JPH06207965A - 直流低雑音測定システムおよびテスト方法 - Google Patents
直流低雑音測定システムおよびテスト方法Info
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- JPH06207965A JPH06207965A JP5271688A JP27168893A JPH06207965A JP H06207965 A JPH06207965 A JP H06207965A JP 5271688 A JP5271688 A JP 5271688A JP 27168893 A JP27168893 A JP 27168893A JP H06207965 A JPH06207965 A JP H06207965A
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- G01R29/26—Measuring noise figure; Measuring signal-to-noise ratio
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 物理レイアウトおよび電気設計が改善された
テスト・システムにより、金属相互接続部の１／ｆ雑音
を、ジョンソン雑音、すなわち熱雑音のレベルに近いレ
ベルで測定できるようにすること。 【構成】 テスト・システムは、サンプル・オーブンが
入れられた被験装置ボックスを含む、複数の入れ子式ハ
ウジング群を備えた囲壁１２を含む。被験装置ボックス
は、システム囲壁内に収納される。直流電源から電力を
供給される巻線抵抗器を使って、被験装置の１／ｆ雑音
の測定を妨害せずに加熱を行う。システム囲壁内で、バ
イアス回路および電池バンクも別々の囲壁を備える。
テスト・システムにより、金属相互接続部の１／ｆ雑音
を、ジョンソン雑音、すなわち熱雑音のレベルに近いレ
ベルで測定できるようにすること。 【構成】 テスト・システムは、サンプル・オーブンが
入れられた被験装置ボックスを含む、複数の入れ子式ハ
ウジング群を備えた囲壁１２を含む。被験装置ボックス
は、システム囲壁内に収納される。直流電源から電力を
供給される巻線抵抗器を使って、被験装置の１／ｆ雑音
の測定を妨害せずに加熱を行う。システム囲壁内で、バ
イアス回路および電池バンクも別々の囲壁を備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、全般的には、電気雑音
技術を使用した、欠陥の検出と金属相互接続部の電気移
動挙動の予測に関し、より詳細には、広範囲の電流条件
および温度条件におけるシステム誘導雑音レベルが、対
象とするすべての周波数でジョンソン雑音より大幅に小
さい、二重チャネル直流雑音システムに関する。
技術を使用した、欠陥の検出と金属相互接続部の電気移
動挙動の予測に関し、より詳細には、広範囲の電流条件
および温度条件におけるシステム誘導雑音レベルが、対
象とするすべての周波数でジョンソン雑音より大幅に小
さい、二重チャネル直流雑音システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路の金属相互接続部の断面積が減
少し続け、その結果電流密度が高くなっているので、電
気移動によるメタライゼーション障害が依然として問題
である。金属相互接続部が電気移動障害を生じやすいか
どうかは、従来は、多数のサンプルを、開路または短絡
（エクストルージョン）の形の障害が発生するまで加速
した電流および温度条件にかけることによって評価して
きた。このような評価方法には、たとえば平均故障時間
（ＭＴＴＦ）テストがある。これらの結果はさらに、使
用条件に対して外挿される。このテストは、破壊的であ
るのみならず、完了するまでに数週間、時には数か月も
かかることがある。すなわち、ＭＴＴＦテストでメタラ
イゼーションに関する問題が発見された場合、使用に適
さないとみなされる多数の部品が既に製造済みであるお
それがある。
少し続け、その結果電流密度が高くなっているので、電
気移動によるメタライゼーション障害が依然として問題
である。金属相互接続部が電気移動障害を生じやすいか
どうかは、従来は、多数のサンプルを、開路または短絡
（エクストルージョン）の形の障害が発生するまで加速
した電流および温度条件にかけることによって評価して
きた。このような評価方法には、たとえば平均故障時間
（ＭＴＴＦ）テストがある。これらの結果はさらに、使
用条件に対して外挿される。このテストは、破壊的であ
るのみならず、完了するまでに数週間、時には数か月も
かかることがある。すなわち、ＭＴＴＦテストでメタラ
イゼーションに関する問題が発見された場合、使用に適
さないとみなされる多数の部品が既に製造済みであるお
それがある。
【０００３】金属相互接続部の寿命を制限するもう１つ
の要因は、製造工程から生じる欠陥の存在である。これ
らの欠陥（たとえば、ノッチやスクラッチ）は、相互接
続部の断面積を減少させると同時に、電流密度を高く
し、早期に電気移動障害を発生させる可能性がある。抵
抗などの従来の測定では、一般にこれらの欠陥を検出す
ることができない。なぜなら、重大なノッチやスクラッ
チ（たとえば、長期間使用するうちに回路の性能を損な
う公算が大きい程度のもの）によって導体の断面積は５
０％ないし９０％減少するが、導体の長さに沿ったノッ
チやスクラッチの寸法は通常非常に短い（たとえば、導
体の長さの１％よりもずっと短い）からである。
の要因は、製造工程から生じる欠陥の存在である。これ
らの欠陥（たとえば、ノッチやスクラッチ）は、相互接
続部の断面積を減少させると同時に、電流密度を高く
し、早期に電気移動障害を発生させる可能性がある。抵
抗などの従来の測定では、一般にこれらの欠陥を検出す
ることができない。なぜなら、重大なノッチやスクラッ
チ（たとえば、長期間使用するうちに回路の性能を損な
う公算が大きい程度のもの）によって導体の断面積は５
０％ないし９０％減少するが、導体の長さに沿ったノッ
チやスクラッチの寸法は通常非常に短い（たとえば、導
体の長さの１％よりもずっと短い）からである。
【０００４】したがって、金属相互接続部の信頼性を迅
速かつ非破壊的に評価できる技術を開発することが望ま
しい。最近大きな注目を集めている技術の１つが、１／
ｆ雑音、あるいはさらに一般的に言うと、１／ｆaに比
例して変化する特徴を持つ過剰雑音である。ただし、ａ
は通常０．７≦ａ≦１．４の範囲である。公表された報
告では、相互接続の信頼性と過剰雑音の間の相関関係が
示されている［たとえば、Ｊ．Ｌ．フォッセン（Vosse
n）、Applied Physics Letters、第２３巻、２８７ペー
ジ（１９７３年）；Ｍ．Ｉ．サン（Sun）他、10th Inte
rnational Conference on Noise in Physical System
s、ハンガリー、ブダペスト、５１９ページ（１９８９
年）；Ｚ．チェリク＝バトラー（Celik-Butler）他、So
lid-StateElectronics、第３４巻、第２号、１８５ペー
ジ（１９９１年）；Ｍ．Ｌ．ドライヤー（Dreyer）、Ｍ
ＲＳ Symposium Proc.、第２２５巻、５９ページ（１９
９１年）を参照されたい］。
速かつ非破壊的に評価できる技術を開発することが望ま
しい。最近大きな注目を集めている技術の１つが、１／
ｆ雑音、あるいはさらに一般的に言うと、１／ｆaに比
例して変化する特徴を持つ過剰雑音である。ただし、ａ
は通常０．７≦ａ≦１．４の範囲である。公表された報
告では、相互接続の信頼性と過剰雑音の間の相関関係が
示されている［たとえば、Ｊ．Ｌ．フォッセン（Vosse
n）、Applied Physics Letters、第２３巻、２８７ペー
ジ（１９７３年）；Ｍ．Ｉ．サン（Sun）他、10th Inte
rnational Conference on Noise in Physical System
s、ハンガリー、ブダペスト、５１９ページ（１９８９
年）；Ｚ．チェリク＝バトラー（Celik-Butler）他、So
lid-StateElectronics、第３４巻、第２号、１８５ペー
ジ（１９９１年）；Ｍ．Ｌ．ドライヤー（Dreyer）、Ｍ
ＲＳ Symposium Proc.、第２２５巻、５９ページ（１９
９１年）を参照されたい］。
【０００５】大部分の雑音測定システムに伴う１つの問
題は、テスト中の装置の背景ノイズまたはシステム誘導
雑音が、ジョンソン雑音（熱雑音と呼ぶこともある）を
上回ることである。この背景ノイズは、過剰雑音がジョ
ンソン雑音に近い場合、サンプルの正確な測定を妨げ
る。この背景ノイズの大きさは一般に、対象とする過剰
雑音と同様に、周波数が減少するにつれて増加すること
が観察されているが、ジョンソン雑音は周波数に依存し
ない［たとえば、Ａ．ディリジェンティ（Diligenti）
他、ＩＥＥＥ Electron Device Letters、第ＥＤＬ−６
巻、第１１号、２４８７ページ、（１９８５年）；Ｔ．
Ｍ．チェン（Chen）他、ＩＥＥＥ ＩＲＰＳ（８７ペー
ジ（１９８５年）；Ｇ．Ｍ．ガット（Gutt）他、ＩＥＥ
Ｅ Southeastcon Proc.、１３０５ページ（１９８９
年）；Ｄ．Ｍ．リウ（Liou）他、Japanese Journal of
Applied Physics、第２９巻、第７号、１２８３ページ
（１９９０年）；Ｗ．ヤン（Yang）他、ＩＥＤＭ Proc
eedings（６８１ページ（１９８９年）；Ｊ．コモリ（K
omori）他、ＩＥＥＥ International Conference onMi
croelectronic Test Structures、第４巻、第１号、２
５７ページ（１９９１年）；Ｊ．Ａ．シュワルツ（Schw
arz）他、J. Appl. Phys.、第７０号、第３号、１５６
１ページ（１９９１年）を参照されたい］。言い換える
と、測定システムの雑音が高すぎると、テスト中の装置
の（ジョンソン雑音を上回る）過剰雑音をマスクしてし
まう。測定システムの背景ノイズを最小限に抑えること
は、金属相互接続部における過剰雑音を調査するうえで
特に重要である。なぜなら、過剰雑音の大きさは、１Ｈ
ｚでジョンソン雑音のわずか１０ないし１００倍にすぎ
ないからである。
題は、テスト中の装置の背景ノイズまたはシステム誘導
雑音が、ジョンソン雑音（熱雑音と呼ぶこともある）を
上回ることである。この背景ノイズは、過剰雑音がジョ
ンソン雑音に近い場合、サンプルの正確な測定を妨げ
る。この背景ノイズの大きさは一般に、対象とする過剰
雑音と同様に、周波数が減少するにつれて増加すること
が観察されているが、ジョンソン雑音は周波数に依存し
ない［たとえば、Ａ．ディリジェンティ（Diligenti）
他、ＩＥＥＥ Electron Device Letters、第ＥＤＬ−６
巻、第１１号、２４８７ページ、（１９８５年）；Ｔ．
Ｍ．チェン（Chen）他、ＩＥＥＥ ＩＲＰＳ（８７ペー
ジ（１９８５年）；Ｇ．Ｍ．ガット（Gutt）他、ＩＥＥ
Ｅ Southeastcon Proc.、１３０５ページ（１９８９
年）；Ｄ．Ｍ．リウ（Liou）他、Japanese Journal of
Applied Physics、第２９巻、第７号、１２８３ページ
（１９９０年）；Ｗ．ヤン（Yang）他、ＩＥＤＭ Proc
eedings（６８１ページ（１９８９年）；Ｊ．コモリ（K
omori）他、ＩＥＥＥ International Conference onMi
croelectronic Test Structures、第４巻、第１号、２
５７ページ（１９９１年）；Ｊ．Ａ．シュワルツ（Schw
arz）他、J. Appl. Phys.、第７０号、第３号、１５６
１ページ（１９９１年）を参照されたい］。言い換える
と、測定システムの雑音が高すぎると、テスト中の装置
の（ジョンソン雑音を上回る）過剰雑音をマスクしてし
まう。測定システムの背景ノイズを最小限に抑えること
は、金属相互接続部における過剰雑音を調査するうえで
特に重要である。なぜなら、過剰雑音の大きさは、１Ｈ
ｚでジョンソン雑音のわずか１０ないし１００倍にすぎ
ないからである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、金属相互接続部における１／ｆ雑音を測定する
ための非常に静かなテスト環境を提供し、ジョンソン雑
音に近いレベルの雑音を正確に測定できるようにするこ
とである。
目的は、金属相互接続部における１／ｆ雑音を測定する
ための非常に静かなテスト環境を提供し、ジョンソン雑
音に近いレベルの雑音を正確に測定できるようにするこ
とである。
【０００７】本発明の他の目的は、様々な微細構造から
成る金属膜、特にアルミニウム膜の電気移動特性につい
ての信頼できる予測を提供することである。
成る金属膜、特にアルミニウム膜の電気移動特性につい
ての信頼できる予測を提供することである。
【０００８】本発明の他の目的は、電気移動によって劣
化する可能性のある電気接続部の断面積の変動を検出で
きるようにすることである。
化する可能性のある電気接続部の断面積の変動を検出で
きるようにすることである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の上記その他の目
的を達成するために、電気遮蔽と磁気遮蔽の少なくとも
一方を有するシステム囲壁と、システム囲壁内にあり、
電気遮蔽と磁気遮蔽の少なくとも一方を有するサンプル
囲壁と、少なくとも磁気遮蔽を有し、サンプル囲壁内の
低雑音ヒータを含むサンプル・オーブンと、サンプル・
オーブン内に密閉されたサンプルに電気バイアスを印加
するための配置と、動的信号アナライザへの遮蔽された
通信リンクとを備える、１／ｆ雑音測定用システムが提
供される。
的を達成するために、電気遮蔽と磁気遮蔽の少なくとも
一方を有するシステム囲壁と、システム囲壁内にあり、
電気遮蔽と磁気遮蔽の少なくとも一方を有するサンプル
囲壁と、少なくとも磁気遮蔽を有し、サンプル囲壁内の
低雑音ヒータを含むサンプル・オーブンと、サンプル・
オーブン内に密閉されたサンプルに電気バイアスを印加
するための配置と、動的信号アナライザへの遮蔽された
通信リンクとを備える、１／ｆ雑音測定用システムが提
供される。
【００１０】本発明の別の態様によれば、構成要素の動
作条件のもとで構成要素における雑音の周波数依存成分
を測定する段階と、前記測定段階で測定された雑音の周
波数依存成分の表現式として式１／ｆa中の項ａを評価
する段階と、平均故障時間をａの値の関数として推定す
る段階とを含む、電気構成要素の平均故障時間を評価す
る方法が提供される。
作条件のもとで構成要素における雑音の周波数依存成分
を測定する段階と、前記測定段階で測定された雑音の周
波数依存成分の表現式として式１／ｆa中の項ａを評価
する段階と、平均故障時間をａの値の関数として推定す
る段階とを含む、電気構成要素の平均故障時間を評価す
る方法が提供される。
【００１１】本発明のもう１つの態様によれば、電子構
成要素の欠陥のないサンプルにおける雑音の周波数依存
成分を測定する段階と、電子構成要素の別のサンプルに
おける雑音の周波数依存成分を測定する段階と、少なく
とも１桁以上大きい、前記測定段階の結果の差を検出す
ることによって欠陥の存在を決定する段階とを含む、電
子構成要素における相互接続部の欠陥の存在を検出する
方法が提供される。
成要素の欠陥のないサンプルにおける雑音の周波数依存
成分を測定する段階と、電子構成要素の別のサンプルに
おける雑音の周波数依存成分を測定する段階と、少なく
とも１桁以上大きい、前記測定段階の結果の差を検出す
ることによって欠陥の存在を決定する段階とを含む、電
子構成要素における相互接続部の欠陥の存在を検出する
方法が提供される。
【００１２】本発明のもう１つの態様によれば、接続部
に電気的応力をかける段階と、所定の期間にわたって前
記電気接続部における雑音の周波数依存成分要素の変化
を監視する段階とを含む、電子構成要素における接続部
の電気移動を監視する方法が提供される。
に電気的応力をかける段階と、所定の期間にわたって前
記電気接続部における雑音の周波数依存成分要素の変化
を監視する段階とを含む、電子構成要素における接続部
の電気移動を監視する方法が提供される。
【００１３】
【実施例】図面、具体的には図１を参照すると、本発明
に従ったテスト囲壁の部分断面図が示されている。シス
テム１０全体は、市販の動的信号アナライザを除き、ミ
ュー・メタルで完全にライニングされた約７６×７６×
４１ｃｍ（３０×３０×１６インチ）で厚さ約０．６４
ｃｍ（１／４インチ）の真鍮製ボックス１２に密閉され
ている。囲壁全体が、能動エア・テーブル１４に載って
いる。真鍮製ボックス１２および能動エア・テーブル１
４の目的は、外部の電気的、磁気的、機械的妨害を最小
限に抑えることである。システムの様々な構成要素は、
図のとおりに囲壁内に配列することが好ましい。
に従ったテスト囲壁の部分断面図が示されている。シス
テム１０全体は、市販の動的信号アナライザを除き、ミ
ュー・メタルで完全にライニングされた約７６×７６×
４１ｃｍ（３０×３０×１６インチ）で厚さ約０．６４
ｃｍ（１／４インチ）の真鍮製ボックス１２に密閉され
ている。囲壁全体が、能動エア・テーブル１４に載って
いる。真鍮製ボックス１２および能動エア・テーブル１
４の目的は、外部の電気的、磁気的、機械的妨害を最小
限に抑えることである。システムの様々な構成要素は、
図のとおりに囲壁内に配列することが好ましい。
【００１４】具体的には、上部シェルフ１６は、２つの
低雑音前置増幅器および２つの整合低雑音変圧器を保持
している。これらの装置はどちらも市販のタイプであ
り、後で図３に関連して詳細に説明する。下部シェルフ
１８は、その後部に、密閉された鉛蓄電池を収納する。
本システムでは、最大電位１３０Ｖを生成する１０個の
６セル収縮パッケージを使用することが好ましい。ただ
し、利用可能な電圧がいくらであるかは、本発明の実施
にとって重大ではない。回路ボックスは、後で図３に関
連して詳細に説明するシステム・バイアス回路の一部を
含む左下前部区画を含んでいる。被験装置（Ｄ．Ｕ．
Ｔ．）ボックスは、下部シェルフ１８の前部右下に配置
することが好ましい。被験装置ボックスは、やはり厚さ
約０．６４ｃｍ（１／４インチ）の真鍮製であり、１
２．７×１７．８×２０．３ｃｍ（約５×７×８イン
チ）であることが好ましく、その外側表面上に２８個の
ＢＮＣコネクタ２４を有する。その上面は、図２により
詳しく示す通り、サンプル・ホルダおよびサンプル・オ
ーブンにアクセスできるようにヒンジ留めすることが好
ましい。
低雑音前置増幅器および２つの整合低雑音変圧器を保持
している。これらの装置はどちらも市販のタイプであ
り、後で図３に関連して詳細に説明する。下部シェルフ
１８は、その後部に、密閉された鉛蓄電池を収納する。
本システムでは、最大電位１３０Ｖを生成する１０個の
６セル収縮パッケージを使用することが好ましい。ただ
し、利用可能な電圧がいくらであるかは、本発明の実施
にとって重大ではない。回路ボックスは、後で図３に関
連して詳細に説明するシステム・バイアス回路の一部を
含む左下前部区画を含んでいる。被験装置（Ｄ．Ｕ．
Ｔ．）ボックスは、下部シェルフ１８の前部右下に配置
することが好ましい。被験装置ボックスは、やはり厚さ
約０．６４ｃｍ（１／４インチ）の真鍮製であり、１
２．７×１７．８×２０．３ｃｍ（約５×７×８イン
チ）であることが好ましく、その外側表面上に２８個の
ＢＮＣコネクタ２４を有する。その上面は、図２により
詳しく示す通り、サンプル・ホルダおよびサンプル・オ
ーブンにアクセスできるようにヒンジ留めすることが好
ましい。
【００１５】被験装置ボックス２２内のサンプル・オー
ブン２６は、やはり厚さ約０．６４ｃｍ（１／４イン
チ）の真鍮製で、約４．４×６．４×８．９ｃｍ（１．
７５×２．５×３．５インチ）であることが好ましい。
このサンプル・オーブン２６は、厚さ約１．２７ｃｍ
（１／２インチ）のＴＥＦＬＯＮTMスクェア２８上に載
っている。同軸遮蔽ケーブルのワイヤ（図示せず）が、
オーブン・ボックス内でサンプル・ホルダとして働く２
８ピン・デュアル・インライン・パッケージ（ＤＩＰ）
ソケットからＴＥＦＬＯＮTMスクェア２８を貫通して、
ＢＮＣコネクタ２４に達している。他の数のピン及びピ
ンアウト・パターンも同様に提供できることを理解され
たい。ＴＥＦＬＯＮTMは、サンプル・オーブン２６を被
験装置ボックス２２から熱絶縁し、同軸ケーブルからひ
ずみを解除する。同軸ケーブルは、高温はんだによって
ＤＩＰピンに接続することが好ましい。
ブン２６は、やはり厚さ約０．６４ｃｍ（１／４イン
チ）の真鍮製で、約４．４×６．４×８．９ｃｍ（１．
７５×２．５×３．５インチ）であることが好ましい。
このサンプル・オーブン２６は、厚さ約１．２７ｃｍ
（１／２インチ）のＴＥＦＬＯＮTMスクェア２８上に載
っている。同軸遮蔽ケーブルのワイヤ（図示せず）が、
オーブン・ボックス内でサンプル・ホルダとして働く２
８ピン・デュアル・インライン・パッケージ（ＤＩＰ）
ソケットからＴＥＦＬＯＮTMスクェア２８を貫通して、
ＢＮＣコネクタ２４に達している。他の数のピン及びピ
ンアウト・パターンも同様に提供できることを理解され
たい。ＴＥＦＬＯＮTMは、サンプル・オーブン２６を被
験装置ボックス２２から熱絶縁し、同軸ケーブルからひ
ずみを解除する。同軸ケーブルは、高温はんだによって
ＤＩＰピンに接続することが好ましい。
【００１６】熱は、耐熱性接着剤でＤＩＰソケット３８
（図３に示す）に接着した、５つの１０Ω、１０Ｗ巻線
抵抗器３６によって発生させることが好ましい。巻線抵
抗器３６は、発熱体として好ましい。なぜなら、巻線抵
抗器は、適切な熱を発生する際に、１／ｆ雑音を導入す
ることも、対象とする電流レベル（たとえば、１抵抗器
当たり約１Ａ未満）での被験装置の１／ｆ雑音の測定を
妨害することもないからである。たとえば、測定可能な
１／ｆ雑音を導入せずに、上述のヒータ抵抗器の好まし
いアレイによって適切な温度を発生するのに必要な公称
最大電流は、１抵抗器当たり０．８Ａである。したがっ
て、テスト中に加熱を維持すると共に温度を極めて正確
に維持することができ、従来技術で一般的であった温度
ドリフト技術（たとえば、サンプルをテスト温度より高
い温度に加熱し、テスト中、テスト温度を経て冷却させ
る）に頼る必要はない。
（図３に示す）に接着した、５つの１０Ω、１０Ｗ巻線
抵抗器３６によって発生させることが好ましい。巻線抵
抗器３６は、発熱体として好ましい。なぜなら、巻線抵
抗器は、適切な熱を発生する際に、１／ｆ雑音を導入す
ることも、対象とする電流レベル（たとえば、１抵抗器
当たり約１Ａ未満）での被験装置の１／ｆ雑音の測定を
妨害することもないからである。たとえば、測定可能な
１／ｆ雑音を導入せずに、上述のヒータ抵抗器の好まし
いアレイによって適切な温度を発生するのに必要な公称
最大電流は、１抵抗器当たり０．８Ａである。したがっ
て、テスト中に加熱を維持すると共に温度を極めて正確
に維持することができ、従来技術で一般的であった温度
ドリフト技術（たとえば、サンプルをテスト温度より高
い温度に加熱し、テスト中、テスト温度を経て冷却させ
る）に頼る必要はない。
【００１７】オーブン抵抗器用の電力は、市販の直流電
源によって供給することが好ましい。温度は、中心を約
０．６４ｃｍ（１／４インチ）離して、やはり耐熱性接
着剤でＤＩＰソケットに接着した、市販されている種類
の２つの熱電対によって監視する。熱電対は、市販のデ
ィジタル温度計に接続する。サンプル・オーブン２６の
上面は、ＤＩＰソケットへのアクセスができるようにヒ
ンジ留めする。
源によって供給することが好ましい。温度は、中心を約
０．６４ｃｍ（１／４インチ）離して、やはり耐熱性接
着剤でＤＩＰソケットに接着した、市販されている種類
の２つの熱電対によって監視する。熱電対は、市販のデ
ィジタル温度計に接続する。サンプル・オーブン２６の
上面は、ＤＩＰソケットへのアクセスができるようにヒ
ンジ留めする。
【００１８】サンプル・オーブン２６は、ミュー・メタ
ル製囲壁３０で囲まれる。囲壁３０は、絶縁体３２およ
び反射箔３４でライニングしてある。このため、サンプ
ル・オーブン２６およびミュー・メタル製囲壁３０は、
２つの別々の密閉された空気空間と、かなりの数の反射
インタフェースおよび絶縁インタフェースを提供する。
この配列によって、巻線抵抗器発熱体から最高２５０℃
のサンプル温度を得ることができ、測定中のドリフトは
±０．２℃にすぎない。
ル製囲壁３０で囲まれる。囲壁３０は、絶縁体３２およ
び反射箔３４でライニングしてある。このため、サンプ
ル・オーブン２６およびミュー・メタル製囲壁３０は、
２つの別々の密閉された空気空間と、かなりの数の反射
インタフェースおよび絶縁インタフェースを提供する。
この配列によって、巻線抵抗器発熱体から最高２５０℃
のサンプル温度を得ることができ、測定中のドリフトは
±０．２℃にすぎない。
【００１９】サンプルに電流を印加するためのバイアス
回路４０を図３に概略図として示す。可能ならすべての
電気接続部をはんだ付けすることが好ましい。密閉され
た鉛蓄電池４２は直列接続され、定格１５Ａの銀メッキ
・ロータリ電源スイッチ４４によって所望の電圧に選択
的にタップする。１０００Ω、１０Ｗの巻線抵抗器４６
を直列に配置して、大きく、１／ｆ雑音のない安定抵抗
を確保する。電池の再充電を可能にするため、巻線抵抗
器４６と銀メッキ・ロータリ電源スイッチ４４の間にＢ
ＮＣバレル・コネクタ４８が含まれる。
回路４０を図３に概略図として示す。可能ならすべての
電気接続部をはんだ付けすることが好ましい。密閉され
た鉛蓄電池４２は直列接続され、定格１５Ａの銀メッキ
・ロータリ電源スイッチ４４によって所望の電圧に選択
的にタップする。１０００Ω、１０Ｗの巻線抵抗器４６
を直列に配置して、大きく、１／ｆ雑音のない安定抵抗
を確保する。電池の再充電を可能にするため、巻線抵抗
器４６と銀メッキ・ロータリ電源スイッチ４４の間にＢ
ＮＣバレル・コネクタ４８が含まれる。
【００２０】サンプルのテスト用の適切な電流は、直列
に接続された５つの巻線抵抗器ラダー・チェーン５０に
よって得られる。各ラダー・チェーンは、並列に接続さ
れた１０個の巻線抵抗器（１０Ｗ）から構成される。各
ラダーにおける抵抗器の選択は、銀メッキ・ロータリ電
源スイッチ４４と同様の構成の、銀メッキ・ロータリ・
スイッチ５２ａ、５２ｂ、５２ｃ、５２ｄ、５２ｅによ
って行う。好ましくは１００Ωの抵抗を有する巻線電流
測定抵抗器５４を、抵抗器ラダー・チェーン５０と被験
装置のＩ＋タップ５６の間に直列に配置して電流を監視
する。被験装置のＩ−タップ５８は、電池の負のリード
線に接続する。
に接続された５つの巻線抵抗器ラダー・チェーン５０に
よって得られる。各ラダー・チェーンは、並列に接続さ
れた１０個の巻線抵抗器（１０Ｗ）から構成される。各
ラダーにおける抵抗器の選択は、銀メッキ・ロータリ電
源スイッチ４４と同様の構成の、銀メッキ・ロータリ・
スイッチ５２ａ、５２ｂ、５２ｃ、５２ｄ、５２ｅによ
って行う。好ましくは１００Ωの抵抗を有する巻線電流
測定抵抗器５４を、抵抗器ラダー・チェーン５０と被験
装置のＩ＋タップ５６の間に直列に配置して電流を監視
する。被験装置のＩ−タップ５８は、電池の負のリード
線に接続する。
【００２１】Ｉ−電池接続に対応する被験装置のＶ−タ
ップ６２は、ケース接地部６６に接続する。Ｖ＋タップ
６４は監視ポートを備え、２つの同じチャネルに分割さ
れる。各チャネルは、低雑音変圧器７０ａ、７０ｂへの
損傷を防止するための大きなキャパシタンスを含んでい
る。このキャパシタンスは、６８ａ、６８ｂに示す、並
列に接続された１２個の１８００μＦ、１００Ｖのキャ
パシタを含むことが好ましい。各キャパシタは次に、低
雑音変圧器７０ａ、７０ｂ、整合低雑音前置増幅器７２
ａ、７２ｂ、およびダイオード過電圧保護回路７４ａ、
７４ｂに接続される。ダイオード過電圧保護回路７４
ａ、７４ｂは、テスト中のサンプルが開いた場合に変圧
器が損傷を受けないように保護する。バイアス調整中に
変圧器が電流を受け取らないようにする１組のスイッチ
８２を提供するのが有用である。
ップ６２は、ケース接地部６６に接続する。Ｖ＋タップ
６４は監視ポートを備え、２つの同じチャネルに分割さ
れる。各チャネルは、低雑音変圧器７０ａ、７０ｂへの
損傷を防止するための大きなキャパシタンスを含んでい
る。このキャパシタンスは、６８ａ、６８ｂに示す、並
列に接続された１２個の１８００μＦ、１００Ｖのキャ
パシタを含むことが好ましい。各キャパシタは次に、低
雑音変圧器７０ａ、７０ｂ、整合低雑音前置増幅器７２
ａ、７２ｂ、およびダイオード過電圧保護回路７４ａ、
７４ｂに接続される。ダイオード過電圧保護回路７４
ａ、７４ｂは、テスト中のサンプルが開いた場合に変圧
器が損傷を受けないように保護する。バイアス調整中に
変圧器が電流を受け取らないようにする１組のスイッチ
８２を提供するのが有用である。
【００２２】整合低雑音前置増幅器７２ａ、７２ｂは、
再充電可能なニッカド電池で動作することが好ましい。
２つの整合低雑音前置増幅器７２ａ、７２ｂの出力は、
５０Ω同軸ケーブルによって真鍮製ボックス１２から取
り出し、市販の低域フィルタ、さらに動的信号アナライ
ザ（ＤＳＡ）へと導くことが望ましい。バイアス回路４
０全域にわたって同様な５０Ωの同軸遮蔽ケーブルを使
用するが、図のとおりに成端させることが好ましい。遮
蔽の浮動部分は記号"ＦＬ"で示してある。本発明の実施
にとって遮蔽ケーブルの成端は重要であるが、図示した
特定の成端はいくらか変更することができる。特に、入
れ子式囲壁１２、２０、２２、２６、３０のレイアウト
および特定の構造は、本発明の範囲内で変更することが
できる。
再充電可能なニッカド電池で動作することが好ましい。
２つの整合低雑音前置増幅器７２ａ、７２ｂの出力は、
５０Ω同軸ケーブルによって真鍮製ボックス１２から取
り出し、市販の低域フィルタ、さらに動的信号アナライ
ザ（ＤＳＡ）へと導くことが望ましい。バイアス回路４
０全域にわたって同様な５０Ωの同軸遮蔽ケーブルを使
用するが、図のとおりに成端させることが好ましい。遮
蔽の浮動部分は記号"ＦＬ"で示してある。本発明の実施
にとって遮蔽ケーブルの成端は重要であるが、図示した
特定の成端はいくらか変更することができる。特に、入
れ子式囲壁１２、２０、２２、２６、３０のレイアウト
および特定の構造は、本発明の範囲内で変更することが
できる。
【００２３】要約すると、入れ子式の囲壁２０、２２、
２６、３０は、薄い金属膜における１／ｆ雑音の信頼性
および再現性のある測定に十分なほど静かな環境を生成
するのに適した、電気遮蔽、磁気遮蔽、および機械遮蔽
を提供する。この囲壁の効果は、図４と図５を比較して
みれば分かる。どちらの図でも、１／ｆ雑音は、２０Ω
巻線抵抗器によって、室温で、１０ｍＡの電流を用いて
測定されている。上述のように、巻線抵抗器には大きな
１／ｆ雑音がないことが分かっている。したがって、測
定される雑音は理想的には周波数と無関係であり、特定
の抵抗および温度では、雑音の大きさはジョンソン雑音
と等しい。図４に、電気的、磁気的、機械的分離なしで
得られるそのような測定の結果を示す。図から分かるよ
うに、雑音の大きさは、周波数と無関係ではなく、一般
的に周波数が減少するにつれて増加する。この結果、１
Ｈｚにおける雑音の大きさは、ジョンソン雑音の約１０
０倍の高さになる。これとは対照的に、図５に、本発明
を使用した同様な測定の結果を示す。この図では、電力
スペクトルは周波数と無関係であり、大きさはジョンソ
ン雑音と等しい。この図は、本発明が、事実上１／ｆ雑
音のないテスト環境を提供するうえで極めて効果的であ
ることを示している。測定の再現性に関して言うと、１
ないし８６ｍＡの範囲の電流で５か月間にわたり、室温
で２０Ω巻線抵抗器の雑音を測定した。９５％の信頼レ
ベルで、雑音の大きさはジョンソン雑音から５％の範囲
内であった。この結果は、本発明で、高度の再現性が得
られることを示している。また、図６および図７は、そ
れぞれ本発明を使用した場合と使用しない場合の、室温
で５．８ｍＡ（２０ｍＡ／μｍ2）の電流を用いて測定
した厚さ１０００Åのアルミニウム・ストライプの１／
ｆ雑音を示している。図６では、アルミニウム・ストラ
イプの雑音の大きさが明らかにジョンソン雑音を超えて
いることが分かる。しかし、図７からは、遮蔽が不十分
なために、測定システムの背景ノイズが大きいので、サ
ンプルの雑音がマスクされる可能性があることが分か
る。これらの図は明らかに、本発明が、雑音の大きさが
ジョンソン雑音に比較的近い、薄い金属膜の１／ｆ雑音
を測定できることを示している。
２６、３０は、薄い金属膜における１／ｆ雑音の信頼性
および再現性のある測定に十分なほど静かな環境を生成
するのに適した、電気遮蔽、磁気遮蔽、および機械遮蔽
を提供する。この囲壁の効果は、図４と図５を比較して
みれば分かる。どちらの図でも、１／ｆ雑音は、２０Ω
巻線抵抗器によって、室温で、１０ｍＡの電流を用いて
測定されている。上述のように、巻線抵抗器には大きな
１／ｆ雑音がないことが分かっている。したがって、測
定される雑音は理想的には周波数と無関係であり、特定
の抵抗および温度では、雑音の大きさはジョンソン雑音
と等しい。図４に、電気的、磁気的、機械的分離なしで
得られるそのような測定の結果を示す。図から分かるよ
うに、雑音の大きさは、周波数と無関係ではなく、一般
的に周波数が減少するにつれて増加する。この結果、１
Ｈｚにおける雑音の大きさは、ジョンソン雑音の約１０
０倍の高さになる。これとは対照的に、図５に、本発明
を使用した同様な測定の結果を示す。この図では、電力
スペクトルは周波数と無関係であり、大きさはジョンソ
ン雑音と等しい。この図は、本発明が、事実上１／ｆ雑
音のないテスト環境を提供するうえで極めて効果的であ
ることを示している。測定の再現性に関して言うと、１
ないし８６ｍＡの範囲の電流で５か月間にわたり、室温
で２０Ω巻線抵抗器の雑音を測定した。９５％の信頼レ
ベルで、雑音の大きさはジョンソン雑音から５％の範囲
内であった。この結果は、本発明で、高度の再現性が得
られることを示している。また、図６および図７は、そ
れぞれ本発明を使用した場合と使用しない場合の、室温
で５．８ｍＡ（２０ｍＡ／μｍ2）の電流を用いて測定
した厚さ１０００Åのアルミニウム・ストライプの１／
ｆ雑音を示している。図６では、アルミニウム・ストラ
イプの雑音の大きさが明らかにジョンソン雑音を超えて
いることが分かる。しかし、図７からは、遮蔽が不十分
なために、測定システムの背景ノイズが大きいので、サ
ンプルの雑音がマスクされる可能性があることが分か
る。これらの図は明らかに、本発明が、雑音の大きさが
ジョンソン雑音に比較的近い、薄い金属膜の１／ｆ雑音
を測定できることを示している。
【００２４】本発明の有効性の例として、ここで、サン
プル導体の測定例について説明する。上述のように、本
発明では、低雑音測定を使用して、膜加工、熱循環およ
び時間依存性欠陥発生機構、すなわち電気移動および応
力移動による薄膜のボイド、ノッチ、その他の欠陥を検
出する。さらに、本発明では、異なる微細構造を持つ膜
の違いを検出することができる。本発明によって提供さ
れる静かなテスト環境によって、定量的で再現性のある
１／ｆ雑音測定が実行できる。
プル導体の測定例について説明する。上述のように、本
発明では、低雑音測定を使用して、膜加工、熱循環およ
び時間依存性欠陥発生機構、すなわち電気移動および応
力移動による薄膜のボイド、ノッチ、その他の欠陥を検
出する。さらに、本発明では、異なる微細構造を持つ膜
の違いを検出することができる。本発明によって提供さ
れる静かなテスト環境によって、定量的で再現性のある
１／ｆ雑音測定が実行できる。
【００２５】たとえば、全長７４３２μｍ、厚さ１．５
μｍの接続部にノッチを故意に生じさせた。幅は、１．
６μｍから４．２μｍまでの範囲である。ガリウム収束
イオン・ビームを使用して、ノッチを生じさせる前後
に、１／ｆ雑音を測定した。ノッチは、幅２μｍの領域
に生じた。ノッチは幅が約０．８μｍであり、残った金
属の幅は約０．２μｍであった。ノッチを導入しても抵
抗は変わらなかったが、雑音は４．５倍に増えた。
μｍの接続部にノッチを故意に生じさせた。幅は、１．
６μｍから４．２μｍまでの範囲である。ガリウム収束
イオン・ビームを使用して、ノッチを生じさせる前後
に、１／ｆ雑音を測定した。ノッチは、幅２μｍの領域
に生じた。ノッチは幅が約０．８μｍであり、残った金
属の幅は約０．２μｍであった。ノッチを導入しても抵
抗は変わらなかったが、雑音は４．５倍に増えた。
【００２６】別の例として、２．５μｍ×０．８５μｍ
×２０００μｍの寸法の純粋なアルミニウム線におい
て、電気移動で生じたボイドを検出した。これらの線
を、１０ｍＡ／μｍおよび２２５℃の電気移動応力条件
にかけた。サンプルから定期的に応力を除去し、室温で
１／ｆ雑音を測定した。１／ｆ雑音測定では、電気移動
によるボイドの形成が容易に検出できた。これらのボイ
ドは、抵抗測定では検出できなかった。電気移動による
ボイドの形成を確認するために、ボイドによって抵抗が
約１．０５倍増加するまで実験を継続した。この時点
で、１／ｆ雑音は少なくとも１００００倍増加した。
×２０００μｍの寸法の純粋なアルミニウム線におい
て、電気移動で生じたボイドを検出した。これらの線
を、１０ｍＡ／μｍおよび２２５℃の電気移動応力条件
にかけた。サンプルから定期的に応力を除去し、室温で
１／ｆ雑音を測定した。１／ｆ雑音測定では、電気移動
によるボイドの形成が容易に検出できた。これらのボイ
ドは、抵抗測定では検出できなかった。電気移動による
ボイドの形成を確認するために、ボイドによって抵抗が
約１．０５倍増加するまで実験を継続した。この時点
で、１／ｆ雑音は少なくとも１００００倍増加した。
【００２７】別の例として、１．８μｍ×１．０μｍ×
２５４μｍの寸法の純粋なアルミニウム・ストライプ上
で１／ｆ雑音測定を行った。受け取ったままのサンプル
にスクラッチがあると、他の損傷のないサンプルよりも
雑音が約５桁高くなった。サンプルの抵抗測定では、ス
クラッチの存在が示唆されなかった。したがって、本発
明によって余裕のある検出能力が提供され、約１桁の１
／ｆ雑音の変化が検出できれば、欠陥とみなすことがで
きるよりも小さな、導体の断面積の変動（たとえば、長
期間使用するうちに装置の性能を損なう公算の大きい形
で挙動する断面積の変動）を検出するのに十分であるこ
とが分かる。
２５４μｍの寸法の純粋なアルミニウム・ストライプ上
で１／ｆ雑音測定を行った。受け取ったままのサンプル
にスクラッチがあると、他の損傷のないサンプルよりも
雑音が約５桁高くなった。サンプルの抵抗測定では、ス
クラッチの存在が示唆されなかった。したがって、本発
明によって余裕のある検出能力が提供され、約１桁の１
／ｆ雑音の変化が検出できれば、欠陥とみなすことがで
きるよりも小さな、導体の断面積の変動（たとえば、長
期間使用するうちに装置の性能を損なう公算の大きい形
で挙動する断面積の変動）を検出するのに十分であるこ
とが分かる。
【００２８】本発明によるシステムは、粒径および粒度
分布は同じであるが、結晶組織が異なるアルミニウム・
ストライプのグループ間の違いを検出することもでき
た。この実験では、部分イオン化ビーム（ＰＩＢ）で調
製した、（１１１）組織の体積分率が高く（７８％）Ｍ
ＴＴＦが高い（７７２時間）膜よりも、（１１１）組織
の体積分率が低く（５８％）ＭＴＴＦが低い（２９時
間）スパッタ膜の方が、高いａ（ａは、対数周波数スケ
ール、たとえば１／ｆaに対してプロットしたときの１
／ｆ雑音の勾配）を示した。これらの結果は、ＰＩＢ膜
よりもスパッタ膜の方が信頼性が低いこと、およびａの
大きさとＭＴＴＦの間には逆関数の関係があることを示
した。したがって、実験データに基づき、かつ本発明の
低雑音環境で可能になった定量的測定の一貫性のおかげ
で、測定される雑音の周波数依存成分を記述する式１／
ｆaを評価する際に得られるａの値に基づいて、（たと
えば、雑音スペクトルの勾配の近似値を求めることによ
り）ＭＴＴＦの定性的評価を行うことができる。雑音測
定では、これらの結果を数日で得ることができたが、従
来の電気移動テストでは、同じ結論に達するのに約２か
月かかった。
分布は同じであるが、結晶組織が異なるアルミニウム・
ストライプのグループ間の違いを検出することもでき
た。この実験では、部分イオン化ビーム（ＰＩＢ）で調
製した、（１１１）組織の体積分率が高く（７８％）Ｍ
ＴＴＦが高い（７７２時間）膜よりも、（１１１）組織
の体積分率が低く（５８％）ＭＴＴＦが低い（２９時
間）スパッタ膜の方が、高いａ（ａは、対数周波数スケ
ール、たとえば１／ｆaに対してプロットしたときの１
／ｆ雑音の勾配）を示した。これらの結果は、ＰＩＢ膜
よりもスパッタ膜の方が信頼性が低いこと、およびａの
大きさとＭＴＴＦの間には逆関数の関係があることを示
した。したがって、実験データに基づき、かつ本発明の
低雑音環境で可能になった定量的測定の一貫性のおかげ
で、測定される雑音の周波数依存成分を記述する式１／
ｆaを評価する際に得られるａの値に基づいて、（たと
えば、雑音スペクトルの勾配の近似値を求めることによ
り）ＭＴＴＦの定性的評価を行うことができる。雑音測
定では、これらの結果を数日で得ることができたが、従
来の電気移動テストでは、同じ結論に達するのに約２か
月かかった。
【００２９】要約すると、本発明者等は、広い電流およ
び温度範囲にわたってシステムの背景ノイズが測定でき
ないほど小さなテスト・システムを考案した。テスト・
システムの背景ノイズが低いので、ジョンソン雑音に比
較的近い雑音レベルで薄い金属膜の１／ｆ雑音の定量的
研究を実施することができる。提示した例では、本発明
を用いて１／ｆ雑音測定で、欠陥の存在が検出でき、か
つ異なる微細構造を持つ膜の組を区別できることが分か
った。また、１組の膜の電気移動寿命（ＭＴＴＦ）がａ
に反比例することも分かった。
び温度範囲にわたってシステムの背景ノイズが測定でき
ないほど小さなテスト・システムを考案した。テスト・
システムの背景ノイズが低いので、ジョンソン雑音に比
較的近い雑音レベルで薄い金属膜の１／ｆ雑音の定量的
研究を実施することができる。提示した例では、本発明
を用いて１／ｆ雑音測定で、欠陥の存在が検出でき、か
つ異なる微細構造を持つ膜の組を区別できることが分か
った。また、１組の膜の電気移動寿命（ＭＴＴＦ）がａ
に反比例することも分かった。
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、金属相互接続部におけ
る１／ｆ雑音を測定するための非常に静かなテスト環境
が提供され、ジョンソン雑音に近いレベルの雑音が正確
に測定できるようになった。
る１／ｆ雑音を測定するための非常に静かなテスト環境
が提供され、ジョンソン雑音に近いレベルの雑音が正確
に測定できるようになった。
【００３１】さらに、様々な微細構造から成る金属膜、
特にアルミニウム膜の電気移動特性についての信頼でき
る予測が提供された。
特にアルミニウム膜の電気移動特性についての信頼でき
る予測が提供された。
【００３２】さらに、電気移動によって劣化する可能性
のある電気接続部の断面積の変動が検出できるようにな
った。
のある電気接続部の断面積の変動が検出できるようにな
った。
【図１】本発明の好ましい実施例によるテスト用囲壁の
等角切断図である。
等角切断図である。
【図２】図１のテスト用囲壁の被験装置ボックスおよび
サンプル・オーブンの詳細な等角切断図である。
サンプル・オーブンの詳細な等角切断図である。
【図３】本発明による二重チャネル電流源の概略図であ
る。
る。
【図４】本発明による電気遮蔽、磁気遮蔽、および機械
遮蔽の効果を示す図である。
遮蔽の効果を示す図である。
【図５】本発明による電気遮蔽、磁気遮蔽、および機械
遮蔽の効果を示す図である。
遮蔽の効果を示す図である。
【図６】本発明による電気遮蔽、磁気遮蔽、および機械
遮蔽の効果を示す図である。
遮蔽の効果を示す図である。
【図７】本発明による電気遮蔽、磁気遮蔽、および機械
遮蔽の効果を示す図である。
遮蔽の効果を示す図である。
１２ 真鍮製ボックス １４ 能動エア・テーブル １６ 上部シェルフ １８ 下部シェルフ ２２ 被験装置ボックス ２４ ＢＮＣコネクタ ２６ サンプル・オーブン ２８ ＴＥＦＬＯＮTMスクェア ３０ ミュー・メタル製囲壁 ３６ 巻線抵抗器 ４０ バイアス回路 ４４ 銀メッキ・ロータリ電源スイッチ ５０ 巻線抵抗器ラダー・チェーン ５４ 巻線抵抗器測定抵抗器 ５６ 被験装置Ｉ＋タップ ６８ キャパシタ ７０ 低雑音変圧器 ７２ 低雑音前置増幅器 ７４ ダイオード過電圧保護回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ダニエル・マーク・ボイン アメリカ合衆国12590、ニューヨーク州ワ ッピンガーズ・フォールズ、スカーバラ・ レーン 38 アパートメント・ビー (72)発明者 ケニス・パーカー・ロッドベル アメリカ合衆国12570、ニューヨーク州ポ ークワグ、リーオ・レーン ３ (72)発明者 リチャード・ジョージ・スミス アメリカ合衆国12603、ニューヨーク州ポ ーキープシー、マープル・ロード・エクス テリア 71 (72)発明者 マイケル・ヘムズリー・ウッド アメリカ合衆国12533、ニューヨーク州ホ ープウェル・ジャンクション、フラワー・ ロード 31
Claims (7)
- 【請求項１】電気遮蔽手段と磁気遮蔽手段の少なくとも
一方を有するシステム囲壁と、 前記システム囲壁内にあり、電気遮蔽手段と磁気遮蔽手
段の少なくとも一方を有するサンプル囲壁と、 少なくとも磁気遮蔽手段を有し、前記サンプル囲壁内の
低雑音加熱手段を含むサンプル・オーブンと、 前記サンプル・オーブン内のサンプルに電気バイアスを
印加する手段と、 動的信号アナライザへの遮蔽された通信リンクとを備え
ることを特徴とする、１／ｆ雑音測定用システム。 - 【請求項２】前記電気遮蔽手段が、所定の厚さの真鍮を
含むことを特徴とする、請求項１に記載のシステム。 - 【請求項３】前記低雑音加熱手段が巻線抵抗器を含むこ
とを特徴とする、請求項１に記載のシステム。 - 【請求項４】前記磁気遮蔽手段がミュー・メタルを含む
ことを特徴とする、請求項１に記載のシステム。 - 【請求項５】構成要素の動作条件のもとで構成要素にお
ける雑音の周波数依存成分を測定する段階と、 前記測定段階で測定された雑音の周波数依存成分の表現
式として式１／ｆa中の項ａを評価する段階と、 平均故障時間をａの値の関数として推定する段階とを含
むことを特徴とする、電気構成要素の平均故障時間を評
価する方法。 - 【請求項６】電子構成要素の欠陥のないサンプルにおけ
る雑音の周波数依存成分を測定する段階と、 電子構成要素の別のサンプルにおける雑音の周波数依存
成分を測定する段階と、 前記測定段階の結果の差を検出することによって欠陥の
存在を決定する段階とを含むことを特徴とする、電子構
成要素における相互接続部の欠陥の存在を検出する方
法。 - 【請求項７】前記接続部に電気的応力を加える段階と、 所定の期間にわたって前記電気接続部における雑音の周
波数依存成分の変化を監視する段階とを含むことを特徴
とする、電子構成要素における接続部の電気移動を監視
する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US970370 | 1992-11-02 | ||
| US07/970,370 US5434385A (en) | 1992-11-02 | 1992-11-02 | Dual channel D.C. low noise measurement system and test methodology |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06207965A true JPH06207965A (ja) | 1994-07-26 |
| JP2501011B2 JP2501011B2 (ja) | 1996-05-29 |
Family
ID=25516853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5271688A Expired - Lifetime JP2501011B2 (ja) | 1992-11-02 | 1993-10-29 | 直流低雑音測定システム |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5434385A (ja) |
| EP (1) | EP0599763A1 (ja) |
| JP (1) | JP2501011B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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