326860A1 (en) * | 1999-11-26 | 2001-05-26 | Satoshi Arakawa | Semiconductor optical device having a compound semiconductor layer including aluminum |
| US7280026B2 (en) | 2002-04-18 | 2007-10-09 | Coldwatt, Inc. | Extended E matrix integrated magnetics (MIM) core |
| US7427910B2 (en) * | 2004-08-19 | 2008-09-23 | Coldwatt, Inc. | Winding structure for efficient switch-mode power converters |
| US7321283B2 (en) * | 2004-08-19 | 2008-01-22 | Coldwatt, Inc. | Vertical winding structures for planar magnetic switched-mode power converters |
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