JPH06204442A - 固体撮像装置およびその製造方法 - Google Patents

固体撮像装置およびその製造方法

Info

Publication number
JPH06204442A
JPH06204442A JP5001039A JP103993A JPH06204442A JP H06204442 A JPH06204442 A JP H06204442A JP 5001039 A JP5001039 A JP 5001039A JP 103993 A JP103993 A JP 103993A JP H06204442 A JPH06204442 A JP H06204442A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solid
imaging device
state imaging
glass substrate
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5001039A
Other languages
English (en)
Inventor
Minobu Kunitomo
美信 國友
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
Priority to JP5001039A priority Critical patent/JPH06204442A/ja
Publication of JPH06204442A publication Critical patent/JPH06204442A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/551Materials of bond wires
    • H10W72/552Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5522Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 固体撮像素子をガラス基板にフェースダウン
にて実装し、小型薄型軽量化する。 【構成】 ガラス基板8上に外部に電気信号を出力する
電極端子群9と、外部に電気信号を出力する電極端子群
9上の周囲に絶縁性樹脂による突起枠10と、ガラス基
板8の電極端子群9および前記絶縁性樹脂からなる突起
枠10が形成された面に対して、導電性接着剤11によ
り突起電極12が接合された固体撮像素子3と、固体撮
像素子3とガラス基板8との隙間のうち、固体撮像素子
3の受光エリア3aを除く範囲を封止した封止樹脂13
とで構成した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像素子を保護
し、かつ小型で薄型の固体撮像装置を実現するための固
体撮像装置およびその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、一般に固体撮像装置の製造方法と
しては、CCDを代表とした固体撮像素子をセラミック
を絶縁基体としたパッケージ(以下セラミックパッケー
ジと称す)に搭載する方法が主流であった。
【0003】以下、従来の固体撮像装置について図面を
参照しながら説明する。図7は従来の固体撮像装置を示
す断面図である。
【0004】図7に示す従来の固体撮像装置は、外部に
電気信号を出力する端子群1を有したセラミックパッケ
ージ2の上面の凹部2aに固体撮像素子3を受光部を上
にした状態で搭載され、セラミックパッケージ2の上面
の凹部2aの内周辺の電極4と固体撮像素子3表面の周
辺に形成された電極とが、ワイヤーボンディング法でア
ルミニウム(Al)または金(Au)などの金属細線5
によって電気的に接続され、そして固体撮像素子3の保
護を目的として、封止用の石英ガラス6でセラミックパ
ッケージ2の上部開口部分を蓋状に封止された構成とな
っている。
【0005】以上のように構成された従来の固体撮像装
置について以下、その動作について説明する。
【0006】図7に示すように、被写体などを撮影した
場合の入射光7は、セラミックパッケージ2の上面に設
けられた封止用の石英ガラス6を通り、固体撮像素子3
に入射する。固体撮像素子3表面の受光エリアには、品
種によって異なるが、20万〜40万個のフォトダイオ
ードと呼ばれる受光部(図示せず)が形成されている。
また最近では、受光部自体が微細になっている関係上、
受光感度が低下しており、受光感度を上げるために受光
部上に樹脂によるマイクロレンズが形成されている。つ
まり入射光7は石英ガラス6を通り、固体撮像素子2の
受光エリア表面のマイクロレンズで集光されてから受光
部に入射し、電気信号に変換されて、画像データとして
処理される。
【0007】次に従来の固体撮像装置の製造方法につい
て、図面を参照しながら説明する。図8〜図10は従来
の固体撮像装置の製造方法を示す断面図である。
【0008】図8〜図10に示す従来の固体撮像装置の
製造方法は、外部に電気信号を出力する端子群1を有し
たセラミックパッケージ2の上面の凹部2aに、固体撮
像素子3を受光画を上にした状態で搭載する第1工程
と、セラミックパッケージ2の上面の凹部2aの内周辺
の電極4と固体撮像素子3表面の周辺に形成された電極
とを、ワイヤーボンディング法にて金属細線5で電気的
に接続をする第2工程と、固体撮像素子3の保護を目的
として、封止用の石英ガラス6でセラミックパッケージ
2の上部開口部分を蓋状に封止する第3工程とで構成さ
れている。
【0009】以上のように構成された従来の固体撮像装
置の製造方法について、以下その動作について説明す
る。
【0010】まず、第1工程のダイスボンド工程につい
て、図8を参照して説明する。セラミックパッケージ2
の上面の凹部2aに、固体撮像素子3をその受光部を上
にした状態でダイスボンダーと呼ばれる装置により搭載
する。固体撮像素子3とセラミックパッケージ2とは、
熱硬化性の銀ペーストなどの導電性接着剤を用いて固定
する。導電性接着剤の硬化は150℃程度の温度で加熱
して行う。
【0011】次に、第2工程のワイヤーボンド工程につ
いて、図9を参照して説明する。ダイスボンド工程後
に、セラミックパッケージ2の上面の凹部2aの内周辺
の電極4と固体撮像素子3表面の周辺に形成された電極
とを、ワイヤーボンダーにより、金(Au)またはアル
ミニウム(Al)の金属細線5で電気的に接続をする。
なお、セラミックパッケージ2の上面の凹部2aの内周
辺の電極4と、セラミックパッケージ2の外部に電気信
号を出力する端子群1とは対応している。
【0012】最後に、第3工程の封止工程について、図
10を参照して説明する。ワイヤーボンド後に、固体撮
像素子3の外部からの保護を目的として、封止用の石英
ガラス6でセラミックパッケージ2の上部開口部分を蓋
状に封止し、固体撮像装置が実現する。石英ガラス6に
より蓋状に封止する場合には、封止後の固体撮像素子3
と石英ガラス6との空間を、高い信頼性を維持するため
に、真空に保つ必要があるので、真空状態で封止を行
う。封止には熱硬化性の接着剤を使用し、それにより石
英ガラス6とセラミックパッケージ2とを接着させる。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】上述のような従来の固
体撮像装置の構成では、固体撮像素子の電気的な接続方
法として、セラミックパッケージの電極と固体撮像素子
の電極とを金属細線で接続しているが、固体撮像素子の
周辺部にワイヤーを配線するための電極を形成する領域
が必要であり、固体撮像素子と封止用の石英ガラスとの
間に金属細線のループ形成に必要な間隙も設けなければ
ならない。このため、小型薄型軽量化が困難である。
【0014】また、その製造において、これらを解決す
る方法として半導体素子の電極端子に突起を設けること
により、回路基板に直接フェースダウンで接合する、い
わゆるフリップチップ方法を応用して、固体撮像素子の
電極に突起を設け、ガラス基板に回路を形成し、固体撮
像素子をフェースダウンで接合するという方法が考えら
れる。しかしながら、フェースダウンで回路基板に接合
する場合には、素子と回路基板との隙間を樹脂で封止し
なければならないため、固体撮像素子のパッケージング
での必要条件であるガラス基板と固体撮像素子との間の
空間の確保が困難である。また、固体撮像素子とガラス
基板との間に樹脂を封入することなく、なんらかの方法
でもって素子をガラス基板に固定した場合においても、
固体撮像素子の受光エリア表面に設けられたマイクロレ
ンズの機能および耐湿信頼性を確保できない。
【0015】本発明は、固体撮像素子をガラス基板にフ
ェースダウンにて実装し、さらに固体撮像素子とガラス
基板との間に空間を確保した状態にて、固体撮像素子表
面への水分の到達を防止する目的で、固体撮像素子周辺
部のみの封止を行い、小型薄型軽量化した固体撮像装置
ならびにその製造方法を提供することを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明の固体撮像装置は、以下の構成を有する。す
なわち、ガラス基板上に外部に電気信号を出力する端子
電極群と、外部に電気信号を出力する端子電極群上の周
囲に絶縁性樹脂による突起枠と、ガラス基板の電極端子
群および絶縁性樹脂からなる突起枠が形成された面に対
して導電性接着剤で接合された固体撮像素子と、固体撮
像素子とガラス基板との隙間のうち固体撮像素子の受光
エリアを除く範囲を封止した封止樹脂とで構成されてい
る。
【0017】また本発明の製造方法は、固体撮像素子の
周辺に形成された電極上に突起電極を形成する工程と、
形成した突起電極に対して導電性接着剤をつける工程
と、電極端子群が形成されたガラス基板上の電極端子群
の周囲に樹脂からなる突起枠を形成する工程と、ガラス
基板の電極端子群および樹脂からなる突起枠が形成され
た面に対して、導電性接着剤のついた突起電極を有した
固体撮像素子を、ガラス基板の電極端子と固体撮像素子
上の導電性接着剤のついた突起電極とを接合して実装す
る工程と、固体撮像素子とガラス基板との隙間のうち、
固体撮像素子の受光エリアを除く範囲を封止樹脂にて封
止する工程とを有する。
【0018】
【作用】上述の構成により、従来セラミックパッケージ
に搭載して用いる必要のあった固体撮像素子を、ガラス
基板に直接フェースダウンにて装着が可能となり、固体
撮像装置の寸法および厚みを容易に縮小可能とすること
ができる。
【0019】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
しながら説明する。
【0020】図1は本実施例の断面図である。本実施例
は、ガラス基板8上に外部に電気信号を出力する電極端
子群9と、外部に電気信号を出力する電極端子群9上の
周囲に絶縁性樹脂による突起枠10と、ガラス基板8の
電極端子群9および絶縁性樹脂からなる突起枠10が形
成された面に対して導電性接着剤11により突起電極1
2が接合された固体撮像素子3と、固体撮像素子3とガ
ラス基板8との隙間のうち固体撮像素子3の受光エリア
3aを除く範囲を封止した封止樹脂13とで構成されて
いる。
【0021】このように構成された本実施例の動作につ
いて説明する。図1に示すように、被写体などを撮影し
た場合の入射光7はガラス基板8を通り、固体撮像素子
3の受光エリア3aに入射する。図示はしていないが、
従来例でも説明した通り、固体撮像素子3表面の受光エ
リア3aには、品種によって異なるが、20万〜40万
個のフォトダイオードと呼ばれる受光部が形成されてい
る。また最近では、受光部自体が微細になっている関係
上、受光感度が低下しており、受光感度を上げるために
受光部上に樹脂によるマイクロレンズが形成されてい
る。
【0022】つまり、入射光7はガラス基板8を通り、
固体撮像素子3表面のマイクロレンズで集光されてから
受光部に入射し、電気信号に変換されて、電極端子群9
により出力されて画像データとして処理される。
【0023】固体撮像素子3とガラス基板8との隙間は
樹脂封止されていないため、固体撮像素子3の受光エリ
ア3a上に形成されたマイクロレンズは、その機能を失
うことなく、入射光7を受光部への集光することができ
る。
【0024】次に本発明の一実施例にかかる固体撮像装
置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
図2〜図6は本実施例を示す工程図である。
【0025】本実施例の製造方法は、固体撮像素子3の
周辺に形成された電極上に突起電極12を形成する第1
工程と、形成した突起電極12に対して導電性接着剤1
1をつける第2工程と、電極端子群9が形成されたガラ
ス基板8上の電極端子群9の周囲に樹脂からなる突起枠
10を形成する第3工程と、ガラス基板8の電極端子群
9および樹脂からなる突起枠10が形成された面に対し
て、導電性接着剤11のついた突起電極12を有した固
体撮像素子3を、ガラス基板8の電極端子群9と固体撮
像素子3上の導電性接着剤11のついた突起電極12と
を接合して実装する第4工程と、固体撮像素子3とガラ
ス基板8との隙間のうち固体撮像素子3の受光エリア3
aを除く範囲を封止樹脂13にて封止する第5工程とを
有する。
【0026】さらに具体的に説明すると、まず第1工程
においては、図2に示すように、Auワイヤーボンディ
ング法を用いてAuボールを形成し、Auボールを固体
撮像素子3の周辺に形成された電極上に接合し、Auバ
ンプを形成して、高さ70μm程度の突起電極12を形
成する。
【0027】次に第2工程において、図3に示すよう
に、第1工程で形成した突起電極12に対して、転写法
にて導電性接着剤11をつける。転写法は、導電性接着
剤11を50μm程度に薄く延ばした領域に対して、突
起電極12を形成した固体撮像素子3を突起電極12を
下にして接触させ、突起電極12にのみ導電性接着剤1
1をつけることができる方法である。
【0028】次に第3工程において、図4(a)の断面
図および図4(b)の平面図に示すように、熱硬化性の
エポキシ系材料を主成分としたペーストを、印刷法にて
ガラス基板8の電極端子群9の周囲に突起枠10を形成
する(図4(b))。突起枠10は突起電極12の高さ
(70μm)以下に枠形状に形成する。なお、ガラス基
板8の電極端子群9の形成は、ガラス基板8表面に周知
技術である蒸着法にて銅(Cu)などの金属層を形成す
ることにより可能である。
【0029】次に第4工程において、図5に示すよう
に、ガラス基板8の電極端子群9および樹脂からなる突
起枠10が形成された面に対して、導電性接着剤11の
ついた突起電極12を有した固体撮像素子3を、ガラス
基板8の電極端子群9と固体撮像素子3上の導電性接着
剤11のついた突起電極12とを接合して実装する。ガ
ラス基板8の電極端子群9と固体撮像素子3上の導電性
接着剤11のついた突起電極12とは、位置認識装置を
有した搭載装置を用いることにより、精度よく接合する
ことができる。そして、加熱装置にて加熱することによ
り、導電性接着剤11を硬化させ、ガラス基板8上に形
成したエポキシ材料による突起枠10を硬化させる。そ
の際、突起枠10は、硬化すると同時に、ガラス基板8
および固体撮像素子3の周辺部に接着される。
【0030】最後に第5工程において、図6に示すよう
に、第4工程で固体撮像素子3とガラス基板8とを接合
した後、固体撮像素子3とガラス基板8との隙間のう
ち、固体撮像素子3の受光エリア3aを除く外周範囲
を、封止樹脂13で封止する。具体的には、導電性接着
剤11で接合された突起電極12の周囲に、水分の透過
が少ないエポキシ系樹脂を浸透させた後、加熱すること
によってそれを硬化させる。ここで、突起枠10が形成
されているため、封止樹脂13が固体撮像素子3の受光
エリア3aへ浸透することはない。そのため、固体撮像
素子3とガラス基板8との隙間が樹脂封止されることが
なく、固体撮像素子3の受光エリア3a上に形成されて
いるマイクロレンズはその機能を失なうようなことはな
い。なお、封止樹脂13としては、汎用の封止樹脂であ
るエポキシ系の樹脂でもよく、熱膨張率の低い樹脂であ
ればよい。
【0031】本実施例にかかる固体撮像装置の製造方法
によって、ガラス基板8に固体撮像素子3をフェースダ
ウン実装を行うことにより、ガラス基板の厚さ0.5m
m、突起電極12の高さ0.1mm、固体撮像素子3の
厚さ0.6mmとした場合に、固体撮像装置の総厚みを
1.5mm以下にすることが可能となり、従来にない小
型薄型軽量化した固体撮像装置を提供できる。
【0032】また、突起電極12の高さばらつきは±5
μm以内であり、固体撮像素子3のガラス基板8への搭
載位置精度は±20μm以内であり、さらに、ガラス基
板8の電極端子群9とガラス基板8外辺の位置精度は±
5μm以内であるため、光学装置たとえばカメラの鏡体
部に固体撮像素子が搭載されたガラス基板の外辺を基準
に装着すれば、従来行なっていたように固体撮像素子パ
ッケージの装着後、位置補正等を行う必要がなくなる。
【0033】
【発明の効果】本発明によれば、ガラス基板に突起電極
を形成した固体撮像素子をフェースダウン実装して、従
来にない小型薄型軽量化した優れた固体撮像装置を提供
でき、今後ますます小型軽量化する傾向にあるハンディ
ビデオカメラ等への応用が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例にかかる固体撮像装置を示す
断面図
【図2】本発明の一実施例にかかる固体撮像装置の製造
方法の第1工程を示す断面図
【図3】本発明の一実施例にかかる固体撮像装置の製造
方法の第2工程を示す断面図
【図4】本発明の一実施例にかかる固体撮像装置の製造
方法の第3工程を示す図
【図5】本発明の一実施例にかかる固体撮像装置の製造
方法の第4工程を示す断面図
【図6】本発明の一実施例にかかる固体撮像装置の製造
方法の第5工程を示す断面図
【図7】従来の固体撮像装置を示す断面図
【図8】従来の固体撮像装置の製造方法の第1工程を示
す断面図
【図9】従来の固体撮像装置の製造方法の第2工程を示
す断面図
【図10】従来の固体撮像装置の製造方法の第3工程を
示す断面図
【符号の説明】 1 端子群 2 セラミックパッケージ 2a セラミックパッケージ凹部 3 固体撮像素子 3a 受光エリア 4 電極 5 金属細線 6 石英ガラス 7 入射光 8 ガラス基板 9 電極端子群 10 突起枠 11 導電性接着剤 12 突起電極 13 封止樹脂

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ガラス基板上に外部に電気信号を出力する
    端子電極群と、前記外部に電気信号を出力する端子電極
    群上の周囲に絶縁性樹脂による突起枠と、前記ガラス基
    板の電極端子群および前記絶縁性樹脂からなる突起枠が
    形成された面に対して導電性接着剤により接合された固
    体撮像素子と、前記固体撮像素子と前記ガラス基板との
    隙間のうち前記固体撮像素子の受光エリアを除く範囲を
    封止した封止樹脂とで構成したことを特徴とする固体撮
    像装置。
  2. 【請求項2】固体撮像素子の周辺に形成された電極上に
    突起電極を形成する工程と、前記形成した突起電極に対
    して導電性接着剤をつける工程と、電極端子群が形成さ
    れたガラス基板上の前記電極端子群の周囲に樹脂からな
    る突起枠を形成する工程と、前記ガラス基板の電極端子
    群および前記樹脂からなる突起枠が形成された面に対し
    て前記導電性接着剤のついた突起電極を有した固体撮像
    素子を、前記ガラス基板の電極端子と前記固体撮像素子
    上の導電性接着剤のついた突起電極とを接合して、実装
    する工程と、前記固体撮像素子と前記ガラス基板との隙
    間のうち、前記固体撮像素子の受光エリアを除く範囲を
    封止樹脂にて封止する工程とを有することを特徴とする
    固体撮像装置の製造方法。
  3. 【請求項3】電極端子群が形成されたガラス基板上の前
    記電極端子群上の周囲に樹脂からなる突起枠を形成する
    工程において、前記突起枠の高さが前記固体撮像素子上
    に形成された突起電極の高さ以下の厚みで樹脂により形
    成する工程であることを特徴とする請求項2記載の固体
    撮像装置の製造方法。
JP5001039A 1993-01-07 1993-01-07 固体撮像装置およびその製造方法 Pending JPH06204442A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5001039A JPH06204442A (ja) 1993-01-07 1993-01-07 固体撮像装置およびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5001039A JPH06204442A (ja) 1993-01-07 1993-01-07 固体撮像装置およびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06204442A true JPH06204442A (ja) 1994-07-22

Family

ID=11490425

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5001039A Pending JPH06204442A (ja) 1993-01-07 1993-01-07 固体撮像装置およびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH06204442A (ja)

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6406941B2 (en) 2000-03-22 2002-06-18 Sharp Kabushiki Kaisha Solid-state imaging device and manufacturing method thereof
US6472247B1 (en) 2000-06-26 2002-10-29 Ricoh Company, Ltd. Solid-state imaging device and method of production of the same
US6472761B2 (en) 2000-03-15 2002-10-29 Sharp Kabushiki Kaisha Solid-state image pickup apparatus and manufacturing method thereof
JP2002334999A (ja) * 2001-05-08 2002-11-22 Aoi Electronics Co Ltd 光半導体装置
JP2003092394A (ja) * 2001-09-19 2003-03-28 Sony Corp 固体撮像装置
KR100396702B1 (ko) * 2001-01-15 2003-09-03 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지 및 그 제조방법
US6762492B2 (en) 2001-06-15 2004-07-13 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor device, image scanning unit and image forming apparatus
US6873034B2 (en) 2002-02-20 2005-03-29 Sharp Kabushiki Kaisha Solid-state imaging device, method for producing same, and mask
JP2007523473A (ja) * 2004-01-15 2007-08-16 オプトパック、インコーポレイテッド 移動電話カメラモジュールにあるフォトイメージセンサー電子パッケージ及びその製造と組立体
JP2007214360A (ja) * 2006-02-09 2007-08-23 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2010232396A (ja) * 2009-03-26 2010-10-14 Nikon Corp 固体撮像装置及びこれを用いたモジュール
JP2010283380A (ja) * 2003-10-01 2010-12-16 Optopac Inc 光検出用半導体装置の電子パッケージおよびそのパッケージング方法
JP2011077553A (ja) * 2011-01-05 2011-04-14 Sony Corp 半導体イメージセンサ・モジュールおよび半導体イメージセンサ・モジュールの製造方法
JP2011077555A (ja) * 2011-01-05 2011-04-14 Sony Corp 半導体イメージセンサ・モジュールおよび半導体イメージセンサ・モジュールの製造方法
JP2011077554A (ja) * 2011-01-05 2011-04-14 Sony Corp 半導体イメージセンサ・モジュールおよび半導体イメージセンサ・モジュールの製造方法
WO2011058737A1 (ja) 2009-11-11 2011-05-19 パナソニック株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
WO2014083746A1 (ja) * 2012-11-29 2014-06-05 パナソニック株式会社 光学装置および光学装置の製造方法
WO2014083750A1 (ja) * 2012-11-30 2014-06-05 パナソニック株式会社 光学装置及びその製造方法
US8773583B2 (en) 2010-05-14 2014-07-08 Sony Corporation Semiconductor device, method for manufacturing the same, and electronic device

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6472761B2 (en) 2000-03-15 2002-10-29 Sharp Kabushiki Kaisha Solid-state image pickup apparatus and manufacturing method thereof
US6406941B2 (en) 2000-03-22 2002-06-18 Sharp Kabushiki Kaisha Solid-state imaging device and manufacturing method thereof
US6472247B1 (en) 2000-06-26 2002-10-29 Ricoh Company, Ltd. Solid-state imaging device and method of production of the same
KR100396702B1 (ko) * 2001-01-15 2003-09-03 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지 및 그 제조방법
JP2002334999A (ja) * 2001-05-08 2002-11-22 Aoi Electronics Co Ltd 光半導体装置
US6762492B2 (en) 2001-06-15 2004-07-13 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor device, image scanning unit and image forming apparatus
JP2003092394A (ja) * 2001-09-19 2003-03-28 Sony Corp 固体撮像装置
US6873034B2 (en) 2002-02-20 2005-03-29 Sharp Kabushiki Kaisha Solid-state imaging device, method for producing same, and mask
JP2010283380A (ja) * 2003-10-01 2010-12-16 Optopac Inc 光検出用半導体装置の電子パッケージおよびそのパッケージング方法
JP2007523473A (ja) * 2004-01-15 2007-08-16 オプトパック、インコーポレイテッド 移動電話カメラモジュールにあるフォトイメージセンサー電子パッケージ及びその製造と組立体
JP2007214360A (ja) * 2006-02-09 2007-08-23 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2010232396A (ja) * 2009-03-26 2010-10-14 Nikon Corp 固体撮像装置及びこれを用いたモジュール
WO2011058737A1 (ja) 2009-11-11 2011-05-19 パナソニック株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
US8773583B2 (en) 2010-05-14 2014-07-08 Sony Corporation Semiconductor device, method for manufacturing the same, and electronic device
JP2011077553A (ja) * 2011-01-05 2011-04-14 Sony Corp 半導体イメージセンサ・モジュールおよび半導体イメージセンサ・モジュールの製造方法
JP2011077555A (ja) * 2011-01-05 2011-04-14 Sony Corp 半導体イメージセンサ・モジュールおよび半導体イメージセンサ・モジュールの製造方法
JP2011077554A (ja) * 2011-01-05 2011-04-14 Sony Corp 半導体イメージセンサ・モジュールおよび半導体イメージセンサ・モジュールの製造方法
WO2014083746A1 (ja) * 2012-11-29 2014-06-05 パナソニック株式会社 光学装置および光学装置の製造方法
WO2014083750A1 (ja) * 2012-11-30 2014-06-05 パナソニック株式会社 光学装置及びその製造方法
US9502455B2 (en) 2012-11-30 2016-11-22 Panasonic Corporation Optical apparatus having resin encased stacked optical and semiconductor devices
JPWO2014083750A1 (ja) * 2012-11-30 2017-01-05 パナソニック株式会社 光学装置及びその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6737292B2 (en) Method of fabricating an image sensor module at the wafer level and mounting on circuit board
US7282693B2 (en) Camera module for compact electronic equipments
JP3388824B2 (ja) ガラスリード載置型固体撮像素子のパッケージ
KR100494044B1 (ko) 촬상장치 및 그의 제조방법
US20120273908A1 (en) Stacked sensor packaging structure and method
US7138695B2 (en) Image sensor module and method for fabricating the same
US20010022401A1 (en) Solid-state image pickup apparatus and manufacturing method thereof
JP2001185657A (ja) 半導体パッケージ及びその製造方法
KR20100060681A (ko) 이미지 센서용 반도체 패키지 및 그 제조 방법
JP2895920B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
US20050046003A1 (en) Stacked-chip semiconductor package and fabrication method thereof
JP2002299592A (ja) 半導体装置
KR100664316B1 (ko) 이미지 센서 패키지, 고체촬상장치 및 그 제조방법
JPH03155671A (ja) 固体撮像装置
US20060261458A1 (en) Semiconductor package and manufacturing method thereof
JP2001068654A (ja) 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法
KR100526191B1 (ko) 고체 촬상용 반도체 장치
JP2000286401A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
US7205095B1 (en) Apparatus and method for packaging image sensing semiconductor chips
JP2001016486A (ja) 固体撮像素子モジュール
JP3545171B2 (ja) 半導体装置
JPS62195Y2 (ja)
JPH07231074A (ja) 固体撮像モジュール
JP2002100751A (ja) 固体撮像装置
KR100359790B1 (ko) 반도체 패키지 및 그 제조방법