JPH0620462U - Molecular beam source cell for low temperature vapor deposition - Google Patents
Molecular beam source cell for low temperature vapor depositionInfo
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ヒーターの寿命が長く、メンテナンスが容易
で、安価に薄膜を形成する。
【構成】 坩堝２２内に収納した分子線源材料をヒータ
ーにより加熱して分子線を発生して真空チェンバーの真
空雰囲気中へ分子線を放射する。分子線を発生する坩堝
２２は、石英ガラスで形成される二重壁の袋管状構造で
あり、その内壁２３に取り囲まれて形成される坩堝空間
は真空チェンバーの真空雰囲気中に開口され、一方、そ
の内壁２３と外壁２４との間に形成される空間は大気側
に開口されて、その内部にはヒーター３０が配置される
構造となっている。そのため、ヒーター３０は希薄雰囲
気中で発生蒸気と反応することなく、ヒーター３０の寿
命を長くし、かつ、そのメンテナンスも容易となる。ま
た、ヒーター３０の材料も、安価な材料を使用すること
が出来る。
(57) [Summary] [Purpose] To form a thin film at low cost with long heater life, easy maintenance. [Structure] A molecular beam source material contained in a crucible 22 is heated by a heater to generate a molecular beam, and the molecular beam is radiated into a vacuum atmosphere of a vacuum chamber. The crucible 22 for generating a molecular beam is a double-walled tubular structure made of quartz glass, and the crucible space formed by being surrounded by the inner wall 23 thereof is opened in the vacuum atmosphere of the vacuum chamber, while The space formed between the inner wall 23 and the outer wall 24 is open to the atmosphere side, and the heater 30 is arranged inside the space. Therefore, the heater 30 does not react with the generated steam in a lean atmosphere, the life of the heater 30 is extended, and the maintenance thereof is easy. Also, as the material of the heater 30, an inexpensive material can be used.
Description
【０００１】[0001]
本考案は超電導薄膜や光記録ディスク等の分野において用いられる比較的低温 の蒸着用分子線源セルの改良構造に関する。 The present invention relates to an improved structure of a molecular beam source cell for vapor deposition at a relatively low temperature used in the fields of superconducting thin films and optical recording disks.
【０００２】[0002]
分子線源セルは、結晶成長法の一つである分子線エピタキシーにおいて用いら れており、特に、超電導薄膜や光記録ディスク等の分野においては、例えばＺｎ 、Ｃｄ、Ｈｇ等の第二属金属元素や、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐｏ等の第六属元素、あ るいはフタロシアニン等の比較的低い融点を有する元素を、１００〜５００℃と いう比較的低温下の希薄酸素ガスの雰囲気中で真空蒸着を行う。 The molecular beam source cell is used in molecular beam epitaxy, which is one of the crystal growth methods. Especially, in the field of superconducting thin films and optical recording disks, for example, Zn, Cd, Hg and other second group metals are used. In the atmosphere of a dilute oxygen gas at a relatively low temperature of 100 to 500 ° C., an element, a sixth group element such as S, Se, Te, Po, or an element having a relatively low melting point such as phthalocyanine is used. Vacuum deposition is performed.
【０００３】 ところで、従来、かかる分子線源セルの一般的な構造としては、例えば特開昭 ６０−１０８４００号公報、特開平１−１４１８９４号公報、特開平４−３９９ ２０号公報、あるいは、実公平４−３００５号公報等に知られるように、加熱部 が真空中に入る構造が採用されており、その材質についても、例えばＴａ、Ｍｏ 、ＰＢＮ等の真空中でのガス放出の少ないものが用いられていた。By the way, conventionally, as a general structure of such a molecular beam source cell, for example, JP-A-60-108400, JP-A-1-141894, JP-A-4-39920, or the actual structure is disclosed. As is known from Japanese Patent Publication No. 43005/1992, a structure is adopted in which the heating part enters in a vacuum, and the material thereof is, for example, Ta, Mo, PBN, or the like that emits little gas in a vacuum. Was used.
【０００４】[0004]
しかしながら、上記の従来技術の分子線源セルでは、加熱部を形成するＴａ、 Ｍｏ、ＰＢＮ等の材料は高価であり、かつ、低融点の元素の蒸発に使用するには 適していなかった。これは、Ｍｏ、Ｔａ等の物質は、希薄酸素ガス雰囲気中で他 の物質と反応し易く、例えばイオウ・セレン化合物等の低融点の元素を真空チェ ンバー内で取り扱った場合、それとの反応により寿命が短くなってしまうことに よる。そのため、セルの製造価格を上昇させるとともに、高価である加熱部を長 期間に渡って安定的に使用するということが困難であるという問題点があった。 However, in the above-mentioned conventional molecular beam source cell, the materials such as Ta, Mo, PBN, etc. forming the heating part are expensive and not suitable for use in vaporizing the element having a low melting point. This is because substances such as Mo and Ta easily react with other substances in a dilute oxygen gas atmosphere. For example, when a low melting point element such as a sulfur-selenium compound is handled in a vacuum chamber, it reacts with it. This is due to the shortened life. Therefore, there is a problem that it is difficult to increase the manufacturing cost of the cell and stably use the expensive heating unit for a long period of time.
【０００５】 そこで、本考案では、上記の従来技術における問題点を解決し、すなわち、真 空チェンバー内の希薄酸素ガス雰囲気中での発生蒸気ガスとの反応がなく、その ため寿命が長く、かつ、メンテナンスが容易でしかも使い易く安価に製造するこ との可能な低温蒸着用分子線源セルの改良された構造を提供することをその目的 とするものである。Therefore, the present invention solves the above-mentioned problems in the prior art, that is, there is no reaction with the generated vapor gas in the dilute oxygen gas atmosphere in the vacuum chamber, which results in a long life and It is an object of the present invention to provide an improved structure of a molecular beam source cell for low temperature vapor deposition, which is easy to maintain, easy to use and inexpensive to manufacture.
【０００６】[0006]
すなわち、上記の目的を達成するため、本考案によれば、セル本体の略中心部 に配置され、加熱されることで分子線を発生する分子線源材料をその凹部内に収 納する坩堝と、前記坩堝の外周に配置されたヒーターとを備え、分子線源材料を 加熱、蒸発させて、真空装置の真空雰囲気中へ分子線を放射する低温蒸着用分子 線源セルにおいて、前記坩堝はガラスから形成される二重壁の袋管状構造となっ ており、その内壁により取り囲まれた形成される空間は前記真空装置の真空雰囲 気中に開口され、前記内壁と外壁との間に形成される空間は大気側に開口され、 前記ヒーターは、前記内壁と外壁との間に形成される空間内に配置されていると 共に、前記坩堝を形成するガラス二重壁袋管の外壁の端部は、前記真空装置の外 壁に気密的に取り付けられていることを特徴とする低温蒸着用分子線源セルが提 案される。 That is, according to the present invention, in order to achieve the above-mentioned object, a crucible for accommodating a molecular beam source material, which is arranged substantially in the center of the cell body and generates a molecular beam when heated, in its concave portion. In the molecular beam source cell for low temperature vapor deposition, which comprises a heater arranged on the outer periphery of the crucible, heats and evaporates the molecular beam source material, and emits the molecular beam into the vacuum atmosphere of a vacuum apparatus, the crucible is made of glass. Has a double-walled bag-like tubular structure, and the space surrounded by the inner wall is opened in the vacuum atmosphere of the vacuum device and is formed between the inner wall and the outer wall. The space is opened to the atmosphere side, the heater is arranged in the space formed between the inner wall and the outer wall, and the end portion of the outer wall of the double-walled glass tube forming the crucible is formed. Is attached to the outer wall of the vacuum device in an airtight manner. Low deposition molecular beam source cell, characterized in that attached is proposed.
【０００７】[0007]
上記の本考案の低温蒸着用分子線源セルによれば、ヒーターは、坩堝を構成す るガラス二重壁袋管の内壁と外壁との間に形成される空間内に配置され、ヒータ ーを真空系外（すなわち、大気側）に配置することが可能となる。このことから 、ヒーターが真空系側の蒸気と反応することを防止することが可能となり、ヒー ターの寿命を長くし、かつ、そのメンテナンスを容易にするとともに、しかも、 Ｔａ、Ｍｏ、ＰＢＮ等の高価なヒーター材料を使用することなく安価に製造する ことができる。 According to the above molecular beam source cell for low temperature vapor deposition of the present invention, the heater is arranged in the space formed between the inner wall and the outer wall of the double-walled glass tube forming the crucible, and the heater is It becomes possible to arrange it outside the vacuum system (that is, on the atmosphere side). This makes it possible to prevent the heater from reacting with the vapor on the vacuum system side, prolonging the life of the heater and facilitating its maintenance. It can be manufactured inexpensively without using expensive heater materials.
【０００８】[0008]
以下、本考案の実施例について、図面を参照しながら詳細に説明するとまず、 図１には、本考案の実施例である低温蒸着用分子線源セルがその断面構造と共に 示されている。 この図において、低温蒸着用分子線源セルは、その内部を高真空状態にする真 空チェンバーの外壁１０の一部に形成された開口部１１に、略円盤形状の金属製 の取付フランジ２０により真空雰囲気中に突出して取り付けられている。なお、 図中の符号１２は、上記真空チェンバー外壁１０と取付フランジ２０との間に挿 入固定されたリング状の金属製部材であり、これは例えばスルーボルト等により 気密的に固定されている。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. First, FIG. 1 shows a molecular beam source cell for low temperature vapor deposition, which is an embodiment of the present invention, together with its cross-sectional structure. In this figure, the molecular beam source cell for low-temperature vapor deposition has a substantially disk-shaped metal mounting flange 20 in an opening 11 formed in a part of an outer wall 10 of a vacuum chamber for bringing the inside into a high vacuum state. It is mounted so as to project into a vacuum atmosphere. Reference numeral 12 in the figure is a ring-shaped metal member inserted and fixed between the outer wall 10 of the vacuum chamber and the mounting flange 20, which is hermetically fixed by, for example, a through bolt. .
【０００９】 この低温蒸着用分子線源セルの構造は、セル本体の略中心部には、Ｚｎ、Ｃｄ 、Ｈｇ等の第二属金属元素や、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐｏ等の第六属元素、あるいは フタロシアニン等の比較的低い融点を有する元素をその凹部内に収納し、これを 加熱して１００〜５００℃という比較的低温下で分子線を発生させる坩堝２２が 配置されている。この坩堝２２は石英ガラスから形成されており、その形状は、 図に明らかに示されるように、二重壁の袋管状構造となっており、その内側の壁 ２３により取り囲まれて形成される空間（すなわち、坩堝部分）は真空チェンバ ー内の真空雰囲気側に（図中では上方）開口され、他方、内側の壁２３と外側の 壁２４との二重壁間に形成された空間は、取付フランジ２０の中央に形成された 開口２１を介して、大気側（図中では下側）に開放されている。The structure of the molecular beam source cell for low temperature vapor deposition is such that the second group metal element such as Zn, Cd, and Hg, and the sixth group metal such as S, Se, Te, and Po are formed in the substantially central portion of the cell body. An element or an element having a relatively low melting point such as phthalocyanine is housed in the recess, and a crucible 22 for heating the element to generate a molecular beam at a relatively low temperature of 100 to 500 ° C. is arranged. This crucible 22 is made of quartz glass, and its shape is a double-walled bag-like tubular structure, as shown clearly in the figure, and the space formed by being surrounded by the inner wall 23. (That is, the crucible portion) is opened to the vacuum atmosphere side (upper side in the figure) in the vacuum chamber, while the space formed between the double walls of the inner wall 23 and the outer wall 24 It is opened to the atmosphere side (lower side in the figure) through an opening 21 formed in the center of the flange 20.
【００１０】 なお、前記石英ガラスから形成された坩堝２２の下端部には、石英ガラスと熱 膨張率が類似しているコバール（ＮｉとＣｏの合金）から形成されたリング状部 材２５の上側尖端に加熱溶融により気密的に接続され、更に、このコバール鋼リ ング状部材２５の下端はステンレスのリング状部材２６を介して上記金属製の取 付フランジ２０に気密的に接続されている。At the lower end of the crucible 22 made of quartz glass, the upper side of a ring-shaped member 25 made of Kovar (alloy of Ni and Co) having a coefficient of thermal expansion similar to that of quartz glass is provided. The tip is airtightly connected by heating and melting, and the lower end of the Kovar steel ring-shaped member 25 is airtightly connected to the metal mounting flange 20 via a stainless ring-shaped member 26.
【００１１】 また、上記取付フランジ２０の中央部に形成された円形の開口２１を介してヒ ーター３０が挿入されており、坩堝２２の外周を取り囲む位置に配置される。す なわち、ヒーター３０は、二重壁の袋管状構造の坩堝２２の内壁２３と外壁２４ との間に形成された大気側に開放された空間内に挿入され、坩堝２２の内壁２３ の外周から内部の試料を加熱する構造となっている。なお、本実施例においては 、ヒーター３０としてはシーズヒータ３１を採用しており、ヒータベース３２上 に巻き付けて取り付けている。また、このヒータベース３２の下からは２本の脚 部３３、３３が下方に向かって延びており、その内部には上記ヒーター３０に加 熱電力を供給するための配線３４、３４が施されており、これらの配線は、例え ば図示したように直流電源３５に接続されている。A heater 30 is inserted through a circular opening 21 formed in the central portion of the mounting flange 20 and is arranged at a position surrounding the outer circumference of the crucible 22. That is, the heater 30 is inserted into a space formed between the inner wall 23 and the outer wall 24 of the crucible 22 having a double-walled tubular structure and opened to the atmosphere side, and the outer circumference of the inner wall 23 of the crucible 22 is It has a structure to heat the sample inside. In this embodiment, a sheathed heater 31 is used as the heater 30, and the sheathed heater 31 is wound around and mounted on the heater base 32. Two legs 33, 33 extend downward from below the heater base 32, and wirings 34, 34 for supplying heating power to the heater 30 are provided inside thereof. These wirings are connected to the DC power source 35, for example, as shown in the figure.
【００１２】 さらに、坩堝２２の下面中央部には凹部２２１が形成されており、この凹部に は坩堝２２内の温度を検出するための熱電対４０が、下方から上記ヒータの脚部 ３３、３３に沿って配設されている。図中の符号４１は上記熱電対４０を坩堝２ ２を形成する外壁２４内に固定保持するための部材であり、符号４２はこの熱電 対４０を上方に押し上げ、その先端を坩堝２２下面中央部に形成された凹部２２ １に所定の圧力で押圧するためのバネであり、さらに、符号４５はこの熱電対４ ０に接続された電気回路である。この電気回路４５は、電気的な処理により上記 坩堝２２内の温度を検出し、その検出された温度に基づいて必要な温度制御を行 うためのものである。Further, a concave portion 221 is formed in the central portion of the lower surface of the crucible 22, and a thermocouple 40 for detecting the temperature in the crucible 22 is formed in the concave portion, and the heater legs 33, 33 are arranged from below. Are arranged along. Reference numeral 41 in the drawing is a member for fixing and holding the thermocouple 40 in the outer wall 24 forming the crucible 22. Reference numeral 42 pushes the thermocouple 40 upward and the tip thereof is at the central portion of the lower surface of the crucible 22. Is a spring for pressing the concave portion 221 formed in 1. with a predetermined pressure, and reference numeral 45 is an electric circuit connected to the thermocouple 40. The electric circuit 45 is for detecting the temperature in the crucible 22 by electrical processing and performing necessary temperature control based on the detected temperature.
【００１３】 図示の実施例では、さらに、上記の坩堝２２の外周を取り囲むようにして、冷 媒を内部に循環して冷却を行い、上記坩堝２２内の温度を制御調整するための冷 却筒５０が設けられている。この冷却筒５０は、図から明かなように、取付フラ ンジ２０に取り付けられた円筒形状の金属部材５１と、その上方外周に配置され た第２の円筒形状の金属部材５２と、上下の中空円盤５３、５４によって形成さ れており、その内部には、図には示されていない冷媒供給路により、例えば液化 窒素、水等の冷媒が循環して供給される。 比較的低い融点を有する低温元素を分子線源材料とする場合、真空系をベーキ ングする際に、分子線源材料が溶融、蒸発してしまうことがある。これを防止す るため、冷却筒５０に冷媒を通し、分子線源材料を冷却しながら真空系のベーキ ングを行なうことができる。In the embodiment shown in the drawing, a cooling cylinder for circulating and controlling the temperature inside the crucible 22 by further circulating a cooling medium inside so as to surround the outer circumference of the crucible 22 is further provided. 50 are provided. As shown in the figure, the cooling cylinder 50 includes a cylindrical metal member 51 mounted on the mounting flange 20, a second cylindrical metal member 52 arranged on the upper outer periphery thereof, and upper and lower hollow members. It is formed by the disks 53, 54, and a refrigerant such as liquefied nitrogen or water is circulated and supplied into the inside by a refrigerant supply path not shown in the drawing. When a low temperature element having a relatively low melting point is used as the molecular beam source material, the molecular beam source material may be melted and evaporated when baking the vacuum system. In order to prevent this, a refrigerant can be passed through the cooling cylinder 50 to perform baking in a vacuum system while cooling the molecular beam source material.
【００１４】 さらに、上記冷却筒５０を構成する円筒形状の金属部材５１の外側には、シャ ッターロッド５５が図の矢印方向に回転可能に配設されている。このシャッター ロッド５５の先端には、円盤状のシャッター５６が取り付けられており、外部か らこのシャッターロッド５５を回転することにより、シャッター５６が坩堝２２ の開口部を覆い、あるいは、開放する位置に制御することができるようになって いる。また、図中の符号５７は、上記シャッターロッド５５を真空チェンバーの 外部に気密的に連結するためのシール連結機構である。Further, a shutter rod 55 is arranged outside the cylindrical metal member 51 constituting the cooling cylinder 50 so as to be rotatable in the direction of the arrow in the figure. A disk-shaped shutter 56 is attached to the tip of this shutter rod 55, and by rotating the shutter rod 55 from the outside, the shutter 56 covers or opens the opening of the crucible 22. It is possible to control. Reference numeral 57 in the figure denotes a seal connecting mechanism for airtightly connecting the shutter rod 55 to the outside of the vacuum chamber.
【００１５】 以上に説明した低温蒸着用分子線源セルでは、上記坩堝２２内にＺｎ、Ｃｄ、 Ｈｇ等の第二属金属元素や、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐｏ等の第六属元素、あるいはフ タロシアニン等の比較的低い融点を有する分子線源材料を収納し、これを真空チ ェンバーの外壁１０の一部に形成された開口部１１を介して真空チェンバー内に 導入する。その後、ヒーター３０に加熱電力を加えて、あるいは冷却筒５０の冷 媒を調整制御しながら、上記の低融点元素を１００〜５００℃程度の比較的低温 下で加熱して分子線を発生させ、シャッター５６を開閉しながら真空蒸着を行う 。In the molecular beam source cell for low temperature vapor deposition described above, the second group metal element such as Zn, Cd, and Hg, the sixth group element such as S, Se, Te, and Po in the crucible 22, or A molecular beam source material having a relatively low melting point such as phthalocyanine is stored, and this is introduced into the vacuum chamber through an opening 11 formed in a part of the outer wall 10 of the vacuum chamber. Then, while heating power is applied to the heater 30 or the cooling medium of the cooling cylinder 50 is adjusted and controlled, the low melting point element is heated at a relatively low temperature of about 100 to 500 ° C. to generate a molecular beam, Vacuum deposition is performed while opening and closing the shutter 56.
【００１６】 そして、上述の構造から明らかなように、本考案の低温蒸着用分子線源セルで は、蒸着用低融点元素を加熱蒸発させるためのヒーター３０は、坩堝２２を構成 するガラス二重壁袋管の内壁２３と外壁２４との間に形成された大気側に開放さ れた空間内に配置されていることから、真空チェンバー内で発生した低融点元素 の蒸気等と希薄酸素雰囲気中で反応することはない。そのため、ヒーター３０が 発生蒸気と反応してヒーターの寿命が短くなることは確実に防止され、かつ、そ のメンテナンスも、大気側で取付フランジ２０の中央部に形成された開口２１を 介して容易に脱着可能であることから、極めて容易となる。しかも、上記冷却筒 ５０に冷媒を通し、分子線源材料を冷却しながら真空系のベーキングを行なうこ とができることから、特に低温蒸着用分子線源セルとして好適である。さらに、 真空中でのガス放出が少ないＴａ、Ｍｏ、ＰＢＮ等の高価なヒーター材料を選択 して使用する必要もなく、他の安価な材料を選択することができるため、低温蒸 着用分子線源セル全体を安価に製造可能とすることができる。As is apparent from the above structure, in the low-temperature vapor deposition molecular beam source cell of the present invention, the heater 30 for heating and evaporating the low-melting-point element for vapor deposition is made up of the glass double glass constituting the crucible 22. Since it is arranged in a space formed between the inner wall 23 and the outer wall 24 of the wall bag tube and open to the atmosphere side, the vapor of the low melting point element generated in the vacuum chamber and the diluted oxygen atmosphere Will not react. Therefore, it is possible to reliably prevent the heater 30 from reacting with the generated steam to shorten the life of the heater, and the maintenance thereof can be easily performed through the opening 21 formed in the central portion of the mounting flange 20 on the atmosphere side. Since it is removable, it becomes extremely easy. In addition, since a refrigerant can be passed through the cooling cylinder 50 to perform vacuum baking while cooling the molecular beam source material, it is particularly suitable as a low temperature vapor deposition molecular beam source cell. Furthermore, it is not necessary to select and use an expensive heater material such as Ta, Mo, or PBN, which emits less gas in a vacuum, and other inexpensive materials can be selected. The whole cell can be manufactured at low cost.
【００１７】[0017]
上記の本考案の詳細な説明からも明かな様に、本考案による低温蒸着用分子線 源セルによれば、ヒーターを真空チェンバー内に配置せず、大気中に配置される 構造とすることが出来ることから、ヒーターの希薄雰囲気中での蒸気ガスとの反 応がなく、そのためヒーターの寿命を長くし、かつ、そのメンテナンスも容易で しかも使い易く、さらには安価に製造することの可能な低温蒸着用分子線源セル とすることが可能となるという実用的にも極めて優れた効果を発揮する。 As is clear from the above detailed description of the present invention, the molecular beam source cell for low temperature vapor deposition according to the present invention may have a structure in which the heater is not placed in the vacuum chamber but placed in the atmosphere. As a result, there is no reaction with the vapor gas in the lean atmosphere of the heater, which prolongs the life of the heater, and its maintenance is easy and easy to use, and at a low temperature that can be manufactured at low cost. It has an extremely excellent practical effect that it can be used as a molecular beam source cell for vapor deposition.
【図１】本考案の実施例である低温蒸着用分子線源セル
の内部構造の詳細を説明するための断面を含む全体斜視
図である。FIG. 1 is an overall perspective view including a cross-section for explaining details of an internal structure of a low temperature vapor deposition molecular beam source cell according to an embodiment of the present invention.
１０ 真空チェンバーの外壁 １１ 開口部 ２０ 取付フランジ ２１ 開口 ２２ 坩堝 ２３ 坩堝内壁 ２４ 坩堝外壁 ２５ コバール鋼リング状部材 ２６ ステンレスリング状部材 ３０ ヒーター ３５ 加熱電力供給用電源 ４０ 熱電対 ５０ 冷却筒 ５６ シャッター 10 Outer wall of vacuum chamber 11 Opening 20 Mounting flange 21 Opening 22 Crucible 23 Crucible inner wall 24 Crucible outer wall 25 Kovar steel ring-shaped member 26 Stainless ring-shaped member 30 Heater 35 Power supply for heating power 40 Thermocouple 50 Cooling tube 56 Shutter
Claims (2)
れることで分子線を発生する分子線源材料をその凹部内
に収納する坩堝と、前記坩堝の外周に配置されたヒータ
ーとを備え、分子線源材料を加熱、蒸発させて、真空装
置の真空雰囲気中へ分子線を放射する低温蒸着用分子線
源セルにおいて、前記坩堝はガラスから形成される二重
壁の袋管状構造となっており、その内壁により取り囲ま
れた形成される空間は前記真空装置の真空雰囲気中に開
口され、前記内壁と外壁との間に形成される空間は大気
側に開口され、前記ヒーターは、前記内壁と外壁との間
に形成される空間内に配置されていると共に、前記坩堝
を形成するガラス二重壁袋管の外壁の端部は、前記真空
装置の外壁に気密的に取り付けられていることを特徴と
する低温蒸着用分子線源セル。1. A crucible which is arranged substantially in the center of a cell body and accommodates a molecular beam source material which generates a molecular beam when heated in a recess thereof, and a heater arranged on the outer periphery of the crucible. In a molecular beam source cell for low temperature vapor deposition, comprising heating and evaporating a molecular beam source material to radiate a molecular beam into a vacuum atmosphere of a vacuum device, the crucible is a double-walled bag-shaped tubular structure formed of glass. The space formed surrounded by the inner wall is opened in the vacuum atmosphere of the vacuum device, the space formed between the inner wall and the outer wall is opened to the atmosphere side, and the heater is The end of the outer wall of the double-walled glass double-walled tube that is arranged in the space formed between the inner wall and the outer wall and that forms the crucible is airtightly attached to the outer wall of the vacuum device. Molecules for low temperature vapor deposition characterized by Source cell.
壁管の外壁の端部は、コバール鋼のリング状部材を介し
て、前記真空装置の外壁に気密的に取り付けられている
ことを特徴とする低温蒸着用分子線源セル。2. The apparatus according to claim 1, wherein an end portion of the outer wall of the glass double-walled tube is airtightly attached to the outer wall of the vacuum device via a ring-shaped member made of Kovar steel. Molecular beam source cell for low temperature vapor deposition.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6231292U JPH0647016Y2 (en) | 1992-08-12 | 1992-08-12 | Molecular beam source cell for low temperature vapor deposition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6231292U JPH0647016Y2 (en) | 1992-08-12 | 1992-08-12 | Molecular beam source cell for low temperature vapor deposition |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0620462U true JPH0620462U (en) | 1994-03-18 |
| JPH0647016Y2 JPH0647016Y2 (en) | 1994-11-30 |
Family
ID=13196495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6231292U Expired - Lifetime JPH0647016Y2 (en) | 1992-08-12 | 1992-08-12 | Molecular beam source cell for low temperature vapor deposition |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0647016Y2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012052243A (en) * | 2011-12-01 | 2012-03-15 | Tokyo Electron Ltd | Vapor deposition device |
-
1992
- 1992-08-12 JP JP6231292U patent/JPH0647016Y2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012052243A (en) * | 2011-12-01 | 2012-03-15 | Tokyo Electron Ltd | Vapor deposition device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0647016Y2 (en) | 1994-11-30 |
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