JPH06208031A - 集積光学成分の鋭導波路枝の製造方法 - Google Patents
集積光学成分の鋭導波路枝の製造方法Info
- Publication number
- JPH06208031A JPH06208031A JP5339111A JP33911193A JPH06208031A JP H06208031 A JPH06208031 A JP H06208031A JP 5339111 A JP5339111 A JP 5339111A JP 33911193 A JP33911193 A JP 33911193A JP H06208031 A JPH06208031 A JP H06208031A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- etching step
- pattern
- layer
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 76
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 71
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 20
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 9
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
- G02B6/136—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by etching
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/125—Bends, branchings or intersections
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 マスク材料を使用して、鋭頂点を有する薄い
光案内層にＹ形枝を有するチャネル形導波路を製造する
方法を提供する。 【構成】 基板（１）上または基板内にＹ形枝と鋭頂点
（Ｖ）を有するチャネル形導波路パターン（１．１）の
製造において、互いに部分的に重なるマスク（６．７）
が、Ｙ形パターンの１部を連続的に形成する２つの異な
るエッチング工程で使用される。この方法において、第
１エッチング工程で腐蝕できるが乾式エッチングを含む
第２エッチング工程で抵抗する適当に選択される材料で
作られるただ１つの補助マスク層（２）が使用される。
光案内層にＹ形枝を有するチャネル形導波路を製造する
方法を提供する。 【構成】 基板（１）上または基板内にＹ形枝と鋭頂点
（Ｖ）を有するチャネル形導波路パターン（１．１）の
製造において、互いに部分的に重なるマスク（６．７）
が、Ｙ形パターンの１部を連続的に形成する２つの異な
るエッチング工程で使用される。この方法において、第
１エッチング工程で腐蝕できるが乾式エッチングを含む
第２エッチング工程で抵抗する適当に選択される材料で
作られるただ１つの補助マスク層（２）が使用される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、集積光学成分を製造す
る分野である。特に、本発明は、互いに重なりかつ、写
真平版方法の異なる段階で当接される、マスク材料を使
用して鋭頂点を有する薄い光案内層にＹ形技を有するチ
ャネル形導波路を製造する方法に関する。
る分野である。特に、本発明は、互いに重なりかつ、写
真平版方法の異なる段階で当接される、マスク材料を使
用して鋭頂点を有する薄い光案内層にＹ形技を有するチ
ャネル形導波路を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術とその課題】チャネル形導波路のＹ接合と
も呼ばれるＹ形枝は集積光学できわめて多く使用され
る。対称形式では、それらは３−ｄＢカップラーを形成
するが、非対称形式では、事実上、モード分割またはモ
ード・フイルタ要素の根拠をなす。もちろん、それらは
また、鋭角で互いに交叉するがガイドに生ずる。これに
関連して知られる問題として、このようなＹ接合におけ
る２つの枝わかれ導体間の頂点が十分鋭く製造されない
場合、光学信号の受容できない損失とＹ接合の機能の悪
化とが生ずることである。しかし、Ｙ接合の頂点が製造
できる鋭さは、製造に使用される写真平版方法の品質と
これら方法に使用されるマクスとに左右される。参考文
献〔１〕は、Ｙ接合の２の導波路枝が、互いに重なるマ
スクを使用して湿式化学エッチング剤で２回選択的にエ
ッチングすることにより良好に形成される、りん化イン
ジュム（ＩｎＰ）にもとづく鋭い頂角を有するＹ接合を
形成する方法を開示する。この目的のため、基板と、各
対がエッチ層とエッチ停止層とを有する２対の層とを備
える層アセンプリにおいて、導波路パターンを形成する
マスクパターンの第１部分は、第１エッチング工程にお
ける第１マスクの助けによりフォトレジストの最上対の
層でエッチングされる。ついで、第１マスクのフォトレ
ジストは除去される。つぎに、第２フォトレジストマス
クが少なくとも部分的に前記マスクパターンの第１部分
に当接される。重なり位置で２つの直路を形成するマス
クを配置する結果、下置対の層に鋭頂点を有する枝分か
れ導波路パターンは同じ湿式化学エッチング剤で第２エ
ッチング工程後製造される。この周知の製造手順の欠点
は選択的湿式化学エッチング剤を使用することである。
このようなエッチング剤は、等方的にまたは結晶面に沿
ういずれかで被腐蝕材を腐蝕する。第１の場合、欠点と
して、エッチング不足、正確さの損失および導波路の望
ましくないプロフィルが生ずることが知られている。第
２の場合、材料の配向に従う導波路のみが良くエッチン
グできる。従って、結晶材料において、湿式化学エッチ
ング剤はわん曲導波路のエッチングには不適切である。
わん曲導波路は特に、垂直異方性エッチングが必要で、
これは実際に、反応性イオンエッチングと知られる乾式
エッチング手順により達成できる。わん曲導波路はＹ接
合の枝で接続ガイドとして集積光学成分に必要とされる
ことが多いので、このような成分はこの周知手順では良
く製造できない。その上、この周知手順は、特に、第２
エッチング工程でマスクとして作用するが重ね位置を除
き同時にエッチングされる最上対の層を形成する複雑な
層パターンを必要とする。その地点で、残分は残され、
その後では、残留構成を侵蝕（アタック）せずにさらに
除去できない。
も呼ばれるＹ形枝は集積光学できわめて多く使用され
る。対称形式では、それらは３−ｄＢカップラーを形成
するが、非対称形式では、事実上、モード分割またはモ
ード・フイルタ要素の根拠をなす。もちろん、それらは
また、鋭角で互いに交叉するがガイドに生ずる。これに
関連して知られる問題として、このようなＹ接合におけ
る２つの枝わかれ導体間の頂点が十分鋭く製造されない
場合、光学信号の受容できない損失とＹ接合の機能の悪
化とが生ずることである。しかし、Ｙ接合の頂点が製造
できる鋭さは、製造に使用される写真平版方法の品質と
これら方法に使用されるマクスとに左右される。参考文
献〔１〕は、Ｙ接合の２の導波路枝が、互いに重なるマ
スクを使用して湿式化学エッチング剤で２回選択的にエ
ッチングすることにより良好に形成される、りん化イン
ジュム（ＩｎＰ）にもとづく鋭い頂角を有するＹ接合を
形成する方法を開示する。この目的のため、基板と、各
対がエッチ層とエッチ停止層とを有する２対の層とを備
える層アセンプリにおいて、導波路パターンを形成する
マスクパターンの第１部分は、第１エッチング工程にお
ける第１マスクの助けによりフォトレジストの最上対の
層でエッチングされる。ついで、第１マスクのフォトレ
ジストは除去される。つぎに、第２フォトレジストマス
クが少なくとも部分的に前記マスクパターンの第１部分
に当接される。重なり位置で２つの直路を形成するマス
クを配置する結果、下置対の層に鋭頂点を有する枝分か
れ導波路パターンは同じ湿式化学エッチング剤で第２エ
ッチング工程後製造される。この周知の製造手順の欠点
は選択的湿式化学エッチング剤を使用することである。
このようなエッチング剤は、等方的にまたは結晶面に沿
ういずれかで被腐蝕材を腐蝕する。第１の場合、欠点と
して、エッチング不足、正確さの損失および導波路の望
ましくないプロフィルが生ずることが知られている。第
２の場合、材料の配向に従う導波路のみが良くエッチン
グできる。従って、結晶材料において、湿式化学エッチ
ング剤はわん曲導波路のエッチングには不適切である。
わん曲導波路は特に、垂直異方性エッチングが必要で、
これは実際に、反応性イオンエッチングと知られる乾式
エッチング手順により達成できる。わん曲導波路はＹ接
合の枝で接続ガイドとして集積光学成分に必要とされる
ことが多いので、このような成分はこの周知手順では良
く製造できない。その上、この周知手順は、特に、第２
エッチング工程でマスクとして作用するが重ね位置を除
き同時にエッチングされる最上対の層を形成する複雑な
層パターンを必要とする。その地点で、残分は残され、
その後では、残留構成を侵蝕（アタック）せずにさらに
除去できない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、互い
に重なりかつ、写真平版方法の異なる段階で使用され
る、マスクを使用して、基板上に、光案内層にＹ形枝と
鋭頂点を有するチャネル形導波路を製造する方法であっ
て、上記欠点を有しない方法を提供することである。同
時に、本発明は、第１エッチング工程で腐蝕できるが乾
式エッチングを含む第２エッチング工程で抵抗する適当
に選択される材料で作られる１つだけの補助マスク層を
使用する。
に重なりかつ、写真平版方法の異なる段階で使用され
る、マスクを使用して、基板上に、光案内層にＹ形枝と
鋭頂点を有するチャネル形導波路を製造する方法であっ
て、上記欠点を有しない方法を提供することである。同
時に、本発明は、第１エッチング工程で腐蝕できるが乾
式エッチングを含む第２エッチング工程で抵抗する適当
に選択される材料で作られる１つだけの補助マスク層を
使用する。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的をのため、本発
明による、基板に少なくとも１つの補助マスク層が当接
される光案内層を備える基板上に枝分かれまたは相互に
しゃ断するチャネル形導波路を製造する方法は、補助マ
スク層に、第１チャネル形導波路用副パターンを備える
感光性材料よりなる第１マスクパターンを当接する工
程、第１エッチング剤を使用して第１マスクパターンに
よりカバーされない補助マスクをエッチングする第１エ
ッチング工程、第１マスクパターンに相当する補助マス
クパターンの残分を残し、第１マスクパターンの感光性
材料を除去する工程、第２チャネル形導波路用副パター
ンを備え第１導波路と鋭角をなす感光性材料よりなる第
２マスクパターンを補助マスク層の残分に部分的に当接
する工程、第２エッチング剤を使用して第２マスクパタ
ーンによりカバーされない部分をエッチングする第２エ
ッチング工程、および第２マスクパターンの感光性材料
を除去する工程より成り、第２エッチング工程は乾式エ
ッチング剤を使用して行なわれ、基板には、第２エッチ
ング工程で抵抗する材料よりなる１つだけ補助マスク層
を備えることを特徴とする方法である。
明による、基板に少なくとも１つの補助マスク層が当接
される光案内層を備える基板上に枝分かれまたは相互に
しゃ断するチャネル形導波路を製造する方法は、補助マ
スク層に、第１チャネル形導波路用副パターンを備える
感光性材料よりなる第１マスクパターンを当接する工
程、第１エッチング剤を使用して第１マスクパターンに
よりカバーされない補助マスクをエッチングする第１エ
ッチング工程、第１マスクパターンに相当する補助マス
クパターンの残分を残し、第１マスクパターンの感光性
材料を除去する工程、第２チャネル形導波路用副パター
ンを備え第１導波路と鋭角をなす感光性材料よりなる第
２マスクパターンを補助マスク層の残分に部分的に当接
する工程、第２エッチング剤を使用して第２マスクパタ
ーンによりカバーされない部分をエッチングする第２エ
ッチング工程、および第２マスクパターンの感光性材料
を除去する工程より成り、第２エッチング工程は乾式エ
ッチング剤を使用して行なわれ、基板には、第２エッチ
ング工程で抵抗する材料よりなる１つだけ補助マスク層
を備えることを特徴とする方法である。
【０００５】
【作用】本発明による方法は、鋭頂点、またその結果、
導波路枝の幅に適当に選択される差を有する非対称枝を
形成するのに特に適している。厚みまたは高さの差も容
易に得られる。この目的のため、本方法は好ましくは、
第１エッチング工程後で第２マスクパターン当接工程前
に、中間エッチング工程が、補助マスク層の残分により
カバーされない基板の部分を腐蝕するために乾式エッチ
ング剤を使用して行なわれることを特徴とする。
導波路枝の幅に適当に選択される差を有する非対称枝を
形成するのに特に適している。厚みまたは高さの差も容
易に得られる。この目的のため、本方法は好ましくは、
第１エッチング工程後で第２マスクパターン当接工程前
に、中間エッチング工程が、補助マスク層の残分により
カバーされない基板の部分を腐蝕するために乾式エッチ
ング剤を使用して行なわれることを特徴とする。
【０００６】本方法は、ケイ素含有誘電材料が補助マス
ク層として使用されれば、“反応性イオン・エッチン
グ”によるＩＩＩ−Ｖ半導体材料にもとづく導波路成分
の製造に完全に適合する。好ましい実施例において、本
発明による方法は、第２エッチング工程が、“反応性イ
オン・エッチング”方法を使用して行なわれ、光案内層
を備える基板がＩＩＩ−Ｖ半導体材料により製造され、
補助マスク層が誘電体材料により製造されることを特徴
とする。
ク層として使用されれば、“反応性イオン・エッチン
グ”によるＩＩＩ−Ｖ半導体材料にもとづく導波路成分
の製造に完全に適合する。好ましい実施例において、本
発明による方法は、第２エッチング工程が、“反応性イ
オン・エッチング”方法を使用して行なわれ、光案内層
を備える基板がＩＩＩ−Ｖ半導体材料により製造され、
補助マスク層が誘電体材料により製造されることを特徴
とする。
【０００７】本方法はつぎのような利益を有する。この
方法は他の成分との集積能力を促進し、容易に適用で
き；特に非対称枝の製造にきわめて適し、所望の対称性
が幅差によりまた導波路プロフィルの高さ差により容易
に達成でき；すべてのＩＩＩ−Ｖ半導体材料に使用で
き；頂点または枝点は高品質である；さらに追加のエピ
タキシアル層は必要でない。
方法は他の成分との集積能力を促進し、容易に適用で
き；特に非対称枝の製造にきわめて適し、所望の対称性
が幅差によりまた導波路プロフィルの高さ差により容易
に達成でき；すべてのＩＩＩ−Ｖ半導体材料に使用で
き；頂点または枝点は高品質である；さらに追加のエピ
タキシアル層は必要でない。
【０００８】参考文献 〔１〕 Ｙ．シャニ他、“ＩｎＰに鋭頂点を有する埋込
リブ受動導波路Ｙ接合”ＩＥＥＥフォトニックス枝術、
レター、３巻、３号、１９９１年３月、ｐｐ２１０−２
１３； 〔２〕 Ｈ．ニシハラ他、“光学集積回路”、マグロー
・ヒル・ブック・カンパニー、１９８９、ニューヨ−
ク、ｃｐｔ．７“光学集積回路のマイクロ製作技術”、
特にセクション７．２と７．３； 〔３〕 Ｈ．レーマンおよびＲ．ウィドマー、“反応性
スパッターエッチング”、Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．技術、
１５巻、２２号、１９７８年、ｐｐ３１９−３２６； 〔４〕 Ｕ．ニゲブラッグおよびＧ．ガルス、“ＣＨ４
／Ｈ２を使用するＩｎＰによる新反応性イオンエッチン
グ方法”、Ｉｎｓｔ．Ｐｈｙｓ．ｃｏｎｆ．，ｓｙｍ
ｐ．ＧａＡｓおよび関係会社、７９巻、ｐｐ３６７−３
７２，１９８５。
リブ受動導波路Ｙ接合”ＩＥＥＥフォトニックス枝術、
レター、３巻、３号、１９９１年３月、ｐｐ２１０−２
１３； 〔２〕 Ｈ．ニシハラ他、“光学集積回路”、マグロー
・ヒル・ブック・カンパニー、１９８９、ニューヨ−
ク、ｃｐｔ．７“光学集積回路のマイクロ製作技術”、
特にセクション７．２と７．３； 〔３〕 Ｈ．レーマンおよびＲ．ウィドマー、“反応性
スパッターエッチング”、Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．技術、
１５巻、２２号、１９７８年、ｐｐ３１９−３２６； 〔４〕 Ｕ．ニゲブラッグおよびＧ．ガルス、“ＣＨ４
／Ｈ２を使用するＩｎＰによる新反応性イオンエッチン
グ方法”、Ｉｎｓｔ．Ｐｈｙｓ．ｃｏｎｆ．，ｓｙｍ
ｐ．ＧａＡｓおよび関係会社、７９巻、ｐｐ３６７−３
７２，１９８５。
【０００９】
【実施例】以下、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１０】りん化インジュム（ＩｎＰ）等ＩＩＩ−Ｖ
半導体材料で作られる基板上のチャネル形導波路は通
常、適当な層アセンブリにおけるリブ形パターンをエッ
チングすることにより製造される。ここで、周知のエッ
チング方法は、なかでも、湿式化学的エッチングと乾式
エッチングである。このような材料は結晶性であるか
ら、湿式化学的エッチングは等方的または結晶面を介し
行い、湿式化学的エッチングは、前記半導体材料よりな
る基板上に枝分かれチャネル形導波路を形成するのに適
している。４つの手順が、たとえば、乾式エッチング、
すなわち、プラズマエッチング、スパッターエッチン
グ、イオンビーム・エッチングおよび反応性イオンによ
るエッチング（反応性イオンエッチング（ＲＩＥ））を
行なう参考文献〔２〕に開示される。これらすべての乾
式エッチング手順は原則として、前記半導体材料よりな
る基板上または基板内に“リッジ”形、“埋込形”また
は“ストリップ装入形”等標準導波路パターンを形成す
るのに使用できる。しかし、ＲＩＥ方法がもっとも適し
ている。ＲＩＥ方法が使用される、ＩｎＰにもとづく
“リッジ”形導波Ｙ接合の製造を例として以下説明す
る。
半導体材料で作られる基板上のチャネル形導波路は通
常、適当な層アセンブリにおけるリブ形パターンをエッ
チングすることにより製造される。ここで、周知のエッ
チング方法は、なかでも、湿式化学的エッチングと乾式
エッチングである。このような材料は結晶性であるか
ら、湿式化学的エッチングは等方的または結晶面を介し
行い、湿式化学的エッチングは、前記半導体材料よりな
る基板上に枝分かれチャネル形導波路を形成するのに適
している。４つの手順が、たとえば、乾式エッチング、
すなわち、プラズマエッチング、スパッターエッチン
グ、イオンビーム・エッチングおよび反応性イオンによ
るエッチング（反応性イオンエッチング（ＲＩＥ））を
行なう参考文献〔２〕に開示される。これらすべての乾
式エッチング手順は原則として、前記半導体材料よりな
る基板上または基板内に“リッジ”形、“埋込形”また
は“ストリップ装入形”等標準導波路パターンを形成す
るのに使用できる。しかし、ＲＩＥ方法がもっとも適し
ている。ＲＩＥ方法が使用される、ＩｎＰにもとづく
“リッジ”形導波Ｙ接合の製造を例として以下説明す
る。
【００１１】図１は、ＩｎＰに置かれ、薄いＳｉＯ２補
助マスク層２が当接される基板１よりなる被処理層アセ
ンブリを断面で示す。基板１は、ＩｎＰベース層３と、
ＩｎＧａＡｓＰ光案内層４とＩｎＰ上層５とよりなる。
上層５は、光案内層４に、この場合、導波Ｙ接合であ
る、所望の導波路パターンを形成するリブ・パターンを
備えなければならない層である。
助マスク層２が当接される基板１よりなる被処理層アセ
ンブリを断面で示す。基板１は、ＩｎＰベース層３と、
ＩｎＧａＡｓＰ光案内層４とＩｎＰ上層５とよりなる。
上層５は、光案内層４に、この場合、導波Ｙ接合であ
る、所望の導波路パターンを形成するリブ・パターンを
備えなければならない層である。
【００１２】図２．１に図２．４を含む図２と、図３．
１〜図３．４を含む図３は、層アセンブリを処理する異
なる段階を連続的に示す。各図２．ｉ（ｉ＝１，−４）
は層アセンブリを平面図で示し、対応する図３．ｉは層
アセンブリをＩＩＩ．ｉ−ＩＩＩ．ｉ線に沿う断面で示
す。第１マスクパターン６は写真平版方法により薄い補
助マスク層２にフォトレジストで当接される。前記マス
クパターンは、この実施例では、Ｐ点で曲がりを有する
チャネル形導波路パターンを一体に形成する幹６．１と
側枝６．２である、Ｙ形パターンの１部をなす。この段
階は図２．１と図３．１で示す。第１エッチング工程
で、第１マスクパターン６は乾式エッチングにより補助
マスク層２に転写される。つぎに、第１マスクパターン
のフォトレジストが除去される。補助マスク層のうち、
Ｙ形パターンの幹２．１と側枝２．２のみが残る。この
段階は図２．２と図３．２に示す。つぎの工程では、補
助マスク層２に転写された第１マスクパターンに一部が
重なるフォトレジストの第２マスクパターンは第２写真
平版方法により基板１に当接される。第２マスクパター
ンは、曲がりＰ近くで鋭角で重なる方法で補助マスク層
２におけるＹ形パターンの側枝２．２をしゃ断する直チ
ャネル形ガイドの直ストリップ７を備える。この段階は
図２．３と図３．３に示す。つぎに、残りの補助マスク
層２のパターンと、この場合、直ストリップ７である、
フォトレジストの第２マスクパターンとの結合が、ＲＩ
Ｅ方法、例えば、ＣＨ４／Ｈ２混合物を使用し基板のＩ
ｎＰ上層を乾式エッチングする方法を採用する第２エッ
チング工程でマスクとして使用される。つぎに、第２マ
スクパターンのフォトレジストが先ず除去され、最後に
補助マスク層２の残分が除去される。この最終段階は図
２．４と図３．４に示す。ここで、Ｙ形導波路パターン
の幹のリブは１．１で、第１側枝のリブは１．２で、第
２側枝のリブは１．３で、基板の腐蝕上面は１．４で示
されている。鋭頂点Ｖは第１側枝１．２と第２側枝１．
３との間に形成されている。
１〜図３．４を含む図３は、層アセンブリを処理する異
なる段階を連続的に示す。各図２．ｉ（ｉ＝１，−４）
は層アセンブリを平面図で示し、対応する図３．ｉは層
アセンブリをＩＩＩ．ｉ−ＩＩＩ．ｉ線に沿う断面で示
す。第１マスクパターン６は写真平版方法により薄い補
助マスク層２にフォトレジストで当接される。前記マス
クパターンは、この実施例では、Ｐ点で曲がりを有する
チャネル形導波路パターンを一体に形成する幹６．１と
側枝６．２である、Ｙ形パターンの１部をなす。この段
階は図２．１と図３．１で示す。第１エッチング工程
で、第１マスクパターン６は乾式エッチングにより補助
マスク層２に転写される。つぎに、第１マスクパターン
のフォトレジストが除去される。補助マスク層のうち、
Ｙ形パターンの幹２．１と側枝２．２のみが残る。この
段階は図２．２と図３．２に示す。つぎの工程では、補
助マスク層２に転写された第１マスクパターンに一部が
重なるフォトレジストの第２マスクパターンは第２写真
平版方法により基板１に当接される。第２マスクパター
ンは、曲がりＰ近くで鋭角で重なる方法で補助マスク層
２におけるＹ形パターンの側枝２．２をしゃ断する直チ
ャネル形ガイドの直ストリップ７を備える。この段階は
図２．３と図３．３に示す。つぎに、残りの補助マスク
層２のパターンと、この場合、直ストリップ７である、
フォトレジストの第２マスクパターンとの結合が、ＲＩ
Ｅ方法、例えば、ＣＨ４／Ｈ２混合物を使用し基板のＩ
ｎＰ上層を乾式エッチングする方法を採用する第２エッ
チング工程でマスクとして使用される。つぎに、第２マ
スクパターンのフォトレジストが先ず除去され、最後に
補助マスク層２の残分が除去される。この最終段階は図
２．４と図３．４に示す。ここで、Ｙ形導波路パターン
の幹のリブは１．１で、第１側枝のリブは１．２で、第
２側枝のリブは１．３で、基板の腐蝕上面は１．４で示
されている。鋭頂点Ｖは第１側枝１．２と第２側枝１．
３との間に形成されている。
【００１３】マスクパターンがフォトレジストで当接さ
れ再び除去される写真平版方法は、なかでも、参考文献
〔２〕（特に、セクション７．２“パターン技術”）に
開示されている。フォトレジストは、たとえば、アセト
ンまたは０２プラズマで除去してもよい。二酸化ケイ素
層（ＳｉＯ）は好ましくは、フッ素含有ガス、たとえば
ＣＨＦ３を使用してＲＩＥ方法で乾式腐蝕され、しかし
この情況では、ほとんどアタック（浸蝕）されないか全
く浸蝕されない。このことは、たとえば、参考文献
〔３〕に開示されている。ＣＨ４／Ｈ２ガス混合物を使
用するＲＩＥ方法によるりん化インジュムの乾式エッチ
ングは本質的に参考文献〔４〕に開示されている。参考
文献〔４〕はまた、この情況では、フォトレジスト等材
料だけでなくかつまた二酸化ケイ素等の材料も抵抗性が
あることを開示している。従って、両材料は、ＣＨ４／
Ｈ２ガス混合物を使用する同一の乾式エッチング方法で
マスク材として使用できる。二酸化ケイ素の残分は、た
とえば、ＨＦ溶液またはＣＨＦ３エッチング方法を使用
し良好に除去できる。
れ再び除去される写真平版方法は、なかでも、参考文献
〔２〕（特に、セクション７．２“パターン技術”）に
開示されている。フォトレジストは、たとえば、アセト
ンまたは０２プラズマで除去してもよい。二酸化ケイ素
層（ＳｉＯ）は好ましくは、フッ素含有ガス、たとえば
ＣＨＦ３を使用してＲＩＥ方法で乾式腐蝕され、しかし
この情況では、ほとんどアタック（浸蝕）されないか全
く浸蝕されない。このことは、たとえば、参考文献
〔３〕に開示されている。ＣＨ４／Ｈ２ガス混合物を使
用するＲＩＥ方法によるりん化インジュムの乾式エッチ
ングは本質的に参考文献〔４〕に開示されている。参考
文献〔４〕はまた、この情況では、フォトレジスト等材
料だけでなくかつまた二酸化ケイ素等の材料も抵抗性が
あることを開示している。従って、両材料は、ＣＨ４／
Ｈ２ガス混合物を使用する同一の乾式エッチング方法で
マスク材として使用できる。二酸化ケイ素の残分は、た
とえば、ＨＦ溶液またはＣＨＦ３エッチング方法を使用
し良好に除去できる。
【００１４】上記方法はつぎの３つの必要条件を満たさ
ねばならない：フォトレジストで第２マスクのパターン
を妨げないほど薄い層に形成できねばならない；補助マ
スク層と第２マスクの材料は第２エッチング方法のエッ
チング剤に十分耐えねばならない；そして、補助マスク
層に転写される第１マスクと第２マスクとは互いにたい
する整合特性を有しねばならない。非対称Ｙ形枝の場
合、これは特に２つの直枝分かれアーム間の角度に特に
関し；枝分かれアームの互いの相対位置はそれほど重要
ではない。
ねばならない：フォトレジストで第２マスクのパターン
を妨げないほど薄い層に形成できねばならない；補助マ
スク層と第２マスクの材料は第２エッチング方法のエッ
チング剤に十分耐えねばならない；そして、補助マスク
層に転写される第１マスクと第２マスクとは互いにたい
する整合特性を有しねばならない。非対称Ｙ形枝の場
合、これは特に２つの直枝分かれアーム間の角度に特に
関し；枝分かれアームの互いの相対位置はそれほど重要
ではない。
【００１５】二酸化ケイ素材は最初の２つの必要条件を
十分に満たしている。二酸化ケイ素補助マスク層は、蒸
着、スパッターリングまたはＰＥＣＶＤ（プラズマ・エ
ンハンスト化学蒸着）等種々手順により基板に当接でき
る。
十分に満たしている。二酸化ケイ素補助マスク層は、蒸
着、スパッターリングまたはＰＥＣＶＤ（プラズマ・エ
ンハンスト化学蒸着）等種々手順により基板に当接でき
る。
【００１６】二酸化ケイ素に代えて、窒化ケイ素（Ｓｉ
３Ｎ４）、オキソ窒化ケイ素、窒化ケイ素と二酸化ケイ
素の混合物等ＩＩＩ−Ｖ半導体材料にもとづく成分の製
造用集結手順に広く使用される他の誘電体材料も使用で
きる。
３Ｎ４）、オキソ窒化ケイ素、窒化ケイ素と二酸化ケイ
素の混合物等ＩＩＩ−Ｖ半導体材料にもとづく成分の製
造用集結手順に広く使用される他の誘電体材料も使用で
きる。
【００１７】実施例：出発点は、７０±５ｎｍ二酸化ケ
イ素層を備えるＩｎＰ基板である。第１および第２フォ
トレジストマスクには、層厚みが約６００ｎｍの正反転
レジスト（ヘキスト製ＡＺ５２０６Ｅ）が使用されてい
る。第１および第２マスクのフォトレジスト材料の除去
は、アセトンで行なわれた。最後のクリーニングは、８
０−１００ＷのＲＦパワーで６５ＳＣＣＭ（毎分標準立
方センチ）酸素プラズマを使用し管状リアクトル・プラ
ズマエッチャ（バレルエッチャ）で行なわれた。両エッ
チング方法はネクストラル（Ｎｅｘｔｒａｌ）反応性イ
オンエッチャ・モデル１１０Ａで行なわれた。
イ素層を備えるＩｎＰ基板である。第１および第２フォ
トレジストマスクには、層厚みが約６００ｎｍの正反転
レジスト（ヘキスト製ＡＺ５２０６Ｅ）が使用されてい
る。第１および第２マスクのフォトレジスト材料の除去
は、アセトンで行なわれた。最後のクリーニングは、８
０−１００ＷのＲＦパワーで６５ＳＣＣＭ（毎分標準立
方センチ）酸素プラズマを使用し管状リアクトル・プラ
ズマエッチャ（バレルエッチャ）で行なわれた。両エッ
チング方法はネクストラル（Ｎｅｘｔｒａｌ）反応性イ
オンエッチャ・モデル１１０Ａで行なわれた。
【００１８】第１エッチング方法のデータ： １．９５
Ｐａ反応室圧力の２０ ＳＣＣＭＣＨＦ３プラズマ、５
５Ｗ（０．４Ｗ／ｃｍ２）のＲＦパワー、および１０±
２ｎｍ／分のＳｉＯ２エッチング速度。
Ｐａ反応室圧力の２０ ＳＣＣＭＣＨＦ３プラズマ、５
５Ｗ（０．４Ｗ／ｃｍ２）のＲＦパワー、および１０±
２ｎｍ／分のＳｉＯ２エッチング速度。
【００１９】第２エッチング方法のデータ： ６．６５
Ｐａ反応室圧力のＨ２プラズマ（３５ ＳＣＣＭ）とＣ
Ｈ４プラズマ（７ ＳＣＣＭ）の混合物、７０Ｗ（０．
６Ｗ／ｃｍ２）のＲＦパワー、および２９±２ｎｍ／分
のＩｎＰエッチング速度。二酸化ケイ素層の残分は、周
囲温度で約１分間で１０％ＨＦ溶液で除去された後、腐
蝕基板は、５分間１０％Ｈ３ＰＯ４内への浸漬により、
さらに化学的に研磨された。
Ｐａ反応室圧力のＨ２プラズマ（３５ ＳＣＣＭ）とＣ
Ｈ４プラズマ（７ ＳＣＣＭ）の混合物、７０Ｗ（０．
６Ｗ／ｃｍ２）のＲＦパワー、および２９±２ｎｍ／分
のＩｎＰエッチング速度。二酸化ケイ素層の残分は、周
囲温度で約１分間で１０％ＨＦ溶液で除去された後、腐
蝕基板は、５分間１０％Ｈ３ＰＯ４内への浸漬により、
さらに化学的に研磨された。
【００２０】厚みが７０ｎｍの二酸化ケイ素補助マスク
層で、上記の方法により、丸み径が
層で、上記の方法により、丸み径が
【００２１】ＳｉＯ２補助マスク層はフォトレジスト層
と比較してきわめて薄くできるので、第１エッチング工
程は、やはり、上記の欠点を伴わずに湿式化学的に行な
える。この目的に、酸化ケイ素層の残分を除去するた
め、上記のような方法を使用できる。
と比較してきわめて薄くできるので、第１エッチング工
程は、やはり、上記の欠点を伴わずに湿式化学的に行な
える。この目的に、酸化ケイ素層の残分を除去するた
め、上記のような方法を使用できる。
【００２２】図２．１〜図２．４および図３．１〜図
３．４に示す方法において、Ｙ形導波路パターンは２つ
の異なる工程で形成される。これにより、本発明による
方法は、特に非対称枝の製造にきわめて適することにな
る。この方法によると、リブ高さが等しいリブ形パター
ンを有する側枝１．２と１．３が得られる。側枝１．２
と１．３の所望の非対称はリブ幅の相違により容易に達
成できる。しかし、この方法で得られる非対称の程度が
不十分の場合もある。所望の非対称はまた、枝間の高さ
差により生じまたはさらに増大される。このようなリブ
高さの差は、第２フォトレジスト・マスクパターン７を
当接する工程前の中間エッチング工程で第１エッチング
深さｄ１まで（できれば、なお存在する第１マスクパタ
ーンの残分６．１と６．２を有する）補助マスク層２の
残分２．１と２．２によりカバーされない基板のすでに
エッチングした部分により達せられる。図３．２にたい
する対応方法において、図２．２に示すように同じ平面
図で、図４は、すなわち、中間エッチング工程を行なっ
た直後、この段階での層アセンブリの断面を示す。つぎ
に、第２マスクパターン７は、補助マスク層２の残分に
部分的に重なる位置で当接される。図５は、図３．３に
相当する段階の断面図である。つぎに、基板１のＩｎＰ
上層のエッチングはエッチング深さｄ２まで第２エッチ
ング工程で続けられる。第２マスクパターン７のフォト
レジストと補助マスク２の残分が除去された後、Ｙ形導
波路パターンは、幹１．１と第１側枝１．２のリブが高
さｄ１＋ｄ２を有し側枝１．３のリブが高さｄ２を有す
るように残される。図６は、図３．４に相当する最終段
階の断面図である。
３．４に示す方法において、Ｙ形導波路パターンは２つ
の異なる工程で形成される。これにより、本発明による
方法は、特に非対称枝の製造にきわめて適することにな
る。この方法によると、リブ高さが等しいリブ形パター
ンを有する側枝１．２と１．３が得られる。側枝１．２
と１．３の所望の非対称はリブ幅の相違により容易に達
成できる。しかし、この方法で得られる非対称の程度が
不十分の場合もある。所望の非対称はまた、枝間の高さ
差により生じまたはさらに増大される。このようなリブ
高さの差は、第２フォトレジスト・マスクパターン７を
当接する工程前の中間エッチング工程で第１エッチング
深さｄ１まで（できれば、なお存在する第１マスクパタ
ーンの残分６．１と６．２を有する）補助マスク層２の
残分２．１と２．２によりカバーされない基板のすでに
エッチングした部分により達せられる。図３．２にたい
する対応方法において、図２．２に示すように同じ平面
図で、図４は、すなわち、中間エッチング工程を行なっ
た直後、この段階での層アセンブリの断面を示す。つぎ
に、第２マスクパターン７は、補助マスク層２の残分に
部分的に重なる位置で当接される。図５は、図３．３に
相当する段階の断面図である。つぎに、基板１のＩｎＰ
上層のエッチングはエッチング深さｄ２まで第２エッチ
ング工程で続けられる。第２マスクパターン７のフォト
レジストと補助マスク２の残分が除去された後、Ｙ形導
波路パターンは、幹１．１と第１側枝１．２のリブが高
さｄ１＋ｄ２を有し側枝１．３のリブが高さｄ２を有す
るように残される。図６は、図３．４に相当する最終段
階の断面図である。
【００２３】中間エッチング工程の深さｄ１まで基板の
ＩｎＰ上層のエッチングは、第１マスクパターン６が補
助マスク層に転写される、第１エッチング工程における
エッチング方法の続きとして行なうことができる。この
場合、第１エッチング工程は、ＩｎＰ上層もエッチング
できるエッチング剤を使用して行なわれなければならな
い。この目的のため、たとえば、第１工程のＣＨＦ３等
フッ素含有ガスが使用できるが、ＩｎＰのエッチング速
度はきわめて低く、そのためこのようなエッチング方法
の継続は長い時間かかる。第２の可能性として、中間エ
ッチング工程は２つ幅工程の第２エッチング工程を行な
うことによって達成され、すでに述べたＲＩＥ方法によ
るＩｎＰ上層の乾式エッチングは第２フォトレジスト・
マスクパターン７の当接前に開始され、その当接後継続
される。第３の可能性は、同じ乾式エッチング剤を使用
して第１工程と第２エッチング工程を行い、第１工程中
に深さｄ１まで基板の上層をエッチングすることであ
る。もちろん、中間エッチング工程を達成する第２と第
３の可能性は、十分な正確さで所望のエッチング深さｄ
１とｄ２に達するためエッチング持続の正確なタイミン
グを要する。
ＩｎＰ上層のエッチングは、第１マスクパターン６が補
助マスク層に転写される、第１エッチング工程における
エッチング方法の続きとして行なうことができる。この
場合、第１エッチング工程は、ＩｎＰ上層もエッチング
できるエッチング剤を使用して行なわれなければならな
い。この目的のため、たとえば、第１工程のＣＨＦ３等
フッ素含有ガスが使用できるが、ＩｎＰのエッチング速
度はきわめて低く、そのためこのようなエッチング方法
の継続は長い時間かかる。第２の可能性として、中間エ
ッチング工程は２つ幅工程の第２エッチング工程を行な
うことによって達成され、すでに述べたＲＩＥ方法によ
るＩｎＰ上層の乾式エッチングは第２フォトレジスト・
マスクパターン７の当接前に開始され、その当接後継続
される。第３の可能性は、同じ乾式エッチング剤を使用
して第１工程と第２エッチング工程を行い、第１工程中
に深さｄ１まで基板の上層をエッチングすることであ
る。もちろん、中間エッチング工程を達成する第２と第
３の可能性は、十分な正確さで所望のエッチング深さｄ
１とｄ２に達するためエッチング持続の正確なタイミン
グを要する。
【図１】鋭頂点を有するＹ形導波路パターンを形成する
ため本発明の方法により処理される層アセンブリを横断
面で示す。
ため本発明の方法により処理される層アセンブリを横断
面で示す。
【図２】処理段階１の層アセンブリ。上段図２．１は平
面図であり、下段図３．１は図２．１の線ＩＩＩ−１−
ＩＩＩ−１に沿った断面図である。
面図であり、下段図３．１は図２．１の線ＩＩＩ−１−
ＩＩＩ−１に沿った断面図である。
【図３】処理段階２の層アセンブリ。上段図２．２は平
面図であり、下段図３．２は図２．２の線ＩＩＩ−２−
ＩＩＩ−２に沿った断面図である。
面図であり、下段図３．２は図２．２の線ＩＩＩ−２−
ＩＩＩ−２に沿った断面図である。
【図４】処理段階３の層アセンブリ。上段図２．３は平
面図であり、下段図３．３は図２．３の線ＩＩＩ−３−
ＩＩＩ−３に沿った断面図である。
面図であり、下段図３．３は図２．３の線ＩＩＩ−３−
ＩＩＩ−３に沿った断面図である。
【図５】処理段階４の層アセンブリ。上段図２．４は平
面図であり、下段図３．４は図２．４の線ＩＩＩ−４−
ＩＩＩ−４に沿った断面図である。
面図であり、下段図３．４は図２．４の線ＩＩＩ−４−
ＩＩＩ−４に沿った断面図である。
【図６】図３．２に示す段階の次の段階での本発明によ
る方法の変形である層アセンブリの断面を示す。
る方法の変形である層アセンブリの断面を示す。
【図７】図３．３に相当する段階での図４の変形方法に
よる層アセンブリの断面を示す。
よる層アセンブリの断面を示す。
【図８】図３．４に相当する段階での図４の変形方法に
よる層アセンブリの断面を示す。
よる層アセンブリの断面を示す。
１ 基板 ２ 補助マスク層 ３ ＩｎＰベース層 ４ 光案内層 ５ ＩｎＰ上層 ２．１，６．１ 幹 ２．２，６．２ 側枝 ６ 第１マスクパターン ７ 第２マスクパターン ｄ１，ｄ２ エッチング深さ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 エデュアード ゲラルド メタール オランダ国 ザ ハーグ 2522 ダブリュ ーエヌデ ブルストラート ４ (72)発明者 ヨルゲン ウェルングリーン ペデルセン オランダ国 デルフト 2625 ピーケイ ジョーコウラーン 47
Claims (9)
- 【請求項１】 基板に少なくとも１つの補助マスク層が
当接される光案内層を備える基板上に枝分かれまたは相
互にしゃ断するチャネル形導波路を製造する方法におい
て、 補助マスク層に、第１チャネル形導波路用副パターンを
備える感光性材料よりなる第１マスクパターンを当接す
る工程、 第１エッチング剤を使用して第１マスクパターンにより
カバーされない補助マスクをエッチングする第１エッチ
ング工程、 第１マスクパターンに相当する補助マスクパターンの残
分を残し、第１マスクパターンの感光性材料を除去する
工程、 第２チャネル形導波路用副パターンを備え第１導波路と
鋭角をなす感光性材料よりなる第２マスクパターンを補
助マスク層の残分に部分的に当接する工程、 第２エッチング剤を使用して第２マスクパターンにより
カバーされない部分をエッチングする第１エッチング工
程、および第２マスクパターンの感光性材料を除去する
工程より成り、 第２エッチング工程は乾式エッチング剤を使用して行な
われ、基板には、第２エッチング工程で抵抗する材料よ
りなる１つだけ補助マスク層を備えることを特徴とする
方法。 - 【請求項２】 第１エッチング工程後で、第２マスクパ
ターン当接工程前に、中間エッチング工程が、補助マス
ク層の残分によりカバーされない基板の部分をエッチン
グするため乾式エッチング剤を使用して行なわれること
を特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 第１エッチング工程において、基板をエ
ッチングできるエッチング剤が使用され、中間エッチン
グ工程は第１エッチング工程で使用されるエッチング剤
と同じエッチング剤を使用して行なわれ、第１エッチン
グ工程は、第１マスクパターンによりカバーされない補
助マスク層の部分がエッチングされた後も継続されるこ
とを特徴とする請求項２記載の方法。 - 【請求項４】 中間エッチング工程は、第２エッチング
工程で使用されるエッチング剤と同じエッチング剤を使
用して行なわれることを特徴とする請求項２または３記
載の方法。 - 【請求項５】 第２エッチング工程は、“反応性イオン
エッチング”方法を使用して行なわれ、光案内層を備え
る基板はＩＩＩ−Ｖ半導体材料より製造され、補助マス
ク層は誘電材料より製造されることを特徴とする前記各
請求項のいずれか１つに記載の方法。 - 【請求項６】 第１エッチング工程は、“反応性イオン
エッチング”方法を使用して行なわれることを特徴とす
る請求項５記載の方法。 - 【請求項７】 第１エッチング工程は湿式化学的に行な
われることを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項８】 補助マスク層は第３エッチング工程で除
去されることを特徴とする前記各請求項のいずれか１つ
に記載の方法。 - 【請求項９】 第３エッチング工程は、第１エッチング
工程で使用されるエッチング剤と同じエッチング剤を使
用して行なわれることを特徴とする請求項８記載の方
法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL9202059 | 1992-11-26 | ||
| NL9301071 | 1993-06-18 | ||
| NL9301071A NL9301071A (nl) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | Werkwijze voor het vervaardigen van scherpe golfgeleidervertakkingen in geintegreerde optische componenten. |
| NL9202059 | 1993-06-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06208031A true JPH06208031A (ja) | 1994-07-26 |
Family
ID=26647034
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5339111A Pending JPH06208031A (ja) | 1992-11-26 | 1993-11-25 | 集積光学成分の鋭導波路枝の製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5364495A (ja) |
| EP (1) | EP0599394B1 (ja) |
| JP (1) | JPH06208031A (ja) |
| AT (1) | ATE162636T1 (ja) |
| DE (1) | DE69316552T2 (ja) |
| ES (1) | ES2111707T3 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010096722A (ko) * | 2000-04-14 | 2001-11-08 | 구자홍 | 분기형 광도파로의 제작방법 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL9400266A (nl) * | 1994-02-22 | 1995-10-02 | Nederland Ptt | Werkwijze en bijbehorend paar van maskerpatronen voor het onder toepassing van dubbele maskering vervaardigen van geintegreerde optische golfgeleiderstructuren. |
| NL1001777C2 (nl) * | 1995-11-29 | 1997-05-30 | Nederland Ptt | Werkwijze voor het vervaardigen van scherpe golfgeleider-vertakkingen in geïntegreerde optische circuits. |
| KR100223329B1 (ko) * | 1995-12-29 | 1999-10-15 | 김영환 | 반도체 소자의 미세 패턴 제조방법 |
| IT1285023B1 (it) * | 1996-03-22 | 1998-06-03 | Cselt Centro Studi Lab Telecom | Procedimento per la realizzazione di laser con regione di guida rastremata. |
| FI104891B (fi) * | 1996-10-08 | 2000-04-28 | Fluilogic Systems Oy | Menetelmä ja laitteisto neste-erien annostelemiseksi |
| KR19990035454A (ko) | 1997-10-31 | 1999-05-15 | 윤종용 | 단일 챔버내에서 평면 광 도파로를 제작하는 방법 |
| US6818559B2 (en) * | 2001-03-21 | 2004-11-16 | Intel Corporation | Method of fabrication to sharpen corners of Y-branches in integrated optical components and other micro-devices |
| GB0119917D0 (en) * | 2001-08-15 | 2001-10-10 | Bookham Technology Plc | Production of an integrated optical device |
| US7006719B2 (en) * | 2002-03-08 | 2006-02-28 | Infinera Corporation | In-wafer testing of integrated optical components in photonic integrated circuits (PICs) |
| US6921490B1 (en) * | 2002-09-06 | 2005-07-26 | Kotura, Inc. | Optical component having waveguides extending from a common region |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6259905A (ja) * | 1985-09-10 | 1987-03-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光導波路の製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0402556B1 (en) * | 1989-06-16 | 1993-10-06 | International Business Machines Corporation | A method for improving the flatness of etched mirror facets |
| US4938841A (en) * | 1989-10-31 | 1990-07-03 | Bell Communications Research, Inc. | Two-level lithographic mask for producing tapered depth |
| JPH03291605A (ja) * | 1990-04-10 | 1991-12-20 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光導波路の形成方法 |
| US5271801A (en) * | 1990-07-09 | 1993-12-21 | Commissariat A L'energie Atomique | Process of production of integrated optical components |
-
1993
- 1993-11-16 ES ES93203208T patent/ES2111707T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1993-11-16 EP EP93203208A patent/EP0599394B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-11-16 AT AT93203208T patent/ATE162636T1/de not_active IP Right Cessation
- 1993-11-16 DE DE69316552T patent/DE69316552T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-11-19 US US08/154,958 patent/US5364495A/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-11-25 JP JP5339111A patent/JPH06208031A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6259905A (ja) * | 1985-09-10 | 1987-03-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光導波路の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010096722A (ko) * | 2000-04-14 | 2001-11-08 | 구자홍 | 분기형 광도파로의 제작방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5364495A (en) | 1994-11-15 |
| ATE162636T1 (de) | 1998-02-15 |
| DE69316552D1 (de) | 1998-02-26 |
| DE69316552T2 (de) | 1998-06-04 |
| EP0599394B1 (en) | 1998-01-21 |
| ES2111707T3 (es) | 1998-03-16 |
| EP0599394A1 (en) | 1994-06-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4938841A (en) | Two-level lithographic mask for producing tapered depth | |
| US6252725B1 (en) | Semiconductor micro epi-optical components | |
| JPH027010A (ja) | タンデム溝を有した素子の製造方法 | |
| JPH06208031A (ja) | 集積光学成分の鋭導波路枝の製造方法 | |
| JP2006512611A (ja) | 光導波路の作製方法 | |
| US4911783A (en) | Process for etching recesses in a silicon substrate | |
| EP0784216A2 (en) | Method of manufacturing an optical device with a groove accurately formed | |
| US20060037364A1 (en) | Method to trim and smooth high index contrast waveguide structures | |
| US7204932B2 (en) | Polarization rotators | |
| JP2002532746A (ja) | 光導波路の作成方法 | |
| US20040020893A1 (en) | Method of producing a rib waveguide | |
| JP2752851B2 (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| EP0363547A1 (en) | Method for etching mirror facets of III-V semiconductor structures | |
| US20050008314A1 (en) | Fabrication of integrated circuit | |
| US5922216A (en) | Method for manufacturing sharp waveguide branches in integrated optical circuits | |
| WO2002097489A2 (en) | Method of fabricating mode-size converter with three-dimensional taper | |
| JP4042288B2 (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| NL9301071A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van scherpe golfgeleidervertakkingen in geintegreerde optische componenten. | |
| JPH05182948A (ja) | 薄膜テーパー構造の形成方法 | |
| JP2000147289A (ja) | 光導波路およびその製造方法 | |
| JPH063541A (ja) | 導波路型グレーティング及びその作製法 | |
| KR100273118B1 (ko) | 반도체소자의금속배선형성방법 | |
| JPH0621039A (ja) | 薄膜テーパー形状の形成方法 | |
| JPWO2003067293A1 (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| JP3571843B2 (ja) | ハイブリッド光集積回路の製造方法 |