JPH06206343A - マルチビーム記録装置 - Google Patents
マルチビーム記録装置Info
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- JPH06206343A JPH06206343A JP352293A JP352293A JPH06206343A JP H06206343 A JPH06206343 A JP H06206343A JP 352293 A JP352293 A JP 352293A JP 352293 A JP352293 A JP 352293A JP H06206343 A JPH06206343 A JP H06206343A
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- recording
- beams
- signal
- laser
- light
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- Laser Beam Printer (AREA)
- Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
- Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明は、ビーム位置検出を確実に行うこと
ができてビーム形状の影響を受けにくく高精度で信頼性
が高くなるようにすることを目的とする。 【構成】 この発明は、画像情報信号により変調クロッ
クに同期して独立に変調されるn(n≧2)個の発光部
を有する記録用光源を備え、この記録用光源の発光部か
ら出射されるn本のビームをn個の微小な光スポットに
集光結像し、これらの光スポットによる記録媒体の露光
走査で画像の記録を行うマルチビーム記録装置におい
て、光スポットの露光走査範囲内に1個若しくは複数個
が配置され各々n本のビームのうち少なくとも2本以上
のビームを受光する受光部31と、この受光部31の出
力信号からタイミング信号によりn本のビームを順次に
検出して順次に所定の時間消灯させる第1の手段34と
を具備し、前記タイミング信号の周期を前記変調クロッ
クの周期の1/K(K≧1)としたものである。
ができてビーム形状の影響を受けにくく高精度で信頼性
が高くなるようにすることを目的とする。 【構成】 この発明は、画像情報信号により変調クロッ
クに同期して独立に変調されるn(n≧2)個の発光部
を有する記録用光源を備え、この記録用光源の発光部か
ら出射されるn本のビームをn個の微小な光スポットに
集光結像し、これらの光スポットによる記録媒体の露光
走査で画像の記録を行うマルチビーム記録装置におい
て、光スポットの露光走査範囲内に1個若しくは複数個
が配置され各々n本のビームのうち少なくとも2本以上
のビームを受光する受光部31と、この受光部31の出
力信号からタイミング信号によりn本のビームを順次に
検出して順次に所定の時間消灯させる第1の手段34と
を具備し、前記タイミング信号の周期を前記変調クロッ
クの周期の1/K(K≧1)としたものである。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は独立に変調可能な複数個
の発光部を有する記録用光源を用いて複数ラインを同時
に記録するマルチビーム記録装置に関する。
の発光部を有する記録用光源を用いて複数ラインを同時
に記録するマルチビーム記録装置に関する。
【0002】
【従来の技術】電子写真技術とレーザ走査技術とを組み
合わせたレーザプリンタ等の画像記録装置は、普通紙が
使用でき、高速で高品質な画像が得られるので、急速に
コンピュータの出力装置やデジタル複写機に用いられて
普及している。
合わせたレーザプリンタ等の画像記録装置は、普通紙が
使用でき、高速で高品質な画像が得られるので、急速に
コンピュータの出力装置やデジタル複写機に用いられて
普及している。
【0003】図3はレーザプリンタに用いられるレーザ
光学系の一例を示す。半導体レーザからなる光源11が
駆動回路にて画像信号により変調され、この半導体レー
ザ11からのレーザビームがレンズ12を介して回転多
面鏡13により偏向される。回転多面鏡13からのレー
ザビームはfθレンズからなる結像レンズ14によりド
ラム状の感光体15上に微小な光スポットとして結像さ
れる。この光スポットは回転多面鏡13と感光体15の
駆動機構による回転により感光体15を走査露光し、画
像の静電潜像を形成する。この場合、感光体15は帯電
器により均一に帯電された後に上記露光で静電潜像が形
成される。また、同期検知用受光素子16は走査線上の
走査開始側の画像領域外で結像レンズ14からのレーザ
ビームを検出する。この同期検知用受光素子16の出力
信号はスレッショルドレベルで2値化されてビーム位置
検出信号となり、このビーム位置検出信号により主走査
方向の画像書き込み開始位置が制御される。
光学系の一例を示す。半導体レーザからなる光源11が
駆動回路にて画像信号により変調され、この半導体レー
ザ11からのレーザビームがレンズ12を介して回転多
面鏡13により偏向される。回転多面鏡13からのレー
ザビームはfθレンズからなる結像レンズ14によりド
ラム状の感光体15上に微小な光スポットとして結像さ
れる。この光スポットは回転多面鏡13と感光体15の
駆動機構による回転により感光体15を走査露光し、画
像の静電潜像を形成する。この場合、感光体15は帯電
器により均一に帯電された後に上記露光で静電潜像が形
成される。また、同期検知用受光素子16は走査線上の
走査開始側の画像領域外で結像レンズ14からのレーザ
ビームを検出する。この同期検知用受光素子16の出力
信号はスレッショルドレベルで2値化されてビーム位置
検出信号となり、このビーム位置検出信号により主走査
方向の画像書き込み開始位置が制御される。
【0004】このようなレーザ走査光学系を有するレー
ザプリンタにおいては1分間にA4サイズの画像を10
0枚出力するようなレーザ走査光学系を実現するために
は、感光体の速度は500mm/sec程度となり、回転多
面鏡の回転数r(rpm)は次の式(1)式で与えられる。 r(rpm)=V0×DPI×60/(25.4×N)・・・・・(1) ここに、V0は感光体の速度(mm/sec)、DPIは1イ
ンチ当り記録できるドット数で、一般的には300〜4
00であり、Nは回転多面鏡の反射面数で、一般的には
6〜10である。V0=500、DPI=300,N=
8を(1)式に代入すると、rは44291(rpm)になる。
ザプリンタにおいては1分間にA4サイズの画像を10
0枚出力するようなレーザ走査光学系を実現するために
は、感光体の速度は500mm/sec程度となり、回転多
面鏡の回転数r(rpm)は次の式(1)式で与えられる。 r(rpm)=V0×DPI×60/(25.4×N)・・・・・(1) ここに、V0は感光体の速度(mm/sec)、DPIは1イ
ンチ当り記録できるドット数で、一般的には300〜4
00であり、Nは回転多面鏡の反射面数で、一般的には
6〜10である。V0=500、DPI=300,N=
8を(1)式に代入すると、rは44291(rpm)になる。
【0005】回転多面鏡はこのような高い回転数では回
転軸を支える軸受として従来のボールベアリングを使用
できず、流体軸受,磁気軸受などの特殊な軸受が必要と
なってコストアップになる。また、光源である半導体レ
ーザの変調周波数が高くなり、レーザ制御回路およびホ
ストマシンからレーザ側へのデータ転送の高速化が必要
になって回路が複雑になると同時にコストアップにな
る。
転軸を支える軸受として従来のボールベアリングを使用
できず、流体軸受,磁気軸受などの特殊な軸受が必要と
なってコストアップになる。また、光源である半導体レ
ーザの変調周波数が高くなり、レーザ制御回路およびホ
ストマシンからレーザ側へのデータ転送の高速化が必要
になって回路が複雑になると同時にコストアップにな
る。
【0006】また、レーザプリンタにおいては、高速化
を計るために、複数の光源からの複数のレーザビームを
1個の回転多面鏡で偏向走査して同時に複数ラインを記
録するマルチビーム記録方式がある。このマルチビーム
記録方式では、光源からのレーザビームの本数をM本と
すれば回転多面鏡の回転数およびレーザの変調周波数が
1/Mとなり、高速な記録が可能となる。
を計るために、複数の光源からの複数のレーザビームを
1個の回転多面鏡で偏向走査して同時に複数ラインを記
録するマルチビーム記録方式がある。このマルチビーム
記録方式では、光源からのレーザビームの本数をM本と
すれば回転多面鏡の回転数およびレーザの変調周波数が
1/Mとなり、高速な記録が可能となる。
【0007】図4はマルチビーム記録方式で用いられる
複数の半導体レーザを光源としたレーザ走査光学系の一
例を示す。複数の独立した発光点を有するレーザダイオ
ードからなる光源171,172から発散して出射された
複数本のレーザビームはコリメートレンズ18によりそ
れぞれ平行な光束とされ、シリンダレンズ19により回
転多面鏡20の反射面近傍へ副走査方向に絞り込まれ
る。シリンダレンズ19からの複数本のレーザビームは
回転多面鏡24により共通に偏向を受け、fθレンズか
らなる結像レンズ21により感光体からなる記録媒体2
2上に微小なレーザビームとして、かつ、各レーザビー
ムが記録密度に応じたピッチとなるように絞り込まれて
静電潜像が記録媒体26上に形成される。ここに、光源
171,172は駆動回路にて画像信号により変調され、
画像信号に応じた強度のレーザビームを出力する。記録
媒体22はモータにより駆動されて副走査方向に回転
し、帯電器により均一に帯電された後に複数本のレーザ
ビームにより1主走査で複数ライン分の静電潜像が形成
される。
複数の半導体レーザを光源としたレーザ走査光学系の一
例を示す。複数の独立した発光点を有するレーザダイオ
ードからなる光源171,172から発散して出射された
複数本のレーザビームはコリメートレンズ18によりそ
れぞれ平行な光束とされ、シリンダレンズ19により回
転多面鏡20の反射面近傍へ副走査方向に絞り込まれ
る。シリンダレンズ19からの複数本のレーザビームは
回転多面鏡24により共通に偏向を受け、fθレンズか
らなる結像レンズ21により感光体からなる記録媒体2
2上に微小なレーザビームとして、かつ、各レーザビー
ムが記録密度に応じたピッチとなるように絞り込まれて
静電潜像が記録媒体26上に形成される。ここに、光源
171,172は駆動回路にて画像信号により変調され、
画像信号に応じた強度のレーザビームを出力する。記録
媒体22はモータにより駆動されて副走査方向に回転
し、帯電器により均一に帯電された後に複数本のレーザ
ビームにより1主走査で複数ライン分の静電潜像が形成
される。
【0008】結像レンズ21は主走査方向(レーザビー
ムが回転多面鏡20により走査される方向)と副走査方
向で焦点距離の異なるアナモフィックなレンズであり、
副走査方向には回転多面鏡20の反射面と記録媒体26
が幾何学的に共役な関係となるように設計されている。
これは回転多面鏡20の各反射面の回転軸に対する角度
誤差(反射面倒れ)による走査線間のピッチの変動を低
減するための補正光学系を構成するためである。シリン
ダレンズ19は記録媒体22上での副走査方向のレーザ
ビーム径を適当な大きさとする機能を持つ。また、同期
検知用受光素子が結像レンズ21からのレーザビームを
走査域内の画像走査記録範囲外で検出する。この同期検
知用受光素子の出力信号はスレッショルドレベルで2値
化されてその2値化信号が各レーザビーム毎に分離され
ることによりビーム位置検出信号が得られ、これらのビ
ーム位置検出信号により各レーザビームの主走査方向の
画像書き込み開始位置が制御される。
ムが回転多面鏡20により走査される方向)と副走査方
向で焦点距離の異なるアナモフィックなレンズであり、
副走査方向には回転多面鏡20の反射面と記録媒体26
が幾何学的に共役な関係となるように設計されている。
これは回転多面鏡20の各反射面の回転軸に対する角度
誤差(反射面倒れ)による走査線間のピッチの変動を低
減するための補正光学系を構成するためである。シリン
ダレンズ19は記録媒体22上での副走査方向のレーザ
ビーム径を適当な大きさとする機能を持つ。また、同期
検知用受光素子が結像レンズ21からのレーザビームを
走査域内の画像走査記録範囲外で検出する。この同期検
知用受光素子の出力信号はスレッショルドレベルで2値
化されてその2値化信号が各レーザビーム毎に分離され
ることによりビーム位置検出信号が得られ、これらのビ
ーム位置検出信号により各レーザビームの主走査方向の
画像書き込み開始位置が制御される。
【0009】マルチビーム記録方式において、複数本の
レーザビームを用いて1主走査で複数ライン分のデータ
を同時に記録する場合は、複数本のレーザビームの各発
光点の中心を結んだ直線が主走査方向(レーザビームが
走査される方向)に直交するようにすれば、各発光点の
レーザビームの走査のタイミングは同一となるので、そ
の位相同期を1個の発光点で行えばよい。あるいは、隣
接する各レーザビームのピッチ等が既知であれば、1つ
のレーザビームに対するビーム位置検出信号と各レーザ
ビームの変調クロック(以下変調クロックを画素クロッ
クと呼ぶ)との同期をとればよい。
レーザビームを用いて1主走査で複数ライン分のデータ
を同時に記録する場合は、複数本のレーザビームの各発
光点の中心を結んだ直線が主走査方向(レーザビームが
走査される方向)に直交するようにすれば、各発光点の
レーザビームの走査のタイミングは同一となるので、そ
の位相同期を1個の発光点で行えばよい。あるいは、隣
接する各レーザビームのピッチ等が既知であれば、1つ
のレーザビームに対するビーム位置検出信号と各レーザ
ビームの変調クロック(以下変調クロックを画素クロッ
クと呼ぶ)との同期をとればよい。
【0010】また、マルチビーム記録方式において、記
録用光源として1チップ内に複数の発光点を有する半導
体レーザアレイを用いた場合は、副走査方向(記録媒体
が送られる方向)のピッチ(間隔)が半導体レーザアレ
イの発光点のピッチに依存するので、記録密度に対応し
たピッチを得るためには、半導体レーザアレイをその各
発光点の中心を結んだ直線と主走査方向とがある角度を
なすように配置しなければならない。この場合、様々な
環境の変化等によるレーザビーム位置の変動やズレが生
ずるので、各レーザビームに対するビーム位置検出信号
と各レーザビームの画素クロックとの位相同期をそれぞ
れとる方が各レーザビーム毎の記録位置の変動が少なく
て望ましい。
録用光源として1チップ内に複数の発光点を有する半導
体レーザアレイを用いた場合は、副走査方向(記録媒体
が送られる方向)のピッチ(間隔)が半導体レーザアレ
イの発光点のピッチに依存するので、記録密度に対応し
たピッチを得るためには、半導体レーザアレイをその各
発光点の中心を結んだ直線と主走査方向とがある角度を
なすように配置しなければならない。この場合、様々な
環境の変化等によるレーザビーム位置の変動やズレが生
ずるので、各レーザビームに対するビーム位置検出信号
と各レーザビームの画素クロックとの位相同期をそれぞ
れとる方が各レーザビーム毎の記録位置の変動が少なく
て望ましい。
【0011】また、特開昭57ー64718号公報に
は、レーザビームプリンタにおいて、間隔が既知である
複数のレーザビームから出射された複数のレーザビーム
のうちの1本のレーザビームの偏向位置を検出する1個
の検出器と、この検出器の出力信号を用いて他のレーザ
ビームの同期等をとる手段とを設けたものが記載されて
いる。
は、レーザビームプリンタにおいて、間隔が既知である
複数のレーザビームから出射された複数のレーザビーム
のうちの1本のレーザビームの偏向位置を検出する1個
の検出器と、この検出器の出力信号を用いて他のレーザ
ビームの同期等をとる手段とを設けたものが記載されて
いる。
【0012】特開平2ー42413号公報には、デジタ
ル複写機において、ビーム検知手段に入射する複数のレ
ーザビームから画像書き出しタイミング信号を生成する
ためのレーザビームを分離出力する分離手段を設けたも
のが記載されている。
ル複写機において、ビーム検知手段に入射する複数のレ
ーザビームから画像書き出しタイミング信号を生成する
ためのレーザビームを分離出力する分離手段を設けたも
のが記載されている。
【0013】また、記録用光源の発光部から出射される
n本のビームをn個の微小な光スポットに集光結像して
これらの光スポットによる記録媒体の露光走査で画像の
記録を行うマルチビーム記録装置において、光スポット
の露光走査範囲内で前記n本のビームのうち少なくとも
2本以上のビームを受光する受光素子と、この受光素子
の出力信号により前記n本のビームを順次に検出して順
次に所定の時間消灯させる手段とを設け、前記受光素子
の露光走査開始側エッジが露光走査方向と直交する方向
に対して傾きを持つようにしたものが提案されている。
n本のビームをn個の微小な光スポットに集光結像して
これらの光スポットによる記録媒体の露光走査で画像の
記録を行うマルチビーム記録装置において、光スポット
の露光走査範囲内で前記n本のビームのうち少なくとも
2本以上のビームを受光する受光素子と、この受光素子
の出力信号により前記n本のビームを順次に検出して順
次に所定の時間消灯させる手段とを設け、前記受光素子
の露光走査開始側エッジが露光走査方向と直交する方向
に対して傾きを持つようにしたものが提案されている。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】上記マルチビーム記録
方式では、様々な環境の変化等によるレーザビーム位置
の変動やズレに対する対応が極めて困難である。また、
同期検知用受光素子は短い時間差をもって各レーザビー
ムが入射するが、図5はレーザビームa,bが極端に重
なってしまった場合の同期検知用受光素子の出力信号の
様子を示す。この場合、同期検知用受光素子のレーザビ
ームa,bに対する出力信号a1,b1が合成されて合成
信号c1が得られ、この合成信号c1からレーザビーム
a,bを分割して検出することは不可能である。このた
め、各レーザビームに対する同期検知用受光素子の出力
信号と各レーザビームの画素クロックとの位相同期をそ
れぞれとることができない。
方式では、様々な環境の変化等によるレーザビーム位置
の変動やズレに対する対応が極めて困難である。また、
同期検知用受光素子は短い時間差をもって各レーザビー
ムが入射するが、図5はレーザビームa,bが極端に重
なってしまった場合の同期検知用受光素子の出力信号の
様子を示す。この場合、同期検知用受光素子のレーザビ
ームa,bに対する出力信号a1,b1が合成されて合成
信号c1が得られ、この合成信号c1からレーザビーム
a,bを分割して検出することは不可能である。このた
め、各レーザビームに対する同期検知用受光素子の出力
信号と各レーザビームの画素クロックとの位相同期をそ
れぞれとることができない。
【0015】図6はレーザビームa,bが1/4ほど重
なった場合の信号の様子を示す。この場合は同期検知用
受光素子のレーザビームa,bに対する出力信号a2,
b2が合成されて合成信号c2が得られる。この合成信号
c2は領域S2が狭いので、レーザビームa,bを分割し
て検出するためのスレッュドレベルを持つことが困難で
あり、レーザビームa,bの分割検出が不安定となる。
なった場合の信号の様子を示す。この場合は同期検知用
受光素子のレーザビームa,bに対する出力信号a2,
b2が合成されて合成信号c2が得られる。この合成信号
c2は領域S2が狭いので、レーザビームa,bを分割し
て検出するためのスレッュドレベルを持つことが困難で
あり、レーザビームa,bの分割検出が不安定となる。
【0016】図7はレーザビームa,bが微小な時間だ
け重なり合った場合の信号の様子を示す。この場合は同
期検知用受光素子のレーザビームa,bに対する出力信
号a3,b3が合成されて合成信号c3が得られる。この
合成信号c3は領域S3が広いので、レーザビームa,b
を分割して検出するためのスレッュドレベルの決定が容
易となり、レーザビームa,bの分割検出を正確に行う
ことが可能となる。
け重なり合った場合の信号の様子を示す。この場合は同
期検知用受光素子のレーザビームa,bに対する出力信
号a3,b3が合成されて合成信号c3が得られる。この
合成信号c3は領域S3が広いので、レーザビームa,b
を分割して検出するためのスレッュドレベルの決定が容
易となり、レーザビームa,bの分割検出を正確に行う
ことが可能となる。
【0017】また、上記特開昭57ー64718号公報
記載のレーザビームプリンタでは、間隔が既知である複
数のレーザビームから出射された複数のレーザビームの
うちの1本のレーザビームの偏向位置を検出して他のレ
ーザビームの同期等をとるので、レーザビームの間隔が
変化してしまった場合には同期等が1本のレーザビーム
に対する偏向位置検出信号に依存することにより、誤差
やずれが生ずるおそれがあり、その補正も困難である。
記載のレーザビームプリンタでは、間隔が既知である複
数のレーザビームから出射された複数のレーザビームの
うちの1本のレーザビームの偏向位置を検出して他のレ
ーザビームの同期等をとるので、レーザビームの間隔が
変化してしまった場合には同期等が1本のレーザビーム
に対する偏向位置検出信号に依存することにより、誤差
やずれが生ずるおそれがあり、その補正も困難である。
【0018】また、特開平2ー42413号公報記載の
デジタル複写機では、ビーム検知手段に入射する複数の
レーザビームから画像書き出しタイミング信号を生成す
るためのレーザビームを分離出力する分離手段を設けた
ので、この分離手段のスレッシュドレベルの誤設定等に
よる信号の誤検出、あるいは回路の複雑化やこれによる
コストアップ等が生ずる欠点がある。
デジタル複写機では、ビーム検知手段に入射する複数の
レーザビームから画像書き出しタイミング信号を生成す
るためのレーザビームを分離出力する分離手段を設けた
ので、この分離手段のスレッシュドレベルの誤設定等に
よる信号の誤検出、あるいは回路の複雑化やこれによる
コストアップ等が生ずる欠点がある。
【0019】また、上記マルチビーム記録装置では、受
光素子の露光走査開始側エッジと副走査方向との傾きが
大きい場合や、特にレーザビームの副走査方向のビーム
径が大きい場合には、受光素子の受光光量の時間的変化
が小さくなり、受光素子からの光電変換信号の立ち上が
り波形がなまってしまう。図8は受光素子の露光走査開
始側エッジが副走査方向と平行なエッジEbである場合
と、受光素子の露光走査開始側エッジが副走査方向に対
して角度を持つエッジEaである場合の受光素子からの
光電変換信号の波形例を示す。
光素子の露光走査開始側エッジと副走査方向との傾きが
大きい場合や、特にレーザビームの副走査方向のビーム
径が大きい場合には、受光素子の受光光量の時間的変化
が小さくなり、受光素子からの光電変換信号の立ち上が
り波形がなまってしまう。図8は受光素子の露光走査開
始側エッジが副走査方向と平行なエッジEbである場合
と、受光素子の露光走査開始側エッジが副走査方向に対
して角度を持つエッジEaである場合の受光素子からの
光電変換信号の波形例を示す。
【0020】図8において、PDoutaはレーザビームが
受光素子の露光走査開始側エッジEaに入射した場合の
受光素子からの光電変換信号の波形を示し、PDoutbは
レーザビームが受光素子の露光走査開始側エッジEbに
入射した場合の受光素子からの光電変換信号の波形を示
す。上述のようにビーム位置検出は受光素子からの光電
変換信号をスレッショルドレベルで2値化した信号を基
準として行うので、例えば図8においてスレッショルド
レベルがスレッショルドレベル1からスレッショルドレ
ベル2に変動した場合には、受光素子からの光電変換信
号はPDoutaのように立ち上がり波形がなまっていると
きにはスレッショルドレベルの変動によるビーム位置の
誤差が生じやすくなり、ビーム位置検出精度が低下して
しまう。
受光素子の露光走査開始側エッジEaに入射した場合の
受光素子からの光電変換信号の波形を示し、PDoutbは
レーザビームが受光素子の露光走査開始側エッジEbに
入射した場合の受光素子からの光電変換信号の波形を示
す。上述のようにビーム位置検出は受光素子からの光電
変換信号をスレッショルドレベルで2値化した信号を基
準として行うので、例えば図8においてスレッショルド
レベルがスレッショルドレベル1からスレッショルドレ
ベル2に変動した場合には、受光素子からの光電変換信
号はPDoutaのように立ち上がり波形がなまっていると
きにはスレッショルドレベルの変動によるビーム位置の
誤差が生じやすくなり、ビーム位置検出精度が低下して
しまう。
【0021】本発明は、上記欠点を改善し、ビーム位置
検出を確実に行うことができてビーム形状の影響を受け
にくく高精度で信頼性が高いマルチビーム記録装置を提
供することを目的とする。
検出を確実に行うことができてビーム形状の影響を受け
にくく高精度で信頼性が高いマルチビーム記録装置を提
供することを目的とする。
【0022】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1記載の発明は、画像情報信号により変調ク
ロックに同期して独立に変調されるn(n≧2)個の発
光部を有する記録用光源を備え、この記録用光源の発光
部から出射されるn本のビームをn個の微小な光スポッ
トに集光結像し、これらの光スポットによる記録媒体の
露光走査で画像の記録を行うマルチビーム記録装置にお
いて、前記光スポットの露光走査範囲内に1個若しくは
複数個が配置され各々前記n本のビームのうち少なくと
も2本以上のビームを受光する受光部と、この受光部の
出力信号からタイミング信号により前記n本のビームを
順次に検出して順次に所定の時間消灯させる第1の手段
とを具備し、前記タイミング信号の周期を前記変調クロ
ックの周期の1/K(K≧1)としたものである。
め、請求項1記載の発明は、画像情報信号により変調ク
ロックに同期して独立に変調されるn(n≧2)個の発
光部を有する記録用光源を備え、この記録用光源の発光
部から出射されるn本のビームをn個の微小な光スポッ
トに集光結像し、これらの光スポットによる記録媒体の
露光走査で画像の記録を行うマルチビーム記録装置にお
いて、前記光スポットの露光走査範囲内に1個若しくは
複数個が配置され各々前記n本のビームのうち少なくと
も2本以上のビームを受光する受光部と、この受光部の
出力信号からタイミング信号により前記n本のビームを
順次に検出して順次に所定の時間消灯させる第1の手段
とを具備し、前記タイミング信号の周期を前記変調クロ
ックの周期の1/K(K≧1)としたものである。
【0023】請求項2記載の発明は、請求項1記載のマ
ルチビーム記録装置において、前記n本のビームによる
露光走査方向の記録密度を独立に設定し、前記タイミン
グ信号の周期を前記n本のビームによる露光走査方向の
記録密度のうちの最小の記録密度に対応する変調クロッ
クの周期の1/K(K≧1)としたものである。
ルチビーム記録装置において、前記n本のビームによる
露光走査方向の記録密度を独立に設定し、前記タイミン
グ信号の周期を前記n本のビームによる露光走査方向の
記録密度のうちの最小の記録密度に対応する変調クロッ
クの周期の1/K(K≧1)としたものである。
【0024】請求項3記載の発明は、請求項1または2
記載のマルチビーム記録装置において、前記第1の手段
が前記受光部の出力信号により前記n本のビームを順次
に検出して発生する複数のビーム位置検出信号の位相と
前記n本のビームの各変調クロックの位相とを略同期さ
せる第2の手段と、前記複数のビーム位置検出信号と前
記n本のビームの各変調クロックのうちの1組を基準と
して画像記録領域の設定等の制御信号を生成する第3の
手段とを備えたものである。
記載のマルチビーム記録装置において、前記第1の手段
が前記受光部の出力信号により前記n本のビームを順次
に検出して発生する複数のビーム位置検出信号の位相と
前記n本のビームの各変調クロックの位相とを略同期さ
せる第2の手段と、前記複数のビーム位置検出信号と前
記n本のビームの各変調クロックのうちの1組を基準と
して画像記録領域の設定等の制御信号を生成する第3の
手段とを備えたものである。
【0025】請求項4記載の発明は、請求項1,2また
は3記載のマルチビーム記録装置において、前記複数の
ビーム位置検出信号に基づいて画像領域の設定等の制御
信号を生成する基準となるビーム位置と,それ以外のビ
ーム位置とのズレを検出する第4の手段を備えたもので
ある。
は3記載のマルチビーム記録装置において、前記複数の
ビーム位置検出信号に基づいて画像領域の設定等の制御
信号を生成する基準となるビーム位置と,それ以外のビ
ーム位置とのズレを検出する第4の手段を備えたもので
ある。
【0026】請求項5記載の発明は、請求項1,2,3
または4記載のマルチビーム記録装置において、前記記
録用光源を1チップ内に独立に変調可能な複数の発光点
を有する半導体レーザアレイで構成したものである。
または4記載のマルチビーム記録装置において、前記記
録用光源を1チップ内に独立に変調可能な複数の発光点
を有する半導体レーザアレイで構成したものである。
【0027】
【作用】請求項1記載の発明では、受光部がn本のビー
ムのうち少なくとも2本以上のビームを受光し、第1の
手段が受光部の出力信号からタイミング信号によりn本
のビームを順次に検出して順次に所定の時間消灯させ
る。そして、前記タイミング信号の周期が変調クロック
の周期の1/K(K≧1)である。従って、ビームの消灯
タイミングが高速になり、隣接するビームが重なって受
光部に入射することが防止される。このため、受光部の
構成,配置等の影響やビーム形状の影響を受けることな
くビーム位置検出を確実に行うことができ、高精度で信
頼性が高くなる。
ムのうち少なくとも2本以上のビームを受光し、第1の
手段が受光部の出力信号からタイミング信号によりn本
のビームを順次に検出して順次に所定の時間消灯させ
る。そして、前記タイミング信号の周期が変調クロック
の周期の1/K(K≧1)である。従って、ビームの消灯
タイミングが高速になり、隣接するビームが重なって受
光部に入射することが防止される。このため、受光部の
構成,配置等の影響やビーム形状の影響を受けることな
くビーム位置検出を確実に行うことができ、高精度で信
頼性が高くなる。
【0028】請求項2記載の発明では、請求項1記載の
マルチビーム記録装置において、n本のビームによる露
光走査方向の記録密度が独立に設定され、前記タイミン
グ信号の周期がn本のビームによる露光走査方向の記録
密度のうちの最小の記録密度に対応する変調クロックの
周期の1/K(K≧1)である。従って、n本のビームに
よる露光走査方向の記録密度を独立に設定した場合に各
ビームの記録密度の変化に影響されない汎用性の高いマ
ルチビーム記録装置を提供することができる。
マルチビーム記録装置において、n本のビームによる露
光走査方向の記録密度が独立に設定され、前記タイミン
グ信号の周期がn本のビームによる露光走査方向の記録
密度のうちの最小の記録密度に対応する変調クロックの
周期の1/K(K≧1)である。従って、n本のビームに
よる露光走査方向の記録密度を独立に設定した場合に各
ビームの記録密度の変化に影響されない汎用性の高いマ
ルチビーム記録装置を提供することができる。
【0029】請求項3記載の発明では、請求項1または
2記載のマルチビーム記録装置において、第1の手段が
受光部の出力信号によりn本のビームを順次に検出して
発生する複数のビーム位置検出信号の位相とn本のビー
ムの各変調クロックの位相とが第2の手段により略同期
させ、第3の手段が複数のビーム位置検出信号とn本の
ビームの各変調クロックのうちの1組を基準として画像
記録領域の設定等の制御信号を生成する。従って、回路
の簡素化を計ることができ、廉価で高速かつ高精度にで
きる。
2記載のマルチビーム記録装置において、第1の手段が
受光部の出力信号によりn本のビームを順次に検出して
発生する複数のビーム位置検出信号の位相とn本のビー
ムの各変調クロックの位相とが第2の手段により略同期
させ、第3の手段が複数のビーム位置検出信号とn本の
ビームの各変調クロックのうちの1組を基準として画像
記録領域の設定等の制御信号を生成する。従って、回路
の簡素化を計ることができ、廉価で高速かつ高精度にで
きる。
【0030】請求項4記載の発明では、請求項1,2ま
たは3記載のマルチビーム記録装置において、第4の手
段が複数のビーム位置検出信号に基づいて画像領域の設
定等の制御信号を生成する基準となるビーム位置と,そ
れ以外のビーム位置とのズレを検出する。このため、温
度上昇等の諸々の要因によるビーム位置のズレに対応す
ることができ、高精度で信頼性を高くすることができ
る。
たは3記載のマルチビーム記録装置において、第4の手
段が複数のビーム位置検出信号に基づいて画像領域の設
定等の制御信号を生成する基準となるビーム位置と,そ
れ以外のビーム位置とのズレを検出する。このため、温
度上昇等の諸々の要因によるビーム位置のズレに対応す
ることができ、高精度で信頼性を高くすることができ
る。
【0031】請求項5記載の発明では、請求項1,2,
3または4記載のマルチビーム記録装置において、記録
用光源が1チップ内に独立に変調可能な複数の発光点を
有する半導体レーザアレイで構成されている。このた
め、複数のビームの間に規則的な角度、等しい間隔を容
易に設けることが可能になり、複数のビームの高い配列
精度を得ることができて高精度なマルチビーム記録装置
を実現できる。
3または4記載のマルチビーム記録装置において、記録
用光源が1チップ内に独立に変調可能な複数の発光点を
有する半導体レーザアレイで構成されている。このた
め、複数のビームの間に規則的な角度、等しい間隔を容
易に設けることが可能になり、複数のビームの高い配列
精度を得ることができて高精度なマルチビーム記録装置
を実現できる。
【0032】
【実施例】本発明の第1実施例は、画像情報信号により
変調クロックに同期して独立に変調されるn(n≧2)
個の半導体レーザからなる発光部を有する記録用光源を
備え、この記録用光源の発光部から出射されるn本のレ
ーザビームをn個の微小な光スポットに集光結像し、こ
れらの光スポットによる記録媒体の露光走査で画像の記
録を行うマルチビーム記録装置において、上記光スポッ
トの露光走査範囲内で上記n本のレーザビームを受光す
る同期検知用受光素子(光電変換素子)からなる受光部
と、この受光部の出力信号からタイミング信号により上
記n本のレーザビームを順次に検出して順次に所定の時
間消灯させる手段とを設け、上記タイミング信号の周期
を変調クロックの周期の1/K(K≧1)としたものであ
る。
変調クロックに同期して独立に変調されるn(n≧2)
個の半導体レーザからなる発光部を有する記録用光源を
備え、この記録用光源の発光部から出射されるn本のレ
ーザビームをn個の微小な光スポットに集光結像し、こ
れらの光スポットによる記録媒体の露光走査で画像の記
録を行うマルチビーム記録装置において、上記光スポッ
トの露光走査範囲内で上記n本のレーザビームを受光す
る同期検知用受光素子(光電変換素子)からなる受光部
と、この受光部の出力信号からタイミング信号により上
記n本のレーザビームを順次に検出して順次に所定の時
間消灯させる手段とを設け、上記タイミング信号の周期
を変調クロックの周期の1/K(K≧1)としたものであ
る。
【0033】この第1実施例は請求項1記載の発明の実
施例であり、前述した図4に示す複数の半導体レーザを
光源としたレーザ走査光学系が用いられ、複数の半導体
レーザは2個の半導体レーザに限られずにn(n≧2)個
の半導体レーザ171,172・・・を用いることができ
る。また、感光体22は帯電器により均一に帯電されて
からレーザ走査光学系による露光で静電潜像が形成され
た後に、この静電潜像が現像装置により現像されて転写
装置により転写紙へ転写される。
施例であり、前述した図4に示す複数の半導体レーザを
光源としたレーザ走査光学系が用いられ、複数の半導体
レーザは2個の半導体レーザに限られずにn(n≧2)個
の半導体レーザ171,172・・・を用いることができ
る。また、感光体22は帯電器により均一に帯電されて
からレーザ走査光学系による露光で静電潜像が形成され
た後に、この静電潜像が現像装置により現像されて転写
装置により転写紙へ転写される。
【0034】図1は第1実施例の回路構成を示し、図2
はその動作例を示すタイミングチャートである。上記同
期検知用受光素子31からの光電変換信号PDoutは増
幅回路32により増幅され、分離回路33において予め
設定されたスレッショルドレベルで2値化され、半導体
レーザ171,172・・・からの複数のレーザビームに対
応して受光素子31から出力される光電変換信号PDou
t1,PDout2・・・に対して互いに分離されたビーム位置
検出信号BD1,BD2・・・となる。第1実施例の各部を
制御する記録装置制御回路34は分離回路33からのビ
ーム位置検出信号BD1,BD2・・・を基準にして画素ク
ロックWCLKの位相同期や半導体レーザ171,172
・・・の点灯/消灯,記録開始,記録領域の設定等の制御
を行う。この場合、半導体レーザ171,172・・・はそ
れぞれ独立にn個の駆動回路にて画像情報信号によりn
個の画素クロックに同期して変調されて画像情報信号に
応じた強度のレーザビームを出力し、記録装置制御回路
34はそのn個の画素クロックの位相をビーム位置検出
信号BD1,BD2・・・の立ち下がりエッジにそれぞれ同
期させる。
はその動作例を示すタイミングチャートである。上記同
期検知用受光素子31からの光電変換信号PDoutは増
幅回路32により増幅され、分離回路33において予め
設定されたスレッショルドレベルで2値化され、半導体
レーザ171,172・・・からの複数のレーザビームに対
応して受光素子31から出力される光電変換信号PDou
t1,PDout2・・・に対して互いに分離されたビーム位置
検出信号BD1,BD2・・・となる。第1実施例の各部を
制御する記録装置制御回路34は分離回路33からのビ
ーム位置検出信号BD1,BD2・・・を基準にして画素ク
ロックWCLKの位相同期や半導体レーザ171,172
・・・の点灯/消灯,記録開始,記録領域の設定等の制御
を行う。この場合、半導体レーザ171,172・・・はそ
れぞれ独立にn個の駆動回路にて画像情報信号によりn
個の画素クロックに同期して変調されて画像情報信号に
応じた強度のレーザビームを出力し、記録装置制御回路
34はそのn個の画素クロックの位相をビーム位置検出
信号BD1,BD2・・・の立ち下がりエッジにそれぞれ同
期させる。
【0035】分離回路33は増幅回路2からの光電変換
信号aをスレッショルドレベルで2値化し、その2値化
信号(正論理)cを記録装置制御回路34から主走査毎に
入力されるタイミング信号b(正論理)に基づいてマスク
信号d,e,f・・・(正論理)により半導体レーザ171,
172・・・からの各レーザビームに対応するものが順次に
分離されるようにマスクされて各レーザビームに対応す
るビーム位置検出信号BD1,BD2・・・が分離される。
ここに、2値化信号cの間隔Δtは受光素子31が半導
体レーザ171,172・・・からのレーザビームのうちの
1つのレーザビームの受光を終了してから次のレーザビ
ームの受光を開始するまでの時間となる。
信号aをスレッショルドレベルで2値化し、その2値化
信号(正論理)cを記録装置制御回路34から主走査毎に
入力されるタイミング信号b(正論理)に基づいてマスク
信号d,e,f・・・(正論理)により半導体レーザ171,
172・・・からの各レーザビームに対応するものが順次に
分離されるようにマスクされて各レーザビームに対応す
るビーム位置検出信号BD1,BD2・・・が分離される。
ここに、2値化信号cの間隔Δtは受光素子31が半導
体レーザ171,172・・・からのレーザビームのうちの
1つのレーザビームの受光を終了してから次のレーザビ
ームの受光を開始するまでの時間となる。
【0036】分離回路33は記録装置制御回路34から
のタイミング信号bが低レベル(以下Lと呼ぶ)から高レ
ヘル(以下Hと呼ぶ)に遷移すると、その遷移を検知して
マスク信号dをLからHにし、半導体レーザ171から
の1目のレーザビームの位置検出を開始する。1つ目の
レーザビームが受光素子31の受光面を走査して2値化
信号cがLからHになると、分離回路33はビーム位置
検出信号BD1をHからLにして記録装置制御回路34
に1つ目のレーザビームの位置検出を通知する。
のタイミング信号bが低レベル(以下Lと呼ぶ)から高レ
ヘル(以下Hと呼ぶ)に遷移すると、その遷移を検知して
マスク信号dをLからHにし、半導体レーザ171から
の1目のレーザビームの位置検出を開始する。1つ目の
レーザビームが受光素子31の受光面を走査して2値化
信号cがLからHになると、分離回路33はビーム位置
検出信号BD1をHからLにして記録装置制御回路34
に1つ目のレーザビームの位置検出を通知する。
【0037】次に、分離回路33は2値化信号cがHか
らLに遷移すると、その遷移を検知してマスク信号dを
HからLにすると同時にビーム位置検出信号BD1をL
からHにすることにより1つ目のレーザビームの位置検
出を終了し、かつ、マスク信号eをLからHにして半導
体レーザ172からの2つ目のレーザビームの位置検出
を開始する。同様に2つ目のレーザビームが受光素子3
1の受光面を走査して2値化信号cがLからHになる
と、分離回路33はビーム位置検出信号BD2をHから
Lにして記録装置制御回路34に2つ目のレーザビーム
の位置検出を通知する。
らLに遷移すると、その遷移を検知してマスク信号dを
HからLにすると同時にビーム位置検出信号BD1をL
からHにすることにより1つ目のレーザビームの位置検
出を終了し、かつ、マスク信号eをLからHにして半導
体レーザ172からの2つ目のレーザビームの位置検出
を開始する。同様に2つ目のレーザビームが受光素子3
1の受光面を走査して2値化信号cがLからHになる
と、分離回路33はビーム位置検出信号BD2をHから
Lにして記録装置制御回路34に2つ目のレーザビーム
の位置検出を通知する。
【0038】次に、分離回路33は2値化信号cがHか
らLに遷移すると、その遷移を検知してマスク信号eを
HからLにすると同時にビーム位置検出信号BD2をL
からHにすることにより2つ目のレーザビームの位置検
出を終了し、かつ、マスク信号fをLからHにして3つ
目のレーザビームの位置検出を開始する。3つ目のレー
ザビームが受光素子31の受光面を走査して2値化信号
cがLからHになると、分離回路33はビーム位置検出
信号BD3をHからLにして記録装置制御回路34に3
つ目のレーザビームの位置検出を通知する。以下同様に
して他の各レーザビームの位置検出が行われて1主走査
内の全てのビーム位置検出が完了し、次の主走査のビー
ム位置検出を記録装置制御回路34から分離回路33へ
タイミング信号bが入力されるまで待機する。
らLに遷移すると、その遷移を検知してマスク信号eを
HからLにすると同時にビーム位置検出信号BD2をL
からHにすることにより2つ目のレーザビームの位置検
出を終了し、かつ、マスク信号fをLからHにして3つ
目のレーザビームの位置検出を開始する。3つ目のレー
ザビームが受光素子31の受光面を走査して2値化信号
cがLからHになると、分離回路33はビーム位置検出
信号BD3をHからLにして記録装置制御回路34に3
つ目のレーザビームの位置検出を通知する。以下同様に
して他の各レーザビームの位置検出が行われて1主走査
内の全てのビーム位置検出が完了し、次の主走査のビー
ム位置検出を記録装置制御回路34から分離回路33へ
タイミング信号bが入力されるまで待機する。
【0039】図9は第1実施例の動作を1つのレーザビ
ームについて示すタイミングチャートである。図9にお
いて、WCLKは画素クロック、OCLKはビーム位置
検出の有無を監視するタイミング信号(クロック)、P
Doutは同期検知用受光素子31からの光電変換信号、
BD1は光電変換信号PDoutをスレッショルドレベルで
2値化したビーム位置検出信号(負論理)、LDon/of
f1は記録装置制御回路34から出力される半導体レーザ
171の点灯/非点灯制御信号(低レベル:Lで半導体
レーザ171点灯)であり、例えばK=4に設定され
る。
ームについて示すタイミングチャートである。図9にお
いて、WCLKは画素クロック、OCLKはビーム位置
検出の有無を監視するタイミング信号(クロック)、P
Doutは同期検知用受光素子31からの光電変換信号、
BD1は光電変換信号PDoutをスレッショルドレベルで
2値化したビーム位置検出信号(負論理)、LDon/of
f1は記録装置制御回路34から出力される半導体レーザ
171の点灯/非点灯制御信号(低レベル:Lで半導体
レーザ171点灯)であり、例えばK=4に設定され
る。
【0040】記録装置制御回路34は駆動回路を介して
半導体レーザ171,172・・・の点灯/消灯を制御する
が、LDon/off1を半導体レーザ171からのレーザビ
ームが受光素子31に入射する直前にLにし、半導体レ
ーザ171を点灯させる。半導体レーザ171からのレー
ザビームが受光素子31に入射して同期検知用受光素子
31からの光電変換信号PDoutがスレッショルドレベ
ルを越えると、ビーム位置検出信号BD1がLになって
ビーム位置検出が行われる。
半導体レーザ171,172・・・の点灯/消灯を制御する
が、LDon/off1を半導体レーザ171からのレーザビ
ームが受光素子31に入射する直前にLにし、半導体レ
ーザ171を点灯させる。半導体レーザ171からのレー
ザビームが受光素子31に入射して同期検知用受光素子
31からの光電変換信号PDoutがスレッショルドレベ
ルを越えると、ビーム位置検出信号BD1がLになって
ビーム位置検出が行われる。
【0041】記録装置制御回路34はビーム位置検出信
号BD1がLになってから最初のタイミング信号OCL
Kの立ち上がりエッジに同期してLDon/off1をHとし
て半導体レーザ171を消灯させる。ビーム位置検出信
号BD1は半導体レーザ171の消灯後の画素クロックW
CLKの最初の立ち上がりに同期してHになり、半導体
レーザ171からのレーザビームに対するビーム位置検
出が終了する。
号BD1がLになってから最初のタイミング信号OCL
Kの立ち上がりエッジに同期してLDon/off1をHとし
て半導体レーザ171を消灯させる。ビーム位置検出信
号BD1は半導体レーザ171の消灯後の画素クロックW
CLKの最初の立ち上がりに同期してHになり、半導体
レーザ171からのレーザビームに対するビーム位置検
出が終了する。
【0042】上述のように画素クロックWCLKの周期
に対してビーム位置検出の有無を監視するためのタイミ
ング信号OCLKの周期を小さくして半導体レーザ17
1からのレーザビームの消灯タイミングを制御すること
により、隣接するレーザビームの間隔が狭い場合でも、
受光素子31の受光面内で複数のレーザビームが同時に
入射することを避けることができる。例えば、第1実施
例ではK=4であるので、隣接するレーザビームの主走
査方向の間隔が記録ピッチの1/4より大きければ、隣
接する各レーザビームの主走査方向の位置検出を確実に
行うことができる。
に対してビーム位置検出の有無を監視するためのタイミ
ング信号OCLKの周期を小さくして半導体レーザ17
1からのレーザビームの消灯タイミングを制御すること
により、隣接するレーザビームの間隔が狭い場合でも、
受光素子31の受光面内で複数のレーザビームが同時に
入射することを避けることができる。例えば、第1実施
例ではK=4であるので、隣接するレーザビームの主走
査方向の間隔が記録ピッチの1/4より大きければ、隣
接する各レーザビームの主走査方向の位置検出を確実に
行うことができる。
【0043】次に、図10を用いて半導体レーザ1
71,172からの隣接するレーザビーム301,302の
位置検出について説明する。なお、図10において、エ
ッジ1〜6はレーザビーム301,302の進行方向に1
/4ドット分の間隔を有する位置を示す。半導体レーザ
172からのレーザビーム172が半導体レーザ171か
らのレーザビーム301より1ドット分の遅れをもって
受光素子31に入射する場合、これらのレーザビーム3
01,302のパワースペクトルは図10に示すようにな
る。Kを例えば1に設定した場合には半導体レーザ17
1からのレーザビーム301が受光素子31に入射し、受
光素子31からの光電変換信号PDoutがスレッショル
ドレベルに達して半導体レーザ171が消灯2のタイミ
ングで消灯するまでにレーザビーム301が約1ドット
分移動する時間が必要となる。半導体レーザ171が消
灯2のタイミングで消灯したときには半導体レーザ17
2からのレーザビーム172が既に受光素子31に入射し
ており、このレーザビーム172に対する受光素子31
からの光電変換信号PDoutがスレッショルドレベルに
達してしまってレーザビーム172の位置検出が困難に
なる。
71,172からの隣接するレーザビーム301,302の
位置検出について説明する。なお、図10において、エ
ッジ1〜6はレーザビーム301,302の進行方向に1
/4ドット分の間隔を有する位置を示す。半導体レーザ
172からのレーザビーム172が半導体レーザ171か
らのレーザビーム301より1ドット分の遅れをもって
受光素子31に入射する場合、これらのレーザビーム3
01,302のパワースペクトルは図10に示すようにな
る。Kを例えば1に設定した場合には半導体レーザ17
1からのレーザビーム301が受光素子31に入射し、受
光素子31からの光電変換信号PDoutがスレッショル
ドレベルに達して半導体レーザ171が消灯2のタイミ
ングで消灯するまでにレーザビーム301が約1ドット
分移動する時間が必要となる。半導体レーザ171が消
灯2のタイミングで消灯したときには半導体レーザ17
2からのレーザビーム172が既に受光素子31に入射し
ており、このレーザビーム172に対する受光素子31
からの光電変換信号PDoutがスレッショルドレベルに
達してしまってレーザビーム172の位置検出が困難に
なる。
【0044】ところが、第1実施例ではK=4に設定し
ているので、半導体レーザ171からのレーザビーム3
01が受光素子31に入射すると、それからレーザビー
ム301が約1/4ドット移動した後に消灯1のタイミ
ングで半導体レーザ171が消灯する。したがって、半
導体レーザ171が消灯してから次の半導体レーザ172
からのレーザビーム172が受光素子31に入射するま
でにはレーザビーム301が約3/4ドット分移動する
時間があり、レーザビーム302の位置検出を確実に行
うことができる。
ているので、半導体レーザ171からのレーザビーム3
01が受光素子31に入射すると、それからレーザビー
ム301が約1/4ドット移動した後に消灯1のタイミ
ングで半導体レーザ171が消灯する。したがって、半
導体レーザ171が消灯してから次の半導体レーザ172
からのレーザビーム172が受光素子31に入射するま
でにはレーザビーム301が約3/4ドット分移動する
時間があり、レーザビーム302の位置検出を確実に行
うことができる。
【0045】このように隣接するレーザビームの位置を
考慮して各レーザビームの消灯タイミングを制御するた
めのタイミング信号OCLKの周期を画素クロックWC
LKの周期の1/K(K≧1)と設定することによって、
ビームの消灯タイミングを高速にし、隣接するレーザビ
ームが重なって受光素子31に入射することを防止でき
る。このため、受光素子31の構成,配置等の影響やビ
ーム形状の影響を受けることなく各レーサービームのビ
ーム位置検出を確実に行うことができ、高精度で信頼性
が高くなる。
考慮して各レーザビームの消灯タイミングを制御するた
めのタイミング信号OCLKの周期を画素クロックWC
LKの周期の1/K(K≧1)と設定することによって、
ビームの消灯タイミングを高速にし、隣接するレーザビ
ームが重なって受光素子31に入射することを防止でき
る。このため、受光素子31の構成,配置等の影響やビ
ーム形状の影響を受けることなく各レーサービームのビ
ーム位置検出を確実に行うことができ、高精度で信頼性
が高くなる。
【0046】図11は本発明の第2実施例に用いられる
位相同期回路を示し、図12はそのタイミングチャート
である。この第2実施例は請求項2記載の発明の実施例
であり、上記第1実施例において、各レーザビーム30
1,302・・・による主走査方向の記録密度を位相同期回
路により独立に設定するようにしたものである。すなわ
ち、レーザビーム301に対するビーム位置検出信号B
D1と画素クロックWCLK1との位相同期が図11に示
す回路で行われ、かつ、他のレーザビーム302・・・に対
するビーム位置検出信号BD2・・・と画素クロックWCL
K2・・・との位相同期がそれぞれ図11に示す回路と同様
な回路で行われる。これらの回路は記録装置制御回路3
4内に設けられている。
位相同期回路を示し、図12はそのタイミングチャート
である。この第2実施例は請求項2記載の発明の実施例
であり、上記第1実施例において、各レーザビーム30
1,302・・・による主走査方向の記録密度を位相同期回
路により独立に設定するようにしたものである。すなわ
ち、レーザビーム301に対するビーム位置検出信号B
D1と画素クロックWCLK1との位相同期が図11に示
す回路で行われ、かつ、他のレーザビーム302・・・に対
するビーム位置検出信号BD2・・・と画素クロックWCL
K2・・・との位相同期がそれぞれ図11に示す回路と同様
な回路で行われる。これらの回路は記録装置制御回路3
4内に設けられている。
【0047】発振器35は画素クロックの1/mの周期
の基準クロックCLKを位相同期部36へ出力し、位相
同期部36は分離回路33から入力されるビーム位置検
出信号BD1(負論理)の立ち下がりエッジの直後に発振
器35からの基準クロックCLKの立ち上がりに同期し
て立ち上がるリセット信号RESET(負論理)を分周器37
へ出力する。分周器37は位相同期部36からのリセッ
ト信号RESETを基準にして発振器35からの基準クロッ
クCLKを分周して画素クロックWCLK1を出力し、
記録装置制御回路34は分周器37からの画素クロック
WCLK1に同期してレーザビーム301の上述のような
点灯,消灯制御や記録開始,記録領域の設定等の制御を
行う。
の基準クロックCLKを位相同期部36へ出力し、位相
同期部36は分離回路33から入力されるビーム位置検
出信号BD1(負論理)の立ち下がりエッジの直後に発振
器35からの基準クロックCLKの立ち上がりに同期し
て立ち上がるリセット信号RESET(負論理)を分周器37
へ出力する。分周器37は位相同期部36からのリセッ
ト信号RESETを基準にして発振器35からの基準クロッ
クCLKを分周して画素クロックWCLK1を出力し、
記録装置制御回路34は分周器37からの画素クロック
WCLK1に同期してレーザビーム301の上述のような
点灯,消灯制御や記録開始,記録領域の設定等の制御を
行う。
【0048】位相同期部36は、ビーム位置検出信号B
D1がLになると、その立ち下がりエッジに対して最も
近い発振器35からの基準クロックCLKに同期してリ
セット信号RESETをLにする。このリセット信号RESET
は、図12では基準クロックCLKの2クロック分にな
っているが、必ずしも基準クロックCLKの2クロック
分である必要はなく、回路上の特別な制約がない限り基
準クロックCLKの1クロック分以上の時間幅を有して
いればよい。分周器37は、位相同期部36からのリセ
ット信号RESETがLになると、リセット信号RESETがLで
ある区間の発振器35からの基準クロックCLKの立ち
上がりエッジに同期してリセットされ、リセット信号RE
SETがHになると、発振器35からの基準クロックCL
Kの分周を開始する。したがって、ビーム位置検出信号
BD1に対する画素クロックWCLK1の位相同期をその
周期の1/mの誤差範囲内で行うことができる。
D1がLになると、その立ち下がりエッジに対して最も
近い発振器35からの基準クロックCLKに同期してリ
セット信号RESETをLにする。このリセット信号RESET
は、図12では基準クロックCLKの2クロック分にな
っているが、必ずしも基準クロックCLKの2クロック
分である必要はなく、回路上の特別な制約がない限り基
準クロックCLKの1クロック分以上の時間幅を有して
いればよい。分周器37は、位相同期部36からのリセ
ット信号RESETがLになると、リセット信号RESETがLで
ある区間の発振器35からの基準クロックCLKの立ち
上がりエッジに同期してリセットされ、リセット信号RE
SETがHになると、発振器35からの基準クロックCL
Kの分周を開始する。したがって、ビーム位置検出信号
BD1に対する画素クロックWCLK1の位相同期をその
周期の1/mの誤差範囲内で行うことができる。
【0049】この第2実施例においては、各レーザビー
ムによる露光走査方向の記録密度をそれぞれ上記回路に
より独立に設定し、ビーム位置検出の有無を監視するた
めのタイミング信号OCLKの周期を各レーザビームに
よる露光走査方向の各記録密度のうちの最小の記録密度
に対応する画素クロック(記録密度が最小となるレーザ
ビームに対する画素クロック)WCLKの周期の1/K
(K≧1)に設定する。このため、n本のビームによる
露光走査方向の記録密度を独立に設定した場合に各ビー
ムの記録密度の変化に影響されない汎用性の高いマルチ
ビーム記録装置を提供することができる。また、K=m
とすれば、発振器35の発生する基準クロックとビーム
位置検出の有無を監視するためのタイミング信号OCL
Kを共用でき、回路の簡素化を計ることができる。
ムによる露光走査方向の記録密度をそれぞれ上記回路に
より独立に設定し、ビーム位置検出の有無を監視するた
めのタイミング信号OCLKの周期を各レーザビームに
よる露光走査方向の各記録密度のうちの最小の記録密度
に対応する画素クロック(記録密度が最小となるレーザ
ビームに対する画素クロック)WCLKの周期の1/K
(K≧1)に設定する。このため、n本のビームによる
露光走査方向の記録密度を独立に設定した場合に各ビー
ムの記録密度の変化に影響されない汎用性の高いマルチ
ビーム記録装置を提供することができる。また、K=m
とすれば、発振器35の発生する基準クロックとビーム
位置検出の有無を監視するためのタイミング信号OCL
Kを共用でき、回路の簡素化を計ることができる。
【0050】図13は本発明の第3実施例に用いられる
位相同期回路を示す。この第3実施例は請求項2記載の
発明の実施例である。位相同期回路は発振器35及び位
相同期部36が各レーザビーム301,302・・・で共通
に用いられ、n個の分周器381,382・・・38nを有す
る。また、1主走査内でn個の画素クロックWCL
K1,WCLK2・・・の位相同期を行うために、発光点(半
導体レーザ171,172・・・)からのレーザビーム3
01,302・・・に対応するビーム位置検出信号BD1,B
D2・・・に応じて分周器381,382・・・にリセット信号
を順次に出力して各画素クロックWCLK1,WCLK2
・・・の位相同期で互いに悪影響を及ぼさないようにすべ
く発光点選択部39が設けられている。
位相同期回路を示す。この第3実施例は請求項2記載の
発明の実施例である。位相同期回路は発振器35及び位
相同期部36が各レーザビーム301,302・・・で共通
に用いられ、n個の分周器381,382・・・38nを有す
る。また、1主走査内でn個の画素クロックWCL
K1,WCLK2・・・の位相同期を行うために、発光点(半
導体レーザ171,172・・・)からのレーザビーム3
01,302・・・に対応するビーム位置検出信号BD1,B
D2・・・に応じて分周器381,382・・・にリセット信号
を順次に出力して各画素クロックWCLK1,WCLK2
・・・の位相同期で互いに悪影響を及ぼさないようにすべ
く発光点選択部39が設けられている。
【0051】分離回路33からのレーザビーム301,
302・・・に対応したビーム位置検出信号BD1,BD2・・
・はオアゲート40を通って位相同期部36に入力さ
れ、位相同期部36がオアゲート40からの各ビーム位
置検出信号BD1,BD2・・・の立ち下がりエッジの直後
に発振器35からの基準クロックCLKの立ち上がりに
同期して立ち上がるリセット信号RESETを発光点選択部
39へ出力する。
302・・・に対応したビーム位置検出信号BD1,BD2・・
・はオアゲート40を通って位相同期部36に入力さ
れ、位相同期部36がオアゲート40からの各ビーム位
置検出信号BD1,BD2・・・の立ち下がりエッジの直後
に発振器35からの基準クロックCLKの立ち上がりに
同期して立ち上がるリセット信号RESETを発光点選択部
39へ出力する。
【0052】発光点選択部39は分離回路33からビー
ム位置検出信号BD1が入力された時には位相同期部3
6から入力されたビーム位置検出信号BD1に対応する
リセット信号RESETをリセット信号RESET1として分周器
381へ出力し、分離回路33からビーム位置検出信号
BD2が入力された時には位相同期部36から入力され
たビーム位置検出信号BD2に対応するリセット信号RES
ETをリセット信号RESET2として分周器382へ出力し、
以下同様に各ビーム位置検出信号BD3・・・が入力された
時に位相同期部36からのリセット信号RESETをリセッ
ト信号RESET3・・・として分周器383・・・へ出力する。
ム位置検出信号BD1が入力された時には位相同期部3
6から入力されたビーム位置検出信号BD1に対応する
リセット信号RESETをリセット信号RESET1として分周器
381へ出力し、分離回路33からビーム位置検出信号
BD2が入力された時には位相同期部36から入力され
たビーム位置検出信号BD2に対応するリセット信号RES
ETをリセット信号RESET2として分周器382へ出力し、
以下同様に各ビーム位置検出信号BD3・・・が入力された
時に位相同期部36からのリセット信号RESETをリセッ
ト信号RESET3・・・として分周器383・・・へ出力する。
【0053】分周器381,382・・・はそれぞれ発光点
選択部39からのリセット信号RESET1,RESET2・・・を基準
にして発振器35からの基準クロックCLKを分周して
画素クロックWCLK1,WCLK2・・・を出力し、記録
装置制御回路34は分周器381,382・・・からの画素
クロックWCLK1,WCLK2・・・に同期してレーザビ
ーム301,302・・・の上述のような点灯,消灯制御や
記録開始,記録領域の設定等の制御を行う。また、ビー
ム位置検出の有無を監視するためのタイミング信号OC
LKの周期を各レーザビームによる露光走査方向の各記
録密度のうちの最小の記録密度に対応する画素クロック
(記録密度が最小となるレーザビームに対する画素クロ
ック)WCLKの周期の1/K(K≧1)に設定する。
選択部39からのリセット信号RESET1,RESET2・・・を基準
にして発振器35からの基準クロックCLKを分周して
画素クロックWCLK1,WCLK2・・・を出力し、記録
装置制御回路34は分周器381,382・・・からの画素
クロックWCLK1,WCLK2・・・に同期してレーザビ
ーム301,302・・・の上述のような点灯,消灯制御や
記録開始,記録領域の設定等の制御を行う。また、ビー
ム位置検出の有無を監視するためのタイミング信号OC
LKの周期を各レーザビームによる露光走査方向の各記
録密度のうちの最小の記録密度に対応する画素クロック
(記録密度が最小となるレーザビームに対する画素クロ
ック)WCLKの周期の1/K(K≧1)に設定する。
【0054】この第3実施例では、全ての画素クロック
WCLK1,WCLK2・・・を共通の発振器35からの基
準クロックCLKに基づいて生成するので、画素クロッ
クWCLK1,WCLK2・・・の精度にバラツキが少ない
高品位なマルチビーム記録装置を提供することができ
る。また、各分周器381,382・・・の分周比を変更す
ることによって各レーザビーム301,302・・・毎に画
素クロックWCLK1,WCLK2・・・の周期を変えるこ
とが可能となり、各レーザビーム301,302・・・毎に
主走査方向の記録密度を独立に設定することができる。
さらに、ビーム位置検出の有無を監視するためのタイミ
ング信号OCLKの周期を各レーザビームによる露光走
査方向の各記録密度のうちの最小の記録密度に対応する
画素クロックWCLKの周期の1/K(K≧1)に設定
するので、各レーザビームの記録密度の変化に影響され
ない汎用性の高いマルチビーム記録装置の提供が可能と
なる。また、K=mとすれば、発振器35の発生する基
準クロックとビーム位置検出の有無を監視するためのタ
イミング信号OCLKを共用でき、回路の簡素化を計る
ことができる。
WCLK1,WCLK2・・・を共通の発振器35からの基
準クロックCLKに基づいて生成するので、画素クロッ
クWCLK1,WCLK2・・・の精度にバラツキが少ない
高品位なマルチビーム記録装置を提供することができ
る。また、各分周器381,382・・・の分周比を変更す
ることによって各レーザビーム301,302・・・毎に画
素クロックWCLK1,WCLK2・・・の周期を変えるこ
とが可能となり、各レーザビーム301,302・・・毎に
主走査方向の記録密度を独立に設定することができる。
さらに、ビーム位置検出の有無を監視するためのタイミ
ング信号OCLKの周期を各レーザビームによる露光走
査方向の各記録密度のうちの最小の記録密度に対応する
画素クロックWCLKの周期の1/K(K≧1)に設定
するので、各レーザビームの記録密度の変化に影響され
ない汎用性の高いマルチビーム記録装置の提供が可能と
なる。また、K=mとすれば、発振器35の発生する基
準クロックとビーム位置検出の有無を監視するためのタ
イミング信号OCLKを共用でき、回路の簡素化を計る
ことができる。
【0055】本発明の第4実施例は、請求項3記載の発
明の実施例であり、上記第1実施例において、複数のビ
ーム位置検出信号BD1,BD2・・・の位相と各画素クロ
ックWCLK1,WCLK2・・・の位相とを略同期させ、
かつ、ビーム位置検出信号BD1,BD2・・・と各画素ク
ロックWCLK1,WCLK2・・・のうちの1組を基準と
して画像記録領域の設定等の制御信号を生成するように
したものである。
明の実施例であり、上記第1実施例において、複数のビ
ーム位置検出信号BD1,BD2・・・の位相と各画素クロ
ックWCLK1,WCLK2・・・の位相とを略同期させ、
かつ、ビーム位置検出信号BD1,BD2・・・と各画素ク
ロックWCLK1,WCLK2・・・のうちの1組を基準と
して画像記録領域の設定等の制御信号を生成するように
したものである。
【0056】この第4実施例では、第2実施例と同様な
位相同期回路(又は第3実施例と同様な位相同期回路)で
複数のビーム位置検出信号BD1,BD2・・・の位相と各
画素クロックWCLK1,WCLK2・・・の位相とを略同
期させ、また、記録装置制御回路34によりビーム位置
検出信号BD1,BD2・・・と各画素クロックWCLK1,
WCLK2・・・のうちの1組を基準として画像記録領域の
設定等の制御信号を生成する。
位相同期回路(又は第3実施例と同様な位相同期回路)で
複数のビーム位置検出信号BD1,BD2・・・の位相と各
画素クロックWCLK1,WCLK2・・・の位相とを略同
期させ、また、記録装置制御回路34によりビーム位置
検出信号BD1,BD2・・・と各画素クロックWCLK1,
WCLK2・・・のうちの1組を基準として画像記録領域の
設定等の制御信号を生成する。
【0057】記録装置制御回路34は画像記録領域の設
定等の制御信号を生成する基準となる1組のビーム位置
検出信号に対応する1つのレーザビームに対して他のレ
ーザビームのズレが既知である場合には記録開始位置等
のタイミングを容易に設定して画像記録領域の設定等の
制御信号を生成することが可能である。図14は記録開
始位置のタイミングの設定例を示す。
定等の制御信号を生成する基準となる1組のビーム位置
検出信号に対応する1つのレーザビームに対して他のレ
ーザビームのズレが既知である場合には記録開始位置等
のタイミングを容易に設定して画像記録領域の設定等の
制御信号を生成することが可能である。図14は記録開
始位置のタイミングの設定例を示す。
【0058】図14は、ビーム位置検出信号BD1,B
D2・・・に位相同期した画素クロックWCLK1,WCL
K2・・・の周期が等しく、レーザビーム302のビーム位
置がレーザビーム301のビーム位置に対して画素クロ
ックで2.5クロック分遅れ、レーザビーム303のビ
ーム位置がレーザビーム301のビーム位置に対して画
素クロックで2.5クロック分進んでいる様子を示す。
記録装置制御回路34はレーザビーム301に対するビ
ーム位置検出信号BD1と画素クロックWCLK1を基準
として記録開始位置のタイミング設定を行う。
D2・・・に位相同期した画素クロックWCLK1,WCL
K2・・・の周期が等しく、レーザビーム302のビーム位
置がレーザビーム301のビーム位置に対して画素クロ
ックで2.5クロック分遅れ、レーザビーム303のビ
ーム位置がレーザビーム301のビーム位置に対して画
素クロックで2.5クロック分進んでいる様子を示す。
記録装置制御回路34はレーザビーム301に対するビ
ーム位置検出信号BD1と画素クロックWCLK1を基準
として記録開始位置のタイミング設定を行う。
【0059】すなわち、記録装置制御回路34はレーザ
ビーム301が検出されてから一定の期間が経過した後
の画素クロックWCLK1の立ち上がりエッジa1に同期
してレーザビーム301による記録を開始させる。レー
ザビーム302による記録開始位置をレーザビーム301
による記録位置と一致させるには画素クロックWCLK
1の立ち上がりエッジa1に対して画素クロックWCLK
2を2.5クロック遅らせればよく、また、画素クロッ
クWCLK2は画素クロックWCLK1に対して位相が
0.5クロック遅れている。そこで、記録装置制御回路
34は画素クロックWCLK1を基準として画素クロッ
クWCLK2を2クロック遅延させてその立ち下がりエ
ッジP2にレーザビーム302による記録開始位置を設定
し、レーザビーム302による記録開始をレーザビーム
301による記録位置より2.5遅れた画素クロックW
CLK2の立ち上がりエッジa2で開始させることでレー
ザビーム301による記録位置とレーザビーム302によ
る記録位置とを一致させる。
ビーム301が検出されてから一定の期間が経過した後
の画素クロックWCLK1の立ち上がりエッジa1に同期
してレーザビーム301による記録を開始させる。レー
ザビーム302による記録開始位置をレーザビーム301
による記録位置と一致させるには画素クロックWCLK
1の立ち上がりエッジa1に対して画素クロックWCLK
2を2.5クロック遅らせればよく、また、画素クロッ
クWCLK2は画素クロックWCLK1に対して位相が
0.5クロック遅れている。そこで、記録装置制御回路
34は画素クロックWCLK1を基準として画素クロッ
クWCLK2を2クロック遅延させてその立ち下がりエ
ッジP2にレーザビーム302による記録開始位置を設定
し、レーザビーム302による記録開始をレーザビーム
301による記録位置より2.5遅れた画素クロックW
CLK2の立ち上がりエッジa2で開始させることでレー
ザビーム301による記録位置とレーザビーム302によ
る記録位置とを一致させる。
【0060】また、レーザビーム303による記録開始
位置をレーザビーム301による記録位置と一致させる
には画素クロックWCLK1の立ち上がりエッジa1に対
して画素クロックWCLK3を2.5クロック進めれば
よく、また、画素クロックWCLK3は画素クロックW
CLK1に対して位相が0.5クロック遅れている。そ
こで、記録装置制御回路34は画素クロックWCLK1
を基準として画素クロックWCLK3を3クロック位相
が進ませてその立ち下がりエッジP3にレーザビーム3
03による記録開始位置を設定し、レーザビーム303に
よる記録開始をレーザビーム301による記録位置より
2.5進んだ画素クロックWCLK3の立ち上がりエッ
ジa3で開始させることでレーザビーム301による記録
位置とレーザビーム303による記録位置とを一致させ
る。
位置をレーザビーム301による記録位置と一致させる
には画素クロックWCLK1の立ち上がりエッジa1に対
して画素クロックWCLK3を2.5クロック進めれば
よく、また、画素クロックWCLK3は画素クロックW
CLK1に対して位相が0.5クロック遅れている。そ
こで、記録装置制御回路34は画素クロックWCLK1
を基準として画素クロックWCLK3を3クロック位相
が進ませてその立ち下がりエッジP3にレーザビーム3
03による記録開始位置を設定し、レーザビーム303に
よる記録開始をレーザビーム301による記録位置より
2.5進んだ画素クロックWCLK3の立ち上がりエッ
ジa3で開始させることでレーザビーム301による記録
位置とレーザビーム303による記録位置とを一致させ
る。
【0061】このようにすれば、1つのレーザビームの
位置を基準として複数のレーザビームによる記録位置を
一致させることができ、かつ、各画素クロックWCLK
1,WCLK2・・・をビーム位置検出信号BD1,BD2・・・
と位相同期させていることにより記録位置の誤差が小さ
くなる。
位置を基準として複数のレーザビームによる記録位置を
一致させることができ、かつ、各画素クロックWCLK
1,WCLK2・・・をビーム位置検出信号BD1,BD2・・・
と位相同期させていることにより記録位置の誤差が小さ
くなる。
【0062】記録装置制御回路34は図15に示すよう
に制御信号生成部41を有し、この制御信号生成部41
は上記位相同期回路42からの画素クロックWCL
K1,WCLK2・・・と分離回路33からのビーム位置検
出信号BD1,BD2・・・とから記録開始,画像記録領域
等を制御するための制御信号を生成する。ビデオ部43
は制御信号生成部41からの制御信号により制御されて
画素クロックWCLK1,WCLK2・・・に同期して画像
信号を出力し、半導体レーザ171,172・・・がそれぞ
れ駆動回路によりそれらの画像信号に応じて変調され
る。
に制御信号生成部41を有し、この制御信号生成部41
は上記位相同期回路42からの画素クロックWCL
K1,WCLK2・・・と分離回路33からのビーム位置検
出信号BD1,BD2・・・とから記録開始,画像記録領域
等を制御するための制御信号を生成する。ビデオ部43
は制御信号生成部41からの制御信号により制御されて
画素クロックWCLK1,WCLK2・・・に同期して画像
信号を出力し、半導体レーザ171,172・・・がそれぞ
れ駆動回路によりそれらの画像信号に応じて変調され
る。
【0063】この第4実施例では、ビーム位置検出信号
BD1,BD2・・・の位相と各画素クロックWCLK1,W
CLK2・・・の位相とを略同期させるので、露光走査方向
の記録位置ズレが少なくなる。また、画素クロックを全
部用いずに1組だけ用いて記録開始,画像記録領域等を
制御するための制御信号を生成するので、回路の簡略化
を計ることができ、廉価で信頼性が高くなる。
BD1,BD2・・・の位相と各画素クロックWCLK1,W
CLK2・・・の位相とを略同期させるので、露光走査方向
の記録位置ズレが少なくなる。また、画素クロックを全
部用いずに1組だけ用いて記録開始,画像記録領域等を
制御するための制御信号を生成するので、回路の簡略化
を計ることができ、廉価で信頼性が高くなる。
【0064】本発明の第5実施例は請求項3記載の発明
の実施例であり、上記第4実施例において、記録装置制
御回路34が制御信号生成部41の代りに図16に示す
ように制御信号生成部44を有するものである。この制
御信号生成部44は上記位相同期回路42から出力され
る画素クロックWCLK1,WCLK2・・・のうちの1つ
の画素クロックWCLK1と分離回路33からのビーム
位置検出信号BD1,BD2・・・とから記録開始,画像記
録領域等を制御するための制御信号を生成してビデオ部
43へ出力する。従って、第4実施例と同様に露光走査
方向の記録位置ズレが少なく、回路の簡略化を計ること
ができて廉価で信頼性が高くなる。
の実施例であり、上記第4実施例において、記録装置制
御回路34が制御信号生成部41の代りに図16に示す
ように制御信号生成部44を有するものである。この制
御信号生成部44は上記位相同期回路42から出力され
る画素クロックWCLK1,WCLK2・・・のうちの1つ
の画素クロックWCLK1と分離回路33からのビーム
位置検出信号BD1,BD2・・・とから記録開始,画像記
録領域等を制御するための制御信号を生成してビデオ部
43へ出力する。従って、第4実施例と同様に露光走査
方向の記録位置ズレが少なく、回路の簡略化を計ること
ができて廉価で信頼性が高くなる。
【0065】図17は本発明の第6実施例のビーム位置
ズレ検出回路を示し、図18はそのタイミングチャート
を示す。この第6実施例は請求項4記載の発明の実施例
であり、上記実施例において、ビーム位置ズレ検出回路
が設けられている。このビーム位置ズレ検出回路は主走
査開始後の最初に検出されるビーム位置を基準としてそ
の他のビーム位置のズレを検出するものであり、ビーム
数をカウントするためのカウンタ45と、主走査開始後
の最初のビーム位置検出信号BD1によって0にリセッ
トされて画素クロックWCLK1をカウントするための
カウンタ46と、2番目以降のレーザビーム302・・・の
位置検出時のカウンタ46のアドレスをビーム位置ズレ
データとして格納するバッファ47と、カウンタ45,
46およびバッファ47の制御信号を生成するためのフ
リップフロップ48,49,50を有する。
ズレ検出回路を示し、図18はそのタイミングチャート
を示す。この第6実施例は請求項4記載の発明の実施例
であり、上記実施例において、ビーム位置ズレ検出回路
が設けられている。このビーム位置ズレ検出回路は主走
査開始後の最初に検出されるビーム位置を基準としてそ
の他のビーム位置のズレを検出するものであり、ビーム
数をカウントするためのカウンタ45と、主走査開始後
の最初のビーム位置検出信号BD1によって0にリセッ
トされて画素クロックWCLK1をカウントするための
カウンタ46と、2番目以降のレーザビーム302・・・の
位置検出時のカウンタ46のアドレスをビーム位置ズレ
データとして格納するバッファ47と、カウンタ45,
46およびバッファ47の制御信号を生成するためのフ
リップフロップ48,49,50を有する。
【0066】カウンタ45にはフリップフロップ50か
らカウント許可信号/ENが入力され、バッファ47に
はフリップフロップ49から書き込み許可信号/WEが
入力される。また、バッファ47には記録装置制御回路
34からデータ読み出し許可信号/REが入力される。
画素クロックWCLK1を除いた全ての信号は負論理で
ある。
らカウント許可信号/ENが入力され、バッファ47に
はフリップフロップ49から書き込み許可信号/WEが
入力される。また、バッファ47には記録装置制御回路
34からデータ読み出し許可信号/REが入力される。
画素クロックWCLK1を除いた全ての信号は負論理で
ある。
【0067】主走査開始後に分離回路33からのビーム
位置検出信号BD1がカウンタ45,46にリセット信
号として入力されてカウンタ45,46がリセットさ
れ、カウンタ46が上記画素クロックWCLK1のカウ
ントを開始する。フリップフロップ48は分離回路33
からのビーム位置検出信号BD1,BD2,BD3がオア回
路51を介して入力され、上記画素クロックWCLK1
の立ち上がりでオア回路51の出力信号をラッチする。
位置検出信号BD1がカウンタ45,46にリセット信
号として入力されてカウンタ45,46がリセットさ
れ、カウンタ46が上記画素クロックWCLK1のカウ
ントを開始する。フリップフロップ48は分離回路33
からのビーム位置検出信号BD1,BD2,BD3がオア回
路51を介して入力され、上記画素クロックWCLK1
の立ち上がりでオア回路51の出力信号をラッチする。
【0068】ノア回路52はオア回路51の出力信号及
びフリップフロップ48の非反転出力信号が入力され、
オア回路51の出力信号がLでフリップフロップ48の
非反転出力信号がHのときに出力信号がHとなる。フリ
ップフロップ50は上記画素クロックWCLK1の立ち
上がりでノア回路52の出力信号をラッチし、非反転出
力信号をカウント許可信号/ENとしてカウンタ45へ
出力する。したがって、カウント許可信号/ENは各ビ
ーム位置検出信号BD1,BD2,BD3がオア回路51に
入力される度にLとなってカウンタ45のカウントを許
可し、カウンタ45がレーザビーム301,302,30
3の位置検出が行われる度に画素クロックWCLK1によ
り1つづつインクリメントされて行く。
びフリップフロップ48の非反転出力信号が入力され、
オア回路51の出力信号がLでフリップフロップ48の
非反転出力信号がHのときに出力信号がHとなる。フリ
ップフロップ50は上記画素クロックWCLK1の立ち
上がりでノア回路52の出力信号をラッチし、非反転出
力信号をカウント許可信号/ENとしてカウンタ45へ
出力する。したがって、カウント許可信号/ENは各ビ
ーム位置検出信号BD1,BD2,BD3がオア回路51に
入力される度にLとなってカウンタ45のカウントを許
可し、カウンタ45がレーザビーム301,302,30
3の位置検出が行われる度に画素クロックWCLK1によ
り1つづつインクリメントされて行く。
【0069】また、フリップフロップ48の反転出力信
号及びオア回路51の出力信号がノア回路53に入力さ
れ、フリップフロップ49が上記画素クロックWCLK
1の立ち上がりでノア回路53の出力信号をラッチす
る。カウント許可信号/ENがLになると、画素クロッ
クWCLK1で1クロック分遅延してフリップフロップ
49からの書き込み許可信号/WEがLになり、バッフ
ァ47がカウンタ45により指定されるアドレス(レー
ザビーム301,302,303に対応したアドレス)にカ
ウンタ46のカウント内容、つまり画素クロックWCL
K1を単位とした各レーザビームのビーム位置ズレデー
タが格納される。
号及びオア回路51の出力信号がノア回路53に入力さ
れ、フリップフロップ49が上記画素クロックWCLK
1の立ち上がりでノア回路53の出力信号をラッチす
る。カウント許可信号/ENがLになると、画素クロッ
クWCLK1で1クロック分遅延してフリップフロップ
49からの書き込み許可信号/WEがLになり、バッフ
ァ47がカウンタ45により指定されるアドレス(レー
ザビーム301,302,303に対応したアドレス)にカ
ウンタ46のカウント内容、つまり画素クロックWCL
K1を単位とした各レーザビームのビーム位置ズレデー
タが格納される。
【0070】記録装置制御回路34はバッファ47から
それらの位置ズレデータを必要に応じて呼び出し、これ
らの位置ズレデータとビーム位置検出信号BD1,BD2
・・・と各画素クロックWCLK1,WCLK2・・・(または
そのうちの1組)を基準として画像記録領域の設定等の
制御信号を生成する。この場合、記録装置制御回路34
はビーム位置検出信号BD1,BD2・・・と各画素クロッ
クWCLK1,WCLK2・・・(またはそのうちの1組)を
基準としてこれを位置ズレデータで補正することにより
ビーム位置ズレの補正を行う。従って、環境変動等によ
る経時のビーム位置変動に影響されなくなり、信頼性が
高くなる。
それらの位置ズレデータを必要に応じて呼び出し、これ
らの位置ズレデータとビーム位置検出信号BD1,BD2
・・・と各画素クロックWCLK1,WCLK2・・・(または
そのうちの1組)を基準として画像記録領域の設定等の
制御信号を生成する。この場合、記録装置制御回路34
はビーム位置検出信号BD1,BD2・・・と各画素クロッ
クWCLK1,WCLK2・・・(またはそのうちの1組)を
基準としてこれを位置ズレデータで補正することにより
ビーム位置ズレの補正を行う。従って、環境変動等によ
る経時のビーム位置変動に影響されなくなり、信頼性が
高くなる。
【0071】この第6実施例では、ビーム位置ズレ検出
回路により各レーザビームの位置ズレを検出して記録装
置制御回路34により各レーザビームの位置ズレを補正
するので、温度上昇等の諸々の要因によるビーム位置検
出信号の変動に対応することができ、信頼性が高くな
る。
回路により各レーザビームの位置ズレを検出して記録装
置制御回路34により各レーザビームの位置ズレを補正
するので、温度上昇等の諸々の要因によるビーム位置検
出信号の変動に対応することができ、信頼性が高くな
る。
【0072】本発明の別の実施例では、上記各実施例に
おいて、複数の半導体レーザ171,172・・・の代りに
画像信号に応じて独立に変調可能な複数の発光部を1チ
ップ内に有する半導体レーザアレイを用いた。この実施
例では半導体レーザアレイはビームが一定のピッチで固
定されるので、複数のビームの間に規則的な角度、等し
い間隔を容易に設けることが可能になり、複数のビーム
の高い配列精度を得ることができて高精度なマルチビー
ム記録装置を実現できる。
おいて、複数の半導体レーザ171,172・・・の代りに
画像信号に応じて独立に変調可能な複数の発光部を1チ
ップ内に有する半導体レーザアレイを用いた。この実施
例では半導体レーザアレイはビームが一定のピッチで固
定されるので、複数のビームの間に規則的な角度、等し
い間隔を容易に設けることが可能になり、複数のビーム
の高い配列精度を得ることができて高精度なマルチビー
ム記録装置を実現できる。
【0073】
【発明の効果】以上のように請求項1記載の発明によれ
ば、画像情報信号により変調クロックに同期して独立に
変調されるn(n≧2)個の発光部を有する記録用光源
を備え、この記録用光源の発光部から出射されるn本の
ビームをn個の微小な光スポットに集光結像し、これら
の光スポットによる記録媒体の露光走査で画像の記録を
行うマルチビーム記録装置において、前記光スポットの
露光走査範囲内に1個若しくは複数個が配置され各々前
記n本のビームのうち少なくとも2本以上のビームを受
光する受光部と、この受光部の出力信号からタイミング
信号により前記n本のビームを順次に検出して順次に所
定の時間消灯させる第1の手段とを具備し、前記タイミ
ング信号の周期を前記変調クロックの周期の1/K(K
≧1)としたので、ビームの消灯タイミングが高速にな
り、隣接するビームが重なって受光部に入射することを
防止できる。このため、受光部の構成,配置等の影響や
ビーム形状の影響を受けることなくビーム位置検出を確
実に行うことができ、高精度で信頼性が高くなる。
ば、画像情報信号により変調クロックに同期して独立に
変調されるn(n≧2)個の発光部を有する記録用光源
を備え、この記録用光源の発光部から出射されるn本の
ビームをn個の微小な光スポットに集光結像し、これら
の光スポットによる記録媒体の露光走査で画像の記録を
行うマルチビーム記録装置において、前記光スポットの
露光走査範囲内に1個若しくは複数個が配置され各々前
記n本のビームのうち少なくとも2本以上のビームを受
光する受光部と、この受光部の出力信号からタイミング
信号により前記n本のビームを順次に検出して順次に所
定の時間消灯させる第1の手段とを具備し、前記タイミ
ング信号の周期を前記変調クロックの周期の1/K(K
≧1)としたので、ビームの消灯タイミングが高速にな
り、隣接するビームが重なって受光部に入射することを
防止できる。このため、受光部の構成,配置等の影響や
ビーム形状の影響を受けることなくビーム位置検出を確
実に行うことができ、高精度で信頼性が高くなる。
【0074】請求項2記載の発明によれば、請求項1記
載のマルチビーム記録装置において、前記n本のビーム
による露光走査方向の記録密度を独立に設定し、前記タ
イミング信号の周期を前記n本のビームによる露光走査
方向の記録密度のうちの最小の記録密度に対応する変調
クロックの周期の1/K(K≧1)としたので、n本のビ
ームによる露光走査方向の記録密度を独立に設定した場
合に各ビームの記録密度の変化に影響されない汎用性の
高いマルチビーム記録装置を提供することができる。
載のマルチビーム記録装置において、前記n本のビーム
による露光走査方向の記録密度を独立に設定し、前記タ
イミング信号の周期を前記n本のビームによる露光走査
方向の記録密度のうちの最小の記録密度に対応する変調
クロックの周期の1/K(K≧1)としたので、n本のビ
ームによる露光走査方向の記録密度を独立に設定した場
合に各ビームの記録密度の変化に影響されない汎用性の
高いマルチビーム記録装置を提供することができる。
【0075】請求項3記載の発明によれば、請求項1ま
たは2記載のマルチビーム記録装置において、前記第1
の手段が前記受光部の出力信号により前記n本のビーム
を順次に検出して発生する複数のビーム位置検出信号の
位相と前記n本のビームの各変調クロックの位相とを略
同期させる第2の手段と、前記複数のビーム位置検出信
号と前記n本のビームの各変調クロックのうちの1組を
基準として画像記録領域の設定等の制御信号を生成する
第3の手段とを備えたので、回路の簡素化を計ることが
でき、廉価で高速かつ高精度にできる。
たは2記載のマルチビーム記録装置において、前記第1
の手段が前記受光部の出力信号により前記n本のビーム
を順次に検出して発生する複数のビーム位置検出信号の
位相と前記n本のビームの各変調クロックの位相とを略
同期させる第2の手段と、前記複数のビーム位置検出信
号と前記n本のビームの各変調クロックのうちの1組を
基準として画像記録領域の設定等の制御信号を生成する
第3の手段とを備えたので、回路の簡素化を計ることが
でき、廉価で高速かつ高精度にできる。
【0076】請求項4記載の発明によれば、請求項1,
2または3記載のマルチビーム記録装置において、前記
複数のビーム位置検出信号に基づいて画像領域の設定等
の制御信号を生成する基準となるビーム位置と,それ以
外のビーム位置とのズレを検出する第4の手段を備えた
ので、温度上昇等の諸々の要因によるビーム位置のズレ
に対応することができ、高精度で信頼性を高くすること
ができる。
2または3記載のマルチビーム記録装置において、前記
複数のビーム位置検出信号に基づいて画像領域の設定等
の制御信号を生成する基準となるビーム位置と,それ以
外のビーム位置とのズレを検出する第4の手段を備えた
ので、温度上昇等の諸々の要因によるビーム位置のズレ
に対応することができ、高精度で信頼性を高くすること
ができる。
【0077】請求項5記載の発明によれば、請求項1,
2,3または4記載のマルチビーム記録装置において、
前記記録用光源を1チップ内に独立に変調可能な複数の
発光点を有する半導体レーザアレイで構成したので、複
数のビームの間に規則的な角度、等しい間隔を容易に設
けることが可能になり、複数のビームの高い配列精度を
得ることができて高精度なマルチビーム記録装置を実現
できる。
2,3または4記載のマルチビーム記録装置において、
前記記録用光源を1チップ内に独立に変調可能な複数の
発光点を有する半導体レーザアレイで構成したので、複
数のビームの間に規則的な角度、等しい間隔を容易に設
けることが可能になり、複数のビームの高い配列精度を
得ることができて高精度なマルチビーム記録装置を実現
できる。
【図1】本発明の第1実施例の回路構成を示すブロック
図である。
図である。
【図2】同第1実施例の動作例を示すタイミングチャー
トである。
トである。
【図3】レーザプリンタに用いられるレーザ光学系の一
例を示す斜視図である。
例を示す斜視図である。
【図4】マルチビーム記録方式で用いられる複数の半導
体レーザを光源としたレーザ走査光学系の一例を示す正
面図である。
体レーザを光源としたレーザ走査光学系の一例を示す正
面図である。
【図5】同レーザ走査光学系でレーザビームが極端に重
なってしまった場合の同期検知用受光素子の出力信号の
様子を示す波形図である。
なってしまった場合の同期検知用受光素子の出力信号の
様子を示す波形図である。
【図6】同レーザ走査光学系でレーザビームが1/4ほ
ど重なった場合の信号の様子を示す波形図である。
ど重なった場合の信号の様子を示す波形図である。
【図7】同レーザ走査光学系でレーザビームが微小な時
間だけ重なり合った場合の信号の様子を示す波形図であ
る。
間だけ重なり合った場合の信号の様子を示す波形図であ
る。
【図8】従来装置における受光素子からの光電変換信号
の波形例を示す波形図である。
の波形例を示す波形図である。
【図9】上記第1実施例の動作を示すタイミングチャー
トである。
トである。
【図10】上記第1実施例を説明するための図である。
【図11】本発明の第2実施例に用いられる位相同期回
路を示すブロック図である。
路を示すブロック図である。
【図12】同位相同期回路のタイミングチャートであ
る。
る。
【図13】本発明の第3実施例に用いられる位相同期回
路を示すブロック図である。
路を示すブロック図である。
【図14】本発明の第4実施例における記録開始位置の
タイミングの設定例を示すタイミングチャートである。
タイミングの設定例を示すタイミングチャートである。
【図15】同第4実施例の一部を示すブロック図であ
る。
る。
【図16】本発明の第5実施例の一部を示すブロック図
である。
である。
【図17】本発明の第6実施例のビーム位置ズレ検出回
路を示すブロック図である。
路を示すブロック図である。
【図18】同ビーム位置ズレ検出回路のタイミングチャ
ートである。
ートである。
31 受光素子 33 分離回路 34 記録装置制御回路
Claims (5)
- 【請求項1】画像情報信号により変調クロックに同期し
て独立に変調されるn(n≧2)個の発光部を有する記
録用光源を備え、この記録用光源の発光部から出射され
るn本のビームをn個の微小な光スポットに集光結像
し、これらの光スポットによる記録媒体の露光走査で画
像の記録を行うマルチビーム記録装置において、前記光
スポットの露光走査範囲内に1個若しくは複数個が配置
され各々前記n本のビームのうち少なくとも2本以上の
ビームを受光する受光部と、この受光部の出力信号から
タイミング信号により前記n本のビームを順次に検出し
て順次に所定の時間消灯させる第1の手段とを具備し、
前記タイミング信号の周期を前記変調クロックの周期の
1/K(K≧1)としたことを特徴とするマルチビーム記
録装置。 - 【請求項2】請求項1記載のマルチビーム記録装置にお
いて、前記n本のビームによる露光走査方向の記録密度
を独立に設定し、前記タイミング信号の周期を前記n本
のビームによる露光走査方向の記録密度のうちの最小の
記録密度に対応する変調クロックの周期の1/K(K≧
1)としたことを特徴とするマルチビーム記録装置。 - 【請求項3】請求項1または2記載のマルチビーム記録
装置において、前記第1の手段が前記受光部の出力信号
により前記n本のビームを順次に検出して発生する複数
のビーム位置検出信号の位相と前記n本のビームの各変
調クロックの位相とを略同期させる第2の手段と、前記
複数のビーム位置検出信号と前記n本のビームの各変調
クロックのうちの1組を基準として画像記録領域の設定
等の制御信号を生成する第3の手段とを備えたことを特
徴とするマルチビーム記録装置。 - 【請求項4】請求項1,2または3記載のマルチビーム
記録装置において、前記複数のビーム位置検出信号に基
づいて画像領域の設定等の制御信号を生成する基準とな
るビーム位置と,それ以外のビーム位置とのズレを検出
する第4の手段を備えたことを特徴とするマルチビーム
記録装置。 - 【請求項5】請求項1,2,3または4記載のマルチビ
ーム記録装置において、前記記録用光源を1チップ内に
独立に変調可能な複数の発光点を有する半導体レーザア
レイで構成したことを特徴とするマルチビーム記録装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP352293A JPH06206343A (ja) | 1993-01-12 | 1993-01-12 | マルチビーム記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP352293A JPH06206343A (ja) | 1993-01-12 | 1993-01-12 | マルチビーム記録装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06206343A true JPH06206343A (ja) | 1994-07-26 |
Family
ID=11559712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP352293A Pending JPH06206343A (ja) | 1993-01-12 | 1993-01-12 | マルチビーム記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06206343A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6222611B1 (en) | 1998-07-29 | 2001-04-24 | Ricoh Company, Ltd. | Multi-beam image forming apparatus and method capable of precisely controlling image writing start position |
-
1993
- 1993-01-12 JP JP352293A patent/JPH06206343A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6222611B1 (en) | 1998-07-29 | 2001-04-24 | Ricoh Company, Ltd. | Multi-beam image forming apparatus and method capable of precisely controlling image writing start position |
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