JPH06204601A - 回折格子の形成方法 - Google Patents
回折格子の形成方法Info
- Publication number
- JPH06204601A JPH06204601A JP35968592A JP35968592A JPH06204601A JP H06204601 A JPH06204601 A JP H06204601A JP 35968592 A JP35968592 A JP 35968592A JP 35968592 A JP35968592 A JP 35968592A JP H06204601 A JPH06204601 A JP H06204601A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- diffraction grating
- light guide
- conductivity type
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 回折格子を有する半導体レーザの製造におけ
る回折格子の形成において、写真製版の工程の安定化を
図る。 【構成】 半絶縁性基板６上に第１導電型のクラッド層
５、活性層４、バリア層３、及び光ガイド層２を６００
℃〜７００℃の温度でエピタキシャル成長する際、回折
格子となる上記光ガイド層２上に、さらに光ガイド層保
護層となるＩｎＰ層１を上記エピタキシャル成長により
同時に形成し、光ガイド層２と該ＩｎＰ層１とを同時に
パターニングし、ホトレジスト７を除去した後、該両層
２，１上に第２導電型クラッド層９を形成して上記Ｉｎ
Ｐ層１を該層９と一体化する。 【効果】 回折格子形成時のレジストの密着性が向上
し、レジスト剥がれがなくなる。
る回折格子の形成において、写真製版の工程の安定化を
図る。 【構成】 半絶縁性基板６上に第１導電型のクラッド層
５、活性層４、バリア層３、及び光ガイド層２を６００
℃〜７００℃の温度でエピタキシャル成長する際、回折
格子となる上記光ガイド層２上に、さらに光ガイド層保
護層となるＩｎＰ層１を上記エピタキシャル成長により
同時に形成し、光ガイド層２と該ＩｎＰ層１とを同時に
パターニングし、ホトレジスト７を除去した後、該両層
２，１上に第２導電型クラッド層９を形成して上記Ｉｎ
Ｐ層１を該層９と一体化する。 【効果】 回折格子形成時のレジストの密着性が向上
し、レジスト剥がれがなくなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は回折格子の形成方法に
関し、特に回折格子を有する半導体レーザ装置の製造に
おける回折格子の形成方法に関するものである。
関し、特に回折格子を有する半導体レーザ装置の製造に
おける回折格子の形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来からの回折格子を有する半導
体レーザ装置の製造における回折格子の形成方法を示す
図である。図において、６は第１導電型（ｐ型）のＩｎ
Ｐ基板、５はｐ型ＩｎＰ基板６上に形成される第１導電
型のＩｎＰクラッド層、４は第１導電型のクラッド層５
上に形成されるアントープのＩｎx'Ｇａ1-x'Ａｓy'Ｐ1-
y'（０≦x'，y'≦１）からなる活性層である。なお、こ
れはＩｎx'Ｇａ1-x'Ａｓy'Ｐ1-y'（０≦x'，y'≦１）
と、Ｉｎx'' Ｇａ1-x'' Ａｓy'' Ｐ1-y'' （０≦x'' ，
y'' ≦１）との数層からなる多層構造をも取り得る。３
は活性層４上に形成されるアンドープまたはｎ型のＩｎ
Ｐバリア層、２はＩｎＰバリア層３上に形成される，Ｉ
ｎx Ｇａ1-x Ａｓy Ｐ1-y （０≦x ，y ≦１）からな
る、回折格子となる光ガイド層、７は光ガイド層２上に
形成されるレジストパターン、８はレジストパターン７
を用いたエッチングにより形成される光ガイド層２から
なる回折格子、９はレジスト７を除去した後、成長され
るＩｎＰからなる第２導電型（ｎ型）のクラッド層であ
る。
体レーザ装置の製造における回折格子の形成方法を示す
図である。図において、６は第１導電型（ｐ型）のＩｎ
Ｐ基板、５はｐ型ＩｎＰ基板６上に形成される第１導電
型のＩｎＰクラッド層、４は第１導電型のクラッド層５
上に形成されるアントープのＩｎx'Ｇａ1-x'Ａｓy'Ｐ1-
y'（０≦x'，y'≦１）からなる活性層である。なお、こ
れはＩｎx'Ｇａ1-x'Ａｓy'Ｐ1-y'（０≦x'，y'≦１）
と、Ｉｎx'' Ｇａ1-x'' Ａｓy'' Ｐ1-y'' （０≦x'' ，
y'' ≦１）との数層からなる多層構造をも取り得る。３
は活性層４上に形成されるアンドープまたはｎ型のＩｎ
Ｐバリア層、２はＩｎＰバリア層３上に形成される，Ｉ
ｎx Ｇａ1-x Ａｓy Ｐ1-y （０≦x ，y ≦１）からな
る、回折格子となる光ガイド層、７は光ガイド層２上に
形成されるレジストパターン、８はレジストパターン７
を用いたエッチングにより形成される光ガイド層２から
なる回折格子、９はレジスト７を除去した後、成長され
るＩｎＰからなる第２導電型（ｎ型）のクラッド層であ
る。
【０００３】次に従来の回折格子の作製プロセスについ
て説明する。第１導電型（ｐ型）のＩｎＰ基板６上に第
１導電型のクラッド層５、活性層４、ＩｎＰバリア層
３、光ガイド層２をＭＯＣＶＤ法によりエピタキシャル
成長した後（図２(a) ）、写真製版を用いて回折格子の
レジストパターン７を形成する。さらに、このレジスト
パターン７を利用して、光ガイド層８のエッチングを行
ない、回折格子を形成する。最後に、レジスト７を除去
したのち、ＭＯＣＶＤ法によるエピタキシャル成長によ
って回折格子を埋込む様にして第２導電型（ｎ型）のク
ラッド層９を成長する。
て説明する。第１導電型（ｐ型）のＩｎＰ基板６上に第
１導電型のクラッド層５、活性層４、ＩｎＰバリア層
３、光ガイド層２をＭＯＣＶＤ法によりエピタキシャル
成長した後（図２(a) ）、写真製版を用いて回折格子の
レジストパターン７を形成する。さらに、このレジスト
パターン７を利用して、光ガイド層８のエッチングを行
ない、回折格子を形成する。最後に、レジスト７を除去
したのち、ＭＯＣＶＤ法によるエピタキシャル成長によ
って回折格子を埋込む様にして第２導電型（ｎ型）のク
ラッド層９を成長する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の回折
格子の形成方法では、回折格子８のパターン巾は約１０
００オングストローム、また、レジスト７の厚みは約１
０００オングストローム程度と、該回折格子は非常に微
細かつ薄膜であるため、レジスト７の剥がれが生じ易い
という問題であった。
格子の形成方法では、回折格子８のパターン巾は約１０
００オングストローム、また、レジスト７の厚みは約１
０００オングストローム程度と、該回折格子は非常に微
細かつ薄膜であるため、レジスト７の剥がれが生じ易い
という問題であった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、レジスト剥がれをなくし、かつ
安定な回折格子を形成することのできる回折格子の形成
方法を提供することを目的としている。
ためになされたもので、レジスト剥がれをなくし、かつ
安定な回折格子を形成することのできる回折格子の形成
方法を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる回折格
子の形成方法は、回折格子となる光ガイド層上に、光ガ
イド層保護層として、該光ガイド層のエピタキシャル成
長時に同時にＩｎＰ層をエピタキシャル成長するように
したものである。
子の形成方法は、回折格子となる光ガイド層上に、光ガ
イド層保護層として、該光ガイド層のエピタキシャル成
長時に同時にＩｎＰ層をエピタキシャル成長するように
したものである。
【０００７】またこの発明は、上記回折格子となる光ガ
イド層上に、光ガイド層保護層として、該光ガイド層の
エピタキシャル成長後に低温で微結晶からなるＩｎＰ層
を成長するようにしたものである。
イド層上に、光ガイド層保護層として、該光ガイド層の
エピタキシャル成長後に低温で微結晶からなるＩｎＰ層
を成長するようにしたものである。
【０００８】
【作用】この発明における回折格子の形成方法では、レ
ジストと光ガイド層（Ｉｎx Ｇａ1-x Ａｓy Ｐ1-y 層）
との間にＩｎＰ層を挿入しているため、レジストの密着
性が向上し、これによって、回折格子の形成工程を安定
化させることができ、半導体レーザの製造における歩留
まりを向上できる。
ジストと光ガイド層（Ｉｎx Ｇａ1-x Ａｓy Ｐ1-y 層）
との間にＩｎＰ層を挿入しているため、レジストの密着
性が向上し、これによって、回折格子の形成工程を安定
化させることができ、半導体レーザの製造における歩留
まりを向上できる。
【０００９】
【実施例】実施例１．図１はこの発明の一実施例による
回折格子の形成方法を示し、図において、６は第１導電
型（ｐ型）のＩｎＰ基板、５はＩｎＰ基板５上に形成さ
れる，厚み約０．７μｍの第１導電型（ｐ型）のＩｎＰ
クラッド層、４は第１導電型のクラッド層５上に形成さ
れる，厚み約０．１３μｍのアンドープのＩｎx'Ｇａ1-
x'Ａｓy'Ｐ1-y'（０≦x'，y'≦１）活性層である。な
お、これはＩｎx'Ｇａ1-x'Ａｓy'Ｐ1-y'（０≦x'，y'≦
１）と、Ｉｎx'' Ｇａ1-x'' Ａｓy'' Ｐ1-y'' （０≦
x''，y'' ≦１）との数層からなる多層構造をも取り得
る。３は活性層４上に形成される，厚み約０．２μｍの
アンドープあるいは第２導電型（ｎ型）に若干ドープさ
れたＩｎＰバリア層、２はＩｎＰバリア層３上に形成さ
れる，Ｉｎx Ｇａ1-xＡｓy Ｐ1-y （０≦x ，y ≦１）
からなる、回折格子となる第２導電型（ｎ型）の光ガイ
ド層であり、その厚みは約０．０５μｍである。１は光
ガイド層２上に形成される光ガイド層保護層としての，
厚み数十オングストロームの第２導電型（ｎ型）のＩｎ
Ｐ層、７はＩｎＰ層１上に形成されるレジストパター
ン、８はレジストパターン７を用いたエッチングにより
形成される上記光ガイド層２からなる回折格子、９はレ
ジスト７及びＩｎＰ層１を除去した後、その上に成長さ
れるＩｎＰからなる第２導電型（ｎ型）のクラッド層で
ある。
回折格子の形成方法を示し、図において、６は第１導電
型（ｐ型）のＩｎＰ基板、５はＩｎＰ基板５上に形成さ
れる，厚み約０．７μｍの第１導電型（ｐ型）のＩｎＰ
クラッド層、４は第１導電型のクラッド層５上に形成さ
れる，厚み約０．１３μｍのアンドープのＩｎx'Ｇａ1-
x'Ａｓy'Ｐ1-y'（０≦x'，y'≦１）活性層である。な
お、これはＩｎx'Ｇａ1-x'Ａｓy'Ｐ1-y'（０≦x'，y'≦
１）と、Ｉｎx'' Ｇａ1-x'' Ａｓy'' Ｐ1-y'' （０≦
x''，y'' ≦１）との数層からなる多層構造をも取り得
る。３は活性層４上に形成される，厚み約０．２μｍの
アンドープあるいは第２導電型（ｎ型）に若干ドープさ
れたＩｎＰバリア層、２はＩｎＰバリア層３上に形成さ
れる，Ｉｎx Ｇａ1-xＡｓy Ｐ1-y （０≦x ，y ≦１）
からなる、回折格子となる第２導電型（ｎ型）の光ガイ
ド層であり、その厚みは約０．０５μｍである。１は光
ガイド層２上に形成される光ガイド層保護層としての，
厚み数十オングストロームの第２導電型（ｎ型）のＩｎ
Ｐ層、７はＩｎＰ層１上に形成されるレジストパター
ン、８はレジストパターン７を用いたエッチングにより
形成される上記光ガイド層２からなる回折格子、９はレ
ジスト７及びＩｎＰ層１を除去した後、その上に成長さ
れるＩｎＰからなる第２導電型（ｎ型）のクラッド層で
ある。
【００１０】次に本実施例１の回折格子の形成方法につ
いて説明する。本実施例１のプロセスフローは、従来例
とほぼ同じであるが、この従来例のプロセスにおける、
ｐ型ＩｎＰ基板６上に、ｐ型のクラッド層５、活性層
４、ＩｎＰバリア層３、Ｉｎx Ｇａ1-x Ａｓy Ｐ1-y か
らなる回折格子８となる光ガイド層２までのエピタキシ
ャル成長時に、さらにＩｎＰ層１をもエピタキシャル成
長するものである。このＩｎＰ層１はその厚みは数十オ
ングストロームであり、また第２導電型（ｎ型）のクラ
ッド層９もＩｎＰ層であるので、このクラッド層９の成
長後には、上記ＩｎＰ層１と、第２導電型（ｎ型）のク
ラッド層９は同化してしまうこととなり、最終的に形成
される回折格子は、従来と全く同じにすることができ
る。
いて説明する。本実施例１のプロセスフローは、従来例
とほぼ同じであるが、この従来例のプロセスにおける、
ｐ型ＩｎＰ基板６上に、ｐ型のクラッド層５、活性層
４、ＩｎＰバリア層３、Ｉｎx Ｇａ1-x Ａｓy Ｐ1-y か
らなる回折格子８となる光ガイド層２までのエピタキシ
ャル成長時に、さらにＩｎＰ層１をもエピタキシャル成
長するものである。このＩｎＰ層１はその厚みは数十オ
ングストロームであり、また第２導電型（ｎ型）のクラ
ッド層９もＩｎＰ層であるので、このクラッド層９の成
長後には、上記ＩｎＰ層１と、第２導電型（ｎ型）のク
ラッド層９は同化してしまうこととなり、最終的に形成
される回折格子は、従来と全く同じにすることができ
る。
【００１１】図３は上記実施例１の回折格子の形成方法
を用いて製造された半導体レーザを示し、図３(a) ，
(b) において、６はｐ−ＩｎＰ基板、１４はｐ型電極、
１５はレーザ光である。また、３はバリア層、４は多重
量子井戸活性層、５，９はｐ型，ｎ型のクラッド層、１
０は電流ブロック層、１１は埋込み層、１２はＩｎＧａ
ＡｓＰ埋込み回折格子、１３はメサである。また、図
４，図５は上記半導体レーザの変調周波数，応答特性を
示し、また、図５は符号誤り率−平均受信光強度特性を
示す。
を用いて製造された半導体レーザを示し、図３(a) ，
(b) において、６はｐ−ＩｎＰ基板、１４はｐ型電極、
１５はレーザ光である。また、３はバリア層、４は多重
量子井戸活性層、５，９はｐ型，ｎ型のクラッド層、１
０は電流ブロック層、１１は埋込み層、１２はＩｎＧａ
ＡｓＰ埋込み回折格子、１３はメサである。また、図
４，図５は上記半導体レーザの変調周波数，応答特性を
示し、また、図５は符号誤り率−平均受信光強度特性を
示す。
【００１２】本実施例の回折格子の形成方法により得ら
れる半導体レーザの、図４，図５に示される変調周波
数，応答特性，及び符号誤り率特性は、従来方法により
得られるものと同一であるが、本実施例の方法により得
られる半導体レーザは、上記レジストと光ガイド層との
密着性が改善されていることによって、その製造歩留ま
りを従来に比し大きく向上できるものである。
れる半導体レーザの、図４，図５に示される変調周波
数，応答特性，及び符号誤り率特性は、従来方法により
得られるものと同一であるが、本実施例の方法により得
られる半導体レーザは、上記レジストと光ガイド層との
密着性が改善されていることによって、その製造歩留ま
りを従来に比し大きく向上できるものである。
【００１３】実施例２．上記実施例１は、光ガイド層２
の上に光ガイド層保護層としてのＩｎＰ層１を、エピタ
キシャル成長により形成したものであるが、本第２の実
施例は、このＩｎＰ層１を、通常の成長温度である６０
０°Ｃ〜７００°Ｃよりも十分低い３５０°Ｃ〜４５０
°Ｃ，例えば約４００°Ｃで微結晶のＩｎＰからなるＩ
ｎＰ層１を成長したものである。この場合、該ＩｎＰ層
１は微結晶の集合体であるために、その表面状態はエピ
タキシャル成長表面のように完全に平坦ではなく、微視
的に見て凹凸が存在する。本実施例２では、実施例１に
比し、この凹凸の存在により実効的表面積が増大するた
め、レジスト７との密着性はさらに増大するものであ
る。
の上に光ガイド層保護層としてのＩｎＰ層１を、エピタ
キシャル成長により形成したものであるが、本第２の実
施例は、このＩｎＰ層１を、通常の成長温度である６０
０°Ｃ〜７００°Ｃよりも十分低い３５０°Ｃ〜４５０
°Ｃ，例えば約４００°Ｃで微結晶のＩｎＰからなるＩ
ｎＰ層１を成長したものである。この場合、該ＩｎＰ層
１は微結晶の集合体であるために、その表面状態はエピ
タキシャル成長表面のように完全に平坦ではなく、微視
的に見て凹凸が存在する。本実施例２では、実施例１に
比し、この凹凸の存在により実効的表面積が増大するた
め、レジスト７との密着性はさらに増大するものであ
る。
【００１４】また、この微結晶のＩｎＰについても、第
２導電型のクラッド層９の成長時の昇温時には、このア
モルファス状態あるいは多結晶状態のＩｎＰは、固相エ
ピタキシャル成長によって単結晶化するので、上記実施
例１と同様、第２導電型のクラッド層９と同化してしま
うこととなり、従来法により得られるものと同一の形状
の図４に示す半導体レーザを得ることができる。
２導電型のクラッド層９の成長時の昇温時には、このア
モルファス状態あるいは多結晶状態のＩｎＰは、固相エ
ピタキシャル成長によって単結晶化するので、上記実施
例１と同様、第２導電型のクラッド層９と同化してしま
うこととなり、従来法により得られるものと同一の形状
の図４に示す半導体レーザを得ることができる。
【００１５】
【発明の効果】以上のように、この発明にかかる回折格
子の形成方法によれば、回折格子となる光ガイド層上
に、エピタキシャル成長によりＩｎＰ層を、または低温
成長により微結晶からなるＩｎＰ層を、成長しておくよ
うにしたので、レジストと光ガイド層との密着性が改善
され、しかも最終的に出来上る回折格子としては従来と
変わらない構造，形状の回折格子が得られ、半導体レー
ザの製造における歩留まりを大きく向上できる効果があ
る。
子の形成方法によれば、回折格子となる光ガイド層上
に、エピタキシャル成長によりＩｎＰ層を、または低温
成長により微結晶からなるＩｎＰ層を、成長しておくよ
うにしたので、レジストと光ガイド層との密着性が改善
され、しかも最終的に出来上る回折格子としては従来と
変わらない構造，形状の回折格子が得られ、半導体レー
ザの製造における歩留まりを大きく向上できる効果があ
る。
【図１】本発明の実施例１による回折格子の形成方法の
プロセスフローを示す図。
プロセスフローを示す図。
【図２】従来例の回折格子の形成方法のプロセスフロー
を示す図。
を示す図。
【図３】上記実施例１の回折格子の形成方法を用いて得
られる半導体レーザを示す斜視図およびその一部切開断
面図。
られる半導体レーザを示す斜視図およびその一部切開断
面図。
【図４】上記半導体レーザの変調周波数，応答特性を示
す図。
す図。
【図５】上記半導体レーザの符号誤り率−平均受信光強
度特性を示す図。
度特性を示す図。
【符号の説明】 １ 光ガイド層保護層であるＩｎＰ層 ２ Ｉｎx Ｇａ1-x Ａｓy Ｐ1-y からなる光ガイド層 ３ ＩｎＰバリア層 ４ 活性層 ５ 第１導電型（ｐ型）のクラッド層 ６ ＩｎＰ基板 ７ レジストパターン ８ 回折格子（２をエッチングで形成したもの） ９ 第２導電型（ｎ型）のクラッド層 １０ 電流ブロック層 １２ 埋め込み回折格子 １３ メサ
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体基板あるいは絶縁性基板上に、第
１導電型のクラッド層、活性層、バリア層、回折格子、
および第２導電型のクラッド層を有する半導体レーザを
製造する際における上記回折格子を形成する方法におい
て、 半導体基板あるいは絶縁性基板上に、第１導電型のクラ
ッド層、活性層、バリア層、光ガイド層、及び光ガイド
層保護層をエピタキシャル成長する工程と、 上記光ガイド層、及び光ガイド層保護層を同時にホトレ
ジストを用いてパターニングする工程と、 上記パターニングした光ガイド層、及び光ガイド層保護
層上に第２導電型クラッド層を形成する工程とを含むこ
とを特徴とする回折格子の形成方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の回折格子の形成方法にお
いて、 上記半導体基板あるいは絶縁性基板はｐ型ＩｎＰ基板で
あり、上記第１導電型のクラッド層はｐ型ＩｎＰ層であ
り、上記活性層はＩｎＧａＡｓＰ活性層であり、上記バ
リア層はｎ型ＩｎＰバリア層であり、上記回折格子はｎ
型ＩｎＰ光ガイド層であり、光ガイド層保護層はｎ型Ｉ
ｎＧａＡｓＰ層であり、上記第２導電型のクラッド層は
ｎ型ＩｎＰ層であることを特徴とする回折格子の形成方
法。 - 【請求項３】 請求項２記載の回折格子の形成方法にお
いて、 上記第１導電型のクラッド層、活性層、バリア層、光ガ
イド層、及び光ガイド層保護層の成長を、６００°Ｃ〜
７００°Ｃの温度で行うことを特徴とする回折格子の形
成方法。 - 【請求項４】 請求項２記載の回折格子の形成方法にお
いて、 上記第１導電型のクラッド層、活性層、バリア層、及び
光ガイド層の成長を６００°Ｃ〜７００°Ｃの温度で行
った後、上記光ガイド層上に上記光ガイド層保護層を３
５０°Ｃ〜４５０°Ｃの低温で成長することを特徴とす
る回折格子の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35968592A JPH06204601A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 回折格子の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35968592A JPH06204601A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 回折格子の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06204601A true JPH06204601A (ja) | 1994-07-22 |
Family
ID=18465776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35968592A Pending JPH06204601A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 回折格子の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06204601A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02283084A (ja) * | 1989-04-25 | 1990-11-20 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザの製造方法 |
| JPH036876A (ja) * | 1989-06-02 | 1991-01-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ |
| JPH04137579A (ja) * | 1990-09-27 | 1992-05-12 | Hikari Keisoku Gijutsu Kaihatsu Kk | 半導体光素子の製造方法 |
-
1992
- 1992-12-25 JP JP35968592A patent/JPH06204601A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02283084A (ja) * | 1989-04-25 | 1990-11-20 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザの製造方法 |
| JPH036876A (ja) * | 1989-06-02 | 1991-01-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ |
| JPH04137579A (ja) * | 1990-09-27 | 1992-05-12 | Hikari Keisoku Gijutsu Kaihatsu Kk | 半導体光素子の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4719498A (en) | Optoelectronic integrated circuit | |
| JP2827326B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPH05167191A (ja) | 埋め込み型半導体レーザ素子 | |
| US5227015A (en) | Method of fabricating semiconductor laser | |
| JP3053357B2 (ja) | 平面埋込型レーザダイオードの製造方法 | |
| US4966863A (en) | Method for producing a semiconductor laser device | |
| JPH06204601A (ja) | 回折格子の形成方法 | |
| JPH0632331B2 (ja) | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 | |
| JP3047049B2 (ja) | 埋込み構造半導体レーザの製造方法 | |
| JP4350227B2 (ja) | 半導体結晶成長方法 | |
| JP3676771B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2675692B2 (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPH08330665A (ja) | 光半導体レーザの製造方法 | |
| JP3132054B2 (ja) | 埋込み構造半導体レーザの製造方法 | |
| JPH0194690A (ja) | 埋め込み型半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPH0437598B2 (ja) | ||
| JPH06177487A (ja) | 高抵抗埋込層の製造方法 | |
| JPH09260775A (ja) | 光半導体装置の製造方法，及び光半導体装置 | |
| JPS6351558B2 (ja) | ||
| JP2839696B2 (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JP2002203793A (ja) | 窒化物系半導体素子および窒化物系半導体の形成方法 | |
| JP2996221B2 (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JPH084185B2 (ja) | 埋め込み型半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPH05136519A (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
| JPH09281353A (ja) | 埋め込み型光半導体装置およびその製造方法 |